KR101442354B1 - 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치 - Google Patents

예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101442354B1
KR101442354B1 KR1020120150877A KR20120150877A KR101442354B1 KR 101442354 B1 KR101442354 B1 KR 101442354B1 KR 1020120150877 A KR1020120150877 A KR 1020120150877A KR 20120150877 A KR20120150877 A KR 20120150877A KR 101442354 B1 KR101442354 B1 KR 101442354B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrodes
electrode
substrate
ground
pattern
Prior art date
Application number
KR1020120150877A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140081290A (ko
Inventor
최윤혁
오광재
김기영
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020120150877A priority Critical patent/KR101442354B1/ko
Priority to US14/029,684 priority patent/US9607754B2/en
Priority to CN201310532486.9A priority patent/CN103887264B/zh
Priority to JP2013226576A priority patent/JP2014122882A/ja
Publication of KR20140081290A publication Critical patent/KR20140081290A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101442354B1 publication Critical patent/KR101442354B1/ko
Priority to US15/443,653 priority patent/US9947457B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 예비 공간 변환기에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 예비 공간 변환기는 일면과 일면의 반대면인 타면을 갖는 기판, 일면 상에 배치된 개별 전극들, 그리고 기판 내에 배치된 공통 전극을 포함하되, 개별 전극들은 단위 패턴을 이루어 반복 배치된다.

Description

예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치{PRE SPACE TRANSFORMER AND SPACE TRANSFORMER MANUFACTURED BY THE PRE SPACE TRANSFORMER, AND APPARATUS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SPACE TRANSFORMER}
본 발명은 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공간 변환기의 구조를 단순화하고 제조 효율을 높일 수 있는 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로 소자의 집적도가 점차 높아짐에 따라, 반도체 집적회로에 대한 검사 공정을 수행하는 검사 장치 또한 높은 정밀도가 요구된다. 예컨대, 대표적인 반도체 집적회로 칩의 검사 장비로서 프로브 장치가 널리 사용되고 있다. 고집적화된 반도체 집적회로 칩에 대한 검사 공정에 부응하기 위해서는, 상기 반도체 집적회로 칩에 접속되는 프로브 핀들의 미세 피치화가 구현되어야 한다. 이를 위해, 프로브 핀들의 피치와 반도체 집적회로의 피치 간의 차이를 보상해 주는 소위 공간 변환기(space transformer)가 필수적으로 사용되고 있다.
한국특허등록공보 제10-1048497호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공간 변환기의 구조를 단순화시킬 수 있는 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공간 변환기의 제조 효율을 향상시킬 수 있는 예비 공간 변환기를 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제작 기간을 단축시킬 수 있는 공간 변환기 및 이를 구비하는 반도체 소자 검사 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 예비 공간 변환기는 일면 및 상기 일면의 반대면인 타면을 갖는 기판, 상기 일면 상에 배치된 개별 전극들, 그리고 상기 기판 내에 배치된 공통 전극을 포함하되, 상기 개별 전극들은 단위 패턴을 이루어 반복 배치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극들 및 그라운드 전극들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고, 상기 공통 전극은 상기 그라운드 전극들과 전기적으로 연결된 공통 그라운드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 섬(island) 형상의 횡단면을 갖는 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고, 상기 공통 전극은 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 단위 패턴은 서로 이격되어 배치된 하나의 신호 또는 파워 전극과 하나의 그라운드 전극으로 이루어진 격자 형상으로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 일면 및 상기 타면 중 적어도 상기 일면을 덮는 보호막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판을 관통하는 