KR100933369B1 - 프로브 카드의 인터포저 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 프로브 카드의 인터포저에 관한 것으로, 프로브 카드의 테스트 신호를 전달하는 적어도 하나의 신호층; 절연재로 이루어지며, 상기 신호층들의 양측면에 일측면이 부착되게 구비되는 적어도 둘 이상의 절연층; 상기 절연층들의 타측면에 부착되어, 테스트 신호가 전달되는 상기 신호층의 양측에서 절연체인 절연층을 사이에 두고 양측에 구비됨으로써 상기 신호층을 임피던스 매칭시키는 적어도 둘 이상의 접지층; 및 소정 탄성을 가지는 전도성 재질로 이루어지고, 상기 신호층의 양측 끝단에 각각 부착되어 신호층과의 전기적 연결을 이루며, 프로브 카드의 인쇄회로기판과 탐침부가 구비된 스페이스 트랜스포머와 각각 탄력적으로 접촉하는 일라스토머층; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.

프로브 카드, 인터포저

Description

프로브 카드의 인터포저 및 그 제조 방법{INTERPOSER AND MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 프로브 카드의 인터포저 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 형성된 집적회로 칩의 전기적 특성을 검사하는 프로브 카드에서 내부 인쇄회로기판과 서브 보드를 전기적으로 연결시키는 인터포저 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

웨이퍼 검사용 프로브 카드는 웨이퍼 상태의 집적회로 칩에 대한 전기적 특성을 검사하는 전기적 특성 검사(EDS : Electrical Die Sorting)에서 검사 신호의 발생 및 그 결과 데이터를 판독하는 테스터(Tester)와 웨이퍼를 로딩하여 테스트를 수행할 수 있도록 하는 프로브 스테이션(Probe Station)을 연결시키는 인터페이스 부분이다. 프로브 카드는 프로브 스테이션에 장착되어 테스터에 연결되고, 각각의 프로브가 외부접촉단자용 패드에 접촉되어 웨이퍼의 집적회로 칩에 테스터의 신호를 전달한다.

도 1은 종래 기술에 따른 프로브 카드의 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 프로브 카드의 사시도이다.

이를 참조하면, 종래의 프로브 카드는 테스터기(미도시)와 결합되는 상부에는 하부 플레이트(10)가 배치되어 있고, 이 하부 플레이트(10)와 하부에 결합되어 중앙에 측정용 인쇄회로기판이 배치된 PCB 플레이트(20)와, PCB 플레이트(20)를 하부에서 지지하여 소정의 체결 부재(15)로 하부 플레이트(10)에 결합시키는 지지프레임(30)과, 이 지지프레임(30)의 하부에는 반도체 칩 상의 금속 패드와 접촉하는 복수의 탐침부(70)를 갖는 판 상의 스페이스 트랜스포머(60)와, 인쇄회로기판과 대응하면서 스페이스 트랜스포머(60)와의 사이에 개재되어 이들 사이를 상호 전기적으로 연결시켜주는 인터포저(40)와, 스페이스 트랜스포머(60)를 지지프레임(30)에 결합 지지시켜주는 트랜스포머 지지부재(50)와, 스페이스 트랜스포머(60)를 지지 프레임(30)에 고정 지지시켜 Z축으로의 좌표 변위를 방지해주는 Z축 변위방지 부재(65)를 포함한다.

여기에서, 지지 프레임(30)은 사각 판 상으로 형성되고 판 면의 중앙에는 소정 크기의 관통된 공간부가 형성되어 있어, 그 공간부를 통해서 PCB 어셈블리(20)의 중앙에 배치된 인쇄회로기판의 패드 부분들이 노출되도록 하였다.

그리하여, 인쇄회로기판의 패드들이 인터포저(40)을 통해서 하부에 배치된 스페이스 트랜스포머(60)의 탐침부(70)와 연결되게 된다.

이러한 종래 기술의 프로브 카드에서는 인터포저의 특성상 전기적 연결은 물론 탄력적인 상호 연결이 가능해야만 하기 때문에 제작이 어려운 문제점이 있었다.

