JP2001083209A

JP2001083209A - 半導体装置接続装置、半導体装置検査装置および検査方法

Info

Publication number: JP2001083209A
Application number: JP26047899A
Authority: JP
Inventors: Terukazu Kokubo; 輝一小久保
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1999-09-14
Filing date: 1999-09-14
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置に対する押圧荷重が小さい場合に
も、半導体装置の突起電極と、異方導電性シートの導電
部との安定した電気的接続が実現され、大きな耐久性を
有する半導体装置接続装置、半導体装置検査装置および
検査方法の提供。【解決手段】本発明の半導体装置接続装置は、突起電
極を有する半導体装置のための電気的接続装置であっ
て、前記突起電極を受けるよう表面に開口する貫通孔を
有する位置決め基板と、この位置決め基板の裏面におい
て前記貫通孔の開口を塞ぐよう一体に設けられた導電性
接続部と、この導電性接続部に対応した位置に導電路形
成部が位置するよう配置された異方導電性シートとによ
り構成されており、前記位置決め基板には、導電性接続
部を支持する接続部支持部が当該位置決め基板の厚さ方
向に変位可能な状態で形成されていることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置接続装
置、半導体装置検査装置および検査方法に関し、更に詳
しくは、例えばＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａ
ｙ）などの電極がバンプ形状を有する半導体装置の電気
的性能を検査する際に、柔軟性を有する基板を介在させ
ることにより、半導体装置の突起電極の位置を異方導電
性シートの導電路形成部へ高精度に位置合わせをするこ
とができ、並びに半導体装置の突起電極の変形を低減す
ることのできる半導体装置接続装置、半導体装置検査装
置および検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、機器の小型化、高性能化に伴
い、半導体装置の電極数は増加し、その電極間のピッチ
も微細化する傾向にある。また、例えばＢＧＡなどのよ
うに一方の面にバンプ形状の電極が形成されたパッケー
ジＬＳＩは、機器に実装する上において、その占有面積
を小さくできることからその重要性が高まってきてお
り、これら半導体装置の電気的動作検査などにおいて、
正確かつ確実な電気的接続が必要になってきている。

【０００３】この種の半導体装置の電気的動作検査を検
査針を用いて行う場合には、突起電極に検査装置の検査
針を接触させるため、突起電極をできるだけ変質させず
に各突起電極の電気的動作検査を行わなければならない
がこれを実行することが困難であり、更に検査の信頼性
が低く、かつ、コストが高いという問題がある。

【０００４】このような半導体装置の電気的動作検査に
用いられる半導体装置接続装置としては、例えば半導体
用テストソケットを使用したものがある。この半導体用
テストソケットは、プローブ（検査針）を用いて半導体
装置の電気的動作を検査する構成となっている。この半
導体用テストソケットによる検査方法は、半導体装置の
例えば下面に形成された複数の突起電極に対応するよう
検査用基板に複数のプローブを配設しておき、このプロ
ーブの先端を直接突起電極に接触させることにより検査
を行うものである。

【０００５】この半導体用テストソケットは、半導体装
置の複数の突起電極と同一の配列で設けられた複数のプ
ローブを有し、このプローブにはＵ字状に曲げられた撓
み部分が設けられている。そして、プローブの先端が半
導体装置の突起電極に当接して押圧されたときには、当
該撓み部分が変形することにより、突起電極に対する損
傷を軽減するようになっている。

【０００６】しかしながら、上記の半導体装置の電気的
検査方法においては、突起電極の高さが不均一でバラツ
キがあるためにプローブの先端との接続が十分でない場
合が発生し、その結果、検査精度が低下するおそれがあ
るという問題があった。また、プローブにはＵ字状に曲
げられた撓み部分が設けられているものの、プローブの
先端が突起電極に当接したとき、ハンダ合金により形成
されている突起電極を変形させてしまうおそれがある。

【０００７】このような問題を解決することを目的とし
て、プローブの代わりに異方導電性シートを使用する方
法がある。異方導電性シートは、厚さ方向にのみ導電路
が形成されるもの、厚さ方向に加圧されて圧縮されたと
きに厚さ方向にのみ導電路が形成される加圧導電路形成
部を有するものなど、種々の構造のものがあり、例えば
特公昭５６−４８９５１号公報、特開昭５１−９３３９
３号公報、特開昭５３−１４７７７２号公報、特開昭５
４−１４６８７３号公報などにより知られている。この
ような異方導電性シートは、回路基板などの電気的動作
検査の際に電極を傷つけることがなく、確実な電気的接
続を達成できる点で有用であり、実用化されている。

【０００８】しかしながら、異方導電性シートを用いて
微細な電極ピッチを有する半導体装置の電気的動作検査
を行う場合には、その半導体装置の微細かつ高密度な突
起電極と、異方導電性シートの導電路形成部との位置合
わせが重要であるが、突起電極間のピッチが微細かつ高
密度になるほどその重要性が大きくなる。また、半導体
装置の突起電極が微細になるほど、検査工程での押圧に
よる電極の変形が著しくなる傾向にあり、例えば、ハン
ダ合金よりなる粒径の小さい球状の突起電極を有する半
導体装置に対してバーンイン試験などの高温下での試験
を行った場合には、当該突起電極が変形してしまい、そ
の結果、試験後の実装工程に影響を与える場合があると
いう問題がある。更に、半導体装置の製造時に生ずる外
形の微妙な寸法のバラツキ、反りまたは電極位置のずれ
などにより、半導体装置の突起電極と異方導電性シート
の導電路形成部との電気的接続が十分に確保できるよう
に確実な位置合わせを行うことは容易ではない。

