JP2001506417A - 集積回路用パッケージ構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 集積回路パス（３）を接続する電気信号パスを有し、かつ相互接続又はビア・チップ（９）により得られる前記信号パスの垂直方向の相互接続を有する基板を備えている２次元マルチ・チップ・モジュールのスタックとして、３次元マルチ・チップ・モジュールが形成される。前記基板（１）上の前記個別的なチップ（３、９）又は他の内側構成要素（１５）は隣接する基板の表面と機械的な接触をしており、互いにスペースを置いて前記基板を維持する前記間隔手段をなす。従って、構成要素に発生する熱は、前記基板（１）に対して本質的に垂直に導かれる。熱的に導くチップ（１５）は熱の伝導を改善するために使用されてもよい。冷却手段（１９）は前記スタックの最上部表面及び底面にのみ配置される。チャネル（３５）が前記チップと冷却用に使用されてもよい構成要素との間に形成され、更に電気的なコネクタ（３７）がスタックを同様のスタックに結合させるために挿入されてもよい前記基板のエッジに形成される。前記スタックの構成要素（１、３、９、１５）は、圧縮力を印加することにより、かつ弾性接続及び案内手段（２１、２５、２７）を使用することにより、互いに電気的及び機械的な接触により取り外し可能なやり方で維持される。特にバンプ（２１）は構成要素を正しい位置に案内するために構成要素の端面と協調するように配列されてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】 集積回路用パッケージ構造 技術分野 本発明は、３次元又は多層マルチ・チップ・モジュールＭＣＭに関する。 背景及び最近の技術 集積回路の分野における技術的な発展は、より速く、かつより小型のシステム を要求するに至った。多くのアプリケーションでは、軽い重量との組み合わせに よる小型構造そのものが必要条件である。技術的な発展は、更に、相互に通信す るために必要とする益々増大する数の構成部品を含む、より複雑なエレクトロニ ックス・システムに向かう傾向にある。更に、新しいシステムが異なる構成部品 間で速やかなアクセスの必要条件に適合するために、システムの異なる構成部品 間の信号パス長は、ある程度小さな限界内に保持される必要がある。 エレクトロニックス・システムの複雑性が増大すると、互いに通信が必要な構 成部品間の信号パス長も長くなる。互いに通信する必要があるこのような構成部 品間に許容される最大電気距離又は最大信号パス長を超えないようにするため、 構成部品は益々小さく作成され、更に益々高密度に詰め込まれた。従って、パッ ケージされていない集積回路、ＩＣ、又はチップの高密度パッケージングを可能 にする電子マルチ・チップ・モジュールが開発された。実際に、このようなモジ ュールにおいて異なる能動及び受動構成部品間の信号距離は、単一チップ上に全 システムがモノリシック的に集積された場合の大きさよりも極端に大きくなるこ とはない。 しかしながら、検討しているシステム用に設定したパフォーマンス必要条件に より決定される相互に通信する必要がある構成部品間の最大距離は、相互接続さ れたチップ及び／又は構成要素の片面のみが使用されるならば、この片面におけ る構成要素のみが最大距離内で到達し得るので、複雑なシステムにおいて不必要 に規制されることになる。 この問題を克服するために、３次元又は多層マルチ・チップ構造を使用するこ とができる。これは、検討している構成要素から伸びている通信線が多層マルチ ・チップ・モジュールの同一面における構成要素に到達できるばかりでなく、構 成要素の上及び下に配置された面における構成要素も短い信号パスを通って直接 アクセスすることができることを意味する。 これはいくらか異なるやり方で得られる。裏面に接続された回路基板のように 複数のモジュールを有する通常のシステムは、ある意味で３次元である。