복수의 비아들을 더 포함하되, 상기 비아들은 격자 형상(grid shape)을 이루도록 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판을 관통하는 복수의 비아들 및 상기 타면 상에서 상기 비아들과 연결된 전극 패드를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 공간 변환기는 반도체 소자와 회로 기판 간의 회로 피치 차이를 보상하되, 상기 반도체 소자에 대향되는 일면 및 상기 회로 기판에 대향되는 타면을 갖는 기판, 상기 일면 상에서 하나의 단위 패턴을 이루어 배치된 개별 전극들, 상기 기판 내에 배치된 공통 전극, 상기 개별 전극들이 선택적으로 오픈되도록 상기 일면을 덮는 절연 패턴, 상기 절연 패턴 상에서 상기 개별 전극들에 전기적으로 연결되도록 형성된 회로 패턴, 그리고 상기 회로 패턴에 연결되어 상기 반도체 소자에 접속되기 위한 접속핀들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극들 및 그라운드 전극들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고, 상기 공통 전극은 상기 그라운드 전극들과 전기적으로 연결된 공통 그라운드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 섬(island) 형상의 횡단면을 갖는 신호 또는 파워 전극들과 상기 그라운드 전극들을 포함하고, 상기 공통 전극은 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 상기 보호 패턴에 의해 선택적으로 오픈되어 상기 접속핀과 전기적으로 연결된 사용 전극 및 상기 보호 패턴에 의해 덮혀져 비노출된 불용 전극을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 검사 장치는 반도체 소자에 대해 전기적인 특성을 검사하되, 테스터기로부터 검사 신호를 전달받는 인쇄회로기판, 상기 반도체 소자를 향하는 상기 인쇄회로기판의 일측에 배치된 인터포저, 그리고 상기 인터포저로부터 상기 검사 신호를 전달받아 상기 반도체 소자에 전달하고, 상기 인쇄회로기판과 상기 반도체 소자 간의 회로 피치 차이를 보상하기 위한 공간 변환기를 포함하되, 상기 공간 변환기는 상기 반도체 소자에 대향되는 일면 및 상기 회로 기판에 대향되는 타면을 갖는 기판, 상기 일면 상에서 하나의 단위 패턴을 이루어 배치된 개별 전극들, 상기 기판 내에 배치된 공통 전극, 상기 개별 전극들이 선택적으로 오픈되도록 상기 일면을 덮는 절연 패턴, 상기 절연 패턴 상에서 상기 개별 전극들에 전기적으로 연결되도록 형성된 회로 패턴, 그리고 상기 회로 패턴에 연결되어 상기 반도체 소자에 접속되기 위한 접속핀들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극들 및 그라운드 전극들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고, 상기 공통 전극은 상기 그라운드 전극들과 전기적으로 연결된 공통 그라운드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 섬(island) 형상의 횡단면을 갖는 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고, 상기 공통 전극은 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 개별 전극들은 상기 보호 패턴에 의해 선택적으로 오픈되어 상기 접속핀과 전기적으로 연결된 사용 전극 및 상기 보호 패턴에 의해 덮혀져 비노출된 불용 전극을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기는 기판의 동일 평면상에서 전극들이 배치된 구조를 가지므로, 상기 전극들이 기판의 다른 평면상에 배치된 구조에 비해, 단순화된 전극 구조를 가지게 되어 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기는 집적회로 칩들의 설계가 완료되기 이전에 예상되는 피치에 대응할 수 있는 전극들을 기판 상에 일정한 단위 패턴을 이루도록 배치시켜 이를 절연막으로 덮는 구조를 갖는다. 이에 따라, 상기 예비 공간 변환기는 추후 최종 설계가 완료된 집적회로 칩들에 맞게 상기 전극들 중 필요한 전극만을 취사 선택하여 공간 변환기를 제조할 수 있으므로, 공간 변환기의 제작 기간을 크게 단축시킬 수 있고, 또한 다양한 모델의 집적회로 칩들에 대응이 가능할 수 있다.
또한, 상기와 같이, 다양한 모델에 적용이 가능한 예비 공간 변환기를 이용하여 제조된 공간 변환기를 이용하여 반도체 소자 검사 장치를 제조함으로써, 반도체 소자 검사 장치의 제조 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 공간 변환기를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 공간 변환기의 제조를 위한 예비 공간 변환기를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 공간 변환기의 제조를 위한 예비 공간 변환기를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 단계는 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예는 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치를 보여주는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 검사 장치(100)는 소정의 반도체 소자에 대한 전기적 특성을 검사하는 장치일 수 있다. 일 예로서, 상기 반도체 소자 검사 장치(100)는 복수의 집적회로 칩들이 형성된 웨이퍼(10)에 대해 전기적인 특성을 검사하는 프로브 장치일 수 있다.
상기 반도체 소자 검사 장치(100)는 회로기판(circuit board:110), 인터포저(interposer:120), 지지체(support:130), 그리고 공간 변환기(space transformer:141)를 구비할 수 있다.
