JP2001515280A - 基板の処理法 - Google Patents
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
Abstract
(57)【要約】
本発明は、基板が、少なくとも１つの容器内壁に設けられた誘導装置によって誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下から導入され、かつ容器縁部を通って排出される、処理液の入った容器中での基板の処理法に関するものである。本発明の方法は、短時間で、少量の液体を用いて基板の均一に処理しようとするものである。このため、基板をからの受器の中に供給し、そこで、第一処理液を、該受器を充填するために下から受器の中に導入している。引き続き、第一処理液を受器から排出させ、第二処理液を下から導入している。
Description
【０００１】 本発明は、基板が、少なくとも１つの容器内壁に設けられた誘導装置によって
誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下から導入され、かつ容器縁
部を通って排出される、処理液の入った容器中での基板の処理法に関するもので
ある。
誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下から導入され、かつ容器縁
部を通って排出される、処理液の入った容器中での基板の処理法に関するもので
ある。
【０００２】 この種の方法は、本発明と同じ出願人によるドイツ連邦共和国特許第４４１３
０７７Ｃ号又は同第１９５４６９９０Ｃ号から公知であり、並びに同じ出願人に
よる公開されていないドイツ連邦共和国特許出願第１９６１６４０２号、同第１
９６１６４００号、同第１９６３７８７５号、同第１９６２１５８７号又は同第
１９６４４２５４号中に記載されている。これらの方法は、極めて有利であるこ
とが判明したにもかかわらず、前記の溢水法の場合、より多くの排出周期及びよ
り大きな容器容量が必要とされるので、排出法によって異なる処理液を交換する
ために、大容量の処理液が必要とされる。
０７７Ｃ号又は同第１９５４６９９０Ｃ号から公知であり、並びに同じ出願人に
よる公開されていないドイツ連邦共和国特許出願第１９６１６４０２号、同第１
９６１６４００号、同第１９６３７８７５号、同第１９６２１５８７号又は同第
１９６４４２５４号中に記載されている。これらの方法は、極めて有利であるこ
とが判明したにもかかわらず、前記の溢水法の場合、より多くの排出周期及びよ
り大きな容器容量が必要とされるので、排出法によって異なる処理液を交換する
ために、大容量の処理液が必要とされる。
【０００３】 米国特許第４９０２３５０号又は同第５３１３９６６号から、基板が入ったカ
セットを処理液で充填された容器中に装填する方法は公知である。カセットの使
用によって、本質的により大きな容器、ひいては本質的により多くの量の処理液
を必要とするが、これは、それ自体が高価であるばかりでなく、多くの費用をか
け、例えばより高価なクラック法（Crack-Verfahren）を用いて廃棄処分しなけ ればならない。その上更に、カセット中の基板の処理は、カセットが処理工程の
間に著しくじゃまになるので、カセットを用いずに容器中で実現できるほどには
良好ではなく、簡単に実施できるものでもない。また、基板表面全体にわたり、
かつ基板の状態に左右されない均一な処理が、カセット又は容器の内部では実現
できないということに、この種の方法のもう１つ極めて大きな欠点が存在する。
従って、このことは、カセット自体が基板の均一な処理を妨げるばかりではなく
、最初に処理液中に浸漬され、取り出しの際にも最も長期間処理液中に残留して
いる基板の下側領域は、処理液、例えば腐食性の液体とより長期に接触している
ので、上側領域よりも著しく処理されているということにつながる。
セットを処理液で充填された容器中に装填する方法は公知である。カセットの使
用によって、本質的により大きな容器、ひいては本質的により多くの量の処理液
を必要とするが、これは、それ自体が高価であるばかりでなく、多くの費用をか
け、例えばより高価なクラック法（Crack-Verfahren）を用いて廃棄処分しなけ ればならない。その上更に、カセット中の基板の処理は、カセットが処理工程の
間に著しくじゃまになるので、カセットを用いずに容器中で実現できるほどには
良好ではなく、簡単に実施できるものでもない。また、基板表面全体にわたり、
かつ基板の状態に左右されない均一な処理が、カセット又は容器の内部では実現
できないということに、この種の方法のもう１つ極めて大きな欠点が存在する。
従って、このことは、カセット自体が基板の均一な処理を妨げるばかりではなく
、最初に処理液中に浸漬され、取り出しの際にも最も長期間処理液中に残留して
いる基板の下側領域は、処理液、例えば腐食性の液体とより長期に接触している
ので、上側領域よりも著しく処理されているということにつながる。
【０００４】 本発明には、カセットを用いない容器を使用し、基板の均一な処理を保証し及
び／又は少ない容量の処理液で十分であることを実現する方法を提供するという
課題が課されている。
び／又は少ない容量の処理液で十分であることを実現する方法を提供するという
課題が課されている。
【０００５】 冒頭に記載した方法から出発して、前記課題は、本発明によれば、以下の処理
工程： ａ）カセットのない空の容器の中への基板の装填、 ｂ）容器の充填のための容器の中への下からの第一処理液の導入、 ｃ）容器の中への下からの第二の処理溶液の導入による容器からの第一の処理液 の排出 によって解決される。
工程： ａ）カセットのない空の容器の中への基板の装填、 ｂ）容器の充填のための容器の中への下からの第一処理液の導入、 ｃ）容器の中への下からの第二の処理溶液の導入による容器からの第一の処理液 の排出 によって解決される。
【０００６】 本発明による方法を用いた場合、ウェーハ表面のエッチングのためには、専ら
、液体容量が容器容量に相応していることが必要とされるので、少量の第一の処
理液、例えば化学薬品、例えば希フッ化水素酸を用いれば十分であることが可能
である。この場合、第一の処理液と第二の処理液との完全な交換は、第一の処理
液の除去を、カセットが存在していないことによって本質的に簡単かつ迅速に実
施することができるので、少量の第二の処理液を用いても可能である。殊にまた
、本発明による方法の１つの特別な利点は、処理工程ｂ）によれば、第一に、ひ
いてはより長期に処理液と接触することになるかもしくは接触する基板の下側領
