TWI430565B - 可調適放大電路 - Google Patents
可調適放大電路 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI430565B TWI430565B TW99143270A TW99143270A TWI430565B TW I430565 B TWI430565 B TW I430565B TW 99143270 A TW99143270 A TW 99143270A TW 99143270 A TW99143270 A TW 99143270A TW I430565 B TWI430565 B TW I430565B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- current
- voltage
- bias
- analog
- circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/45632—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45244—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier contains one or more explicit bias circuits, e.g. to bias the tail current sources, to bias the load transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45248—Indexing scheme relating to differential amplifiers the dif amp being designed for improving the slew rate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
本發明係指一種放大電路,尤指一種具可適性控制偏壓電流的可調適放大電路。
運算放大器是各種電子電路中一個重要的電路組成元件。電路設計者常可使用運算放大器來實現許多種不同的運作功能。例如,在液晶顯示器之驅動電路中,運算放大器可被應用為一輸出緩衝器,其依據前級數位至類比轉換器所輸出之類比訊號,對負載(即液晶)進行充放電,以驅動液晶顯示器上相對應的畫素單元。然而,隨著液晶顯示器尺寸及解析度的提高,液晶顯示器的驅動電路每單位時間所輸出的資料量也越來越多,因此運算放大器的反應速度,即迴轉率(Slew Rate)也必須大幅地提高。
一般來說,運算放大器通常為三級結構電路,主要包含有一輸入級電路、一增益級電路及一輸出級電路。輸入級電路係用來提高運算放大器之輸入阻抗,增益級係用來提高運算放大器的增益,而輸出級電路則用來推動運算放大器所連接的電容性或是電阻性負載。由於傳統運算放大器具有迴路穩定度不足的問題,習知運算放大器會藉由米勒補償(Miller Compensation)電容進行頻率補償,以達到穩定迴路的效果。此外,為了能推動外部負載,輸出級電路之驅動電流通常會大於輸入級電路之偏壓電流,如此一來,當習知運算放大器在驅動重負載時,迴轉率往往會被輸入級電路之偏壓電流所影響,而使驅動能力受到限制。
一般來說,運算放大器的反應速度(迴轉率)取決於運算放大器內部輸入級電路之偏壓電流與輸出級電路之驅動能力,通常可藉由下列迴轉率方程式表示:迴轉率。其中,I為偏壓電流,C為內部電容之大小,而ΔV則代表運算放大器所輸出之電壓變化。也就是說,運算放大器的反應速度係由輸入級電路之偏壓電流對運算放大器之內部電容的充放電速度決定。當偏壓電流越大時,其對內部電容之充放電的速度相對越快,而運算放大器的反應速度也就越快。因此,習知技術通常會藉由增加輸入級電路之偏壓電流,來提升運算放大器內部的迴轉率,以加快運算放大器驅動速度。
進一步說明,習知技術主要係於運算放大器每次操作時,固定會在一固定期間內加強其偏壓電流的大小,以加快運算放大器的反應速度。然而,由於製程、電壓及溫度(簡稱PVT)變化的影響,在實際應用時,同一運算放大器在不同的操作環境中,甚至於不同的運算放大器,其迴轉率提升的程度並非相同。在此情況下,這種固定期間內加強偏壓電流之方式,會導致許多問題。
舉例而言,對於內部電容相對較小的運算放大器來說,即便內部電容已儲存了足夠之電荷,經加強之偏壓電流仍會被繼續提供至運算放大器,而徒使經加強之偏壓電流虛耗至固定期間結束為止,結果消耗許多額外的功率,對於需要省電的電子裝置來說相當不利。相對地,對於內部電容較大的運算放大器來說,若僅提供固定期間之加強偏壓電流,卻會因為無法提供夠多的電荷,使迴轉率提升效果不佳,結果反到造成驅動能力不足的現象。
