JP2002005992A - コンタクタ及びコンタクタを使用した試験方法 - Google Patents
コンタクタ及びコンタクタを使用した試験方法Info
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Abstract
きく弾性変形可能なコンタクト電極を有し、コンタクト
電極の高さにばらつきがあっても低圧力で全てのコンタ
クト電極を端子に接触させることができるコンタクタを
提供することを課題とする。 【解決手段】 絶縁基板4の厚み方向に延在する貫通孔
6を形成する。貫通孔6の中に複数の弾性を有する導電
性粒子であるボール8を貫通孔6に沿って整列して配置
する。両端部のボール8の一部は絶縁基板4の表面から
突出している。
Description
タに係わり、特にLSIのような半導体装置の試験を行
うために半導体装置の電極に接触して電気的な導通をと
るための電子部品用のコンタクタ及び及びそのようなコ
ンタクタを使用した試験方法に関する。
しい発展をとげており、それにともない、LSI等の半
導体装置の配線パターンは微細化し、端子数の増加及び
端子の微細化も著しい勢いで進んでいる。
も小型化・高密度実装が強く求められている。例えば、
移動式電話機、モバイルパソコン、ビデオ一体型カメラ
等小型で高性能が要求される携帯機器の製造販売数が急
増している。また、高速で動作を保証するために隣接す
るLSIの距離を極小化した高機能電算機への要求が急
増している。
態も、パッケージされていないLSIチップのままで機
能保証して出荷するという形態が増加してきている。こ
のような出荷の形態をKGD(Known Good Die)と称す
る。また、LSIチップサイズと同じ大きさにパッケー
ジされた半導体装置であるチップサイズパッケージ(C
SP)の出荷数も急増している。
導体装置の試験を行うためには、微細化された配線パタ
ーンの一部として形成された多数の端子と確実に電気接
触をとることのできるコンタクタの供給が不可欠となっ
てきている。
と、LSIの製造工程においてウェーハ上に複数個まと
めて形成されたLSIをウェーハ状態のままで、FT
(ファイナルテスト)やBI(バーンイン試験)等の全
ての試験を実施したいという要求が強くなってきてい
る。
ップ毎に切り離した状態でテストするよりハンドリング
効率がよいという効果がある。すなわち、一つのチップ
のサイズが異なるとハンドリング設備の汎用性がなくな
ってしまうが、ウェーハ状態であればウェーハの外形は
標準化されており、一括した搬送が可能となる。また、
チップの不良情報をウェーハマップにより管理できると
いう利点がある。
ルCSPは、組み立て工程までウェーハ一括で管理でき
る。このため、ウェーハ状態の試験が実現できれば、ウ
ェーハプロセスからパッケージング(組み立て)及び試
験まで、一貫してウェーハ状態で扱うことができ、LS
I製造工程の効率化が達成できる。
数のピンが設けられたLSIをウェーハ状態のままで複
数のLSIの端子に一括で接触できるコンタクタの開発
が望まれている。
て、1)針式のメカニカルプローブを使用したコンタク
タ、2)メンブレンプローブを使用したコンタクタ、
3)異方性導電ゴムを使用したコンタクタが使用されて
いる。
コンタクタ 針式のメカニカルプローブを使用したコンタクタは、個
々の針(タングステンワイヤ等により形成された針)を
それぞれ試験されるLSIの端子位置にあうようにコン
タクタ基板に配置して形成される。一般的に、LSIに
対して針が上方より傾斜した状態でLSIの端子へと延
在するように構成されているが、垂直に配置する方式も
開発されている。
タクタ メンブレン式プローブは、触針用のコンタクト電極とし
て金属突起(以下バンプという)を有するフィルム状の
回路基板として形成される。
厚さ方向にのみ導通する材料(金属ワイヤ等)を埋め込
んで形成される。
プローブは以下のような課題を有する。
タの製造コストが高い。
るため、針先の位置精度に限界がある。
置に制限があり、複数のLSIに一括でコンタクトでき
るようなコンタクタを作るのが困難である。
課題を有する。
とができない。個々のコンタクト電極は絶縁基板中に埋
め込まれており、その可動範囲が狭い。また、コンタク
ト電極が金属バンプであるため、柔軟性に乏しい。この
ため、隣接バンプ同士の高さにばらつきがあると、低い
バンプが接触しなかったり、接触不良をひき起こしたり
するという問題が発生する。
は、金属メッキ層を積み上げて形成されるため、製造に
時間がかかり、コストが高くなる。
有する。
合、ゴム部分が塑性変形してしまい、長くて20〜30
回、短いもので1回しか使用できない。
埋め込むことが難しいため、狭ピッチ電極のLSIに対
応できない。異方性導電ゴムで対応できる電極のピッチ
は、150μm程度までである。
適用するには、ウェ−ハ上の全LSIの端子の合計が数
万(10万端子)となるような場合もあり、上述のコン
タクタに共通して以下のような課題がある。
けるための圧力が非常に大きい。
1N(約10g)以上の加圧力を必要とするため、ウェ
ーハ全体で10万端子あるような場合は、10000N
(約1000kg)の加圧力が必要となる。従来方式で
は、コンタクト電極の高さのばらつき等により、加圧力
を全端子に均一に加えることは困難であり、特定の端子
に過剰な加圧力が印加されることがあった。また、全加
圧力を受け止める設備がないと、ウェーハが割れてしま
ったり湾曲してしまったりしてチップ上の回路が損傷し
てしまうおそれがあった。
じる。
合が多く、その線膨張係数は3ppm程度である。しか
し、上述のコンタクタの絶縁基板は、樹脂やゴム材料で
形成されているため、その線膨張係数は13〜30pp
m程度である。したがって、常温において正確に接触し
ていたとしても、BI試験のように高温にさらされる
と、コンタクタの絶縁基板材料とウェーハのシリコン材
料との熱膨張差によりコンタクトの接触位置がずれてし
まい、コンタクトが端子からはずれてしまったり、隣の
端子に接触してしまったりするおそれがある。絶縁基板
材料にポリイミドを用いた場合は、ポリイミドの熱膨張
係数は13ppm程度であるので、8インチウェーハ
(半径は焼く100mm)を使用した場合、常温におい
て正確に位置があっていたとしても、125℃まで加熱
すると、ウェーハ最外周付近の端子位置では、100μ
mもの位置ずれが生じてしまう。
あり、狭ピッチであっても厚さ方向に大きく弾性変形可
能なコンタクトを有し、コンタクトの高さにばらつきが
あっても低圧力で全てのコンタクトを端子に接触させる
ことができるコンタクタを提供することを目的とする。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
絶縁基板と、該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面
から厚み方向に延在する凹部と、該凹部に収容された複
数の弾性を有する導電性粒子とを有し、該導電性粒子の
一部が前記絶縁基板の表面から突出していることを特徴
とするものである。
表面から突出した部分がコンタクト電極として機能す
る。絶縁機基の凹部には複数の導電性粒子が収容されて
おり、その各々が弾性変形することによりコンタクト電
極の接触圧を発生する。導電性粒子は互いに接触して導
通しているが、凹部内において導電性粒子の周囲には変
形した部分が収容可能な空間が存在する。
形することができ、結果として、導電性粒子の突出部が
平坦になるまで被試験体の端子を導電性粒子に押し付け
ても、極めて低い圧力を維持したまま変形することがで
きる。これにより、ウェーハレベルでの半導体装置試験
のようにコンタクトをとる端子が膨大な数になっても、
小さな押圧力で確実にコンタクトをとることができる。
ンタクタであって、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向
に貫通して形成された貫通孔であり、前記導電性粒子は
前記絶縁基板の両面から突出することを特徴とするもの
である。
を整列した状態で収容して両端の導電性粒子を絶縁基板
から突出させることにより、絶縁基板の両面側にコンタ
クト電極を有するコンタクタを実現することができる。
このような構成は非常に簡単な構造であり、安価に製造
することができる。
ンタクタであって、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向
