JP2003084039A - 半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 検査用の電極が増加しても容易に対応するこ
とができ、また製作も容易であり、さらに隣接する電極
の高低が大きくても、この高低差を吸収することができ
る半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置を提
供する。 【解決手段】 半導体装置の表面に形成された電極にバ
ンプを接触させ、この半導体装置の電気的検査をなす半
導体検査装置の製造方法および検査装置である。これは
半導体装置への押し付けをなすベース基板２２にスルー
ホール２６と、検査用信号の伝達をなす配線層２８を形
成し、前記スルーホール２６内に導電ゴム部材３２を形
成する。そしてこの導電ゴム部材３２にベース基板２２
の下層側より突出するようバンプ３４を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体検査装置の
製造方法および半導体検査装置に係り、特にダイシング
（ペレタイズ）前の半導体ウェハ上に複数形成された半
導体装置について一括で検査を行うのに好適な半導体検
査装置の製造方法および半導体検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、単結晶シリコンからなる半導体ウ
ェハを複数の工程に投入し、その表面に複数の半導体装
置を形成していく製造方法が知られている。このような
製造方法では、製造工程の後段に進めば進むほど半導体
装置の付加価値は高くなるので、製造工程終了時に初め
て半導体装置の不良が解ると、その損失額は非常に大き
いものとなる。このためウェハ中に生じた半導体装置の
不良品はできるだけ製造工程の初期の段階で発見してお
き、これを積極的に除外していくことが望ましい。また
製造途中で半導体装置の検査を行うことは、各工程にお
ける良品率の把握という点からみても好ましい。

【０００３】図８は、従来における第１の半導体検査装
置の構造を示す説明図である。同図に示すように従来の
半導体検査装置１では、ホルダ２から針状のコンタクト
ピン３が複数引き出されている。そして当該コンタクト
ピン３は、その先端が検査対象となる半導体装置４の電
極５に接触可能になっており、コンタクトピン３を介し
てホルダ２の外部に設けられた検査回路（図示せず）と
半導体装置４との間で検査信号の送受信を行えるように
している。なおコンタクトピン３の本数は、一つの半導
体装置１に対し複数本であり（ピッチ等によって変動す
る）、電源とＧＮＤの他に幾本かのポートのＯＮ／ＯＦ
Ｆチェックが行われる。

【０００４】図９は、従来における第２の半導体検査装
置の構造を示す断面図である。同図に示すように、従来
の半導体検査装置６は、外部の検査治具（図示せず）に
取り付けるためのホルダ２に搭載されている。そして半
導体検査装置６は、ベース基板７の上層に配線層８が形
成され、当該配線層８の上部に鉛直方向に導通性を有し
た異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペースト
やフィルム）が設けられている。また当該異方性導電性
ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）の
上層には、検査用バンプ１０が付いた絶縁フィルム１１
が設けられており、異方性導電性ゴム９または異方性導
電部材（ペーストやフィルム）は配線層８と検査用バン
プ１０との間の導通を図るようにしている。このように
構成された半導体検査装置６は、ホルダ７を降下させ検
査用バンプ１０と半導体装置の電極とを突き合わせるよ
うにすれば、検査信号は配線層８から異方性導電性ゴム
９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）と、検
査用バンプ１０を介して半導体装置側へと伝わり、当該
半導体装置の検査を行えるようになっている。なお半導
体装置における電極の高さのばらつきや検査用バンプ１
０の高さのばらつきが生じても、異方性導電性ゴム９ま
たは異方性導電部材（ペーストやフィルム）の弾性変形
によりこれらばらつきを吸収し、電極と検査用バンプ１
０との間の電気的導通を確保できるようになっている。

【０００５】図１０は、従来における第３の半導体検査
装置の接触子の外観を示す説明図である。同図に示すよ
うな半導体検査装置１２にはクランク状の曲げ部１３が
形成された接触子１４が設けられている。そして曲げ部
１３の弾性力を利用して、接触子１４の先端を半導体装
置１５の電極１６に接触させ、電気的導通を図るように
している。なお同図に示すような接触子１４は、半導体
装置の製造などで用いられているワイヤボンディングに
よって形成するようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし上述したいずれ
の半導体検査装置においても、下記に示すような問題点
があった。すなわち第１の半導体検査装置に示すような
ピンコンタクト方式では、コンタクトピンの配置や配置
数に制限があり、半導体ウェハに多数形成された半導体
装置に対し同時にコンタクトすることができないという
問題点があった。またピンを用いての接触のため、制作
費もピン数に比例して高騰するという問題点もあった。