【０００９】以上のような問題を解決するために、図１
６に示す構成の半導体装置接続装置が提案されている。
なお、同図においては、説明の便宜上、位置決め基板８
０と、異方導電性シート１００とが離間した状態で示さ
れている。この例の半導体装置接続装置においては、後
述するように、半導体装置１１０の突起電極１１０ａを
受容するための貫通孔８１を有する位置決め基板８０
と、この位置決め基板８０の貫通孔８１の下方側開口を
塞ぐよう一体的に設けられた導電性接続部９０と、この
導電性接続部９０に対応した位置に導電路形成部１０１
が位置するよう配置された異方導電性シート１００とに
より構成されている。

【００１０】位置決め基板８０においては、半導体装置
１１０の突起電極１１０ａの各々の位置に対応して、例
えば突起電極１１０ａの最大径より大きい円柱状の貫通
孔８１が格子状に配列した状態で形成されている。

【００１１】導電性接続部９０は、例えば金属板により
形成された平板状のものであって、その形態が変形でき
るよう特定の位置にスリット９１が形成された構造であ
る。

【００１２】異方導電性シート１００は、当該異方導電
性シート１００の厚さ方向に伸びる複数の導電路形成部
１０１と、これらの導電路形成部１０１を相互に絶縁す
る絶縁部１０２とよりなり、導電路形成部１０１の各々
は、当該異方導電性シート１００の面方向において、各
導電性接続部９０の位置（位置決め基板８０の各貫通孔
８１に対応する位置）に従って配置されている。

【００１３】このような半導体装置接続装置によれば、
突起電極１１０ａの各々が位置決め基板８０の対応する
各貫通孔８１に挿入された状態とすることにより、半導
体装置１１０の突起電極１１０ａの各々を異方導電性シ
ート１００の導電路形成部１０１に対して正確に位置合
わせをすることができ、また、導電性接続部９０にスリ
ット９１が形成されていることにより、半導体装置１１
０が装着された状態において、導電性接続部９０が突起
電極１１０ａの外形に沿って変形するので、突起電極１
１０ａの高さバラツキを有効に吸収することができる。

【００１４】しかしながら、上記の半導体装置接続装置
においては、半導体装置１１０の突起電極１１０ａと異
方導電性シート１００の導電路形成部１０１とが確実に
電気的に接続された状態とするためには、半導体装置１
１０に大きな荷重をかけて押圧しなければならず、突起
電極１１０ａに大きな力が作用するために当該突起電極
１１０ａが損傷または変形してしまい、結果として、高
い耐久性が得られないという問題がある。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであり、その目的は、半
導体装置に対する押圧荷重が小さい場合にも、半導体装
置の突起電極と、異方導電性シートの導電路形成部との
安定した電気的接続が実現され、高い耐久性を有する半
導体装置接続装置を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、突起電極を有する半導体装置を検査対象
として、その電気的動作検査を、高い信頼性をもって容
易に実施することができる半導体装置検査装置を提供す
ることにある。更に、本発明の他の目的は、突起電極を
有する半導体装置を検査対象として、その電気的動作検
査を、高い信頼性をもって容易に実施することができる
検査方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置接続
装置は、突起電極を有する半導体装置のための電気的接
続装置であって、前記突起電極を受けるよう表面に開口
する貫通孔を有する位置決め基板と、この位置決め基板
の裏面において前記貫通孔の開口を塞ぐよう一体に設け
られた導電性接続部と、この導電性接続部に対応した位
置に導電路形成部が位置するよう配置された異方導電性
シートとにより構成されており、前記位置決め基板に
は、導電性接続部を支持する接続部支持部が当該位置決
め基板の厚さ方向に変位可能な状態で形成されているこ
とを特徴とする。

【００１７】本発明の半導体装置接続装置において、接
続部支持部は、位置決め基板において、その貫通孔を包
囲する部分の周囲にスリットが形成されてなる接続部支
持片よりなることが好ましい。

【００１８】本発明の半導体装置接続装置においては、
異方導電性シートが、位置決め基板に一体に設けられて
いることが好ましい。

【００１９】また、本発明の半導体装置接続装置におい
ては、導電性接続部が金属板よりなることが好ましい。

【００２０】本発明の半導体装置検査装置は、突起電極
を有する半導体装置を検査対象として、その電気的動作
検査を行う半導体装置検査装置であって、当該半導体装
置検査装置は、上記の半導体装置接続装置を備えてなる
ことを特徴とする。

【００２１】本発明の検査方法は、突起電極を有する半
導体装置を検査対象として、その電気的動作検査を行う
検査方法であって、当該検査方法は、上記の半導体装置
検査装置を用いて行うことを特徴とする。

【００２２】

【作用】本発明の半導体装置接続装置によれば、位置決
め基板に形成された、導電性接続部を支持する接続部支
持部が当該位置決め基板の厚さ方向に変位可能なので、
導電性接続部を介して半導体装置の突起電極を異方導電
性シートの導電路形成部に押圧して電気的接続を行う場
合において、突起電極の高さバラツキを有効に吸収する
ことができると共に、押圧荷重が小さい場合にも突起電
極と導電路形成部との安定した電気的接続を実現するこ
とができ、これにより、突起電極と導電路形成部との接
触安定性が十分に高くなり、突起電極の損傷、つぶれま
たは変形などを防ぐことができ、高い耐久性が得られ
る。

【００２３】本発明の半導体装置接続装置においては、
導電性接続部が金属板より形成されることにより、突起
電極と導電路形成部との電気的接続を押圧して行うとき
に、異方導電性シートの導電路形成部の例えば歪みなど
の異常変形の発生を防止することができる。

【００２４】本発明の半導体装置検査装置によれば、上
記の半導体装置接続装置を備えてなるので、検査対象で
ある半導体装置の電気的動作検査を、高い信頼性をもっ
て容易に実施することができる。