しかし ながら、これらのシステムは、相互に通信を必要とするそれら全ての構成要素間 で短い信号パスに関する前述の必要条件を満足させるものではない。これは、空 間的に接近している構成要素が長い線により接続されているときは、達成できず 、これは、２つの構成要素が通常のシステムに従って接続されている場合に、明 らかとなる。更に、スタックの側面に相互接続を有する２次元マルチ・チップ・ モジュールのスタックも長い信号パスに帰結する。従って、スタックのように異 なる２つの異なるマルチ・チップ・モジュール面上の中央に位置する２つの構成 要素間の信号接続を得ようとするときは、これらは、結局、横方向パス、スタッ クの側面の短い垂直方向パス、及び他方の面上の最終横方向パスを介して接続さ れ、例えばこれらが基板のうちの１つの穴を介して直接接続される場合と比較し て、相対的に長い距離になる。 更に、タワー又はスタックを形成するために一緒に接着された多数のチップを 備え、かつチップ・スタックの側面において垂直方向接続を有するシステムも使 用される。１以上のチップのスタックを使用するときは、更に、チップ間に短い 信号パスを配列する際に問題が存在する。互いに隣接し、かつ相互に通信するこ とにある各パイルの先端に配置された２つのチップの場合を考える。これらは、 更に、このようなチップ・パイルに関連する冷却の問題も存在し得る。 互いに上にいくつかの２次元マルチ・チップ・モジュールを積み重ねて３次元 マルチ・チップ・モジュールを形成する場合にこの問題を解決するために、互い に積み重ねられて配置された面間の垂直方向の相互接続が形成された。 垂直方向相互接続が十分に接近して配置されているときは、第１の面上のチッ プは、同一面上の隣接部材だけでなく、上下の隣接部材とも短い電気的な線又は 光学的な線により直接的な接触をもつことができる。これは、異なる面上の構成 要素が通信するのを必要とする場合に、このような構成要素間の信号パス長が大 幅に短縮され、かつ互いに通信している構成要素間の短い信号パスの必要条件を 依然として満足させるので、大きな効果がある。 従って、米国特許第５，３７１，６５４号は、相互接続手段を有する３次元マ ルチ・チップ・モジュール構造であって、前記相互接続手段が電気的な装置を配 置させた基板により形成され、隣接アッセンブリ間に垂直方向相互接続を得るた めに前記３次元マルチ・チップ・モジュール構造に設けられている。前記相互接 続手段は複数の電気導体を延伸しているエラストマ材料から作成され、かつ前記 相互接続手段は、アッセンブリのスタックを圧縮することにより、異なる２つの 隣接アッセンブリを電気的に接続するように作成されており、その最終的な構造 における圧縮力は、基板のエッジがその構造の側面に配置された放熱ブロックに おける溝に挿入されるということにより得られる。放熱は、熱が基板のエッジに 伝導されるように、高熱伝導度を有する材質のアッセンブリ基板を製作すること により得られ、前記熱は放熱冷却ブロックにより放熱される。 米国特許第５，０１６，１３８号は、集積回路が導電トレースを有する電気的 に絶縁された基板に取り付けられている３次元集積回路パッケージを開示してお り、前記トレースに対する電気的な接続はワイヤ・ボンディング又はフリップ・ チップ・ボンドにより作成されている。基板の表面上に配置された複数のチップ をフレームが取り囲んでいる。金属又は他の熱伝導性の物質から作成され、典型 的には、電気信号も伝達するヒート・シンク部材は、基板とチップの自由表面と の間に挿入され、かつ集積回路チップが取り付けられていない基板の表面と接触 するように配置されている。チップが基板にフリップ・チップ・ボンドされてい る場合は、熱伝導性のボンディング、一般的に共晶は、チップの背面とヒート・ シンクとの間の空間に形成されてもよい。そうでなければ、チップからヒート・ シンクヘ熱を伝導させるために金属スラグがそれぞれのチップの下の適当な位置 で基板に埋め込まれてもよい。 