상기 회로기판(110)은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board:PCB)을 포함할 수 있다. 상기 회로기판(110)은 대체로 원판 형상을 가지며, 일측에서 테스터기(tester:미도시됨)과 결합될 수 있다. 상기 테스터기는 상기 웨이퍼(10)의 검사 공정을 위한 검사 신호를 발생하여 상기 회로기판(110)에 전달하고, 상기 검사 신호를 통해 수신받는 신호를 기초로 검사 결과를 판단할 수 있다. 상기 인터포저(120)는 상기 회로기판(110)과 상기 공간 변환기(140)를 전기적으로 중계하기 위한 것으로서, 상기 테스터기에서 발생된 검사 신호를 상기 공간 변환기(141)로 전달할 수 있다. 상기 지지체(130)는 상기 회로기판(110) 상에 상기 공간 변환기(141)를 지지 및 고정시키기 위한 것일 수 있다.
상기 공간 변환기(141)는 상기 회로기판(110)의 회로 피치와 상기 집적회로 칩의 회로 피치의 차이값을 보상하기 위한 것일 수 있다. 상기 집적회로 칩의 집적도가 상기 회로기판(110)의 집적도에 비해 높으므로, 상기 공간 변환기(141)는 상기 집적회로 칩의 집적도에 부응할 수 있도록 검사 회로가 설계될 수 있다. 일 예로서, 상기 공간 변환기(141)는 상기 공간 변환기(141)는 기판(142), 비아(144), 전극들(146), 절연 패턴(148), 회로 패턴(151), 그리고 접속핀들(153)을 구비할 수 있다.
상기 기판(142)은 상기 공간 변환기(141)의 구성들을 제조하기 위한 베이스일 수 있다. 상기 기판(142)은 일면(142a) 및 상기 일면(142a)의 반대면인 타면(142b)을 갖는 평판 형상을 가질 수 있다. 상기 일면(142a)은 상기 웨이퍼(10)에 대향되는 면이고, 상기 타면(142b)은 상기 회로기판(110) 또는 인터포저(120)에 대향되는 면일 수 있다. 상기 타면(142b)에는 상기 인터포저(120)와 전기적으로 연결된 전극 패드(143)가 형성될 수 있다. 상기 기판(142)은 세라믹, 유리, 그리고 실리콘 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다.
상기 비아(144)는 상기 기판(142)을 관통하는 금속 비아일 수 있다. 상기 비아(144)의 일단은 상기 전극 패드(143)와 연결되고, 타단은 상기 전극들(146) 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 상기 비아(144)는 복수개가 제공되는 경우, 상기 비아들(144)은 상기 기판(142) 내에서 일정 간격이 이격되어 규칙적인 패턴으로 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 비아들(144)은 격자 형상(grid shape)을 이루도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 전극 패드(143) 또한 복수개가 상기 비아들(144)에 대향되어 연결되어, 상기 격자 형상을 이룰 수 있다.
상기 전극들(146)은 상기 기판(142)의 상에 배치되는 다양한 종류의 전극들을 가질 수 있다. 일 예로서, 상기 전극들(146)은 상기 일면(142a) 상에서 단층으로 배치되는 신호 또는 파워 전극(146a) 및 그라운드 전극(146b)을 포함할 수 있다. 상기 신호 또는 파워 전극(146a)은 상기 인터포저(120)로부터 상기 검사 신호를 전달받는 회로 전극으로서, 상기 일면(142a) 상에서 상기 비아들(144)과 연결될 수 있다. 상기 신호 또는 파워 전극(146a)은 그 기능에 따라 신호 전극과 파워 전극으로 구분될 수 있다. 상기 그라운드 전극(146b)은 상기 일면(142a) 상에서 상기 신호 또는 파워 전극(146a)으로부터 일정 간격이 이격되어 배치될 수 있다. 상기 그라운드 전극(146b)은 복수개가 하나의 공통 전극으로 사용될 수 있다. 이를 위해, 상기 전극들(146)은 상기 기판(142) 내에서 상기 그라운드 전극(146b)과 연결된 비아들(144)을 전기적으로 연결시키는 공통 그라운드 전극(146c)이 더 구비될 수 있다.
상기 절연 패턴(148)은 상기 전극들(146)을 보호하도록, 상기 일면(142a)을 덮을 수 있다. 일 예로서, 상기 절연 패턴(148)은 상기 신호 또는 파워 전극들(146a)과 상기 그라운드 전극(146b)을 선택적으로 오픈시키는 개구들을 가질 수 있으며, 상기 개구들을 통해 상기 회로 패턴(151)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 회로 패턴(151)은 상기 절연 패턴(148) 상에서 상기 개구들을 통해 상기 신호 또는 파워 전극(146a)과 상기 그라운드 전극(146b)에 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 회로 패턴(151) 각각에는 상기 접속핀들(153)이 구비될 수 있다. 상기 접속핀들(153)은 상기 웨이퍼(10)의 집적회로 칩에 접속되기 위한 핀일 수 있다.
