JPH1092584A - 層状電極を使用する電圧発光装置 - Google Patents
層状電極を使用する電圧発光装置Info
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- JPH1092584A JPH1092584A JP9187137A JP18713797A JPH1092584A JP H1092584 A JPH1092584 A JP H1092584A JP 9187137 A JP9187137 A JP 9187137A JP 18713797 A JP18713797 A JP 18713797A JP H1092584 A JPH1092584 A JP H1092584A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/805—Electrodes
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 層状基底電極を使用した電圧発光装置。
【解決手段】 基質、アノード、電圧発光素子およびカ
ソードから成り、二つの電極の少なくとも一つは可視ス
ペクトル領域において透明であり、アノードは少なくと
も二つの薄い層から層状をなすように構成されており、
担体に隣接した層は任意の電子仕事関数を有する電気伝
導性をもった無機材料から成り、電圧発光素子に隣接し
た層は電気伝導性をもち溶液から沈澱させ得る材料から
成っていることを特徴とする電圧発光装置。
ソードから成り、二つの電極の少なくとも一つは可視ス
ペクトル領域において透明であり、アノードは少なくと
も二つの薄い層から層状をなすように構成されており、
担体に隣接した層は任意の電子仕事関数を有する電気伝
導性をもった無機材料から成り、電圧発光素子に隣接し
た層は電気伝導性をもち溶液から沈澱させ得る材料から
成っていることを特徴とする電圧発光装置。
Description
【0001】電圧発光(EL)装置(配置物)は電圧を
かけて電流を流すと発光する装置である。このような装
置は当業界において以前から「発光ダイオード(LE
D)」の名で知られて来た。この場合の発光は正の電荷
(正孔)および負の電荷(電子)が再結合して光を発す
るために起こる。
かけて電流を流すと発光する装置である。このような装
置は当業界において以前から「発光ダイオード(LE
D)」の名で知られて来た。この場合の発光は正の電荷
(正孔)および負の電荷(電子)が再結合して光を発す
るために起こる。
【0002】現在電子回路または光回路に対する発光素
子の開発には、主として無機性の半導体、例えば砒化ガ
リウムが使用されている。このような物質をベースにし
て点状(ドット・マトリックス)の表示素子を製造する
ことができる。しかし大きな面積をもった装置は製造出
来ていない。
子の開発には、主として無機性の半導体、例えば砒化ガ
リウムが使用されている。このような物質をベースにし
て点状(ドット・マトリックス)の表示素子を製造する
ことができる。しかし大きな面積をもった装置は製造出
来ていない。
【0003】半導体の発光ダイオードの他に、真空鍍金
された低分子量の有機化合物をベースにした電圧発光装
置も公知である(米国特許第4 539 507号、同
第4769 262号、同第5 077 142号、ヨ
ーロッパ特許A−406762号)。
された低分子量の有機化合物をベースにした電圧発光装
置も公知である(米国特許第4 539 507号、同
第4769 262号、同第5 077 142号、ヨ
ーロッパ特許A−406762号)。
【0004】ポリ−(p−フェニレン)およびポリ−
(p−フェニレンビニレン)(PPV)のような重合体
は電圧発光性の重合体であると記述されている:G.L
eising等、Adv.Mater.誌、4巻(19
92年)、第1巻;Friend等、J.Chem.S
oc.Chem.Comm.誌、32巻(1992
年);Saito等、Polymer誌、31巻(19
90年)1137頁;Friend等、Physica
l Review誌B、42巻、18号、11670頁
または国際特許公開明細書90/13148号;電圧発
光表示装置に対するPPVの他の使用例はヨーロッパ特
許A−443 861号、国際特許公開明細書−A−9
203490号および同9203491号に記載されて
いる。
(p−フェニレンビニレン)(PPV)のような重合体
は電圧発光性の重合体であると記述されている:G.L
eising等、Adv.Mater.誌、4巻(19
92年)、第1巻;Friend等、J.Chem.S
oc.Chem.Comm.誌、32巻(1992
年);Saito等、Polymer誌、31巻(19
90年)1137頁;Friend等、Physica
l Review誌B、42巻、18号、11670頁
または国際特許公開明細書90/13148号;電圧発
光表示装置に対するPPVの他の使用例はヨーロッパ特
許A−443 861号、国際特許公開明細書−A−9
203490号および同9203491号に記載されて
いる。
【0005】ヨーロッパ特許A−0294 061号に
はポリアセチレンをベースにした光学的変調器が記載さ
れている。
はポリアセチレンをベースにした光学的変調器が記載さ
れている。
【0006】Heeger等は可撓性重合体のLEDを
製造するために可溶性をもった共役PPV誘導体を提案
している(国際特許公開明細書92/16023号)。
製造するために可溶性をもった共役PPV誘導体を提案
している(国際特許公開明細書92/16023号)。
【0007】種々の組成の重合体配合物も公知である:
M.Stolka等、Pure &Appt.Che
m.誌、67巻、第1号、175〜182頁(1995
年);H.Bassler等、Adv.Mater.