米国特許第５，０５１，８６５号は、積み重ねられたウェーハ体を含む多層半 導体デバイスを開示している。それぞれの大きな２面のうちの各１面にシリコン ・ウェーハを有するアルミニウム板を備えた複数のベース・ユニット構造のスタ ックが形成されている。複数のベース・ユニット構造は互いにシリコン樹脂によ り取り付けられ、その結果のスタックは、空隙を有しない、かつデバイスを容易 に取り外せない本質的にむくであり、かつ小型である。 米国特許第５，４２６，５６３号では、複数の集積回路チップを収容する３次 元モジュールが説明されている。この構造は、複数の通信バーを有し、これらは 更にモジュールの隣接基板間のスペーサとしても利用される。この構成は、冷却 液が存在する冷却チャネルを設けている。 米国特許第５，３２９，４２３号には、電気的及び機械的な接続アッセンブリ が開示されており、これは、チップ・パッケージであってもよく、またマルチ・ チップ・モジュールを形成する際に使用されてもよい。バンプ及びソケット構成 がある程度のセルフ・アライメントを提供し、かつ複数の部材を互いに取り外し 可能に取り付けられる。公開ヨーロッパ特許出願第０ ４３９ １３４ Ａ２号 には半導体デバイスをパッケージングするために使用される同様の協同バンプ及 び凹所構成が開示されている。 最後に、米国特許第５，２４１，４５０号は互いに積み重ねられた複数のマル チ・チップ・モジュールも開示されている。 しかしながら、以上で説明した各構造は多数の大きな欠点を免れ得ない。特に 、これらの欠点は、放熱手段に関連し、かつこの構造をマウントするやり方にあ る。 従って、その基板の端面が配置される前記３次元マルチ・チップ・モジュール の横側に配列された冷却手段を備えた構成は、その形式により配列された冷却手 段を備えている側面で前記モジュールを同一種の３次元マルチ・チップ・モジュ ールに容易にかつ直接に接続することを困難又は不可能にする。従って、いくつ かの３次元マルチ・チップ・モジュールを相互接続して大きなシステムを形成す るのであれば、システムを極端に小型に構築することはできず、以上で述べたよ うに、今日、そのこと自体がしばしば必要条件になっている。 更に、構造及び／又はチップは、多くの場合に、互いに固定又は固着して搭載 される。これは、交換手順が３次元マルチ・チップ・モジュールの他の構成要素 を損傷する恐れがあるので、集積回路又は３次元マルチ・チップ・モジュールの 全面を交換するときに、問題となる。 概要 本発明の目的は、複数のアッセンブリからなる３次元マルチ・チップ・モジュ ールを提供することであり、各アッセンブリが複数の集積回路チップを収容して おり、前記アッセンブリにおける前記個々のチップ若しくはアッセンブリ、又は ３次元マルチ・チップ・モジュールの全面を容易に交換できる。 本発明の更なる目的は、例えば構造の中央のどこかの内側に配置され、かつ多 量の熱を発生する集積回路を冷却する手段を含み得る構造に対する冷却構成を提 供することである。 本発明の更なる他の目的は、他の同様の３次元マルチ・チップ・モジュール、 又は他のデバイスに対して全般的に容易に接続することができる３次元マルチ・ チップ・モジュールを提供することである。 これら及び他の目的は、多数の垂直方向相互接続を有する少なくとも２つの２ 次元マルチ・チップ・モジュールのスタックとして形成された３次元マルチ・チ ップ・モジュールにより得られる。得られた３次元マルチ・チップ・モジュール において、結果の短い信号パスのために、個別的なチップ又は構成要素は横方向 に隣接するチップと共に垂直方向に隣接するチップの両者と直接電気的な接触を 有することができる。 垂直方向の電気的な相互接続を確立するために、複数のチップを介する空間的 な相互接続チップが設けられる。