綜上所述,習知技術透過於固定期間內加強偏壓電流,來提升迴轉率的方式,實際上無法因應不同的操作環境及裝置需求而做適當的操作調整。
於此揭露一種可調適放大電路,其可調適地調整偏壓電流之大小,以使整體系統性改善甚至能達到最佳化。
本發明係揭露一種可調適放大電路,包含有一運算放大器、一模擬單元及一偏壓控制單元。該運算放大器包括一可變偏壓電流源,用以提供一可變偏壓電流供該運算放大器使用。該模擬單元用以模擬該運算放大器之一操作特性,而將一模擬輸入電壓轉換為一模擬輸出電壓。該偏壓控制單元用來依據該模擬輸出電壓來產生一偏壓控制訊號至該可變偏壓電流源,以調整該可變偏壓電流的大小。
本發明係另揭露一種可調適放大電路,包含有一運算放大器、一模擬單元及一偏壓控制單元。該運算放大器包括一可變偏壓電流源,用以提供一可變偏壓電流供該運算放大器使用。該模擬單元用以模擬該運算放大器之一充電特性與一放電特性當中至少之一者,而將一模擬輸入電壓轉換為一模擬輸出電壓。該偏壓控制單元包含有一參考電壓產生單元、一比較器以及一偏壓產生單元。該參考電壓產生單元用來產生一參考電壓。該比較器用來比較該模擬輸出電壓與該參考電壓,以產生一比較訊號。該偏壓產生單元用來根據該比較訊號,產生一偏壓控制訊號至該可變偏壓電流,以調整該可變偏壓電流的大小。
請參考第1圖,第1圖為本發明實施例之一放大電路10之示意圖。放大電路10包含有一模擬單元102、一偏壓控制單元104及一運算放大器106。其中運算放大器106包括一可變偏壓電流源108,用以提供一可變偏壓電流IS供運算放大器106使用。此可變偏壓電流源IS可供運算放大器106之各級使用,較佳係至少流經運算放大器106之一輸入級。運算放大器106可為任何類型之運算放大器,譬如為一軌對軌(Rail-to-rail)放大器,但不以此為限。模擬單元102與偏壓控制單元104則可偕同操作,以針對運算放大器106之類型與所應用之操作環境,彈性地施予可變偏壓電流源108較佳或甚至最佳化之偏壓。
具體言之,模擬單元102為運算放大器106之一模型電路或等效電路,此模型電路能夠模擬出運算放大器106之操作特性。模擬單元102可配置來接收一模擬輸入電壓VI’,並將模擬輸入電壓VI’轉換為一模擬輸出電壓VS。較佳地,模擬運算放大器106係模擬運算放大器106充電特性與放電特性當中至少之一者,所以模擬輸出電壓VS能夠反應出運算放大器106於充電或放電上之操作情況。
偏壓控制單元104則配置來接收模擬輸出電壓VS,並據以產生一偏壓控制訊號SIC至該可變偏壓電流源108,以調整該可變偏壓電流IS的大小。較佳地,偏壓控制單元104可同時依據模擬輸出電壓VS之位準以及一參考電壓VR來決定偏壓控制訊號SIC。此參考電壓VR之位準係取決於運算放大器106所應用之操作環境,譬如是依據於運算放大器106所驅動之一負載裝置(未顯示)內之一或多個電壓節點來決定。由於模擬輸出電壓VS之位準以及參考電壓VR之位準分別反應出運算放大器106本身之操作電性與所應用之操作環境,偏壓控制單元104因此能夠依據運算放大器106在所應用之操作環境下之操作反應,對於供應至運算放大器106之偏壓電流予以調整。
值得注意的是,模擬輸入電壓VI’之大小較佳為等於運算放大器106之輸入電壓VI大小,但不以此為限。不同之模擬單元102與偏壓控制單元104可搭配不同之模擬輸入電壓VI’來操作。只要模擬單元102能夠將所接收之模擬輸入電壓VI’轉換為適當的模擬輸出電壓VS以模擬出運算放大器106之操作電性即可。
第1圖亦顯示出偏壓控制單元104之一細部結構之一較佳實施例。於此實施例中,偏壓控制單元104係配置為將模擬輸出電壓VS之位準與參考電壓VR來比較,以依據比較結果來產生偏壓控制訊號SIC。如圖所示,偏壓控制單元104係包括一參考電壓產生單元110、一比較器112、一偏壓產生單元114。
參考電壓產生單元110用來產生一參考電壓VR,此參考電壓VR較佳是能夠反應出放大電路100所應用之操作環境,譬如可以是運算放大器106之輸出電壓所設定達到的位準,或是可依據放大電路10之應用場合來設定其位準。換言之,參考電壓VR之位準值通常是可取決於運算放大器106所驅動之一負載裝置(未顯示)內之任何單一或多個電壓點,諸如電源電壓點或任何系統應用電壓點。
比較器112則用來比較模擬輸出電壓VS與參考電壓VR,以產生一比較訊號SC。舉例來說,如第1圖所示,比較器包含有一第一輸入端,用來接收模擬輸出電壓VS,一第二輸入端,用來接收參考電壓VR,以及一第一輸出端,用來輸出比較訊號SC。最後,偏壓產生單元114可用來根據比較訊號SC,產生一偏壓控制訊號SIC至運算放大器106,以調整可變偏壓電流IS的大小。