誌、1995年、7巻、6号、551頁;K.Naga
i等、Appl.Phys.Lett.誌、67巻(1
6号)1995年、2281頁;ヨーロッパ特許A−5
32 798号。
M.Stolka等、Pure &Appt.Che
m.誌、67巻、第1号、175〜182頁(1995
年);H.Bassler等、Adv.Mater.
誌、1995年、7巻、6号、551頁;K.Naga
i等、Appl.Phys.Lett.誌、67巻(1
6号)1995年、2281頁;ヨーロッパ特許A−5
32 798号。
【0008】有機性のEL装置は一般に1枚またはそれ
以上の有機性の電荷輸送層を含んでいる。層の逐次構造
は原則として下記のようになっている。
以上の有機性の電荷輸送層を含んでいる。層の逐次構造
は原則として下記のようになっている。
【0009】1.担体、基質。
【0010】2.基底電極。
【0011】3.正孔注入層。
【0012】4.正孔輸送層。
【0013】5.発光層。
【0014】6.電子輸送層。
【0015】7.電子注入層。
【0016】8.上部電極。
【0017】9.接続部。
【0018】10.ケース、カプセル。
【0019】この構造は最も一般的な場合を示したもの
で、個々の層を省略し、1枚の層が幾つかの役割を果す
ようにすることができる。最も簡単な場合には、EL装
置は二つの電極から成り、その間に発光を含むすべての
機能を果す1枚の有機層が配置されている。このような
システムは例えばポリ(p−フェニレンビビレン)をべ
ーすにしたもので、国際特許公開明細書90/1314
8号に記載されている。
で、個々の層を省略し、1枚の層が幾つかの役割を果す
ようにすることができる。最も簡単な場合には、EL装
置は二つの電極から成り、その間に発光を含むすべての
機能を果す1枚の有機層が配置されている。このような
システムは例えばポリ(p−フェニレンビビレン)をべ
ーすにしたもので、国際特許公開明細書90/1314
8号に記載されている。
【0020】多層システムはガス相から順次相を被覆し
て行く真空鍍金法、または注型法によってつくることが
できる。工程の速度が比較的速いために注型法が好適で
ある。しかし次の層の被覆を行う際既に被覆した層のエ
ッチングが問題になることがある。
て行く真空鍍金法、または注型法によってつくることが
できる。工程の速度が比較的速いために注型法が好適で
ある。しかし次の層の被覆を行う際既に被覆した層のエ
ッチングが問題になることがある。
【0021】本発明の目的は有機層から成る電圧発光シ
ステム(O−LED)を安価に製造出来るようにする電
極を提供することである。
ステム(O−LED)を安価に製造出来るようにする電
極を提供することである。
【0022】上記の文献においては、基底電極が透明な
電気伝導性をもつ酸化物、例えばインジウム−錫酸化物
(ITO)、または半透明の金属層、例えば金から成る
O−LEDが記載されている。すべての上記の実施例に
は一般にITOが使用されている。ITOは他の材料に
比べ電子仕事関数が比較的大きいという利点をもってい
る(例えばI.D.Parker、J.Appl.Ph
ys.誌、75巻(1994年)1656〜1666
頁)参照のこと)。
電気伝導性をもつ酸化物、例えばインジウム−錫酸化物
(ITO)、または半透明の金属層、例えば金から成る
O−LEDが記載されている。すべての上記の実施例に
は一般にITOが使用されている。ITOは他の材料に
比べ電子仕事関数が比較的大きいという利点をもってい
る(例えばI.D.Parker、J.Appl.Ph
ys.誌、75巻(1994年)1656〜1666
頁)参照のこと)。
【0023】基底電極は一般にアノードとして連結され
ているから、正孔、即ち正電荷をアノードから隣接した
有機層へ注入しなければならない。電子仕事関数または
イオン化ポテンシャルが高いほどこの注入は効率的に行
われる(I.D.Parker、J.Appl.Phy
s.誌、75巻(1994年)1656〜1666頁)
参照)。
ているから、正孔、即ち正電荷をアノードから隣接した
有機層へ注入しなければならない。電子仕事関数または
イオン化ポテンシャルが高いほどこの注入は効率的に行
われる(I.D.Parker、J.Appl.Phy
s.誌、75巻(1994年)1656〜1666頁)
参照)。
【0024】ITOを基底電極として使用した場合、下