한편, 상기 신호 또는 파워 전극들(146a)은 사용 전극(146a')과 불용 전극(146a'')으로 구분될 수 있다. 상기 사용 전극(146a')은 상기 접속핀들(153)에 의해 상기 기판(10)으로 검사 신호를 전달하는 기능을 수행하거나 파워(power)가 인가되는 전극일 수 있다. 이에 따라, 상기 사용 전극(146a')은 보호 패턴(148)에 의해 선택적으로 오픈된 영역을 통해 상기 회로 패턴(151)과 연결될 수 있다. 이에 반해, 상기 불용 전극(146b'')은 상기와 같은 검사 신호의 전달 기능을 수행하지 않는 전극일 수 있다. 이에 따라, 상기 불용 전극(146b'')은 상기 보호 패턴(148)에 의해 완전히 덮혀 비노출될 수 있다.
상기 신호 전극(146a)이 사용 여부에 따라 구분되는 것과 유사하게, 상기 그라운드 전극(146b)은 사용 전극(146b')과 불용 전극(146b'')으로 구분될 수 있다. 상기 사용 전극(146b') 또한 상기 보호 패턴(148)에 의해 선택적으로 오픈된 영역을 통해 상기 회로 패턴(151)과 연결되고, 상기 불용 전극(146b'') 또한 상기 보호 패턴(138)에 의해 완전히 덮혀 비노출될 수 있다.
상기 전극들(146)이 사용 여부에 따라 사용 전극들(146a', 146b')과 불용 전극들(146a'', 146b'')로 구분되는 것은 상기 공간 변환기(141)의 제조 이전의 예비 공간 변환기 상태에서, 상기 전극들(146a, 146b) 중에서 필요한 전극만을 선택적으로 사용하기 때문일 수 있다. 즉, 상기 예비 공간 변환기는 상기와 같은 전극들(146a, 146b)이 일정 단위로 형성된 예비적인 구조물이며, 상기 공간 변환기(140)는 상기 전극들(146a, 146b) 중에서 필요한 전극을 취사 선택하도록 상기 예비 공간 변환기(140)의 사용 전극들(146a', 146b')에 전기적으로 연결되는 상기 회로 패턴(151) 및 상기 접속핀들(153)을 형성하여 제조된 최종 구조물일 수 있다.
계속해서, 상술한 공간 변환기(100)의 제조를 위한 예비 공간 변환기에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 살펴본 공간 변환기(100)에 대해 중복되는 내용은 생략하거나 간소화될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 공간 변환기의 제조를 위한 예비 공간 변환기를 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 2에 도시된 공간 변환기의 제조를 위한 예비 공간 변환기를 보여주는 평면도이다. 그리고, 도 5는 도 2에 도시된 I-I'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 예비 공간 변환기(140)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 공간 변환기(141)의 제조를 위한 것으로서, 기판(142), 비아(144), 전극들(146), 그리고 절연막(147)을 구비할 수 있다.
상기 전극들(146)은 개별 전극들과 공통 전극으로 구분될 수 있다. 상기 개별 전극들은 상기 기판(142)의 일면(142a) 상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극(146a) 및 그라운드 전극(146b)을 가질 수 있다. 상기 신호 또는 파워 전극들(146a)과 그라운드 전극들(146b) 각각은 대체로 섬(island) 형상의 횡단면을 가질 수 있다. 상기 신호 또는 파워 전극들(146a)과 상기 그라운드 전극들(146b)은 서로 격자 문양(grid shape)을 이루도록 일정 간격이 이격되어 반복 배치될 수 있다.
상기 개별 전극들과 달리, 상기 공통 전극은 상기 기판(142) 내에서 상기 개별 전극들에 비해 큰 점유 면적을 갖도록 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극(146c)을 가질 수 있다. 상기 공통 그라운드 전극(146c)은 공통 전극으로서, 다수의 접속핀들(153)을 하나의 그라운드 전극에 접속시키는 것이 가능할 수 있다. 따라서, 상기 신호 또는 파워 전극들(146a)은 상대적으로 작은 점유 면적을 가지면서 높은 밀집도를 갖도록 배치되고, 상기 공통 그라운드 전극(146c)은 상대적으로 큰 점유 면적을 가지면서 하나의 판 형태로 구비될 수 있다.