域は、下からの第二の処理液の導入によって最初に第一の処理液が除去されるの
で、従来の方法に比して基板の均一な処理が本質的に良好であるということにあ
る。相応して、基板の上側領域は、第一の処理液の導入の際に、処理工程ｂ）に
よれば、後になってこの第一の処理液と接触し、処理工程ｃ）のよれば、排出の
際にも、後になって第二の処理液と入れ替わる。従って、本発明による方法を用
いた場合、従来の方法に比して、プロセス媒体の削減及び処理時間の促進につい
ての利点ばかりでなく、殊に基板の均一な処理を達成することができる。
、液体容量が容器容量に相応していることが必要とされるので、少量の第一の処
理液、例えば化学薬品、例えば希フッ化水素酸を用いれば十分であることが可能
である。この場合、第一の処理液と第二の処理液との完全な交換は、第一の処理
液の除去を、カセットが存在していないことによって本質的に簡単かつ迅速に実
施することができるので、少量の第二の処理液を用いても可能である。殊にまた
、本発明による方法の１つの特別な利点は、処理工程ｂ）によれば、第一に、ひ
いてはより長期に処理液と接触することになるかもしくは接触する基板の下側領
域は、下からの第二の処理液の導入によって最初に第一の処理液が除去されるの
で、従来の方法に比して基板の均一な処理が本質的に良好であるということにあ
る。相応して、基板の上側領域は、第一の処理液の導入の際に、処理工程ｂ）に
よれば、後になってこの第一の処理液と接触し、処理工程ｃ）のよれば、排出の
際にも、後になって第二の処理液と入れ替わる。従って、本発明による方法を用
いた場合、従来の方法に比して、プロセス媒体の削減及び処理時間の促進につい
ての利点ばかりでなく、殊に基板の均一な処理を達成することができる。
【０００７】 本発明の１つの有利な実施態様によれば、第一の処理液、例えばエッチング液
を、所望の処理、例えば所望の表面削除を達成するために、第一の処理液の排出
のために第二の処理液の導入されるまで、予め定めた時間、液体容器中に放置し
ている。
を、所望の処理、例えば所望の表面削除を達成するために、第一の処理液の排出
のために第二の処理液の導入されるまで、予め定めた時間、液体容器中に放置し
ている。
【０００８】 本発明の１つの特に有利な実施態様によれば、第二の処理液の導入及び第一の
処理液の排出の後に、基板を取出している。この場合、第二の処理液は、有利に
洗浄液であり、これは、例えば容器容量の何倍もの量、例えば容器容量の６〜１
８倍に相応する量で導入されている。これによって、基板が取出され、乾燥させ
られるまでに、基板のより確実な清浄化及び洗浄が達成される、洗浄液又は清浄
化液は、化学薬品含量並びに再処理及び廃棄処分に関連して、本質的に少ないコ
ストで済むので、容器容量の頻繁な循環利用、ひいては処理工程の末端での基板
の確実で完全な清浄化も安価に行うことが可能である。
処理液の排出の後に、基板を取出している。この場合、第二の処理液は、有利に
洗浄液であり、これは、例えば容器容量の何倍もの量、例えば容器容量の６〜１
８倍に相応する量で導入されている。これによって、基板が取出され、乾燥させ
られるまでに、基板のより確実な清浄化及び洗浄が達成される、洗浄液又は清浄
化液は、化学薬品含量並びに再処理及び廃棄処分に関連して、本質的に少ないコ
ストで済むので、容器容量の頻繁な循環利用、ひいては処理工程の末端での基板
の確実で完全な清浄化も安価に行うことが可能である。
【０００９】 本発明の１つの特に有利な実施態様によれば、第二の処理液からの基板の取り
出しの間に、マランゴニの原理により乾燥工程を改善する液体を、第二の処理液
の表面に誘導している。前記の乾燥法に関して繰り返すのを回避するために、本
願の内容となる限りにおいて、同じ出願人による欧州特許出願公開第０３８５５
３６Ａ号並びにドイツ連邦共和国特許第４４１３０７７Ｃ号を指摘しておく。
出しの間に、マランゴニの原理により乾燥工程を改善する液体を、第二の処理液
の表面に誘導している。前記の乾燥法に関して繰り返すのを回避するために、本
願の内容となる限りにおいて、同じ出願人による欧州特許出願公開第０３８５５
３６Ａ号並びにドイツ連邦共和国特許第４４１３０７７Ｃ号を指摘しておく。
【００１０】 本発明のもう１つの極めて有利な実施態様によれば、処理工程ａ）、ｂ）及び
ｃ）は、少なくとも１回繰り返している。第二の処理液を、処理工程ａ）、ｂ）
及びｃ）の繰り返しの前に、容器底部の排出口を介して排出させるのは有利であ
るが、これは、迅速に実施することができる。この後もう１度、処理液を用いる
処理を行うので、基板の乾燥は、多くの場合に、必要とはされない。乾燥工程は
、有利に、第二の処理液からの取出しと一緒及び殊にマランゴニの原理の使用下
に実施されるが、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返した実施の最後になって
初めて特に有利になる。処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの際には、有利
に異なる処理液を用いる基板の処理が行われる。以下で、実施例に基づき更に詳
細に説明してあるように、まず、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の順序では、エッ
チング溶液、例えばフッ化水素酸を用いる処理が行われ、処理工程ａ）、ｂ）及
びｃ）の繰り返しの際には、アンモニア酸−過酸化水素−水混合物を使用してお
り、場合により、前記の浴もしくは基板は、メガ音波（Megaschall）を当てられ
ている。
ｃ）は、少なくとも１回繰り返している。第二の処理液を、処理工程ａ）、ｂ）
及びｃ）の繰り返しの前に、容器底部の排出口を介して排出させるのは有利であ
るが、これは、迅速に実施することができる。この後もう１度、処理液を用いる
処理を行うので、基板の乾燥は、多くの場合に、必要とはされない。乾燥工程は
、有利に、第二の処理液からの取出しと一緒及び殊にマランゴニの原理の使用下
に実施されるが、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返した実施の最後になって
初めて特に有利になる。処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの際には、有利
に異なる処理液を用いる基板の処理が行われる。以下で、実施例に基づき更に詳
細に説明してあるように、まず、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の順序では、エッ