【００２５】本発明の検査方法によれば、上記の半導体
装置検査装置を用いて行われるので、検査対象である突
起電極を有する半導体装置の電気的動作検査を、高い信
頼性をもって容易に実施することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の半導体装置接続装置は、突起電極を有す
る半導体装置の電気的接続を達成するためのものであ
る。ここに、対象となる接続されるべき半導体装置は、
例えば、フリップチップなどのベアチップＬＳＩ、ＢＧ
ＡなどのパッケージＬＳＩまたは複数のマルチチップモ
ジュール（ＭＣＭ）などが搭載されたモジュール基板若
しくは回路基板などである。また、半導体装置の例えば
下面から突出した突起電極の形状は、特に限定されるも
のではないが、例えばボール形状、円柱形状または角柱
形状のものが好ましく、特にボール形状のものが好まし
い。

【００２７】図１は、本発明の半導体装置接続装置を備
えてなる検査装置の各構成部材を離間した状態で示した
説明用断面図であり、図２は、図１の検査装置の押圧し
た状態を示した説明用断面図である。この例において
は、半導体装置としてパッケージＬＳＩ１を検査対象と
しており、当該パッケージＬＳＩ１には、その下面より
突出するよう格子状に配列された複数の半球形状の例え
ばハンダ合金よりなる突起電極（以下、「球状接続端
子」という。）１ａが設けられている。また、これらの
図において、１０は半導体装置接続装置であり、５０は
半導体装置接続装置１０を備えてなる検査装置である。

【００２８】半導体装置接続装置１０は、後述するよう
に、パッケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａの各々の位
置に対応して形成された、当該球状接続端子１ａを上方
側開口より受容する貫通孔２１を有する位置決め基板２
０と、この位置決め基板２０に一体的に形成され、貫通
孔２１の下方側開口を塞ぐ導電性接続部３０と、この導
電性接続部３０に対応した位置に導電路形成部４１が位
置するよう配置された異方導電性シート４０とにより構
成されている。

【００２９】また、検査装置５０は、上記の半導体装置
接続装置１０と、パッケージＬＳＩ１の上方に配置され
た、当該パッケージＬＳＩ１を下方に押圧するための加
圧板５１と、異方導電性シート４０の導電路形成部４１
と電気的に接続される配線基板５２と、当該配線基板５
２に電気的に接続された検査電極を有する検査装置（図
示せず）とにより構成されている。

【００３０】図３は、上記の位置決め基板２０の一部を
示す平面図であり、図４は、図３におけるＡ−Ａ断面図
である。なお、図４では、説明の便宜上、導電性接続部
３０と異方導電性シート４０とが離間した状態で示され
ているが、実際に、位置決め基板２０と異方導電性シー
ト４０とは後述する接合剤などによって接合されてい
る。位置決め基板２０においては、パッケージＬＳＩ１
の球状接続端子１ａの各々の位置に対応して貫通孔２１
が縦横に並んで格子状に配列された状態で形成されてい
る。そして、各々の貫通孔２１を包囲する周辺部分の周
囲において、当該貫通孔２１の横方向の両側方と、縦方
向の上方および下方の一方とに全体としてコ字状に伸び
るスリット２２ａが形成されると共に、縦方向の上方お
よび下方の他方に隣接する貫通孔２１との間に直線状の
スリット２２ｂが形成されており、これにより、接続部
支持部、すなわち舌片状の接続部支持片２３が形成され
ている。ここに、接続部支持片２３は、後述するよう
に、位置決め基板２０の厚さ方向に変位することができ
ればよく、その形状は特に限定されるものではない。直
線状のスリット２２ｂは、接続部支持片２３の変位に対
する抵抗を減ずるものである、必須のものではない。ま
た、この位置決め基板２０の４隅には、位置決めピン６
（図１参照）が貫通するためのガイド用貫通孔２４が形
成されている。

【００３１】貫通孔２１の形状は、特に限定されるもの
ではないが、球状接続端子１ａを受容することができる
点で、例えば円柱状のものであることが好ましい。また
この例においては、貫通孔２１の径は、球状接続端子１
ａの最大径よりも大きいものとされ、球状接続端子１ａ
の最大径の例えば１．０５〜２倍、好ましくは１．１〜
１．６倍、更に好ましくは１．２〜１．４倍となる大き
さとされる。

【００３２】位置決め基板２０の材質は、柔軟性を有す
る基板を形成することができる電気絶縁性のものであれ
ばよく、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの
熱硬化性樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリ
ブチレンテレフタレート樹脂などのポリエステル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニト
リル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ア
クリル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリフェニレンエー
テル、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、ポリ
オキシメチレンなどの熱可塑性樹脂、ポリブタジエンゴ
ム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジ
エン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重
合体ゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体ゴ
ム、およびこれら共役ジエン系重合体の水素添加物、シ
リコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、ウ
レタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレンゴム、
エピクロルヒドリンゴムなどのゴム若しくはエラストマ
ーなどが用いられる。これらの中では、耐熱性および寸
法安定性の点で熱硬化性樹脂が好ましく、特にポリイミ
ド樹脂が好ましい。また、機械的圧力や変形などの対応
の点でゴム若しくはエラストマーが好ましい。更に、こ
れらの効果を優位に得られる点で、熱硬化性樹脂と、ゴ
ム若しくはエラストマーとの積層体が好ましく、特にポ
リイミド樹脂とシリコーンゴムとの積層体が好ましい。
かかる積層体とする場合、熱硬化性樹脂層の厚さは、例
えば２０〜３００μｍであり、好ましくは３０〜２００
μｍ、更に好ましくは５０〜１５０μｍである。

【００３３】また、位置決め基板２０の熱膨張係数は、
パッケージＬＳＩ１の基板の熱膨張係数と同等か若しく
はそれに近いものが好ましく、具体的には１×１０^-5〜
５×１０^-5／℃であることが好ましく、更に１．５×１
０^-5〜３×１０^-5／℃であることが好ましい。