従って、２次元マルチ・チップ・モジュール上 の活性なチップは、正規の２次元マルチ・チップ・モジュールのように密に詰め 込むことが不可能とされる。更に、あらゆるチップ層間に導電性の信号パスを支 持する電気的な絶縁基板を設ける必要があるので、チップの垂直方向密度は、積 み重ねチップに比較して軽減されることになる。これにも拘わらず、前述したよ うに、しばしば制限又は規制する必要条件となる、ある長さの接続内で達成可能 なチップ数は、２次元構造に対するもの、及びその構造の側面でのように外部垂 直方向接続のみを有する３次元構造に対するものよりも遥かに大きくなり得る。 しかしながら、活性チップの小型構造は、放熱問題に帰結し得る。この問題は 、３次元マルチ・チップ・モジュールの上部及び底部近傍に多量の熱を発生する チップを配置することにより、及びこれが不可能となる場合に、このような「ホ ッ ト」チップの片面及び両面で複数の層又は複数のレベルにおいて特殊な熱伝導体 を設けることにより、解決される。 更に、２次元マルチ・チップ・モジュールが構築される基板が良好な熱伝導性 を有する物質からなるときは、熱伝導体はこのような「ホット」チップに直接隣 接して配置される必要はない。 更に、システムは、チップのマウントの前又は後に研磨することにより、又は 挿入された精密ブロックを有するシステムを使用することにより面を形成するよ うに、基板上で対面している各チップの面が作成されている平坦な複数の２次元 マルチ・チップ・モジュールから構築される。これによって、各構成要素の裏面 は上の隣接する基板と機械的な直接接触となり得る。加えて、これは、良好な熱 伝導特性を有する可動接触が得られる。可動性及び熱伝導性を改善するために、 グリース、油、又は液体金属を個々のチップの裏側に塗布することができる。 更に、近傍の基板を接続するビア・ホールは、既に説明したようにチップによ り構成される。しかしながら、これらのチップは、活性ではなく、２次元マルチ ・チップ・モジュールの隣接する２レベル間の電気的な相互接続として利用され るだけである。 ３次元マルチ・チップ・モジュールの上面及び底面には冷却手段が設けられる 。この冷却手段は、複数の構成要素が基板の上側面にマウントされる場合に、例 えばスタックにおいて最上部に位置する基板の集積回路チップ及び他のチップの 最上部面と、及び底部の基板の底面とにより、機械的に直接接触している。この ような集積回路との直接接触が望ましくないときは、チップをマウントしていな い付加的な基板をスタックの上部に配置してもよい。 ３次元マルチ・チップ・モジュール又はパイルの最上部面及び底部面にのみ冷 却手段を設けると、スウェーデン国特許出願第９６０４６８９−１号の「基板エ ッジ・コネクタ」に説明されているように、基板のエッジに導電性パスを接続す るデバイスを使用できるようにする。これによって、一方の３次元マルチ・チッ プ・モジュールを他方のものに容易に横方向接続するのを可能にする。 更に、３次元マルチ・チップ・モジュールはモジュールの最上部面及び底部面 に印加される圧縮力により互いに保持されるだけである。これは、システムの他 のチップを危険にさらすことなく、３次元マルチ・チップ・モジュールの個々の チップの修理又は交換のためにそのモジュールの分解を極めて簡単にする。 従って、一般的に、３次元マルチ・チップ・モジュールは、互いに積み重ねら れた少なくとも２つの２次元マルチ・チップ・モジュールを備えている。各２次 元マルチ・チップ・モジュールは、典型的には、その表面又は複数の表面及び／ 又は内側に電気的な信号を搬送することを意図した導電性パスを搬送する平坦な 電気的に絶縁されたプレートである基板と、第１の面にマウントされて前記基板 の導電性パスに電気的に接続された少なくとも一つの集積回路チップとを備えて いる。「固有の」３次元マルチ・チップ・モジュールを構成するために、異なる 複数の基板上の少なくとも２つの集積回路チップが互いに電気的に接続されてい ることを必要とする。