記の欠点が生じる。
記の欠点が生じる。
【0025】(a)市販のITOは表面が粗く、使用さ
れる製造工程(スパッタリング)の結果表面上に尖った
点が生じる。
れる製造工程(スパッタリング)の結果表面上に尖った
点が生じる。
【0026】(b)ITOは製造価格が比較的高い、
(同様な透明性および電気伝導性をもっている酸化錫は
比較的廉価な材料である。しかし酸化錫は電子仕事関数
がかなり小さく、従って一般的には使用されない)。
(同様な透明性および電気伝導性をもっている酸化錫は
比較的廉価な材料である。しかし酸化錫は電子仕事関数
がかなり小さく、従って一般的には使用されない)。
【0027】ITOの表面が粗いために、O−LEDの
中でしばしば短絡が起こり、その結果製造時に不良品と
なる率が高い。このため高品質で表面の粗さが低いIT
O基質を使用しなければならない。
中でしばしば短絡が起こり、その結果製造時に不良品と
なる率が高い。このため高品質で表面の粗さが低いIT
O基質を使用しなければならない。
【0028】ITOで被覆した基質の価格は比較的に高
いために、O−LEDの価格を低下させる可能性には限
度がある。
いために、O−LEDの価格を低下させる可能性には限
度がある。
【0029】本発明は上記のような欠点を除去すること
ができる層状基底電極、並びにそれを使用した電圧発光
装置自身に関する。
ができる層状基底電極、並びにそれを使用した電圧発光
装置自身に関する。
【0030】本発明の基底電極は担体基質に直接被覆さ
れた無機層、および例えば回転被覆法、ナイフ被覆法、
キャップ被覆法等で溶液から沈澱させた第2の層から成
っている。
れた無機層、および例えば回転被覆法、ナイフ被覆法、
キャップ被覆法等で溶液から沈澱させた第2の層から成
っている。
【0031】第1の無機層は透明または半透明の電気伝
導性をもった材料から成っている。この目的のために使
用出来る透明な材料には、例えばインジウム−錫酸化物
(ITO)、酸化錫、ドーピングした酸化亜鉛、および
他の電気伝導性金属酸化物、または半透明な金属層、例
えばAu、Ag、Cu、Al、Cr、Niまたはこれら
の合金が含まれる。これらの材料は必ずしもITOの場
合のような大きな電子仕事関数をもっている必要はな
い。しかし上記のように従来法のO−LEDに対しては
大きな電子の仕事関数が必要であった。
導性をもった材料から成っている。この目的のために使
用出来る透明な材料には、例えばインジウム−錫酸化物
(ITO)、酸化錫、ドーピングした酸化亜鉛、および
他の電気伝導性金属酸化物、または半透明な金属層、例
えばAu、Ag、Cu、Al、Cr、Niまたはこれら
の合金が含まれる。これらの材料は必ずしもITOの場
合のような大きな電子仕事関数をもっている必要はな
い。しかし上記のように従来法のO−LEDに対しては
大きな電子の仕事関数が必要であった。
【0032】溶液から沈澱させ得る材料を第2の層とし
て被覆する。この目的のために例えば重合体または重合
体配合物のような透明または半透明の材料を用いること
ができる。好ましくは電気伝導性をもった重合体、例え
ばポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンまたは
ポリアセチレンを使用する。ポリチオフェンが最も好適
に使用される(例えばポリエチレンジオキシチオフェン
/ポリスチレンスルフォン酸のNa塩)。有機性の電圧
発光層のシステムへの正孔の注入を良好に行うために
は、第2の層は大きな電子仕事関数をもっていなければ
ならない。電子仕事関数が4eVより、好ましくは4.
3eVより、さらに好ましくは4.5eVより大きな材
料を使用する。
て被覆する。この目的のために例えば重合体または重合
体配合物のような透明または半透明の材料を用いること
ができる。好ましくは電気伝導性をもった重合体、例え
ばポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンまたは
ポリアセチレンを使用する。ポリチオフェンが最も好適
に使用される(例えばポリエチレンジオキシチオフェン
/ポリスチレンスルフォン酸のNa塩)。有機性の電圧
発光層のシステムへの正孔の注入を良好に行うために
は、第2の層は大きな電子仕事関数をもっていなければ
ならない。電子仕事関数が4eVより、好ましくは4.