【００３４】位置決め基板２０は、透明なものであって
も不透明なものであってもよいが、パッケージＬＳＩ１
の球状接続端子１ａを貫通孔２１に挿入する際に目視で
確認できる点で、透明なものであることが好ましい。

【００３５】位置決め基板２０の厚さは、実際の球状接
続端子１ａの突出高さより小さい範囲で設定されるもの
であり、この位置決め基板２０の厚さと球状接続端子１
ａの突出高さとの比（位置決め基板２０の厚さ／球状接
続端子１ａの突出高さ）が、例えば０．２〜０．９８、
好ましくは０．３〜０．９５、更に好ましくは０．５〜
０．９とされ、これにより、当該位置決め基板２０の具
体的な厚さは、例えば０．０１〜３ｍｍ、好ましくは
０．０５〜２ｍｍ、更に好ましくは０．１〜１ｍｍであ
る。

【００３６】導電性接続部３０は、位置決め基板２０に
形成された貫通孔２１の下方側開口を塞ぐよう、接続部
支持片２３の下面に一体的に形成されている。

【００３７】導電性接続部３０の材料は、導電性であれ
ば特に制限はなく、各種金属、導電性無機材料、導電性
有機材料が使用される。中でも好ましいのは、金属であ
り、銅、金、銀、パラジウム、ロジウム、ニッケル、
鉄、ＳＵＳ、アルミニウム、コバルト、錫、亜鉛、鉛あ
るいはこれらの積層体若しくはこれらを含む合金などが
挙げられる。これらの中では、銅、金、銀、パラジウ
ム、ロジウム、ニッケル、鉄あるいはこれらの積層体若
しくはこれらを含む合金などが好ましいものとして挙げ
られ、特に銅や金の積層体若しくはこれらを含む合金な
どが好ましいものとして挙げられる。

【００３８】この導電性接続部３０は、例えば、図５
（イ）に示されるように、平面形状が正方形の平板状の
ものであるが、これに限定されず、図５（ロ）に示され
るような平面形状が円形の平板状のものであってもよ
い。また、導電性接続部３０は、特に電気的導通を得る
ために加圧されたときの圧力に耐えるよう球状接続端子
１ａの材料よりも剛体であることが好ましい。

【００３９】導電性接続部３０の厚さは、例えば０．１
〜１０００μｍであり、好ましくは１〜５００μｍであ
り、更に好ましくは１０〜２００μｍである。

【００４０】異方導電性シート４０は、全体が厚さ方向
に電気的に導通性のものでもよいし、部分的に厚さ方向
に電気的に導通性のものでもよいが、好ましくは、厚さ
方向に伸びる複数の導電路形成部４１と、これらの導電
路形成部４１を相互に絶縁する絶縁部４２とよりなり、
導電路形成部４１の各々は、当該異方導電性シート４０
の面方向において、各導電性接続部３０の位置（位置決
め基板２０の各貫通孔２１に対応する位置）に従って配
置されているものである。また、この例においては、異
方導電性シート４０の４隅に置いて、位置決めピン６が
貫通するためのガイド用貫通孔４３（図１参照）が形成
されている。

【００４１】異方導電性シート４０における導電路形成
部４１は、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子が含
有されて構成され、好ましくは弾性高分子物質中に導電
性粒子が厚さ方向に並んだ状態で配向されて構成されて
いる。従って、異方導電性シート４０は、その厚さ方向
に電気的に導通していることが好ましく、特に、弾性高
分子物質で構成された絶縁部４２中に導電性粒子が当該
シートの厚さ方向に並んだ状態で配向されて複数の導電
路形成部４１が形成され、厚さ方向に電気的に導通して
いることが好ましい。また、この導電路形成部４１は、
厚さ方向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少し
て導電路が形成される、加圧導電路形成部とすることも
できる。

【００４２】また、異方導電性シート４０において、導
電路形成部４１は、図示のように、その上面および下面
が絶縁部４２の上面および下面より僅かに突出した状態
に形成されていることが好ましいが、これに限定される
ものではない。

【００４３】異方導電性シート４０の導電路形成部４１
を構成する導電性粒子としては、例えばニッケル、鉄、
コバルトなどの磁性を示す金属粒子若しくはこれらの合
金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこ
れらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、
パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッ
キを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラ
スビーズなどの無機質粒子またはポリマー粒子を芯粒子
とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの
導電性磁性体のメッキを施したものなどが挙げられる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面
に金や銀などの導電性の良好な金属のメッキを施したも
のを用いることが好ましい。

【００４４】異方導電性シート４０の絶縁部４２を構成
する絶縁性で弾性を有する高分子物質としては、架橋構
造を有する高分子物質が好ましい。架橋構造を有する高
分子物質を得るために用いることのできる高分子物質用
材料としては、種々のものを用いることができ、その具
体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイ
ソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、ア
クリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジ
エン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体ゴムなどのブロック共重合体ゴ
ムおよびこれらの水素添加物、シリコーンゴム、エチレ
ン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエス
テル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴ
ムなどが挙げられる。以上において、成形加工性および
電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好
ましい。

【００４５】以上のような半導体装置接続装置１０を得
るためには、位置決め基板２０、導電性接続部３０およ
び異方導電性シート４０の各構成部材を別々に製造して
その各々の構成部材を組み合わせてもよいが、各構成部
材の位置合わせを正確にかつ容易に行うことができる点
で、各々の構成部材を一体化させて製造することが好ま
しい。

【００４６】以下に、半導体装置接続装置１０の好まし
い製造方法の一例について説明する。図８に示すよう
に、例えばポリイミドなどからなる絶縁性層２０ａの一
面に銅箔などの金属層２０ｂを積層した積層体に対し、
例えば数値制御方式によるドリル穴あけ装置若しくはレ
ーザー加工装置などにより、図９に示すように、絶縁層
２０ａに複数の孔２１ａを形成する。なお、上記工程に
よらずに、予め孔を形成した絶縁層を用意し、この絶縁
層に金属層を積層して上記の積層体を得ることもでき
る。また、貫通孔を有する積層体は、多数のピンを有す
る金型を用いて成形することによっても得ることができ
る。