に貫通して形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側
は回路配線用端子により閉鎖されていることを特徴とす
るものである。
配線用端子が設けられるため、導電性粒子の列により、
コンタクト電極の先端と回路配線端子は電気的に接続さ
れる。加えて、導電性粒子が接触圧を発生するので、非
常に簡単な構成によりコンタクト電極を構成することが
できる。
導電性粒子は少なくとも表面が導電性を有する球形の粒
子であり、一列に整列して互いに接触した状態で前記凹
部内に収容されることとしてもよい。あるいは、前記導
電性粒子は少なくとも表面が導電性を有する円筒形であ
り、円筒の中心軸が前記凹部の延在方向に対して略垂直
となり、且つ一列に整列して互いに接触した状態で前記
凹部に収容されることとしてもよい。また、例えば、前
記導電性粒子は少なくとも表面が導電性を有するカプセ
ル形状であり、カプセル形状の長手方向が前記凹部の延
在方向に対して略垂直となり、且つ一列に整列して互い
に接触した状態で前記凹部に収容されることとしてもよ
い。
ル形状にすることにより、導電性粒子が凹部に収容され
た状態で、導電性粒子の周囲に変形可能な領域を大きく
とることができ、極めて小さい接触圧によるコンタクト
を達成することができる。
口端部には、前記絶縁基板の厚み方向の中央部における
前記凹部の直径より大きい直径を有する大径部が形成さ
れており、該大径部に収容される導電性粒子の径は他の
導電性粒子の径より大きいこととしてもよい。これによ
り、導電性粒子の突出量を大きくすることができる。
口端部には、前記導電性粒子の直径より小さい直径を有
する小径部が形成されており、前記導電性粒子の一部が
前記小径部を通じて前記絶縁基板の表面から突出するよ
うに構成することもできる。これにより、導電性粒子を
確実に凹部内に保持しておくことができる。
られ、該絶縁膜の前記凹部の開口端部に相当する位置に
は導電性部材が形成されることとしてもよい。更に、前
記導電性部材は前記膜の表面から突出しており、突起電
極として機能するよう構成することもできる。
られ、該絶縁膜の前記凹部の開口端部に相当する位置
に、前記導電性粒子の直径より小さい直径の開口が形成
され、前記導電性粒子の一部が前記開口から突出するよ
うに構成してもよい。これにより、導電性粒子を確実に
凹部内に保持しておくことができる。
と、該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み
方向に延在する凹部と、該凹部に充填された導電性液体
と、該凹部に収容され、該導電性液体の比重と異なる比
重を有する導電性粒子とを有し、該導電性粒子と該導電
性液体の比重差により、該導電性粒子の一部が前記絶縁
基板の表面から突出していることを特徴とするものであ
る。
粒子との比重差により発生する浮力又は重力により接触
圧を発生することができる。したがって、極めて小さな
接触圧を簡単な構成により発生することができる。
性液体の比重より小さく、前記導電性粒子に作用する浮
力により前記導電性粒子は前記絶縁基板から突出するこ
ととすることができる。これによれば、コンタクト電極
の接触圧を導電性部材の浮力だけで達成することがで
き、極めて小さい接触圧を実現することができる。ま
た、導電性粒子と導電性液体との比重差を変えることに
より接触圧を変更することができる。
液体の比重より大きく、前記導電性粒子に作用する重力
により前記導電性粒子は前記絶縁性基板から突出するこ
ととしてもよい。これによれば、コンタクト電極の接触
圧を導電性部材の導電性液体中における重力だけで達成
することができ、極めて小さい接触圧を実現することが
できる。また、導電性粒子と導電性液体との比重差を変
えることにより接触圧を変更することができる。
に貫通して形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側
は回路配線用端子により閉鎖されていることとしてもよ
い。これにより、回路配線用端子と導電性粒子とは、導
電性液体により電気的に接続することができる。
部の開口端部には、前記凹部の底部より大きい直径を有
する液貯め部が形成されており、前記導電性粒子が押圧
されて前記導電性液体中に入り込んだときに前記導電性
液体が該液貯め部に流れ込むことにより、前記導電性液
体が前記凹部からあふれ出ないよう構成することとして
もよい。これにより、導電性粒子が導電性液体中に押し
込まれたときでも、導電性液体を凹部内に保持しておく
ことができ、且つ、導電性粒子にかかる浮力の変化(増
加)を少なくすることができる。
され、該絶縁膜の前記凹部の開口部に相当する位置には
前記導電性粒子の直径より小さい直径の開口が形成され
ており、前記導電性粒子の一部が該開口から突出するよ
うに構成することもできる。また、請求項5記載の発明
は、絶縁基板と、該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の
表面から厚み方向に延在する凹部と、該凹部の延在方向
に整列して互いに接触した状態で該凹部に収容された複
数の導電性粒子と前記絶縁基板の表面に形成され、前記
凹部の開口部に相当する位置に導電部を有する絶縁膜と
を有し、該導電性粒子の線膨張係数は前記絶縁基板の線
膨張係数より大きく設定され、コンタクタが加熱された
際に前記導電性粒子が熱膨張することにより、前記絶縁
膜の導電部が前記導電性粒子に押圧されて突出すること
を特徴とする。
電性粒子が熱膨張することにより、絶縁膜に設けられた
導電部が突出するので、この突出部をコンタクト電極と
して使用することができる。
向に貫通して形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端
側は回路配線用端子により閉鎖されていることとしても
よい。これにより、導電性粒子を凹部に収容するだけで
回路配線用端子と導電性粒子とを電気的に接続すること
ができる。
と、該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み
方向に延在する凹部と、該凹部に充填された導電性液体
と、該導電性液体に混合された粒子と、前記絶縁基板の
表面に形成され、前記凹部の開口部に相当する位置に導
電部を有する絶縁膜とを有しコンタクタが加熱されたと
きに前記導電性液体と前記粒子の混合体が熱膨張して、
前記絶縁膜の導電部が前記混合体により押圧されて突出
することを特徴とするものである。
の混合体の熱膨張が、絶縁基板の熱膨張による凹部の容
積の増大より大きいので、加熱状態で試験を行うような
場合、混合体の熱膨張による絶縁膜の導電部の突出によ
り、適当な接触を行うことができる。
に貫通して形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側
は回路配線用端子により閉鎖されている構成としてもよ
い。これにより、回路配線用端子と絶縁膜の導電部とを
導電性液体により電気的に接続することができる。
記絶縁基板の線膨張係数より大きいこととする。これに
より、導電性液体と粒子との混合体の線膨張係数を絶縁
基板の線膨張係数より大きくすることができる。
その他の部分の直径より小さく構成され、熱膨張による
前記絶縁基板の導電部の突出量を増大した構成としても
よい。
された場合、回路配線用端子同士を接続する配線パター
ンを前記絶縁基板上に形成することとしてもよい。これ
により、例えば、ウェーハ状態の複数の半導体装置を試
験する場合には各々の半導体装置に共通した端子同士を
配線パターンで接続して、一つの端子に接続することが
できる。
面との間に電子回路が形成され、該電子回路は前記凹部
の底部を介して前記導電性粒子又は導電性液体に電気的
に接続され、且つ前記絶縁基板の表面に形成された外部
接続端子に接続されるよう構成してもよい。これによれ
ば、絶縁基板を利用して例えば半導体試験を補助する電
子回路を形成することができ、半導体試験装置の負荷を
軽減することができる。
載のコンタクタを使用した試験方法であって、コンタク
タの絶縁基板の表面から突出した導電性粒子に被試験体
の外部接続用端子が整列するように被試験体をコンタク
タに対して配置し、被試験体の面が前記絶縁基板の表面
に接触するまで、コンタクタを被試験体に対して所定の
低圧力で押圧する各工程を含むことを特徴とするもので
ある。
体に接触するまで押圧することだけで、コンタクタを被