チング溶液、例えばフッ化水素酸を用いる処理が行われ、処理工程ａ）、ｂ）及
びｃ）の繰り返しの際には、アンモニア酸−過酸化水素−水混合物を使用してお
り、場合により、前記の浴もしくは基板は、メガ音波（Megaschall）を当てられ
ている。
【００１１】 本発明のもう１つの極めて有利な実施態様によれば、基板を、処理工程ａ）に
よる、容器中への装填の前に、少なくとも１つの別の容器中で前処理している。
別の容器には、基板のために組み込まれた誘導装置を有する容器、即ち、カセッ
トのない容器も適しているにもかかわらず、本発明のもう１つの有利な実施態様
によれば、基板の入ったカセットの収容のための別の容器が設計されている。こ
れは、別の容器中での基板の処理が、例えば光ラッカーの除去のために、攻撃的
な化学薬品、例えば極めて熱い燐酸又は熱いフッ化水素酸を用いて実施されなけ
ればならない場合に殊に有利である。攻撃的な化学薬品の使用の際には、特に容
器材料、例えば石英が必要とされ、他方で、その後に続く処理過程のための液体
容器は、有利により安価な材料、例えばプラスチック又は被覆されたプラスチッ
クからなるものである。部分的に２００℃までの温度を有していてもよい熱い化
学薬品によって、カセット中の基板の保持器を必要とする容器中で材料膨張が生
じる。この場合、容器固有（beckeneigenen）の誘導部材中での基板の保持に必 要とされる正確な寸法保持は、保証することができない。
よる、容器中への装填の前に、少なくとも１つの別の容器中で前処理している。
別の容器には、基板のために組み込まれた誘導装置を有する容器、即ち、カセッ
トのない容器も適しているにもかかわらず、本発明のもう１つの有利な実施態様
によれば、基板の入ったカセットの収容のための別の容器が設計されている。こ
れは、別の容器中での基板の処理が、例えば光ラッカーの除去のために、攻撃的
な化学薬品、例えば極めて熱い燐酸又は熱いフッ化水素酸を用いて実施されなけ
ればならない場合に殊に有利である。攻撃的な化学薬品の使用の際には、特に容
器材料、例えば石英が必要とされ、他方で、その後に続く処理過程のための液体
容器は、有利により安価な材料、例えばプラスチック又は被覆されたプラスチッ
クからなるものである。部分的に２００℃までの温度を有していてもよい熱い化
学薬品によって、カセット中の基板の保持器を必要とする容器中で材料膨張が生
じる。この場合、容器固有（beckeneigenen）の誘導部材中での基板の保持に必 要とされる正確な寸法保持は、保証することができない。
【００１２】 本発明を、以下に有利な実施例に基づき、図面に関して詳細に説明する。
【００１３】 図１は、本発明による方法の第１の実施例の略図を示し、 図２は、本発明による方法の第２の実施例の略図を示し、 図３は、本発明による方法の第３の実施例の略図を示し、 図４は、本発明による方法の第４の実施例の略図を示し、 図５は、本発明による方法の第５の実施例を示している。
【００１４】 図１中に示された実施例の場合、基板１、例えば半導体ウェーハは、空の液体
容器２の中に装填され、次に、処理工程ａ）により、下から、第一の処理液３、
例えば希フッ化水素酸を、液体容器２の中に導入しているが、これは、液体容器
２中の下方の黒い領域によって示され、かつＤＨＦ−fillと表記してある。
容器２の中に装填され、次に、処理工程ａ）により、下から、第一の処理液３、
例えば希フッ化水素酸を、液体容器２の中に導入しているが、これは、液体容器
２中の下方の黒い領域によって示され、かつＤＨＦ−fillと表記してある。
【００１５】 処理工程ｂ）により、容器２は、下から導入された第一の処理液３で完全に充
填されており、基板１は、この処理工程ｂ）の間に処理されている。この処理工
程は、ＤＨＦ−エッチングと表記されており、即ち、基板がフッ化水素酸でエッ
チングされている。
填されており、基板１は、この処理工程ｂ）の間に処理されている。この処理工
程は、ＤＨＦ−エッチングと表記されており、即ち、基板がフッ化水素酸でエッ
チングされている。
【００１６】 次に続く処理工程ｃ）の間に、第二の液体、例えば洗浄液を、下から、液体容
器２の中に導入し、これによってフッ化水素酸を、溢流によって排出しているが
、これは、図１ｃ中でＯＦ−すすぎ洗いと表記されている。次に続く処理工程ｄ
）では、基板２が、液体容器２から取出され、乾燥させられていることが略示的
に示されている。符号ＭｇＤによって、マランゴニ乾燥を示している。
器２の中に導入し、これによってフッ化水素酸を、溢流によって排出しているが
、これは、図１ｃ中でＯＦ−すすぎ洗いと表記されている。次に続く処理工程ｄ
）では、基板２が、液体容器２から取出され、乾燥させられていることが略示的
に示されている。符号ＭｇＤによって、マランゴニ乾燥を示している。
【００１７】 図１中に略示的に示した液体容器２とは、いわゆるシングル・タンク・ツール
（Single Tank Tool）(STT）のことであり、液体が下から導入され、液体表面も
しくは容器の上縁部を介して排出されている。この場合、基板１は、液体容器２
の内部で、少なくとも１つの容器側壁によって内に向かって立てられている誘導
装置によって誘導され、かつ保持されている。この種の液体容器２及びその実施
態様及び機能の仕方に関連して繰り返しを回避するために、殊に本願の内容とな
る限りにおいて、同じ出願人によるドイツ連邦共和国特許出願第１９６１６４０
２号、同第１９６２１５８７号、同第１９６４４２５３号、同第１９６４４２５
４号、同第１９６４４２５５号を指摘しておく。
（Single Tank Tool）(STT）のことであり、液体が下から導入され、液体表面も
しくは容器の上縁部を介して排出されている。この場合、基板１は、液体容器２
の内部で、少なくとも１つの容器側壁によって内に向かって立てられている誘導
装置によって誘導され、かつ保持されている。この種の液体容器２及びその実施
態様及び機能の仕方に関連して繰り返しを回避するために、殊に本願の内容とな
る限りにおいて、同じ出願人によるドイツ連邦共和国特許出願第１９６１６４０
２号、同第１９６２１５８７号、同第１９６４４２５３号、同第１９６４４２５
４号、同第１９６４４２５５号を指摘しておく。
【００１８】 記載された実施例の場合、第一の処理液としては、希フッ化水素酸を、例えば
０．１〜１％の濃度で使用した。液体容器２の充填量は、例えば２００ｍｍウェ
ーハの場合に８．５リットルである。これは、カセット中に装填されたウェーハ
を有する従来の液体容器と比較して極めて少ないので、本発明によれば、高価な