또한, 인터포저로서 포고핀, 인터페이스핀 또는 일라스토머 등을 사용하고 있는데, 최근에는 반도체의 집적도 향상과 더불어 반도체 테스트 주파수가 높아지면서 이러한 기존 인터포저에서는 노이즈의 원인인 R, L, C 값이 증가하여 수율을 저하시키는 원인이 되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 프로브 카드는, 프로브 카드의 테스트 신호를 전달하는 적어도 하나의 신호층; 절연재로 이루어지며, 상기 신호층들의 양측면에 일측면이 부착되게 구비되는 적어도 둘 이상의 절연층; 상기 절연층들의 타측면에 부착되어, 테스트 신호가 전달되는 상기 신호층의 양측에서 절연체인 절연층을 사이에 두고 양측에 구비됨으로써 상기 신호층을 임피던스 매칭시키는 적어도 둘 이상의 접지층; 및 소정 탄성을 가지는 전도성 재질로 이루어지고, 상기 신호층의 양측 끝단에 각각 부착되어 신호층과의 전기적 연결을 이루며, 프로브 카드의 인쇄회로기판과 탐침부가 구비된 스페이스 트랜스포머와 각각 탄력적으로 접촉하는 일라스토머층; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 신호층은 패턴 형상으로 구비되며, 상기 접지층은 평판 형상으로 구비되는 것을 특징으로 한다.

더욱 바람직하게는, 상기 일라스토머층은 상기 신호층의 위치에 소정 깊이로 파인 단차홀에 일정 부분이 매몰되며, 소정 높이를 가지게 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법은, (a) 프로브 카드에서 테스트 신호가 전달되는 신호층의 양측에 절연체인 절연층을 사이에 두고 접지층을 각각 구비시켜 임피던스 매칭된 보드를 제작하는 단계; (b) 상기 보드 위에 희생층을 도포시키는 단계; (c) 상기 보드에서 상기 신호층이 위치하는 곳의 희생층을 제거시키는 단계; (d) 상기 희생층이 제거된 위치에 소정 깊이의 단차홀을 가공시키는 단계; (e) 상기 가공된 단차홀에 전도성 일라스토머를 채워 넣어 일라스토머층을 형성시켜 일라스토머층과 신호층을 전기적으로 연결시키는 단계; 및 (f) 잔존하는 희생층을 제거시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 (a) 단계에서, 임피던스 매칭된 보드는 스트립 라인 방식을 사용하여 다층 PCB(MLB : Multi Layer Board)로 제작되는 것을 특징으로 한다.

더욱 바람직하게는, 상기 (a) 단계에서, 상기 신호층은 패턴 형상으로 구비되며, 상기 접지층은 평판 형상으로 구비되는 것을 특징으로 한다.

더욱 바람직하게는, 상기 (e) 단계에서 상기 일라스토머층은 상기 신호층의 위치에 소정 깊이로 파인 단차홀에 일정 부분이 매몰되며 소정 높이를 가지게 형성시키는 것을 특징으로 한다.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드는, 절연재로 이루어지는 절연층; 상기 절연층에 소정 두께의 구멍이 관통되어 형성되는 적어도 하나의 관통홀; 및 소정 탄성을 가지는 전도성 재질로 이루어지고, 상기 관통홀에 삽입되어 양끝단을 통해 프로브 카드의 인쇄회로기판과 탐침부가 구비된 스페이스 트랜스포머와 각각 탄력적으로 접촉하는 일라스토머층; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 관통홀은 관통된 구멍 내부에 전기 도금을 도금시키는 것을 특징으로 한다.