試験体に適当な接触圧によりコンタクトすることができ
る。導電性粒子は容易に弾性変形可能であり、極めて小
さな接触圧を達成することができ、例えば、ウェーハ状
態の半導体装置の試験に用いた場合でも、小さな押圧力
で確実な接触を実現することができる。
載のコンタクタを使用した試験方法であって、コンタク
タの絶縁基板の一方の面から突出した導電性粒子に試験
用基板の接続端子が接触するように、コンタクタの一方
の面側に試験用基板を配置し、コンタクタの他方の面か
ら突出した導電性粒子に被試験体の外部接続用端子が接
触するように、コンタクタの他方の面側に被試験体を配
置し、前記試験用基板と前記被試験体とを所定の低圧力
でコンタクタに対して押圧することにより前記試験用基
板と前記被試験体とをコンタクタに接触させ、前記試験
用基板と前記被試験体とを電気的に接続する各工程を含
むことを特徴とするものである。
基板と被試験体との間に挟んで圧力を加え、コンタクタ
に接触させるだけで、小さな接触圧で確実に接触祖する
ことができる。
と、該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み
方向に延在する凹部と、該凹部に収容された導電体であ
って、使用温度において液相又は液相と固相との中間の
状態となる導電体とを有し、該導電体の一部が前記絶縁
基板の表面から突出して突出部が形成されていることを
特徴とするものである。
おいて、液相又は液相と固相の中間の状態となるため、
押圧力が作用した場合、非常に小さい力で変形すること
ができる。したがって、導電体の突出部をコンタクト電
極とした場合、接触圧がゼロに近い値の電気的接続を達
成することができる。
に貫通して形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側
は回路配線用端子により閉鎖されていることとしてもよ
い。これにより、簡単な構成で、回路配線用端子と導電
体すなわちコンタクト電極とを電気的に接続することが
できる。
前記前記凹部の端部には、前記導電体の突出部が押圧さ
れて変形する際に変形部分を収容する収容部が形成され
ている構成としてもよい。これにより、導電体の突出部
が変形する際に収容部において変形することができ、導
電体の突出部を変形するための押圧力はほとんど必要な
い。
導電体に対して濡れ性を有する材料の層が前記凹部の内
面に形成されていることとしてもよい。これによれば、
導電体が液相となった際に、導電体を凹部の内面に付着
させることができる。すなわち、導電体を凹部に確実に
保持することができる。
配線パターンが前記絶縁基板上に形成された構成として
もよい。これにより、例えば、ウェーハ状態の複数の半
導体装置を試験する場合には各々の半導体装置に共通し
た端子同士を配線パターンで接続して、一つの端子に接
続することができる。
面との間に電子回路が形成され、該電子回路は前記凹部
の底部を介して前記導電体に電気的に接続され、且つ前
記絶縁基板の表面に形成された外部接続端子に接続され
た構成とすることもできる。これによれば、絶縁基板を
利用して例えば半導体試験を補助する電子回路を形成す
ることができ、半導体試験装置の負荷を軽減することが
できる。
記載のコンタクタを使用した試験方法であって、コンタ
クタの絶縁基板の表面から突出した導電体の突出部に被
試験体の外部接続用端子が整列するように被試験体をコ
ンタクタに対して配置し、被試験体が前記絶縁基板の表
面に接触するまで、コンタクタを被試験体に対して所定
の低圧力で押圧する各工程を含むことを特徴とするもの
である。
体に近接させるだけで、コンタクタを被試験体にほとん
ど圧力無しでコンタクトすることができる。したがっ
て、例えば、ウェーハ状態の半導体装置の試験に用いた
場合でも、小さな押圧力で確実な接触を実現することが
できる。
について図1を参照しながら説明する。
ンタクタの斜視図である。図1に示すコンタクタは、ウ
ェーハに形成された複数の半導体装置を一括で試験する
ためのコンタクタであり、複数の半導体装置の端子に接
触するためのコンタクト電極2を備えている。
を保持するための絶縁基板4を有する。すなわち、絶縁
基板4内に多数のコンタクト電極2が形成される。コン
タクト電極2は、試験に供される半導体装置の端子の配
列と同じ配列(すなわち同じピッチ)で設けられる。し
たがって、試験に供される半導体装置上にコンタクタが
載置された場合、半導体装置の端子の位置と、コンタク
タのコンタクト電極の位置とを合わせることにより電気
的導通をとることができる。
電極2の一つを示す断面図である。コンタクト電極2
は、絶縁基板4に形成された貫通孔6と、貫通孔6内に
収容された複数のボール8とよりなる。貫通孔6は試験
に供される半導体装置の端子の配列と同じ配列に形成さ
れる。
適度な弾性を有し且つ導電性を有する略球形の粒子より
なる。例えば、ボール8は導電性ゴムの粒子により形成
することができる。
い直径を有しており、貫通孔6に整列して互いに接触し
た状態で収容される。ボール8が貫通孔6に収容された
状態において、絶縁基板4の両面からボール8の一部が
突出した状態となるようにボール8の数が決定される。
すなわち、絶縁基板4の一方の面から一番端に位置する
ボール8の一部が突出し、絶縁基板4の反対側の面から
その面側の一番端に位置するボール8の一部が突出す
る。
ると、ボール8は互いに押し付けられて弾性変形し、そ
れにより隣り合うボール8の間の電気的導通が得られ
る。したがって、ボール8の列の一端側のボール8は、
反対側のボール8と導通することとなる。
8に半導体装置の電極を接触させ、反対側のボール8に
試験用基板の電極を接触させて適度な圧力を加えること
により、半導体装置の電極と試験用基板の電極とを導通
させることができ、コンタクタとしての機能を果たすこ
とができる。適度な圧力を加えるには、半導体装置の電
極が絶縁基板4の一方の面に接触し、試験用基板の電極
が絶縁基板の他方の面に接触するまで押し付ければよ
い。
れば、収容されたボール8が球形であるため、各ボール
8が貫通孔6内で変形できるようなスペースが隣接する
ボール8の間に形成される。したがって、ボール8の各
々はこのスペースを占有するように変形することによ
り、貫通孔6内で容易に弾性変形することができ、ボー
ル8同士の間及び両端に配置される端子との間の接触圧
を確保することができる。
を示す図であり、図3(a)は正面図、図3(b)は断
面図である。図3に示すボール8Aはコア8aとして例
えばゴムのような弾性を有する材料を用い、その表面に
例えば、ニッケルメッキ層のような導電材料層8bを形
成したものである。導電材料層は8bは、ニッケルメッ
キ層の上に更に金メッキ層を施すこととしてもよい。
電材料層8bにより電気的な導通性を確保し、コア8a
により弾性を確保することができる。したがって、コア
8aの材質を変えることにより、ボール8の弾性変形率
を変えることができ、その結果、コンタクト電極2とし
ての接触圧力を調節することができる。
て、図4(a)に示すように、導電材料層を部分的に施
して導電材料層8b−1を形成することとしてもよい。
図3に示すボール8Aの場合は、ボール8Aとしての弾
性率は、コア8aの弾性率と導電材料層8bの弾性率と
が合成されたものとなっていたが、図4(a)に示すボ
ール8Bの場合は、ボール8Bの弾性率をよりコア8a
の弾性率に依存するように構成することができる。
(a)に示すボール8Bのコア8aを除去して部分的に
形成された導電材料層8b−1のみとしてもよい。この
場合、ボール8Cは中空状の球となり、その弾性率は導
電材料層8bのみにより提供される。したがって、小さ
な弾性率のボールを作成することができる。
してのボール8は貫通孔6に対して詰め込まれることに
より貫通孔6内に保持される構成であるが、ボール8が
貫通孔6からこぼれ落ちないような手段を設けることと
してもよい。
けて貫通孔6の開口部を覆うことにより、ボール8を貫
通孔6内に保持した例を示す断面図である。絶縁基板4
の表面に貼り付ける膜としては絶縁性を有するポリイミ
ド(PI)膜が使用できる。ただし、ボール8と外部と
の導通をとらなければならないので、ポリイミド膜にお
いて貫通孔6の開口部に位置する部分に導電部材12が
設けられている。
め貫通孔4内に所定数のボール8が詰め込まれる。その
後、膜10の導電部材12が貫通孔6の開口部分に一致
するように膜10を絶縁基板4に貼り付ける。