상기 절연막(147)은 상기 전극들(146) 중 개별 전극들을 덮어 외부 환경으로부터 보호하는 막일 수 있다. 상기 절연막(147)으로는 다양한 절연성 물질의 막이 사용될 수 있다. 일 예로서, 상기 절연막(147)으로는 폴리이미드(polyimide)재질의 막이 사용될 수 있다. 상기 절연막(147)에 소정의 패터닝 공정을 수행함으로써, 앞서 참조하여 설명한 절연 패턴(148)이 형성될 수 있다. 여기서, 본 실시예에서는 상기 절연막(147)이 상기 기판(142)의 일면(142a)만을 덮는 것을 예로 들어 설명하였으나, 상기 절연막(147)은 상기 타면(142b)을 덮도록 형성될 수도 있다. 즉, 상기 절연막(147)은 상기 일면(142a)과 타면(142b) 중 적어도 어느 하나를 덮도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 전극들(146)은 하나의 단위 패턴(a)으로 반복 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 단위 패턴(a)은 상기 일면(142a) 상에 배치되는 전극들(146) 중에서 하나의 신호 또는 파워 전극(146a)과 하나의 그라운드 전극(146b)으로 구성된 형태로 이루어질 수 있다. 상기 단위 패턴(a)의 반복 배치를 통해, 상술한 격자 형상을 이룰 수 있다. 본 실시예에서는 상기 단위 패턴(a)이 상기 일면(142a) 상에서 배치되는 전극들(146) 중에서 하나의 신호 또는 파워 전극(146a)과 하나의 그라운드 전극(146b)으로 구성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 상기 단위 패턴의 형태는 다양하게 변경 및 변형될 수 있으며, 상기와 같은 단위 패턴(a)으로 한정되지 않을 수 있다.
상기와 같은 구조의 예비 공간 변환기(140)는 상기 기판(142)의 동일 평면 상에서 상기 전극들(146)이 모두 배치된 구조를 가질 수 있다. 특히, 상기 전극들(146) 중에서 신호 또는 파워 전극들(146a)과 그라운드 전극들(146b) 상기 ㄱ기판(142)의 동일 평면에 배치된 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기와 같은 전극들의 구조는 상기 기판(142)의 다른 평면상에 배치시켜 두 개의 전극층들을 갖는 구조에 비해, 단일 전극층의 구조로 설계가 가능할 수 있다. 또한, 상기 전극들(146) 중에서 공통 전극으로서의 사용이 가능한 복수의 그라운드 전극들(146b)을 상기 기판(142) 내에 삽입된 공통 그라운드 전극(146c)에 전기적으로 연결시킨 구조를 가질 수 있다.
상기와 같은 구조의 예비 공간 변환기(140)는 상기 기판(142) 상에서 단위 패턴(a)을 이루는 전극들(146)을 반복 배치시키고, 상기 전극들(146)은 상기 절연막(147)으로 덮혀진 상태로 보호될 수 있다. 이 경우, 추후 최종 설계가 완료된 집적회로 칩들에 맞게, 상기 전극들(146) 중 필요한 전극만을 선택적으로 사용하도록 상기 절연막(147)을 패터닝한 후, 오픈된 전극에 대해 회로 패턴(151)과 접속핀들(153)을 형성함으로써, 도 2에 도시된 공간 변환기(141)를 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 예비 공간 변환기(140)는 기판(142)의 동일 평면상에서 전극들(146)을 배치시킨 단일 전극층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 기판의 일면에 접속핀들의 구비를 위한 각종 패드와 패턴들을 형성시키고, 기판의 타면에 랜드 그리드 어레이(Land Grid Array:LGA)와 각종 패턴을 형성시킨 구조에 비해, 기판의 일면에만 필요한 패턴들을 구비시킨 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기는 기판의 동일 평면상에서 전극들이 배치된 구조를 가지므로, 상기 전극들이 기판의 다른 평면상에 배치된 구조에 비해, 단순화된 전극 구조를 가지게 되어 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 예비 공간 변환기(140)는 기판(142) 상에 일정한 단위 패턴을 이루는 전극들(146)을 반복 배치시키고, 이를 절연막(147)으로 덮어 보호할 수 있다. 이 경우, 기존의 전기적 검사 대상이 되는 집적회로 칩들의 설계가 최종 완료되었을 경우에 공간 변환기의 제조를 시작하는 것에 비하여, 상기 예비 공간 변환기(140)를 미리 제조한 후 상기 최종 설계된 집적회로 칩들에 필요한 전극들(146)만을 취사 선택하여 대응할 수 있으므로, 상기 공간 변환기(141)의 제작 기간을 단축시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기는 집적회로 칩들의 설계가 완료되기 이전에 예상되는 피치에 대응할 수 있는 전극들을 기판 상에 일정한 단위 패턴을 이루도록 배치시켜 이를 절연막으로 덮는 구조를 가지므로, 추후 최종 설계가 완료된 집적회로 칩들에 맞게 상기 전극들 중 필요한 전극만을 취사 선택하여 공간 변환기를 제조할 수 있으므로, 공간 변환기의 제작 기간을 크게 단축시킬 수 있고, 또한 다양한 모델의 집적회로 칩들에 대응이 가능할 수 있다.