【０００７】また第２の半導体検査装置に示すような異
方性導電性ゴムを用いた方式では、第１の半導体検査装
置に比べ、半導体装置の複数の電極と接触が容易である
ものの、配線層や弾性層を形成しなくてはならず、また
導電性ゴムを介して配線層と検査用バンプとを貼り合わ
せなくてはならないため、検査装置自体の製作が複雑で
高価であるという問題点があった。

【０００８】そして第３の検査装置においては、接触子
に曲げ部を設けるようにしているため、接触子のピッチ
を狭めていくと当該接触子同士が干渉するおそれがあ
る。このため検査対象となる電極が増加すると接触子が
当てられない電極が生じる問題点があった。

【０００９】本発明は、上記従来の問題点に着目し、検
査用の電極が増加しても容易に対応することができ、ま
た製作も容易であり、さらに隣接する電極の高低が大き
くても、この高低差を吸収することができる半導体検査
装置の製造方法および半導体検査装置を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置の
表面に形成された電極と、配線層との間の電気的経路
を、前記電極に接触する剛体と、その後部に位置する弾
性体とで構成すれば、前記電極への接触に対する耐摩耗
性は前記剛体で確保し、隣接する電極の高さ方向のばら
つきは前記弾性体によって吸収することができるという
知見に基づいてなされたものである。

【００１１】すなわち本発明に係る半導体検査装置の製
造方法は、半導体装置の表面に形成された電極にバンプ
を接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体
検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し
付けをなすベース基板にスルーホールと、前記ベース基
板の上層側に検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、
前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成し
た後、この弾性体に前記ベース基板の下層側より突出す
るよう前記バンプを形成するようにした。

【００１２】そして前記スルーホール内にスキージによ
って導電ゴム部材を充填させた後、前記導電ゴム部材を
硬化させ、これを前記弾性体としたり、あるいはバネ部
材の曲げ加工によって前記弾性体を形成するようにして
もよい。

【００１３】さらにバンプにおいては、前記弾性体の表
面にスキージによって導電ペーストを付着させた後、当
該導電ペーストを硬化させ、これを前記バンプとした
り、前記弾性体の表面にディスペンサによって導電ペー
ストを付着させた後、当該導電ペーストを硬化させ、こ
れを前記バンプとしたり、また前記弾性体の表面に導電
性接着剤を介して金属片を搭載し、これを前記バンプと
したり、あるいは前記弾性体をメッキ液に浸漬させ、前
記弾性体の表面に形成されるメッキ層を前記バンプとし
てもよい。

【００１４】また本発明に係る半導体検査装置は、半導
体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装
置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電
極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベー
ス基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材から
なる弾性体と、当該弾性体に接続され前記スルーホール
の開口部より突出するバンプと、当該バンプが突出する
反対側の前記ベース基板の表面に形成され前記弾性体に
検査用信号の伝達をなす配線層を有するよう構成した。
そして前記弾性体は、前記弾性体は、導電ゴム部材や、
バネ部材にて構成することが望ましい。

【００１５】このように半導体検査装置の製造方法およ
び半導体検査装置を構成すれば、ベース基板を半導体装
置に接触させようとする際、前記半導体装置の電極の間
に高さのばらつきがあったり、あるいはバンプの間に高
さのばらつきがあっても、スルーホール内にある弾性体
が変形することでこれら寸法のばらつきを吸収し、全て
の電極とバンプとを密着させることができ、電気的導通
を図ることが可能になる。また高さ方向のばらつきを弾
性体で吸収することができるので、バンプの硬度を向上
させることができ、前記バンプの耐摩耗性を向上させる
ことが可能になる。

【００１６】なお弾性体を導電ゴム部材で形成すれば、
スキージにてスルーホール内に導電ゴム部材を収めるこ
とができ、前記導電ゴム部材の量や硬度を変更すること
で弾性体の特性を変更することが可能になる。また弾性
体をバネ部材の曲げ加工によって形成すれば、バネ定数
の設定を容易に変更させることができ、半導体装置の電
極の高さ方向のばらつき度合いなどに対応させることが
できる。

【００１７】またこれら弾性体は、個々のバンプに対し
て変形するので、半導体装置における隣接する電極の高
さが大きく異なっていても、この寸法差に何ら影響され
ることもなく、バンプを前記電極に接触させることが可
能になる。

