JP2001522565A - 移動式無線に適用するバッテリ寿命延長技術 - Google Patents

移動式無線に適用するバッテリ寿命延長技術

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Abstract

(57)【要約】 移動式無線通信機の送信機の電力増幅器に供給する動作電圧が、目的に合わせて制御されることによって、全ての出力レベルで送信機の効率を上げることができる。ある実施例によれば、全ての出力レベルで送信機の効率を最適化するように送信機のバイアス電流を変化させる。好適な実施例によれば、高効率のスイッチングレギュレータが、制御回路によって制御されることにより、送信機の電力増幅器の動作電圧及び/またはバイアス電流を調節する。制御回路は、送信機の実際の出力信号、送信機の所望の出力信号、送信機の出力信号の揺れに反映する種々の信号を入力として備える。

Description

【発明の詳細な説明】 移動式無線に適用するバッテリ寿命延長技術本発明の分野 本発明は、無線送信機に関連し、詳細には送信機などのバッテリ寿命を延ばす 技術に関する。背景技術 バッテリ寿命を延ばすことは、携帯電話及びその他の携帯トランシーバのメー カ及びユーザーにとって重要な関心事である。無線トランシーバが強い信号を生 成しそれを送信することは、弱い信号を生成し送信することよりも電力を消費す る。従って、従来の多くの技術は、携帯送信機の利得調節を利用することによっ て、通信のために必要十分な電力以上で信号を送信しないようにしている。この ような自動的に送信機の出力レベルを調節する方法は、米国特許第4,760, 347号、第5,129,098号、第5,446,756号に開示されおり、 これを参照することをもって本明細書の一部とする。 従来の技術は、送信機の出力を選択的に減少させているが、この技術方法は送 信機の効率を改善してはいない。送信機は、通常、バイアスをかけて動作電圧を 設定することによって、送信機の出力信号が可能最高出力信号で反対方向にひず まないようになっている。これらの悪い動作条件の場合、たとえ信号が送信され ていない時でも、かなりの電力が消費されている。このような最悪動作条件は、 信号が最高出力で送信されていない時には必要ではない。したがって、弱い信号 出力で送信している時は、送信機の効率が低い。低い効率は、バッテリの浪費、 通話時間の減少に等しい。 したがって、移動式無線に適用できるバッテリ寿命を延ばす技術が待ち望まれ ている。本発明の概要 移動式無線トランシーバにおける送信機の電力増幅器に加えられる動作電圧を 著しく低下させることによって、送信機が最高出力で送信していない時の送信効 率を上げることが可能となる。したがって、送信機の総合電力消費は、従来技術 の送信機に比べ低減できる。別の実施例によれば、特定の出力レベルでの送信機 の効率を最適化するよう送信機内のバイアス電圧またはバイアス電流を変動させ る。送信機の動作電圧の制御及びバイアス電流/電圧を制御する技術は、通信機 の利得を自動的に減少させる従来の技術と共に利用可能である。 好適な実施例によれば、高効率のスイッチングレギュレータが、送信機内の電 力増幅器用動作電圧及びバイアス電圧/電流を調節する制御回路によって制御さ れている。制御回路は、送信機の実際の出力または所望の出力に反映する種々の 信号を入力として備えている。図の簡単な説明 第1図は、本発明の実施例のひとつである、無線トランシーバ内の送信機部分 の基本的な構成部品のブロック図である。 第2図―第6図は、無線トランシーバ内の電力増幅器に適用する電圧レギュレ ータの出力を制御する制御器の種々の実施例を例示している。 第7図は、無線トランシーバ内の電力増幅器に適用する電圧レギュレータの出 力電圧を制御する制御器のひとつの実施例を例示している。 第8図―第9図は、それぞれバック(buck type)レギュレータ及び ブースト(boost type)レギュレータを例示している。 第10図は、本発明を利用して効率を高めた電力増幅器の実施例を例示してい る。好適な実施例の詳細な説明 第1図が例示するように、送信機11の電力増幅器10に可変電圧レギュレー タ12により動作電圧Vddが供給される。レギュレータ12の出力電圧Vdd は、制御器14から制御端子13に送られた信号によって制御される。バッテリ 15は、レギュレータ12に電力を供給する。 制御器14は、入力端子16で信号を受信する。その信号は、電力増幅器10 の実際の出力信号または電力増幅器10の所望の出力信号または電力増幅器10 の出力信号の揺れの程度を示す。続いて、制御器14が、この入力信号に基づい てレギュレータ12の出力電圧Vddを設定することによって、電力増幅器10 が特定の出力レベルで最高効率の条件で動作することが可能となる。 制御器14はまた、ライン20を介して電力増幅器10に選択的にバイアス電 圧またはバイアス電流制御信号を送信して、特定の出力レベルで最適な効率を発 揮するように電力増幅器10のバイアス電圧またはバイアス電流を調節する。 電力増幅器10が最高の出力レベルで送信している時、電力増幅器10の出力 電圧Vpaの揺れが最大となり、電力増幅器10は比較的高効率で動作する。出 力信号に著しいひずみが生じないように電力増幅器10の種々のトランジスタ及 び他の構成部品にバイアスをかけるか、または別の方法で動作させる。出力電圧 が低下すると、出力電圧の揺れ及びバッテリ15からの電流は減少する。本発明 のひとつの実施例によれば、出力電圧の揺れの減少により、レギュレータ12に よって供給される電力増幅器10への動作電圧Vddが減少し、ひずみを生じる ことなくさらに電力を節約する。 さらに、本発明のひとつの実施例によれば、出力レベルが低下すると、バイア ス電圧及び電流が減少し、ひずみを生じることなくさらに電力を節約する。 電力消費は、実効値(RMS)電圧とバッテリ15からの電流との積による。 したがって、電力増幅器10への実効値電圧を低下させることにより、従来の電 力消費技術のレベルを超えて電力消費が減少する。携帯電話が、通常、最大出力 で動作することはほとんどなく、第1図に示される本発明を用いればバッテリ1 5の寿命を著しく延長することができる。 マッチングネットワーク(matching network)24(例:共 振回路)が、電力増幅器10と負荷RLとのインターフェースとなる。負荷RL には、アンテナまたは別の負荷が考えられる。入力信号発生器26が、従来の技 術による被変調RF信号Vinを生成し、自動利得調節回路を含むこともある。 第2図―第6図は、レギュレータ12を的確に制御するために電力増幅器10 の出力または所望の出力を検知して、変動Vddの生成を行ったり、電力増幅器 10のバイアス設定を制御する制御器14に使用可能な技術を例示する。 第2図では、電力増幅器10の出力に関連するリード線32で電圧を発生させ るように出力検出器を、カップラ31を介して電力増幅器10またはマッチング ネットワーク24に接続する。カップラ31は、出力検出器30に僅かな率の出 力信号をつなぐ。出力検出器は、公知であり種々のタイプがある。制御器42が 、電力増幅器10の効率を最適化するようVddを調節して、リード線32の信 号をレギュレータ12への制御信号に変換する。 フィードバック信号Vfbがリード線32の電圧と所定の関係にあり、制御器 42を、レギュレータ12のフィードバック端子43につなぐことができる。し たがって、制御器42が、単なるレベルシフターまたは好適な電力増幅器であっ てもよい。出力検出器30の適正な仕様により、 レギュレータ12のフィードバック端子43が、制御器42の代わりにリード線 32に直接接続されることによって、出力検出器30が制御器の役割を果たすこ とができる。制御器42の入力と制御器42との出力関係は、使用する特定のレ ギュレータ12及び電力増幅器10に基づいて決定される。 ある携帯電話や無線トランシーバは、既に別の目的で出力検出器を使用してお り、本発明は容易にこれらの装置に組み入れ可能である。 レギュレータ12には、従来の技術で公知のフィードバック信号に基づき出力 電圧を供給する従来のいかなる高効率スイッチングレギュレータも利用可能であ る。従来の電圧調整回路では、レギュレータのフィードバック端子が別の調整さ れた出力電圧に接続されている。 第3図に例示されているように、制御器50が、電力増幅器10の出力電圧V paを検知し、一定時間電力増幅器10の大抵負の出力を表す電圧Vnpを出力 するよう実質上負のピーク検出器として動作する。端子52に加えられるバッテ リ電圧Vbattが、抵抗56を通って接続点54をバッテリ電圧まで上昇させ る。接続点54の電圧よりダイオード電圧降下一つ分低いダイオード58のカソ ードの電圧が、接続点54の電圧を端子52にかかる概ねほとんど負の電圧にダ イオード電圧降下一つ分を加えた電圧まで引き下げる。抵抗56の値及びコンデ ンサ59の値の選択により、制御器50のレスポンスが決まる。望ましくは、時 定数RCを設定することによって、周期ごとの変化が接続点54で測定できない ようにする。 接続点54の電圧が、電力増幅器60の一方の入力端子に印加され、基準電圧 62がもう一方の入力端子に印加される。電力増幅器60の出力が、レギュレー タ12のフィードバック端子に加えられる。それに応じてレギュレータ12が電 力増幅器10に動作電圧Vddを供給するこ とにより、接続点54での電圧を概ね基準電圧Vrefに維持する。基準電圧が 固定されると、制御器50が、反対方向へのひずみを回避するのに必要な電力増 幅器10の出力トランジスタの最低電圧を制御する働きをし、すべての出力レベ ルで電力増幅器の効率を最適化する。第3図に示す技術は、電力増幅器10(例 :第10図のトランジスタQ1及びQ2)のすべての段階のトランジスタに渡っ て最低電圧を制御するために使用可能である。例えば、第10図を参照すれば、 トランジスタQ1及びQ2が線形領域で動作するべく、トランジスタQ1及びQ 2の最低ドレイン・ソース間電圧が、第3図の回路を用いて制御される。バッフ ァが、過度の負荷を避けるべく、電力増幅器10と制御器50の入力との間に必 要であろう。 第4図に例示されるように、レギュレータ12のための制御器70が、入力と して受信信号強度表示(RSSI)を受信する。このRSSIは、受信した信号 の強度を示す電圧を生成する従来のRSSI回路72によって供給される。ある 場合、受信した信号の強さが、二方向の十分な通信のための送信に必要な電力を 示すことがある。遠隔の起点の送信出力が分かっているとき、特に真実となる。 無線トランシーバが、別の目的のために既にRSSI回路72を含むことがある 。したがって、レギュレータ12にフィードバック信号を供給するようにより高 いRSSI信号が制御器70に送られることによって、より低い出力での電力増 幅器10の効率を上げるよう電力増幅器10への電圧Vddを下げる。 第5図は、いかに制御器76への入力が、変調器80によって発生した変調R F搬送波を周波数混合器82によって混合されたベースバンド信号78になりう るかを例示している。電力増幅器10の出力信号が、ベースバンド信号78の振 幅と共に変化するため、制御器76が、ベースバンド信号に合わせてレギュレー タ12に電力増幅器10への電圧V ddを変調させうる。第5図に示される技術は、不連続の包絡線を持つ変調タイ プのみ適用できる。 第6図に示されるように、別の実施例によれば、制御器83が、信号を電力増 幅器10の出力またはマッチングネットワーク24の出力から直接受信する。制 御器83が、この信号レベルをレギュレータ12用に制御信号に変換する。 制御される特定の送信機によっては、別の形式の制御器が好適である。 第7図に示されるように、レギュレータ12から動作電圧Vddを受信する無 線トランシーバの受信機85を例示している。制御器87が、レギュレータ12 の出力を制御することによって、より低い受信信号レベルでの受信機85の効率 を改善している。RSSI回路72によって検出されたより弱い受信信号が、効 率を最適化するよう受信機85に加えるVddをより下げる。バイアス電圧/電 流のレベルが、ライン88を介して制御器87によって調節できる。 第8図―第9図は、2種類の単純なスイッチングレギュレータを例示している 。第8図は、バック(buck)タイプのレギュレータ90を、第9図は、ブー ストタイプのレギュレータ92を例示している。このようなレギュレータは、種 々の形態でレギュレータ12に使用可能である。