【００４７】次に、図１０に示すように、孔２１ａを有
する積層体の金属層２０ｂの表面にレジスト層３０ａを
設け、当該レジスト層３０ａをパターン現像処理して、
絶縁層２０ａの孔２１ａよりやや大きいレジスト開口部
分３０ｂを形成する。当該レジスト開口部分３０ｂの大
きさは、絶縁層２０ａの孔２１ａの径より例えば２０〜
１０００μｍ程度大きいことが好ましく、更に３０〜５
００μｍ程度大きいことが好ましく、特に４０〜２００
μｍ程度大きいことが好ましい。

【００４８】図１１に示すように、この積層体の金属層
２０ｂをコモン電極として、上記レジスト開口部分３０
ｂに、メッキ層３０ｃを形成する。当該メッキ層３０ｃ
を形成する金属としては、銅、ニッケル、金または銀な
どが好ましい例として挙げられ、更に好ましい例として
銅、ニッケルまたは金が挙げられる。実用的には、金属
層２０ｂとして銅を用いた場合には、メッキでニッケル
層を形成した上に、更にメッキで金の層を形成したもの
が好ましい。

【００４９】そして、レジスト層３０ａを除去すること
により、図１２に示すように、導電性接続部３０が一体
的に形成された積層体が得られる。得られた積層体にお
いて、舌片状の接続部支持片２３が形成されるように、
スリット２２ａおよび２２ｂを形成することにより、図
４に示すような、導電性接続部３０が一体的に形成され
た位置決め基板２０が得られる。

【００５０】次に、異方導電性シート４０の好ましい製
造方法について説明する。先ず、硬化されて弾性高分子
物質となる高分子物質用材料中に、導電性粒子を分散さ
せることにより、シート形成材料を調製する。

【００５１】シート形成材料中には、高分子物質用材料
を硬化させるための硬化触媒を含有させることができ
る。このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪
酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることが
できる。硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体
例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベ
ンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチ
ルなどが挙げられる。硬化触媒として用いられる脂肪酸
アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニト
リルなどが挙げられる。ヒドロシリル化反応の触媒とし
て使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸および
その塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレック
ス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金
と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコン
プレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファ
イトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白
金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなど
の公知のものが挙げられる。硬化触媒の使用量は、高分
子物質用材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処
理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質
用材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。

【００５２】次いで、図１３に示すように、このシート
形成材料を金型６０内において処理することにより、シ
ート形成材料層４０Ａが形成される。この金型６０にお
いては、一方の型板６１と他方の型板６２とが平行に対
向して配置されており、これら一方の型板６１の上面お
よび他方の型板６２の下面に電磁石６３および６４が配
置されており、また一方の型板６１および他方の型板６
２の間には、目的とする異方導電性シート４０の厚みと
同等の厚みを有する枠状の板状スペーサ６５が設けられ
ている。そして、一方の型板６１においては、強磁性体
よりなる板状の基材６１ａの下面に、目的とする導電路
形成部４１の配置パターンに対掌なパターンに従って強
磁性体部分Ｍが形成され、この強磁性体部分Ｍ以外の部
分には非磁性体部分Ｎが形成されている。また、他方の
型板６２においては、強磁性体よりなる板状の基材６２
ａの上面に、目的とする導電路形成部４１の配置パター
ンと同一のパターンに従って強磁性体部分Ｍが形成さ
れ、この強磁性体部分Ｍ以外の部分には非磁性体部分Ｎ
が形成されている。

【００５３】一方の型板６１および他方の型板６２の各
々における強磁性体部分Ｍを構成する材料としては、
鉄、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などを用い
ることができる。また、一方の型板６１および他方の型
板６２の各々における非磁性体部分Ｎを構成する材料と
しては、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性
樹脂などを用いることができる。

【００５４】そして、電磁石６３および６４を作動させ
ることにより、一方の型板６１の強磁性体部分Ｍからこ
れに対応する他方の型板６２の強磁性体部分Ｍに向かう
方向に平行磁場が作用する。その結果、シート形成材料
層４０Ａにおいては、当該シート形成材料層４０Ａ中に
分散されていた導電性磁性体粒子が、一方の型板６１の
強磁性体部分Ｍとこれに対応する他方の型板６２の強磁
性体部分Ｍとの間に位置する部分に集合し、更に好まし
くは当該シート形成材料層４０Ａの厚さ方向に配向す
る。そして、この状態において、シート形成材料層４０
Ａを硬化処理することにより、図１４に示すように、一
方の型板６１の強磁性体部分Ｍとこれに対応する他方の
型板６２の強磁性体部分Ｍとの間に、導電性磁性体粒子
が密に充填された導電路形成部４１が形成され、その周
囲に導電性磁性体粒子が全くあるいは殆ど存在しない絶
縁部４２が形成されて異方導電性シート４０が形成され
る。

【００５５】以上において、シート形成材料層４０Ａの
硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこ
ともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこ
ともできる。シート形成材料層４０Ａに作用される平行
磁場の強度は、平均で２００〜１００００ガウスとなる
大きさが好ましい。また、平行磁場を作用させる手段と
しては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもでき
る。このような永久磁石としては、上記の範囲の平行磁
場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好まし
い。

【００５６】シート形成材料層４０Ａの硬化処理は、使
用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処
理によって行われる。加熱によりシート形成材料層４０
Ａの硬化処理を行う場合には、電磁石６３および６４に
ヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱
時間は、シート形成材料層４０Ａを構成する高分子物質
用材料などの種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時
間などを考慮して適宜選定される。