더욱 바람직하게는, 상기 일라스토머층은 상기 관통홀을 벗어나 소정 부분이 외부로 노출되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법은, (a) 절연체인 절연층에 해당 절연층을 관통시키는 적어도 하나의 관통홀을 형성시키는 단계; (b) 상기 절연층 위에 희생층을 도포시키는 단계; (c) 상기 절연층에서 상기 관통홀이 위치하는 곳의 희생층을 제거시키는 단계; (d) 상기 관통홀에 전도성 일라스토머를 상기 희생층의 높이까지 채워 넣는 단계; 및 (e) 잔존하는 희생층을 제거시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 (a) 단계에서, 상기 관통홀은 관통된 구멍 내부에 전기 도금을 도금시키는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 (d) 단계는, (d-1) 상기 관통홀의 하부에서 희생층에 차단재를 덧대어 관통홀로 인한 구멍을 하부에서 막는 단계; (d-2) 상기 관통홀에 전도성 일라스토머를 상부 희생층의 높이까지 채워 넣는 단계; 및 (d-3) 상기 차단재 를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 프로브 카드의 인터포저 및 제조 방법은 그 구조가 간단하고 저렴하여, 비록 전체 보드가 탄성을 가지지 않은 고형 구조일지라도, 탄성 전도성 물질인 일라스토머층에 의해 상하부의 인쇄회로기판 및 스페이스 트랜스포머와 탄력적인 접촉이 가능하게 되는 효과가 있다.

또한, 임피던스 매칭이 이루어진 보드에 탄성을 가진 일라스토머층을 집적시켜 인터포저를 만들게 됨으로써 반도체의 집적도 향상과 더불어 반도체 테스트 주파수가 높아지면서 필요되는 임피던스 매칭을 간단하게 해결할 수 있게 되는 효과도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

이하에서 본 발명은, 웨이퍼에 형성된 집적회로 칩의 전기적 특성을 검사하는 프로브 카드에서 내부 인쇄회로기판과 서브 보드를 전기적으로 연결시키는 인터포저 및 그 제조 방법을 바람직한 실시예로 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 인터포저의 단면도이다.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명이 적용된 인터포저는 프로브 카드의 인쇄회로기판과 전기적으로 연결되는 상부 일라스토머층(160a)과, 반도체 칩 상의 금속 패드와 첩촉하는 복수의 탐침부가 구비된 스페이스 트랜스포머와 전기적으로 연결되는 하부 일라스토머층(160b)과, 상기 상부 일라스토머층(160a)과 하부 일라스토머층(160b)을 상호 전기적으로 연결시켜주는 신호층(110)과, 상기 신호층(110)의 양측면에 접착되어 층간 절연을 이루는 절연층(130)과, 상기 절연층(130)의 사이에 개재되어 상기 신호층(110)의 임피던스 매칭을 이루는 접지층(120)을 포함한다.

여기에서, 상기 신호층(110)과 상기 접지층(120)은 절연체인 상기 절연층(130)을 사이에 두고 평행하게 형성되는 스트립 라인(Strip line)으로 이루어지며 해당 보드(100)가 다층 PCB(MLB : Multi Layer Board)나 세라믹 보드(Ceramic Board)로 구성되기 때문에 신호선과 접지간의 거리와 매질특성이 균일하게 배치되고 선로와 접지 사이에 전자파 펄스 에너지에 신호를 보존하며 전송하게 될 수 있어서, 전체적으로 해당 보드(100)는 반도체 테스트 주파수로 인한 노이즈 상승을 억제할 수 있는 임피던스 매칭 보드로 작용하게 된다.

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 테스트 신호가 전달되는 신호층(110)의 양측에 절연체인 절연층(130)을 사이에 두고 접지층(120)이 각각 구비됨으로써 임피던스 매칭이 이루어지게 된다.

이때, 상기 신호층(110)은 도 4에 도시된 바와 같이 두께가 60 내지 200 ㎛의 패턴(Pattern) 형상으로 구현되며, 상기 접지층(120)은 평판(Plan) 형상으로 구현된다.

그리고, 상기 절연층(130)은 절연재로 이루어지며, 바람직하게는 유리 섬유에 열경화성 수지를 침투시켜 반경화 상태로 만드는 프리플레그(Prepreg)인 것이 좋다.

상기 신호층(110)의 양 끝단에 결합되는 일라스토머층(160a, 160b)은 전기적 신호 전달이 가능한 도전성 일라스토머(Elastomer)로 이루어지는 것이 바람직하다.

이때, 상기 일라스토머층(160a, 160b)은 상기 신호층(110)을 상부 인쇄회로기판과 하부 스페이스 트랜스포머와 연결시키는 전도성 물질로서, 보드(100)에 일정 부분이 매몰된 상태로 소정 높이를 가지게 구비되며, 탄성을 가져 인터포저와 인쇄회로기판의 탄력적 접촉을 보장한다.