このようなレギュレータにおい て、レギュレータ出力電圧Vddに正比例するスイッチS1(通常は、スイッチ ングトランジスタ)の動作周期が制御される。動作周期制御器94が、第1図― 第7図に示されるどの制御器からのフィードバック信号Vfbにも基づいてS1 のスイッチングを制御する。基準電圧が、スイッチS1の動作周期を調節するた め電力増幅器96のフィードバック信号と比較される。発振器98が、スイッチ S1のスイッチング周波数を供給する。当業者は、第8図及び第9図のレギュレ ータの動作に精通している。通常は第8図と第9図の組み 合わせである、ブーストバック(boost−buck)レギュレータが使用可 能である。 第10図は、本発明に使用可能な電力増幅器10の種々の好適なタイプのひと つを例示する。発生器26からの被変調RF入力信号が、抵抗R及びコンデンサ C1を通過してFET Q1の入力に供給される。第1図に示される制御器14 によって制御される可変バイアス電圧発生器106が、ある動作点付近でトラン ジスタQ1が動作するようにバイアス電圧を供給する。インダクタL1及びコン デンサC1が、トランジスタQ1のための入力マッチングネットワークを形成す る。トランジスタQ1のドレインで生成された信号が、さらなる増幅のためDC ブロッキングコンデンサC2を介してトランジスタQ2のゲートに供給される。 インダクタL2、インダクタL3,コンデンサC2が、トランジスタQ1とQ2 との間にマッチングネットワークを形成する。 トランジスタQ2のドレインが、電力増幅器10の出力Vpaを供給する。第 1図に示される制御器14によって制御される第2可変バイアス電圧発生器10 8が、動作トランジスタQ2のために、ある動作点付近にバイアス電圧を供給す る。トランジスタQ2のドレインが、マッチングネットワーク24に接続されて いる。これは、利得を改善するための適切な共振調整、リターンロスの低減、ひ ずみの低減、出力の増加、効率アップのためである。マッチングネットワーク2 4は、Vdd2とトランジスタQ2との間に接続されたインダクタL4、インダ クタL5,コンデンサC3、コンデンサC4よりなる。電圧出力Voutが、送 信のために負荷(例:アンテナ)が加えられる。 トランジスタQ1及びQ2の動作条件が設定されなければならない。そうする ことによって、電圧の揺れ及び/またはトランジスタQ1及びQ2の電流が、容 認できない程にはひずまないようになる。電圧Vdd 1及びVdd2はもちろん調節可能なバイアス電圧Vbias1及びVbias 2が、トランジスタQ1及びQ2によって生じる信号のひずみを発生させないよ うに制御される。本発明を用いて動作条件を適切に制御することによって、種々 の電動経路を通って浪費されるバッテリ電力の低減を実現する。 電源106及び108に使用される種々の電源(例:制御可能なレギュレータ )には、従来のものが使用可能である。種々の出力電力レベルに必要な特定のバ イアス電圧は、特定の電力増幅器及び応用しだいでケースバイケースで決定され る。 制御器14(第1図)が、Vdd1及びVdd2のレベルを同じまたは異なっ て設定するようレギュレータ12の出力を制御する。このレベル設定は、特定の 出力電力で、トランジスタQ1及びQ2が低ひずみで動作するのに必要な最低電 圧による。 第10図に例が示されているように、トランジスタQ1及びQ2はMESFE T(金属―半導体電界効果トランジスタ)である。 バイポーラ技術を用いる電力増幅器もまた本発明に使用できる。但し、電力増 幅器内のトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧Vceが、すべての出力レベ ルでひずみがなくトランジスタを動作させるのに必要な最低出力になるよう制御 されていること。このような電力増幅器では、第10図に示されるMESFET トランジスタQ1及びQ2をバイポーラトランジスタで置き換え可能である。 電力増幅器の動作条件を目的に合わせて調整するこの技術が、種々の形式の電 力増幅器に利用可能であり、使用される特定の形式の制御器は、手ごろな価格で バッテリ電力の最効率の使用を提供する方法に依存する。制御器14(第1図) への入力を発生させる種々の回路は、第2図の出力検出回路30及び第4図のR SSI回路72など、ある携帯電話には 既設されている。本発明は、いかなる特定のスイッチングレギュレータ(例:パ ルス幅変調、パルス周波数変調)に制限されるものではなく、好適なレギュレー タには線形レギュレータなどのノンスイッチングレギュレータもまた可能である 。しかしながら、スイッチングレギュレータが高効率であることは知られている 。 本発明が、携帯電話及び他の無線通信機のバッテリ寿命を50%またはそれ以 上延長すると予想される。ある適用では、本発明の使用によりバッテリ寿命が少 なくとも2倍になると予想される。 本発明の特定の実施例が説明されたが、本発明の広義の解釈において当業者が 本発明から逸脱することなく変更及び改良が可能なことは明白であり、添付の請 求項が、本発明の精神及び範囲にあたり請求項の範囲内の全てのこのような変更 及び改良を含むものである。
【手続補正書】特許法第184条の4第4項 【提出日】平成10年10月6日(1998.10.6) 【補正内容】請求項 1.移動式無線装置であって、 電源供給入力端子及び増幅器出力端子を有し、送信される入力信号を受信する よう接続された増幅器と、 バッテリ入力端子、電圧制御端子及び前記増幅器の前記電源供給入力端子に接 続された出力電圧端子を有する可制御電圧レギュレータと、 もう1つの送信装置から信号を受信し、前期もう1つの送信装置によって受信 される前記信号の強度表示である信号強度表示信号を生成する受信部と、 前記レギュレータの前記制御端子に接続された出力、及び前記信号強度表示信 号に関連する前記増幅器の出力を平均電力出力にする前期信号強度表示信号に関 連する信号を受信するように接続された制御器入力端子を備える制御器とを有す ることを特徴とする移動式無線装置。 2.前記レギュレータが、前記増幅器のひとつ或いは複数のトランジスタにわた る電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載の装置。 3.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、MOSFET(酸化金属半導体電 界効果トランジスタ)であり、前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記 載の装置。 4.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、MESFETトランジスタであり 、前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のトランジスタのドレイン・ソー ス間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の装置。 5.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、バイポーラトランジスタであり、 前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のトランジスタのコレクタ・エミッ タ間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載 の装置。 6.前記増幅器内の前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、前記増幅器のひと つ或いは複数の出力トランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記載の装置 。 7.削除 8.前記制御器及び前記レギュレータが、所定のレベルで前記増幅器出力端子で の最小出力電圧を維持することを特徴とする請求項1に記載の装置。 9.削除 10.さらに、前記増幅器出力端子と負荷との間に接続されたマッチングネット ワークを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 11.前記負荷がアンテナであることを特徴とする請求項10に記載の装置。 12.前記制御器が、最低電圧検出器を含むことを特徴とする請求項1に記載の 装置。 13.削除 14.削除 15.さらに、前記増幅器出力端子とアンテナとの間に接続されるマッチングネ ットワークを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 16.さらに、RSSI(受信信号強度表示)を含み、前期制御器入力端子が、 前記RSSIの出力に対応する信号を受信することを特徴とする請求項1に記載 の装置。 17.前記レギュレータがスイッチングレギュレータであることを特徴とする請 求項1に記載の装置。 18.前記レギュレータの前記制御端子が、フィードバック端子であることを特 徴とする請求項1に記載の装置。 19.前記レギュレータが前記増幅器内のバイアス電流を制御することを特徴と する請求項1に記載の装置。 20.無線装置を制御する方法であって、 送信用の信号を増幅し、 もう1つの送信装置からの信号を受信し、 前記もう1つの送信装置から受信する前記信号の強度を表わす信号強度表示信 号を生成し、 前記信号強度表示信号に基づく制御信号を生成し、 前記増幅器が動作する電圧を供給する電圧制御器の電圧出力を前記制御信号に よって制御し、 前記増幅器の平均電力出力が前記信号強度表示信号に関連するように前記増幅 器を制御する制御信号を生成する段階とを含むことを特徴とする方法。 21.前記レギュレータが、前記増幅器の電力供給端子に電圧を供給することを 特徴とする請求項20に記載の方法。 22.前記レギュレータが、前記電力増幅器の効率を高めるべく、前記増幅器の ひとつ或いは複数のトランジスタの動作点を制御することを特徴とする請求項2 0に記載の方法。 23.前記レギュレータが、前記増幅器の効率を高めるべく、前記増幅器のひと つ或いは複数のトランジスタの電圧を制御することを特徴とする請求項20に記 載の方法。 24.前記レギュレータが、前記増幅器内のひとつ或いは複数のMOSFETト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項23に 記載の方法。 25.前記レギュレータが、前記増幅器内のひとつ或いは複数のMESFETト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴と する請求項23に記載の方法。 26.前記レギュレータが、前記増幅器内のひとつ或いは複数のバイポーラトラ ンジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を制御することを特徴とする請求項23に 記載の方法。 【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成11年6月15日(1999.6.15) 【補正内容】請求項 1.移動式無線装置であって、 電源供給入力端子及び増幅器出力端子を有し、送信される入力信号(26)を受 信するよう接続された増幅器(10)と、 バッテリ入力端子、電圧制御端子及び前記増幅器の前記電源供給入力端子に接 続された出力電圧(Vdd)端子を有する可制御電圧レギュレータ(12)と、 もう1つの送信装置から信号を受信し、前期もう1つの送信装置によって受信 される信号の強度表示である信号強度表示信号を生成する受信部(72)と、 前記レギュレータの前記制御端子に接続された出力、及び前記信号強度表示信 号に関連する前記増幅器の出力を平均電力出力にする前期信号強度表示信号に関 連する信号を受信するように接続された制御器入力端子を備える制御器(70) とを有することを特徴とする移動式無線装置。 2.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器(10)のひとつ或いは複数のト ランジスタ(Q1/Q2)にわたる電圧を制御することを特徴とする請求項1に 記載の装置。 3.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、MOSFET(酸化金属半導体電 界効果トランジスタ)であり、前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記 載の装置。 