【００５７】以上のようにして、導電性接続部３０が一
体的に形成された位置決め基板２０と、異方導電性シー
ト４０とをそれぞれ成形した後に、両者の接合する面に
例えばシランカップリング剤などの接合剤を塗布し加熱
することにより、半導体装置接続装置１０が得られる。

【００５８】半導体装置接続装置１０は、以下のように
して、パッケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａを検査装
置の検査電極に電気的に接続することができる。図２に
示すように、パッケージＬＳＩ１を位置決め基板２０上
に載置し、当該パッケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａ
が位置決め基板２０の貫通孔２１に挿入された状態と
し、この状態で加圧板５１を押圧することにより、導電
性接続部３０が異方導電性シートの導電路形成部４１と
接続されるので、球状接続端子１ａと導電路形成部４１
とが電気的に接続され、その結果、当該球状接続端子１
ａが検査電極に電気的に接続される。そして、球状接続
端子１ａが検査電極に電気的に接続されることにより、
パッケージＬＳＩ１の電気的動作検査を実施することが
できる。また、球状接続端子１ａの各々を位置決め基板
２０の対応する各貫通孔２１に挿入することにより、パ
ッケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａを異方導電性シー
ト４０の導電路形成部４１に対して正確に位置合わせを
することができる。

【００５９】以上のような半導体装置接続装置１０にお
いては、位置決め基板２０においてスリット２２ａおよ
び２２ｂが形成されているので、当該スリット２２ａお
よび２２ｂにより舌片状に独立している接続部支持片２
３が、導電性接続部３０と一緒に、当該位置決め基板２
０の厚さ方向に大きな自由度と許容変位量で変位するこ
とができる。その結果、パッケージＬＳＩ１に対する押
圧荷重が小さい場合にも、導電性接続部３０は、異方導
電性シート４０の導電路形成部４１に容易に接続するこ
とができる。また、接続部支持片２３が導電性接続部３
０と一緒に位置決め基板２０の厚さ方向に変位できるこ
とにより、パッケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａの高
さバラツキを有効に吸収することができる。

【００６０】以上のような半導体装置接続装置１０によ
れば、位置決め基板２０には、スリット２２ａおよび２
２ｂにより接続部支持片２３が当該位置決め基板２０の
厚さ方向に変位可能な状態で形成され、この接続部支持
片２３に一体的に導電性接続部３０が形成されているの
で、導電性接続部３０を介してパッケージＬＳＩ１の球
状接続端子１ａを異方導電性シート４０の導電路形成部
４１に押圧して電気的接続を行う場合において、球状接
続端子１ａの高さバラツキを有効に吸収することができ
ると共に、押圧荷重が小さい場合にも球状接続端子１ａ
と導電路形成部４１との安定した電気的接続を実現する
ことができ、これにより、球状接続端子１ａと導電路形
成部４１との接触安定性が十分に高くなり、球状接続端
子１ａの損傷、つぶれまたは変形などを防ぐことがで
き、高い耐久性が得られる。

【００６１】導電性接続部３０が平板状であって、球状
接続端子１ａの材料よりも剛体であることにより、導電
路形成部４１には平面的に接することができ、繰り返し
使用において、当該導電路形成部４１の歪みが有効に抑
えられるので、高い耐久性が得られると共に、長期にわ
たり安定的に使用できる。

【００６２】異方導電性シート４０は、主としてゴム若
しくはエラストマーから構成されており、弾性変形可能
な緩衝部材となり得る。これにより、導電性接続部３０
に強い力が印加されたような場合においても、当該異方
導電性シート４０が緩衝効果を発揮し、導電性接続部３
０に永久変形が発生することを防止することができ、よ
って接続状態において常に所定の圧力が印加され、電気
的接続の向上を図ることができ、常に安定した検査を実
施することが可能となる。

【００６３】検査装置５０によれば、上記の半導体装置
接続装置１０を備えてなるので、検査対象であるパッケ
ージＬＳＩ１の電気的動作検査を、高い信頼性をもって
容易に実施することができる。

【００６４】上記の半導体装置接続装置においては、位
置決め基板にスリットが形成されることにより接続部支
持片が形成される場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例えば、スリットは、そ
の幅が制限されるものではなく、単なる切り込みであっ
てもよい。

【００６５】また、上記の半導体装置接続装置において
は、導電性接続部が平板状のものである場合について説
明したが、本発明の半導体装置接続装置を構成する導電
性接続部はこれに限定されるものではない。例えば、図
６（イ）に示すように十字状の切り込み部分３１が形成
された導電性接続部、図６（ロ）に示すようにコ字状の
切り込み部分３２が形成された導電性接続部、図６
（ハ）に示すように波状の切り込み部分３３が形成され
た導電性接続部、図６（ニ）に示すように円形舌片状の
切り込み部分３４が形成された導電性接続部とすること
もできる。また、図７（イ）に示すように、正方形の孔
であって、その各辺の中央に内方に突出する突片３５ａ
を有する孔３５が形成された導電性接続部、図７（ロ）
に示すように円形状の孔３６が形成された導電性接続部
とすることもできる。

【００６６】以上のような切り込み部分３１〜３４また
は孔３５，３６が形成された導電性接続部によれば、突
起電極が押圧されたときに、当該導電性接続部は突起電
極の外形に沿って変形することができるため、当該導電
性接続部と突起電極との接触面積が増大し、従って、電
気的な接続を確実に行うことができる。また、突起電極
頂部の圧力による損傷も防ぐことができる。

【００６７】図１５は、本発明の半導体装置接続装置の
構成の他の例を示す説明用断面図である。この例の半導
体装置接続装置においては、位置決め基板７０の貫通孔
７１の内周面と、接続部支持片７３の上面および下面に
おける貫通孔７１の周縁部分とに導電材料が被覆されて
なる導電体７４が形成されており、その径は球状接続端
子１ａの最大径よりも小さい。また、この導電体７４
は、導電性接続部３０に接続されている。