따라서, 비록 전체 보드(100)가 탄성을 가지지 않은 고형 구조일지라도, 이러한 탄성 전도성 물질인 일라스토머층(160a, 160b)에 의해 상하부의 인쇄회로기판 및 스페이스 트랜스포머와 탄력적인 접촉이 가능하게 된다.

이제, 도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 인터포저의 제조 방법에 대하여 설명한다.

임피던스 매칭이 이루어질 수 있도록 도 4에 도시된 바와 같이 테스트 신호가 전달되는 신호층(110)의 양측에 절연체인 절연층(130)을 사이에 두고 접지층(120)을 각각 구비시키는 스트립 라인 방식을 사용하여 MLB로 보드(100)를 제작한다.

그리고, 이와 같이 임피던스 매칭을 구현한 보드(100)를 절단한다. 여기에서 절단 방향은 도 4의 (a)의 경우 도면의 좌에서 우로 자르는 형태이고, 도 4의 (b)의 경우 도면의 위에서 아래로 자르는 형태이다. 여기에서 절단 두께는 보드의 두께(1 내지 10 T)를 고려하여 적절하게 결정된다.

이후, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 절단된 해당 보드(100) 위에 희생층(140)을 도포한다.

여기에서 상기 희생층(140)은 솔더 마스크(Solder Mask)나 포토레지스터(PR : Photoresist) 등으로 이루어져 도포되며, 도포되는 두께는 콘택트 오버 드라이브(Contact Over Drive)를 고려하여 100 ㎛ 이상으로 도포한다.

이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 노광(Exposure) 및 현상(Develop & Bake) 과정을 통해 신호층(110)이 위치하는 곳의 희생층(140)을 제거시킨다.

그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 이렇게 희생층(140)이 제거된 위치에 단차홀(150)을 가공한다.

상기 단차홀(150)은 드릴링(Drilling) 공정을 통해 형성되며, 수치제어 드릴(CNC Drill)에 의해 이루어질 수 있다.

이후, 도 8에 도시된 바와 같이, 드릴링된 단차홀(150)에 전도성 일라스토머(Elastomer)를 채워 넣어 상부 일라스토머층(160a)를 형성시킨다.

이때, 상기 전도성 일라스토머는 상기 신호층(110)과 프로브 카드의 인쇄회로기판을 전기적으로 연결시키는 전도성 물질로서, 탄성을 가져 인터포저와 인쇄회로기판의 탄력적 접촉을 보장한다.

여기에서, 상기 전도성 일라스토머는 도 8에 도시된 바와 같이 상기 드릴링된 단차홀(150)은 물론 상기 희생층(140)이 제거된 부위까지 채워져, 일정 부분이 보드(100)에 매몰된 상태로 소정 높이를 가지게 되어 자체 탄성을 통한 인쇄회로기판과의 탄력적 접촉을 가능하게 한다.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이 해당 보드(100)의 하부에서도 위의 도 5 내지 도 8에서 설명된 과정을 동일하게 수행하여 하부 일라스토머층(160b)를 형성시킨다. 이러한 하부 일라스토머층(160b)는 반도체 칩 상의 금속 패드와 첩촉하는 복수의 탐침부가 구비된 스페이스 트랜스포머와 전기적으로 연결시키는 전도성 물질로서, 마찬가지로 탄성을 가져 인터포저와 스페이스 트랜스포머의 탄력적 접촉을 보장한다.

그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, 상하면에 잔존하는 희생층(140)을 노광(Exposure) 및 현상(Develop & Bake) 과정을 통해 제거시켜 인터포저를 완성시킨다.

이러한 인터포저는 비록 전체 보드(100)가 탄성을 가지지 않은 고형 구조일지라도, 이러한 탄성 전도성 물질인 일라스토머층(160a, 160b)에 의해 상하부의 인쇄회로기판 및 스페이스 트랜스포머와 탄력적인 접촉이 가능하게 된다.