4.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、MESFETトランジスタであり 、前記レギュレータ(12)が、そのひとつ或いは複数のトランジスタのドレイ ン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の装置。 5.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、バイポーラトランジスタ であり、前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のトランジスタのコレクタ ・エミッタ間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の装置。 6.前記増幅器(10)内の前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、前記増幅 器のひとつ或いは複数の出力トランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記 載の装置。 7.削除 8.前記制御器(70)及び前記レギュレータ(12)が、所定のレベルで前記 増幅器出力端子での最小出力電圧を維持することを特徴とする請求項1に記載の 装置。 9.削除 10.さらに、前記増幅器出力端子と負荷(RL)との間に接続されたマッチン グネットワーク(24)を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 11.前記負荷がアンテナであることを特徴とする請求項10に記載の装置。 12.前記制御器(70)が、最低電圧検出器を含むことを特徴とする請求項1 に記載の装置。 13.削除 14.削除 15.さらに、前記増幅器出力端子とアンテナとの間に接続されるマッチングネ ットワーク(24)を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 16.さらに、RSSI(受信信号強度表示)(72)を含み、前期制御器入力 端子が、前記RSSIの出力に対応する信号を受信することを特徴とする請求項 1に記載の装置。 17.前記レギュレータ(12)がスイッチングレギュレータであることを特徴 とする請求項1に記載の装置。 18.前記レギュレータ(12)の前記制御端子が、フィードバック端子である ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 19.前記レギュレータ(12)が前記増幅器(10)内のバイアス電流を制御 することを特徴とする請求項1に記載の装置。 20.無線装置を制御する方法であって、 送信用の信号を増幅(10)し、 もう1つの送信装置からの信号を受信し、 前記もう1つの送信装置から受信する前記信号の強度を表わす信号強度表示信 号を生成(72)し、 前記信号強度表示信号に基づく制御信号を生成(70)し、 前記増幅器が動作する電圧を供給する電圧制御器(12)の電圧出力を前記制 御信号によって制御し、 前記増幅器の平均電力出力が前記信号強度表示信号に関連するように前記増幅 器を制御する制御信号を生成する段階とを含むことを特徴とする方法。 21.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器(10)の電力供給端子に電圧 を供給することを特徴とする請求項20に記載の方法。 22.前記レギュレータ(12)が、前記電力増幅器の効率を高めるべく、前記 増幅器(10)のひとつ或いは複数のトランジスタの動作点を制御することを特 徴とする請求項20に記載の方法。 23.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器の効率を高めるべく、前記増幅 器(10)のひとつ或いは複数のトランジスタ(Q1/Q2)の電圧を制御する ことを特徴とする請求項20に記載の方法。 24.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器内のひとつ或いは複数 のMOSFETトランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴と する請求項23に記載の方法。 25.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器内(10)のひとつ或いは複数 のMESFETトランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴と する請求項23に記載の方法。 26.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器内(10)のひとつ或いは複数 のバイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を制御することを特徴と する請求項23に記載の方法。 【手続補正書】 【提出日】平成11年10月26日(1999.10.26) 【補正内容】請求の範囲 1.移動式無線装置であって、 電源供給入力端子及び増幅器出力端子を有し、送信される入力信号(26)を受 信するよう接続された増幅器(10)と、 バッテリ入力端子、電圧制御端子及び前記増幅器の前記電源供給入力端子に接 続された出力電圧(Vdd)端子を有する可制御電圧レギュレータ(12)と、 もう1つの送信装置から信号を受信し、前期もう1つの送信装置から受信した 信号の強度表示である信号強度表示信号を生成する受信部(72)と、 前記レギュレータの前記制御端子に接続された出力、及び前記信号強度表示信 号に関連する前記増幅器の出力を平均電力出力にする前期信号強度表示信号に関 連する信号を受信するように接続された制御器入力端子を備える制御器(70) とを有することを特徴とする移動式無線装置。 2.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器(10)のひとつ或いは複数のト ランジスタ(Q1、Q2)にわたる電圧を制御することを特徴とする請求項1に 記載の装置。 3.前記増幅器(10)内の前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、前記増幅 器のひとつ或いは複数の出力トランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記 載の装置。 4.前記もう1つの受信装置から受信する信号の強度を表す前記信号を生成する RSSI(受信信号強度表示)(72)をさらに含むことを特徴とする請求項1 に記載の装置。 5.前記レギュレータ(12)がスイッチングレギュレータであることを特徴と する請求項1に記載の装置。 6.前記レギュレータ(12)の前記制御端子が、フィードバック端子 であることを特徴とする請求項1に記載の装置。 7.前記レギュレータ(12)が前記増幅器(10)内のバイアス電流を制御す ることを特徴とする請求項1に記載の装置。 8.前記制御器(70)がまた、前記もう1つの送信装置から受信する前記信号 の前記強度に基づいた、前記増幅器の1つ或いは複数の構成部品(Q1,Q2) のバイアスレベル(20)を制御することを特徴とする請求項1に記載の装置。 9.前記バイアスレベルが可変バイアス電圧であり、前記制御器(70)が可変 バイアス電圧発生器(106,108)に接続され、前記バイアス電圧制御器が 、前記信号強度表示信号に基づく前記1つ或いは複数の構成部品(Q1,Q2) へ前記可変バイアス電圧を供給することを特徴とする請求項8に記載の装置。 10.前記可変バイアス電圧が、ある動作点付近で少なくとも1つのトランジス タ(Q1,Q2)が動作するように前記少なくとも1つのトランジスタにバイア ス電圧を供給することを特徴とする請求項9に記載の装置。 11.前記増幅器の前記平均電力出力が減少すると、前記バイアス電圧が減少す ることを特徴とする請求項9に記載の装置。 12.無線装置を制御する方法であって、 送信する信号を増幅(10)し、 もう1つの送信装置からの信号を受信し、 前記もう1つの送信装置から受信する前記信号の強度を表わす信号強度表示信 号を生成(72)し、 前記信号強度表示信号に基づき制御信号を生成(70)し、 前記増幅器の動作電圧を供給する電圧制御器(12)の電圧出力を前記制御信 号によって制御し、 前記増幅器の平均電力出力が前記信号強度表示信号に関連するように前記増幅 器を制御する制御信号を生成する段階とを含むことを特徴とする無線装置を制御 する方法。 13.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器(10)の電力供給端子に電圧 を供給することを特徴とする請求項12に記載の方法。 14.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器の効率を高めるべく、前記増幅 器(10)のひとつ或いは複数のトランジスタの動作点を制御することを特徴と する請求項12に記載の方法。 15.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器の効率を高めるべく、前記増幅 器(10)のひとつ或いは複数のトランジスタ(Q1,Q2)にわたる電圧を制 御することを特徴とする請求項12に記載の方法。 16.前記もう1つの送信装置からの前記信号の前記強度に基づき、前記増幅器 の1つ或いは複数の構成部品のバイアスレベルを制御する段階を含むことを特徴 とする請求項12に記載の方法。 17.前記バイアスレベルが可変バイアス電圧であり、前記バイアスレベル制御 が可変バイアス電圧発生器を制御することを含み、前記バイアス電圧発生器が前 記信号強度表示信号に基づき前記1つ或いは複数の構成部品に前記可変バイアス 電圧を供給することを特徴とする請求項16に記載の方法。 18.前記可変バイアス電圧が、1つの動作点付近で少なくとも1つのトランジ スタが動作するように前記少なくとも1つのトランジスタにバイアス電圧を供給 することを特徴とする請求項17に記載の方法。 19.前記増幅器の前記平均電力出力が減少すると、前記バイアス電圧が減少す ることを特徴とする請求項17に記載の方法。 20.移動式無線装置であって、 電力供給入力端子及び増幅器出力端子を備え、送信される入力信号(2 6)を受信するために接続された増幅器(10)と、 前記増幅器の前記電力供給入力端子に接続された出力電圧端子、前記バッテリ 入力端子、及び電圧制御端子(13,43)を備える可制御電圧制御器(12) と、 前記レギュレータの前記制御端子に接続された出力、及び前記増幅器の出力レ ベルに関連する信号を受信するように接続された制御器入力端子(16,32, 78)を備える制御器(14,42,50,76)であって、前記増幅器の前記 出力レベルに関連する前記信号に基づき前記増幅器における1つ或いは複数の構 成部品(Q1,Q2)のバイアスレベル(20)を制御する該制御器とを備える ことを特徴とする移動式無線装置。 21.前記制御器が、前記増幅器の1つ或いは複数のトランジスタ(Q1,Q2 )にわたる電圧を制御することを特徴とする請求項20に記載の装置。 22.前記増幅器の1つ或いは複数のトランジスタが、前記増幅器の1つ或いは 複数の出力トランジスタ(Q2)を含むことを特徴とする請求項21に記載の装 置。 23.前記バイアスレベル及び前記制御器が、前記増幅器出力端子での実際の出 力レベルに基づき制御されることを特徴とする請求項20に記載の装置。 24.前記制御器及び前記レギュレータが、前記増幅器出力端子での最小出力電 圧を所定のレベルで維持することを特徴とする請求項20に記載の装置。 25.前記制御器が、前記増幅器の出力レベルに関連する前記信号を受信するよ うに接続された出力検出器(30)を含むことを特徴とする請求項20に記載の 装置。 26.前記増幅器出力端子と負荷(RL)との間に接続されたマッチングネット ワーク(24)をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の装置。 27.前記負荷がアンテナであることを特徴とする請求項26に記載の装置。 28.前記制御器が、最小電圧検出器(50)を含むことを特徴とする請求項2 0に記載の装置。 29.