【００６８】この導電体７４を構成する導電材料として
は、金、銀、銅、パラジウム、ロジウムなどの導電性の
よい金属が好ましく用いられるが、他にニッケルなどを
用いてもよく、またこれらの合金を用いてもよい。そし
て、この導電材料をメッキ、スパッタまたはエッチング
などの方法で所定の個所に被覆することにより、導電体
７４が形成される。

【００６９】この半導体装置接続装置においては、パッ
ケージＬＳＩ１が下方向に押圧されたときに、当該パッ
ケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａの先端が導電体７４
に接し、これにより、球状接続端子１ａは、導電性接続
部３０を介して導電路形成部４１に電気的に接続され
る。

【００７０】以上のように、半導体装置接続装置によれ
ば、パッケージＬＳＩ１の球状接続端子１ａの先端が異
方導電性シート４０の導電路形成部４１に触れないた
め、その異方導電性シート４０の歪みを十分に低減でき
る。

【００７１】本発明の半導体装置接続装置においては、
位置決め基板の貫通孔の形状は円柱状に限定されず、種
々の形状が可能である。例えば、その平面形状が円形、
楕円形、四角、多角形など種々の形状が可能である。ま
た、厚さ方向の断面形状は、四角、台形、三角、曲線形
など種々の形状が可能である。

【００７２】上記の例では、半導体装置がパッケージＬ
ＳＩの場合の位置決め基板の熱膨張係数についてのみ示
したが、位置決め基板の熱膨張係数は、半導体装置が例
えばフリップチップの場合には、例えば１×１０^-6〜７
×１０^-6／℃、更に好ましくは２×１０^-6〜５×１０^-6
／℃である。

【００７３】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。＜実施例１＞検査対象である半導体装置としてパッケー
ジＬＳＩ（１）を用いた。このパッケージＬＳＩ（１）
には、最大径が０．３ｍｍであり、突出高さが０．２５
ｍｍである球状接続端子（１ａ）の各々が０．５ｍｍの
ピッチで設けられている。図８に示すように、ポリイミ
ド樹脂フィルムよりなる絶縁層（２０ａ）の下面に銅箔
よりなる金属層（２０ｂ）が積層された、厚さ０．２ｍ
ｍの積層体に対し、レーザー加工装置などにより、図９
に示すように、絶縁層（２０ａ）の球状接続端子（１
ａ）に対応する位置に０．４ｍｍ径の複数の孔（２１
ａ）を形成した。

【００７４】次に、図１０に示すように、積層体の金属
層（２０ｂ）の表面にレジスト層（３０ａ）を設け、当
該レジスト層（３０ａ）をパターン現像処理して、絶縁
層（２０ａ）の孔（２１ａ）の径より５０〜１００μｍ
大きいレジスト開口部分（３０ｂ）を形成した。図１１
に示すように、積層体の金属層（２０ｂ）をコモン電極
として、上記レジスト開口部分（３０ｂ）に、メッキ層
（３０ｃ）を形成した。当該メッキ層（３０ｃ）とし
て、メッキでニッケル層を形成した上に金の層をメッキ
で形成した。そして、レジスト層（３０ａ）を除去し
て、図１２に示すような、導電性接続部（３０）が一体
的に形成された積層体を得、当該積層体において、舌片
状の接続部支持片（２３）が形成されるように、スリッ
ト（２２ａ，２２ｂ）を形成することにより、導電性接
続部（３０）が一体的に形成された位置決め基板（２
０）が得られた。

【００７５】ペースト状の熱硬化型シリコーンゴムに、
平均粒径４０μｍの金メッキしたニッケルよりなる導電
性磁性体粒子を１２体積％となる割合で混合してシート
形成材料を調製した。次いで、図１３に示すように、こ
のシート形成材料を金型（６０）内において処理するこ
とにより、シート形成材料層（４０Ａ）が形成された。
この金型（６０）は、一方の型板（６１）と他方の型板
（６２）とが平行に対向して配置されており、これら一
方の型板（６１）の上面および他方の型板（６２）の下
面に電磁石（６３，６４）が配置されており、また一方
の型板（６１）および他方の型板（６２）においては、
強磁性体よりなる板状の基材（６１ａ，６２ａ）に、目
的とする導電路形成部（４１）の配置パターンに対掌な
パターンに従って強磁性体部分（Ｍ）が形成され、この
強磁性体部分（Ｍ）以外の部分には非磁性体部分（Ｎ）
が形成されている。

【００７６】そして、電磁石（６３，６４）を作動させ
ることにより、一方の型板（６１）の強磁性体部分
（Ｍ）からこれに対応する他方の型板（６２）の強磁性
体部分（Ｍ）に向かう方向に平行磁場が作用して、シー
ト形成材料層（４０Ａ）においては、当該シート形成材
料層（４０Ａ）中に分散されていた導電性磁性体粒子
が、一方の型板（６１）の強磁性体部分（Ｍ）とこれに
対応する他方の型板（６２）の強磁性体部分（Ｍ）との
間に位置する部分に集合し、この状態で、圧力を加えな
がら１００℃、１時間かけてシート形成材料層を硬化さ
せて異方導電性シート（４０）を製造した。

【００７７】上記のようにして得られた導電性接続部
（３０）が配置された位置決め基板（２０）および異方
導電性シート（４０）を用いて、図１に示した半導体装
置検査装置（５０）を構成し、無作為に抽出した１００
個のパッケージＬＳＩ（１）について電気検査を行っ
た。各球状接続端子（１ａ）の位置を導電路形成部（４
１）位置に合わせるのを容易にかつ正確に行うことがで
き、パッケージＬＳＩ（１）全数の電気的動作検査を精
度よく行うことができた。

