JP2001516939A - 有機発光デバイスのための自己組織化移送層 - Google Patents
有機発光デバイスのための自己組織化移送層Info
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Abstract
(57)【要約】
有機発光デバイスの製造方法が提供される。この方法は、基板（２）上にデバイスのための第１の電極（４）を形成し、第１の電極（４）上に少なくとも１つの高分子層（６、８）を自己組織化によって形成し、少なくとも１つの高分子層（６、８）上に少なくとも１つの有機発光材料の層（１０）を自己組織化以外によって形成し、少なくとも１つの有機発光材料の層（１０）上にデバイスのための第２の電極（１２）を形成するか、または第１の電極上に少なくとも１つの有機発光材料の層を自己組織化以外によって形成し、少なくとも１つの有機発光材料の層上に少なくとも１つの高分子層を自己組織化によって形成し、少なくとも１つの高分子層上にデバイスのための第２の電極を形成する工程からなる。また、本発明の方法によって得られる有機発光デバイスが提供される。
Description
【０００１】 本発明は、有機発光デバイスのための改良された製造方法、およびこれにより
形成される構造に関する。
形成される構造に関する。
【０００２】 ケンブリッジ・ディスプレイ・テクノロジー社（Cambridge Display Technolo
gy Limited）に譲渡された先の米国特許第５，２４７，１９０号、またはVan Sl
ykeらによる米国特許第４，５３９，５０７号（参考および例としてこれらの内 容をここに援用する）に記載されたような有機発光デバイス（organic light-em
itting devices (OLEDs)）は、大面積のフラットパネルディスプレイのような多
様なディスプレイ用途で使用するための大きな可能性を有する。ＯＬＥＤは、主
として、正の電荷担体（charge carriers）を注入する陽極と、負の電荷担体を 注入する陰極と、２つの電極の間に介装された少なくとも１つの有機エレクトロ
ルミネセント層とよりなる。陽極に対して順バイアスを印加した状態で、陽極か
ら正孔が注入され、陰極から電子が注入される。これらの担体が有機エレクトロ
ルミネセント層内で再結合し、光が生ずる。
gy Limited）に譲渡された先の米国特許第５，２４７，１９０号、またはVan Sl
ykeらによる米国特許第４，５３９，５０７号（参考および例としてこれらの内 容をここに援用する）に記載されたような有機発光デバイス（organic light-em
itting devices (OLEDs)）は、大面積のフラットパネルディスプレイのような多
様なディスプレイ用途で使用するための大きな可能性を有する。ＯＬＥＤは、主
として、正の電荷担体（charge carriers）を注入する陽極と、負の電荷担体を 注入する陰極と、２つの電極の間に介装された少なくとも１つの有機エレクトロ
ルミネセント層とよりなる。陽極に対して順バイアスを印加した状態で、陽極か
ら正孔が注入され、陰極から電子が注入される。これらの担体が有機エレクトロ
ルミネセント層内で再結合し、光が生ずる。
【０００３】 典型的には、必ずしも必然的なものではないが、陽極は、例えば、インジウム
スズ酸化物（ＩＴＯ）により形成される薄膜であり、これは半透明の導電性の酸
化物であって、既に容易に市販のものが入手可能であり、ガラスまたはプラスチ
ックの基板上に成膜されている。有機層（１または複数）は、典型的には共役高
分子の薄い（１００〜１０００ ｎｍ）層であり、通常は、例えば、蒸着、また はスピンコート、ブレードコート、ディップコート、もしくはメニスカスコート
のいずれかによってＩＴＯ被覆基板上に成膜される。典型的には低い仕事関数の
金属電極である陰極層を有機層の上に形成させる最終工程は、通常は適切な陰極
金属の熱蒸着またはスパッタリングによって行われる。Ａｌ、Ｃａ、またはＭｇ
：ＡｇもしくはＭｇ：Ｉｎの合金、またはＡｌ合金の層が、陰極材料としてしば
しば使用される。
スズ酸化物（ＩＴＯ）により形成される薄膜であり、これは半透明の導電性の酸
化物であって、既に容易に市販のものが入手可能であり、ガラスまたはプラスチ
ックの基板上に成膜されている。有機層（１または複数）は、典型的には共役高
分子の薄い（１００〜１０００ ｎｍ）層であり、通常は、例えば、蒸着、また はスピンコート、ブレードコート、ディップコート、もしくはメニスカスコート
のいずれかによってＩＴＯ被覆基板上に成膜される。典型的には低い仕事関数の
金属電極である陰極層を有機層の上に形成させる最終工程は、通常は適切な陰極
金属の熱蒸着またはスパッタリングによって行われる。Ａｌ、Ｃａ、またはＭｇ
：ＡｇもしくはＭｇ：Ｉｎの合金、またはＡｌ合金の層が、陰極材料としてしば
しば使用される。
【０００４】 ＯＬＥＤ技術の鍵となる利点の１つは、適切なエレクトロルミネセント有機層
、並びに正および負の電荷担体の注入のための良好な効率を有する電極を使用す
ることを条件として、低いデバイス電圧でデバイスを動作させることができると
いうものである。
、並びに正および負の電荷担体の注入のための良好な効率を有する電極を使用す
ることを条件として、低いデバイス電圧でデバイスを動作させることができると
いうものである。
【０００５】 高分子ＬＥＤの性能についての鍵となる性能パラメータは、量子効率（quantu
m efficiency、回路内を流れる電荷担体当たりの放射されたフォトンの数）、お
よび与えられた光出力を達成するために要求される駆動電圧である。他の重要な
パラメータとして、電力効率（power efficiency、電力入力に対する光パワー出
力の比率）がある。高い電力効率を得るためには、高い量子効率と低い駆動電圧
の両者が必要である。高分子ＬＥＤｓにおけるさらに重要なパラメータは、達成
可能な最大の明るさ、製造が容易で再現性があること、および動作寿命である。
m efficiency、回路内を流れる電荷担体当たりの放射されたフォトンの数）、お
よび与えられた光出力を達成するために要求される駆動電圧である。他の重要な
パラメータとして、電力効率（power efficiency、電力入力に対する光パワー出
力の比率）がある。高い電力効率を得るためには、高い量子効率と低い駆動電圧
の両者が必要である。高分子ＬＥＤｓにおけるさらに重要なパラメータは、達成
可能な最大の明るさ、製造が容易で再現性があること、および動作寿命である。
【０００６】 ＯＬＥＤｓにおける良好な性能を達成するためには、個々の層、陽極、陰極、
および有機層（１または複数）、並びに層の間の界面を最適化することが極めて
重要である。
および有機層（１または複数）、並びに層の間の界面を最適化することが極めて
重要である。
【０００７】 陰極または陽極のいずれか１つと有機層、いわゆる界面層（interfacial laye
r）との間に薄く、極めて良好に特定された高分子層を設けることにより、デバ イスの性能を改良することができる。しかしながら、改良された性能を達成する
ためには、この種の層が、極めて良好に制御された条件下で製造されることが必
須である。デバイスの性能を最適化するためには、ナノメータの状態で厚さを制
御することが重要である。
r）との間に薄く、極めて良好に特定された高分子層を設けることにより、デバ イスの性能を改良することができる。しかしながら、改良された性能を達成する
ためには、この種の層が、極めて良好に制御された条件下で製造されることが必
須である。デバイスの性能を最適化するためには、ナノメータの状態で厚さを制
御することが重要である。
【０００８】 良好に特定された高分子層を構築するために、自己組織化（self-assembly） として知られている技術を使用することができる。高分子自己組織化の技術は、
溶液から高分子層を順次吸着させることによって高分子膜を構築することからな
る。この技術は、順次の層の間の誘引性の相互作用に基づくものであり、形成さ
れるそれぞれの層が、先に形成された層と非類似であることが必要である。典型
的には、高分子層の繰り返し配列を使用することができ、例えば、ＡＢＡＢ…、
またはＡＢＣＤＡＢＣＤ…とし、この場合、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれの
非類似の層を示す。
溶液から高分子層を順次吸着させることによって高分子膜を構築することからな
る。この技術は、順次の層の間の誘引性の相互作用に基づくものであり、形成さ
れるそれぞれの層が、先に形成された層と非類似であることが必要である。典型
的には、高分子層の繰り返し配列を使用することができ、例えば、ＡＢＡＢ…、
またはＡＢＣＤＡＢＣＤ…とし、この場合、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれの
非類似の層を示す。
【０００９】 自己組織化プロセスを使用して製造された高分子発光デバイスは、A. C. Fou 、O. Onitsuka、M. FerreiraおよびM. F. Rubner、「自己組織化ポリ（フェニレ
ンビニレン）多重層ヘテロ構造における層間相互作用：発光および光整流ダイオ
ードとの関係」、Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 369, pp. 575-580, 1995 、およびA. C. Fou、O. Onitsuka、M. Ferreira、M. F. RubnerおよぴB. R. Hsi
eh、「ポリ（フェニレンビニレン）の自己組織化多重層に基づく発光ダイオード
の製造および性質」、J. Appl. Phys., Vol. 79, pp. 7501-7509, 1996に記載さ
れている。
ンビニレン）多重層ヘテロ構造における層間相互作用：発光および光整流ダイオ
ードとの関係」、Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 369, pp. 575-580, 1995 、およびA. C. Fou、O. Onitsuka、M. Ferreira、M. F. RubnerおよぴB. R. Hsi
eh、「ポリ（フェニレンビニレン）の自己組織化多重層に基づく発光ダイオード
の製造および性質」、J. Appl. Phys., Vol. 79, pp. 7501-7509, 1996に記載さ
れている。
【００１０】 これらの参考文献においては、G. Decher、J. D. HongおよびJ. Schmitt、「 自己組織化プロセスによる超薄型多重層膜の構築３、帯電した表面上での陰イオ
ン性および陽イオン性高分子電解質の連続的交互吸着」、Thin Solid Films（薄
い固体膜）,Vol. 210, pp. 831-835, 1992に記載された高分子陽イオンおよび高
分子陰イオンを使用する技術が利用されている。このような構造においては、Ｐ
ＰＶ前駆体またはその誘導体が、高分子陽イオンとして使用され、ポリスチレン
スルホン酸またはスルホン化されたポリアニリンのような種々の高分子陰イオン
が用いられている。ポリ（p-ピリジルビニレン）およびその誘導体も、自己組織
化ＬＥＤｓを作製するために使用されている。
ン性および陽イオン性高分子電解質の連続的交互吸着」、Thin Solid Films（薄
い固体膜）,Vol. 210, pp. 831-835, 1992に記載された高分子陽イオンおよび高
分子陰イオンを使用する技術が利用されている。このような構造においては、Ｐ
ＰＶ前駆体またはその誘導体が、高分子陽イオンとして使用され、ポリスチレン
スルホン酸またはスルホン化されたポリアニリンのような種々の高分子陰イオン
が用いられている。ポリ（p-ピリジルビニレン）およびその誘導体も、自己組織
化ＬＥＤｓを作製するために使用されている。
【００１１】 動作可能なＬＥＤを得るための、十分な厚さを有する膜を自己組織化によって
製造するプロセスは、多数の浸漬およびリンス工程を伴うことから、極めて時間
のかかるものである。前記した研究においては、デバイス全体を自己組織化によ
って完成させていることから、多くの浸漬工程の問題が残されたままである。こ
の方法は、商業的に実行できる見込みはない。
製造するプロセスは、多数の浸漬およびリンス工程を伴うことから、極めて時間
のかかるものである。前記した研究においては、デバイス全体を自己組織化によ
って完成させていることから、多くの浸漬工程の問題が残されたままである。こ
の方法は、商業的に実行できる見込みはない。
【００１２】 したがって、本発明の目的は、標準的な商業的製造プロセスを過度に阻害する
ことなく、十分に特定された薄い高分子界面層をＯＬＥＤの電極とエレクトロル
ミネセント材料との間に設けることのできる構造および製造プロセスを提供する
ことにある。
ことなく、十分に特定された薄い高分子界面層をＯＬＥＤの電極とエレクトロル
ミネセント材料との間に設けることのできる構造および製造プロセスを提供する
ことにある。
【００１３】 よって、本発明の第１の観点によれば、有機発光デバイスを製造する方法であ
って、基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極上に少なくと
も１つの高分子層を自己組織化によって形成し、この少なくとも１つの高分子層
の上に少なくとも１つの有機発光材料の層を自己組織化以外によって形成し、こ
の少なくとも１つの有機発光材料の層の上にデバイスのための第２の電極を形成
する工程からなることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法が提供される。
って、基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極上に少なくと
も１つの高分子層を自己組織化によって形成し、この少なくとも１つの高分子層
の上に少なくとも１つの有機発光材料の層を自己組織化以外によって形成し、こ
の少なくとも１つの有機発光材料の層の上にデバイスのための第２の電極を形成
する工程からなることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法が提供される。
【００１４】 また、本発明の第１の観点によれば、有機発光デバイスを製造する方法であっ
て、基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極上に少なくとも
１つの有機発光材料の層を自己組織化以外によって形成し、この少なくとも１つ
の有機発光材料の層の上に少なくとも高分子層を自己組織化によって形成し、こ
の少なくとも１つの高分子層の上にデバイスのための第２の電極を形成する工程
からなることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法が提供される。
て、基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極上に少なくとも
１つの有機発光材料の層を自己組織化以外によって形成し、この少なくとも１つ
の有機発光材料の層の上に少なくとも高分子層を自己組織化によって形成し、こ
の少なくとも１つの高分子層の上にデバイスのための第２の電極を形成する工程
からなることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法が提供される。
【００１５】 よって、本発明の第１の観点においては、自己組織化を使用して、電極／発光
層界面において、少なくとも１つの付加的な高分子の層を形成する。その後、ス
ピンコートのような標準的な技術を使用してデバイスの残りの部分を完成させる
。本発明のこの第１の観点は、高分子界面における十分に制御された層の増強を
伴う迅速な処理の利点を有する。
層界面において、少なくとも１つの付加的な高分子の層を形成する。その後、ス
ピンコートのような標準的な技術を使用してデバイスの残りの部分を完成させる
。本発明のこの第１の観点は、高分子界面における十分に制御された層の増強を
伴う迅速な処理の利点を有する。
【００１６】 よって、本発明の第１の観点によれば、全て自己組織化によって製造される従
来技術のデバイスと比較して、処理時間およびコストの低減が得られる。
来技術のデバイスと比較して、処理時間およびコストの低減が得られる。
【００１７】 界面層のないデバイスと比較すると、量子効率、駆動電圧、電力効率、および
／または最大輝度における有意義な改良が得られるのみならず、デバイス寿命の
改良が達成される。
／または最大輝度における有意義な改良が得られるのみならず、デバイス寿命の
改良が達成される。
【００１８】 量子効率は、所定範囲の界面層の厚さに渡って有意義に増強されるのに対し、
駆動電圧は、層が厚くなるのに応じて増加し始める。したがって、最適な電力効
率は、中間的な厚さにおいて得られる。この厚さは、スピンコートによる界面層
により典型的に達成することのできるものより小さい。自己組織化によって、こ
の厚さの状態で、薄く連続的で十分に特定された膜が提供される。これは、この
厚さの状態におけるピンホールのない膜を製造するための理想的な技術である。
駆動電圧は、層が厚くなるのに応じて増加し始める。したがって、最適な電力効
率は、中間的な厚さにおいて得られる。この厚さは、スピンコートによる界面層
により典型的に達成することのできるものより小さい。自己組織化によって、こ
の厚さの状態で、薄く連続的で十分に特定された膜が提供される。これは、この
厚さの状態におけるピンホールのない膜を製造するための理想的な技術である。
【００１９】 少なくとも１つの自己組織化高分子層は、好ましくは１以上の協働サブ層（co
-operating sub-layer）の対合からなり、少なくとも１つの有機発光層は、全体
に渡って同一の組成を有する連続層からなる。
-operating sub-layer）の対合からなり、少なくとも１つの有機発光層は、全体
に渡って同一の組成を有する連続層からなる。
【００２０】 少なくとも１つの自己組織化高分子層は、絶縁性高分子、半導体性高分子、ま
たは導電性高分子のいずれかとすることができる。ＯＬＥＤｓにおける絶縁性、
半導体性、または導電性高分子の自己組織化による形成によって、デバイス性能
の更なる最適化が可能となる。
たは導電性高分子のいずれかとすることができる。ＯＬＥＤｓにおける絶縁性、
半導体性、または導電性高分子の自己組織化による形成によって、デバイス性能
の更なる最適化が可能となる。
【００２１】 協働サブ層の対合は、引き付け力（attractive forces）によって相互作用し 、それぞれの層は互いに非類似である。好ましくは、対合のサブ層の一方は正に
帯電するものとし、対合のサブ層の他方は負に帯電するものとする。
帯電するものとし、対合のサブ層の他方は負に帯電するものとする。
【００２２】 好ましくは、対合の正に帯電したサブ層は、高分子陽イオン電解質溶液に基板
を浸すことによって形成し、対合の負に帯電したサブ層は、高分子陰イオン溶液
に基板を浸すことによって形成する。
を浸すことによって形成し、対合の負に帯電したサブ層は、高分子陰イオン溶液
に基板を浸すことによって形成する。
【００２３】 高分子が絶縁性の高分子である場合は、高分子陰イオン電解質溶液は、好まし
くは図２（ａ）の構造からなるものとし、高分子陽イオン溶液は、好ましくは図
２（ｂ）の構造からなるものとする。
くは図２（ａ）の構造からなるものとし、高分子陽イオン溶液は、好ましくは図
２（ｂ）の構造からなるものとする。
【００２４】 高分子が半導体性の高分子である場合は、高分子陰イオン電解質溶液は、好ま
しくは図２（ｃ）の構造からなるものとし、高分子陽イオン溶液は、好ましくは
図２（ｄ）の構造からなるものとする。
しくは図２（ｃ）の構造からなるものとし、高分子陽イオン溶液は、好ましくは
図２（ｄ）の構造からなるものとする。
【００２５】 高分子が導電性の高分子である場合は、高分子陰イオン電解質溶液は、好まし
くは図２（ｅ）の構造の非プロトン化した形態からなるものとし、高分子陽イオ
ン溶液は、好ましくは図２（ｆ）の構造からなるものとする。
くは図２（ｅ）の構造の非プロトン化した形態からなるものとし、高分子陽イオ
ン溶液は、好ましくは図２（ｆ）の構造からなるものとする。
【００２６】 協働するサブ層は、代替的な例においては、受容体／供与体相互作用によって
相互作用を行うことができる。好ましくは、この種の受容体／供与体相互作用は
、水素結合によって与えられる。
相互作用を行うことができる。好ましくは、この種の受容体／供与体相互作用は
、水素結合によって与えられる。
【００２７】 水素結合の技術は、例えば、W. B. StocktonとM. F. Rubiner、「共役高分子 の分子レベル加工４、水素結合相互作用を介するポリアニリンの層−層加工」、
Macromolecules, 1997, 30, 2717-2725に一般的に論じられている。
Macromolecules, 1997, 30, 2717-2725に一般的に論じられている。
【００２８】 好ましくは、サブ層の協働する対合のそれぞれのサブ層は、０．３〜２ｎｍの
厚さとし、好ましくは１ｎｍの厚さとする。
厚さとし、好ましくは１ｎｍの厚さとする。
【００２９】 少なくとも１つの高分子層は、好ましくは複数の対合、例えば２、４、または
１０の対合のサブ層からなる。
１０の対合のサブ層からなる。
【００３０】 少なくとも１つの高分子層は、代替的に、３以上の協働するサブ層からなるも
のとすることができ、それぞれのサブ層は互いに非類似とすることができる。少
なくとも１つの高分子層は、３以上のサブ層の複数からなるものとすることがで
きる。
のとすることができ、それぞれのサブ層は互いに非類似とすることができる。少
なくとも１つの高分子層は、３以上のサブ層の複数からなるものとすることがで