前記増幅器の出力レベルに関連する前記信号がベースバンド信号(78) であり、前記装置がさらにベースバンド信号発生器を含み、前記制御器が前記ベ ースバンド信号を受信し、かつ制御器及び前記ベースバンド信号に応じてバイア スレベルを制御することを特徴とする請求項20に記載の装置。 30.前記制御器入力端子が、前記増幅器出力端子に接続されることを特徴とす る請求項20に記載の装置。 31.前記レギュレータの前記制御端子がフィードバック端子であることを特徴 とする請求項20に記載の装置。 32.前記バイアスレベルが可変バイアス電圧であり、前記制御器が可変バイア ス電圧発生器(106,108)に接続されていて、前記バイアス電圧発生器が 前記増幅器の前記出力レベルに関連する前記信号に基づき、前記1つ或いは複数 の構成部品(Q1,Q2)に可変バイアス電圧を供給することを特徴とする請求 項20に記載の装置。 33.前記可変バイアス電圧が、1つの動作点で少なくとも1つのトランジスタ が動作するように前記少なくとも1つのトランジスタにバイアス電圧を供給する ことを特徴とする請求項32に記載の装置。 34.前記増幅器の平均電力出力が減少すると、前記バイアス電圧が減少するこ とを特徴とする請求項32に記載の装置。 35.無線装置を制御する方法であって、 増幅器(10)を用いて送信する信号を増幅し、 前記増幅器の出力レベルに関連する信号に基づき制御信号(14,42,50 ,76)を発生し、 前記制御信号によって、前記増幅器の動作電圧を供給する電圧制御器(12) の電圧出力を制御し、 前記増幅器の前記出力レベルに関連する前記信号に基づき前記増幅器の1つ或 いは複数の構成部品のバイアスレベル(20)を制御することを特徴とする無線 装置を制御する方法。 36.前記レギュレータ(12)が、前記増幅器の電力供給端子に電圧を供給す ることを特徴とする請求項35に記載の方法。 37.前記バイアスレベル制御(20)が、前記増幅器の効率を上げるように前 期増幅器の1つ或いは複数のトランジスタ(Q1,Q2)の動作点を制御するこ とを特徴とする請求項35に記載の方法。 38.前記レギュレータが、前記増幅器の1つ或いは複数のトランジスタにわた る電圧を制御することを特徴とする請求項35に記載の方法。 39.前記バイアスレベルが可変バイアス電圧であり、前記バイアスレベル制御 が可変バイアス電圧発生器(106,108)制御を含み、前記バイアス電圧発 生器が、前記増幅器の出力レベルに関連する前記信号に基づき前記1つ或いは複 数の構成部品へ前記可変バイアス電圧を供給することを特徴とする請求項35に 記載の方法。 40.前記可変バイアス電圧が、1つの動作点付近で少なくとも1つのトランジ スタを動作するように前記少なくとも1つのトランジスタにバイアス電圧を供給 することを特徴とする請求項39に記載の方法。 41.前記増幅器の平均電力出力が減少すると、前記バイアス電圧が減少するこ とを特徴とする請求項39に記載の方法。 42.前記増幅器の出力レベルに関連する前記信号が、ベースバンド信号(78 )であり、前記バイアスレベル制御が、前記ベースバンド信号に応じる前期バイ アスレベル制御を含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。 43.前記バイアスレベル制御が、前記増幅器の出力レベルに応じるバイアスレ ベル制御を含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハモンド、サミュエル・ダブリュ アメリカ合衆国オレゴン州97005・ビーバ ートン・#60・エスダブリュアレンブール バード 14150 (72)発明者 ルーブッシュ、ロナルド・アール アメリカ合衆国オレゴン州97219・ポート ランド・エスダブリュナイツブリッジドラ イブ 5635

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  1. 【特許請求の範囲】 1.移動式無線装置であって、 電源供給入力端子及び増幅器出力端子を有し、送信される入力信号を受信する よう接続された増幅器と、 バッテリ入力端子、電圧制御端子及び前記増幅器の前記電源供給入力端子に接 続された出力電圧端子を有する可制御電圧レギュレータと、 前記レギュレータの前記制御端子に接続された出力、及び前記増幅器の出力端 子で出力レベルに関する信号を受信するよう接続された制御器入力端子を有する 制御器とを備えることを特徴とする移動式無線装置。 2.前記レギュレータが、前記増幅器のひとつ或いは複数のトランジスタにわた る電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載の装置。 3.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、MOSFET(酸化金属半導体電 界効果トランジスタ)であり、前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記 載の装置。 4.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、MESFETトランジスタであり 、前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のトランジスタのドレイン・ソー ス間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の装置。 5.前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、バイポーラトランジスタであり、 前記レギュレータが、そのひとつ或いは複数のトランジスタのコレクタ・エミッ タ間電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の装置。 6.前記増幅器内の前記ひとつ或いは複数のトランジスタが、前記増幅器のひと つ或いは複数の出力トランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記載の装置 。 7.前記レギュレータが、前記増幅器出力端子で実際の出力レベルに基づいた電 圧を出力するように制御されることを特徴とする請求項1に記載の装置。 8.前記制御器及び前記レギュレータが、所定のレベルで前記増幅器出力端子で の最小出力電圧を維持することを特徴とする請求項1に記載の装置。 9.前記制御器が、前記増幅器出力端子での出力レベルに関する前記信号を受信 するように接続された出力検出器を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置 。 10.さらに、前記増幅器出力端子と負荷との間に接続されたマッチングネット ワークを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 11.前記負荷がアンテナであることを特徴とする請求項10に記載の装置。 12.前記制御器が、最低電圧検出器を含むことを特徴とする請求項1に記載の 装置。 13.さらに、ベースバンド信号発生器を含み、前記制御器がベースバンド信号 を受信し、かつそのベースバンド信号に応じて前記レギュレータを制御すること を特徴とする請求項1に記載の装置。 14.前記制御器入力端子が、前記増幅器出力端子に接続されていることを特徴 とする請求項1に記載の装置。 15.さらに、前記増幅器出力端子とアンテナとの間に接続されるマッチングネ ットワークを含み、前記制御器入力端子が前記マッチングネットワークに接続さ れていることを特徴とする請求項1に記載の装置。 16.さらに、RSSI(受信信号強度表示)を含み、前期制御器入力端子が、 前記RSSIの出力に対応する信号を受信することを特徴とする請求項1に記載 の装置。 17.前記レギュレータがスイッチングレギュレータであることを特徴とする請 求項1に記載の装置。 18.前記レギュレータの前記制御端子が、フィードバック端子であることを特 徴とする請求項1に記載の装置。 19.前記レギュレータが前記増幅器内のバイアス電流を制御することを特徴と する請求項1に記載の装置。 20.無線装置を制御する方法であって、 送信用の信号を増幅し、 前記増幅器の出力信号に基づいて、制御信号を発生することと、 前記制御信号による電圧レギュレータの電圧出力を制御し、前記レギュレータ が前記増幅器が動作するよう電圧を供給することとを特徴とする方法。 21.前記レギュレータが、前記増幅器の電力供給端子に電圧を供給することを 特徴とする請求項20に記載の方法。 22.前記レギュレータが、前記電力増幅器の効率を高めるべく、前記増幅器の ひとつ或いは複数のトランジスタの動作点を制御することを特徴とする請求項2 0に記載の方法。 23.前記レギュレータが、前記増幅器の効率を高めるべく、前記増幅器のひと つ或いは複数のトランジスタの電圧を制御することを特徴とする請求項20に記 載の方法。 24.前記レギュレータが、前記増幅器内のひとつ或いは複数のMOSFETト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項23に 記載の方法。 25.前記レギュレータが、前記増幅器内のひとつ或いは複数のMESFETト ランジスタのドレイン・ソース間電圧を制御することを特徴とする請求項23に 記載の方法。 26.前記レギュレータが、前記増幅器内のひとつ或いは複数のバイポーラトラ ンジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を制御することを特徴とする請求項23に 記載の方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124715A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Nec Corp 高周波電力増幅器
JP2008284270A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc Rfコイル駆動回路およびmri装置
JP2016516353A (ja) * 2013-03-14 2016-06-02 クアンタンス, インコーポレイテッド 雑音調整を有するetシステム

Families Citing this family (129)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6148220A (en) 1997-04-25 2000-11-14 Triquint Semiconductor, Inc. Battery life extending technique for mobile wireless applications
US6339361B1 (en) * 1999-06-09 2002-01-15 Conexant Systems, Inc. Power amplifier driver system for wireless handset
JP3607855B2 (ja) * 1999-07-19 2005-01-05 シャープ株式会社 電力増幅器
JP2001094349A (ja) * 1999-08-31 2001-04-06 Samsung Electronics Co Ltd 携帯電話端末用電力増幅器
US6313705B1 (en) * 1999-12-20 2001-11-06 Rf Micro Devices, Inc. Bias network for high efficiency RF linear power amplifier
JP3474825B2 (ja) * 2000-03-13 2003-12-08 富士通カンタムデバイス株式会社 高周波電力増幅器および通信装置
JP4610697B2 (ja) * 2000-06-13 2011-01-12 パナソニック株式会社 送信電力制御方法及び無線通信装置
US6259324B1 (en) * 2000-06-23 2001-07-10 International Business Machines Corporation Active bias network circuit for radio frequency amplifier
US6351189B1 (en) * 2000-07-31 2002-02-26 Nokia Networks Oy System and method for auto-bias of an amplifier