【００１８】なおバンプの形成にスキージを用いれば、
マスクの厚さによって導電ペーストの量を調整すること
ができ、バンプの高さを容易に設定することができる。
そしてバンプの形成にディスペンサを用いれば、バンプ
を形成する場所を容易に変更することができる。またバ
ンプに例えば金属球に代表される金属片を用いれば、十
分な硬度が得られるので、耐摩耗性に優れたバンプを構
成することができる。さらにバンプをメッキ層で構成す
れば、メッキ液への浸漬時間の管理によって当該バンプ
の高さを容易に設定することが可能になる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る半導体検査
装置の製造方法および半導体検査装置に好適な具体的実
施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本
実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造図である。
同図に示すように、本実施の形態に係る半導体検査装置
２０は、ベース基板２２を基材としており、当該ベース
基板２２の両面に種々の部材が形成された形態となって
いる。

【００２０】前記ベース基板２２は、半導体ウェハ２５
の基材として使用されるシリコンやガラスあるいはセラ
ミックといった熱膨張係数が比較的半導体ウェハに近い
（あるいは同一）材料で構成されている。これは半導体
装置２１と本検査装置２０の熱膨張係数の違いから接点
が離反するのを防止する為であり、これにより半導体装
置２１の電気的検査を高温環境下で行う際（ウェハバー
イン）でも接点間の確実な電気的導通を可能にしてい
る。なお本実施の形態で用いられるベース基板２２は、
半導体装置２１の材質と同様の単結晶シリコンからな
り、その大きさは、半導体ウェハ２５に形成された複数
の半導体装置２１に相当するだけの大きさに設定され
る。そして半導体検査装置２０を半導体ウェハ２５に押
し当てることで、複数の半導体装置について一斉に検査
を行えるようにしている（図２を参照）。

【００２１】また本実施の形態では、ベース基板２２の
材料にシリコンやガラス、あるいはセラミックなどを用
いたが、この形態に限定されることもなく、例えば、ベ
ース基板２２の材料に汎用性の高いガラスエポキシ樹脂
などを適用してもよい。当該ガラスエポキシ樹脂は、基
板の材料として多く用いられているので汎用の製造工程
が適用でき、容易にベース基板２２の表面に配線層２８
を形成することができる。

【００２２】ところでベース基板２２の表面には、半導
体装置２１の電極２４の位置に対応するように複数のス
ルーホール２６が形成されており、さらに当該スルーホ
ール２６の内壁面およびベース基板２２における上表面
には、図示しない絶縁膜が形成されており、後述する配
線層等とベース基板２２とが短絡するのを防止するよう
にしている。

【００２３】ベース基板２２の上表面には、前記スルー
ホール２６を塞ぐように配線層２８が形成される。そし
て当該配線層２８は、その一端側が前記スルーホール２
６へと差し掛かっており、他方端部側はベース基板２２
の端部側へと延長され図示しないコネクタを介して外部
機器へと接続されている。

【００２４】さらにベース基板２２の上表面には、当該
ベース基板２２の保持をなすためのガイド板３０が取り
付けられており、ベース基板２２を半導体装置２１に接
離させたり、あるいは前記接離の際に、前記ベース基板
２２にたわみが生じるのを防止するようにしている。

【００２５】スルーホール２６の内側には弾性体となる
導電ゴム部材３２が設けられている。当該導電ゴム部材
３２は、導電部材となる銀が混入されたゴム部材（例え
ばシリコンゴム等）からなり、配線層２８との間で導通
性を保つとともに、外力によって変形が可能になってい
る。

【００２６】また導電ゴム部材３２の表面には、バンプ
３４が形成されている。当該バンプ３４は、導電部材と
なる銀が混入されたペーストを固形化したものであり、
スルーホール２６の内部よりベース基板２２の下面側よ
り突出するだけの高さに設定されている。

【００２７】このような半導体検査装置２０を用いて半
導体ウェハ２５に複数形成された半導体装置２１に検査
を行う手順を説明する。図２は、半導体検査装置が取り
付けられた昇降可能なガイド板と、当該ガイド板の下方
に設置される半導体ウェハとの位置関係を示す状態図で
あり、図３は、半導体検査装置のバンプを半導体装置の
電極に接触させた際の要部拡大図である。これらの図に
示すように、半導体装置２１の検査を行う際には、まず
半導体ウェハ２５をガイド板３０の下方に設置されたＸ
Ｙテーブル（図示せず）に搭載する。そしてＸＹテーブ
ル上に半導体ウェハ２５を搭載させた後は、前記ＸＹテ
ーブルを動かし、検査対象となる半導体装置２１の電極
２４と、半導体検査装置２０のバンプ３４との位置合わ
せを行う。このように電極２４とバンプ３４の水平方向
の位置決めが終了した後は、ガイド板３０を稼働させ、
半導体検査装置２０を下降させる。