３次元マルチ・チップ・モジュールの集積回路チップは、 フリップ・チップ・マウント又は少なくともフリップ・チップ形式によりマウン トされていればよい。１層のモジュールの集積回路チップは、裏面即ち第２面、 即ち、電気的な端子又は導電性領域が配置されていない面、通常、集積回路チッ プの上面が隣接する基板の表面領域と機械的に直接接触するように、マウントさ れている。これによって、これらのチップは、隣接する基板を分離する手段を形 成すると同時に、基板間の間隔保持即ちスペーシング手段として利用される。従 って、フレーム又は同様のエレメントが使用又は必要とされることはない。従っ て、集積回路チップのマウントは、その表面によって関連する基板にそのチップ をマウントしていない、又は電気的に接続していない集積回路チップの表面が単 に隣接面の表面と機械的な直接接触するようになっている。この機械的な接触は 、通常、液状オイルによって摺動接触を強化する可能性があり、これがまたチッ プを基板に熱的に接続させる。 ３次元マルチ・チップ・モジュールを冷却するために、外部的な冷却ブロック 又は熱伝導ブロックを基板の最も外側の大きな面及び／又は集積回路チップと熱 接触状態となるように配列されてもよい。３次元マルチ・チップ・モジュールに おける内部熱伝導は、隣接する２つの基板間に配置され、かつこれらの基板の対 面する大きな表面と熱接触する内部熱伝導ブロックを配列することにより、強化 される。このような熱伝導ブロックは、最上部基板上でその表面のうちの１つと 接触し、次いで冷却ブロックをその反対面と接触しているようにされてもよい。 ２次元マルチ・チップ・モジュールのパイルの最も外側の表面上、従って最も 外側基板及び／又は最も外側の集積回路チップの大きな表面上の圧縮力により作 用するように、圧縮手段が設けられてもよい。更に、この圧縮力は、相互的な関 係で所望の位置に全ての構成要素、即ち全ての種々のチップ及び全ての基板を保 持する唯一の力となり得るので、固定した又は固着した個別的な機械的な締着は 存在しない、又は必要としない。構成要素の横方向配置は、適当な横方向配置手 段により達成される。 更に、少なくとも一基板は、他の同様の３次元マルチ・チップ・モジュールの ような他のデバイスに３次元マルチ・チップ・モジュールを接続するために、そ の縁部分に自由空間又は自由チャネルを形成するように、その一縁線に自由縁部 分を有する。基板を他のデバイスに、例えばマルチ・チップ・モジュールにおけ る基板に、又は特殊な接続手段に、電気的に接続するために、この露出した縁部 分に導電領域が設けられる。そこで、このモジュールの側面における自由空間は 、その縁における隣接する２つの基板間、又は基板とエンド・ブロックとの間に 配置され、少なくとも一つの基板は自由縁面部分を有する。 そこで、前記基板を接続するために適応されたコネクタは、ユニットを少なく とも部分的に自由空間に挿入できるようにした形状を有する。更に、これは、そ の表面上に導電性パターン又は全般的に露出した導電性領域を搬送しており、導 電性パターン又は領域は、コネクタ・ユニットが自由空間に挿入されたときに、 縁部分上で同様に露出された導電性領域と電気的な接触をするようにされている 。コネクタ・ユニットは中心軸をその横方向に有する細長い長方形体又はストリ ップの形状を有する。中心軸の片側に配置されたコネクタ・ユニットの部分は、 ３次元マルチ・チップ・モジュールにおける基板に電気的に接触するようにされ た、及び中心軸の他方側に配置され他部分は、他方の同様の３次元マルチ・チッ プ・モジュールにおける基板と電気的に接触するようにされている。更に、中心 軸の一方側に配置されたコネクタ・ユニットの部分が３次元マルチ・チップ・モ ジュールにおける基板に電気的に接触するようにされ、中心軸の他方側に配置さ れた部分はバック・プレーンのような更なるコネクタ手段における導電領域を電 気的 に接触するように、コネクタ・ユニット設計されてもよい。 