於較佳之實施例中,當模擬輸出電壓VS小於參考電壓VR時,偏壓產生單元114根據比較訊號SC產生相對應之偏壓控制訊號SIC,使可變偏壓電流源108據以增加可變偏壓電流IS之大小。反之,於模擬輸出電壓VS大於參考電壓VR時,偏壓產生單元114產生相對應之偏壓控制訊號SIC,使可變偏壓電流源108據以降低可變偏壓電流IS之大小。如此一來,偏壓產生單元114可於需要提昇運算放大器106之電路反應速度時,確實地提升可變偏壓電流IS之大小,並於不再需要提昇運算放大器106之電路反應速度時,適時地降低可變偏壓電流IS之大小,從而避免不必要的電流功率消耗。須注意的是,上述方式僅為一較佳實施例,偏壓產生單元114設計上可不限於此。各種依據比較訊號SC以調整可變偏壓電流IS之方式皆可實施,亦可採連續式調整或階段式調整等等,只要偏壓產生單元114依據比較訊號SC,能夠控制可變偏壓電流源108適當地可變偏壓電流IS之大小即可。
經由上述之配置,放大電路10可透過模擬單元102產生模擬輸出電壓VS至比較器112,進而根據比較器112之比較結果,使偏壓產生單元114控制提供至運算放大器106之偏壓電流大小。結果,放大電路10能夠因應運算放大器106之類型及操作環境而適當地操控供應至運算放大器之偏壓電流。
相較於習知技術發生為求迴轉率提升而盲目地於固定時間內加強運算放大器之偏壓電流,以致發生驅動能力不足或是功率消耗過高的問題,第1圖所示之實施例藉由模擬運算放大器106在不同應用下相對應之充電特性或放電特性,以因應各種操作狀況來適當地調整運算放大器的偏壓電流,故可在達到迴轉率提升的目的之餘,又解決習知技術之驅動能力不足或功率消耗過大之問題。
值得注意的是,第1圖所示之偏壓控制單元104之細部結構係僅為之一較佳實施例。於其他實施例中,可利用不同之電路結構,亦可實現出同時依據該模擬輸出電壓以及該參考電壓來適當產生偏壓控制訊號之作用。
進一步說明,請參考第2A圖,第2A圖為第1圖中之模擬單元102之一實施例示意圖,其中模擬單元102主要用於模擬運算放大器106之充電特性。模擬單元102含有一第一電壓轉電流電路202及一模擬電容CS。第一電壓轉電流電路202用來將模擬輸入電壓VI’轉換成一第一電流I1。舉例來說,請參考第3A圖,第3A圖為第2A圖中之第一電壓轉電流電路202之一實施例示意圖。如第3A圖所示,第一電壓轉電流電路202可以由一電晶體M來實現,譬如為P型金氧半場效電晶體,其汲極、源極分別耦皆於一電源端VCC與模擬電容CS。如此一來,當模擬輸入電壓VI’偏壓在電晶體M之閘極後,所產生之第一電流I1可提供模擬電容CS充電。請繼續參考第2A圖,模擬電容CS包含有一第一端,耦接於第一電壓轉電流電路202與比較器112,及一第二端耦接於參考電位端VSS,在此情況下,模擬電容CS可藉由第一電流I1進行充電,並產生模擬輸出電壓VS至比較器112之第一輸入端。換言之,當第一電流I1對模擬電容CS進行充電時,模擬輸出電壓VS會逐漸上升,直到模擬電容CS已儲存足夠之電荷。
較佳地,在模擬單元102中,模擬電容CS之電容值等於運算放大器106之內部電容之等效電容值大小。在此情況下,若模擬單元102與運算放大器106皆經由相同的偏壓大小來進行操作,則第一電流I1對模擬電容CS所進行的充電操作,也相當於運算放大器106所進行的相關操作,亦即模擬單元102之運作等同運算放大器106對其內部電容進行充電時之模擬對應操作。因此,模擬單元102之運作,可做為運算放大器106內部充電狀況之評估依據。
須注意的是,於其他實施例中,模擬電容CS之電容值亦可再考慮負載電容值或其於外部電容值。更甚者,模擬電容CS之電容值可以具備任何電容值,只要該電容值之充放電特性能夠模擬出運算放大器106之充電及/或放電特性即可。
以下將針對第2A與3A圖所示之模擬單元102之範例結構,來對放大電路10之實際操作情況進行說明。於實際操作時,當第一電流I1對模擬電容CS進行充電時,模擬輸出電壓VS之位準將逐漸上升。在模擬輸出電壓VS逐漸改變位準之期間,若模擬輸出電壓VS小於參考電壓VR時,偏壓產生單元114則可根據比較訊號SC,可產生相對應之偏壓控制訊號SIC,使可變偏壓電流源108據以提升可變偏壓電流IS之大小至運算放大器106;反之,當模擬輸出電壓VS大於參考電壓VR時,偏壓產生單元114可產生相對應之偏壓控制訊號SIC,使可變偏壓電流源108據以降低可變偏壓電流IS之大小至運算放大器106。換言之,透過模擬單元102的運作,可以模擬監測運算放大器106之操作反應。進而協同比較器112的操作,就能確實依據運算放大器106之狀態,動態控制偏壓電流的供應。結果能夠準確地掌握運算放大器106之偏壓電流的調整時機。