또한, 상기와 같이, 다양한 모델에 적용이 가능한 예비 공간 변환기를 이용하여 제조된 공간 변환기를 이용하여 반도체 소자 검사 장치를 제조함으로써, 반도체 소자 검사 장치의 제조 효율을 높일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 반도체 소자 검사 장치
110 : 인쇄회로기판
120 : 인터포저
130 : 지지체
140 : 예비 공간 변환기
141 : 공간 변환기
142 : 기판
144 : 비아
146 : 전극들
146a : 신호 또는 파워 전극
146b : 그라운드 전극
146c : 공통 그라운드 전극
147 : 보호막
148 : 보호 패턴
151 : 회로 패턴
153 : 접속핀들

Claims (18)

  1. 일면 및 상기 일면의 반대면인 타면을 갖는 기판;
    상기 일면 상에 배치된 개별 전극들; 및
    상기 기판 내에 배치된 공통 전극을 포함하되,
    상기 개별 전극들은 단위 패턴을 이루어 반복 배치된 예비 공간 변환기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극들 및 그라운드 전극들을 포함하는 예비 공간 변환기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고,
    상기 공통 전극은 상기 그라운드 전극들과 전기적으로 연결된 공통 그라운드 전극을 포함하는 예비 공간 변환기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극을 포함하는 예비 공간 변환기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 패턴은 서로 이격되어 배치된 하나의 신호 또는 파워 전극과 하나의 그라운드 전극으로 이루어진 격자 형상으로 제공된 예비 공간 변환기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 일면 및 상기 타면 중 적어도 상기 일면을 덮는 보호막을 더 포함하는 예비 공간 변환기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 관통하는 복수의 비아들을 더 포함하되,
    상기 비아들은 격자 형상(grid shape)을 이루도록 배치된 예비 공간 변환기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 관통하는 복수의 비아들; 및
    상기 타면 상에서 상기 비아들과 연결된 전극 패드를 더 포함하는 예비 공간 변환기.
  9. 반도체 소자와 회로 기판 간의 회로 피치 차이를 보상하되,
    상기 반도체 소자에 대향되는 일면 및 상기 회로 기판에 대향되는 타면을 갖는 기판;
    상기 일면 상에서 하나의 단위 패턴을 이루어 배치된 개별 전극들;
    상기 기판 내에 배치된 공통 전극;
    상기 개별 전극들이 선택적으로 오픈되도록 상기 일면을 덮는 절연 패턴;
    상기 절연 패턴 상에서 상기 개별 전극들에 전기적으로 연결되도록 형성된 회로 패턴; 및
    상기 회로 패턴에 연결되어 상기 반도체 소자에 접속되기 위한 접속핀들을 포함하는 공간 변환기.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극들 및 그라운드 전극들을 포함하는 공간 변환기.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고,
    상기 공통 전극은 상기 그라운드 전극들과 전기적으로 연결된 공통 그라운드 전극을 포함하는 공간 변환기.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극을 포함하는 공간 변환기.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은:
    상기 절연 패턴에 의해 선택적으로 오픈되어 상기 접속핀과 전기적으로 연결된 사용 전극; 및
    상기 절연 패턴에 의해 덮혀져 비노출된 불용 전극을 포함하는 공간 변환기.