0の圧力によりボール8はある程変形するが、膜10自
体もボールの弾性力により撓むことにより、ボール8に
対応する部分、すなわち導電部材12の部分が突出した
状態となる。図5では平面として描かれているが、実際
には導電部材12はボールとは反対側へ僅かに突出して
いる。したがって、試験に供される半導体装置の電極あ
るいは試験基板の電極とボール8とは導電部材12を介
して互いに電気的に導通する。
バンプ14を形成した例を示す断面図である。バンプ1
4は膜10の表側及び裏側の両側に膨らんだ形状の導電
材料から形成される。バンプ14は上述の導電部材12
と同様の効果を奏するが、膨らみの分だけ接触位置での
突出分を大きくとることができ、確実な接触を達成すこ
とができる。
ンプ14を設ける代わりに、ボール8の直径より小さい
径の開口10aを設けたものである。このような構成に
よれば、膜10を絶縁基板4に貼り付けた際に、ボール
8の一部が開口10aから突出するが、開口10aの径
がボール8の直径より小さいため、ボール8は貫通孔6
内に保持される。
径より小さい径に絞られた例を示す断面図である。図7
に示す構成と同様に、ボール8の一部が貫通孔6の開口
部から突出するが、開口部の径がボール8の直径より小
さいため、ボール8は貫通孔6内に保持される。
500μmピッチのパッド端子を有するウェーハレベル
CSP(LGAタイプ)用のコンタクタとして用いるこ
とができる。試験に供されるLSIとしては、例えば、
各々が360個程度の端子を有するウェーハ状態におけ
る複数の10mm角のLSIチップを想定することがで
きる。8インチウェ−ハを使用した場合、約250個の
LSIがウェーハ全体に形成され、端子数はウェーハ全
体で900000個程度となる。
μmのシリコンウェーハを用いることができ、このシリ
コンウェーハに対して500μmのピッチで直径150
μmの貫通孔6を形成する。そして、図4(b)に示す
中空状のボール8Cを直径約100μm〜120μmに
形成し、貫通孔6の各々に対して5〜6個以上詰め込
む。
め、一つの端子当たり平均0.02N〜4N程度で確実
なコンタクトを得ることができる。
アチップに対応するように構成することもできる。エリ
アアレイチップ用のコンタクタを想定した場合、絶縁基
板4として上述の例と同様に厚さ500μmのシリコン
基板を使用し、例えば200μmピッチのマトリクス
で、貫通孔6の直径100μm程度の貫通孔6を絶縁基
板4に形成する。そして、貫通孔6の各々に直径80μ
m程度の粒子を7個以上詰め込んでコンタクト電極2を
構成する。この場合も、コンタクトに必要な圧力はほぼ
上述のLGA用のコンタクタと同等となる。
穴6に一列に整列して配置している。このため、貫通孔
の内径は導電性粒子のサイズとほぼ等しいことが望まし
い。また、導電性粒子を押圧した際に、導電性粒子の反
発力を小さく抑えるため、及び各導電性粒子の変形を弾
性変形範囲内とするためには、貫通孔6に5から6個の
粒子を配置することが好ましい。このような、状態を達
成するにはる、貫通孔6のアスペクト比(長さ/内径)
は大きいほうがよい。すなわち、貫通孔のアスペクト比
は5〜6以上あることが望ましい。このような貫通孔の
構成は、以下に説明するの実施の形態にも共通してあて
はまる。
絶縁基板4の厚み方向に延在して貫通した孔として示さ
れているが、導電性粒子を絶縁基板4の片側だけに突出
する構成とすれば、貫通孔6は絶縁基板4の厚み方向に
延在する凹部であればよい。たとえば、貫通孔6の一端
を外部接続用端子で閉鎖した場合、貫通孔6は凹部と解
釈することができる。
ンタクタについて、図9及び10を参照しながら説明す
る。本発明の第2の実施の形態によるコンタクタは、ボ
ール8の形状以外は上述の第1の実施の形態によるコン
タクタと同じ構成を有する。すなわち、本発明の第2の
実施の形態によるコンタクタは、球形以外の形状の粒子
を貫通孔に詰め込んだものである。
ンタクタに設けられたコンタクト電極の一例を示す断面
図である。図9に示す例では、ボール8に代えて円柱状
の導電体20が貫通孔6に詰め込まれている。
の円柱体(円筒)を細かく輪切りにしたものである。導
電体20はその円筒形状の中心軸が貫通孔6の直径方向
に沿うように配置される。すなわち、導電体20は円筒
形状の中心軸に垂直な方向からの力に対して容易に撓む
ため、貫通孔6の延在方向に容易に撓むように配置した
ものである。なお、導電体20は、絶縁性及び弾性を有
する円柱形の材料の円周表面に導電材料層が形成された
構成であってもよい。
コンタクタに設けられたコンタクト電極の他の例を示す
図であり、図10(a)は粒子の配列を示す斜視図、図
10(b)はコンタクト電極部分の断面図である。
ト電極を構成する粒子として、楕円形状のカプセル22
を使用したものである。楕円形状のカプセル22は上述
の第1の実施の形態におけるボール8A,8B,8Cの
ように、表面のみに導電材料層を設けてもよく、また、
中空としてもよい。
は、貫通孔6に配置された粒子(導電体20又はカプセ
ル22)が変形するための大きなスペースが貫通孔6内
に形成されるため、粒子が変形する際に貫通孔6の内面
により粒子の変形が阻止されることを防止できる。
いても、上述の第1の実施の形態によるコンタクタと同
様に、貫通孔6を膜により覆うことにより、粒子を貫通
孔6に保持する構成とすることもできる。
明の第3の実施の形態について説明する。図11は本発
明の第3の実施の形態によるコンタクタの一例における
コンタクト電極を示す断面図であり、図12は、本発明
の第3の実施の形態によるコンタクタの他の例における
コンタクト電極を示す断面図である。本発明の第3の実
施の形態によるコンタクタは、異なる大きさの粒子を貫
通孔6に配置してコンタクト電極を構成したものであ
り、他の部分は上述の第1の実施の形態によるコンタク
タと同じ構成を有する。
面取部6aを設け、両端部に配置する粒子(ボール)2
4Aの直径を中間に配置する粒子24の直径より大きく
したものである。このような構成とすることで、絶縁基
板4から突出するボールの突出量を大きくとることがで
き、ボールを貫通孔6内に保持するために絶縁基板4の
表面に膜を形成する際に効果的である。
径部6bを設け、大径部6bに図10で示したような楕
円カプセルを縦に配置している。このような構成によれ
ば、粒子の突出量を図11に示す例よりさらに大きくと
ることができる。
いても、上述の第1の実施の形態によるコンタクタと同
様に、貫通孔6を膜により覆うことにより、粒子を貫通
孔6に保持する構成としてもよい。
図13を参照しながら説明する。図13は本発明の第4
の実施の形態によるコンタクタに設けられるコンタクト
電極を示す断面図である。
料4に対してコンタクト電極が形成されるが、貫通孔6
ではなく穴30とされている。穴30は、一端が絶縁基
板4の表面に開口し、他端部が閉鎖されたものである。
穴16には、導電性を有する液体32が充填され、液体
32より比重の軽い導電性粒子(ボール)34がその一
部が絶縁基板4の表面から突出するように液体32に浮
いた状態で穴30の中に収容される。
ものが使用可能である。
リウム(Ga)(融点29.8℃) b)ガリウム(Ga)92%、錫(Sn)8.0%の合
金(20℃で液相) c)水銀(Hg)(常温で液相)及びその合金 導電性粒子34としては、液体32より比重の小さい材
料が選定され、液体32に浮くことができる。例えば、
液体32より比重の小さい金属として、アルミニウムが
挙げられる。また、図3に示すようなゴム製のコアに導
電層を設けたボールを使用してもよい。また、図3に示
すボールのコアを除去したような中空のボールを使用す
ることとしてもよい。
性粒子34は、粒子のそのものが弾性を有していなくて
もよい。すなわち、接触圧は液体32による導電性粒子
34の浮力として提供される。したがって、低圧の接触
圧を容易に実現することができる。
形例であり、導電性粒子34に加圧力が加わって導電性
粒子34が液体32の中に沈みこんだ場合、液体32が
移動することのできる液貯め部30aを予め設けた例で
ある。このような構成のコンタクト電極によれば、コン
タクト力(接触圧)は導電性粒子34の浮力に等しく、
極めて低圧のコンタクタが実現される。また、液貯め部
30aに液体32が玉スことにより、液体のレベル(高
さ)の上昇が低減されるため、導電性粒子34に作用す
る浮力は小さいまま維持される。