值得注意的是,第2A圖與第3A圖所示之實施例係以模擬單元102模擬運算放大器106之充電特性為例,然可類推至模擬放電特性之其他實施例。譬如請參考第2B與3B圖,其中模擬單元102係改為模擬運算放大器106之放電特性。類似地,模擬單元102含有一第一電壓轉電流電路202’及一模擬電容CS’。第一電壓轉電流電路202’用來將模擬輸入電壓VI’轉換成一第一電流I1’,譬如可以第3B圖之實施例所示之電晶體M’(可為N型金氧半場效電晶體)來實現。模擬電容CS’則耦接於第一電壓轉電流電路202’與參考電位端VDD之間,以藉由第一電流I1’進行充電,並產生模擬輸出電壓VS。其餘細節可由第2A圖與第3A圖之細節類推,在此不再多作贅述。
此外,亦須注意的是,第2A-2B與第3A-3B之實施例係以模擬單元102含有一第一電壓轉電流電路及一模擬電容來舉例說明。然而,於其他實施例中,模擬單元102亦可為與運算放大器106相同或相似之一實體電路,或是與運算放大器106具備相同或類似充/放電特性之等效電路。此外,模擬單元102甚至可再加入負載電容或其他外部電容。更甚者,模擬單元102可以為可模擬出運算放大器106之充/放電狀況之任何結構之電路。綜合言之,只要模擬單元102能夠模擬出運算放大器106之如充電及/或放電之類的電性特徵即可。此外,第2A與2B圖中之第一電壓轉電流電路202除了可以如第3A-3B圖所示之電晶體形式實現外,亦可使用更多電晶體,或任何其餘類型之偏壓電流源,或任何可將電壓訊號形式轉換成電流訊號形式之裝置來實現。
請參考第4圖,第4圖為第1圖中之參考電壓產生單元110之一實施例示意圖。於此實施例中,參考電壓產生單元110係可依據一資料比較訊號SD來調整參考電壓VR之位準值。如第4圖所示,參考電壓產生單元110包含一電壓產生器402及一多工器404。電壓產生器402用來產生預設參考電壓V1~Vn(其中n為一正整數)。多工器404則用來根據資料比較訊號SD,由預設參考電壓V1~Vn中切換選擇出參考電壓VR,以提供至比較器112。
預設參考電壓V1~Vn之位準值可依據放大電路10之操作環境而決定,譬如可取決於運算放大器106所驅動之一負載裝置中之一或多個電壓點。舉例而言,在應用於液晶顯示裝置之場合中,預設參考電壓V1~Vn可分別為液晶顯示裝置中對應於特定灰階之伽瑪電壓。由於各像素每次所顯示的灰階係對應於影像資料的灰階,在此情況下,針對每一像素而言,資料比較訊號SD即為液晶顯示裝置之時序控制器所輸出之資料控制訊號。因此,電壓產生器402可根據資料比較訊號SD,切換選擇出相對應預設參考電壓作為參考電壓VR,而所選擇到之預設參考電壓之電壓值大小即等於該像素所欲顯示灰階的伽瑪電壓值。
此外,參考電壓VR之調整時機更可依據不同之設計要求來決定,以對運算放大器106之驅動能力達成較為粗略或較為精細的調整。於一粗略調整之實施例中,考慮到不同類液晶顯示裝置之伽碼電壓具有一特定範圍,因此可設計僅就選擇出一個參考電壓供同一液晶顯示裝置使用。於另一精細調整之實施例中,同一種顯示面板之畫素之伽碼電壓之值為動態變化,因此可動態地、即時地為同一液晶顯示裝置選擇出不同之參考電壓VR。如此一來,參考電壓產生單元110將可調變出最適切的參考電壓VR。
值得注意的是,第4圖所示之電路結構僅為一實施例,然有其他種種不同之電路結構皆可用來實現參考電壓產生單元110。通常可設計參考電壓產生單元110根據運算放大器106所驅動之一負載裝置之相關電壓點資料來調整參考電壓VR之位準。
請參考第5圖,第5圖為第1圖中之偏壓產生單元114之一實施例示意圖。偏壓產生單元114包含有一第二電壓轉電流單元502、一電流運算單元504及一偏壓控制電路506。第二電壓轉電流單元502用來將比較訊號SC轉換成一第二電流I2。第二電壓轉電流電路202可由一至多個電晶體所構成之偏壓電流源,或任何其餘類型之偏壓電流源,或任何可將電壓訊號形式轉換成電流訊號形式之裝置來實現。電流運算單元504用來根據第二電流I2,運算產生一運算電流IP。電流運算單元504較佳地為一電流鏡電路,用來將對第二電流I2進行鏡射、有無權重之相加、相減、電流合成或是其他相關的電流運算處理,但不以此為限。偏壓控制電路506用來根據運算電流IP,產生偏壓控制訊號SIC。
在此配置下,當模擬輸出電壓VS小於參考電壓VR時,第二電壓轉電流單元502將電壓形式之比較訊號SC轉換成第二電流I2後,電流運算單元504再根據第二電流I2,運算產生運算電流IP。偏壓控制電路506再據以產生偏壓控制訊號SIC,以增加可變偏壓電流IS之大小。類似地,當模擬輸出電壓VS大於參考電壓VR時,偏壓控制電路506則產生相對應之偏壓控制訊號SIC,以降低可變偏壓電流IS之大小。
值得注意的是,第5圖之偏壓產生單元114僅係作一說明用途之實施例,而不限於此。舉例來說,於其他實施例中,偏壓控制電路506亦可為可變偏壓電流源108之一部分。也就是說,偏壓控制電路506由可變偏壓電流源108來實現,偏壓產生單元114僅包含有第二電壓轉電流單元502及電流運算單元504。舉例而言,若電流運算單元504實施為一電流鏡電路,並耦接於可變偏壓電流源108,亦即兩者間呈現電流鏡射之關係,則運算電流IP可被直接複製到可變偏壓電流源108以改變可變偏壓電流IS之大小。在其他更多實施例中,可利用各種不同類型之電路來實施偏壓產生單元114,只要偏壓產生單元114能夠依據比較器112所產生之比較訊號SC來產生可用於控制可變偏壓電流源108之偏壓控制訊號SIC即可。