3eVより、さらに好ましくは4.5eVより大きな材
料を使用する。
【0033】層状の基底電極の内部における電場の不均
一性を避けるために、第2の層の材料は抵抗値が1011
Ωcmより、好ましくは1010Ωcmより、特に好まし
くは109Ωcmより小さくなければならない。
一性を避けるために、第2の層の材料は抵抗値が1011
Ωcmより、好ましくは1010Ωcmより、特に好まし
くは109Ωcmより小さくなければならない。
【0034】溶液から第2の層を沈澱させると、本発明
方法の層状基底電極の表面は非常に滑らかで均一にな
り、その結果O−LEDの内部での短絡が避けられる。
方法の層状基底電極の表面は非常に滑らかで均一にな
り、その結果O−LEDの内部での短絡が避けられる。
【0035】電場の強さが不均一性であると、O−LE
Dの発光が不均一性になり、短絡さえも起こる。
Dの発光が不均一性になり、短絡さえも起こる。
【0036】本発明の基底電極は下記の利点をもってい
る。
る。
【0037】(a)廉価な製造方法、例えばスパッタリ
ング真空蒸着法で沈積させ得る電気伝導性をもった無機
材料(例えば金属、金属酸化物、合金)、高速クラッキ
ング法、CVD、湿式化学的沈澱法で沈積させ得る無機
材料(例えばゾル−ゲル材料)を使用することができ
る。製造中、必ずしも表面の不均一性を避ける必要はな
い。
ング真空蒸着法で沈積させ得る電気伝導性をもった無機
材料(例えば金属、金属酸化物、合金)、高速クラッキ
ング法、CVD、湿式化学的沈澱法で沈積させ得る無機
材料(例えばゾル−ゲル材料)を使用することができ
る。製造中、必ずしも表面の不均一性を避ける必要はな
い。
【0038】(b)任意の電子仕事関数をもつ無機材料
を使用することができる。
を使用することができる。
【0039】(c)第2の層を湿式化学的方法で沈澱さ
せ、従って廉価な方法を使うことができる。
せ、従って廉価な方法を使うことができる。
【0040】(d)湿式化学的方法で沈澱させた第2の
層は極めて滑らかな表面をもち、その結果O−LEDの
内部で短絡は起こらない。
層は極めて滑らかな表面をもち、その結果O−LEDの
内部で短絡は起こらない。
【0041】
実施例 1 A:配合系
【0042】
【化1】
【0043】をベースにした電圧発光装置。
【0044】B:ポリビニルカルバゾール(Luvic
an EP、BASF AG製、ドイツ、Ludwin
gshafen)
an EP、BASF AG製、ドイツ、Ludwin
gshafen)
【0045】
【化2】
【0046】C:Alq3
【0047】
【化3】
【0048】1重量部のA、4重量部のBおよび1重量
部のCをジクロロエタン中に含む1%溶液を、市販の回
転式被覆器を用い400回転/分の速度で、層状電極を
被覆したガラス板の上に広げる。
部のCをジクロロエタン中に含む1%溶液を、市販の回
転式被覆器を用い400回転/分の速度で、層状電極を
被覆したガラス板の上に広げる。
【0049】層状電極は厚さ100mmのITO層を含
み、その上に74nmのポリエチレンジオキシドチオフ
ェン/ポリスチレンスルフォン酸Na塩(Baytro
nP,Bayer AG製、ドイツ、Leverkus
en)を沈澱させた。詳細はヨーロッパ特許A−686
662号に記載された方法により被覆を行った。しか
し該特許記載の熱処理は省略し、その代わり窒素下で1
時間基質を80℃に加熱した。
み、その上に74nmのポリエチレンジオキシドチオフ
ェン/ポリスチレンスルフォン酸Na塩(Baytro
nP,Bayer AG製、ドイツ、Leverkus
en)を沈澱させた。詳細はヨーロッパ特許A−686
662号に記載された方法により被覆を行った。しか
し該特許記載の熱処理は省略し、その代わり窒素下で1