処理液は、僅少量のみを必要とするのである。溢流洗浄工程ｃ）による洗浄液は
、有利に脱イオン水であり、例えば液体容器２の６倍に相応する容量、即ち、５
０リットルの量で、詳細には有利に１分以内に導入されている。従って、本発明
による方法は、少ないよう容器容量によっても極めて迅速な排出が可能であるの
で、これによって、処理時間、ひいては本発明による方法の生産性が高くなって
いる。
０．１〜１％の濃度で使用した。液体容器２の充填量は、例えば２００ｍｍウェ
ーハの場合に８．５リットルである。これは、カセット中に装填されたウェーハ
を有する従来の液体容器と比較して極めて少ないので、本発明によれば、高価な
処理液は、僅少量のみを必要とするのである。溢流洗浄工程ｃ）による洗浄液は
、有利に脱イオン水であり、例えば液体容器２の６倍に相応する容量、即ち、５
０リットルの量で、詳細には有利に１分以内に導入されている。従って、本発明
による方法は、少ないよう容器容量によっても極めて迅速な排出が可能であるの
で、これによって、処理時間、ひいては本発明による方法の生産性が高くなって
いる。
【００１９】 図１の処理工程ａ）及びｂ）から明らかなように、基板１の極めて均一な処理
ももたらされるが、これは、半導体部材及びウェーハの処理法及び製造法にとっ
て特に重要である。処理工程ａ）による液体容器２の下からの希フッ化水素酸の
導入の場合、まず、基板１の下方領域がフッ化水素酸３と接触するので、下方領
域中では、段階的に上に向かって減少して、基板１の上方領域からよりも多く基
板表面からエッチングされている。しかしながら、処理工程ｃ）の間に下から洗
浄液を用いる希フッ化水素酸の排出によって、下方領域は、腐食性フッ化水素酸
が、上方領域よりも早い時期に除去されるので、これによって、処理工程ａ）に
よるフッ化水素酸の導入の際に存在する条件は補償されている。これによって、
基板表面全体にわたって均一な処理結果が得られる。殊に、本発明による方法を
用いた場合、洗浄液４を、処理工程ｃ）により下から液体容器２の中に導入する
速度の調節によって、基板の均一な処理を制御及び調整、即ち、希フッ化水素酸
が基板１の全ての領域で同じ長さで作用することを保証することもできる。
ももたらされるが、これは、半導体部材及びウェーハの処理法及び製造法にとっ
て特に重要である。処理工程ａ）による液体容器２の下からの希フッ化水素酸の
導入の場合、まず、基板１の下方領域がフッ化水素酸３と接触するので、下方領
域中では、段階的に上に向かって減少して、基板１の上方領域からよりも多く基
板表面からエッチングされている。しかしながら、処理工程ｃ）の間に下から洗
浄液を用いる希フッ化水素酸の排出によって、下方領域は、腐食性フッ化水素酸
が、上方領域よりも早い時期に除去されるので、これによって、処理工程ａ）に
よるフッ化水素酸の導入の際に存在する条件は補償されている。これによって、
基板表面全体にわたって均一な処理結果が得られる。殊に、本発明による方法を
用いた場合、洗浄液４を、処理工程ｃ）により下から液体容器２の中に導入する
速度の調節によって、基板の均一な処理を制御及び調整、即ち、希フッ化水素酸
が基板１の全ての領域で同じ長さで作用することを保証することもできる。
【００２０】 処理工程ａ）〜ｄ）についての図１中に示した記号は、次に続く図面でも同じ
意味で使用している。
意味で使用している。
【００２１】 図２中に示した処理経過は、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）に関して、図１によ
る処理経過と同じである。図１中の処理工程ｄ）の代わりに、処理工程ｃ）に、
この方法の前記の実施態様の場合、ＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス（Quick
Dump Rinse））と表示され、先行する処理工程ｃ）による洗浄液が排出プロセス
及び洗浄プロセスの後に、液体容器２の底部の排出口を介して迅速に排出するこ
とができるので、処理工程ｄ）の記載によって図２中に略図的に記載されている
ように、容器２は空である処理工程ｄ）が続けて行われている。こうしてこれに
よって、別の処理液のための図２による処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）を繰り返す
ことが可能である。
る処理経過と同じである。図１中の処理工程ｄ）の代わりに、処理工程ｃ）に、
この方法の前記の実施態様の場合、ＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス（Quick
Dump Rinse））と表示され、先行する処理工程ｃ）による洗浄液が排出プロセス
及び洗浄プロセスの後に、液体容器２の底部の排出口を介して迅速に排出するこ
とができるので、処理工程ｄ）の記載によって図２中に略図的に記載されている
ように、容器２は空である処理工程ｄ）が続けて行われている。こうしてこれに
よって、別の処理液のための図２による処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）を繰り返す
ことが可能である。
【００２２】 処理工程ｅ）の間に、もう１つの処理液を、この場合には、アンモニア酸、過
酸化水素及び水からなる混合物（ＳＣ１−充填と表示）を、基板１の強力な清浄
化のために、下から、液体容器２の中に導入し、処理工程ｆ）により、特定の時
間にわたって、基板１と接触させている。同時に、前記の実施例によれば、清浄
化過程を更に改善する基板の超音波洗浄（Megasonic-Beschallung）を行ってい る。
酸化水素及び水からなる混合物（ＳＣ１−充填と表示）を、基板１の強力な清浄
化のために、下から、液体容器２の中に導入し、処理工程ｆ）により、特定の時
間にわたって、基板１と接触させている。同時に、前記の実施例によれば、清浄
化過程を更に改善する基板の超音波洗浄（Megasonic-Beschallung）を行ってい る。
【００２３】 前記の清浄化工程に、事前に実施した洗浄工程ｄ）に相応する第二の洗浄工程
ｇ）が続いている。完全な清浄化及び洗浄の後に、図１の工程ｄ）の場合と同じ
記号に相応して再度マランゴニ乾燥に関連する工程ｈ）を実施する。
ｇ）が続いている。完全な清浄化及び洗浄の後に、図１の工程ｄ）の場合と同じ
記号に相応して再度マランゴニ乾燥に関連する工程ｈ）を実施する。
【００２４】 図３による処理順序は、まず、アンモニア酸、過酸化水素及び水からなる混合
物を用いる清浄化、その後に初めて、希フッ化水素酸を用いる処理を実施するこ