返し使用可能なコンタクト構造を容易に得ることができ
る。すなわち、例えば1端子当たり0.01N(1端子
当たり1g)以下の接触圧で確実に接触できるコンタク
タを容易に製造することができる。
体32に浮かせて構成したものであるが、反対に導電性
粒子34の比重を液体32の比重より大きくして、導電
性粒子34を穴30の底部に沈めて配置するように構成
することとしてもよい。この場合上述の導電部を有する
絶縁膜のようなもので穴30の底部を覆うこととすれ
ば、導電部が導電性粒子の重量(実際には導電性粒子の
重量から浮力を差し引いた重量)により押されて突出す
ることとなる。
て、図7に示す膜10を設けた構成を示す断面図であ
る。膜10には導電性粒子34の直径より小さい直径の
開口が設けられており、導電性粒子34は貫通穴30内
に保持される。
タクタについて図16を参照しながら説明する。図16
は本発明の第5の実施の形態によるコンタクタのコンタ
クト電極を示す断面図である。
縁基板4に設けられた穴40を用いて構成される。穴4
0は、一端が絶縁基板4の表面に開口し、他端は閉鎖さ
れている。穴40には複数の導電性粒子42が収容され
ている。穴40の開口部は、膜44により覆われてお
り、膜44の穴40に相当する位置は導電性を有する導
電部44aとされている。
縁基板4の材料(例えばシリコン)より線膨張係数の大
きい材料で形成される。そして、導電性粒子42が穴4
0に収容された状態で膜44の導電部44aに導電性粒
子42が接触し、且つ膜44が平面となるように穴40
の深さ及び収容される導電性粒子42の数が決定され
る。
て、コンタクタが常温から過熱されて例えば125℃の
ような高温になると、導電性粒子42の熱膨張により膜
10の穴40に相当する部分が突出する。すなわち、絶
縁基板4を厚さ500μmのシリコンで形成し、導電性
粒子42をゴムで形成した場合、それらの線膨張係数の
差は100ppm程度となる。この熱膨張差により、導
電性粒子42の方がシリコンの絶縁基板より大きく膨張
し、結果として導電性粒子42によって膜44の穴40
に相当する部分が押し上げられて突出する。
常温(室温)でのコンタクタの状態を示す断面図であ
り、膜44は平坦となっている。この状態から加熱され
て温度が125℃程度となると、図16(b)に示すよ
うに導電性粒子42が大きく膨張し、結果として膜44
の導電部44aが突出する。したがって、常温において
導電部44aを半導体装置の端子等に整列して配置し、
コンタクタが高温環境下に置かれると、導電性粒子の熱
膨張により圧力が発生し、導電部44aは端子に押し付
けられて適度なコンタクト圧を得ることができる。この
場合、導電性粒子42の線膨張係数を変えることによ
り、コンタクト圧を調節することができる。
図17を参照しながら説明する。図17は本発明の第6
の実施の形態によるコンタクタのコンタクト電極を示す
断面図である。
縁基板4に設けられた穴50を用いて構成される。穴5
0は、一端が絶縁基板4の表面に開口し、他端は閉鎖さ
れている。穴50には、線膨張係数の高い材料で形成さ
れた粒子52が混入された導電性液体54が充填されて
いる。穴50の開口部は、膜56により覆われており、
膜56の穴50に相当する位置は導電性を有する導電部
56aとされている。
a)や水銀(Hg)等のように常温で液体であり、導電
性を有している。導電性液体54は穴50全体に充填さ
れており、膜56の導電部に接触している。粒子52は
導電性を有していても、いなくてもかまわないが、その
線膨張係数は絶縁基板4の線膨張係数より大きいものが
使用される。
て、コンタクタが常温から過熱されて例えば125℃の
ような高温になると、導電性粒子52の熱膨張により膜
56の穴50に相当する部分が突出する。すなわち、導
電性液体54に混入された粒子52が熱膨張すると、導
電性液体54の全体としての体積が増加する。穴50の
容積も絶縁基板4の熱膨張により増加するが、粒子52
の熱膨張のほうが大きい場合、導電性液体の全体として
体積の増加により膜56が押し上げられて突出する。
常温(室温)でのコンタクタの状態を示す断面図であ
り、膜56は平坦となっている。この状態から加熱され
て温度が125℃程度となると、図17(b)に示すよ
うに導電性粒子52が大きく膨張して導電性液体54の
体積が増加し、結果として膜56の導電部56aが突出
する。したがって、常温において導電部56aを半導体
装置の端子等に整列して配置し、コンタクタが高温環境
下に置かれると、導電性液体54に圧力が発生し、導電
部56aは端子に押し付けられて適度なコンタクト圧を
得ることができる。この場合、粒子52の線膨張係数あ
るいは混合率を変えることにより、コンタクト圧を調節
することができる。
子を混入して構成したコンタクト電極の変形例を示す断
面図である。図18(a)に示すように、穴50の開口
部付近をテーパ状にすることにより、温度上昇による膜
56の突出量を大きくすることができる。また、図18
(b)に示すように、穴50の開口部付近を細くしてお
くことにより、膜56の突出量をさらに大きくすること
ができる。
いて、一端が閉鎖された穴を利用してコンタクト電極を
形成する場合、絶縁基板4に貫通穴60をまず形成し、
貫通穴60の一端側を導電材料で閉鎖する構成とするこ
ともできる。この場合、導電性材料がコンタクタの外部
接続端子62として機能する。また、図19に示すよう
に配線パターン64により外部接続端子62を異なる位
置に形成した端子66に接続することにより、端子位置
を再配置することもできる。これにより、コンタクタの
外部接続端子の配置の自由度が増し、接続端子の配列を
ある程度標準化することができる。なお貫通穴60には
上述の実施の形態によるコンタクト電極が形成される。
4を使用して、LSI試験や動作に有利なように端子の
配線を共通化することにより、コンタクタの外部接続端
子の数を減少することができる。
により形成したときに、試験動作を行う回路の補助を行
う補助LSI回路を絶縁基板4の反対側の面に形成した
例を示す。これにより、測定精度の向上やチャンネル数
の低減等のようにLSI試験装置の負担を軽減すること
ができる。なお、図22は図21中の矢印A方向から見
た図であり、補助LSI70の端子を配線パターン74
によりコンタクタの外部接続端子72に接続した構成を
示している。
図23及び図24を参照しながら説明する。図23は本
発明の第7の実施の形態によるコンタクタの一部を示す
断面図である。図24は本発明の第7の実施の形態によ
るコンタクタを半導体装置にコンタクトさせた状態を示
す断面図である。
タは、図23に示すように、絶縁基板70と、絶縁基板
70に形成された多数の貫通穴72と、貫通穴72に配
設された導電体74とを有する。絶縁基板70の一方の
面(上面)70aには、貫通穴72を覆って閉鎖するよ
うに回路配線用端子76が形成されている。回路配線用
端子76には、試験用基板等に接続するための回路配線
としてリード78が接続される。あるいは、回路配線用
端子76は、絶縁基板70の上面70a上に形成された
配線パターン(図示せず)により他の端子等に接続され
てもよい。
4とによりコンタクト電極が構成される。貫通孔72は
アスペクト比(長さ/直径)の大きい孔として形成され
ることが好ましい。絶縁基板70の下面70b側の貫通
孔72の開口部にはザグリ面72aが設けられることが
好ましい。
の一端は回路配線用端子76に接触している。導電体7
4の他端はバンプ部74aとして形成される。バンプ部
74aは略半球形であり、その直径は貫通孔70の直径
より大きい。
且つ非常に弾性の低い材料が使用される。このような材
料として、表面張力の大きい液体金属、半溶融状態の金
属、有機導電体、縦弾性係数の低い導電体が挙げられ
る。すなわち、コンタクタを用いて行う試験の試験温度
の時に、液体状で導電性を有する材料(金属)、又は固
相と液相の中間である半溶融状態となる材料等が使用さ
れる。そのような材料として、以下のような材料があ
る。
リウム(Ga)(融点29.8℃) b)ガリウム(Ga)92%、錫(Sn)8.0%の合
金(20℃で液相) c)水銀(Hg)(常温で液相)及びその合金 d)低融点ハンダ Sn−58Bi (融点130℃) Sn−57Bi−Ag (融点137℃) Sn−57Bi−Ag (融点139℃) 導電体74は液相の状態で貫通孔72に充填される。し
たがって、貫通孔72からはみ出した部分は、その表面
張力により半球状となり、絶縁基板70の下面70bか