綜上所述,上述實施例之放大電路10透過模擬單元102之運作來提供運算放大器106內部充電或放電狀況之評估依據,而能因應運算放大器106之類型及操作環境的變化而適當地操控供應至運算放大器106之偏壓電流。換句話說,上述實施例能配合運算放大器所應用之場合,可調適地調整運算放大器106之偏壓電流之供給。如此一來,在達到迴轉率提升的優點之餘,又可適切地利用電荷,不消耗多餘之功率,並能解決驅動動能力不足的問題,結果系統整體性能可達到改善或最佳化。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10...放大電路
102...模擬單元
104...偏壓控制單元
106...運算放大器
108...可變偏壓電流源
110...參考電壓產生單元
112...比較器
114...偏壓產生單元
202、202’...第一電壓轉電流電路
402...電壓產生器
404...多工器
502...第二電壓轉電流單元
504...電流運算單元
506...偏壓控制電路
CS、CS’...模擬電容
I1、I1’...第一電流
I2...第二電流
IP...運算電流
IS...可變偏壓電流
SC...比較訊號
SD...資料比較訊號
SIC...偏壓控制訊號
V1~Vn...預設參考電壓
VI...輸入電壓
VI’...模擬輸入電壓
VR...參考電壓
VS...模擬輸出電壓
第1圖為本發明實施例之一放大電路之示意圖。
第2A及2B圖分別為第1圖中之模擬單元之一實施例示意圖。
第3A及3B圖分別為第2A及2B圖中之第一電壓轉電流電路之一實施例示意圖。
第4圖為第1圖中之參考電壓產生單元之一實施例示意圖。
第5圖為第1圖中之偏壓產生單元之一實施例示意圖。
10...放大電路
102...模擬單元
104...偏壓控制單元
106...運算放大器
108...可變偏壓電流源
110...參考電壓產生單元
112...比較器
114...偏壓產生單元
IS...可變偏壓電流
SC...比較訊號
SIC...偏壓控制訊號
VI...輸入電壓
VI’...模擬輸入電壓
VR...參考電壓
VS...模擬輸出電壓
Claims (17)
- 一種可調適放大電路,包含有:一運算放大器,其包括一可變偏壓電流源,用以提供一可變偏壓電流供該運算放大器使用;一模擬單元,其用以模擬該運算放大器之一操作特性,而將一模擬輸入電壓轉換為可反應出所模擬之該運算放大器之該操作特性之一模擬輸出電壓;一偏壓控制單元,用來依據該模擬輸出電壓來產生一偏壓控制訊號至該可變偏壓電流源,以調整該可變偏壓電流的大小。
- 如請求項1所述之可調適放大電路,其中該運算放大器之該操作特性係包括一充電特性與一放電特性當中至少之一者。
- 如請求項1所述之可調適放大電路,其中該模擬單元係包括該運算放大器之一等效電路與一實體電路當中之一者。
- 如請求項1所述之可調適放大電路,其中該模擬單元係包含有:一第一電壓轉電流電路,用來將該模擬輸入電壓轉換成一第一電流;以及一模擬電容,耦接於該第一電壓轉電流電路與一參考電位端之間,用於產生該模擬輸出電壓。
- 如請求項4所述之可調適放大電路,其中該模擬電容之電容值係 實質上等於該運算放大器之內部電容之等效電容值。
- 如請求項1所述之可調適放大電路,其中該偏壓控制單元係更依據一參考電壓來產生該偏壓控制訊號,其中該參考電壓係取決於該運算放大器所驅動之一負載裝置內之至少一電壓節點。
- 如請求項1所述之可調適放大電路,其中該偏壓控制單元包含有:一參考電壓產生單元,用來產生一參考電壓;以及一比較器,用來比較該模擬輸出電壓與該參考電壓,以產生一比較訊號;以及一偏壓產生單元,用來根據該比較訊號,產生該偏壓控制訊號至該可變偏壓電流源,以調整該可變偏壓電流的大小。
- 如請求項7所述之可調適放大電路,其中該參考電壓產生單元係依據一資料比較訊號來產生不同位準之參考電壓。
- 如請求項7所述之可調適放大電路,其中該參考電壓產生單元包含有:一電壓產生器,用來產生複數個預設參考電壓;以及一多工器,用來根據一資料比較訊號,由該複數個預設參考電壓中切換選擇出該參考電壓。
- 如請求項9所述之可調適放大電路,其中該複數個預設參考電壓 係分別為一液晶顯示裝置之伽瑪電壓。
- 如請求項7所述之可調適放大電路,其中於該模擬輸出電壓小於該參考電壓時,該偏壓產生單元根據該比較訊號來產生該偏壓控制訊號以增加該可變偏壓電流。
- 如請求項7所述之可調適放大電路,其中於該模擬輸出電壓大於該參考電壓時,該偏壓產生單元根據該比較訊號來產生該偏壓控制訊號以降低該可變偏壓電流。