  14. 반도체 소자에 대해 전기적인 특성을 검사하되,
    테스터기로부터 검사 신호를 전달받는 인쇄회로기판;
    상기 반도체 소자를 향하는 상기 인쇄회로기판의 일측에 배치된 인터포저; 및
    상기 인터포저로부터 상기 검사 신호를 전달받아 상기 반도체 소자에 전달하고, 상기 인쇄회로기판과 상기 반도체 소자 간의 회로 피치 차이를 보상하기 위한 공간 변환기를 포함하되,
    상기 공간 변환기는:
    상기 반도체 소자에 대향되는 일면 및 상기 회로 기판에 대향되는 타면을 갖는 기판;
    상기 일면 상에서 하나의 단위 패턴을 이루어 배치된 개별 전극들;
    상기 기판 내에 배치된 공통 전극;
    상기 개별 전극들이 선택적으로 오픈되도록 상기 일면을 덮는 절연 패턴;
    상기 절연 패턴 상에서 상기 개별 전극들에 전기적으로 연결되도록 형성된 회로 패턴; 및
    상기 회로 패턴에 연결되어 상기 반도체 소자에 접속되기 위한 접속핀들을 포함하는 반도체 소자 검사 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 신호 또는 파워 전극들 및 그라운드 전극들을 포함하는 반도체 소자 검사 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은 신호 또는 파워 전극들과 그라운드 전극들을 포함하고,
    상기 공통 전극은 상기 그라운드 전극들과 전기적으로 연결된 공통 그라운드 전극을 포함하는 반도체 소자 검사 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 판(plate) 형상을 갖는 공통 그라운드 전극을 포함하는 반도체 소자 검사 장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 개별 전극들은:
    상기 절연 패턴에 의해 선택적으로 오픈되어 상기 접속핀과 전기적으로 연결된 사용 전극; 및
    상기 절연 패턴에 의해 덮혀져 비노출된 불용 전극을 포함하는 반도체 소자 검사 장치.
KR1020120150877A 2012-12-21 2012-12-21 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치 KR101442354B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120150877A KR101442354B1 (ko) 2012-12-21 2012-12-21 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치
US14/029,684 US9607754B2 (en) 2012-12-21 2013-09-17 Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer
CN201310532486.9A CN103887264B (zh) 2012-12-21 2013-10-30 预空间变换器、空间变换器、以及半导体装置检查设备
JP2013226576A JP2014122882A (ja) 2012-12-21 2013-10-31 予備空間変換器及びこれを用いて製造された空間変換器、並びに前記空間変換器を備える半導体素子検査装置
US15/443,653 US9947457B2 (en) 2012-12-21 2017-02-27 Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120150877A KR101442354B1 (ko) 2012-12-21 2012-12-21 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140081290A KR20140081290A (ko) 2014-07-01
KR101442354B1 true KR101442354B1 (ko) 2014-09-17

Family

ID=50956093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120150877A KR101442354B1 (ko) 2012-12-21 2012-12-21 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9607754B2 (ko)
JP (1) JP2014122882A (ko)
KR (1) KR101442354B1 (ko)
CN (1) CN103887264B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015004150A1 (de) 2015-03-31 2016-10-06 Feinmetall Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kontaktabstandswandlers sowie Kontaktabstandswandler
US9629246B2 (en) * 2015-07-28 2017-04-18 Infineon Technologies Ag PCB based semiconductor package having integrated electrical functionality
US10225922B2 (en) 2016-02-18 2019-03-05 Cree, Inc. PCB based semiconductor package with impedance matching network elements integrated therein
JP7101457B2 (ja) * 2017-04-13 2022-07-15 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
IT201700046645A1 (it) * 2017-04-28 2018-10-28 Technoprobe Spa Scheda di misura per un’apparecchiatura di test di dispositivi elettronici
KR102012202B1 (ko) * 2018-09-12 2019-08-20 주식회사 메가프로브 프로브 카드와 그 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 검사 방법
KR102095208B1 (ko) * 2018-11-21 2020-03-31 (주)샘씨엔에스 반도체 소자 테스트를 위한 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0180013B1 (en) * 1984-09-21 1990-05-02 International Business Machines Corporation Test probe system
KR20080005288A (ko) * 2005-05-03 2008-01-10 에스브이 프로브 피티이 엘티디 유전체 구조를 갖는 프로브 카드 어셈블리
KR100997923B1 (ko) * 2002-05-08 2010-12-13 폼팩터, 인크. 고성능 프로브 시스템
KR20110004635A (ko) * 2009-07-08 2011-01-14 주식회사 에이엠에스티 프로브 카드

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5904487A (en) * 1996-10-08 1999-05-18 Advanced Micro Devices, Inc. Electrode reshaping in a semiconductor etching device
JP3540709B2 (ja) 2000-03-06 2004-07-07 日本特殊陶業株式会社 配線基板
JP2004534957A (ja) 2001-07-11 2004-11-18 フォームファクター，インコーポレイテッド プローブ・カードの製造方法