きる。
【００３１】 好ましくは、少なくとも１つの高分子層は、約０．３〜２０ｎｍの厚さとする
ことができる。
ことができる。
【００３２】 有機材料は、共役高分子、または低分子量化合物とすることができる。少なく
とも１つの有機材料の層は、少なくとも１つの共役高分子の層と、少なくとも１
つの低分子量化合物の層とを含む複合構造からなるものとすることができる。
とも１つの有機材料の層は、少なくとも１つの共役高分子の層と、少なくとも１
つの低分子量化合物の層とを含む複合構造からなるものとすることができる。
【００３３】 少なくとも１つの有機材料の層が高分子である場合は、これは好ましくは半導
体性の共役高分子とする。半導体性の共役高分子は、好ましくはＰＰＶまたはそ
の誘導体とする。
体性の共役高分子とする。半導体性の共役高分子は、好ましくはＰＰＶまたはそ
の誘導体とする。
【００３４】 少なくとも１つの有機発光材料の層は、スピンコート、ブレードコート、メニ
スカスコート、またはディップコートのいずれかによって形成することができる
。
スカスコート、またはディップコートのいずれかによって形成することができる
。
【００３５】 少なくとも１つの有機材料の層は、好ましくは約３０ｎｍ〜１０００ｎｍの範
囲、好ましくは約９０ｎｍの厚さを有する。
囲、好ましくは約９０ｎｍの厚さを有する。
【００３６】 この方法は、少なくとも１つの高分子層を形成する工程の前に、基板の表面か
ら物理吸着した（physisorbed）水を除去する工程をさらに含み得る。表面から 物理吸着した水を除去する工程は、好ましくは表面を加熱することからなる。
ら物理吸着した（physisorbed）水を除去する工程をさらに含み得る。表面から 物理吸着した水を除去する工程は、好ましくは表面を加熱することからなる。
【００３７】 この方法は、少なくとも１つの高分子層を形成する工程の前に、カップリング
層を形成する工程をさらに含み得る。カップリング層を形成する工程は、好まし
くは基板をシリル化することからなる。物理吸着した水を除去する工程を行う場
合は、カップリング層を形成する工程をその後に行う。
層を形成する工程をさらに含み得る。カップリング層を形成する工程は、好まし
くは基板をシリル化することからなる。物理吸着した水を除去する工程を行う場
合は、カップリング層を形成する工程をその後に行う。
【００３８】 基板は、ｐＨ依存性の表面電荷を有することができ、またこの方法は、表面電
荷をｐＨ非依存性とすることによって、自己組織化の前に基板の表面を調製する
ことをさらに含む。
荷をｐＨ非依存性とすることによって、自己組織化の前に基板の表面を調製する
ことをさらに含む。
【００３９】 この方法は、自己組織化の前に基板の表面を調製することをさらに含むことが
でき、この場合は表面はアミノ基からなり、この方法にはアミノ基を４級化する
工程が含まれる。４級化した表面は正に帯電する。
でき、この場合は表面はアミノ基からなり、この方法にはアミノ基を４級化する
工程が含まれる。４級化した表面は正に帯電する。
【００４０】 この方法は、自己組織化の前に、基板の表面を調製することをさらに含むこと
ができ、この場合は表面はチオール基からなり、この方法にはチオール基を酸化
する工程が含まれる。酸化された表面は負に帯電する。
ができ、この場合は表面はチオール基からなり、この方法にはチオール基を酸化
する工程が含まれる。酸化された表面は負に帯電する。
【００４１】 第１の電極を形成する前においては、出発基板は、ガラスまたはプラスチック
材料の内の１つからなるものとすることができる。基板は、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリイミド、またはポリエーテルイミドからなるものとすること
ができる。
材料の内の１つからなるものとすることができる。基板は、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリイミド、またはポリエーテルイミドからなるものとすること
ができる。
【００４２】 この方法は、第２の電極上に導電性の材料の層を形成する工程をさらに含み得
る。導電性の材料は、好ましくはアルミニウムまたはその合金からなるものとす
る。導電性の材料は、スパッタリングによる形成によって、好ましくはＤＣマグ
ネトロンもしくはＲＦスパッタリングによって形成させるか、または好ましくは
抵抗もしくは電子ビーム熱蒸着によって蒸着させることができる。
る。導電性の材料は、好ましくはアルミニウムまたはその合金からなるものとす
る。導電性の材料は、スパッタリングによる形成によって、好ましくはＤＣマグ
ネトロンもしくはＲＦスパッタリングによって形成させるか、または好ましくは
抵抗もしくは電子ビーム熱蒸着によって蒸着させることができる。
【００４３】 第１の電極を陰極とし、第２の電極を陽極とすることができ、または第１の電
極を陽極とし、第２の電極を陰極とすることができる。
極を陽極とし、第２の電極を陰極とすることができる。
【００４４】 陰極は、発光性で導電性の酸化物、好ましくはインジウムスズ酸化物、酸化ス
ズ、または酸化亜鉛からなるものとすることができる。陰極は、スパッタリング
により形成または蒸着させることができる。
ズ、または酸化亜鉛からなるものとすることができる。陰極は、スパッタリング
により形成または蒸着させることができる。
【００４５】 陽極は、発光性で導電性の酸化物、好ましくはインジウムスズ酸化物、酸化ス
ズ、または酸化亜鉛からなるものとすることができる。陽極は、スパッタリング
により形成または蒸着させることができる。
ズ、または酸化亜鉛からなるものとすることができる。陽極は、スパッタリング
により形成または蒸着させることができる。
【００４６】 また、本発明の第１の観点によれば、有機発光デバイスであって、第１の電極
と第２の電極との間の少なくとも１つの有機発光材料の層であって、自己組織化
以外によって形成された少なくとも１つの有機発光材料と、第１および第２の電
極の内の１つと少なくとも１つの有機発光材料との間の少なくとも１つの高分子
層であって、自己組織化によって形成された少なくとも１つの高分子層とからな
ることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
と第２の電極との間の少なくとも１つの有機発光材料の層であって、自己組織化
以外によって形成された少なくとも１つの有機発光材料と、第１および第２の電
極の内の１つと少なくとも１つの有機発光材料との間の少なくとも１つの高分子
層であって、自己組織化によって形成された少なくとも１つの高分子層とからな
ることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
【００４７】 好ましくは、少なくとも１つの高分子層は、少なくとも１つの対合の協働する
サブ層からなり、少なくとも１つの有機材料の層は、全体に渡って一貫した組成
を有する連続層である。
サブ層からなり、少なくとも１つの有機材料の層は、全体に渡って一貫した組成
を有する連続層である。
【００４８】 少なくとも１つの高分子層は、好ましくは複数の協働する層の対合からなる。
【００４９】 本発明の好適な態様では、高分子電解質（polyelectrolyte）の自己組織化の 技術を使用して、ＬＥＤｓにおける好ましくはＩＴＯ−電極と発光性高分子との
間に、絶縁性、半導体性、または導電性の高分子の薄い、十分に特定された層を
形成させる。この技術では、高分子陽イオンおよび高分子陰イオン溶液中に基板
を交互に浸漬し、静電的誘引によって交互の層を形成させる。自己組織化技術に
よって薄い界面層のみを形成させ、デバイスの残りの部分は、好ましくはスピン
コートによって形成させる。これにより、自己組織化によって全体が作製される
従来技術のデバイスと比較して、処理時間が有意義に低減される。
間に、絶縁性、半導体性、または導電性の高分子の薄い、十分に特定された層を
形成させる。この技術では、高分子陽イオンおよび高分子陰イオン溶液中に基板
を交互に浸漬し、静電的誘引によって交互の層を形成させる。自己組織化技術に
よって薄い界面層のみを形成させ、デバイスの残りの部分は、好ましくはスピン
コートによって形成させる。これにより、自己組織化によって全体が作製される
従来技術のデバイスと比較して、処理時間が有意義に低減される。
【００５０】 それぞれの自己組織化層は、薄く隣接するものであることから、界面層の厚さ
をナノメータの状態で制御しつつ、本発明のこの観点によって良好に特定された
構造を構築することができる。また、本発明によれば、高分子ＬＥＤｓの量子効
率および電力効率を最適化するために、これらの界面層のための最適な材料およ
び厚さが提供される。本発明を使用することによって、有意義に増強された電力
効率および有意義に増強された最大の明るさが達成される。
をナノメータの状態で制御しつつ、本発明のこの観点によって良好に特定された
構造を構築することができる。また、本発明によれば、高分子ＬＥＤｓの量子効
率および電力効率を最適化するために、これらの界面層のための最適な材料およ
び厚さが提供される。本発明を使用することによって、有意義に増強された電力
効率および有意義に増強された最大の明るさが達成される。
【００５１】 自己組織化プロセスには、好ましくは十分に特定された表面電荷を有する出発
表面が必要である。これは、典型的にはシリル化剤を用いた表面処理によって、
自己組織化の前に表面上にカップリング層を形成することによって典型的に達成
される。
表面が必要である。これは、典型的にはシリル化剤を用いた表面処理によって、
自己組織化の前に表面上にカップリング層を形成することによって典型的に達成
される。
【００５２】 本発明の第２の目的は、有機ＬＥＤまたはその一部を製造するに際し、自己組
織化プロセスのための改良された出発表面を提供することにある。
織化プロセスのための改良された出発表面を提供することにある。
【００５３】 本発明の第２の観点によれば、有機発光デバイスを製造する方法であって、基
板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極の表面から物理吸着し
た水を除去し、カップリング層を形成し、第１の電極上に少なくとも１つの高分
子層を自己組織化によって形成し、この少なくとも１つの高分子層上に少なくと
も１つの有機発光材料の層を形成し、この少なくとも１つの発光材料の層上にデ
バイスのための第２の電極を形成する工程からなることを特徴とする有機発光デ
バイスの製造方法が提供される。
板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極の表面から物理吸着し
た水を除去し、カップリング層を形成し、第１の電極上に少なくとも１つの高分
子層を自己組織化によって形成し、この少なくとも１つの高分子層上に少なくと
も１つの有機発光材料の層を形成し、この少なくとも１つの発光材料の層上にデ
バイスのための第２の電極を形成する工程からなることを特徴とする有機発光デ
バイスの製造方法が提供される。
【００５４】 このカップリング層を形成する工程は、好ましくは基板をシリル化することを
含む。
含む。
【００５５】 また、本発明の第２の観点によれば、有機発光デバイスを製造する方法であっ
て、基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極上に少なくとも
１つの有機発光材料の層を形成し、この少なくとも１つの有機発光材料の表面か
ら物理吸着した水を除去し、カップリング層を形成し、この少なくとも１つの発
光材料の層上に少なくとも１つの高分子層を自己組織化によって形成し、この少
なくとも１つの高分子層上にデバイスのための第２の電極を形成する工程からな
ることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法が提供される。
て、基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、第１の電極上に少なくとも
１つの有機発光材料の層を形成し、この少なくとも１つの有機発光材料の表面か
ら物理吸着した水を除去し、カップリング層を形成し、この少なくとも１つの発
光材料の層上に少なくとも１つの高分子層を自己組織化によって形成し、この少
なくとも１つの高分子層上にデバイスのための第２の電極を形成する工程からな
ることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法が提供される。
【００５６】 表面シリル化およびＬＥＤの製造の前に、ＩＴＯ基板を真空中で加熱すること
によって表面から物理吸着した水除去することは、自己組織化の前に十分に特定
された表面を製造することに帰着し、さらに結果的には界面層の品質の改良され
た制御に帰着する。この発明のこの第２の観点によっても、界面層の近傍から水
を除去することによって、デバイス劣化の低減がもたらされる。物理吸着した水
を除去しなければ、カップリング層は形成に際してゲルを形成し、表面上を浮遊
することとなる。よって、この発明のこの第２の観点により、電極に対するカッ
プリング層の結合の改良がもたらされる。
によって表面から物理吸着した水除去することは、自己組織化の前に十分に特定
された表面を製造することに帰着し、さらに結果的には界面層の品質の改良され
た制御に帰着する。この発明のこの第２の観点によっても、界面層の近傍から水
を除去することによって、デバイス劣化の低減がもたらされる。物理吸着した水
を除去しなければ、カップリング層は形成に際してゲルを形成し、表面上を浮遊
することとなる。よって、この発明のこの第２の観点により、電極に対するカッ
プリング層の結合の改良がもたらされる。
【００５７】 本発明の第３の目的は、自己組織化プロセスの実施が多様性を有するよう、自
己組織化プロセスのための改良された出発表面を提供することにある。
己組織化プロセスのための改良された出発表面を提供することにある。
【００５８】 本発明の第３の観点によれば、自己組織化の前にｐＨ依存性の表面電荷を有す
る表面を調製する方法であって、表面電荷をｐＨ非依存性とする工程からなるこ
とを特徴とする、ｐＨ依存性の表面電荷を有する表面の調製方法が提供される。
この表面は、好ましくは発光デバイスの基板とする。発光デバイスは、好ましく
は有機発光デバイスとする。
る表面を調製する方法であって、表面電荷をｐＨ非依存性とする工程からなるこ
とを特徴とする、ｐＨ依存性の表面電荷を有する表面の調製方法が提供される。
この表面は、好ましくは発光デバイスの基板とする。発光デバイスは、好ましく
は有機発光デバイスとする。
【００５９】 また、本発明の第３の観点によれば、自己組織化の前にアミノ基からなる表面
を調製する方法であって、アミノ基を４級化する工程からなることを特徴とする
、アミノ基からなる表面の調整方法が提供される。この表面は、好ましくは発光
デバイスの基板とする。発光デバイスは、好ましくは有機発光デバイスとする。
４級化された表面は正に帯電する。
を調製する方法であって、アミノ基を４級化する工程からなることを特徴とする
、アミノ基からなる表面の調整方法が提供される。この表面は、好ましくは発光
デバイスの基板とする。発光デバイスは、好ましくは有機発光デバイスとする。
４級化された表面は正に帯電する。
【００６０】 さらに、本発明の第３の観点によれば、自己組織化の前にチオール基からなる
表面を調製する方法であって、チオール基を酸化する工程からなることを特徴と
する、チオール基からなる表面の調製方法が提供される。この表面は、好ましく
は発光デバイスの基板とする。発光デバイスは、好ましくは有機発光デバイスと
する。酸化された表面は負に帯電する。酸化の後、好ましくはアルカリを用いて
表面を脱プロトン化する。
表面を調製する方法であって、チオール基を酸化する工程からなることを特徴と
する、チオール基からなる表面の調製方法が提供される。この表面は、好ましく
は発光デバイスの基板とする。発光デバイスは、好ましくは有機発光デバイスと
する。酸化された表面は負に帯電する。酸化の後、好ましくはアルカリを用いて
表面を脱プロトン化する。
【００６１】 多くの高分子イオンは、所定のｐＨ値のみにおいて安定であるため、４級化お
よび酸化工程により、カップリング剤を変更することなく従来可能であった場合
と比較すると、より広い範囲の高分子イオンをＬＥＤ構造においてそれぞれ形成
させることが可能となる。これにより、所定の範囲の高分子陽イオンおよび高分
子陰イオンに対して（これらは、溶液中でイオンとして安定であるためには異な
るｐＨ値を要求する）、同じカップリング剤を使用して自己組織化を行うことが
可能となる。
よび酸化工程により、カップリング剤を変更することなく従来可能であった場合
と比較すると、より広い範囲の高分子イオンをＬＥＤ構造においてそれぞれ形成
させることが可能となる。これにより、所定の範囲の高分子陽イオンおよび高分
子陰イオンに対して（これらは、溶液中でイオンとして安定であるためには異な
るｐＨ値を要求する）、同じカップリング剤を使用して自己組織化を行うことが
可能となる。
【００６２】 ４級化および酸化技術は、例えば、J. March、「最新有機化学：反応、機構お
よび構造（Advanced Organic Chemistry: Reactions, Mechanisms and Structur
e）」、第３版、John Wiley & Sons, New York, 1985, Chapters 10および19に 記載されている。
よび構造（Advanced Organic Chemistry: Reactions, Mechanisms and Structur
e）」、第３版、John Wiley & Sons, New York, 1985, Chapters 10および19に 記載されている。
【００６３】 本発明の第３の観点による４級化または酸化プロセスのいずれかによる結果、
結果的に得られるカップリング剤は、デバイスにおける問題となり得るプロセス
である酸化に対する感受性が、有利に大幅に低減される。
結果的に得られるカップリング剤は、デバイスにおける問題となり得るプロセス
である酸化に対する感受性が、有利に大幅に低減される。
【００６４】 添付図面を参照して、本発明をここに説明する。
【００６５】 第１の実施例では、市販の１×１ｃｍ2のＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）− ガラス基板（Balzers）上でデバイスを製造する。図１を参照すると、この種の 例示的な基板が示されており、この場合、ＩＴＯ層４は、ガラス基板２の上に形
成されている。この第１の実施例における全ての化学的処理工程に際し、基板は
、ＰＴＦＥ基板ホルダ上に垂直な配置で保持される。別に示さない限り、この実
施例で使用する溶剤は、ＨＰＬＣ等級またはそれ以上のものとする。使用する試
薬は、ＡＲ等級またはそれ以上のものとする。
成されている。この第１の実施例における全ての化学的処理工程に際し、基板は
、ＰＴＦＥ基板ホルダ上に垂直な配置で保持される。別に示さない限り、この実
施例で使用する溶剤は、ＨＰＬＣ等級またはそれ以上のものとする。使用する試
薬は、ＡＲ等級またはそれ以上のものとする。
【００６６】 第１の工程では、ＩＴＯ層をパターン化して浄化する。ＩＴＯ表面は、市販の
フォトレジストを用いて選択的に被覆した後、オーブン内で４５℃で１０分間焼
成する。露呈した領域は、２００ｍｌの５ｗｔ％ＨＣｌ中で６０〜６５℃にて４
５分間エッチング除去する。その後、フォトレジストを２×１００ｍｌのアセト
ン中で剥離除去する。
フォトレジストを用いて選択的に被覆した後、オーブン内で４５℃で１０分間焼
成する。露呈した領域は、２００ｍｌの５ｗｔ％ＨＣｌ中で６０〜６５℃にて４
５分間エッチング除去する。その後、フォトレジストを２×１００ｍｌのアセト
ン中で剥離除去する。
【００６７】 その後、パターン化したＩＴＯ基板は、ＲＣＡ処方（１０：２：０．６のＨ2 Ｏ−Ｈ2Ｏ2−ＮＨ3、２００ｍｌ）を使用して浄化し、５５〜６０℃で穏やかに ７５分間攪拌する。
【００６８】 第２の工程では、層６として図１に示すカップリング層を、層−層（layer-by
-layer）自己組織化のための調製の際に形成する。好ましくは、また有利には、
真空オーブン内で動的真空中（dynamic vacuum）で１６５〜１７０℃で２〜３時
間基板を加熱し、表面シリル化の前に物理吸着したＨ2Ｏを除去する。
-layer）自己組織化のための調製の際に形成する。好ましくは、また有利には、
真空オーブン内で動的真空中（dynamic vacuum）で１６５〜１７０℃で２〜３時
間基板を加熱し、表面シリル化の前に物理吸着したＨ2Ｏを除去する。
【００６９】 その後、空気中において短時間で１００℃に基板を冷却した後、５ｖｏｌ％の
３−アミノプロピルトリメトキシシランを含有する２００ｍＬのトルエン浴に浸
す。湿分を排除するよう注意しながら、反応浴を９５〜９７℃に２時間加温した
。これにより、短いＣ3アルキル鎖の末端に連結されたアミノ（−ＮＨ2）基によ
り官能化されたＩＴＯ表面が得られる。
３−アミノプロピルトリメトキシシランを含有する２００ｍＬのトルエン浴に浸
す。湿分を排除するよう注意しながら、反応浴を９５〜９７℃に２時間加温した
。これにより、短いＣ3アルキル鎖の末端に連結されたアミノ（−ＮＨ2）基によ
り官能化されたＩＴＯ表面が得られる。
【００７０】 シリル化した基板は、２×１００ｍｌのトルエンおよび１×ＭｅＯＨ中でこの
順に洗浄し、Ｎ2の噴流下で乾燥させる。この時点でのＩＴＯ基板の鏡面反射の 目視による検査により、光学的に清浄で均一な表面が示され、ピンホールのない
ＩＴＯ膜には散乱粒子は殆ど認められない。