- 如請求項7所述之可調適放大電路,其中該偏壓產生單元包含有:一第二電壓轉電流單元,用來將該控制訊號轉換成一第二電流;一電流運算單元,用來據該第二電流,運算產生一運算電流;以及一偏壓控制電路,用來根據該運算電流,產生該偏壓控制訊號。
- 如請求項7所述之可調適放大電路,其中該偏壓產生單元包含有:一第二電壓轉電流單元,用來將該比較訊號轉換成一第二電流;以及一電流運算單元,用來據該第二電流,運算產生一運算電流以及該偏壓控制訊號。
- 一種可調適放大電路,包含有:一運算放大器,其包括一可變偏壓電流源,用以提供一可變偏壓電流供該運算放大器使用;一模擬單元,其用以模擬該運算放大器之一放電特性與一充電特性當中至少之一者,而將一模擬輸入電壓轉換為一模擬輸出電壓;以及一偏壓控制單元,包含有:一參考電壓產生單元,用來產生一參考電壓;一比較器,用來比較該模擬輸出電壓與該參考電壓,以產生一比較訊號;以及一偏壓產生單元,用來根據該比較訊號,產生一偏壓控制訊號至該可變偏壓電流源,以調整該可變偏壓電流的大小。
- 如請求項15所述之可調適放大電路,其中該模擬單元係包含有:一第一電壓轉電流電路,用來將該模擬輸入電壓轉換成一第一電流;以及一模擬電容,耦接於該第一電壓轉電流電路與一參考電位端之間,用於產生該模擬輸出電壓。
- 如請求項15所述之可調適放大電路,其中該偏壓產生單元包含有: 一第二電壓轉電流單元,用來將該控制訊號轉換成一第二電流;一電流運算單元,用來據該第二電流,運算產生一運算電流,其中該偏壓控制訊號係依據該運算電流而產生。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW99143270A TWI430565B (zh) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 可調適放大電路 |
US13/196,873 US8542063B2 (en) | 2010-12-10 | 2011-08-02 | Adaptive amplification circuit |
US13/970,618 US9118287B2 (en) | 2010-12-10 | 2013-08-20 | Adaptive amplification circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW99143270A TWI430565B (zh) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 可調適放大電路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201225515A TW201225515A (en) | 2012-06-16 |
TWI430565B true TWI430565B (zh) | 2014-03-11 |
Family
ID=46198749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW99143270A TWI430565B (zh) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 可調適放大電路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8542063B2 (zh) |
TW (1) | TWI430565B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102055841B1 (ko) | 2013-03-05 | 2019-12-13 | 삼성전자주식회사 | 출력 버퍼 회로 및 이를 포함하는 소스 구동 회로 |
KR102166897B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2020-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CN105446403A (zh) | 2014-08-14 | 2016-03-30 | 登丰微电子股份有限公司 | 低压差线性稳压器 |
US10796634B2 (en) * | 2018-07-30 | 2020-10-06 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co. , Ltd. | Display control circuit, method and panel display device |