【００２８】ところで図３（１）に示すように、半導体
装置２１の電極２４は、当該電極２４の間で高さ方向に
ばらつきが生じる場合がある（図中寸法Ａを参照）。こ
のため半導体検査装置２０をそのまま下降させても、こ
れら高さ方向のばらつきによって電極２４とバンプ３４
とが接触しないおそれがあるが、同図（２）に示すよう
に、本半導体検査装置２０にはスルーホール２６の内部
に導電ゴム部材３２が設けられている。このため一定の
負荷で半導体検査装置２０を半導体ウェハ２５に押し付
けると、既に電極２４とバンプ３４とが密着している箇
所の導電ゴム部材３２が変形し、この変形によって未接
触の電極２４とバンプ３４とが接触する。このようにス
ルーホール２６の内部に導電ゴム部材３２を設け、当該
導電ゴム部材３２の変形によって電極２４およびバンプ
３４の高さ方向の段差を吸収するようにすれば、高さ方
向の異なる複数の電極２４が存在しても確実に両者の電
気的導通を図ることができる。そして高さ方向の吸収は
全て導電ゴム部材３２によって行われるので、バンプ３
４においては一定以上の硬度をもたせ、耐摩耗性を向上
させることが可能になる。このため半導体検査装置２０
の長寿命化を図ることが可能になる。

【００２９】なお半導体検査装置２０の半導体ウェハ２
５に対する押付力は、検査対象となる全ての電極２４に
対しバンプ３４が、前記電極２４の酸化膜を破るよう接
触し、半導体装置２１の電気的特性を検査するのに必要
な接触抵抗値が少なくとも得られるように設定すればよ
い。また半導体チップに負荷をかけるだけの場合は、所
望の負荷がかかる程度の接触抵抗であればあえて酸化膜
を破る必要はない（バンプの材料や接触状態によって接
触抵抗の値は変わるが、銀が配合された導電ペーストの
場合は１Ω以下である）。

【００３０】なお検査時における環境は、不良を検出し
易くする目的から高温（１００℃）の環境下で行われる
場合があるが、前述の通りベース基板２２は、半導体ウ
ェハ２５と同材料で構成されているので、熱膨張率が同
じになり電極２４間ピッチとバンプ３４間ピッチとが変
動することがない。このため常温や高温下の環境におい
ても電極２４とバンプ３４とは確実に接触することがで
き、電気的導通を図ることができる。

【００３１】このように電極２４とバンプ３４との電気
的導通を行った後は、前記バンプ３４に流れる電流の度
合いをコネクタを介した外部機器で検知して、規定範囲
外の電流値を示すようであれば、異常を示すバンプ３４
を含む半導体装置２１を不良品とみなして、外部機器側
にて記録させておけばよく、そして検査が終了した後
は、ガイド板３０を上昇させて、半導体ウェハ２５から
半導体検査装置２０を離反させるとともにＸＹステージ
を移動させ新たな半導体装置２１について検査を行うよ
うにしていけばよい。

【００３２】ここで上述した半導体検査装置２０の製造
方法を以下に説明する。図４は、本実施の形態に係る半
導体検査装置の製造過程を示した製造工程図である。同
図（１）に示すように、本実施の形態にかかる半導体検
査装置２０は、半導体ウェハ２５と同材質となる単結晶
シリコンからなるベース基板２２を基材としている。そ
してベース基板２２の片側表面にスルーホール２６を覆
うように配線層２８をＣＶＤやエッチング等を用いて形
成する。

【００３３】そしてベース基板２２の片側表面に配線層
２８を形成した後は、同図（２）に示すように前記ベー
ス基板２２における配線層２８の反対面側から、ペース
ト状の導電ゴム部材３２を非金属性からなるスキージ３
６（ベース基板２２への損傷防止）によってスルーホー
ル２６へと埋め込む。このようにスルーホール２６に導
電ゴム部材３２を埋め込んだ後、この導電ゴム部材３２
に加熱を行い、ペースト内から揮発成分を除去すれば、
導電ゴム部材３２は弾性を有した形態でスルーホール２
６内に保持される。なお導電ゴム部材３２と配線層２８
とは電気的導通が図られているのはいうまでもない。