時間基質を80℃に加熱した。
【0050】配合物システムの層の厚さは100nmで
ある。
ある。
【0051】反対電極として、熱的同時沈積法により1
0:1の比でMg/Agを被覆した。
0:1の比でMg/Agを被覆した。
【0052】電気的な接続を行い、初期値約8Vで電圧
をかけ始めた後、装置は緑のスペクトル領域において可
視光の検出し得る電圧発光を示した。光の強度は電流1
9.1mA/cm2、電圧17Vにおいて89cd/m2
であった。
をかけ始めた後、装置は緑のスペクトル領域において可
視光の検出し得る電圧発光を示した。光の強度は電流1
9.1mA/cm2、電圧17Vにおいて89cd/m2
であった。
【0053】16個の金属接続部を装置の上に真空蒸着
した。すべての接続部は短絡せずに機能した。
した。すべての接続部は短絡せずに機能した。
【0054】この装置の電子的パラメータは次の通りで
ある。
ある。
【0055】
【表1】
【0056】実施例 2 A:配合系
【0057】
【化4】
【0058】をベースにした電圧発光装置。
【0059】B:ポリビニルカルバゾール(Luvic
an EP、BASF AG製、ドイツ、Ludwin
gshafen)
an EP、BASF AG製、ドイツ、Ludwin
gshafen)
【0060】
【化5】
【0061】C:Alq3
【0062】
【化6】
【0063】1重量部のAおよび1重量部のBをジクロ
ロエタン中に含む1%溶液を、市販の回転式被覆器を用
い800回転/分の速度で、層状電極を被覆したガラス
板の上に広げ、正孔伝導層をつくる。
ロエタン中に含む1%溶液を、市販の回転式被覆器を用
い800回転/分の速度で、層状電極を被覆したガラス
板の上に広げ、正孔伝導層をつくる。
【0064】層状電極は4nmのガラス・シートの上に
ある酸化錫の層を含み、この上に厚さ74nmのポリエ
チレンジオキシドチオフェン/ポリスシレンスルフォン
酸Na塩が回転沈積法で被覆されている。詳細はヨーロ
ッパ特許A−686 662号に記載された方法により
被覆を行った。しかし該特許記載の熱処理は省略し、そ
の代わり窒素下で1時間基質を80℃に加熱した。
ある酸化錫の層を含み、この上に厚さ74nmのポリエ
チレンジオキシドチオフェン/ポリスシレンスルフォン
酸Na塩が回転沈積法で被覆されている。詳細はヨーロ
ッパ特許A−686 662号に記載された方法により
被覆を行った。しかし該特許記載の熱処理は省略し、そ
の代わり窒素下で1時間基質を80℃に加熱した。
【0065】正孔伝導層の厚さは約70nmである。
【0066】この正孔伝導層の上にAlq3から成る電
子伝導層または電子放出層を10-6ミリバールにおいて
真空蒸着させる。層の厚さは約60nm。
子伝導層または電子放出層を10-6ミリバールにおいて
真空蒸着させる。層の厚さは約60nm。
【0067】反対電極として熱的同時沈積法により1
0:1の比でMg/Agを被覆した。このシステムは緑
色の光を発光した。明るさは電流14mA/cm2、電
圧12Vにおいて550Cd/m2であった。
0:1の比でMg/Agを被覆した。このシステムは緑
色の光を発光した。明るさは電流14mA/cm2、電
圧12Vにおいて550Cd/m2であった。
【0068】典型的な有機性正孔伝導体のイオン化ポテ
ンシャルおよび最高占有分子軌道(HOMO)は5.1
〜5.5eVである(Adachi,K.Nagai,
N.Tamoto、Appl.Phys.Lett.
誌、66巻(1995年)2679〜2681頁参
照)。
ンシャルおよび最高占有分子軌道(HOMO)は5.1
〜5.5eVである(Adachi,K.Nagai,
N.Tamoto、Appl.Phys.Lett.