ら突出した状態となる。上述のバンプ部74aは表面張
力により半球状となった部分に相当する。
半導体装置が形成されたウェーハ80にコンタクトした
状態を示す図である。コンタクト電極すなわち導電体7
4のバンプ74aを下側にして、試験に供されるウェー
ハ80に形成された半導体装置の電極80aに対向さ
せ、コンタクタとウェーハ80との距離を狭めていく
と、導電体74のバンプ部74aの先端が電極80aに
接触した時点で導電体74はすぐに変形を開始する。
とすると、最初に一番高いバンプ74部aが電極80a
に接触し、そのままコンタクタとウェーハ80との距離
を狭めていくと高いほうのバンプ74部aから順次対応
する電極80aに接触する。この際、最初に電極80a
に接触したバンプ部74aは容易に変形し、ウェーハ8
0とコンタクタの距離が狭まってもコンタクト圧はほと
んど変化しない。すなわち、バンプ部74aを含む導電
体74は液相又は半溶融状態であるため、バンプ部74
aが周囲の空間に向かって容易に変形できるからであ
る。また、貫通孔72は比較的アスペクト比の大きい孔
とされているので、導電体74の弾性により貫通孔72
の長手方向に容易に変形することができることも、接触
圧が増大しない理由となっている。
絶縁基板70に、大きなアスペクト比の貫通孔72を形
成するには、光励起電解研磨法を用いることができる。
この方法によれば、安価に貫通孔72を形成することが
できる。また、貫通孔72に導電体74を充填する方法
として、液体吸引法を用いることができる。すなわち、
貫通孔の形成された絶縁基板70の下面70bを液相の
導電体に浸し、上面70a側から液相の導電体を貫通孔
72を介して吸引する方法である。この方法によれば、
容易に微小な径の貫通孔に液相の導電体を充填すること
ができる。
と液相との間の半溶融状態でコンタクト電極として使用
される。固相と液相との間の半溶融状態の導電体として
は、水銀(Hg)やガリウム(Ga)がある。また、あ
る種の有機材料と金属との混合物でも可能である。
態の導電体は弾性を示すが、そのバネ定数は非常に低
く、被試験体の電極に押し付けられても、接触圧をゼロ
に近い状態で維持することができる。貫通孔のアスペク
ト比が大きいほど、導電体が貫通孔内で容易に弾性変形
できる。したがって、貫通孔のアスペクト比が大きいほ
ど、導電体と電極の間の間隔が狭められても接触圧を低
く維持することができる。
材料を貫通孔72の内面に形成しておくことにより、導
電体74が液相又は液相と固相との間の状態となった際
に、導電体74は貫通孔72の内面に付着し、導電体7
4を確実に貫通孔72内に保持することができる。
施例について説明する。
Aタイプ)用のコンタクタとして本実施の形態によるコ
ンタクタを使用した。CSPは500μmピッチのパッ
ド端子(電極)を有していた。被試験体である各々のL
SIは、10mm角のLSIチップであり、フルマトリ
ックスで360端子が設けられていた。LSIチップは
8インチウェーハに形成され、一つのウェーハに約25
0個のLSIが形成されていた。したがって、ウェーハ
全体では、約90000個の端子が設けられていた。
μmのシリコンウェーハを使用した。シリコンウェーハ
に光励起研磨法により500μmピッチで直径150μ
mの貫通孔を形成し、貫通孔の一端側に回路配線用端子
76を形成し、他端にはザグリ面72aを形成した。そ
して、上述の導電体を吸引法により貫通孔の各々に充填
した。
ウェーハ状態のCSPを接近させてCSPの端子をコン
タクタのコンタクト電極(導電体のバンプ部)に接触さ
せた。ウェーハ上のCSPの全ての端子とコンタクタの
導電体とが接触するまで、コンタクタとウェーハとを近
接させても、コンタクタの押圧力はほとんど必要なく、
1端子当たり平均0.05g以下という非常に小さな圧
力ですべての端子に導電体を接触させることができた。
以上のようなコンタクト状態で、外部接続用端子に接続
されたリードを試験装置に接続し、ウェーハ状態のまま
一括で機能試験やバーンイン試験を行うことができた。
導電体は液相又は半溶融状態であり、LSIの電極に接
合されないため、試験後は導電体のバンプ部を電極から
容易に分離することができ、コンタクタを再度使用する
こともできた。
ハ状態のCSPを試験するためのコンタクタを、導電体
として低融点ハンダであるSn−58Biを用いて作成
した。
ンタクタとの位置合わせを行った。その後、コンタクタ
及びウェーハを125℃まで加熱し、導電体を半溶融状
態とした。そして、1端子当たり1gの荷重をかけて導
電体のバンプ部をLSIの端子に熱圧着したところ、良
好なコンタクトをとることができた。
圧接したあと、そのまま試験装置であるプローバ上に搭
載し、コンタクタの絶縁基板の回路配線用端子にプロー
バを接続して機能試験を実施した。更に、機能試験が終
了してから、ウェーハをコンタクタごとバーンインボー
ドに移してバーンイン試験を行った。
ーバ上に移動し、常温及び高温でのLSIの機能テスト
を実施した。最後に、コンタクタとウェーハとを適当な
温度に加熱することにより、導電体のバンプ部をLSI
の端子から容易に分離することができた。
使用し、実施例1と同様な構成のコンタクタを準備し
た。コンタクタを150℃まで加熱してハンダを溶融状
態としてから、被検査体のウェーハとゼロ荷重でコンタ
クトをとった。この際、コンタクトはハンダ表面に酸化
膜が形成されないように窒素雰囲気下で行われた。続い
て、−25℃〜125℃の温度サイクル試験を行った結
果、従来の方法と同様の結果を得た。
シリコン(Si)により形成し、導電体74をシリコン
より柔らかく、且つ被試験LSIの端子と合金を形成し
にくい金属を充填した。
子との分離が容易であるため、ファイナルテスト及びバ
ーンインテスト等の試験工程ごとに専用のコンタクタを
準備することができた。すなわち、試験装置の各々に専
用のコンタクタを設置し、各試験の終了後、LSIだけ
を移動することが可能であった。
ッチが500μmであったが、本実施例では、端子ピッ
チが200μmのフリップチップ実装したエリアアレイ
タイプの半導体装置の試験用コンタクタを作成した。絶
縁基板70としてシリコンを使用し、孔の直径は50μ
m、深さは200μmとした。
a)(融点29.8℃) b)ガリウム(Ga)92%、錫(Sn)8.0%の合
金(20℃で液相) c)水銀(Hg)(常温で液相)及びその合金 等を使用した。
のエリアアレイタイプの半導体装置とコンタクトしたと
ころ、被試験体がウェーハ状態の半導体装置であって
も、全体で1kg程度の加圧力で均一なコンタクトを得
ることができた。
に記載の発明を包含するものである。
けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向に延在する凹部
と、該凹部に収容された複数の弾性を有する導電性粒子
とを有し、該導電性粒子の一部が前記絶縁基板の表面か
ら突出していることを特徴とするコンタクタ。
って、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通して形
成された貫通孔であり、前記導電性粒子は前記絶縁基板
の両面から突出することを特徴とするコンタクタ。
って、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通して形
成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側は回路配線用
端子により閉鎖されていることを特徴とするコンタク
タ。
一つに記載のコンタクタであって、前記導電性粒子は少
なくとも表面が導電性を有する球形の粒子であり、一列
に整列して互いに接触した状態で前記凹部内に収容され
ることを特徴とするコンタクタ。
一つに記載のコンタクタであって、前記導電性粒子は少
なくとも表面が導電性を有する円筒形であり、円筒の中
心軸が前記凹部の延在方向に対して略垂直となり、且つ
一列に整列して互いに接触した状態で前記凹部に収容さ
れることを特徴とするコンタクタ。
一つに記載のコンタクタであって、前記導電性粒子は少
なくとも表面が導電性を有するカプセル形状であり、カ
プセル形状の長手方向が前記凹部の延在方向に対して略
垂直となり、且つ一列に整列して互いに接触した状態で
前記凹部に収容されることを特徴とするコンタクタ。
一つに記載のコンタクタであって、前記絶縁基板におけ
る前記凹部の開口端部には、前記絶縁基板の厚み方向の