とによってのみ図２による順序とは異なっている。即ち、図２中で記号により示
した処理工程ａ）、ｂ）、ｃ）は、処理工程ｅ）、ｆ）及びｇ）と交換したので
ある。
物を用いる清浄化、その後に初めて、希フッ化水素酸を用いる処理を実施するこ
とによってのみ図２による順序とは異なっている。即ち、図２中で記号により示
した処理工程ａ）、ｂ）、ｃ）は、処理工程ｅ）、ｆ）及びｇ）と交換したので
ある。
【００２５】 図４は、本発明による方法の１つの実施態様を示しているが、この場合、図１
〜３によるプロセス順序に、カセット中でのウェーハの収容のために設計された
容器４中で実施される処理工程が前に接続されている。図示された処理工程ａ）
の場合、ウェーハを、自体公知のマニピュレーターを用いてカセットの中に入れ
ている。ウェーハを装填されたカセットを、処理工程ｂ）により記号により示し
てあるように、基板１が、容器側壁とは接触していないカセット−液体容器４の
中に装填する。容器４は、処理溶液で充填されているかもしくは容器４に処理溶
液を充填するが、これは、耐性に関連して、液体容器４への特別な要求を課して
いる。記載した実施例の場合、緩衝されたフッ化水素酸（図４中では、ＢＨＦ＋
Ｈ2Ｏである）を使用するが、これは、容器用の耐久性の材料を必要としている 。その上更に、液体が晶出するので、特に流入開口部は、該処理液を入れるため
に必要とされるが、晶出によってそこで使用した他の処理工程にとって極めて有
利な液体流入ノズルを閉塞することがあるので、別の処理工程に使用された有利
な、カセットのないウェーハ誘導装置を有する液体容器は、使用することができ
ない。
〜３によるプロセス順序に、カセット中でのウェーハの収容のために設計された
容器４中で実施される処理工程が前に接続されている。図示された処理工程ａ）
の場合、ウェーハを、自体公知のマニピュレーターを用いてカセットの中に入れ
ている。ウェーハを装填されたカセットを、処理工程ｂ）により記号により示し
てあるように、基板１が、容器側壁とは接触していないカセット−液体容器４の
中に装填する。容器４は、処理溶液で充填されているかもしくは容器４に処理溶
液を充填するが、これは、耐性に関連して、液体容器４への特別な要求を課して
いる。記載した実施例の場合、緩衝されたフッ化水素酸（図４中では、ＢＨＦ＋
Ｈ2Ｏである）を使用するが、これは、容器用の耐久性の材料を必要としている 。その上更に、液体が晶出するので、特に流入開口部は、該処理液を入れるため
に必要とされるが、晶出によってそこで使用した他の処理工程にとって極めて有
利な液体流入ノズルを閉塞することがあるので、別の処理工程に使用された有利
な、カセットのないウェーハ誘導装置を有する液体容器は、使用することができ
ない。
【００２６】 図４の処理工程ｃ）の場合、繰り返しを回避するために、図１、２もしくは３
に記載の処理工程ａ）、ｂ）、ｃ）及びｈ）を、まとめて記号化してある。個々
の処理方法は、符号ＤＨＦ、ＳＣ１及びＭｇＤによって記号化して記載してある
。処理工程ｂ）とｃ）との間に、容器４もしくはカセットのない容器２中のカセ
ットから、例えば同じ出願人によるまだ公開されていないドイツ連邦共和国特許
第１９６５２５２６Ａ号中に記載してある取扱い装置を用いて向きの変更（Umho
rden）が行われる。
に記載の処理工程ａ）、ｂ）、ｃ）及びｈ）を、まとめて記号化してある。個々
の処理方法は、符号ＤＨＦ、ＳＣ１及びＭｇＤによって記号化して記載してある
。処理工程ｂ）とｃ）との間に、容器４もしくはカセットのない容器２中のカセ
ットから、例えば同じ出願人によるまだ公開されていないドイツ連邦共和国特許
第１９６５２５２６Ａ号中に記載してある取扱い装置を用いて向きの変更（Umho
rden）が行われる。
【００２７】 図４中の処理工程ｄ）は、処理プロセスからの仕上げ処理した基板の取出しを
示している。
示している。
【００２８】 図５は、本発明のもう１つの実施態様を示すものであり、これは、図４中に記
載した実施態様と比べて、第３の液体容器５を、カセットを収容している容器４
とカセットのない容器２との間の処理順序、即ち、図４の処理工程ｂ）とｃ）と
の間に設定していることによって異なっているにすぎない。この第３の容器５は
、記載した実施例の場合には、記号によって示されているように、基板１が容器
壁面の誘導装置中に誘導され、かつ保持されているカセットのない容器である。
載した実施態様と比べて、第３の液体容器５を、カセットを収容している容器４
とカセットのない容器２との間の処理順序、即ち、図４の処理工程ｂ）とｃ）と
の間に設定していることによって異なっているにすぎない。この第３の容器５は
、記載した実施例の場合には、記号によって示されているように、基板１が容器
壁面の誘導装置中に誘導され、かつ保持されているカセットのない容器である。
【００２９】 処理工程ｂ）の間に、基板を、例えば熱い燐酸（「hot phos」と表記）で処理
している。処理工程ｃ）の場合の「熱/冷-QDR」という記載は、例えばドイツ連 邦共和国特許第１９６１６４０２Ａ号中に記載されているように迅速な液体排出
の際の熱い及び／又は冷たい洗浄液を用いる洗浄を意味するものである。
している。処理工程ｃ）の場合の「熱/冷-QDR」という記載は、例えばドイツ連 邦共和国特許第１９６１６４０２Ａ号中に記載されているように迅速な液体排出
の際の熱い及び／又は冷たい洗浄液を用いる洗浄を意味するものである。
【００３０】 このため、第３の容器５は、迅速な充填及び排出によって、即ち、溢流法によ
ってではなく、基板を熱い及び／又は冷たい洗浄液及び／又は清浄化液を用いて
清浄化及び／又は洗浄することが意図されている。
ってではなく、基板を熱い及び／又は冷たい洗浄液及び／又は清浄化液を用いて
清浄化及び／又は洗浄することが意図されている。
【００３１】 即ち、第３の容器５は、本質的に専ら洗浄漕として用いられているが、この場
合、容器材料は、有利に、該容器が熱い洗浄液又は処理液にも耐性であるものが
選択されている。
合、容器材料は、有利に、該容器が熱い洗浄液又は処理液にも耐性であるものが
選択されている。
【００３２】 本発明は、既に、有利な実施例に基づき説明した。しかしながら、当業者には
、本発明の思想を離れることなく、多数の用途及び実施態様が可能である。本発
明による方法は、８インチ又は２００ｍｍのウェーハと関連して記載してあるが
、この種の大きなウェーハの場合には、均一な処理が特に困難であり、より大き
な液体容器によって処理液の節約も一層重要になるので、殊に３００ｍｍのウェ
ーハにも有利に使用可能である。
、本発明の思想を離れることなく、多数の用途及び実施態様が可能である。本発