US6734724B1 (en) * 2000-10-06 2004-05-11 Tropian, Inc. Power control and modulation of switched-mode power amplifiers with one or more stages
GB0028689D0 (en) * 2000-11-24 2001-01-10 Qualcomm Uk Ltd Amplifier circuit
US6760604B2 (en) * 2001-01-29 2004-07-06 Motorola, Inc. Portable radio transceiver having shared power source for audio and RF amplifiers
TW503345B (en) * 2001-03-26 2002-09-21 Mediatec Inc Power controller
JP3664990B2 (ja) * 2001-04-25 2005-06-29 株式会社東芝 高周波回路及び通信システム
EP1255352A1 (en) * 2001-05-03 2002-11-06 Media Tek Inc. Power controller
US6701138B2 (en) * 2001-06-11 2004-03-02 Rf Micro Devices, Inc. Power amplifier control
US6522202B2 (en) * 2001-06-12 2003-02-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Current controlled power amplifier
SE519243C2 (sv) * 2001-06-20 2003-02-04 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande och anordning för att minska en linjedrivares effektförbrukning
US6535066B1 (en) 2001-06-21 2003-03-18 Cisco Technology, Inc. Dynamic RF amplifier bias control for digital wireless communications devices
US6778018B2 (en) 2001-07-16 2004-08-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Linear power amplifier
US6724252B2 (en) * 2002-02-21 2004-04-20 Rf Micro Devices, Inc. Switched gain amplifier circuit
US6624702B1 (en) * 2002-04-05 2003-09-23 Rf Micro Devices, Inc. Automatic Vcc control for optimum power amplifier efficiency
US7110737B2 (en) * 2002-05-14 2006-09-19 Sony Corporation Audio equipment and control method of audio equipment
US6900697B1 (en) * 2002-05-31 2005-05-31 National Semiconductor Corporation Method and system for providing power management in a radio frequency power amplifier by dynamically adjusting supply and bias conditions
US6774718B2 (en) * 2002-07-19 2004-08-10 Micro Mobio Inc. Power amplifier module for wireless communication devices
US6977551B2 (en) * 2002-07-19 2005-12-20 Micro Mobio Dual band power amplifier module for wireless communication devices
US7493094B2 (en) * 2005-01-19 2009-02-17 Micro Mobio Corporation Multi-mode power amplifier module for wireless communication devices
US7071783B2 (en) * 2002-07-19 2006-07-04 Micro Mobio Corporation Temperature-compensated power sensing circuit for power amplifiers
US20040232982A1 (en) * 2002-07-19 2004-11-25 Ikuroh Ichitsubo RF front-end module for wireless communication devices
JP2004128599A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Ricoh Co Ltd 演算増幅器及び当該演算増幅器を用いたスピーカアンプ
US20040072554A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-15 Triquint Semiconductor, Inc. Automatic-bias amplifier circuit
US7010284B2 (en) 2002-11-06 2006-03-07 Triquint Semiconductor, Inc. Wireless communications device including power detector circuit coupled to sample signal at interior node of amplifier
US6701134B1 (en) 2002-11-05 2004-03-02 Rf Micro Devices, Inc. Increased dynamic range for power amplifiers used with polar modulation
DE10313868B4 (de) * 2003-03-21 2009-11-19 Siemens Ag Katheter zur magnetischen Navigation
CN1765063B (zh) 2003-03-27 2010-09-01 Nxp股份有限公司 发射机中的电力节省
US7184799B1 (en) 2003-05-14 2007-02-27 Marvell International Ltd. Method and apparatus for reducing wake up time of a powered down device
US6917244B2 (en) 2003-06-10 2005-07-12 Nokia Corporation Power control for a switching mode power amplifier
US7054597B2 (en) 2003-06-25 2006-05-30 Nokia Corporation Power control for a transmitter
DE10337444A1 (de) * 2003-08-14 2005-03-31 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur gleichzeitigen Übertragung von mindestens zwei Mobilfunksignalen
US6927627B2 (en) * 2003-09-22 2005-08-09 Motorola, Inc. Amplifier power control in frequency hopping applications and methods
JP2007508734A (ja) 2003-10-10 2007-04-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 送信機の省電力
US6888409B1 (en) * 2003-10-17 2005-05-03 Intel Corporation High efficiency RF power amplifier
US7015760B2 (en) * 2003-10-22 2006-03-21 Motorola, Inc. Amplifier control based on load impedance and methods
US7177370B2 (en) 2003-12-17 2007-02-13 Triquint Semiconductor, Inc. Method and architecture for dual-mode linear and saturated power amplifier operation
US20050205986A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Ikuroh Ichitsubo Module with integrated active substrate and passive substrate
GB2412797A (en) * 2004-04-02 2005-10-05 Motorola Inc RF power amplifier with feedback-controlled dc supply voltage
US7102442B2 (en) 2004-04-28 2006-09-05 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Wireless terminals, methods and computer program products with transmit power amplifier input power regulation
HUE029499T2 (en) * 2004-05-05 2017-02-28 Audera Acoustics Inc Speaker with built-in amplifier and audio frequency amplifier
US7109791B1 (en) 2004-07-09 2006-09-19 Rf Micro Devices, Inc. Tailored collector voltage to minimize variation in AM to PM distortion in a power amplifier
US7254371B2 (en) * 2004-08-16 2007-08-07 Micro-Mobio, Inc. Multi-port multi-band RF switch
KR100714165B1 (ko) * 2004-08-27 2007-05-02 삼성전자주식회사 이동 통신 단말에서의 전압 이득 제어 회로
JP4172589B2 (ja) * 2004-08-31 2008-10-29 シャープ株式会社 消費電力制御装置、高周波通信装置、消費電力制御方法および消費電力制御プログラム
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US7327803B2 (en) 2004-10-22 2008-02-05 Parkervision, Inc. Systems and methods for vector power amplification
US7190221B2 (en) * 2004-10-22 2007-03-13 Nokia Corporation Method and apparatus for maintaining constant linearity for a power amplifier over varying load conditions
US7389090B1 (en) 2004-10-25 2008-06-17 Micro Mobio, Inc. Diplexer circuit for wireless communication devices