【００３４】このようにスルーホール２６内に導電ゴム
部材３２を形成した後は、同図（３）に示すように、ス
ルーホール２６の位置に対応するマスク３８をベース基
板２２に取り付けるとともに、前記ベース基板２２の表
面から銀が混入された導電性ペースト４０をスキージ４
１によってマスク３８へと埋め込む。

【００３５】そしてマスク３８内に導電性ペースト４０
を埋め込んだ後は、前記マスク３８をベース基板２２よ
り離反させ、前記導電性ペースト４０を前記ベース基板
２２側に残留させるとともに、その後前記導電性ペース
ト４０を加熱し、揮発成分を除去する。このように導電
性ペースト４０への加熱を行うことで同図（４）に示す
ように当該導電性ペースト４０は硬化し、ベース基板２
２の表面から突出するバンプ３４となる。

【００３６】図５は、バンプを形成するための他の手段
を示す説明図である。図４では、バンプ３４の形成にス
キージ３６とマスク３８を用いることとしたが、同図
（１）においては、スキージ３６およびマスク３８の代
わりにディスペンサ４２を用いて、導電性ペースト４０
を導電ゴム部材３２の表面に盛るようにした。このよう
にディスペンサ４２による導電性ペースト４０の供給に
てバンプ３４を形成すれば、スルーホール２６の位置が
変更になってもディスペンサ４２の位置を変更するだけ
で容易に対処することができる。

【００３７】また同図（２）においては、スキージ３６
およびマスク３８の代わりに金属片となる金属球４４を
用いた例である。このように金属球４４を用いれば、耐
摩耗性に一層優れたバンプ３４を形成することが可能に
なる。

【００３８】さらに同図（３）に示すようにスキージ３
６およびマスク３８の代わりに、ベース基板２２をメッ
キ層４６の中に浸漬させ、電荷を加えることで、バンプ
３４をメッキによるメタルバンプ４８によって形成する
ようにしてもよい。このようにメッキによるメタルバン
プ４８によってバンプ３４を形成すれば、種々の金属を
バンプ３４として形成することが可能になるとともに、
浸漬時間の管理により、メッキによるメタルバンプ４８
の厚み（すなわちバンプ３４の高さ）を正確に設定する
ことができる。

【００３９】ところで本実施の形態では、弾性体として
導電ゴム部材３２を用いるようにしたが、この形態に限
定されることもなく、他の部材を適用し、これを弾性体
としてもよい。

【００４０】図６は、弾性体にメタル線を用いた他の形
態を示す説明図である。同図に示すようにメタル線とな
るタングステンワイヤ５０をＶ字状に屈曲させ、これを
スルーホール２６内に固定させる。そしてタングステン
ワイヤ５０の一端側を配線層２８に固定し、他方側をス
ルーホール２６の開口側に向ければ、タングステンワイ
ヤ５０の端部と配線層２８との電気的導通を図ることが
可能になるとともに、タングステンワイヤ５０の屈曲に
よって弾性を得ることができる。またタングステンワイ
ヤ５０の形状はＶ字状に限定されることもなく、例えば
Ｕ字やＳ字、あるいはスパイラル形状に代表されるよう
に他の形態であってもよい。

【００４１】図７は、弾性体にメタル線を用いた半導体
検査装置の製造工程を示す説明図である。なお同半導体
検査装置は、弾性体に導電ゴム部材を用いた検査装置と
弾性体だけが異なっているので、同一の部材については
同一の番号を付与し、その説明を行うものとする。

【００４２】同図（１）に示すように、スルーホール２
６内にタングステンワイヤ５０を設置した後は、ベース
基板２２の表面にマスク３８をかぶせ、当該マスク３８
の表面から銀が混入された導電性ペースト４０をスキー
ジ４２によってマスク３８へと埋め込む。

【００４３】そしてマスク３８内に導電性ペースト４０
を埋め込んだ後は、前記マスク３８をベース基板２２よ
り離反させ、前記導電性ペースト４０を前記ベース基板
２２側に残留させるとともに、その後前記導電性ペース
ト４０を加熱し、揮発成分を除去する。このように導電
性ペースト４０への加熱を行うことで同図（２）に示す
ように当該導電性ペースト４０は硬化し、タングステン
ワイヤ５０の先端にベース基板２２の表面から突出する
バンプ３４を形成することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体装置の表面に形成された電極にバンプを接触させ、
前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製
造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベ
ース基板にスルーホールと、前記ベース基板の上層側に
検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホ
ール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾
性体に前記ベース基板の下層側より突出するよう前記バ
ンプを形成したり、半導体装置の表面に形成された電極
に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検
査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルー
ホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内
に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に接
続され前記スルーホールの開口部より突出するバンプ
と、当該バンプが突出する反対側の前記ベース基板の表
面に形成され前記弾性体に検査用信号の伝達をなす配線
層を有したことから、検査用の電極が増加しても容易に
対応することができ、さらに製作も容易におこなうこと
ができる。