이렇게 완성된 인터포저의 상부면이 도 11에 도시되어 있으며, 도 12에는 완성된 인터포저를 병렬로 어레이(Array)시킨 상태가 도시되어 있다. 즉, 이렇게 완성된 인터포저는 자유자재로 어레이시키는 것이 가능하여 면적이 넓은 인터포저에도 쉽게 배치하여 사용할 수 있게 된다.

다음으로, 도 13 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 인터포저의 제조 방법에 대하여 설명한다.

우선, MLB로 제작된 보드(100)에 도 13에 도시된 바와 같이 다수의 구멍을 뚫고 일정한 두께의 전기 도금을 구멍 내부에 도금시켜 비아(Via) 타입의 관통 홀(170)을 형성시킨다.

여기에서, 이러한 관통홀(170)은 단순히 구멍을 뚫는 구성만으로도 차후 해당 관통홀(170)에 삽입되는 일라스토머층(160)이 도전성을 가지기 때문에 신호전달이 가능하며, 구멍 내부를 도금하는 경우 신호 전달이 더욱 유리해짐은 물론이다.

이때, 이러한 보드(100)는 절연재로 이루어지며, 바람직하게는 유리 섬유에 열경화성 수지를 침투시켜 반경화 상태로 만드는 프리플레그(Prepreg)인 것이 좋으며, 더욱 바람직하게는 세라믹 보드(Ceramic Board)인 것이 바람직하다.

이후, 도 14에 도시된 바와 같이, 해당 보드(100) 위에 희생층(140)을 도포한다.

여기에서 상기 희생층(140)은 솔더 마스크(Solder Mask)나 포토레지스터(PR : Photoresist) 등으로 이루어져 도포되며, 도포되는 두께는 콘택트 오버 드라이브(Contact Over Drive)를 고려하여 100 ㎛ 이상으로 도포한다.

이후, 도 15에 도시된 바와 같이, 노광(Exposure) 및 현상(Develop & Bake) 과정을 통해 관통홀(170)이 위치하는 곳의 희생층(140)을 제거시킨다.

그리고, 도 16에 도시된 바와 같이, 보드(100)의 하부에서 이렇게 희생층(140)이 제거된 위치에 차단재(180)을 덧대어 관통홀(170)로 인한 구멍을 하부에서 막는다.

여기에서 상기 차단재(180)는 차후 해당 관통홀(170)에 삽입되는 일라스토머의 누출을 막기 위한 차단막으로서 기능하며, 드라이 필름(Dry Film)이나 테이프(Tape) 등이 사용될 수 있다.

이후, 도 17에 도시된 바와 같이, 해당 관통홀(170)에 전도성 일라스토머(Elastomer)를 채워 넣어 상부 및 하부 일라스토머층(160a, 160b)를 동시에 형성시킨다.

이때, 상기 전도성 일라스토머는 상기 신호층(110)과 프로브 카드의 인쇄회로기판을 전기적으로 연결시키는 전도성 물질로서, 탄성을 가져 인터포저와 인쇄회로기판의 탄력적 접촉을 보장한다.

여기에서, 상기 전도성 일라스토머는 도 17에 도시된 바와 같이 희생층(140)의 높이까지 채워져 소정 높이를 가지게 되어 자체 탄성을 통한 인쇄회로기판 또는 스페이스 트랜스포머와의 탄력적 접촉을 가능하게 한다.

그리고, 도 18에 도시된 바와 같이, 하면에 덧대어진 차단재(180)를 제거하고, 상하면에 잔존하는 희생층(140)을 노광(Exposure) 및 현상(Develop & Bake) 과정을 통해 제거시켜 인터포저를 완성시킨다.

따라서, 상기 일라스토머는 상기 관통홀을 벗어나 소정 부분이 외부로 노출되어 상하부의 인쇄회로기판 및 스페이스 트랜스포머와 탄력적인 접촉이 용이하게 이루어진다.

이러한 인터포저는 비록 전체 보드(100)가 탄성을 가지지 않은 고형 구조일지라도, 이러한 탄성 전도성 물질인 일라스토머층(160a, 160b)에 의해 상하부의 인쇄회로기판 및 스페이스 트랜스포머와 탄력적인 접촉이 가능하게 된다.