US7262677B2 (en) * 2004-10-25 2007-08-28 Micro-Mobio, Inc. Frequency filtering circuit for wireless communication devices
US7221225B2 (en) 2004-12-03 2007-05-22 Micro-Mobio Dual band power amplifier module for wireless communication devices
US7580687B2 (en) * 2005-01-19 2009-08-25 Micro Mobio Corporation System-in-package wireless communication device comprising prepackaged power amplifier
US7084702B1 (en) * 2005-01-19 2006-08-01 Micro Mobio Corp. Multi-band power amplifier module for wireless communication devices
US7548111B2 (en) * 2005-01-19 2009-06-16 Micro Mobio Corporation Miniature dual band power amplifier with reserved pins
US7769355B2 (en) 2005-01-19 2010-08-03 Micro Mobio Corporation System-in-package wireless communication device comprising prepackaged power amplifier
US7248080B1 (en) 2005-02-24 2007-07-24 National Semiconductor Corporation Power supply switching at circuit block level to reduce integrated circuit input leakage currents
US7676239B1 (en) 2005-02-24 2010-03-09 National Semiconductor Corporation System and method for providing a power controller with flat amplitude and phase response
US7436243B1 (en) 2005-02-24 2008-10-14 National Semiconductor Corporation Integrated circuits with on-chip AC noise suppression
US7342387B1 (en) 2005-02-24 2008-03-11 National Semiconductor Corporation System and method for providing a highly efficient wide bandwidth power supply for a power amplifier
US7539467B1 (en) 2005-02-24 2009-05-26 National Semiconductor Corporation Low leakage IC input structures including slaved standby current shut-off and increased gain for tighter hysteresis
US7398101B2 (en) * 2005-03-01 2008-07-08 Micrel, Inc. Transmitter power level optimization and error correction technique
KR100697281B1 (ko) * 2005-03-17 2007-03-20 삼성전자주식회사 패키지 저항 변화에 따른 임피던스 부정합과 전압강하를방지할 수 있는 수신 방법 및 장치
US7352159B2 (en) * 2005-04-22 2008-04-01 Dell Products L.P. System and method for managing negative voltage in a power supply overvoltage failure event
US7362168B2 (en) * 2005-05-05 2008-04-22 Audera International Sales Inc. Audio amplifier
JP4750463B2 (ja) * 2005-05-11 2011-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波電力増幅器およびそれを用いた送信器および移動体通信端末
US7336127B2 (en) * 2005-06-10 2008-02-26 Rf Micro Devices, Inc. Doherty amplifier configuration for a collector controlled power amplifier
US7440731B2 (en) * 2005-07-27 2008-10-21 Freescale Semiconductor, Inc. Power amplifier with VSWR detection and correction feature
US20070063982A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Tran Bao Q Integrated rendering of sound and image on a display
US7330071B1 (en) 2005-10-19 2008-02-12 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency radio frequency power amplifier having an extended dynamic range
US9106316B2 (en) 2005-10-24 2015-08-11 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification
US8013675B2 (en) 2007-06-19 2011-09-06 Parkervision, Inc. Combiner-less multiple input single output (MISO) amplification with blended control
US7911272B2 (en) 2007-06-19 2011-03-22 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments
KR100644820B1 (ko) * 2005-10-24 2006-11-14 한국전자통신연구원 구동전압 제어 모듈
US7477204B2 (en) * 2005-12-30 2009-01-13 Micro-Mobio, Inc. Printed circuit board based smart antenna
CN100517995C (zh) * 2006-03-08 2009-07-22 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 无线收发系统
US7420421B1 (en) * 2006-03-16 2008-09-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Open-loop RF transmitter output power control for increased power efficiency
GB2438457B (en) * 2006-03-17 2011-09-14 Nujira Ltd Joint optimisation of supply and bias modulation
US7577409B2 (en) * 2006-04-17 2009-08-18 Tai-Her Yang Load-based voltage control wireless transmission system
US8031804B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion
US20070270111A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Broadcom Corporation Dual power mode transmitter
US7456693B2 (en) 2006-06-30 2008-11-25 Infineon Technologies Ag Regulation of an amplification apparatus
US20080003962A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Wai Lim Ngai Method and apparatus for providing adaptive supply voltage control of a power amplifier
KR100765790B1 (ko) * 2006-06-30 2007-10-12 삼성전자주식회사 모바일 기기의 가변 전원공급 장치 및 방법
US7477108B2 (en) * 2006-07-14 2009-01-13 Micro Mobio, Inc. Thermally distributed integrated power amplifier module
US20080032643A1 (en) * 2006-07-20 2008-02-07 Sierra Wireless, Inc. A Canadian Corp. Methods and apparatus for providing input voltages to power amplifiers
US7459969B2 (en) * 2006-08-11 2008-12-02 Broadcom Corporation Transmitter power amplifier working at different power supplies
US7860467B2 (en) 2006-08-29 2010-12-28 Broadcom Corporation Power control for a dual mode transmitter
US7679433B1 (en) 2007-02-02 2010-03-16 National Semiconductor Corporation Circuit and method for RF power amplifier power regulation and modulation envelope tracking
FI20075322A0 (fi) * 2007-05-07 2007-05-07 Nokia Corp Teholähteitä RF-tehovahvistimelle
US7868601B1 (en) 2007-06-15 2011-01-11 National Semiconductor Corporation System and method for controlling a regulator circuit for radio frequency power amplifier biases
EP2171873B1 (en) * 2007-06-28 2019-05-22 Nokia Technologies Oy Radiated power optimization for a mobile radio transmitter/receiver having an antenna
US8588727B2 (en) 2008-03-21 2013-11-19 Qualcomm Incorporated Adaptive linearity communication device