【００４５】またバンプと弾性体を一対の組み合わせと
したので、隣接する電極の高さ方向のばらつきが大きく
なっても、このばらつきに左右されず個々の弾性体で高
さ方向のばらつきを吸収することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造
図である。

【図２】半導体検査装置が取り付けられた昇降可能なガ
イド板と、当該ガイド板の下方に設置される半導体ウェ
ハとの位置関係を示す状態図である。

【図３】半導体検査装置のバンプを半導体装置の電極に
接触させた際の要部拡大図である。

【図４】本実施の形態に係る半導体検査装置の製造過程
を示した製造工程図である。

【図５】バンプを形成するための他の手段を示す説明図
である。

【図６】弾性体にメタル線を用いた他の形態を示す説明
図である。

【図７】弾性体にメタル線を用いた半導体検査装置の製
造工程を示す説明図である。

【図８】従来における第１の半導体検査装置の構造を示
す説明図である。

【図９】従来における第２の半導体検査装置の構造を示
す断面図である。

【図１０】従来における第３の半導体検査装置の接触子
の外観を示す説明図である。

【符号の説明】

１………半導体検査装置 ２………ホルダ ３………コンタクトピン ４………半導体装置 ５………電極 ６………半導体検査装置 ７………ベース基板 ８………配線層 ９………異方性導電性ゴム １０………検査用バンプ １１………絶縁フィルム １２………半導体検査装置 １３………曲げ部 １４………接触子 １５………半導体装置 １６………電極 ２０………半導体検査装置 ２１………半導体装置 ２２………ベース基板 ２４………電極 ２５………半導体ウェハ ２６………スルーホール ２８………配線層 ３０………ガイド板 ３２………導電ゴム部材 ３４………バンプ ３６………スキージ ３８………マスク ４０………導電性ペースト ４１………スキージ ４２………ディスペンサ ４４………金属球 ４６………メッキ層 ４８………メッキによるメタルバンプ ５０………タングステンワイヤ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置の表面に形成された電極にバ
   ンプを接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半
   導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への
   押し付けをなすベース基板にスルーホールと、前記ベー
   ス基板の上層側に検査用信号の伝達をなす配線層を形成
   し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形
   成した後、この弾性体に前記ベース基板の下層側より突
   出するよう前記バンプを形成したことを特徴とする半導
   体検査装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記スルーホール内にスキージによって
   導電ゴム部材を充填させた後、前記導電ゴム部材を硬化
   させ、これを前記弾性体としたことを特徴とする請求項
   １に記載の半導体検査装置の製造方法。
3. 【請求項３】 バネ部材の曲げ加工によって前記弾性体
   を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体検
   査装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記弾性体の表面にスキージによって導
   電ペーストを付着させた後、当該導電ペーストを硬化さ
   せ、これを前記バンプとしたことを特徴とする請求項１
   に記載の半導体検査装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記弾性体の表面にディスペンサによっ
   て導電ペーストを付着させた後、当該導電ペーストを硬
   化させ、これを前記バンプとしたことを特徴とする請求
   項１に記載の半導体検査装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記弾性体の表面に導電性接着剤を介し
   て金属片を搭載し、これを前記バンプとしたことを特徴
   とする請求項１に記載の半導体検査装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記弾性体をメッキ液に浸漬させ、前記
   弾性体の表面に形成されるメッキ層を前記バンプとした
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置の製
   造方法。
8. 【請求項８】 半導体装置の表面に形成された電極に接
   触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装
   置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホー
   ルが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充
   填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に接続さ
   れ前記スルーホールの開口部より突出するバンプと、当
   該バンプが突出する反対側の前記ベース基板の表面に形
   成され前記弾性体に検査用信号の伝達をなす配線層を有
   したことを特徴とする半導体検査装置。
9. 【請求項９】 前記弾性体は、前記弾性体は、導電ゴム
   部材からなることを特徴とする請求項８に記載の半導体
   検査装置。
10. 【請求項１０】 前記弾性体は、バネ部材からなること
    を特徴とする請求項８に記載の半導体検査装置。