基板上のコネクタ・ユニットの正確な配置を達成するために、配置手段が自由 空間にコネクタ・ユニット上及び基板の縁部分上に設けられてもよい。そこで、 前記配置手段は、前記基板の縁部分における表面上に配置され、かつ前記コネク タ・ユニットの縁面又はコーナと協調するバンプのような複数の突起を備えても よい。 ２つの隣接する基板間に配置され、かつ電気的に接触する少なくとも一つのビ ア・チップを設けることもできる。このようなビア・チップは、ビア・チップの 片面からその反対面へ延伸している導電性パスを備えており、これらの導電性パ スは、これら基板又はこれら基板の層に面して及び／又は面において導電性層を 電気的に相互接続している。 前述の配置手段は、互いに押し合うチップと基板との対に対して基板上のチッ プを正確な配置を達成する配置手段を備えることができる。前述の配置手段は、 前記チップ及び前記チップのうちの１つの表面上に配置されて突起、バンプ、ラ イン状に配列されたバンプ、又は前記チップ及び前記基板のうちの他方の基板上 に設けられたリッジと協調する溝を備えている。更に、基板のチップの電気的な 接続を簡単にするために、前記配置手段は、前記チップ及び前記基板が互いに押 し合うと互いに電気的に接触して接続する導電性の表面領域を備えてもよい。他 方、より簡単な配置手段は、前記基板の表面上に配置されて前記基板に押し付け られたチップの複数の縁面即ちコーナと協調する複数の突起又はバンプを備えて もよい。このような複数のバンプは、好ましくは、基板の表面上の導電性のパッ ドと接触することになるために非常に正確な配置を必要とする構成要素と、前記 基板上に大まかな配置のみを必要とする複数の熱伝導ブロックのような複数の構 成要素との両方に使用されてもよい。 図面の簡単な説明 ここで、添付図面を参照して非限定的な実施例により、本発明を詳細に説明す る。 図１は、３次元マルチ・チップ・モジュールの横断面図である。 図２は、３次元マルチ・チップ・モジュールの横断面図であり、更に複数のチ ップ及びモジュールの接続を同様のモジュールに位置合わせする手段を示す。 図３は、互いに接続された２つの３次元マルチ・チップ・モジュールの接続領 域を示す部分的に拡大した横断面図である。 図４は、互いに接続された９つの３次元マルチ・チップ・モジュールを示し、 モジュールのうちの１つがバック・プレーンに接続されている上方からの図であ る。 詳細な説明 図１において３次元マルチ・チップ・モジュールＭＣＭの横断面図が示されて いる。この３次元モジュールは、多数の２次元マルチ・チップ・モジュールによ り形成され、かつこの実施例において内部がほぼ平坦な３つの基板１備えており 、それぞれはその上面及び／又は底面と機械的な直接接触により１以上の集積回 路チップ３を有する。これらの集積回路チップ３は、少なくとも一つの基板内で 及び／又は基板において信号又は他の使用用の導電性パスと電気的に接触してお り、そこにおいてこれら基板が配置され、電気的接触要素は列をなすコンタクト ５により示されている。基板３は薄い平坦な板であり、例えば薄膜方法により、 又は以下で仮定されるように、好ましくは、集積電子回路を製作するために使用 されていると同一の方法により処理されたＳｉ基板を使用することにより、１以 上の層における少なくともその１面で、好ましくは両面で、電気導体を許容する 何らかの方法により作成可能とされる。従って、基板は、複数の導電性面、複数 の信号導体用の複数の面、複数の接地面、複数の絶縁面等を備えたいくつかの層 を有してもよい。それぞれのＳｉ基板１は、例えば通常の方法により、図示なし の少なくとも一つの導電性の接地面を備えていると、即ち３次元マルチ・チップ ・モジュールが使用されるときは、電気的に接地されていると仮定され、これに よって、良好な電気的なシールド作用が異なる複数の面と複数のモジュールとの 間、及び３次元マルチ・チップ・モジュール全体に得られる。