順に洗浄し、Ｎ2の噴流下で乾燥させる。この時点でのＩＴＯ基板の鏡面反射の 目視による検査により、光学的に清浄で均一な表面が示され、ピンホールのない
ＩＴＯ膜には散乱粒子は殆ど認められない。
【００７１】 その後、有利かつ好ましくは、ｐＨ非感受性のトリメチルアンモニウム（−Ｎ
Ｍｅ3 +）部分へとアミノ基を４級化するが、これを達成するために、５ｖｏｌ％
のＣＨ3Ｉおよび０．６ｖｏｌ％のＥｔ3Ｎを含有する２００ｍＬのＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド中に３時間基板を浸す。反応浴は、暗所で室温（２４℃）に保
持する。
Ｍｅ3 +）部分へとアミノ基を４級化するが、これを達成するために、５ｖｏｌ％
のＣＨ3Ｉおよび０．６ｖｏｌ％のＥｔ3Ｎを含有する２００ｍＬのＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド中に３時間基板を浸す。反応浴は、暗所で室温（２４℃）に保
持する。
【００７２】 ４級化した基板は、２×１００ｍｌのＭｅＯＨ、１×１００ｍｌの０．４５μ
ｍフィルタ処理したＨ2Ｏ、およびその後に１×１００ｍｌの０．４５μｍフィ ルタ処理したＩＰＡ中でこの順に洗浄し、Ｎ2の噴流中でブロー乾燥する。この 時点における目視による検査により、表面は光学的に清浄で均一に維持されてい
ることが示される。
ｍフィルタ処理したＨ2Ｏ、およびその後に１×１００ｍｌの０．４５μｍフィ ルタ処理したＩＰＡ中でこの順に洗浄し、Ｎ2の噴流中でブロー乾燥する。この 時点における目視による検査により、表面は光学的に清浄で均一に維持されてい
ることが示される。
【００７３】 第３の工程では、層８として図１に示される界面層を、層−層自己組織化を使
用して構成する。
用して構成する。
【００７４】 自己組織化製造工程は、どのような種類の自己組織化技術によっても実施する
ことができる。１つの代替的な態様では、協働するサブ層の対合が相互作用する
ための引き付け力は、受容体／供与体相互作用によって、特に水素結合によって
与えるものとする。
ことができる。１つの代替的な態様では、協働するサブ層の対合が相互作用する
ための引き付け力は、受容体／供与体相互作用によって、特に水素結合によって
与えるものとする。
【００７５】 ここに記載する実施例に関連して使用する好適な技術においては、協働するサ
ブ層の対合が相互作用するための引き付け力は、各対合のサブ層のそれぞれにつ
いて反対に帯電した層を使用して与えるものとする。
ブ層の対合が相互作用するための引き付け力は、各対合のサブ層のそれぞれにつ
いて反対に帯電した層を使用して与えるものとする。
【００７６】 第１の実施例では、層−層自己組織化の第３の工程は、室温において層流キャ
ビネット内で、誘導化したＩＴＯ基板上で行う。
ビネット内で、誘導化したＩＴＯ基板上で行う。
【００７７】 それぞれの集成サイクルは、協働サブ層の対合である二重層を集成するもので
あり、次の工程よりなる。
あり、次の工程よりなる。
【００７８】 (ｉ) 高分子陰イオン電解質浴（静的）中での１４分の浸漬、 (ｉｉ) 新鮮なＨ2Ｏ（ミリポア）浴（穏やかに攪拌）中での１０秒のリンス、 (ｉｉｉ) 高分子陽イオン浴（静的）中での１４分の浸漬、 (ｉｖ) 新鮮なＨ2Ｏ（ミリポア）浴（穏やかに攪拌）中での１０秒のリンス。
【００７９】 集成した膜は、好ましくは順次の工程の間で乾燥させないようにする。慎重な
取り扱いおよびリンスによって、溶液の持ち込みおよび相互混入を最小とした。
取り扱いおよびリンスによって、溶液の持ち込みおよび相互混入を最小とした。
【００８０】 高分子陰イオン電解質浴は、界面層が絶縁性の高分子であるこの実施例では、
２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、２１ｍｇのポリ（スチレンスルホン酸Ｎａ塩） （アルドリッチ、ＭＷ７０ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に調整
するためのＨＣｌ水溶液を含有する。高分子陽イオン浴は、界面層が絶縁性の高
分子であるこの実施例では、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、８ｍｇのポリ（ア リルアミン塩酸塩）（アルドリッチ、ＭＷ５０−６５ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ
、およびｐＨを約３に調整するためのＨＣｌ水溶液を含有する。自己組織化工程
（ｉ）〜（ｉｖ）の後に、二重層は、図２（ａ）の構造の１つのサブ層と、図２
（ｂ）の構造の１つのサブ層とを有する。
２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、２１ｍｇのポリ（スチレンスルホン酸Ｎａ塩） （アルドリッチ、ＭＷ７０ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に調整
するためのＨＣｌ水溶液を含有する。高分子陽イオン浴は、界面層が絶縁性の高
分子であるこの実施例では、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、８ｍｇのポリ（ア リルアミン塩酸塩）（アルドリッチ、ＭＷ５０−６５ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ
、およびｐＨを約３に調整するためのＨＣｌ水溶液を含有する。自己組織化工程
（ｉ）〜（ｉｖ）の後に、二重層は、図２（ａ）の構造の１つのサブ層と、図２
（ｂ）の構造の１つのサブ層とを有する。
【００８１】 この第１の実施例の第１の例示においては、工程（ｉ）〜（ｉｖ）は２回行い
、２つの二重層、または２つの対合のサブ層を有する構造を集成した。
、２つの二重層、または２つの対合のサブ層を有する構造を集成した。
【００８２】 その後、２×４０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）中で２分間基板をリンスする。そ の後、動的真空下で５時間基板を乾燥させる。
【００８３】 第３の工程の４級化工程は、正に帯電した表面を得ることができるので有利で
あり、これにより、その後の自己組織化の際に、塩基性溶液または酸性溶液中に
表面を浸漬することができる。４級化により、この種の記載したデバイスの表面
電荷がｐＨ非依存性となるので、塩基性または酸性溶液の使用が可能となるから
である。
あり、これにより、その後の自己組織化の際に、塩基性溶液または酸性溶液中に
表面を浸漬することができる。４級化により、この種の記載したデバイスの表面
電荷がｐＨ非依存性となるので、塩基性または酸性溶液の使用が可能となるから
である。
【００８４】 代替的な形態では、チオール基を用いてＩＴＯ表面を官能化するが、この種の
表面をｐＨ非依存性とするためには異なる工程が必要である。この代替的な形態
では、第２の工程において、層６として図１に示すカップリング層を、層−層自
己組織化のための調製の際に再度形成する。真空オーブン中で２〜３時間１６５
〜１７０℃に動的真空下で基板を再度加熱し、表面シリル化の前に、物理吸着し
たＨ2Ｏを除去する。
表面をｐＨ非依存性とするためには異なる工程が必要である。この代替的な形態
では、第２の工程において、層６として図１に示すカップリング層を、層−層自
己組織化のための調製の際に再度形成する。真空オーブン中で２〜３時間１６５
〜１７０℃に動的真空下で基板を再度加熱し、表面シリル化の前に、物理吸着し
たＨ2Ｏを除去する。
【００８５】 その後、空気中で短時間１００℃に基板を再度冷却した後、５ｖｏｌ％の３−
メルカプトプロピルトリメトキシシランを含有する２００ｍＬのトルエン浴に浸
す。湿分を排除するよう注意しながら、反応浴を９５〜９７℃に２時間加温した
。これにより、短いＣ3アルキル鎖の末端に連結されたチオール（−ＳＨ）基に より官能化されたＩＴＯ表面が与えられる。
メルカプトプロピルトリメトキシシランを含有する２００ｍＬのトルエン浴に浸
す。湿分を排除するよう注意しながら、反応浴を９５〜９７℃に２時間加温した
。これにより、短いＣ3アルキル鎖の末端に連結されたチオール（−ＳＨ）基に より官能化されたＩＴＯ表面が与えられる。
【００８６】 シリル化した基板は、２×１００ｍｌのトルエンおよび１×ＭｅＯＨ中でこの
順に洗浄し、Ｎ2の噴流下で乾燥させる。この時点でのＩＴＯ基板の鏡面反射の 目視による検査により、光学的に清浄で均一な表面が示され、ピンホールのない
ＩＴＯ膜には散乱粒子は殆ど認められない。
順に洗浄し、Ｎ2の噴流下で乾燥させる。この時点でのＩＴＯ基板の鏡面反射の 目視による検査により、光学的に清浄で均一な表面が示され、ピンホールのない
ＩＴＯ膜には散乱粒子は殆ど認められない。
【００８７】 その後、この代替的な第２の工程では、有利かつ好ましくは、ｐＨ非感受性の
スルホネート（−ＳＯ3）部分へとチオール基を酸化するが、これを達成するた めに、１０ｍｌのＨＣＯＯＨおよび３０ｍｌのＨ2Ｏ2を含有する２００ｍＬのＨ 2 Ｏ中に室温（２４℃）で３０分間基板を浸す。
スルホネート（−ＳＯ3）部分へとチオール基を酸化するが、これを達成するた めに、１０ｍｌのＨＣＯＯＨおよび３０ｍｌのＨ2Ｏ2を含有する２００ｍＬのＨ 2 Ｏ中に室温（２４℃）で３０分間基板を浸す。
【００８８】 酸化した基板は、２×１００ｍｌのＨ2Ｏ、１×１００ｍｌの薄いＮａＯＨ（ ０．０２Ｍ）、２×１００ｍＬの０．４５μｍフィルタ処理したＨ2Ｏ、および その後に１×１００ｍｌの０．４５μｍフィルタ処理したイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）中でこの順に洗浄し、Ｎ2の噴流中でブロー乾燥する。この時点に おける目視による検査により、表面は光学的に清浄で均一に維持されていること
が示される。
ル（ＩＰＡ）中でこの順に洗浄し、Ｎ2の噴流中でブロー乾燥する。この時点に おける目視による検査により、表面は光学的に清浄で均一に維持されていること
が示される。
【００８９】 この代替的な形態では、層８によって図１に示される界面層を、界面層の層−
層自己組織化を使用して再度構成するものであるが、第３の工程が変更されてい
る。集成は、室温において層流キャビネット内で、誘導化したＩＴＯ基板上で行
う。
層自己組織化を使用して再度構成するものであるが、第３の工程が変更されてい
る。集成は、室温において層流キャビネット内で、誘導化したＩＴＯ基板上で行
う。
【００９０】 それぞれの集成サイクルは、協働するサブ層の対合である二重層を集成するも
のであり、この代替的な形態では次の工程よりなる。
のであり、この代替的な形態では次の工程よりなる。
【００９１】 (ｉ) 高分子陽イオン浴（静的）中での１４分の浸漬、 (ｉｉ) 新鮮なＨ2Ｏ（ミリポア）浴（穏やかに攪拌）中での１０秒のリンス、 (ｉｉｉ) 高分子陰イオン電解質浴（静的）中での１４分の浸漬、 (ｉｖ) 新鮮なＨ2Ｏ（ミリポア）浴（穏やかに攪拌）中での１０秒のリンス。
【００９２】 集成した膜は、好ましくは順次の工程の間で乾燥させないようにする。慎重な
取り扱いおよびリンスによって、溶液の持ち込みおよび相互混入を最小とした。
取り扱いおよびリンスによって、溶液の持ち込みおよび相互混入を最小とした。
【００９３】 高分子陰イオン電解質浴は、界面層が再度絶縁性の高分子であるこの代替的な
実施例では、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、２１ｍｇのポリ（スチレンスルホ ン酸Ｎａ塩）（アルドリッチ、ＭＷ７０ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨ
を約３に調整するためのＨＣｌ水溶液を再度含有する。高分子陽イオン浴は、界
面層が再度絶縁性の高分子であるこの代替的な実施例では、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ ミリポア）、８ｍｇのポリ（アリルアミン塩酸塩）（アルドリッチ、ＭＷ５０−
６５ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に調整するためのＨＣｌ水溶
液を再度含有する。自己組織化工程（ｉ）〜（ｉｖ）の後に、二重層は、図２（
ａ）の構造の１つのサブ層と、図２（ｂ）の構造の１つのサブ層とを再度有する
。
実施例では、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、２１ｍｇのポリ（スチレンスルホ ン酸Ｎａ塩）（アルドリッチ、ＭＷ７０ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨ
を約３に調整するためのＨＣｌ水溶液を再度含有する。高分子陽イオン浴は、界
面層が再度絶縁性の高分子であるこの代替的な実施例では、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ ミリポア）、８ｍｇのポリ（アリルアミン塩酸塩）（アルドリッチ、ＭＷ５０−
６５ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に調整するためのＨＣｌ水溶
液を再度含有する。自己組織化工程（ｉ）〜（ｉｖ）の後に、二重層は、図２（
ａ）の構造の１つのサブ層と、図２（ｂ）の構造の１つのサブ層とを再度有する
。
【００９４】 第４の工程では、層１０として図１に示す発光性のＭＥＨ−ＰＰＶ層をデバイ
ス上にスピンコートする。９０−ｎｍのポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチ
ル）−ヒドロキシ−ｐ−フェニレンビニレン）［ＭＥＨ−ＰＰＶ］を、ＭＥＨ−
ＰＰＶの０．５重量％ＣＨＣｌ3溶液を２０００ｒｐｍで１分間スピンコートす ることにより、基板−高分子集成体上に形成させる。
ス上にスピンコートする。９０−ｎｍのポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチ
ル）−ヒドロキシ−ｐ−フェニレンビニレン）［ＭＥＨ−ＰＰＶ］を、ＭＥＨ−
ＰＰＶの０．５重量％ＣＨＣｌ3溶液を２０００ｒｐｍで１分間スピンコートす ることにより、基板−高分子集成体上に形成させる。
【００９５】 第５の工程では、このように構成されたデバイスを熱処理する。半完成のデバ
イスを、動的真空（Ｐ＜１０-4ｍｂａｒ）下に１００℃で１時間焼成して遊離の
Ｈ2Ｏを除去する。その後、依然として真空中で２時間かけて基板を徐々に５０ ℃に冷却する。
イスを、動的真空（Ｐ＜１０-4ｍｂａｒ）下に１００℃で１時間焼成して遊離の
Ｈ2Ｏを除去する。その後、依然として真空中で２時間かけて基板を徐々に５０ ℃に冷却する。
【００９６】 第６の工程は、金属電極の形成工程である。真空状態を継続して、２００−ｎ
ｍ厚のＣａ層を、６×１０-6ｍｂａｒのベース圧力でマスクを介してＭＥＨ−Ｐ
ＰＶへと熱蒸着させ、４．４ｍｍ2のデバイスを得る。その後、１００−ｎｍ厚 のＡｌ層を最終蒸着してＣａ電極を保護する。
ｍ厚のＣａ層を、６×１０-6ｍｂａｒのベース圧力でマスクを介してＭＥＨ−Ｐ
ＰＶへと熱蒸着させ、４．４ｍｍ2のデバイスを得る。その後、１００−ｎｍ厚 のＡｌ層を最終蒸着してＣａ電極を保護する。
【００９７】 以上により、本発明によるＯＬＥＤの第１の実施例が完了する。対照として、
本発明の概念を実施するここに記載する実施例によって達成される有利な性能の
特徴と比較するために、ＭＥＨ−ＰＰＶをＲＣＡ浄化したＩＴＯ上に同様にして
直接スピン処理する。ＲＣＡ浄化したＩＴＯから調製されるデバイスは、以下に
記載する「従来のデバイス」のように設計する。
本発明の概念を実施するここに記載する実施例によって達成される有利な性能の
特徴と比較するために、ＭＥＨ−ＰＰＶをＲＣＡ浄化したＩＴＯ上に同様にして
直接スピン処理する。ＲＣＡ浄化したＩＴＯから調製されるデバイスは、以下に
記載する「従来のデバイス」のように設計する。
【００９８】 絶縁性の高分子界面層を有する第１の実施例によるデバイスについては、従来
のデバイスについての７Ｖで０．１６ｃｄ／Ａと比較すると、７Ｖで０．９２ｃ
ｄ／Ａの最大効率が得られ、５．８の率の改良が示されている。絶縁性の高分子
界面層を有する第１の実施例によるデバイスは、従来のデバイスについての９３
０ｍＡ／ｃｍ2と比較すると、１７０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を有し、５の率の減
少が示されている。絶縁性の高分子界面層を有する第１の実施例によるデバイス
は、従来のデバイスについての７Ｖで０．０７９ｌｍ／Ｗと比較すると、６Ｖで
０．４５ｌｍ／Ｗの最大電力効率を有し、５．８の率の増加が示されている。絶
縁性の高分子界面層を有する第１の実施例によるデバイスは、従来のデバイスに
ついての７Ｖで１３００ｃｄ／ｍ2と比較すると、８Ｖで２１００ｃｄ／ｍ2の最
大輝度を有し、１．６の率の増加が示されている。
のデバイスについての７Ｖで０．１６ｃｄ／Ａと比較すると、７Ｖで０．９２ｃ
ｄ／Ａの最大効率が得られ、５．８の率の改良が示されている。絶縁性の高分子
界面層を有する第１の実施例によるデバイスは、従来のデバイスについての９３
０ｍＡ／ｃｍ2と比較すると、１７０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を有し、５の率の減
少が示されている。絶縁性の高分子界面層を有する第１の実施例によるデバイス
は、従来のデバイスについての７Ｖで０．０７９ｌｍ／Ｗと比較すると、６Ｖで
０．４５ｌｍ／Ｗの最大電力効率を有し、５．８の率の増加が示されている。絶
縁性の高分子界面層を有する第１の実施例によるデバイスは、従来のデバイスに
ついての７Ｖで１３００ｃｄ／ｍ2と比較すると、８Ｖで２１００ｃｄ／ｍ2の最
大輝度を有し、１．６の率の増加が示されている。
【００９９】 本発明によって集成したＯＬＥＤの有利な性能を示すために、ここで図３、４
、および５を参照する。図３、４、および５は、従来のデバイスを用いて達成さ
れた結果に対して、本発明によって集成したデバイスによって達成された実験結
果を示している。図３、４、および５は、デバイスの効率、電力効率、および輝
度をそれぞれ示す。
、および５を参照する。図３、４、および５は、従来のデバイスを用いて達成さ
れた結果に対して、本発明によって集成したデバイスによって達成された実験結
果を示している。図３、４、および５は、デバイスの効率、電力効率、および輝
度をそれぞれ示す。
【０１００】 第３の工程で形成させる二重層の数を変化させる以外は、第１の実施例に記載
したようにして多数のデバイスを製造する。１、２、４、および１０の二重層ま
たはサブ層の対合を有するデバイスを、工程（ｉ）〜（ｉｖ）を１回、２回、４
回、および１０回それぞれ行うことによって集成した。図２〜４において、ポイ
ントＩＰ−１、ＩＰ−２、ＩＰ−４、およびＩＰ−１０は、それぞれ１、２、４
、および１０の二重層を用いて第１の実施例により集成したデバイスについての
結果を示す。これらの結果は、電力効率が、図２（ａ）および（ｂ）に示される
絶縁性高分子の２つの二重層により最適化されることを示している。
したようにして多数のデバイスを製造する。１、２、４、および１０の二重層ま
たはサブ層の対合を有するデバイスを、工程（ｉ）〜（ｉｖ）を１回、２回、４
回、および１０回それぞれ行うことによって集成した。図２〜４において、ポイ
ントＩＰ−１、ＩＰ−２、ＩＰ−４、およびＩＰ−１０は、それぞれ１、２、４
、および１０の二重層を用いて第１の実施例により集成したデバイスについての
結果を示す。これらの結果は、電力効率が、図２（ａ）および（ｂ）に示される
絶縁性高分子の２つの二重層により最適化されることを示している。
【０１０１】 第２の実施例では、第３の工程において、高分子陰イオン浴が、２０ｍｌのＨ 2 Ｏ（ミリポア）、２２ｍｇのポリ（スチレンスルホン酸Ｎａ塩）（アルドリッ チ、ＭＷ７０ｋ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に調整するためのＨ
Ｃｌ水溶液を含有し、高分子陽イオン浴が、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、０ ．７６ｇの、ポリ（フェニレンビニレン）への塩化テトラヒドロチオフェニウム
前駆体の３．０ｗｔ％ＭｅＯＨ溶液、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に
調整するためのＨＣｌ水溶液を含有する以外は、前記第１の実施例に記載したよ
うにしてデバイスを製造する。自己組織化工程（ｉ）〜（ｉｖ）の後に、二重層
は、図２（ｃ）の構造の１つのサブ層と、図２（ｄ）の構造の１つのサブ層とを
再度有する。第５の熱処理工程は、半導体性の高分子を与えるよう、ＰＰＶ−前
駆体高分子において短い共役長さを与えることが認められる。
Ｃｌ水溶液を含有し、高分子陽イオン浴が、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、０ ．７６ｇの、ポリ（フェニレンビニレン）への塩化テトラヒドロチオフェニウム
前駆体の３．０ｗｔ％ＭｅＯＨ溶液、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約３に
調整するためのＨＣｌ水溶液を含有する以外は、前記第１の実施例に記載したよ
うにしてデバイスを製造する。自己組織化工程（ｉ）〜（ｉｖ）の後に、二重層
は、図２（ｃ）の構造の１つのサブ層と、図２（ｄ）の構造の１つのサブ層とを
再度有する。第５の熱処理工程は、半導体性の高分子を与えるよう、ＰＰＶ−前
駆体高分子において短い共役長さを与えることが認められる。
【０１０２】 半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例によるデバイスについては、６
．５Ｖで０．７３ｃｄ／Ａの最大効率が得られ、従来のデバイスと比較すると、
４．６の率の改良が示される。半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例に
よるデバイスは、従来のデバイスと類似する、９７０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を 有する。半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例によるデバイスは、６Ｖ
で０．３６４ｌｍ／Ｗの最大電力効率を有し、従来のデバイスと比較すると、４
．６の率の増加が示されている。半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例
によるデバイスは、従来のデバイスと比較すると、７．５Ｖで７９００ｃｄ／ｍ 2 の最大輝度を有し、６．０の率の増加が示されている。
．５Ｖで０．７３ｃｄ／Ａの最大効率が得られ、従来のデバイスと比較すると、
４．６の率の改良が示される。半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例に
よるデバイスは、従来のデバイスと類似する、９７０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を 有する。半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例によるデバイスは、６Ｖ
で０．３６４ｌｍ／Ｗの最大電力効率を有し、従来のデバイスと比較すると、４
．６の率の増加が示されている。半導体性の高分子界面層を有する第２の実施例
によるデバイスは、従来のデバイスと比較すると、７．５Ｖで７９００ｃｄ／ｍ 2 の最大輝度を有し、６．０の率の増加が示されている。
【０１０３】 第２の実施例において、第３の工程で形成させる二重層の数を変化させる以外
は、前記第１の実施例に記載したようにして多数のデバイスを製造する。１、２
、４、および１０の二重層を有するデバイスを再度形成した。これらのデバイス
についての効率、電力効率、および最大輝度の値をそれぞれ図３、４、および５
に示す。図３〜５において、ポイントＳＰ−１、ＳＰ−２、ＳＰ−４、およびＳ
Ｐ−１０は、それぞれ１、２、４、および１０の二重層について第２の実施例に
より集成したデバイスについての結果を示す。これらの結果は、効率、電力効率
、および最大輝度が、図２（ｃ）および（ｄ）の半導体性の高分子の２つの二重
層または２つの対合のサブ層により全て最適化されることを示している。
は、前記第１の実施例に記載したようにして多数のデバイスを製造する。１、２
、４、および１０の二重層を有するデバイスを再度形成した。これらのデバイス
についての効率、電力効率、および最大輝度の値をそれぞれ図３、４、および５
に示す。図３〜５において、ポイントＳＰ−１、ＳＰ−２、ＳＰ−４、およびＳ
Ｐ−１０は、それぞれ１、２、４、および１０の二重層について第２の実施例に
より集成したデバイスについての結果を示す。これらの結果は、効率、電力効率
、および最大輝度が、図２（ｃ）および（ｄ）の半導体性の高分子の２つの二重
層または２つの対合のサブ層により全て最適化されることを示している。
【０１０４】 第３の実施例では、第３の工程において、高分子陰イオン浴が、２０ｍｌのＨ 2 Ｏ（ミリポア）、１６ｍｇのスルホン化したポリアニリン、３０ｍｇのＮａＣ ｌ、およびｐＨを約１１に調整するための濃ＮＨ3を含有し、高分子陽イオン浴 が、２０ｍｌのＨ2Ｏ（ミリポア）、１７ｍｇの臭化ヘキサジメトリン（アルド リッチ）、３０ｍｇのＮａＣｌ、およびｐＨを約１１に調整するための濃いＮＨ 3 を含有する以外は、第１の実施例に前記記載したようにしてデバイスを製造す る。界面層を形成させた後、０．２ＭのＨＣｌ溶液に基板を手短に浸漬して界面
層をプロトン化し、導電性の形態のポリアニリンを得る。よって、第３の実施例
により、界面層が導電性の高分子である構造が集成され、二重層は、図２（ｅ）
の構造の１つのサブ層と、図２（ｆ）の構造の１つのサブ層とを有するものとな
る。
層をプロトン化し、導電性の形態のポリアニリンを得る。よって、第３の実施例
により、界面層が導電性の高分子である構造が集成され、二重層は、図２（ｅ）
の構造の１つのサブ層と、図２（ｆ）の構造の１つのサブ層とを有するものとな
る。
【０１０５】 導電性の高分子界面層を備える第３の実施例により集成したデバイスは、６．
５Ｖで０．４４ｃｄ／Ａの最大効率を有し、従来のデバイスと比較すると、２．
８の率の改良が示される。導電性の高分子界面層を備える第３の実施例により集
成したデバイスは、１４３０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を有し、従来のデバイスと 比較すると、１．５の率の増加が示される。導電性の高分子界面層を備える第３
の実施例により集成したデバイスは、６Ｖで０．２３ｌｍ／Ｗの最大電力効率を
有し、従来のデバイスと比較すると、３．０の率の増加が示されている。導電性
の高分子界面層を備える第３の実施例によるデバイスは、従来のデバイスと比較
すると、７Ｖで７３００ｃｄ／ｍ2の最大輝度を有し、従来のデバイスと比較す ると、５．６の率の増加が示されている。
５Ｖで０．４４ｃｄ／Ａの最大効率を有し、従来のデバイスと比較すると、２．
８の率の改良が示される。導電性の高分子界面層を備える第３の実施例により集
成したデバイスは、１４３０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を有し、従来のデバイスと 比較すると、１．５の率の増加が示される。導電性の高分子界面層を備える第３
の実施例により集成したデバイスは、６Ｖで０．２３ｌｍ／Ｗの最大電力効率を
有し、従来のデバイスと比較すると、３．０の率の増加が示されている。導電性
の高分子界面層を備える第３の実施例によるデバイスは、従来のデバイスと比較
すると、７Ｖで７３００ｃｄ／ｍ2の最大輝度を有し、従来のデバイスと比較す ると、５．６の率の増加が示されている。
【０１０６】 第３の工程で形成させる二重層の数を再度変化させる以外は、第１の実施例に
記載したようにして多数のデバイスを製造する。１、２、４、および１０の二重
層またはサブ層の対合を有するデバイスを再度使用した。図３〜５において、ポ
イントＣＰ−１、ＣＰ−２、ＣＰ−４、およびＣＰ−１０は、それぞれ１、２、
４、および１０の二重層について第３の実施例により集成したデバイスについて
の結果を示す。これらの結果は、効率、電力効率、および最大輝度が、従来のデ
バイスと比較して、全て改良されることを示している。効率および電力効率は、
１〜１０の範囲において、図２（ｅ）および（ｆ）の導電性高分子の二重層の数
に対して比較的非感受性であるが、最大輝度は、薄い界面層について与えられた
駆動電圧における電流密度の増加のために、薄い界面層によって最適化される。
記載したようにして多数のデバイスを製造する。１、２、４、および１０の二重
層またはサブ層の対合を有するデバイスを再度使用した。図３〜５において、ポ
イントＣＰ−１、ＣＰ−２、ＣＰ−４、およびＣＰ−１０は、それぞれ１、２、
４、および１０の二重層について第３の実施例により集成したデバイスについて
の結果を示す。これらの結果は、効率、電力効率、および最大輝度が、従来のデ
バイスと比較して、全て改良されることを示している。効率および電力効率は、
１〜１０の範囲において、図２（ｅ）および（ｆ）の導電性高分子の二重層の数
に対して比較的非感受性であるが、最大輝度は、薄い界面層について与えられた
駆動電圧における電流密度の増加のために、薄い界面層によって最適化される。
【０１０７】 高分子層の性質をその厚さに渡って徐々に変化させることを含む方法をここに
説明する。
説明する。
【０１０８】 この実施例は、発光材料５０としての５ＢＴＦ８配合物（図７も参照）、カル
シウム−アルミニウム陰極５１、およびＩＴＯ陽極５３に隣接するＰＥＤＯＴ：
ＰＳＳおよびＰＰＶに基づく介在層（interlayer）からなる有機発光デバイス（
ＯＬＥＤ）（概略的に断面図で図６に示す）の製造を記載するものである。ＰＥ
ＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ５２とＩＴＯ５３との間には、シリルカップリング層５
４（図８も参照）が存在する。このデバイスは、ガラス基板５５上に形成され、
動作に際しては、陽極と陰極との間に電圧が印加されると、一般的に矢印５６で
示すようにガラスを介して光が放射される。
シウム−アルミニウム陰極５１、およびＩＴＯ陽極５３に隣接するＰＥＤＯＴ：
ＰＳＳおよびＰＰＶに基づく介在層（interlayer）からなる有機発光デバイス（
ＯＬＥＤ）（概略的に断面図で図６に示す）の製造を記載するものである。ＰＥ
ＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ５２とＩＴＯ５３との間には、シリルカップリング層５
４（図８も参照）が存在する。このデバイスは、ガラス基板５５上に形成され、
動作に際しては、陽極と陰極との間に電圧が印加されると、一般的に矢印５６で
示すようにガラスを介して光が放射される。
【０１０９】 高分子電解質自己組織化プロセスは、介在層５２を構築するために用いられる
。このプロセスは、一方の符号の正味の電荷を担持する一方の高分子電解質の後
に、他方の符号の正味の電荷を担持する他方の高分子電解質を順次吸着（形成）
させることにより、超薄型で連続的で共形の（conformal）高分子多重層膜を（ 好ましくは適切に処理された基板上に）形成する一般的な多用途の方法として特
に魅力のあるものである。多重層膜は、工程のサイクルを繰り返すことによって
形成することができる。各集成サイクルは、２つの高分子電解質溶液のそれぞれ
に基板を順に浸漬して、溶液から一対の一連のサブ層を形成させることよりなり
、その間に広範なリンス工程を行うものである。よって、各集成サイクルにより
、多重層膜の１つの二重層が集成される。
。このプロセスは、一方の符号の正味の電荷を担持する一方の高分子電解質の後
に、他方の符号の正味の電荷を担持する他方の高分子電解質を順次吸着（形成）
させることにより、超薄型で連続的で共形の（conformal）高分子多重層膜を（ 好ましくは適切に処理された基板上に）形成する一般的な多用途の方法として特
に魅力のあるものである。多重層膜は、工程のサイクルを繰り返すことによって
形成することができる。各集成サイクルは、２つの高分子電解質溶液のそれぞれ
に基板を順に浸漬して、溶液から一対の一連のサブ層を形成させることよりなり
、その間に広範なリンス工程を行うものである。よって、各集成サイクルにより
、多重層膜の１つの二重層が集成される。
【０１１０】 以下に記載するプロセスにより、従来の文献に報告されたものを超える実質的
な増強が与えられる。第１に、本プロセスにより、発光層全体よりも、寧ろ介在
層の製造が可能となり、これにより、従来は可能ではなかったある程度の独立制
御が可能となる。第２に、本プロセスは、成長方向における介在層の組成／性質
（１または複数）の階調化（gradation）に向けられており、この階調化を特に 操作して、ＬＥＤ性能の有意義な改良を達成することができる。
な増強が与えられる。第１に、本プロセスにより、発光層全体よりも、寧ろ介在
層の製造が可能となり、これにより、従来は可能ではなかったある程度の独立制
御が可能となる。第２に、本プロセスは、成長方向における介在層の組成／性質
（１または複数）の階調化（gradation）に向けられており、この階調化を特に 操作して、ＬＥＤ性能の有意義な改良を達成することができる。
【０１１１】 この実施例では、３−アミノプロピルトリメトキシシランを用いた表面シリル
化によって、適切に処理されたＩＴＯ表面を調製した。高分子電解質の自己組織
化は、層流キャビネット内でダストのない条件下で実施した。市販のｐ−ドープ
したＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（バイエルＡＧから入手可能）を高分子陰イオンとして
作用させる。この材料は、密接に組み合わせたＰＥＤＯＴおよびＰＳＳ高分子対
からなり、正に帯電したチオフェン環（ＰＥＤＯＴ上）に対する負に帯電したス
ルホネート基（ＰＳＳ上）の比率は約３であり、これにより高分子対は全体とし
て負に帯電している。その自己組織化の相手としては、ポリ（塩化ｐ−キシリレ
ンテトラヒドロチオフェニウム）（ＰＰＶ−ＴＨＴ）を使用した。この高分子は
、昇温下でテトラヒドロチオフェンおよび塩酸が脱離し、共役ｐ−フェニレンビ
ニレン（ＰＰＶ）配列を与えるものであり、これにより電荷移送（ここでは正孔
移送）および形成層を介する１方向の注入が有利に支持され得るが、層および／
または隣接層との一方または両方のその界面を介する反対方向の電子の漏れは妨
げられ得る。このデバイスは、その後スピンコートによって厚さ８６０Åの５Ｂ
ＴＦ８発光高分子層を形成させた後、厚さ２０００Åのカルシウム陰極および厚
さ１０００Åのアルミニウムキャッピング層を熱蒸着により形成させることによ
って完成する。
化によって、適切に処理されたＩＴＯ表面を調製した。高分子電解質の自己組織
化は、層流キャビネット内でダストのない条件下で実施した。市販のｐ−ドープ
したＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（バイエルＡＧから入手可能）を高分子陰イオンとして
作用させる。この材料は、密接に組み合わせたＰＥＤＯＴおよびＰＳＳ高分子対
からなり、正に帯電したチオフェン環（ＰＥＤＯＴ上）に対する負に帯電したス
ルホネート基（ＰＳＳ上）の比率は約３であり、これにより高分子対は全体とし
て負に帯電している。その自己組織化の相手としては、ポリ（塩化ｐ−キシリレ
ンテトラヒドロチオフェニウム）（ＰＰＶ−ＴＨＴ）を使用した。この高分子は
、昇温下でテトラヒドロチオフェンおよび塩酸が脱離し、共役ｐ−フェニレンビ
ニレン（ＰＰＶ）配列を与えるものであり、これにより電荷移送（ここでは正孔
移送）および形成層を介する１方向の注入が有利に支持され得るが、層および／
または隣接層との一方または両方のその界面を介する反対方向の電子の漏れは妨
げられ得る。このデバイスは、その後スピンコートによって厚さ８６０Åの５Ｂ
ＴＦ８発光高分子層を形成させた後、厚さ２０００Åのカルシウム陰極および厚
さ１０００Åのアルミニウムキャッピング層を熱蒸着により形成させることによ
って完成する。
【０１１２】 この発明を例示するために、幾つかの異なる種類のデバイスを作製した。デバ
イスＩは、スピンコートによってＩＴＯ基板上に直接形成させた厚さ３２０Åの
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの正孔移送層からなる対照デバイスであり、ＰＥＤＯＴ：Ｐ
ＳＳ上にスピン処理した発光体層を有する。デバイスＩＩは、高分子電解質自己
組織化によってシリル化したＩＴＯ基板上に形成させたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／Ｐ
ＰＶの６つの二重層の膜からなる。その後、スピンコートによってこの介在層の
上に５ＢＴＦ８を形成させる。介在層中のＰＥＤＯＴは、実質的に完全にドープ
する（すなわち、高度に導電性である）。
イスＩは、スピンコートによってＩＴＯ基板上に直接形成させた厚さ３２０Åの
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの正孔移送層からなる対照デバイスであり、ＰＥＤＯＴ：Ｐ
ＳＳ上にスピン処理した発光体層を有する。デバイスＩＩは、高分子電解質自己
組織化によってシリル化したＩＴＯ基板上に形成させたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／Ｐ
ＰＶの６つの二重層の膜からなる。その後、スピンコートによってこの介在層の
上に５ＢＴＦ８を形成させる。介在層中のＰＥＤＯＴは、実質的に完全にドープ
する（すなわち、高度に導電性である）。
【０１１３】 デバイスＩＩＩは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶの６つの二重層の膜からなる
が、集成の際にＰＥＤＯＴドーピングレベルを次第に低減させた。これにより最
終的な二重層中のＰＥＤＯＴは、主としてドープされていない（すなわち、導電
性は乏しい）。デバイスＩＶは、ポリスチレンスルホネート／ＰＰＶの付加的な
二重層が、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶフィルム上のキャッピング層として集成
されている以外は、デバイスＩＩＩと同様にして構築する。デバイスＶは、ＰＥ
ＤＯＴが実質的にドープされていない以外は、デバイスＩＩと同様に構築する。
が、集成の際にＰＥＤＯＴドーピングレベルを次第に低減させた。これにより最
終的な二重層中のＰＥＤＯＴは、主としてドープされていない（すなわち、導電
性は乏しい）。デバイスＩＶは、ポリスチレンスルホネート／ＰＰＶの付加的な
二重層が、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶフィルム上のキャッピング層として集成
されている以外は、デバイスＩＩＩと同様にして構築する。デバイスＶは、ＰＥ
ＤＯＴが実質的にドープされていない以外は、デバイスＩＩと同様に構築する。
【０１１４】 集成溶液におけるＰＥＤＯＴのドープレベルは、副生物としての無害のＮ2の 形成を伴ってｐ−ドープされたＰＥＤＯＴを還元するヒドラジンを用いた制御さ
れた反応によって容易に調整される。この様式で、減少する（または一般に徐々
に変化する）ドープレベルのＰＥＤＯＴを介在層膜に集成することができる。同
時帯電および成長する介在層を介するイオン移送（ion-transport）によるドー プレベルが急変することを抑制するために、全体に渡って塩基性溶液媒体を用い
た。この媒体では、より移動性のＨ+イオンの代わりに、ＮＨ4+イオンが電荷の 中立性を維持する。
れた反応によって容易に調整される。この様式で、減少する（または一般に徐々
に変化する）ドープレベルのＰＥＤＯＴを介在層膜に集成することができる。同
時帯電および成長する介在層を介するイオン移送（ion-transport）によるドー プレベルが急変することを抑制するために、全体に渡って塩基性溶液媒体を用い
た。この媒体では、より移動性のＨ+イオンの代わりに、ＮＨ4+イオンが電荷の 中立性を維持する。
【０１１５】 ５つの例示的なデバイス（デバイスＩ〜Ｖ）の製造をここに説明する。
【０１１６】 デバイスＩ〜Ｖの製造の詳細 （１）ＩＴＯ表面誘導化 十分に特定された、ｐＨ非感受性でレドックス不活性な４級アンモニウム官能
性を用いてＩＴＯ表面を調製するために、以下の手順を採用した。
性を用いてＩＴＯ表面を調製するために、以下の手順を採用した。
【０１１７】 ＩＴＯ被覆したガラス基板（１０Ω／平方、Balzers）を最初にパターン化し 、ＲＣＡ処方（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2：ＮＨ3、１０：２：０．６、５０〜６０℃、３０
分）により浄化した後、真空中で焼成して（１６５〜７０℃、１５０分）物理吸
着した水を除去し、グローブバッグ内で乾燥窒素下に冷却した。
分）により浄化した後、真空中で焼成して（１６５〜７０℃、１５０分）物理吸
着した水を除去し、グローブバッグ内で乾燥窒素下に冷却した。
【０１１８】 一方、グローブバッグ内で、シリル化浴（９５℃、２時間）中で基板を処理し
、ＩＴＯ表面に結合する−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2基を形成した。シリル化浴（２
０ｍｌ）は、４Åの分子篩により予め乾燥させたＨＰＬＣ等級のトルエン（アル
ドリッチ）中の５ｖｏｌ％の３−アミノプロピルトリメトキシシラン（アルドリ
ッチ）よりなるものとした。その後、ＨＰＬＣ等級のトルエン（１×５０ｍｌ）
、ＨＰＬＣ等級のメタノール（２×５０ｍｌ）、およびＨＰＬＣ等級のイソプロ
パノール（２×５０ｍｌ）中でこの順に基板を洗浄した。斜め照明の下での観察
による検査では、十分な注意がない場合に起こり得るシリカゲル形成の兆候は認
められなかった。
、ＩＴＯ表面に結合する−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2基を形成した。シリル化浴（２
０ｍｌ）は、４Åの分子篩により予め乾燥させたＨＰＬＣ等級のトルエン（アル
ドリッチ）中の５ｖｏｌ％の３−アミノプロピルトリメトキシシラン（アルドリ
ッチ）よりなるものとした。その後、ＨＰＬＣ等級のトルエン（１×５０ｍｌ）
、ＨＰＬＣ等級のメタノール（２×５０ｍｌ）、およびＨＰＬＣ等級のイソプロ
パノール（２×５０ｍｌ）中でこの順に基板を洗浄した。斜め照明の下での観察
による検査では、十分な注意がない場合に起こり得るシリカゲル形成の兆候は認
められなかった。
【０１１９】 続いて、メチル化浴中で暗所で基板を処理し（２５℃、３時間）、ｐＨ非感受
性でレドックス不活性のプロピルトリメチルアンモニウムイオン（−ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2ＮＭｅ3 +）へと−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2を４級化した。メチル化浴（２０ ｍｌ）は、ＨＰＬＣ等級のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（アルドリッチ）中の
５ｖｏｌ％のＣＨ3Ｉ（アルドリッチ）および酸スキャベンジャとしての０．５ ｖｏｌ％のトリメチルアミンよりなるものとした。その後、脱イオン化したＨ2 Ｏ（３×５０ｍｌ）およびＨＰＬＣ等級のイソプロパノール（１×５０ｍｌ）中
で基板を洗浄し、５０℃で乾燥キャビネット内で乾燥した。この段階での目視に
よる検査により、誘導化したＩＴＯ表面は主として清浄なままであることが示さ
れた。
性でレドックス不活性のプロピルトリメチルアンモニウムイオン（−ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2ＮＭｅ3 +）へと−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2を４級化した。メチル化浴（２０ ｍｌ）は、ＨＰＬＣ等級のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（アルドリッチ）中の
５ｖｏｌ％のＣＨ3Ｉ（アルドリッチ）および酸スキャベンジャとしての０．５ ｖｏｌ％のトリメチルアミンよりなるものとした。その後、脱イオン化したＨ2 Ｏ（３×５０ｍｌ）およびＨＰＬＣ等級のイソプロパノール（１×５０ｍｌ）中
で基板を洗浄し、５０℃で乾燥キャビネット内で乾燥した。この段階での目視に
よる検査により、誘導化したＩＴＯ表面は主として清浄なままであることが示さ
れた。
【０１２０】 （２）制御されたＰＥＤＯＴドープレベルを有するＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ集成溶
液の調製 市販の材料（バイエルＡＧの試供品Ａｌ１４０７１）から、減少するレベルの
ドーピングによるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの４つの溶液（Ｐ１〜Ｐ４）を調製した。
十分にドープしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの暗青色の溶液２．０ｍｌ（１．６ｗ／ｖ
％全固体）と、以下の容積の５５ｗ／ｖ％ヒドラジン水和物（アルドリッチ）と
を反応させた。
液の調製 市販の材料（バイエルＡＧの試供品Ａｌ１４０７１）から、減少するレベルの
ドーピングによるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの４つの溶液（Ｐ１〜Ｐ４）を調製した。
十分にドープしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの暗青色の溶液２．０ｍｌ（１．６ｗ／ｖ
％全固体）と、以下の容積の５５ｗ／ｖ％ヒドラジン水和物（アルドリッチ）と
を反応させた。
【０１２１】 材料Ｐ１を調製するための０．００ｍｌ（なし）、 材料Ｐ２を調製するための０．２０ｍｌ、 材料Ｐ３を調製するための１．０ｍｌ、 材料Ｐ４を調製するための８．０ｍｌ。
【０１２２】 それぞれ十分な蒸留水と共に封止したアンバーバイアルに入れ、全反応容積を１
０．０ｍｌとした。反応混合物を７０℃に３時間加温し、その際にＰＥＤＯＴの
脱ドーピング（dedoping）が生起した。その後、溶液を一夜放置した。沈殿は認
められなかった。この結果得られた溶液のＵＶ−可視吸収スペクトル測定により
（図９に示す）、選択的な脱ドーピングが成功したことが示された。Ｐ１溶液の
スペクトルが、十分にドープされたＰＥＤＯＴ（約３０％のドープ）の特性を示
すのに対し、Ｐ４溶液は、ドープされていないＰＥＤＯＴ（すなわち、約０％の
ドープ）の特性を示す。Ｐ２およびＰ３のスペクトルは、この２つの間の中間に
あり、６２０ｎｍにおけるπ−π*遷移の補正強度から推定したものとして、そ れぞれ約２５％および２０％に対応する。ガラス基板上に流延したミクロン厚の
膜における４つのインラインプローブにより測定したｄｃ伝導率も、減少するレ
ベルのドーピングと一貫しており、Ｐ１について１．０Ｓ／ｃｍ、Ｐ２について
０．０１Ｓ／ｃｍ、Ｐ３について０．００８Ｓ／ｃｍ、およびＰ４について０．
００４Ｓ／ｃｍである。
０．０ｍｌとした。反応混合物を７０℃に３時間加温し、その際にＰＥＤＯＴの
脱ドーピング（dedoping）が生起した。その後、溶液を一夜放置した。沈殿は認
められなかった。この結果得られた溶液のＵＶ−可視吸収スペクトル測定により
（図９に示す）、選択的な脱ドーピングが成功したことが示された。Ｐ１溶液の
スペクトルが、十分にドープされたＰＥＤＯＴ（約３０％のドープ）の特性を示
すのに対し、Ｐ４溶液は、ドープされていないＰＥＤＯＴ（すなわち、約０％の
ドープ）の特性を示す。Ｐ２およびＰ３のスペクトルは、この２つの間の中間に
あり、６２０ｎｍにおけるπ−π*遷移の補正強度から推定したものとして、そ れぞれ約２５％および２０％に対応する。ガラス基板上に流延したミクロン厚の
膜における４つのインラインプローブにより測定したｄｃ伝導率も、減少するレ
ベルのドーピングと一貫しており、Ｐ１について１．０Ｓ／ｃｍ、Ｐ２について
０．０１Ｓ／ｃｍ、Ｐ３について０．００８Ｓ／ｃｍ、およびＰ４について０．
００４Ｓ／ｃｍである。
【０１２３】 ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ集成溶液を調製するために、結果的に得られたＰ１〜Ｐ４
溶液のそれぞれ９．５ｍｌと、１０ｍｌの５０ｍＭＮａＣｌ水溶液とを混合して
最終イオン強度を２５ｍＭに固定し、５０μｌの３５ｗ／ｖ％ＮＨ3水溶液を添 加することによりｐＨを１１に調整した。したがって、これにより、集成溶液中
の約０．１５ｗ／ｖ％の全高分子固体が与えられた。ＮａＣｌ溶液は、脱イオン
化した水を用いて作製した。溶液のイオン強度は２５ｍＭに保持し、市販の高分
子電解質中の不純物の影響を排除すると共に、自己組織化のための一定のイオン
的基盤を与えるものとした。
溶液のそれぞれ９．５ｍｌと、１０ｍｌの５０ｍＭＮａＣｌ水溶液とを混合して
最終イオン強度を２５ｍＭに固定し、５０μｌの３５ｗ／ｖ％ＮＨ3水溶液を添 加することによりｐＨを１１に調整した。したがって、これにより、集成溶液中
の約０．１５ｗ／ｖ％の全高分子固体が与えられた。ＮａＣｌ溶液は、脱イオン
化した水を用いて作製した。溶液のイオン強度は２５ｍＭに保持し、市販の高分
子電解質中の不純物の影響を排除すると共に、自己組織化のための一定のイオン
的基盤を与えるものとした。
【０１２４】 （３）ＰＰＶ−ＴＨＴ集成溶液の調製 ＰＰＶ−ＴＨＴ集成溶液を調製するために、メタノール中の２．０５ｇのポリ
（ｐ−キシリレンテトラヒドロチオフェニウム塩酸塩）溶液（１．１ｗ／ｖ％全
固体、標準的な文献的手順により調製、例えば、R. A. Wessling、「キシリレン
ビスアルキルスルホニウム塩の重合（The polymerisation of xylylen bisalkyl
sulfonium salts）」、ジャーナル・オブ・ポリマー・サイエンス・ポリマー・ シンポジウム（Journal of Polymer Science Polymer Symposium） 72, pp 55-6
6, 1985を参照することができる）と、１８ｍｌの２５ｍＭＮａＣｌ溶液とを混 合し、５０μｌの３５ｗ／ｖ％ＮＨ3水溶液を添加することによりｐＨを１１に 調整した。したがって、集成溶液中のＰＰＶ−ＴＨＴ含有量は、約０．１ｗ／ｖ
％であった。
（ｐ−キシリレンテトラヒドロチオフェニウム塩酸塩）溶液（１．１ｗ／ｖ％全
固体、標準的な文献的手順により調製、例えば、R. A. Wessling、「キシリレン
ビスアルキルスルホニウム塩の重合（The polymerisation of xylylen bisalkyl
sulfonium salts）」、ジャーナル・オブ・ポリマー・サイエンス・ポリマー・ シンポジウム（Journal of Polymer Science Polymer Symposium） 72, pp 55-6
6, 1985を参照することができる）と、１８ｍｌの２５ｍＭＮａＣｌ溶液とを混 合し、５０μｌの３５ｗ／ｖ％ＮＨ3水溶液を添加することによりｐＨを１１に 調整した。したがって、集成溶液中のＰＰＶ−ＴＨＴ含有量は、約０．１ｗ／ｖ
％であった。
【０１２５】 （４）高分子電解質の自己組織化 介在層膜を形成するために、それぞれの高分子電解質溶液を作製した後２時間
以内に、層流キャビネット内で室温（２２℃）で高分子電解質の自己組織化を行
った。
以内に、層流キャビネット内で室温（２２℃）で高分子電解質の自己組織化を行
った。
【０１２６】 （ａ）デバイスＩＩのための介在層の１つの二重層を集成するために、誘導化
したＩＴＯ基板をＰ１溶液に１０分間浸し、合計で１分間２×３０ｍｌの新鮮な
脱イオン化した水で激しくリンスした後、ＰＰＶ−ＴＨＴ溶液に１０分間浸し、
最後に２×３０ｍｌの新鮮な脱イオン化した水中で１分間リンスした。このサイ
クルを５回以上繰り返し、ＩＴＯ陽極上に十分にドープしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ
／ＰＰＶの６つの二重層の膜を集成した。
したＩＴＯ基板をＰ１溶液に１０分間浸し、合計で１分間２×３０ｍｌの新鮮な
脱イオン化した水で激しくリンスした後、ＰＰＶ−ＴＨＴ溶液に１０分間浸し、
最後に２×３０ｍｌの新鮮な脱イオン化した水中で１分間リンスした。このサイ
クルを５回以上繰り返し、ＩＴＯ陽極上に十分にドープしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ
／ＰＰＶの６つの二重層の膜を集成した。
【０１２７】 （ｂ）デバイスＩＩＩにおける介在層の最初の３つの二重層は、デバイスＩＩ
について前記した手順に従って製造した。その後、次の集成サイクルのために、
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ集成溶液をＰ２に変え、次いでＰ３および最後にＰ４とした
。よって、結果的に得られる高分子多重層膜の理想的な組成は、３０％ドープ（
十分なドープ）ＰＥＤＯＴの３つの二重層であり、２５％ドープＰＥＤＯＴの１
つの二重層が続き、次いで２０％ドーブＰＥＤＯＴの１つの二重層であり、最後
にドープしていないＰＥＤＯＴの１つの二重層である。
について前記した手順に従って製造した。その後、次の集成サイクルのために、
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ集成溶液をＰ２に変え、次いでＰ３および最後にＰ４とした
。よって、結果的に得られる高分子多重層膜の理想的な組成は、３０％ドープ（
十分なドープ）ＰＥＤＯＴの３つの二重層であり、２５％ドープＰＥＤＯＴの１
つの二重層が続き、次いで２０％ドーブＰＥＤＯＴの１つの二重層であり、最後
にドープしていないＰＥＤＯＴの１つの二重層である。
【０１２８】 （ｃ）デバイスＩＶにおける介在層膜の最初の６つの二重層を、デバイスＩＩ
Ｉについて前記したようにして製造した。その後、ポリ（スチレンスルホン酸ナ
トリウム塩）の高分子陰イオン溶液中、次いでＰＰＶ−ＴＨＴの高分子陽イオン
溶液による付加的な集成サイクルを使用し、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ膜上の
ＰＳＳ／ＰＰＶのキャッピング層を集成した。ポリ（スチレンスルホン酸）溶液
は、２４ｍｇのポリ（スチレンスルホン酸ナトリウム塩）（分子量＝７０，００
０、アルドリッチより）を２０ｍｌの２５ｍＭＮａＣｌ溶液に添加し、５０μｌ
の３５ｗ／ｖ％ＮＨ3水溶液の添加によりｐＨを１１に調整することにより作製 した。
Ｉについて前記したようにして製造した。その後、ポリ（スチレンスルホン酸ナ
トリウム塩）の高分子陰イオン溶液中、次いでＰＰＶ−ＴＨＴの高分子陽イオン
溶液による付加的な集成サイクルを使用し、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ膜上の
ＰＳＳ／ＰＰＶのキャッピング層を集成した。ポリ（スチレンスルホン酸）溶液
は、２４ｍｇのポリ（スチレンスルホン酸ナトリウム塩）（分子量＝７０，００
０、アルドリッチより）を２０ｍｌの２５ｍＭＮａＣｌ溶液に添加し、５０μｌ
の３５ｗ／ｖ％ＮＨ3水溶液の添加によりｐＨを１１に調整することにより作製 した。
【０１２９】 集成プロセスの終了に際し、グローブボックス内の真空加熱リグに基板を移し
、動的真空（１０-6ｍｂａｒ未満の圧力）で２時間７０℃で焼成し、自己組織化
した高分子電解質膜から緩く結合した水分子を除去し、ＰＰＶ−ＴＨＴの部分的
変換を行って、オリゴ−ｐ−フェニレンビニレン配列の短い共役部分を得た。こ
れより高い焼成温度では、低電圧でデバイスを駆動した際に、相当な非生産的な
漏れ電流を引き起こすことが認められた。後続する工程は、全てグローブボック
ス内で行った。
、動的真空（１０-6ｍｂａｒ未満の圧力）で２時間７０℃で焼成し、自己組織化
した高分子電解質膜から緩く結合した水分子を除去し、ＰＰＶ−ＴＨＴの部分的
変換を行って、オリゴ−ｐ−フェニレンビニレン配列の短い共役部分を得た。こ
れより高い焼成温度では、低電圧でデバイスを駆動した際に、相当な非生産的な
漏れ電流を引き起こすことが認められた。後続する工程は、全てグローブボック
ス内で行った。
【０１３０】 （５）発光性高分子および金属陰極の形成 １．５ｗ／ｖ％ｐ−キシレン溶液から、１４００ｒｐｍでのスピンコートによ
って、自己組織化した高分子膜の頂部に８６０Åの５ＢＴＦ８膜を形成させた。
シャドウマスクを介して１０-6ｍｂａｒのベース圧力の下、２０Å／ｓにて２０
００Åのカルシウム層を熱蒸着し、それぞれのデバイス基板上に８つの１．５ｍ
ｍ2（公称）の発光ダイオードを画成した。その後、カルシウム上に、厚さ１０ ００Åの薄いアルミニウム保護層を蒸着した。
って、自己組織化した高分子膜の頂部に８６０Åの５ＢＴＦ８膜を形成させた。
シャドウマスクを介して１０-6ｍｂａｒのベース圧力の下、２０Å／ｓにて２０
００Åのカルシウム層を熱蒸着し、それぞれのデバイス基板上に８つの１．５ｍ
ｍ2（公称）の発光ダイオードを画成した。その後、カルシウム上に、厚さ１０ ００Åの薄いアルミニウム保護層を蒸着した。
【０１３１】 （６）対照デバイス ＲＣＡ浄化ＩＴＯ基板を調製し、０．８ｗ／ｖ％の水溶液から１８５０ｒｐｍ
の割合でこの上に３２０ÅのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜をスピンコートすることによ
り、二重層対照デバイスＩを製造した。その後、（４）の部分に記載したように
して膜を７０℃で焼成し、その後８６０Åの５ＢＴＦ８膜、続いて２０００Åの
カルシウム層および１０００Åのアルミニウム保護層を、（５）の部分に記載し
たようにして形成させた。
の割合でこの上に３２０ÅのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜をスピンコートすることによ
り、二重層対照デバイスＩを製造した。その後、（４）の部分に記載したように
して膜を７０℃で焼成し、その後８６０Åの５ＢＴＦ８膜、続いて２０００Åの
カルシウム層および１０００Åのアルミニウム保護層を、（５）の部分に記載し
たようにして形成させた。
【０１３２】 製造プロセスにおける変動による散らばりを低減するために、５つのデバイス
の全てを１つのバッチで製造した。
の全てを１つのバッチで製造した。
【０１３３】 図１０〜１４は、デバイスＩ〜Ｖの代表的な性能をそれぞれ示す。それぞれの
図の上側の図は、印加電圧に対するデバイスの明るさ並びにデバイスを介する電
流密度を示す。それぞれの図の下側の図は、印加電圧に対するデバイスの電力効
率並びに量子効率を示す。
図の上側の図は、印加電圧に対するデバイスの明るさ並びにデバイスを介する電
流密度を示す。それぞれの図の下側の図は、印加電圧に対するデバイスの電力効
率並びに量子効率を示す。
【０１３４】 以下の表に、選択された明るさにおけるデバイスの駆動電圧および電力効率を
まとめる。データは、それぞれの種類のデバイスの３〜４個を平均して得たもの
である。
まとめる。データは、それぞれの種類のデバイスの３〜４個を平均して得たもの
である。
【０１３５】
【表１】
【０１３６】 これらの結果は、層状にしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ介在層により、ＰＥ
ＤＯＴ：ＰＳＳ単独で構築した対照デバイスを超えるほどに、デバイスの電力効
率が有意義に改良されることを示す。前記した表から、３〜４Ｖの中程度に低い
駆動および約１０ｃｄ／ｍ2の明るさにおける電力効率の３０倍〜４０倍の改良 が、介在層デバイスＩＩ〜Ｖについて達成される。さらに低い電圧であっても、
これらのデバイスはより効率的である。２０〜３０ｌｍ／Ｗに至る電力効率は、
デバイスのターンオン直後に容易に達成される。（明るさに対してデバイスの電
力効率をプロットした図１５を参照）電力効率は、駆動電圧および明るさが増加
するとともに減少する。しかしながら、１０００ｃｄ／ｍ2の中程度に高い明る さであってなお、対照デバイスの２倍〜３倍を超える程度に増強されている。高
いｌｍ／Ｗ値をより高い明るさにシフトさせる１つの手法は、５ＢＴＦ８層の厚
さを増加させることである。特に、約１０００、１２００、１５００、または約
２０００Åまでも厚さを増加させることができる。
ＤＯＴ：ＰＳＳ単独で構築した対照デバイスを超えるほどに、デバイスの電力効
率が有意義に改良されることを示す。前記した表から、３〜４Ｖの中程度に低い
駆動および約１０ｃｄ／ｍ2の明るさにおける電力効率の３０倍〜４０倍の改良 が、介在層デバイスＩＩ〜Ｖについて達成される。さらに低い電圧であっても、
これらのデバイスはより効率的である。２０〜３０ｌｍ／Ｗに至る電力効率は、
デバイスのターンオン直後に容易に達成される。（明るさに対してデバイスの電
力効率をプロットした図１５を参照）電力効率は、駆動電圧および明るさが増加
するとともに減少する。しかしながら、１０００ｃｄ／ｍ2の中程度に高い明る さであってなお、対照デバイスの２倍〜３倍を超える程度に増強されている。高
いｌｍ／Ｗ値をより高い明るさにシフトさせる１つの手法は、５ＢＴＦ８層の厚
さを増加させることである。特に、約１０００、１２００、１５００、または約
２０００Åまでも厚さを増加させることができる。
【０１３７】 ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ介在層の構成は、正孔を移送するが電子を遮断す
る作用を与えると考えられ、これにより、電荷の再結合が促進されが、発光体層
に対する励起の遮断が助成される。層状にしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ集成
体における、特に終止層としての半導体性ＰＰＶ層の存在は、この点において重
要な役割を果たすと考えられる。半変換された（semi-converted）ＰＰＶは、Ｐ
ＥＤＯＴ、Ｆ８ＢＴ、およびＦ８の場合（図１６ａ参照）より数十エレクトロン
ボルト高い、電子移送についてのＬＵＭＯ準位を有することが予期され、これに
より、反対方向から界面を横切る電子に対して遮断効果を及ぼし得るものである
。遮断された電子は、デバイス内の電界を有利に再分布させ、デバイスに注入さ
れる電子と正孔とのバランスが改善される。また、ＰＰＶ層は、さらに後続して
形成される励起を、幾分かの非放射性の損失に至るＩＴＯ陽極との直接接触から
隔離するよう補助する。一方、ＰＥＤＯＴは、介在層に対して正孔移送作用を与
え、発光体層による界面を横切る正孔の注入を補助する。よって、正味の効果は
、改良された電子−正孔捕捉に関連した改良された電子−正孔バランス、および
高い割合の放射再結合ということになろう。これは、介在層デバイスにおいて観
察される大幅に改良された電力効率に至ると考えられる。
る作用を与えると考えられ、これにより、電荷の再結合が促進されが、発光体層
に対する励起の遮断が助成される。層状にしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ集成
体における、特に終止層としての半導体性ＰＰＶ層の存在は、この点において重
要な役割を果たすと考えられる。半変換された（semi-converted）ＰＰＶは、Ｐ
ＥＤＯＴ、Ｆ８ＢＴ、およびＦ８の場合（図１６ａ参照）より数十エレクトロン
ボルト高い、電子移送についてのＬＵＭＯ準位を有することが予期され、これに
より、反対方向から界面を横切る電子に対して遮断効果を及ぼし得るものである
。遮断された電子は、デバイス内の電界を有利に再分布させ、デバイスに注入さ
れる電子と正孔とのバランスが改善される。また、ＰＰＶ層は、さらに後続して
形成される励起を、幾分かの非放射性の損失に至るＩＴＯ陽極との直接接触から
隔離するよう補助する。一方、ＰＥＤＯＴは、介在層に対して正孔移送作用を与
え、発光体層による界面を横切る正孔の注入を補助する。よって、正味の効果は
、改良された電子−正孔捕捉に関連した改良された電子−正孔バランス、および
高い割合の放射再結合ということになろう。これは、介在層デバイスにおいて観
察される大幅に改良された電力効率に至ると考えられる。
【０１３８】 この結果、移送層について、選択された光出力を生成するために必要な駆動電
圧は、これらの介在層デバイスについては相当に低減される。動作の際のデバイ
スにおける電気的応力が低減され、これにより、通常はより長い動作寿命に至る
ことから、このことは極めて望ましい。駆動電圧の低減は、徐々に変化させた介
在層のデバイスＩＩＩおよびＶについて最も顕著である。例えば、１０００ｃｄ
／ｍ2をもたらすのに必要な電圧は、対照デバイスＩについての７．１Ｖから、 介在層デバイスＩＩにおける６．３Ｖまで、さらに徐々に変化させた介在層デバ
イスＩＩＩおよびＩＶについての５．５Ｖまで低下する。電子的に階調化した（
electronically-graded）介在層を有するデバイスにおける改良は、その電力効 率の増強が弱いことに起因する少ない寄与と相俟って、電流注入の容易性が増加
したことに帰するところが大きい。これは、印加電圧に対する、異なるデバイス
を介しての電流密度をプロットした図１７、および明るさに対する、種々のデバ
イスについての駆動電流をプロットした図１８に、より明瞭に示されている。す
なわち、電子的性質における階調化を介在層内に構築することができ、このよう
な階調化を利用してＯＬＥＤｓの性能を改良することができることが明瞭に示さ
れている。
圧は、これらの介在層デバイスについては相当に低減される。動作の際のデバイ
スにおける電気的応力が低減され、これにより、通常はより長い動作寿命に至る
ことから、このことは極めて望ましい。駆動電圧の低減は、徐々に変化させた介
在層のデバイスＩＩＩおよびＶについて最も顕著である。例えば、１０００ｃｄ
／ｍ2をもたらすのに必要な電圧は、対照デバイスＩについての７．１Ｖから、 介在層デバイスＩＩにおける６．３Ｖまで、さらに徐々に変化させた介在層デバ
イスＩＩＩおよびＩＶについての５．５Ｖまで低下する。電子的に階調化した（
electronically-graded）介在層を有するデバイスにおける改良は、その電力効 率の増強が弱いことに起因する少ない寄与と相俟って、電流注入の容易性が増加
したことに帰するところが大きい。これは、印加電圧に対する、異なるデバイス
を介しての電流密度をプロットした図１７、および明るさに対する、種々のデバ
イスについての駆動電流をプロットした図１８に、より明瞭に示されている。す
なわち、電子的性質における階調化を介在層内に構築することができ、このよう
な階調化を利用してＯＬＥＤｓの性能を改良することができることが明瞭に示さ
れている。
【０１３９】 導電性における階調化または正孔移送についてのＨＯＭＯ準位は、図１６ｂに
概略的に示す図式に至るものと考えられる。正孔移送または電子移送の状態が、
その間に階調を有する隣接する層におけるものとエネルギー的に（および／また
は分子的性質において）より密接に整合する介在層を製造することにより、隣接
する層の間の電荷移送についての熱力学的エネルギーの不整合が低減される。注
入界面における熱力学的障壁は、例えば、発光高分子との間に電子的に急峻な界
面を与える十分にドープされたＰＥＤＯＴ層を利用する従来の二重層デバイスに
おける場合と比較すると、階調化した介在層デバイスにおいては、より小さくな
ると共により急峻でないようになる。さらに、このような階調化によって、介在
層自体を介して徐々に変化することを可能にすると、電界が界面において急激に
発生することも回避される。これにより、通常はデバイスの劣化が増強されるに
至る、界面における電荷の蓄積を低減させることができる。総括すると、介在層
の電子的性質がこのように空間的に徐々に変化することにより、ＯＬＥＤｓにお
いて、よりバランスのとれた電子−正孔注入を、より低い駆動電圧で達成するこ
とが可能となる。
概略的に示す図式に至るものと考えられる。正孔移送または電子移送の状態が、
その間に階調を有する隣接する層におけるものとエネルギー的に（および／また
は分子的性質において）より密接に整合する介在層を製造することにより、隣接
する層の間の電荷移送についての熱力学的エネルギーの不整合が低減される。注
入界面における熱力学的障壁は、例えば、発光高分子との間に電子的に急峻な界
面を与える十分にドープされたＰＥＤＯＴ層を利用する従来の二重層デバイスに
おける場合と比較すると、階調化した介在層デバイスにおいては、より小さくな
ると共により急峻でないようになる。さらに、このような階調化によって、介在
層自体を介して徐々に変化することを可能にすると、電界が界面において急激に
発生することも回避される。これにより、通常はデバイスの劣化が増強されるに
至る、界面における電荷の蓄積を低減させることができる。総括すると、介在層
の電子的性質がこのように空間的に徐々に変化することにより、ＯＬＥＤｓにお
いて、よりバランスのとれた電子−正孔注入を、より低い駆動電圧で達成するこ
とが可能となる。
【０１４０】 上記したように、少なくとも１つの高分子層は、層の厚さ方向に沿って変化す
る電子的および／または光学的性質を有する。本方法のこの観点の幾つかの好適
な（必須ではないが）一般的特徴をここに記載する。
る電子的および／または光学的性質を有する。本方法のこの観点の幾つかの好適
な（必須ではないが）一般的特徴をここに記載する。
【０１４１】 好ましくは、高分子層が一連の二重層からなる場合は、それぞれの二重層は２
つの構成部分により形成され、その一方は好ましくは半導体（例えばＰＰＶ）で
あり、他方は好ましくは導電性（例えばＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）である。半導体は
（存在する場合）、デバイスの導電性材料（存在する場合）と発光材料との間の
中間的なエネルギー準位を好適に与える。好ましくは、発光材料と当接する（ま
たは最も隣接する）サブ層は、半導体よりなるサブ層とする。最後のサブ層と発
光材料との間に、他の層（例えば導電性の層）が存在してもよい。順次の二重層
の構成材料は同一である必要はなく、例えば、それぞれの層において異なる導電
性材料を使用することができる。１以上の二重層を、２以上のサブ層を有する層
によって置換するようにしてもよい。それぞれのサブ層は、適切には高分子材料
により形成され、好ましくは１つの高分子鎖の深さとする（正確な厚さは、鎖の
立体配座によって決定される）。幾つかの好適な態様では、導電性材料の伝導エ
ネルギー準位は、一連の二重層の間で変動し、好ましくは、発光材料へと向かう
方向において、発光材料のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯ準位へと向かって、一連の二
重層の間で増加または減少する。特に、導電性材料の性質がこの様式で変動する
場合は、他の層を省略し、二重層を単一層により実質的に置換することができる
。このプロセスは、発光デバイス以外のデバイス、特に電荷の注入を改良すべき
場合に適用することができる。
つの構成部分により形成され、その一方は好ましくは半導体（例えばＰＰＶ）で
あり、他方は好ましくは導電性（例えばＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）である。半導体は
（存在する場合）、デバイスの導電性材料（存在する場合）と発光材料との間の
中間的なエネルギー準位を好適に与える。好ましくは、発光材料と当接する（ま
たは最も隣接する）サブ層は、半導体よりなるサブ層とする。最後のサブ層と発
光材料との間に、他の層（例えば導電性の層）が存在してもよい。順次の二重層
の構成材料は同一である必要はなく、例えば、それぞれの層において異なる導電
性材料を使用することができる。１以上の二重層を、２以上のサブ層を有する層
によって置換するようにしてもよい。それぞれのサブ層は、適切には高分子材料
により形成され、好ましくは１つの高分子鎖の深さとする（正確な厚さは、鎖の
立体配座によって決定される）。幾つかの好適な態様では、導電性材料の伝導エ
ネルギー準位は、一連の二重層の間で変動し、好ましくは、発光材料へと向かう
方向において、発光材料のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯ準位へと向かって、一連の二
重層の間で増加または減少する。特に、導電性材料の性質がこの様式で変動する
場合は、他の層を省略し、二重層を単一層により実質的に置換することができる
。このプロセスは、発光デバイス以外のデバイス、特に電荷の注入を改良すべき
場合に適用することができる。
【０１４２】 ＰＳＳはＰＰＶをある程度ドープし得ると考えられ、ＰＰＶが、例えば１００
℃より高い高温での焼成により変換される場合は、ドープの程度は増加すると考
えられる。
℃より高い高温での焼成により変換される場合は、ドープの程度は増加すると考
えられる。
【０１４３】 介在層デバイスは、単一層５ＢＴＦ８デバイスと対比される、従来の二重層デ
バイスのような鋭い（ダイオードのような）ターンオン特性を示すことを銘記す
べきである。
バイスのような鋭い（ダイオードのような）ターンオン特性を示すことを銘記す
べきである。
【０１４４】 重要なことは、本方法により、特に電子的性質（例えばドーピング）の階調化
に対する微細な制御が可能となり、またこのような階調化の利点が得られるとい
うことである。
に対する微細な制御が可能となり、またこのような階調化の利点が得られるとい
うことである。
【０１４５】 この製造方法により、層−層形成技術を利用して、エネルギー準位またはエネ
ルギー準位の分布（特に、電荷担体移送に対応するもの）、有効な仕事関数、電
子親和力、イオン化エネルギー、および／または介在層の厚さ方向に沿うバンド
ギャップのような１以上の電子的および／または光学的パラメータが制御された
介在層を構築する手段が提供される。完成したデバイスにおいて、これらの１以
上を、介在層に隣接する１以上の材料の特性と整合させることにより、障壁（例
えばエネルギー障壁）の高さおよび幅の有利な操作を達成することができる。よ
って、これにより、付加的な制御パラメータが与えられ、これを利用して、明る
さ、効率、寿命、駆動電圧、および／または色に関する発光デバイス（特に有機
発光デバイス）の性能を最適化することができる。
ルギー準位の分布（特に、電荷担体移送に対応するもの）、有効な仕事関数、電
子親和力、イオン化エネルギー、および／または介在層の厚さ方向に沿うバンド
ギャップのような１以上の電子的および／または光学的パラメータが制御された
介在層を構築する手段が提供される。完成したデバイスにおいて、これらの１以
上を、介在層に隣接する１以上の材料の特性と整合させることにより、障壁（例
えばエネルギー障壁）の高さおよび幅の有利な操作を達成することができる。よ
って、これにより、付加的な制御パラメータが与えられ、これを利用して、明る
さ、効率、寿命、駆動電圧、および／または色に関する発光デバイス（特に有機
発光デバイス）の性能を最適化することができる。
【０１４６】 また、この方法は、分子相互作用パラメータと介在層の両側の材料との合致を
図る手段として組成の階調化を利用するものであり、これにより介在層に接触す
る２つの材料の間で、所望のレベルの形成を維持することができる。また、これ
により、デバイスの性能をさらに最適化することが可能となる。
図る手段として組成の階調化を利用するものであり、これにより介在層に接触す
る２つの材料の間で、所望のレベルの形成を維持することができる。また、これ
により、デバイスの性能をさらに最適化することが可能となる。
【０１４７】 ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層の厚さを介する階調化に対するこの手法は、他の材料、
特に高分子（オリゴマーを含む）に適用することができる。この手法を使用して
、層の厚さを介する１以上の以下の特性、すなわち、組成、ドーピングのレベル
、電子親和力、イオン化電位、仕事関数、バンドギャップ、および電荷注入およ
び／または形成を制御する分子相互作用を変化させることができる。好ましくは
、この変化は、異なる組成の複数のサブ層からなるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層により
与えられる。デバイスにおいて、前記した原理を具体化する代替的な材料を使用
することができる。例えば、スルホン化されたもしくは他の適切な誘導体とされ
たポリアニリン、ポリチオフェン、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（ビニル
ナフタレン）あるいはこれらに基づく材料、または他の材料を使用することがで
きる。
特に高分子（オリゴマーを含む）に適用することができる。この手法を使用して
、層の厚さを介する１以上の以下の特性、すなわち、組成、ドーピングのレベル
、電子親和力、イオン化電位、仕事関数、バンドギャップ、および電荷注入およ
び／または形成を制御する分子相互作用を変化させることができる。好ましくは
、この変化は、異なる組成の複数のサブ層からなるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層により
与えられる。デバイスにおいて、前記した原理を具体化する代替的な材料を使用
することができる。例えば、スルホン化されたもしくは他の適切な誘導体とされ
たポリアニリン、ポリチオフェン、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（ビニル
ナフタレン）あるいはこれらに基づく材料、または他の材料を使用することがで
きる。
【０１４８】 発光デバイスにおいては、階調化された徐々に変化する層は、適切には発光材
料に隣接して存在させることができ、これは陽極または陽極に接触する層（例え
ばＰＥＤＯＴ）と発光材料との間の界面、および／または陰極または陰極に接触
する層と発光高分子との間の界面、および／または２つの発光材料の間の界面と
することができる。階調化された徐々に変化する層の厚さは、適切には５〜１０
００Å以上の範囲、好ましくは５〜２００Å以上の範囲である。
料に隣接して存在させることができ、これは陽極または陽極に接触する層（例え
ばＰＥＤＯＴ）と発光材料との間の界面、および／または陰極または陰極に接触
する層と発光高分子との間の界面、および／または２つの発光材料の間の界面と
することができる。階調化された徐々に変化する層の厚さは、適切には５〜１０
００Å以上の範囲、好ましくは５〜２００Å以上の範囲である。
【０１４９】 階調化された層は、適切には高分子層、好ましくは高分子介在層とする。階調
化された層は、適切には一連の異なる性質（例えば組成）のサブ層を形成させる
ことによって、または所定の層（または一連のサブ層）を形成させることによっ
て形成され、形成工程の幾つかもしくは全てまたは単に最終形成工程に続いて、
少なくとも最後に形成された層／サブ層の性質を改変する工程を行うものとする
。層またはサブ層は、膜の形態とすることができる。
化された層は、適切には一連の異なる性質（例えば組成）のサブ層を形成させる
ことによって、または所定の層（または一連のサブ層）を形成させることによっ
て形成され、形成工程の幾つかもしくは全てまたは単に最終形成工程に続いて、
少なくとも最後に形成された層／サブ層の性質を改変する工程を行うものとする
。層またはサブ層は、膜の形態とすることができる。
【０１５０】 完成した階調化層は、適切にはその厚さの方向において、組成の変化を有する
。これにより、適切には、その厚さを横切る電子的または分子的性質の変化が導
かれる。この組成の空間的な変化は、散漫なものまたは急峻なものとすることが
でき、層の厚さの全部または一部に渡って延在するものとすることができる。例
えば、この変化は、順次の様式で互いに配置された２以上の完全に別個の化学的
実体（例えば、デバイスＩにおけるようなＰＥＤＯＴとＰＰＶ）から、または介
在層材料のドープまたは脱ドープのレベルの連続的な変化（例えば、デバイスＩ
Ｉ〜ＩＶにおけるような骨格帯電（backbone charging）の程度が異なるＰＥＤ ＯＴ）から誘導することができる。組成の変動は、層を最初に製造する場合に存
在させることができ、またはその製造の後の物理的および／または化学的処理に
よって、例えば、電磁気放射（例えばＵＶ照射）またはプラズマに含まれるよう
な高エネルギー粒子に露呈することによって、または拡散、化学量論、時間、反
応性、および濃度の１以上により限定される化学反応によって誘導することがで
きる。
。これにより、適切には、その厚さを横切る電子的または分子的性質の変化が導
かれる。この組成の空間的な変化は、散漫なものまたは急峻なものとすることが
でき、層の厚さの全部または一部に渡って延在するものとすることができる。例
えば、この変化は、順次の様式で互いに配置された２以上の完全に別個の化学的
実体（例えば、デバイスＩにおけるようなＰＥＤＯＴとＰＰＶ）から、または介
在層材料のドープまたは脱ドープのレベルの連続的な変化（例えば、デバイスＩ
Ｉ〜ＩＶにおけるような骨格帯電（backbone charging）の程度が異なるＰＥＤ ＯＴ）から誘導することができる。組成の変動は、層を最初に製造する場合に存
在させることができ、またはその製造の後の物理的および／または化学的処理に
よって、例えば、電磁気放射（例えばＵＶ照射）またはプラズマに含まれるよう
な高エネルギー粒子に露呈することによって、または拡散、化学量論、時間、反
応性、および濃度の１以上により限定される化学反応によって誘導することがで
きる。
【０１５１】 本発明の利点を示すために、本発明において具体化した超薄型の高分子介在層
および階調化した移送介在層の一般的原理に基づいて、自己組織化において用い
る材料の変形態様を使用し、比較的大きい１６ｍｍ2のデバイスを構築した。
および階調化した移送介在層の一般的原理に基づいて、自己組織化において用い
る材料の変形態様を使用し、比較的大きい１６ｍｍ2のデバイスを構築した。
【０１５２】 以下のデバイスは全て、スピンコートにより形成させた発光体層としての８０
０オングストロームの５ＢＴＦ８、および保護のための５０００オングストロー
ムのＡｇを重ね合わせた１０００オングストロームのＣａの陰極コンタクトを有
する。全体で２４ピクセルのそれぞれの種類を製造した。
０オングストロームの５ＢＴＦ８、および保護のための５０００オングストロー
ムのＡｇを重ね合わせた１０００オングストロームのＣａの陰極コンタクトを有
する。全体で２４ピクセルのそれぞれの種類を製造した。
【０１５３】 デバイスＸ：ＩＴＯ／４級化アンモニウムプロピルシリルカップリング層／（
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ−ＴＨＴ）5／（ＰＳＳ／ＰＰＶ−ＴＨＴ）1／５Ｆ
８ＢＴ／Ｃａ／Ａｇ。このデバイスは、十分にドープされたＰＥＤＴ：ＰＳＳに
より与えられる介在層における均一な導電性の高分子から製造され、ＰＰＶ−Ｔ
ＨＴにより与えられる超薄型（１０オングストローム）の半導体層でキャップさ
れたＩＴＯ陽極界面における超薄型の（１００オングストローム未満）の電荷注
入介在層を有する。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＰＶ−ＴＨＴ）5／（ＰＳＳ／ＰＰＶ−ＴＨＴ）1／５Ｆ
８ＢＴ／Ｃａ／Ａｇ。このデバイスは、十分にドープされたＰＥＤＴ：ＰＳＳに
より与えられる介在層における均一な導電性の高分子から製造され、ＰＰＶ−Ｔ
ＨＴにより与えられる超薄型（１０オングストローム）の半導体層でキャップさ
れたＩＴＯ陽極界面における超薄型の（１００オングストローム未満）の電荷注
入介在層を有する。
【０１５４】 デバイスＹ：ＩＴＯ／４級化アンモニウムプロピルシリルカップリング層／（
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＶ−ＴＨＴ）5／（ＰＳＳ／ＰＰＶ−ＴＨＴ）1／５Ｆ
８ＢＴ／Ｃａ／Ａｇ。このデバイスは、成長の際のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの順次の
脱ドーピングによって製造され、ＰＰＶ−ＴＨＴによって与えられる超薄型の半
導体層により最終的にキャップされた階調化された移送の側面を有する超薄型の
電荷注入介在層を有する。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＶ−ＴＨＴ）5／（ＰＳＳ／ＰＰＶ−ＴＨＴ）1／５Ｆ
８ＢＴ／Ｃａ／Ａｇ。このデバイスは、成長の際のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの順次の
脱ドーピングによって製造され、ＰＰＶ−ＴＨＴによって与えられる超薄型の半
導体層により最終的にキャップされた階調化された移送の側面を有する超薄型の
電荷注入介在層を有する。
【０１５５】 デバイスＺ：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／５ＢＴＦ８／Ｃａ／Ａｇ。これは
対照デバイスであり、これに対してデバイスＸおよびＹの性能を比較する。
対照デバイスであり、これに対してデバイスＸおよびＹの性能を比較する。
【０１５６】 厚さ５００オングストロームのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層をスピンコートによって
形成させた。
形成させた。
【０１５７】 図１９〜２１は、デバイスＸ〜Ｚの代表的な性能をそれぞれ示す。
【０１５８】 データは、交互の高分子電解質の吸着によって形成させたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ
／ＰＰＶの超薄型正孔移送層（１００オングストローム未満）を有するように製
造されたデバイスＸが、一般的なスピンコートによって製造した遙かに厚いＰＥ
ＤＯＴ：ＰＳＳ正孔移送層を有するように製造された対照デバイスと類似する性
能を与えることを明らかに示している。デバイスＸの最大輝度効率は５ｌｍ／Ｗ
であり、これは対照デバイスＺと極めて類似して、４．０Ｖの駆動電圧および２
０ｃｄ／ｍ2の光出力において生ずる。相対的に遅いターンオン特性が得られる 。１００ｃｄ／ｍ2に必要な駆動電圧も、両者の場合について類似しており（５ ．０Ｖ）この場合、デバイスを介して通過した電流密度約１０ｍＡ／ｃｍ2であ る。より高い電圧であっても、デバイスの抵抗を増加させ、よって駆動電流を制
限する超薄型（１０オングストローム）ＰＳＳ／ＰＰＶキャッピング層の効果が
明らかである。
／ＰＰＶの超薄型正孔移送層（１００オングストローム未満）を有するように製
造されたデバイスＸが、一般的なスピンコートによって製造した遙かに厚いＰＥ
ＤＯＴ：ＰＳＳ正孔移送層を有するように製造された対照デバイスと類似する性
能を与えることを明らかに示している。デバイスＸの最大輝度効率は５ｌｍ／Ｗ
であり、これは対照デバイスＺと極めて類似して、４．０Ｖの駆動電圧および２
０ｃｄ／ｍ2の光出力において生ずる。相対的に遅いターンオン特性が得られる 。１００ｃｄ／ｍ2に必要な駆動電圧も、両者の場合について類似しており（５ ．０Ｖ）この場合、デバイスを介して通過した電流密度約１０ｍＡ／ｃｍ2であ る。より高い電圧であっても、デバイスの抵抗を増加させ、よって駆動電流を制
限する超薄型（１０オングストローム）ＰＳＳ／ＰＰＶキャッピング層の効果が
明らかである。
【０１５９】 デバイスＸと比較すると、デバイスＹは、達成される輝度効率および選択され
た電圧についてデバイスを通過し得る駆動電流の両者において、顕著な改良を示
す。これにより、他の２つのデバイスに対して、その光出力が顕著に増強される
。最大輝度効率は、約３．０Ｖで約１３ｌｍ／Ｗである。２．１Ｖにおいて、デ
バイス性能の鋭いターンオンが認められる。４．５Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の光出 力が達成され、これは１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を与える。
た電圧についてデバイスを通過し得る駆動電流の両者において、顕著な改良を示
す。これにより、他の２つのデバイスに対して、その光出力が顕著に増強される
。最大輝度効率は、約３．０Ｖで約１３ｌｍ／Ｗである。２．１Ｖにおいて、デ
バイス性能の鋭いターンオンが認められる。４．５Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の光出 力が達成され、これは１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度を与える。
【０１６０】 これらの結果は、この発明の設計原理に固有の有意義な柔軟性を利用して、適
切な材料の選択、および超薄型の電荷注入介在層の製造、そしてこの層の厚さ方
向における移送特性の特に制御された階調化によって、ＯＬＥＤｓの性能を改良
することができることを示す。
切な材料の選択、および超薄型の電荷注入介在層の製造、そしてこの層の厚さ方
向における移送特性の特に制御された階調化によって、ＯＬＥＤｓの性能を改良
することができることを示す。
【図１】 本発明により製造されるＯＬＥＤを示す。
【図２】 図１の構造の特定の層の組成の例を示す。
【図３】 本発明による記載されたデバイスの例によって得られる効率を示す。
【図４】 本発明による記載されたデバイスの例によって得られる電力効率を示す。
【図５】 本発明による記載されたデバイスの例によって得られる輝度を示す。
【図６】 発光材料として５ＢＴＦ８（５％Ｆ８ＢＴを用いてドープしたＦ８）を有する
デバイスの概略断面図である。
デバイスの概略断面図である。
【図７】 ポリ（スチレンスルホン酸）ドープポリ（エチレンジオキシチオフェン）（Ｐ
ＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）
）（Ｆ８）、およびポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−
３，６−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）の化学構造を示す。
ＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）
）（Ｆ８）、およびポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−
３，６−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）の化学構造を示す。
【図８】 シリルカップリング層の化学構造を示す。
【図９】 デバイスＩ〜ＩＶについて、集成溶液のＵＶ−可視吸収スペクトル測定を示す
。
。
【図１０】 デバイスＩの電圧に対する光−出力性能、効率を示す。
【図１１】 デバイスＩＩの電圧に対する光−出力性能、効率を示す。
【図１２】 デバイスＩＩＩの電圧に対する光−出力性能、効率を示す。
【図１３】 デバイスＩＶの電圧に対する光−出力性能、効率を示す。
【図１４】 デバイスＶの電圧に対する光−出力性能、効率を示す。
【図１５】 明るさに対するデバイスＩ〜Ｖの電力効率を示す。
【図１６】 図１６ａおよび１６ｂは、２つの例のデバイスにおけるエネルギー準位を示す
。
。
【図１７】 印加電圧に対してデバイスＩ〜Ｖについて電流密度をプロットしたものである
。
。
【図１８】 明るさに対してデバイスＩ〜Ｖについて駆動電圧をプロットしたものである。
【図１９】 デバイスＸの代表的な性能を示す。
【図２０】 デバイスＹの代表的な性能を示す。
【図２１】 デバイスＺの代表的な性能を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年９月１３日（２０００．９．１３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/06 ６８０ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６８０ (31)優先権主張番号 ９８１１０１４．１ (32)優先日 平成10年５月21日(1998．5．21) (33)優先権主張国 イギリス（ＧＢ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｓ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ホー、ピーター イギリス国、ケンブリッジ シービー２ １ティーティー セント ジョンズ カレ ッジ (72)発明者 グリーンハム、ネイル クレメント イギリス国、ケンブリッジ シービー２ １ティーエル クレア カレッジ (72)発明者 フレンド、リチャード ヘンリー イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ９エルジー バートン ロード 37 (72)発明者 バロウズ、ジェレミー イギリス国、ケンブリッジ シービー１ ３キューティー ラスタット ロード 36 (72)発明者 ブライト、クリス イギリス国、ハンティンドン ピーイー17 ６エックスユー セント アイヴズ ヴ ァン ゴフ プレース ３ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB06 AB18 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 4J002 BC121 CE002 GP00
Claims (49)
- 【請求項１】 有機発光デバイスを製造する方法であって、 基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、 第１の電極上に少なくとも１つの高分子層を自己組織化によって形成し、この
少なくとも１つの高分子層の上に少なくとも１つの有機発光材料の層を自己組織
化以外によって形成し、この少なくとも１つの有機発光材料の層の上にデバイス
のための第２の電極を形成するか、または 第１の電極上に少なくとも１つの有機発光材料の層を自己組織化以外によって
形成し、この少なくとも１つの有機発光材料の層の上に少なくとも高分子層を自
己組織化によって形成し、この少なくとも１つの高分子層の上にデバイスのため
の第２の電極を形成する 工程からなることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、少なくとも１つの高分子層を形成する前に、基
板の表面から物理吸着した水を除去することをさらに含むことを特徴とする製造
方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の方法において、物理吸着した水を加熱によって除去することを
特徴とする製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも１つの高分
子層を形成する前に、カップリング層を形成することをさらに含むことを特徴と
する製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の方法において、基板をシリル化することによってカップリング
層を形成することを特徴とする製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法において、基板の表面電荷がｐＨ
非依存性となるよう、基板の表面を調製することをさらに含むことを特徴とする
製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法において、基板がアミノ基からな
る場合、アミノ基を４級化して表面上に正に帯電した４級化した化学種を形成す
ることをさらに含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法において、基板がチオール基から
なる場合、チオール基を酸化して表面上に負に帯電した化学種を形成する工程を
さらに含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法において、基板は、ガラスまたは
プラスチック材料からなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の方法において、プラスチック材料は、１以上のポリエステル、
ポリカーボネート、またはポリ（エーテルアミド）からなることを特徴とする製
造方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも１つの自
己組織化した高分子層は、１以上の協働するサブ層の対合からなることを特徴と
する製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の方法において、１以上の協働するサブ層の対合は引き付け力
によって相互作用し、それぞれのサブ層は互いに非類似であることを特徴とする
製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の方法において、対合の一方のサブ層は負に帯電し、対合の他
方のサブ層は正に帯電することを特徴とする製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１１記載の方法において、１以上の協働するサブ層の対合は、供与体／
受容体相互作用によって相互作用することを特徴とする製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の方法において、供与体／受容体相互作用は、水素結合によっ
て与えられることを特徴とする製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の方法において、協働するサブ層の
対合のそれぞれのサブ層は、０．３〜２ｎｍの厚さであることを特徴とする製造
方法。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも１つの高
分子層は、０．３〜２０ｎｍの厚さであることを特徴とする製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の方法において、有機材料は、共役高
分子および／または低分子量化合物からなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の方法において、有機材料は、半導体性共役高分子からなるこ
とを特徴とする製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９記載の方法において、有機材料は、ＰＰＶまたはその誘導体からな
ることを特徴とする製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも１つの有
機発光材料の層は、３０〜１０００ｎｍの厚さであることを特徴とする製造方法
。 - 【請求項２２】 有機発光デバイスを製造する方法であって、 基板上にデバイスのための第１の電極を形成し、 第１の電極の表面から物理吸着した水を除去し、カップリング層を形成し、第
１の電極上に少なくとも１つの高分子層を自己組織化によって形成し、この少な
くとも１つの高分子層上に少なくとも１つの有機発光材料の層を形成するか、ま
たは 第１の電極上に少なくとも１つの有機発光材料の層を形成し、この少なくとも
１つの有機発光材料の表面から物理吸着した水を除去し、カップリング層を形成
し、この少なくとも１つの発光材料の層上に少なくとも１つの高分子層を自己組
織化によって形成し、 この少なくとも１つの発光材料の層上にデバイスのための第２の電極を形成す
る 工程からなることを特徴とする有機発光デバイスの製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも１つの高
分子層は、層の厚さ方向に沿って変動する電子的および／または光学的性質を有
することを特徴とする製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３記載の方法において、少なくとも１つの高分子層を処理して、電子
的および／または光学的性質の空間的変動を形成する工程をさらに含むことを特
徴とする製造方法。 - 【請求項２５】 請求項２４記載の方法において、少なくとも１つの高分子層は、共役材料から
なり、電子的および／または光学的性質の空間的変動を形成する工程は、共役材
料の共役の程度を低減させることからなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項２６】 請求項２４または２５記載の方法において、少なくとも１つの高分子層を処理
する工程は、反応性の試薬に対して高分子層を露呈して、移送層における化学反
応を促進させることからなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項２７】 請求項２６記載の方法において、反応は、酸化または還元反応であることを特
徴とする製造方法。 - 【請求項２８】 請求項２６または２７記載の方法において、反応性の試薬は酸化剤であること
を特徴とする製造方法。 - 【請求項２９】 請求項２６乃至２８のいずれか１項に記載の方法において、試薬は酸素である
ことを特徴とする製造方法。 - 【請求項３０】 請求項２６乃至２９のいずれか１項に記載の方法において、試薬はプラズマの
形態であることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３１】 請求項２３記載の方法において、少なくとも１つの高分子層を形成する工程は
、電子的および／または光学的性質がその厚さ方向に沿って変動する状態で高分
子層を形成することからなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３２】 請求項３１記載の方法において、高分子層は、一連のサブ層に形成されること
を特徴とする製造方法。 - 【請求項３３】 請求項３１または３２記載の方法において、高分子層は、一連の二重層の形態
で形成され、それぞれが異なる材料の２つのサブ層を含むことを特徴とする製造
方法。 - 【請求項３４】 請求項３１乃至３３のいずれか１項に記載の方法において、高分子層は、それ
ぞれ電子的および／または光学的性質が異なる材料の一連のサブ層からなるよう
形成されることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３５】 請求項３４記載の方法において、所定の材料のサブ層は、高分子層の厚さ方向
に沿って前記性質が徐々に変化することを特徴とする製造方法。 - 【請求項３６】 請求項３４または３５記載の方法において、材料は、ポリ（スチレンスルホン
酸）からなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３７】 請求項３４乃至３６のいずれか１項に記載の方法において、サブ層は、電子的
および／または光学的性質の差を達成するようドープされることを特徴とする製
造方法。 - 【請求項３８】 請求項３６または３７記載の方法において、サブ層の少なくとも幾つかにおい
て、ポリ（スチレンスルホン酸）がポリ（エチレンジオキシチオフェン）により
ドープされていることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３９】 請求項２３乃至３８のいずれか１項に記載の方法において、前記性質は、エネ
ルギー準位またはエネルギー準位の分布であることを特徴とする製造方法。 - 【請求項４０】 請求項３９記載の方法において、前記性質は、イオン化電位であることを特徴
とする製造方法。 - 【請求項４１】 請求項２３乃至４０のいずれか１項に記載の方法において、第１の電極から発
光層へと向かう方向において、高分子層のイオン化電位が、第１の電極の伝導帯
から離れて変動することを特徴とする製造方法。 - 【請求項４２】 請求項２３乃至４１のいずれか１項に記載の方法において、第１の電極から発
光層へと向かう方向において、高分子層のイオン化電位が、発光層のＨＯＭＯ準
位へと向かって変動することを特徴とする製造方法。 - 【請求項４３】 請求項２３乃至４２のいずれか１項に記載の方法において、発光層の光学ギャ
ップが、第１の電極から第２の電極へと向かう方向において変動することを特徴
とする製造方法。 - 【請求項４４】 自己組織化の前にｐＨ依存性の表面電荷を有する表面を調製する方法であって
、表面電荷がｐＨ非依存性となるよう表面を処理する工程からなることを特徴と
する、ｐＨ依存性の表面電荷を有する表面の調製方法。 - 【請求項４５】 自己組織化の前にアミノ基からなる表面を調製する方法であって、アミノ基を
４級化する工程からなることを特徴とする、アミノ基からなる表面の調製方法。 - 【請求項４６】 自己組織化の前にチオール基からなる表面を調製する方法であって、チオール
基を酸化する工程からなることを特徴とする、チオール基からなる表面の調製方
法。 - 【請求項４７】 請求項１乃至４６のいずれか１項に記載の方法により得られることを特徴とす
る有機発光デバイス。 - 【請求項４８】 有機発光デバイスであって、第１の電極と第２の電極との間の少なくとも１つ
の有機発光材料の層であって、自己組織化以外によって形成された少なくとも１
つの有機発光材料と、第１および第２の電極の内の１つと少なくとも１つの有機
発光材料との間の少なくとも１つの高分子層であって、自己組織化によって形成
された少なくとも１つの高分子層とからなることを特徴とする有機発光デバイス
。 - 【請求項４９】 請求項４８記載の有機発光デバイスにおいて、少なくとも１つの高分子層は、
層の厚さ方向に沿って変動する電子的および／または光学的性質を有することを
特徴とする有機発光デバイス。
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|---|---|---|---|
| GBGB9718920.3A GB9718920D0 (en) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | Self-assembled transport layers for OLEDs |
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|---|---|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002536492A (ja) * | 1999-02-04 | 2002-10-29 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | フルオレンコポリマーおよびそれから作られる素子 |
| JP2004063139A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2004060025A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の製造方法 |
| JP2005108504A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2005532416A (ja) * | 2001-12-20 | 2005-10-27 | アド−ビジョン・インコーポレイテッド | スクリーン印刷可能なエレクトロルミネッセントポリマーインク |
| JP2007134348A (ja) * | 2000-03-31 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス素子、及びエレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2008210615A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tokai Rubber Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2011043083A1 (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1310930A (zh) | 1999-03-29 | 2001-08-29 | 精工爱普生株式会社 | 组合物及膜的制造方法以及功能元件及其制造方法 |
| US7125578B1 (en) * | 1999-04-23 | 2006-10-24 | Los Alamos National Security, Llc | Photoinduced charge-transfer materials for nonlinear optical applications |
| GB9920543D0 (en) | 1999-08-31 | 1999-11-03 | Cambridge Display Tech Ltd | A formulation for depositing a light-emitting polymer layer |
| US6611096B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
| DE10015380A1 (de) * | 2000-03-28 | 2001-10-11 | Nmi Univ Tuebingen | Mikrofluidkomponente und Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer solchen |
| JP2002237383A (ja) * | 2000-03-31 | 2002-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子 |
| US20020036291A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-03-28 | Parker Ian D. | Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices |
| DE60107093T2 (de) | 2000-08-30 | 2005-03-31 | Cambridge Display Technology Ltd. | Formulierung zur ablagerung einer konjugierten polymerschicht |
| US8232116B2 (en) | 2001-02-28 | 2012-07-31 | Cambridge Display Technology Limited | Method for fabricating a polymer L.E.D. |
| SG128438A1 (en) | 2002-03-15 | 2007-01-30 | Sumitomo Chemical Co | Polymer compound and polymer light emitting deviceusing the same |
| TW544955B (en) * | 2002-06-13 | 2003-08-01 | Ritdisplay Corp | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof |
| JP2004063363A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子 |
| TWI272874B (en) | 2002-08-09 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Organic electroluminescent device |
| EP2325224A1 (en) | 2002-10-30 | 2011-05-25 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Aryl copolymer compounds and polymer light emitting devices made by using the same |
| KR100746067B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2007-08-03 | 닛뽕소다 가부시키가이샤 | 금속-산소 결합을 갖는 분산질, 금속산화물막 및 단분자막 |
| GB0318817D0 (en) * | 2003-08-11 | 2003-09-10 | Univ Cambridge Tech | Method of making a polymer device |
| DE10339772B4 (de) | 2003-08-27 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| KR100647281B1 (ko) * | 2003-12-09 | 2006-11-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP4238194B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2009-03-11 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
| JP5041535B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2012-10-03 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ（３−置換チオフェン） |
| JP5024979B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2012-09-12 | 国立大学法人京都大学 | 多層構造の有機薄膜を有する光電素子、その製造方法、及び太陽電池 |
| DE112006002147T5 (de) | 2005-08-12 | 2008-10-23 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Polymerverbindung und polymere lichtemittierende Vorrichtung diese verwendend |
| GB2445519B (en) | 2005-10-07 | 2010-11-24 | Sumitomo Chemical Co | Copolymer and polymer light emitting device using the same |
| CN101356211A (zh) | 2005-11-11 | 2009-01-28 | 住友化学株式会社 | 共轭高分子化合物以及使用该共轭高分子化合物的高分子发光元件 |
| KR20080068134A (ko) | 2005-11-18 | 2008-07-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 고분자 화합물 및 이를 이용한 고분자 발광 소자 |
| WO2007074920A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | ブロック共重合体 |
| DE102006005926B4 (de) * | 2006-02-06 | 2011-04-14 | Samsung Mobile Display Co. Ltd., Suwon | Organische Lumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| TW200818981A (en) | 2006-08-30 | 2008-04-16 | Sumitomo Chemical Co | Organic electroluminescence device |
| EP2063473A4 (en) | 2006-09-14 | 2010-11-10 | Sumitomo Chemical Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT |
| JP5374908B2 (ja) | 2007-04-27 | 2013-12-25 | 住友化学株式会社 | ピレン系高分子化合物及びそれを用いてなる発光素子 |
| JP5248910B2 (ja) | 2007-05-30 | 2013-07-31 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた表示装置 |
| JP2009021104A (ja) | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機発光素子の製造方法 |
| JP5217931B2 (ja) | 2007-11-29 | 2013-06-19 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| TWI578850B (zh) | 2007-12-28 | 2017-04-11 | 住友化學股份有限公司 | 高分子發光元件、製造方法以及高分子發光顯示裝置 |
| KR101603314B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2016-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5515542B2 (ja) | 2008-10-06 | 2014-06-11 | 住友化学株式会社 | 含窒素複素環構造を含む高分子化合物 |
| JP5691177B2 (ja) | 2009-01-29 | 2015-04-01 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びそれを用いる発光素子 |
| WO2011049241A1 (ja) | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2011093428A1 (ja) | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びそれを用いてなる発光素子 |
| CA2808849A1 (en) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Rhodia Operations | Polymer compositions, polymer films, polymer gels, polymer foams, and electronic devices containing such films, gels, and foams |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04202394A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JPH065365A (ja) * | 1991-12-24 | 1994-01-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0888402A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-04-02 | Motorola Inc | 分子整合有機発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JPH08250283A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 電子デバイス |
| JPH10100306A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | 機能性薄膜とその製造方法 |
| JPH10244616A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-14 | Nitto Denko Corp | 電荷移動錯体高分子交互累積超薄膜及びその製造方法 |
| JPH10319872A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-12-04 | Xerox Corp | アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置 |
| JP2000515578A (ja) * | 1996-08-02 | 2000-11-21 | ジィ、オハイオ、ステイト、ユニバーシティー、リサーチ、ファンデーション | 解凝集ポリマーの特徴を有する発光ポリマー状物質におけるエレクトロルミネセンス |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213898A (en) * | 1989-10-12 | 1993-05-25 | Norsk Hydro A.S. | Process for the preparation of surface modified solid substrates |
| DE4026978A1 (de) * | 1990-08-25 | 1992-02-27 | Bayer Ag | Auf traegern angebrachte ein- oder mehrlagige schichtelemente und ihre herstellung |
| US5156918A (en) | 1991-03-28 | 1992-10-20 | Northwestern University | Self-assembled super lattices |
| JP2998268B2 (ja) * | 1991-04-19 | 2000-01-11 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US5207888A (en) * | 1991-06-24 | 1993-05-04 | Shipley Company Inc. | Electroplating process and composition |
| US5798170A (en) * | 1996-02-29 | 1998-08-25 | Uniax Corporation | Long operating life for polymer light-emitting diodes |
| US6399221B1 (en) * | 1996-06-25 | 2002-06-04 | Northwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control |
| US5946550A (en) * | 1997-03-14 | 1999-08-31 | University Of Connecticut | Self-assembled semiconductor and method of making same |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP2000511341A patent/JP3442363B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-04 US US09/508,034 patent/US6850003B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-04 WO PCT/GB1998/002671 patent/WO1999013692A1/en active IP Right Grant
- 1998-09-04 AU AU89915/98A patent/AU8991598A/en not_active Abandoned
- 1998-09-04 DE DE69822480T patent/DE69822480T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-04 AT AT98941597T patent/ATE262264T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-09-04 EP EP98941597A patent/EP1010360B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04202394A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JPH065365A (ja) * | 1991-12-24 | 1994-01-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0888402A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-04-02 | Motorola Inc | 分子整合有機発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JPH08250283A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 電子デバイス |
| JP2000515578A (ja) * | 1996-08-02 | 2000-11-21 | ジィ、オハイオ、ステイト、ユニバーシティー、リサーチ、ファンデーション | 解凝集ポリマーの特徴を有する発光ポリマー状物質におけるエレクトロルミネセンス |
| JPH10100306A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | 機能性薄膜とその製造方法 |
| JPH10319872A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-12-04 | Xerox Corp | アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置 |
| JPH10244616A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-14 | Nitto Denko Corp | 電荷移動錯体高分子交互累積超薄膜及びその製造方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009293013A (ja) * | 1999-02-04 | 2009-12-17 | Dow Global Technologies Inc | フルオレンコポリマーおよびそれから作られる素子 |
| JP2002536492A (ja) * | 1999-02-04 | 2002-10-29 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | フルオレンコポリマーおよびそれから作られる素子 |
| JP2007134348A (ja) * | 2000-03-31 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス素子、及びエレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2005532416A (ja) * | 2001-12-20 | 2005-10-27 | アド−ビジョン・インコーポレイテッド | スクリーン印刷可能なエレクトロルミネッセントポリマーインク |
| JP2004063139A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2004060025A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の製造方法 |
| US7112113B2 (en) | 2002-12-25 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device |
| US8337940B2 (en) | 2002-12-25 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device |
| JP2005108504A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2008210615A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tokai Rubber Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2011043083A1 (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101334529B1 (ko) | 2009-10-09 | 2013-11-28 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
| US9095033B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-07-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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