도 1은 종래 기술에 따른 프로브 카드의 단면도.

도 2는 종래 기술에 따른 프로브 카드의 사시도.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 인터포저의 단면도.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 인터포저의 보드를 설명하기 위한 분해 사시도 및 단면도.

도 5 내지 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 인터포저 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

도 11은 본 발명에 따른 인터포저의 상부면을 나타내는 평면도.

도 12는 본 발명에 따른 인터포저의 어레이 상태를 나타내는 평면도.

도 13 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 인터포저 제조 방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (13)

1. 프로브 카드의 테스트 신호를 전달하는 적어도 하나의 신호층;

   절연재로 이루어지며, 상기 신호층들의 양측면에 일측면이 부착되게 구비되는 적어도 둘 이상의 절연층;

   상기 절연층들의 타측면에 부착되어, 테스트 신호가 전달되는 상기 신호층의 양측에서 절연체인 절연층을 사이에 두고 양측에 구비됨으로써 상기 신호층을 임피던스 매칭시키는 적어도 둘 이상의 접지층; 및

   소정 탄성을 가지는 전도성 재질로 이루어지고, 상기 신호층의 양측 끝단에 각각 부착되어 신호층과의 전기적 연결을 이루며, 프로브 카드의 인쇄회로기판과 탐침부가 구비된 스페이스 트랜스포머와 각각 탄력적으로 접촉하는 일라스토머층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 신호층은 패턴 형상으로 구비되며, 상기 접지층은 평판 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 일라스토머층은 상기 신호층의 위치에 소정 깊이로 파인 단차홀에 일정 부분이 매몰되며, 소정 높이를 가지게 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저.
4. (a) 프로브 카드에서 테스트 신호가 전달되는 신호층의 양측에 절연체인 절연층을 사이에 두고 접지층을 각각 구비시켜 임피던스 매칭된 보드를 제작하는 단계;

   (b) 상기 보드 위에 희생층을 도포시키는 단계;

   (c) 상기 보드에서 상기 신호층이 위치하는 곳의 희생층을 제거시키는 단계;

   (d) 상기 희생층이 제거된 위치에 소정 깊이의 단차홀을 가공시키는 단계;

   (e) 상기 가공된 단차홀에 전도성 일라스토머를 채워 넣어 일라스토머층을 형성시켜 일라스토머층과 신호층을 전기적으로 연결시키는 단계; 및

   (f) 잔존하는 희생층을 제거시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저 제조 방법.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 (a) 단계에서,

   임피던스 매칭된 보드는 스트립 라인 방식을 사용하여 다층 PCB(MLB : Multi Layer Board)로 제작되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저 제조 방법.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 (a) 단계에서,

   상기 신호층은 패턴 형상으로 구비되며, 상기 접지층은 평판 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저 제조 방법.
7. 제 4항에 있어서,

   상기 (e) 단계에서 상기 일라스토머층은 상기 신호층의 위치에 소정 깊이로 파인 단차홀에 일정 부분이 매몰되며 소정 높이를 가지게 형성시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저 제조 방법.
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. (a) 절연체인 절연층에 해당 절연층을 관통시키는 적어도 하나의 관통홀을 형성시키는 단계;

    (b) 상기 절연층 위에 희생층을 도포시키는 단계;

    (c) 상기 절연층에서 상기 관통홀이 위치하는 곳의 희생층을 제거시키는 단계;

    (d) 상기 관통홀에 전도성 일라스토머를 상기 희생층의 높이까지 채워 넣는 단계; 및

    (e) 잔존하는 희생층을 제거시키는 단계; 를 포함하되,

    상기 (a) 단계에서,

    상기 관통홀은 관통된 구멍 내부에 전기 도금을 도금시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저 제조 방법.
12. 삭제
13. 제 11항에 있어서,

    상기 (d) 단계는,

    (d-1) 상기 관통홀의 하부에서 희생층에 차단재를 덧대어 관통홀로 인한 구멍을 하부에서 막는 단계;

    (d-2) 상기 관통홀에 전도성 일라스토머를 상부 희생층의 높이까지 채워 넣는 단계; 및

    (d-3) 상기 차단재를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 인터포저 제조 방법.

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