CN114584082B (zh) * | 2020-12-02 | 2023-06-30 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 运算放大器的带宽调整电路及带宽调整方法 |
CN116633282B (zh) * | 2023-06-16 | 2024-07-19 | 上海韬润半导体有限公司 | 一种偏置电路及功率放大器 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0801846B1 (en) * | 1995-10-06 | 2001-12-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A high-speed/high-slew-rate tri-modal all bipolar buffer/switch and method thereof |
US6148220A (en) * | 1997-04-25 | 2000-11-14 | Triquint Semiconductor, Inc. | Battery life extending technique for mobile wireless applications |
US6285692B1 (en) * | 1998-08-05 | 2001-09-04 | Advantest Corporation | Method and apparatus for driving laser diode |
US6339361B1 (en) * | 1999-06-09 | 2002-01-15 | Conexant Systems, Inc. | Power amplifier driver system for wireless handset |
JP4014072B2 (ja) | 2000-03-31 | 2007-11-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電力増幅器モジュール |
US6614300B2 (en) * | 2001-08-27 | 2003-09-02 | Nokia Corporation | Dual current mirror power amplifier bias control |
US6465994B1 (en) * | 2002-03-27 | 2002-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Low dropout voltage regulator with variable bandwidth based on load current |
US6903608B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-06-07 | Sige Semiconductor Inc. | Power level controlling of first amplification stage for an integrated RF power amplifier |
US6985036B2 (en) * | 2003-11-26 | 2006-01-10 | Scintera Networks, Inc. | Digitally controlled transconductance cell |
US7193459B1 (en) * | 2004-06-23 | 2007-03-20 | Rf Micro Devices, Inc. | Power amplifier control technique for enhanced efficiency |
GB0428114D0 (en) | 2004-12-22 | 2005-01-26 | Univ Westminster | Technique and method for suppressing clock-jitter in continuous-time delta-sigma modulators |
CN100403632C (zh) | 2005-04-15 | 2008-07-16 | 矽创电子股份有限公司 | 快速回复的低压降线性稳压器 |
JP2007006260A (ja) | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Agc回路 |
KR100609619B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 동작 모드에 따라 스윙 레벨이 제어되는 데이터 증폭회로및 이를 포함하는 출력 드라이버 |