US8255009B2 (en) 2008-04-25 2012-08-28 Apple Inc. Radio frequency communications circuitry with power supply voltage and gain control
US8587268B1 (en) * 2008-06-18 2013-11-19 National Semiconductor Corporation System and method for providing an active current assist with analog bypass for a switcher circuit
US7944294B2 (en) * 2008-06-27 2011-05-17 Cambridge Silicon Radio Limited Signal amplification
US8995691B2 (en) * 2008-07-14 2015-03-31 Audera Acoustics Inc. Audio amplifier
WO2010007475A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Freescale Semiconductor, Inc. System for monitoring and controlling the power of a radio frequency (rf) signal in a short-range rf transmitter
US8522302B2 (en) * 2008-08-01 2013-08-27 Arris Enterprises, Inc. Adaptive power control for CATV systems
US8331883B2 (en) * 2008-10-30 2012-12-11 Apple Inc. Electronic devices with calibrated radio frequency communications circuitry
US8107903B2 (en) * 2008-11-07 2012-01-31 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency amplification circuit utilizing variable voltage generator
US8116703B2 (en) 2008-12-08 2012-02-14 Apple Inc. Wireless transmitter calibration using device receiver
US8258874B2 (en) * 2008-12-31 2012-09-04 Advanced Energy Industries, Inc. Dual-mode control of a power generator
US8165642B2 (en) * 2009-05-13 2012-04-24 Apple Inc. Electronic device with data-rate-dependent power amplifier bias
TWI482429B (zh) * 2009-07-03 2015-04-21 Chi Mei Comm Systems Inc 無線通訊裝置及其功放效率控制模組
JP2011172206A (ja) * 2010-01-21 2011-09-01 Panasonic Corp 高周波電力増幅器及びそれを備える無線通信装置
JP2011160031A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Ricoh Co Ltd 音声音楽再生装置
US8362649B2 (en) 2010-06-18 2013-01-29 R2 Semiconductor, Inc. Multi-use voltage regulator
CN101938258B (zh) 2010-08-27 2013-06-05 华为终端有限公司 一种控制射频功率放大器发射信号的方法和装置
US8913970B2 (en) 2010-09-21 2014-12-16 Apple Inc. Wireless transceiver with amplifier bias adjusted based on modulation scheme
CN102420711B (zh) * 2010-09-28 2014-04-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 网络通信设备及其侦测负载异常的方法
US8738066B2 (en) 2010-10-07 2014-05-27 Apple Inc. Wireless transceiver with amplifier bias adjusted based on modulation scheme and transmit power feedback
TWI450509B (zh) * 2010-10-07 2014-08-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 網路通訊設備及其偵測負載異常的方法
TWI430565B (zh) * 2010-12-10 2014-03-11 Novatek Microelectronics Corp 可調適放大電路
CN102158078B (zh) * 2011-01-21 2014-01-01 华为终端有限公司 一种功放供电电路及终端
US8538357B2 (en) * 2011-01-27 2013-09-17 Rf Micro Devices, Inc. Switchable VRAMP limiter
US8269558B1 (en) 2011-03-01 2012-09-18 National Semiconductor Corporation Power supply controller for a multi-gain step RF power amplifier
KR20140026458A (ko) 2011-04-08 2014-03-05 파커비전, 인크. Rf 전력 송신, 변조 및 증폭 시스템들 및 방법들
KR20140034895A (ko) 2011-06-02 2014-03-20 파커비전, 인크. 안테나 제어
US8937987B2 (en) 2011-07-29 2015-01-20 Google Technology Holdings LLC Pulse frequency modulation (PFM) mode lock out for regulators when receive signal quality is low
GB2517496A (en) * 2013-08-23 2015-02-25 Nujira Ltd Optimisation of envelope tracked power amplifier
CN106415435B (zh) 2013-09-17 2020-08-11 帕克维辛股份有限公司 用于呈现信息承载时间函数的方法、装置和系统
US9602056B2 (en) * 2014-09-19 2017-03-21 Skyworks Solutions, Inc. Amplifier with base current reuse

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3109992A (en) 1958-01-23 1963-11-05 Collins Radio Co Temperature-stabilized and distortionless diode detector
US3274505A (en) 1964-02-28 1966-09-20 Tektronix Inc Series transistor circuit with selectively coupled stages
US3374442A (en) 1965-09-30 1968-03-19 Avco Corp Bias control circuit
GB1467057A (en) 1973-05-24 1977-03-16 Rca Corp Amplifier with over-current protection
US4442407A (en) 1982-06-11 1984-04-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Two loop automatic level control for power amplifier
US4523155A (en) 1983-05-04 1985-06-11 Motorola, Inc. Temperature compensated automatic output control circuitry for RF signal power amplifiers with wide dynamic range
US4578648A (en) 1984-04-16 1986-03-25 Werrbach Donn R Dynamic verification gate circuit
US4636741A (en) 1985-11-01 1987-01-13 Motorola, Inc. Multi-level power amplifying circuitry for portable radio transceivers
CA1266707A (en) 1985-12-16 1990-03-13 Steve S. Yang Method of calibrating and equalizing a multi-channel automatic gain control amplifier
US4760347A (en) * 1987-01-20 1988-07-26 Novatel Communications Ltd. Controlled-output amplifier and power detector therefor
JPH02285817A (ja) * 1989-04-27 1990-11-26 Nec Corp 無線送信機
CA2035455C (en) * 1989-06-30 1995-08-22 Kouji Chiba Linear transmitter
US4994757A (en) * 1989-11-01 1991-02-19 Motorola, Inc. Efficiency improvement of power amplifiers
US5446756A (en) * 1990-03-19 1995-08-29 Celsat America, Inc. Integrated cellular communications system
US5126688A (en) 1990-03-20 1992-06-30 Oki Electric Co., Ltd. Power amplifying apparatus for wireless transmitter
US5182527A (en) * 1990-03-30 1993-01-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Power amplifying apparatus for wireless transmitter
US5030922A (en) 1990-04-03 1991-07-09 Thomson Consumer Electronics, Inc. Supply current compensation circuitry
US5081425A (en) 1990-05-24 1992-01-14 E-Systems, Inc. Vswr adaptive power amplifier system
JPH0440105A (ja) 1990-06-06 1992-02-10 Oki Electric Ind Co Ltd 線形化増幅回路
JPH07118617B2 (ja) 1990-07-19 1995-12-18 沖電気工業株式会社 電力増幅装置及び送信装置
US5129098A (en) * 1990-09-24 1992-07-07 Novatel Communication Ltd. Radio telephone using received signal strength in controlling transmission power