中央部における前記凹部の直径より大きい直径を有する
大径部が形成されており、該大径部に収容される導電性
粒子の径は他の導電性粒子の径より大きいことを特徴と
するコンタクタ。
って、前記絶縁基板における前記凹部の開口端部には、
前記導電性粒子の直径より小さい直径を有する小径部が
形成されており、前記導電性粒子の一部が前記小径部を
通じて前記絶縁基板の表面から突出していることを特徴
とするコンタクタ。
一つに記載のコンタクタであって、前記絶縁基板の表面
に絶縁膜が設けられ、該絶縁膜の前記凹部の開口端部に
相当する位置には導電性部材が形成されていることを特
徴とするコンタクタ。
あって、前記導電性部材は前記膜の表面から突出してお
り、突起電極として機能することを特徴とするコンタク
タ。
れか一つに記載のコンタクタであって、前記絶縁基板の
表面に絶縁膜が設けられ、該絶縁膜の前記凹部の開口端
部に相当する位置に、前記導電性粒子の直径より小さい
直径の開口が形成され、前記導電性粒子の一部が前記開
口から突出していることを特徴とするコンタクタ。
設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向に延在する凹
部と、該凹部に充填された導電性液体と、該凹部に収容
され、該導電性液体の比重と異なる比重を有する導電性
粒子とを有し、該導電性粒子と該導電性液体の比重差に
より、該導電性粒子の一部が前記絶縁基板の表面から突
出していることを特徴とするコンタクタ。
であって、前記導電性粒子の比重は前記導電性液体の比
重より小さく、前記導電性粒子に作用する浮力により前
記導電性粒子は前記絶縁基板から突出することを特徴と
するコンタクタ。
であって、前記導電性粒子の比重は前記導電性液体の比
重より大きく、前記導電性粒子に作用する重力により前
記導電性粒子は前記絶縁性基板から突出することを特徴
とするコンタクタ。
ずれか一つに記載のコンタクタであって、前記凹部は前
記絶縁基板の厚み方向に貫通して形成された貫通孔であ
り、該貫通孔の一端側は回路配線用端子により閉鎖され
ていることを特徴とするコンタクタ。
ずれか一つに記載のコンタクタであって、前記絶縁基板
の表面における前記凹部の開口端部には、前記凹部の底
部より大きい直径を有する液貯め部が形成されており、
前記導電性粒子が押圧されて前記導電性液体中に入り込
んだときに前記導電性液体が該液貯め部に流れ込むこと
により、前記導電性液体が前記凹部からあふれ出ないよ
う構成したことを特徴とするコンタクタ。
ずれか一つに記載のコンタクタであって、前記絶縁基板
の表面に絶縁膜が形成され、該絶縁膜の前記凹部の開口
部に相当する位置には前記導電性粒子の直径より小さい
直径の開口が形成されており、前記導電性粒子の一部が
該開口から突出していることを特徴とするコンタクタ。
設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向に延在する凹
部と、該凹部の延在方向に整列して互いに接触した状態
で該凹部に収容された複数の導電性粒子と前記絶縁基板
の表面に形成され、前記凹部の開口部に相当する位置に
導電部を有する絶縁膜とを有し、該導電性粒子の線膨張
係数は前記絶縁基板の線膨張係数より大きく設定され、
コンタクタが加熱された際に前記導電性粒子が熱膨張す
ることにより、前記絶縁膜の導電部が前記導電性粒子に
押圧されて突出することを特徴とするコンタクタ。
であって、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通し
て形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側は回路配
線用端子により閉鎖されていることを特徴とするコンタ
クタ。
設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向に延在する凹
部と、該凹部に充填された導電性液体と、該導電性液体
に混合された粒子と、前記絶縁基板の表面に形成され、
前記凹部の開口部に相当する位置に導電部を有する絶縁
膜とを有しコンタクタが加熱されたときに前記導電性液
体と前記粒子の混合体が熱膨張して、前記絶縁膜の導電
部が前記混合体により押圧されて突出することを特徴と
するコンタクタ。
であって、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通し
て形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側は回路配
線用端子により閉鎖されていることを特徴とするコンタ
クタ。
ンタクタであって、前記粒子の線膨張係数は前記絶縁基
板の線膨張係数より大きいことを特徴とするコンタク
タ。
ずれか一つに記載のコンタクタであって、前記凹部の開
口端部付近の直径は、その他の部分の直径より小さく構
成され、熱膨張による前記絶縁基板の導電部の突出量を
増大したことを特徴とするコンタクタ。
1のうちいずれか一つに記載のコンタクタであって、前
記回路配線用端子同士を接続する配線パターンが前記絶
縁基板上に形成されたことを特徴とするコンタクタ。
0のうちいずれか一つに記載のコンタクタであって、前
記凹部の底部と前記絶縁基板の表面との間に電子回路が
形成され、該電子回路は前記凹部の底部を介して前記導
電性粒子又は導電性液体に電気的に接続され、且つ前記
絶縁基板の表面に形成された外部接続端子に接続された
ことを特徴とするコンタクタ。
使用した試験方法であって、コンタクタの絶縁基板の表
面から突出した導電性粒子に被試験体の外部接続用端子
が整列するように被試験体をコンタクタに対して配置
し、被試験体の面が前記絶縁基板の表面に接触するま
で、コンタクタを被試験体に対して所定の低圧力で押圧
する各工程を含むことを特徴とする試験方法。
使用した試験方法であって、コンタクタの絶縁基板の一
方の面から突出した導電性粒子に試験用基板の接続端子
が接触するように、コンタクタの一方の面側に試験用基
板を配置し、コンタクタの他方の面から突出した導電性
粒子に被試験体の外部接続用端子が接触するように、コ
ンタクタの他方の面側に被試験体を配置し、前記試験用
基板と前記被試験体とを所定の低圧力でコンタクタに対
して押圧することにより前記試験用基板と前記被試験体
とをコンタクタに接触させ、前記試験用基板と前記被試
験体とを電気的に接続する各工程を含むことを特徴とす
る試験方法。
設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向に延在する凹
部と、該凹部に収容された導電体であって、使用温度に
おいて液相又は液相と固相との中間の状態となる導電体
とを有し、該導電体の一部が前記絶縁基板の表面から突
出して突出部が形成されていることを特徴とするコンタ
クタ。
であって、前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通し
て形成された貫通孔であり、該貫通孔の一端側は回路配
線用端子により閉鎖されていることを特徴とするコンタ
クタ。
コンタクタであって、前記導電体の突出部が位置する側
の前記前記凹部の端部には、前記導電体の突出部が押圧
されて変形する際に変形部分を収容する液貯め部が形成
されていることを特徴とするコンタクタ。
ずれか一つに記載のコンタクタであって、前記導電体が
液相となった際に前記導電体に対して濡れ性を有する材
料の層が前記凹部の内面に形成されていることを特徴と
するコンタクタ。
であって、前記回路配線用端子同士を接続する配線パタ
ーンが前記絶縁基板上に形成されたことを特徴とするコ
ンタクタ。
であって、前記凹部の底部と前記絶縁基板の表面との間
に電子回路が形成され、該電子回路は前記凹部の底部を
介して前記導電体に電気的に接続され、且つ前記絶縁基
板の表面に形成された外部接続端子に接続されたことを
特徴とするコンタクタ。
を使用した試験方法であって、コンタクタの絶縁基板の
表面から突出した導電体の突出部に被試験体の外部接続
用端子が整列するように被試験体をコンタクタに対して
配置し、被試験体が前記絶縁基板の表面に接触するま
で、コンタクタを被試験体に対して所定の低圧力で押圧
する各工程を含むことを特徴とする試験方法。
種々の効果を実現することができる。請求項1の発明に
よれば、導電性粒子基板の表面から突出した部分がコン
タクト電極として機能する。絶縁機基の凹部には複数の