明による方法は、８インチ又は２００ｍｍのウェーハと関連して記載してあるが
、この種の大きなウェーハの場合には、均一な処理が特に困難であり、より大き
な液体容器によって処理液の節約も一層重要になるので、殊に３００ｍｍのウェ
ーハにも有利に使用可能である。
【図１】 図１は、本発明による方法の第１の実施例を示す略図である。
【図２】 図２は、本発明による方法の第２の実施例を示す略図である。
【図３】 図３は、本発明による方法の第３の実施例を示す略図である。
【図４】 図４は、本発明による方法の第４の実施例を示す略図である。
【図５】 図５は、本発明による方法の第５の実施例を示す略図である。
１ 基板、 ２、４、５ 容器、 ３ 処理液
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年３月１日（２０００．３．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項６】 第二の処理液を、容器容量の数倍に相応する量で導入する、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】 第二の処理液が洗浄液である、請求項１から６までのいずれ
か１項に記載の方法。
か１項に記載の方法。
【請求項８】 基板を、容器中への装填の前に、少なくとも１つの別の容器
中で処理する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
中で処理する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】 別の容器が、基板の入ったカセットの収容できるように設計
されている、請求項８に記載の方法。
されている、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】 別の容器が、攻撃的な化学薬品、殊に熱時の燐酸又はフッ
化水素酸に耐性の材料からなる、請求項８又は９に記載の方法。
化水素酸に耐性の材料からなる、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】 処理すべき基板が半導体ウェーハであり、第一の処理液が
希フッ化水素酸又はアンモニア酸、過酸化水素及び水からなる混合物である、請
求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
希フッ化水素酸又はアンモニア酸、過酸化水素及び水からなる混合物である、請
求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】 本発明は、処理液の入った容器中での基板の処理法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】 米国特許第５２７５１８４号から、基板が入ったカセットを処理液で充填され
た容器中に装填する方法は公知である。カセットの使用によって、本質的により
大きな容器、ひいては本質的により多くの量の処理液を必要とするが、これは、
それ自体が高価であるばかりでなく、多くの費用をかけ、例えばより高価なクラ
ック法（Crack-Verfahren）を用いて廃棄処分しなければならない。その上更に 、カセット中の基板の処理は、カセットが処理工程の間に著しくじゃまになるの
で、カセットを用いずに容器中で実現できるほどには良好ではなく、簡単に実施
できるものでもない。また、基板表面全体にわたり、かつ基板の状態に左右され
ない均一な処理が、カセット又は容器の内部では実現できないということに、こ
の種の方法のもう１つ極めて大きな欠点が存在する。従って、このことは、カセ
ット自体が基板の均一な処理を妨げるばかりではなく、最初に処理液中に浸漬さ
れ、取り出しの際にも最も長期間処理液中に残留している基板の下側領域は、処
理液、例えば腐食性の液体とより長期に接触しているので、上側領域よりも著し
く処理されているということにつながる。米国特許第５６５６０９７号は、第一
の処理液、例えば清浄化液で充填された容器を使用するウェーハの処理のための
方法及び装置を記載している。第一の処理液を用いる処理の後に、この処理液を
排出している。この後、もう１つの処理順序で、もう１つの処理液、即ち、緩衝
された酸化物−エッチング剤（ＢＯＥ）又はフッ化水素酸並びに脱イオン水を、
速い流速で導入している。この処理工程の後に、再度、前記処理液を排出するの
で、この後、新たな処理液で容器を充填することができる。
た容器中に装填する方法は公知である。カセットの使用によって、本質的により
大きな容器、ひいては本質的により多くの量の処理液を必要とするが、これは、
それ自体が高価であるばかりでなく、多くの費用をかけ、例えばより高価なクラ
ック法（Crack-Verfahren）を用いて廃棄処分しなければならない。その上更に 、カセット中の基板の処理は、カセットが処理工程の間に著しくじゃまになるの
で、カセットを用いずに容器中で実現できるほどには良好ではなく、簡単に実施
できるものでもない。また、基板表面全体にわたり、かつ基板の状態に左右され
ない均一な処理が、カセット又は容器の内部では実現できないということに、こ
の種の方法のもう１つ極めて大きな欠点が存在する。従って、このことは、カセ
ット自体が基板の均一な処理を妨げるばかりではなく、最初に処理液中に浸漬さ
れ、取り出しの際にも最も長期間処理液中に残留している基板の下側領域は、処
理液、例えば腐食性の液体とより長期に接触しているので、上側領域よりも著し
く処理されているということにつながる。米国特許第５６５６０９７号は、第一
の処理液、例えば清浄化液で充填された容器を使用するウェーハの処理のための
方法及び装置を記載している。第一の処理液を用いる処理の後に、この処理液を
排出している。この後、もう１つの処理順序で、もう１つの処理液、即ち、緩衝
された酸化物−エッチング剤（ＢＯＥ）又はフッ化水素酸並びに脱イオン水を、
速い流速で導入している。この処理工程の後に、再度、前記処理液を排出するの
で、この後、新たな処理液で容器を充填することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】 処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの際には、有利に異なる処理液を用い
る基板の処理が行われる。以下で、実施例に基づき更に詳細に説明してあるよう
に、まず、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の順序では、エッチング溶液、例えばフ
ッ化水素酸を用いる処理が行われ、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの際
には、アンモニア酸−過酸化水素−水混合物を使用しており、場合により、前記
の浴もしくは基板は、メガ音波（Megaschall）を当てられている。
る基板の処理が行われる。以下で、実施例に基づき更に詳細に説明してあるよう
に、まず、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の順序では、エッチング溶液、例えばフ
ッ化水素酸を用いる処理が行われ、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの際
には、アンモニア酸−過酸化水素−水混合物を使用しており、場合により、前記
の浴もしくは基板は、メガ音波（Megaschall）を当てられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】 図１中に略示的に示した液体容器２とは、いわゆるシングル・タンク・ツール
（Single Tank Tool）(STT）のことであり、液体が下から導入され、液体表面も
しくは容器の上縁部を介して排出されている。この場合、基板１は、液体容器２
の内部で、少なくとも１つの容器側壁によって内に向かって立てられている誘導
装置によって誘導され、かつ保持されている。この種の液体容器２及びその実施
態様及び機能の仕方に関連して繰り返しを回避するために、殊に本願の内容とな
る限りにおいて、同じ出願人によるドイツ連邦共和国特許出願第１９６１６４０
２号、同第１９７２２４２３号、同第１９６４４２５３号、同第１９６４４２５
４号、同第１９６４４２５５号を指摘しておく。
（Single Tank Tool）(STT）のことであり、液体が下から導入され、液体表面も
しくは容器の上縁部を介して排出されている。この場合、基板１は、液体容器２
の内部で、少なくとも１つの容器側壁によって内に向かって立てられている誘導
装置によって誘導され、かつ保持されている。この種の液体容器２及びその実施
態様及び機能の仕方に関連して繰り返しを回避するために、殊に本願の内容とな
る限りにおいて、同じ出願人によるドイツ連邦共和国特許出願第１９６１６４０
２号、同第１９７２２４２３号、同第１９６４４２５３号、同第１９６４４２５
４号、同第１９６４４２５５号を指摘しておく。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】 処理工程ｅ）の間に、もう１つの処理液を、この場合には、アンモニア、過酸
化水素及び水からなる混合物（ＳＣ１−充填と表示）を、基板１の強力な清浄化
のために、下から、液体容器２の中に導入し、処理工程ｆ）により、特定の時間
にわたって、基板１と接触させている。同時に、前記の実施例によれば、清浄化
過程を更に改善する基板の超音波洗浄（Megasonic-Beschallung）を行っている 。
化水素及び水からなる混合物（ＳＣ１−充填と表示）を、基板１の強力な清浄化
のために、下から、液体容器２の中に導入し、処理工程ｆ）により、特定の時間
にわたって、基板１と接触させている。同時に、前記の実施例によれば、清浄化
過程を更に改善する基板の超音波洗浄（Megasonic-Beschallung）を行っている 。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年３月１日（２０００．３．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】 前記課題は、本発明によれば、以下の処理工程： ａ）カセットのない空の容器の中への基板の装填、 ｂ）液体容器の充填のための液体容器の中への下からの第一処理液の導入、 ｃ）液体容器の中への下からの第二の処理溶液の導入による液体容器からの第一
の処理液の排出 を含むが、この場合、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）は、少なくとも１回繰り返さ
れ、かつ第二の処理液は、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの前に、容器
底部の流出開口部を介して排出される、基板が、少なくとも１つの容器内壁に設
けられた誘導装置によって誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下
から導入され、かつ容器縁部を通って排出される、処理液の入った容器中での基
板の処理法を用いて解決される。
の処理液の排出 を含むが、この場合、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）は、少なくとも１回繰り返さ
れ、かつ第二の処理液は、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの前に、容器
底部の流出開口部を介して排出される、基板が、少なくとも１つの容器内壁に設
けられた誘導装置によって誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下
から導入され、かつ容器縁部を通って排出される、処理液の入った容器中での基
板の処理法を用いて解決される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】 本発明によれば、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）は、少なくとも１回繰り返され
る。第二の処理液は、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの前に、容器底部
の流出開口部を介して排出するが、これは、迅速に実施することができる。この
後もう一度、処理液を用いる処理が行われるので、基板の乾燥は、多くの場合、
差し当たり必要とされていない。乾燥工程は、有利に、第二の処理液からの取出
し及び殊にマランゴニの原理の使用下に実施されるが、処理工程ａ）、ｂ）及び
ｃ）を繰り返して実施する終了時になって初めて特に有利になる。本発明の１つ
の有利な実施態様によれば、第一の処理液、例えばエッチング液を、所望の処理
、例えば所望の表面削除を達成するために、第一の処理液の排出のために第二の
処理液の導入されるまで、予め定めた時間、液体容器中に放置している。
る。第二の処理液は、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの前に、容器底部
の流出開口部を介して排出するが、これは、迅速に実施することができる。この
後もう一度、処理液を用いる処理が行われるので、基板の乾燥は、多くの場合、
差し当たり必要とされていない。乾燥工程は、有利に、第二の処理液からの取出
し及び殊にマランゴニの原理の使用下に実施されるが、処理工程ａ）、ｂ）及び
ｃ）を繰り返して実施する終了時になって初めて特に有利になる。本発明の１つ
の有利な実施態様によれば、第一の処理液、例えばエッチング液を、所望の処理
、例えば所望の表面削除を達成するために、第一の処理液の排出のために第二の
処理液の導入されるまで、予め定めた時間、液体容器中に放置している。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年３月１日（２０００．３．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F043 AA01 BB27 DD07 DD23 DD30 EE02 EE05 EE16 EE27 EE33 EE35
Claims (13)
- 【請求項１】 基板が、少なくとも１つの容器内壁に設けられた誘導装置に
よって誘導され、かつ保持されるが、この場合、処理液が下から導入され、かつ
容器縁部を通って排出される、処理液の入った容器中での基板の処理法において
、以下の処理工程： ａ）空の容器の中への基板の装填、 ｂ）液体容器の充填のための液体容器の中への下からの第一処理液の導入、 ｃ）液体容器の中への下からの第二の処理溶液の導入による液体容器からの第一 の処理液の排出 を特徴とする、基板の処理法。 - 【請求項２】 第一の処理液の排出のために第二の処理液を導入するまで、
第一の処理液を、予め定めた時間、液体容器中に放置する、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 基板を、第二の液体容器から取り出す、請求項１又は２に記
載の方法。 - 【請求項４】 第二の処理液から基板を取り出す間に、マランゴニの原理に
より乾燥工程を改善する液体を、第二の処理液の表面に誘導する、請求項３に記
載の方法。 - 【請求項５】 処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）を、少なくとも１回繰り返す、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 第二の処理液を、処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しの
前に、容器底部の排出口を介して排出させる、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 処理工程ａ）、ｂ）及びｃ）の繰り返しを、異なる処理液を
用いて行う、請求項５又は６に記載の方法。 - 【請求項８】 第二の処理液を、容器容量の数倍に相応する量で導入する、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 第二の処理液が洗浄液である、請求項１から８までのいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１０】 基板を、容器中への装填の前に、少なくとも１つの別の容
器中で処理する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１１】 別の容器が、基板の入ったカセットの収容できるように設
計されている、請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 別の容器が、攻撃的な化学薬品、殊に熱時の燐酸又はフッ
化水素酸に耐性の材料からなる、請求項１０又は１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 処理すべき基板が半導体ウェーハであり、第一の処理液が
希フッ化水素酸又はアンモニア酸、過酸化水素及び水からなる混合物である、請
求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
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|---|---|---|---|
| DE19738147.2 | 1997-09-01 | ||
| DE19738147A DE19738147C2 (de) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| PCT/EP1998/005444 WO1999012238A1 (de) | 1997-09-01 | 1998-08-27 | Verfahren zum behandeln von substraten |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=7840846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000509135A Expired - Fee Related JP3419758B2 (ja) | 1997-09-01 | 1998-08-27 | 基板の処理法 |
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| TW (1) | TW381125B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE19926462C1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-11-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
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| DE19960573C2 (de) * | 1999-12-15 | 2002-10-10 | Promos Technologies Inc | Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Halbleiterscheiben |
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