KR960000775B1 (ko) 1990-10-19 1996-01-12 닛본덴기 가부시끼가이샤 고주파 전력 증폭기의 출력레벨 제어회로
US5204613A (en) 1991-05-02 1993-04-20 Wavetek Microwave, Inc. Rf power sensor having improved linearity over greater dynamic range
TW225619B (ja) * 1991-07-19 1994-06-21 Nippon Electric Co
US5192919A (en) * 1991-10-03 1993-03-09 Motorola, Inc. Transmitter having a temperature adjusted power amplifier
US5311143A (en) 1992-07-02 1994-05-10 Motorola, Inc. RF amplifier bias control method and apparatus
US5404586A (en) * 1992-09-29 1995-04-04 Fujitsu Ltd. Transmitter having automatic power controller
AU5667194A (en) 1992-11-10 1994-06-08 Motorola, Inc. Switching regulator and amplifier system
JP3325348B2 (ja) * 1992-12-28 2002-09-17 株式会社東芝 電力増幅装置
JPH06334541A (ja) 1993-05-25 1994-12-02 Sony Corp 無線送信機
US5381115A (en) 1993-08-30 1995-01-10 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for regulating output power of signal amplifier
CA2135816C (en) * 1993-11-19 2000-02-15 Takashi Enoki Transmission circuit with improved gain control loop
IT1272933B (it) 1994-01-28 1997-07-01 Fujitsu Ltd Dispositivo a circuito integrato di semiconduttore
US5640691A (en) * 1994-12-19 1997-06-17 Lucent Technologies Inc. Power controller for RF transmitters
US5559471A (en) * 1994-12-21 1996-09-24 Motorola, Inc. Amplifier and biasing circuit therefor
JPH08204587A (ja) * 1995-01-23 1996-08-09 Fujitsu Ltd 携帯電話機
US5608353A (en) 1995-03-29 1997-03-04 Rf Micro Devices, Inc. HBT power amplifier
US5678209A (en) * 1995-03-31 1997-10-14 Lucent Technologies Inc. Transmit power level detection circuit with enhanced gain characteristics
IL117831A0 (en) * 1995-04-21 1996-08-04 Qualcomm Inc Temperature compensated automatic gain control
US5689815A (en) * 1995-05-04 1997-11-18 Oki Telecom, Inc. Saturation prevention system for radio telephone with open and closed loop power control systems
FI101505B (fi) 1995-05-10 1998-06-30 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi p ienillä tehotasoilla
US5613229A (en) * 1995-05-17 1997-03-18 Motorola, Inc. Voltage and current mode power regulator
US5834977A (en) 1995-10-31 1998-11-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Amplifying circuit with power supply switching circuit
JPH09260957A (ja) 1996-01-18 1997-10-03 Fujitsu Ltd 半導体増幅回路
US5710519A (en) 1996-03-29 1998-01-20 Spectrian Circuit for automatically biasing RF power transistor by use of on-chip temperature-sensing transistor
US5892397A (en) 1996-03-29 1999-04-06 Spectrian Adaptive compensation of RF amplifier distortion by injecting predistortion signal derived from respectively different functions of input signal amplitude
JPH1022756A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Mitsubishi Electric Corp 無線送信機およびその送信制御方法
US5777519A (en) 1996-07-18 1998-07-07 Simopoulos; Anastasios V. High efficiency power amplifier
US5757237A (en) 1996-08-28 1998-05-26 Motorola, Inc. Method for dynamically biasing an amplifier and circuit therefor
JPH10163772A (ja) 1996-10-04 1998-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 電力増幅器およびチップキャリヤ
US5892403A (en) 1997-03-18 1999-04-06 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Power interface circuit for a TDMA transmitter
US6148220A (en) 1997-04-25 2000-11-14 Triquint Semiconductor, Inc. Battery life extending technique for mobile wireless applications
US6121842A (en) 1997-05-21 2000-09-19 Raytheon Company Cascode amplifier
DE19732437C1 (de) 1997-07-28 1998-12-24 Siemens Ag Transistor-Verstärkerstufe
US5892396A (en) 1997-07-31 1999-04-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling gain of a power amplifier
US6052020A (en) 1997-09-10 2000-04-18 Intel Corporation Low supply voltage sub-bandgap reference
US5990751A (en) 1997-10-16 1999-11-23 Nikon Corporation Method and apparatus for improving power transfer efficiency of an amplifier system
US6163706A (en) 1997-11-18 2000-12-19 Conexant Systems, Inc. Apparatus for and method of improving efficiency of transceivers in radio products
US6049703A (en) 1997-11-28 2000-04-11 Motorola, Inc. Amplifier circuit and method for increasing linearity of the amplifier circuit
KR100272508B1 (ko) 1997-12-12 2000-11-15 김영환 내부전압(vdd) 발생회로
JPH11251849A (ja) 1998-03-04 1999-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
US6064269A (en) 1998-07-31 2000-05-16 Motorola, Inc. Power amplifier with variable input voltage source
US6150872A (en) 1998-08-28 2000-11-21 Lucent Technologies Inc. CMOS bandgap voltage reference
US6239658B1 (en) 1999-08-20 2001-05-29 Prominent Communications Inc. Power consumption control for low noise amplifier
US6242983B1 (en) 1999-11-15 2001-06-05 Industrial Technology Research Institute Control circuit of variable current source in programmable gain amplifier
US6265943B1 (en) 2000-01-27 2001-07-24 Rf Micro Devices, Inc. Integrated RF power sensor that compensates for bias changes
US6362605B1 (en) 2000-08-24 2002-03-26 Sigmatel, Inc. Method and apparatus for providing power to an integrated circuit
US6624702B1 (en) 2002-04-05 2003-09-23 Rf Micro Devices, Inc. Automatic Vcc control for optimum power amplifier efficiency

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124715A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Nec Corp 高周波電力増幅器
JP2008284270A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc Rfコイル駆動回路およびmri装置
JP2016516353A (ja) * 2013-03-14 2016-06-02 クアンタンス, インコーポレイテッド 雑音調整を有するetシステム

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