US7777573B2 (en) | 2008-05-29 | 2010-08-17 | Himax Technologies Limited | Operational amplifier having adjustable bias current and related source driver of display thereof |
-
2010
- 2010-12-10 TW TW99143270A patent/TWI430565B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-08-02 US US13/196,873 patent/US8542063B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-08-20 US US13/970,618 patent/US9118287B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8542063B2 (en) | 2013-09-24 |
US9118287B2 (en) | 2015-08-25 |
US20130328631A1 (en) | 2013-12-12 |
US20120146720A1 (en) | 2012-06-14 |
TW201225515A (en) | 2012-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10418990B2 (en) | Load driver | |
KR101283998B1 (ko) | 슬루 레이트 제어를 이용한 시간차이증폭기 및 시간차이증폭방법 | |
TWI430565B (zh) | 可調適放大電路 | |
Lee et al. | Design of low-power analog drivers based on slew-rate enhancement circuits for CMOS low-dropout regulators | |
US7863982B2 (en) | Driving circuit capable of enhancing response speed and related method | |
US8044950B2 (en) | Driver circuit usable for display panel | |
CN107180617B (zh) | 缓冲电路及具有该缓冲电路的源极驱动电路 | |
JP3537569B2 (ja) | 差動増幅装置 | |
US8803600B2 (en) | Output buffer circuit capable of enhancing stability | |
JP2011050076A (ja) | 駆動電圧制御装置および駆動電圧制御方法 | |
JP7283939B2 (ja) | 半導体装置及びデータドライバ | |
CN101114421A (zh) | 输出驱动装置及显示装置 | |
CN104142702A (zh) | 输出电路以及电压信号输出方法 | |
KR101388221B1 (ko) | 빠른 슬루율을 가지는 레일-투-레일 연산 증폭기 및 이를구비하는 디스플레이 구동 집적회로 | |
US9160948B2 (en) | Replica noise generator using pixel modeling and ramp signal generator including the same | |
KR20220143227A (ko) | 출력 버퍼, 데이터 구동부, 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
CN110867166B (zh) | 缓冲电路 | |
CN102545799B (zh) | 可调适放大电路 | |
US6885240B2 (en) | Amplifying circuit with variable load drivability | |
KR100713995B1 (ko) | Dcdc 변환기 및 그를 이용한 유기발광표시장치 | |
JP2012114610A (ja) | 電子回路 | |
TW202105346A (zh) | 源極驅動器及其輸出緩衝器 | |
JP2000244305A (ja) | レベル変換回路 | |
CN111654070B (zh) | 切换光传感器单元控制电压的方法、切换电路和光传感器 | |
TWI686784B (zh) | 輸出緩衝器及其操作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |