JPH1092584A - 層状電極を使用する電圧発光装置 - Google Patents
層状電極を使用する電圧発光装置Info
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- JPH1092584A JPH1092584A JP9187137A JP18713797A JPH1092584A JP H1092584 A JPH1092584 A JP H1092584A JP 9187137 A JP9187137 A JP 9187137A JP 18713797 A JP18713797 A JP 18713797A JP H1092584 A JPH1092584 A JP H1092584A
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Classifications
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 層状基底電極を使用した電圧発光装置。
【解決手段】 基質、アノード、電圧発光素子およびカ
ソードから成り、二つの電極の少なくとも一つは可視ス
ペクトル領域において透明であり、アノードは少なくと
も二つの薄い層から層状をなすように構成されており、
担体に隣接した層は任意の電子仕事関数を有する電気伝
導性をもった無機材料から成り、電圧発光素子に隣接し
た層は電気伝導性をもち溶液から沈澱させ得る材料から
成っていることを特徴とする電圧発光装置。
ソードから成り、二つの電極の少なくとも一つは可視ス
ペクトル領域において透明であり、アノードは少なくと
も二つの薄い層から層状をなすように構成されており、
担体に隣接した層は任意の電子仕事関数を有する電気伝
導性をもった無機材料から成り、電圧発光素子に隣接し
た層は電気伝導性をもち溶液から沈澱させ得る材料から
成っていることを特徴とする電圧発光装置。
Description
【０００１】電圧発光（ＥＬ）装置（配置物）は電圧を
かけて電流を流すと発光する装置である。このような装
置は当業界において以前から「発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）」の名で知られて来た。この場合の発光は正の電荷
（正孔）および負の電荷（電子）が再結合して光を発す
るために起こる。
かけて電流を流すと発光する装置である。このような装
置は当業界において以前から「発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）」の名で知られて来た。この場合の発光は正の電荷
（正孔）および負の電荷（電子）が再結合して光を発す
るために起こる。
【０００２】現在電子回路または光回路に対する発光素
子の開発には、主として無機性の半導体、例えば砒化ガ
リウムが使用されている。このような物質をベースにし
て点状（ドット・マトリックス）の表示素子を製造する
ことができる。しかし大きな面積をもった装置は製造出
来ていない。
子の開発には、主として無機性の半導体、例えば砒化ガ
リウムが使用されている。このような物質をベースにし
て点状（ドット・マトリックス）の表示素子を製造する
ことができる。しかし大きな面積をもった装置は製造出
来ていない。
【０００３】半導体の発光ダイオードの他に、真空鍍金
された低分子量の有機化合物をベースにした電圧発光装
置も公知である（米国特許第４ ５３９ ５０７号、同
第４７６９ ２６２号、同第５ ０７７ １４２号、ヨ
ーロッパ特許Ａ−４０６７６２号）。
された低分子量の有機化合物をベースにした電圧発光装
置も公知である（米国特許第４ ５３９ ５０７号、同
第４７６９ ２６２号、同第５ ０７７ １４２号、ヨ
ーロッパ特許Ａ−４０６７６２号）。
【０００４】ポリ−（ｐ−フェニレン）およびポリ−
（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）のような重合体
は電圧発光性の重合体であると記述されている：Ｇ．Ｌ
ｅｉｓｉｎｇ等、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．誌、４巻（１９
９２年）、第１巻；Ｆｒｉｅｎｄ等、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．誌、３２巻（１９９２
年）；Ｓａｉｔｏ等、Ｐｏｌｙｍｅｒ誌、３１巻（１９
９０年）１１３７頁；Ｆｒｉｅｎｄ等、Ｐｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｒｅｖｉｅｗ誌Ｂ、４２巻、１８号、１１６７０頁
または国際特許公開明細書９０／１３１４８号；電圧発
光表示装置に対するＰＰＶの他の使用例はヨーロッパ特
許Ａ−４４３ ８６１号、国際特許公開明細書−Ａ−９
２０３４９０号および同９２０３４９１号に記載されて
いる。
（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）のような重合体
は電圧発光性の重合体であると記述されている：Ｇ．Ｌ
ｅｉｓｉｎｇ等、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．誌、４巻（１９
９２年）、第１巻；Ｆｒｉｅｎｄ等、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．誌、３２巻（１９９２
年）；Ｓａｉｔｏ等、Ｐｏｌｙｍｅｒ誌、３１巻（１９
９０年）１１３７頁；Ｆｒｉｅｎｄ等、Ｐｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｒｅｖｉｅｗ誌Ｂ、４２巻、１８号、１１６７０頁
または国際特許公開明細書９０／１３１４８号；電圧発
光表示装置に対するＰＰＶの他の使用例はヨーロッパ特
許Ａ−４４３ ８６１号、国際特許公開明細書−Ａ−９
２０３４９０号および同９２０３４９１号に記載されて
いる。
【０００５】ヨーロッパ特許Ａ−０２９４ ０６１号に
はポリアセチレンをベースにした光学的変調器が記載さ
れている。
はポリアセチレンをベースにした光学的変調器が記載さ
れている。
【０００６】Ｈｅｅｇｅｒ等は可撓性重合体のＬＥＤを
製造するために可溶性をもった共役ＰＰＶ誘導体を提案
している（国際特許公開明細書９２／１６０２３号）。
製造するために可溶性をもった共役ＰＰＶ誘導体を提案
している（国際特許公開明細書９２／１６０２３号）。
【０００７】種々の組成の重合体配合物も公知である：
Ｍ．Ｓｔｏｌｋａ等、Ｐｕｒｅ ＆Ａｐｐｔ．Ｃｈｅ
ｍ．誌、６７巻、第１号、１７５〜１８２頁（１９９５
年）；Ｈ．Ｂａｓｓｌｅｒ等、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．
誌、１９９５年、７巻、６号、５５１頁；Ｋ．Ｎａｇａ
ｉ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．誌、６７巻（１
６号）１９９５年、２２８１頁；ヨーロッパ特許Ａ−５
３２ ７９８号。
Ｍ．Ｓｔｏｌｋａ等、Ｐｕｒｅ ＆Ａｐｐｔ．Ｃｈｅ
ｍ．誌、６７巻、第１号、１７５〜１８２頁（１９９５
年）；Ｈ．Ｂａｓｓｌｅｒ等、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．
誌、１９９５年、７巻、６号、５５１頁；Ｋ．Ｎａｇａ
ｉ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．誌、６７巻（１
６号）１９９５年、２２８１頁；ヨーロッパ特許Ａ−５
３２ ７９８号。
【０００８】有機性のＥＬ装置は一般に１枚またはそれ
以上の有機性の電荷輸送層を含んでいる。層の逐次構造
は原則として下記のようになっている。
以上の有機性の電荷輸送層を含んでいる。層の逐次構造
は原則として下記のようになっている。
【０００９】１．担体、基質。
【００１０】２．基底電極。
【００１１】３．正孔注入層。
【００１２】４．正孔輸送層。
【００１３】５．発光層。
【００１４】６．電子輸送層。
【００１５】７．電子注入層。
【００１６】８．上部電極。
【００１７】９．接続部。
【００１８】１０．ケース、カプセル。
【００１９】この構造は最も一般的な場合を示したもの
で、個々の層を省略し、１枚の層が幾つかの役割を果す
ようにすることができる。最も簡単な場合には、ＥＬ装
置は二つの電極から成り、その間に発光を含むすべての
機能を果す１枚の有機層が配置されている。このような
システムは例えばポリ（ｐ−フェニレンビビレン）をべ
ーすにしたもので、国際特許公開明細書９０／１３１４
８号に記載されている。
で、個々の層を省略し、１枚の層が幾つかの役割を果す
ようにすることができる。最も簡単な場合には、ＥＬ装
置は二つの電極から成り、その間に発光を含むすべての
機能を果す１枚の有機層が配置されている。このような
システムは例えばポリ（ｐ−フェニレンビビレン）をべ
ーすにしたもので、国際特許公開明細書９０／１３１４
８号に記載されている。
【００２０】多層システムはガス相から順次相を被覆し
て行く真空鍍金法、または注型法によってつくることが
できる。工程の速度が比較的速いために注型法が好適で
ある。しかし次の層の被覆を行う際既に被覆した層のエ
ッチングが問題になることがある。
て行く真空鍍金法、または注型法によってつくることが
できる。工程の速度が比較的速いために注型法が好適で
ある。しかし次の層の被覆を行う際既に被覆した層のエ
ッチングが問題になることがある。
【００２１】本発明の目的は有機層から成る電圧発光シ
ステム（Ｏ−ＬＥＤ）を安価に製造出来るようにする電
極を提供することである。
ステム（Ｏ−ＬＥＤ）を安価に製造出来るようにする電
極を提供することである。
【００２２】上記の文献においては、基底電極が透明な
電気伝導性をもつ酸化物、例えばインジウム−錫酸化物
（ＩＴＯ）、または半透明の金属層、例えば金から成る
Ｏ−ＬＥＤが記載されている。すべての上記の実施例に
は一般にＩＴＯが使用されている。ＩＴＯは他の材料に
比べ電子仕事関数が比較的大きいという利点をもってい
る（例えばＩ．Ｄ．Ｐａｒｋｅｒ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．誌、７５巻（１９９４年）１６５６〜１６６６
頁）参照のこと）。
電気伝導性をもつ酸化物、例えばインジウム−錫酸化物
（ＩＴＯ）、または半透明の金属層、例えば金から成る
Ｏ−ＬＥＤが記載されている。すべての上記の実施例に
は一般にＩＴＯが使用されている。ＩＴＯは他の材料に
比べ電子仕事関数が比較的大きいという利点をもってい
る（例えばＩ．Ｄ．Ｐａｒｋｅｒ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．誌、７５巻（１９９４年）１６５６〜１６６６
頁）参照のこと）。
【００２３】基底電極は一般にアノードとして連結され
ているから、正孔、即ち正電荷をアノードから隣接した
有機層へ注入しなければならない。電子仕事関数または
イオン化ポテンシャルが高いほどこの注入は効率的に行
われる（Ｉ．Ｄ．Ｐａｒｋｅｒ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．誌、７５巻（１９９４年）１６５６〜１６６６頁）
参照）。
ているから、正孔、即ち正電荷をアノードから隣接した
有機層へ注入しなければならない。電子仕事関数または
イオン化ポテンシャルが高いほどこの注入は効率的に行
われる（Ｉ．Ｄ．Ｐａｒｋｅｒ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．誌、７５巻（１９９４年）１６５６〜１６６６頁）
参照）。
【００２４】ＩＴＯを基底電極として使用した場合、下
記の欠点が生じる。
記の欠点が生じる。
【００２５】（ａ）市販のＩＴＯは表面が粗く、使用さ
れる製造工程（スパッタリング）の結果表面上に尖った
点が生じる。
れる製造工程（スパッタリング）の結果表面上に尖った
点が生じる。
【００２６】（ｂ）ＩＴＯは製造価格が比較的高い、
（同様な透明性および電気伝導性をもっている酸化錫は
比較的廉価な材料である。しかし酸化錫は電子仕事関数
がかなり小さく、従って一般的には使用されない）。
（同様な透明性および電気伝導性をもっている酸化錫は
比較的廉価な材料である。しかし酸化錫は電子仕事関数
がかなり小さく、従って一般的には使用されない）。
【００２７】ＩＴＯの表面が粗いために、Ｏ−ＬＥＤの
中でしばしば短絡が起こり、その結果製造時に不良品と
なる率が高い。このため高品質で表面の粗さが低いＩＴ
Ｏ基質を使用しなければならない。
中でしばしば短絡が起こり、その結果製造時に不良品と
なる率が高い。このため高品質で表面の粗さが低いＩＴ
Ｏ基質を使用しなければならない。
【００２８】ＩＴＯで被覆した基質の価格は比較的に高
いために、Ｏ−ＬＥＤの価格を低下させる可能性には限
度がある。
いために、Ｏ−ＬＥＤの価格を低下させる可能性には限
度がある。
【００２９】本発明は上記のような欠点を除去すること
ができる層状基底電極、並びにそれを使用した電圧発光
装置自身に関する。
ができる層状基底電極、並びにそれを使用した電圧発光
装置自身に関する。
【００３０】本発明の基底電極は担体基質に直接被覆さ
れた無機層、および例えば回転被覆法、ナイフ被覆法、
キャップ被覆法等で溶液から沈澱させた第２の層から成
っている。
れた無機層、および例えば回転被覆法、ナイフ被覆法、
キャップ被覆法等で溶液から沈澱させた第２の層から成
っている。
【００３１】第１の無機層は透明または半透明の電気伝
導性をもった材料から成っている。この目的のために使
用出来る透明な材料には、例えばインジウム−錫酸化物
（ＩＴＯ）、酸化錫、ドーピングした酸化亜鉛、および
他の電気伝導性金属酸化物、または半透明な金属層、例
えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉまたはこれら
の合金が含まれる。これらの材料は必ずしもＩＴＯの場
合のような大きな電子仕事関数をもっている必要はな
い。しかし上記のように従来法のＯ−ＬＥＤに対しては
大きな電子の仕事関数が必要であった。
導性をもった材料から成っている。この目的のために使
用出来る透明な材料には、例えばインジウム−錫酸化物
（ＩＴＯ）、酸化錫、ドーピングした酸化亜鉛、および
他の電気伝導性金属酸化物、または半透明な金属層、例
えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉまたはこれら
の合金が含まれる。これらの材料は必ずしもＩＴＯの場
合のような大きな電子仕事関数をもっている必要はな
い。しかし上記のように従来法のＯ−ＬＥＤに対しては
大きな電子の仕事関数が必要であった。
【００３２】溶液から沈澱させ得る材料を第２の層とし
て被覆する。この目的のために例えば重合体または重合
体配合物のような透明または半透明の材料を用いること
ができる。好ましくは電気伝導性をもった重合体、例え
ばポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンまたは
ポリアセチレンを使用する。ポリチオフェンが最も好適
に使用される（例えばポリエチレンジオキシチオフェン
／ポリスチレンスルフォン酸のＮａ塩）。有機性の電圧
発光層のシステムへの正孔の注入を良好に行うために
は、第２の層は大きな電子仕事関数をもっていなければ
ならない。電子仕事関数が４ｅＶより、好ましくは４．
３ｅＶより、さらに好ましくは４．５ｅＶより大きな材
料を使用する。
て被覆する。この目的のために例えば重合体または重合
体配合物のような透明または半透明の材料を用いること
ができる。好ましくは電気伝導性をもった重合体、例え
ばポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンまたは
ポリアセチレンを使用する。ポリチオフェンが最も好適
に使用される（例えばポリエチレンジオキシチオフェン
／ポリスチレンスルフォン酸のＮａ塩）。有機性の電圧
発光層のシステムへの正孔の注入を良好に行うために
は、第２の層は大きな電子仕事関数をもっていなければ
ならない。電子仕事関数が４ｅＶより、好ましくは４．
３ｅＶより、さらに好ましくは４．５ｅＶより大きな材
料を使用する。
【００３３】層状の基底電極の内部における電場の不均
一性を避けるために、第２の層の材料は抵抗値が１０11
Ωｃｍより、好ましくは１０10Ωｃｍより、特に好まし
くは１０9Ωｃｍより小さくなければならない。
一性を避けるために、第２の層の材料は抵抗値が１０11
Ωｃｍより、好ましくは１０10Ωｃｍより、特に好まし
くは１０9Ωｃｍより小さくなければならない。
【００３４】溶液から第２の層を沈澱させると、本発明
方法の層状基底電極の表面は非常に滑らかで均一にな
り、その結果Ｏ−ＬＥＤの内部での短絡が避けられる。
方法の層状基底電極の表面は非常に滑らかで均一にな
り、その結果Ｏ−ＬＥＤの内部での短絡が避けられる。
【００３５】電場の強さが不均一性であると、Ｏ−ＬＥ
Ｄの発光が不均一性になり、短絡さえも起こる。
Ｄの発光が不均一性になり、短絡さえも起こる。
【００３６】本発明の基底電極は下記の利点をもってい
る。
る。
【００３７】（ａ）廉価な製造方法、例えばスパッタリ
ング真空蒸着法で沈積させ得る電気伝導性をもった無機
材料（例えば金属、金属酸化物、合金）、高速クラッキ
ング法、ＣＶＤ、湿式化学的沈澱法で沈積させ得る無機
材料（例えばゾル−ゲル材料）を使用することができ
る。製造中、必ずしも表面の不均一性を避ける必要はな
い。
ング真空蒸着法で沈積させ得る電気伝導性をもった無機
材料（例えば金属、金属酸化物、合金）、高速クラッキ
ング法、ＣＶＤ、湿式化学的沈澱法で沈積させ得る無機
材料（例えばゾル−ゲル材料）を使用することができ
る。製造中、必ずしも表面の不均一性を避ける必要はな
い。
【００３８】（ｂ）任意の電子仕事関数をもつ無機材料
を使用することができる。
を使用することができる。
【００３９】（ｃ）第２の層を湿式化学的方法で沈澱さ
せ、従って廉価な方法を使うことができる。
せ、従って廉価な方法を使うことができる。
【００４０】（ｄ）湿式化学的方法で沈澱させた第２の
層は極めて滑らかな表面をもち、その結果Ｏ−ＬＥＤの
内部で短絡は起こらない。
層は極めて滑らかな表面をもち、その結果Ｏ−ＬＥＤの
内部で短絡は起こらない。
【００４１】
実施例 １ Ａ：配合系
【００４２】
【化１】
【００４３】をベースにした電圧発光装置。
【００４４】Ｂ：ポリビニルカルバゾール（Ｌｕｖｉｃ
ａｎ ＥＰ、ＢＡＳＦ ＡＧ製、ドイツ、Ｌｕｄｗｉｎ
ｇｓｈａｆｅｎ）
ａｎ ＥＰ、ＢＡＳＦ ＡＧ製、ドイツ、Ｌｕｄｗｉｎ
ｇｓｈａｆｅｎ）
【００４５】
【化２】
【００４６】Ｃ：Ａｌｑ3
【００４７】
【化３】
【００４８】１重量部のＡ、４重量部のＢおよび１重量
部のＣをジクロロエタン中に含む１％溶液を、市販の回
転式被覆器を用い４００回転／分の速度で、層状電極を
被覆したガラス板の上に広げる。
部のＣをジクロロエタン中に含む１％溶液を、市販の回
転式被覆器を用い４００回転／分の速度で、層状電極を
被覆したガラス板の上に広げる。
【００４９】層状電極は厚さ１００ｍｍのＩＴＯ層を含
み、その上に７４ｎｍのポリエチレンジオキシドチオフ
ェン／ポリスチレンスルフォン酸Ｎａ塩（Ｂａｙｔｒｏ
ｎＰ，Ｂａｙｅｒ ＡＧ製、ドイツ、Ｌｅｖｅｒｋｕｓ
ｅｎ）を沈澱させた。詳細はヨーロッパ特許Ａ−６８６
６６２号に記載された方法により被覆を行った。しか
し該特許記載の熱処理は省略し、その代わり窒素下で１
時間基質を８０℃に加熱した。
み、その上に７４ｎｍのポリエチレンジオキシドチオフ
ェン／ポリスチレンスルフォン酸Ｎａ塩（Ｂａｙｔｒｏ
ｎＰ，Ｂａｙｅｒ ＡＧ製、ドイツ、Ｌｅｖｅｒｋｕｓ
ｅｎ）を沈澱させた。詳細はヨーロッパ特許Ａ−６８６
６６２号に記載された方法により被覆を行った。しか
し該特許記載の熱処理は省略し、その代わり窒素下で１
時間基質を８０℃に加熱した。
【００５０】配合物システムの層の厚さは１００ｎｍで
ある。
ある。
【００５１】反対電極として、熱的同時沈積法により１
０：１の比でＭｇ／Ａｇを被覆した。
０：１の比でＭｇ／Ａｇを被覆した。
【００５２】電気的な接続を行い、初期値約８Ｖで電圧
をかけ始めた後、装置は緑のスペクトル領域において可
視光の検出し得る電圧発光を示した。光の強度は電流１
９．１ｍＡ／ｃｍ2、電圧１７Ｖにおいて８９ｃｄ／ｍ2
であった。
をかけ始めた後、装置は緑のスペクトル領域において可
視光の検出し得る電圧発光を示した。光の強度は電流１
９．１ｍＡ／ｃｍ2、電圧１７Ｖにおいて８９ｃｄ／ｍ2
であった。
【００５３】１６個の金属接続部を装置の上に真空蒸着
した。すべての接続部は短絡せずに機能した。
した。すべての接続部は短絡せずに機能した。
【００５４】この装置の電子的パラメータは次の通りで
ある。
ある。
【００５５】
【表１】
【００５６】実施例 ２ Ａ：配合系
【００５７】
【化４】
【００５８】をベースにした電圧発光装置。
【００５９】Ｂ：ポリビニルカルバゾール（Ｌｕｖｉｃ
ａｎ ＥＰ、ＢＡＳＦ ＡＧ製、ドイツ、Ｌｕｄｗｉｎ
ｇｓｈａｆｅｎ）
ａｎ ＥＰ、ＢＡＳＦ ＡＧ製、ドイツ、Ｌｕｄｗｉｎ
ｇｓｈａｆｅｎ）
【００６０】
【化５】
【００６１】Ｃ：Ａｌｑ3
【００６２】
【化６】
【００６３】１重量部のＡおよび１重量部のＢをジクロ
ロエタン中に含む１％溶液を、市販の回転式被覆器を用
い８００回転／分の速度で、層状電極を被覆したガラス
板の上に広げ、正孔伝導層をつくる。
ロエタン中に含む１％溶液を、市販の回転式被覆器を用
い８００回転／分の速度で、層状電極を被覆したガラス
板の上に広げ、正孔伝導層をつくる。
【００６４】層状電極は４ｎｍのガラス・シートの上に
ある酸化錫の層を含み、この上に厚さ７４ｎｍのポリエ
チレンジオキシドチオフェン／ポリスシレンスルフォン
酸Ｎａ塩が回転沈積法で被覆されている。詳細はヨーロ
ッパ特許Ａ−６８６ ６６２号に記載された方法により
被覆を行った。しかし該特許記載の熱処理は省略し、そ
の代わり窒素下で１時間基質を８０℃に加熱した。
ある酸化錫の層を含み、この上に厚さ７４ｎｍのポリエ
チレンジオキシドチオフェン／ポリスシレンスルフォン
酸Ｎａ塩が回転沈積法で被覆されている。詳細はヨーロ
ッパ特許Ａ−６８６ ６６２号に記載された方法により
被覆を行った。しかし該特許記載の熱処理は省略し、そ
の代わり窒素下で１時間基質を８０℃に加熱した。
【００６５】正孔伝導層の厚さは約７０ｎｍである。
【００６６】この正孔伝導層の上にＡｌｑ3から成る電
子伝導層または電子放出層を１０-6ミリバールにおいて
真空蒸着させる。層の厚さは約６０ｎｍ。
子伝導層または電子放出層を１０-6ミリバールにおいて
真空蒸着させる。層の厚さは約６０ｎｍ。
【００６７】反対電極として熱的同時沈積法により１
０：１の比でＭｇ／Ａｇを被覆した。このシステムは緑
色の光を発光した。明るさは電流１４ｍＡ／ｃｍ2、電
圧１２Ｖにおいて５５０Ｃｄ／ｍ2であった。
０：１の比でＭｇ／Ａｇを被覆した。このシステムは緑
色の光を発光した。明るさは電流１４ｍＡ／ｃｍ2、電
圧１２Ｖにおいて５５０Ｃｄ／ｍ2であった。
【００６８】典型的な有機性正孔伝導体のイオン化ポテ
ンシャルおよび最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は５．１
〜５．５ｅＶである（Ａｄａｃｈｉ，Ｋ．Ｎａｇａｉ，
Ｎ．Ｔａｍｏｔｏ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
誌、６６巻（１９９５年）２６７９〜２６８１頁参
照）。
ンシャルおよび最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は５．１
〜５．５ｅＶである（Ａｄａｃｈｉ，Ｋ．Ｎａｇａｉ，
Ｎ．Ｔａｍｏｔｏ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
誌、６６巻（１９９５年）２６７９〜２６８１頁参
照）。
【００６９】このことは、上記の層状基底電極から典型
的な正孔伝導性材料へ正孔を注入出来ること示してい
る。
的な正孔伝導性材料へ正孔を注入出来ること示してい
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロルフ・ベーアマン ドイツ47800クレーフエルト・シヤイブラ ーシユトラーセ101 (72)発明者 フリードリヒ・ヨナス ドイツ52006アーヘン・クルゲンオーフエ ン15 (72)発明者 アンドレアス・エルシユナー ドイツ45479ミユルハイムアーデールー ア・レダーシユトラーセ６ (72)発明者 マルテイン・ヒユパウフ ドイツ70563シユトウツトガルト・ズルツ アウアーシユトラーセ10
Claims (4)
- 【請求項１】 基質、アノード、電圧発光素子およびカ
ソードから成り、二つの電極の少なくとも一つは可視ス
ペクトル領域において透明であり、アノードは少なくと
も二つの薄い層から層状をなすように構成されており、
担体に隣接した層は任意の電子仕事関数を有する電気伝
導性をもった無機材料から成り、電圧発光素子に隣接し
た層は電気伝導性をもち溶液から沈澱させ得る材料から
成っていることを特徴とする電圧発光装置。 - 【請求項２】 電圧発光素子に隣接した層は４ｅＶより
大きい電子仕事関数をもっていることを特徴とする請求
項１記載の電圧発光装置。 - 【請求項３】 電圧発光素子に隣接した層はポリエチレ
ンジオキシチオフェン（ＰＥＤＴ）／ポリスチレンスル
フォン酸塩であることを特徴とする請求項１および２記
載の電圧発光装置。 - 【請求項４】 電圧発光装置における本発明の層状電極
の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19627069A DE19627069A1 (de) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von lamellaren Elektroden |
| DE19627069.3 | 1996-07-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092584A true JPH1092584A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=7798997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187137A Pending JPH1092584A (ja) | 1996-07-05 | 1997-06-30 | 層状電極を使用する電圧発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0817540A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1092584A (ja) |
| KR (1) | KR980013537A (ja) |
| DE (1) | DE19627069A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002311450A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-10-23 | Bayer Ag | 電気光学的装置に対する多層配置 |
| WO2005039247A1 (ja) | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| WO2006062062A1 (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Pioneer Corporation | 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
| EP2592905A1 (en) | 2003-07-31 | 2013-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, charge transporting material and organic electroluminescent element |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19718859C2 (de) * | 1997-05-03 | 1999-08-26 | Technoplast Beschichtungsgesel | Leitfähige bedruckbare Bahnen aus Kunststoff |
| DE19839946A1 (de) | 1998-09-02 | 2000-03-09 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen mit mehrkernigen Metallkomplexen |
| DE10019888B4 (de) * | 2000-04-20 | 2011-06-16 | Schott Ag | Transparente elektronische Bauelementanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| US7390438B2 (en) | 2003-04-22 | 2008-06-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids |
| US7250461B2 (en) | 2004-03-17 | 2007-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations |
| US8147962B2 (en) | 2004-04-13 | 2012-04-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive polymer composites |
| US7670506B1 (en) | 2004-12-30 | 2010-03-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive compositions for liquid deposition |
| WO2007002740A2 (en) | 2005-06-28 | 2007-01-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Buffer compositions |
| US8216680B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-07-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Transparent composite conductors having high work function |
| US8945426B2 (en) | 2009-03-12 | 2015-02-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive polymer compositions for coating applications |
| US8845933B2 (en) | 2009-04-21 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom |
| TW201100482A (en) | 2009-04-24 | 2011-01-01 | Du Pont | Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3534445B2 (ja) * | 1993-09-09 | 2004-06-07 | 隆一 山本 | ポリチオフェンを用いたｅｌ素子 |
| US5723873A (en) * | 1994-03-03 | 1998-03-03 | Yang; Yang | Bilayer composite electrodes for diodes |
| ATE287929T1 (de) * | 1994-05-06 | 2005-02-15 | Bayer Ag | Leitfähige beschichtungen hergestellt aus mischungen enthaltend polythiophen und lösemittel |
| EP0727100B1 (en) * | 1994-09-06 | 2003-01-29 | Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device comprising a poly-3,4-dioxythiophene layer |
-
1996
- 1996-07-05 DE DE19627069A patent/DE19627069A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-06-23 EP EP97110256A patent/EP0817540A3/de not_active Withdrawn
- 1997-06-30 JP JP9187137A patent/JPH1092584A/ja active Pending
- 1997-07-04 KR KR1019970031120A patent/KR980013537A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002311450A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-10-23 | Bayer Ag | 電気光学的装置に対する多層配置 |
| EP2592905A1 (en) | 2003-07-31 | 2013-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, charge transporting material and organic electroluminescent element |
| WO2005039247A1 (ja) | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| WO2006062062A1 (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Pioneer Corporation | 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0817540A2 (de) | 1998-01-07 |
| DE19627069A1 (de) | 1998-01-08 |
| KR980013537A (ko) | 1998-04-30 |
| EP0817540A3 (de) | 2000-02-23 |
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