導電性粒子が収容されており、その各々が弾性変形する
ことによりコンタクト電極の接触圧を発生する。導電性
粒子は互いに接触して導通しているが、凹部内において
導電性粒子の周囲には変形した部分が収容可能な空間が
存在する。
形することができ、結果として、導電性粒子の突出部が
平坦になるまで被試験体の端子を導電性粒子に押し付け
ても、極めて低い圧力を維持したまま変形することがで
きる。これにより、ウェーハレベルでの半導体装置試験
のようにコンタクトをとる端子が膨大な数になっても、
小さな押圧力で確実にコンタクトをとることができる。
電性粒子を整列した状態で収容して両端の導電性粒子を
絶縁基板から突出させることにより、絶縁基板の両面側
にコンタクト電極を有するコンタクタを実現することが
できる。このような構成は非常に簡単な構造であり、安
価に製造することができる。
端に回路配線用端子が設けられるため、導電性粒子の列
により、コンタクト電極の先端と回路配線端子は電気的
に接続される。加えて、導電性粒子が接触圧を発生する
ので、非常に簡単な構成によりコンタクト電極を構成す
ることができる。
性液体と導電性粒子との比重差により発生する浮力又は
重力により接触圧を発生することができる。したがっ
て、極めて小さな接触圧を簡単な構成により発生するこ
とができる。
温度において導電性粒子が熱膨張することにより、絶縁
膜に設けられた導電部が突出するので、この突出部をコ
ンタクト電極として使用することができる。
性液体と粒子との混合体の熱膨張が、絶縁基板の熱膨張
による凹部の容積の増大より大きいので、加熱状態で試
験を行うような場合、混合体の熱膨張による絶縁膜の導
電部の突出により、適当な接触を行うことができる。
タクタが被試験体に接触するまで押圧することだけで、
コンタクタを被試験体に適当な接触圧によりコンタクト
することができる。導電性粒子は容易に弾性変形可能で
あり、極めて小さな接触圧を達成することができ、例え
ば、ウェーハ状態の半導体装置の試験に用いた場合で
も、小さな押圧力で確実な接触を実現することができ
る。
タクタを試験用基板と被試験体との間に挟んで圧力を加
え、コンタクタに接触させるだけで、小さな接触圧で確
実に接触祖することができる。
体は使用温度において、液相又は液相と固相の中間の状
態となるため、押圧力が作用した場合、非常に小さい力
で変形することができる。したがって、導電体の突出部
をコンタクト電極とした場合、接触圧がゼロに近い値の
電気的接続を達成することができる。
ンタクタを被試験体に近接させるだけで、コンタクタを
被試験体にほとんど圧力無しでコンタクトすることがで
きる。したがって、例えば、ウェーハ状態の半導体装置
の試験に用いた場合でも、小さな押圧力で確実な接触を
実現することができる。
斜視図である。
を示す断面図である。
る。
面図である。
開口を設けた例を示す断面図である。
絞られた例を示す断面図である。
設けられたコンタクト電極の一例を示す断面図である。
ンタクタに設けられたコンタクト電極の他の例を示す図
である。
の一例におけるコンタクト電極を示す断面図である。
の他の例におけるコンタクト電極を示す断面図である。
に設けられるコンタクト電極を示す断面図である。
例を示す断面図である。
成を示す断面図である。
のコンタクト電極を示す断面図である。
のコンタクト電極を示す断面図である。
て構成したコンタクト電極の変形例を示す断面図であ
る。
る例を示す図である。
する例を示す図である。
成した例を示す図である。
の一部を示す断面図である。
を半導体装置にコンタクトさせた状態を示す断面図であ
る。
Claims (10)
- 【請求項1】 絶縁基板と、 該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向
に延在する凹部と、 該凹部に収容された複数の弾性を有する導電性粒子とを
有し、 該導電性粒子の一部が前記絶縁基板の表面から突出して
いることを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項2】 請求項1記載のコンタクタであって、 前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通して形成され
た貫通孔であり、前記導電性粒子は前記絶縁基板の両面
から突出することを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項3】 請求項1記載のコンタクタであって、 前記凹部は前記絶縁基板の厚み方向に貫通して形成され
た貫通孔であり、該貫通孔の一端側は回路配線用端子に
より閉鎖されていることを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項4】 絶縁基板と、 該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向
に延在する凹部と、 該凹部に充填された導電性液体と、 該凹部に収容され、該導電性液体の比重と異なる比重を
有する導電性粒子とを有し、 該導電性粒子と該導電性液体の比重差により、該導電性
粒子の一部が前記絶縁基板の表面から突出していること
を特徴とするコンタクタ。 - 【請求項5】 絶縁基板と、 該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向
に延在する凹部と、 該凹部の延在方向に整列して互いに接触した状態で該凹
部に収容された複数の導電性粒子と前記絶縁基板の表面
に形成され、前記凹部の開口部に相当する位置に導電部
を有する絶縁膜とを有し、 該導電性粒子の線膨張係数は前記絶縁基板の線膨張係数
より大きく設定され、コンタクタが加熱された際に前記
導電性粒子が熱膨張することにより、前記絶縁膜の導電
部が前記導電性粒子に押圧されて突出することを特徴と
するコンタクタ。 - 【請求項6】 絶縁基板と、 該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向
に延在する凹部と、 該凹部に充填された導電性液体と、 該導電性液体に混合された粒子と、 前記絶縁基板の表面に形成され、前記凹部の開口部に相
当する位置に導電部を有する絶縁膜とを有しコンタクタ
が加熱されたときに前記導電性液体と前記粒子の混合体
が熱膨張して、前記絶縁膜の導電部が前記混合体により
押圧されて突出することを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項7】 請求項1記載のコンタクタを使用した試
験方法であって、 コンタクタの絶縁基板の表面から突出した導電性粒子に
被試験体の外部接続用端子が整列するように被試験体を
コンタクタに対して配置し、 被試験体の面が前記絶縁基板の表面に接触するまで、コ
ンタクタを被試験体に対して所定の低圧力で押圧する各
工程を含むことを特徴とする試験方法。 - 【請求項8】 請求項2記載のコンタクタを使用した試
験方法であって、 コンタクタの絶縁基板の一方の面から突出した導電性粒
子に試験用基板の接続端子が接触するように、コンタク
タの一方の面側に試験用基板を配置し、 コンタクタの他方の面から突出した導電性粒子に被試験
体の外部接続用端子が接触するように、コンタクタの他
方の面側に被試験体を配置し、 前記試験用基板と前記被試験体とを所定の低圧力でコン
タクタに対して押圧することにより前記試験用基板と前
記被試験体とをコンタクタに接触させ、前記試験用基板
と前記被試験体とを電気的に接続する各工程を含むこと
を特徴とする試験方法。 - 【請求項9】 絶縁基板と、 該絶縁基板に設けられ、該絶縁基板の表面から厚み方向
に延在する凹部と、 該凹部に収容された導電体であって、使用温度において
液相又は液相と固相との中間の状態となる導電体とを有
し、 該導電体の一部が前記絶縁基板の表面から突出して突出
部が形成されていることを特徴とするコンタクタ。 - 【請求項10】 請求項9記載のコンタクタを使用した
試験方法であって、 コンタクタの絶縁基板の表面から突出した導電体の突出
部に被試験体の外部接続用端子が整列するように被試験
体をコンタクタに対して配置し、 被試験体が前記絶縁基板の表面に接触するまで、コンタ
クタを被試験体に対して所定の低圧力で押圧する各工程
を含むことを特徴とする試験方法。
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