誌、66巻(1995年)2679〜2681頁参
照)。
【0069】このことは、上記の層状基底電極から典型
的な正孔伝導性材料へ正孔を注入出来ること示してい
る。
的な正孔伝導性材料へ正孔を注入出来ること示してい
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロルフ・ベーアマン ドイツ47800クレーフエルト・シヤイブラ ーシユトラーセ101 (72)発明者 フリードリヒ・ヨナス ドイツ52006アーヘン・クルゲンオーフエ ン15 (72)発明者 アンドレアス・エルシユナー ドイツ45479ミユルハイムアーデールー ア・レダーシユトラーセ6 (72)発明者 マルテイン・ヒユパウフ ドイツ70563シユトウツトガルト・ズルツ アウアーシユトラーセ10
Claims (4)
- 【請求項1】 基質、アノード、電圧発光素子およびカ
ソードから成り、二つの電極の少なくとも一つは可視ス
ペクトル領域において透明であり、アノードは少なくと
も二つの薄い層から層状をなすように構成されており、
担体に隣接した層は任意の電子仕事関数を有する電気伝
導性をもった無機材料から成り、電圧発光素子に隣接し
た層は電気伝導性をもち溶液から沈澱させ得る材料から
成っていることを特徴とする電圧発光装置。 - 【請求項2】 電圧発光素子に隣接した層は4eVより
大きい電子仕事関数をもっていることを特徴とする請求
項1記載の電圧発光装置。 - 【請求項3】 電圧発光素子に隣接した層はポリエチレ
ンジオキシチオフェン(PEDT)/ポリスチレンスル
フォン酸塩であることを特徴とする請求項1および2記
載の電圧発光装置。 - 【請求項4】 電圧発光装置における本発明の層状電極
の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19627069A DE19627069A1 (de) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von lamellaren Elektroden |
DE19627069.3 | 1996-07-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1092584A true JPH1092584A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=7798997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9187137A Pending JPH1092584A (ja) | 1996-07-05 | 1997-06-30 | 層状電極を使用する電圧発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0817540A3 (ja) |
JP (1) | JPH1092584A (ja) |
KR (1) | KR980013537A (ja) |
DE (1) | DE19627069A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002311450A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-10-23 | Bayer Ag | 電気光学的装置に対する多層配置 |
WO2005039247A1 (ja) | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
WO2006062062A1 (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Pioneer Corporation | 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
EP2592905A1 (en) | 2003-07-31 | 2013-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, charge transporting material and organic electroluminescent element |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19718859C2 (de) * | 1997-05-03 | 1999-08-26 | Technoplast Beschichtungsgesel | Leitfähige bedruckbare Bahnen aus Kunststoff |
DE19839946A1 (de) | 1998-09-02 | 2000-03-09 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen mit mehrkernigen Metallkomplexen |
DE10019888B4 (de) * | 2000-04-20 | 2011-06-16 | Schott Ag | Transparente elektronische Bauelementanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
US7390438B2 (en) | 2003-04-22 | 2008-06-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids |
US7250461B2 (en) | 2004-03-17 | 2007-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations |
US8147962B2 (en) | 2004-04-13 | 2012-04-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive polymer composites |
US7670506B1 (en) | 2004-12-30 | 2010-03-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive compositions for liquid deposition |
WO2007002740A2 (en) | 2005-06-28 | 2007-01-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Buffer compositions |
US8216680B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-07-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Transparent composite conductors having high work function |
US8945426B2 (en) | 2009-03-12 | 2015-02-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive polymer compositions for coating applications |
US8845933B2 (en) | 2009-04-21 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom |
TW201100482A (en) | 2009-04-24 | 2011-01-01 | Du Pont | Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3534445B2 (ja) * | 1993-09-09 | 2004-06-07 | 隆一 山本 | ポリチオフェンを用いたel素子 |
US5723873A (en) * | 1994-03-03 | 1998-03-03 | Yang; Yang | Bilayer composite electrodes for diodes |
ATE287929T1 (de) * | 1994-05-06 | 2005-02-15 | Bayer Ag | Leitfähige beschichtungen hergestellt aus mischungen enthaltend polythiophen und lösemittel |
EP0727100B1 (en) * | 1994-09-06 | 2003-01-29 | Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device comprising a poly-3,4-dioxythiophene layer |
-
1996
- 1996-07-05 DE DE19627069A patent/DE19627069A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-06-23 EP EP97110256A patent/EP0817540A3/de not_active Withdrawn
- 1997-06-30 JP JP9187137A patent/JPH1092584A/ja active Pending
- 1997-07-04 KR KR1019970031120A patent/KR980013537A/ko not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002311450A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-10-23 | Bayer Ag | 電気光学的装置に対する多層配置 |
EP2592905A1 (en) | 2003-07-31 | 2013-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, charge transporting material and organic electroluminescent element |
WO2005039247A1 (ja) | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
WO2006062062A1 (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Pioneer Corporation | 有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0817540A2 (de) | 1998-01-07 |
DE19627069A1 (de) | 1998-01-08 |
KR980013537A (ko) | 1998-04-30 |
EP0817540A3 (de) | 2000-02-23 |
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