US7223924B2 (en) * 2003-09-23 2007-05-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Via placement for layer transitions in flexible circuits with high density ball grid arrays
US7252514B2 (en) * 2004-09-02 2007-08-07 International Business Machines Corporation High density space transformer and method of fabricating same
KR100609652B1 (ko) * 2006-02-16 2006-08-08 주식회사 파이컴 공간변형기와 상기 공간변형기의 제조방법 및 상기공간변형기를 갖는 프로브 카드
US7692433B2 (en) 2006-06-16 2010-04-06 Formfactor, Inc. Sawing tile corners on probe card substrates
JP4713602B2 (ja) * 2008-02-21 2011-06-29 パナソニック株式会社 基板モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
US8033012B2 (en) * 2008-03-07 2011-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor test probe card space transformer
KR101050231B1 (ko) 2008-07-08 2011-07-19 주식회사 아이엠텍 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조 방법
JP5084668B2 (ja) 2008-08-28 2012-11-28 京セラ株式会社 プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード
JP5440510B2 (ja) * 2008-12-25 2014-03-12 コニカミノルタ株式会社 超音波探触子及び超音波探触子の作製方法
US20100244871A1 (en) * 2009-02-24 2010-09-30 Qualcomm Incorporated Space transformer connector printed circuit board assembly
KR20110020098A (ko) 2009-08-21 2011-03-02 주식회사 메카로닉스 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법
KR20110023343A (ko) 2009-08-31 2011-03-08 주식회사 메카로닉스 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 재생방법
KR101121644B1 (ko) * 2009-09-17 2012-02-28 삼성전기주식회사 프로브 카드용 공간 변환기 및 공간 변환기의 복구 방법
KR101048497B1 (ko) 2010-07-19 2011-07-12 (주) 마이크로프랜드 프로브 카드 및 그 제조방법
US8878560B2 (en) * 2010-12-30 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High frequency probing structure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0180013B1 (en) * 1984-09-21 1990-05-02 International Business Machines Corporation Test probe system
KR100997923B1 (ko) * 2002-05-08 2010-12-13 폼팩터, 인크. 고성능 프로브 시스템
KR20080005288A (ko) * 2005-05-03 2008-01-10 에스브이 프로브 피티이 엘티디 유전체 구조를 갖는 프로브 카드 어셈블리
KR20110004635A (ko) * 2009-07-08 2011-01-14 주식회사 에이엠에스티 프로브 카드

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140081290A (ko) 2014-07-01
US20140176181A1 (en) 2014-06-26
US20170169931A1 (en) 2017-06-15
JP2014122882A (ja) 2014-07-03
CN103887264B (zh) 2017-05-17
CN103887264A (zh) 2014-06-25
US9947457B2 (en) 2018-04-17
US9607754B2 (en) 2017-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101442354B1 (ko) 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치
KR101431915B1 (ko) 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치
KR101339493B1 (ko) 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법
TWI600099B (zh) 平面延伸電導體超越基材邊緣的方法和設備
US7977801B2 (en) Integrated circuit chip component, multi-chip module, their integration structure, and their fabrication method
JP6652443B2 (ja) 多層配線基板及びこれを用いたプローブカード
TW201437642A (zh) 用於探針卡之空間轉換器的製造方法
JP2012021965A (ja) プローブカードのリペア方法及びこれを利用するプローブ基板
JP4343256B1 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20100060973A (ko) 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간변환기의 제조 방법
CN113889420A (zh) 半导体元件结构及接合二基板的方法
TW201110291A (en) Semiconductor package having non-uniform contact arrangement
KR100933369B1 (ko) 프로브 카드의 인터포저 및 그 제조 방법
US9069015B2 (en) Interface board of a testing head for a test equipment of electronic devices and corresponding probe head
JP2008028274A (ja) 半導体装置の製造方法
KR102322780B1 (ko) 인터페이스 보드 및 상기 인터페이스 제조 방법
JP4877465B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ
KR100977209B1 (ko) 공간 변환기, 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드 및 공간변환기의 제조 방법
KR20100027736A (ko) 프로브 본딩 방법
KR20130052080A (ko) 프로브 카드의 다층 기판 및 그의 제작 방법
JP2010019831A (ja) 半導体装置
JP2013036819A (ja) 配線基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170713

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180711

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190604

Year of fee payment: 6