【００７８】＜実施例２＞検査対象である半導体装置と
してＢＧＡを用い、このＢＧＡには、径が０．３ｍｍの
ハンダ合金よりなるボール形状の突起電極（以下、「ハ
ンダボール」という。）が形成されており、このハンダ
ボールの間隔が０．５ｍｍであること以外は、実施例１
と同様にして、ＢＧＡの電気的動作検査を行った。

【００７９】その結果、無作為に抽出した１０個のＢＧ
Ａのすべてについて電気検査を精度よく行うことができ
た。また、試験後のＢＧＡのハンダボールの側面にわず
かな圧痕はみられるものの、外径および高さの変化は６
％未満であった。

【００８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置接続装置によれば、位置決め基板に形成された、導電
性接続部を支持する接続部支持部が当該位置決め基板の
厚さ方向に変位可能なので、導電性接続部を介して半導
体装置の突起電極を異方導電性シートの導電路形成部に
押圧して電気的接続を行う場合において、突起電極の高
さバラツキを有効に吸収することができると共に、押圧
荷重が小さい場合にも突起電極と導電路形成部との安定
した電気的接続を実現することができ、これにより、突
起電極と導電路形成部との接触安定性が十分に高くな
り、突起電極の損傷、つぶれまたは変形などを防ぐこと
ができ、高い耐久性が得られる。また、導電性接続部が
金属板よりなることにより、突起電極と導電路形成部と
の電気的接続を押圧して行うときに、異方導電性シート
の導電路形成部の例えば歪みなどの異常変形の発生を防
止することができる。

【００８１】本発明の半導体装置検査装置によれば、上
記の半導体装置接続装置を備えてなるので、検査対象で
ある半導体装置の電気的動作検査を、高い信頼性をもっ
て容易に実施することができる。

【００８２】本発明の検査方法によれば、上記の半導体
装置検査装置を用いて行われるので、検査対象である突
起電極を有する半導体装置の電気的動作検査を、高い信
頼性をもって容易に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置接続装置を備えてなる検査
装置の各構成部材を離間した状態で示す説明用断面図で
ある。

【図２】図１の検査装置の押圧状態を示す説明用断面図
である。

【図３】本発明の半導体装置接続装置を構成する位置決
め基板を示す平面図である。

【図４】図２におけるＡ−Ａ断面図である。

【図５】（イ）は、本発明の半導体装置接続装置を構成
する導電性接続部の一例を示す平面図であり、（ロ）
は、導電性接続部の他の例を示す平面図である。

【図６】本発明の半導体装置接続装置を構成する導電性
接続部に種々の形状の切り抜きがなされた場合を示す平
面図である。

【図７】本発明の半導体装置接続装置を構成する導電性
接続部の種々の形状のくり抜きがなされた場合を示す平
面図である。

【図８】本発明の半導体装置接続装置の位置決め基板と
導電性接続部とを製造する工程を示す説明図である。

【図９】本発明の半導体装置接続装置の位置決め基板と
導電性接続部とを製造する工程を示す説明図である。

【図１０】本発明の半導体装置接続装置の位置決め基板
と導電性接続部とを製造する工程を示す説明図である。

【図１１】本発明の半導体装置接続装置の位置決め基板
と導電性接続部とを製造する工程を示す説明図である。

【図１２】本発明の半導体装置接続装置の位置決め基板
と導電性接続部とを製造する工程を示す説明図である。

【図１３】シート形成材料層に平行磁場を作用させた状
態を示す説明用断面図である。

【図１４】本発明の半導体装置接続装置を構成する異方
導電性シートが形成された状態を示す説明用断面図であ
る。

【図１５】本発明の半導体装置接続装置の構成の他の例
を示す説明用断面図である。

【図１６】従来の半導体装置接続装置の構成の一例を示
す説明用断面図である。

【符号の説明】

１パッケージＬＳＩ１ａ球状接続端子６位置決めピン１０半導体装置接続装置２０位置決め基板２１貫通孔２２ａ，２２ｂスリット２３接続部支持片２４ガイド用貫通孔３０導電性接続部４０異方導電性シート４１導電路形成部４２絶縁部４３ガイド用貫通孔５０半導体装置検査装置５１加圧板５２配線基板６０金型６１一方の型板６２他方の型板６１ａ，６２ａ基材６３，６４電磁石６５スペーサ７０位置決め基板７１貫通孔７２ａスリット７３接続部支持片７４導電体８０位置決め基板８１貫通孔９０導電性接続部９１スリット１００異方導電性シート１０１導電路形成部１０２絶縁部１１０半導体装置１１０ａ突起電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】突起電極を有する半導体装置のための電
気的接続装置であって、前記突起電極を受けるよう表面
に開口する貫通孔を有する位置決め基板と、この位置決
め基板の裏面において前記貫通孔の開口を塞ぐよう一体
に設けられた導電性接続部と、この導電性接続部に対応
した位置に導電路形成部が位置するよう配置された異方
導電性シートとにより構成されており、前記位置決め基板には、導電性接続部を支持する接続部
支持部が当該位置決め基板の厚さ方向に変位可能な状態
で形成されていることを特徴とする半導体装置接続装
置。
【請求項２】接続部支持部は、位置決め基板におい
て、その貫通孔を包囲する部分の周囲にスリットが形成
されてなる接続部支持片よりなることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置接続装置。
【請求項３】異方導電性シートが、位置決め基板に一
体に設けられていることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の半導体装置接続装置。
【請求項４】導電性接続部が金属板よりなることを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導
体装置接続装置。
【請求項５】突起電極を有する半導体装置を検査対象
として、その電気的動作検査を行う半導体装置検査装置
であって、当該半導体装置検査装置は、請求項１乃至請
求項４のいずれかに記載の半導体装置接続装置を備えて
なることを特徴とする半導体装置検査装置。
【請求項６】突起電極を有する半導体装置を検査対象
として、その電気的動作検査を行う検査方法であって、
当該検査方法は、請求項５に記載の半導体装置検査装置
を用いて行うことを特徴とする検査方法。