更に、図示の実施 例には、最上部及び底部のＳｉ基板７が存在するが、これらは電気的な導体を搬 送していないので、これらは複数のチップ３の上面又は底面と単に機械的に接触 しているだけである。 ２次元マルチ・チップ・モジュールのスタックの最上部又は底部に配置された 基板７を除き、内側基板１において、３次元マルチ・チップ・モジュールの隣接 レベル間、即ち互いに隣接して配置されている２つの基板１の対向面における及 び／又は対向面での信号パス間の電気的相互接続を構成する信号パスのみを除い て、電気的又は電子的な構成要素を備えていない受動チップ、ビア・チップ９も マウントされている。ビア・チップ９は、内側基板１に面する２対向面に複数の 行の電気的要素１１を有すると共に、電気的要素１１はビア・チップ９に、及び その内側に配置された適当な電気的パスにより相互接続されている。 図１に示す構造では、ビア・チップ９を３次元マルチ・チップ・モジュールの 面内のほぼ任意の位置にマウントすることができ、また必ずではないが、図示し たように、同一の垂直線に沿って互いに積み重ねて配置してもよい。そのときに 、これは、ビア・チップ９が最もよく要求されるこれらの位置に、ビア・チップ ９を配置し、従って３次元マルチ・チップ・モジュールにおけるスペースを節約 することができるので、大きな利点となる。ビア・チップ９は、図１において、 内側基板１毎に複数組の通常のビア・ホール１３と同一の垂直線に位置するよう に示されており、これらのビア・スルー・ホール１３は、各基板１の２表面を互 いに、より正確には、種々の導電層に、また基板の各表面上のパスを互いに、多 分更に、ビア・チップ９の電気的要素に電気的に接続するメッキ壁を有する。 インピーダンス整合されたビアを得るために、複数の平行な高密度に間隔を置 く伝送線に対するスペース節約接続を可能にする、基板１と特殊なビア・チップ ９との両者において、スウェーデン国特許出願第９６０４６８８−３号、「ビア 構造（Ａ ｖｉａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）」による深くエッチングされたＶ溝を 有するビア構造を使用することもできる（図２を参照）。容易に分解され得る電 気的接続を得ること、及び機械的な配置を得ることの両方のために、複数の表面 のうちの１つ、例えばビア・チップ９の底面及び基板１上に、基板１及びビア・ チップ９の対向面にそれぞれ配置されたＶ字上のコンタクト及びガイド溝は、設 けられてもよい。更に、複数のチップのエッジと協調する弾性のバンプを使用し てもよい。スウェーデン国特許出願第９６０４６７７−６号、「電気的な高密度 コネクタ（Ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｎｅｃｔ ｏｒ）」に説明されているように、弾性のバンプ構造及び接触溝 を作成してもよい。 好ましい実施例において、集積回路チップ３及び多分ビア・チップ９はそれぞ れの基板の所望表面にフリップ・チップ・マウントされてもよく、又は他の実施 例において、これらはスウェーデン国特許出願第９６０４６７６−８号、「弾性 コンタクトによるフリップ・チップ型接続（Ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ ｔｙｐｅ ｃ ｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｅｌａｓｔｉｃ ｃｏｎｔａｃｔｓ）」に説明 されているように自己アライメント方法によりマウントされる。複数のＶ溝と協 調して機械的位置決め及びアライメントのために複数の弾性バンプを使用する場 合に、好ましい実施例として、スウェーデン国特許出願第９６０４６７８−４号 、「弾性位置決め用溝内バンプ（Ｂｕｍｐｓ ｉｎ ｇｒｏｏｖｅｓ ｆｏｒ ｅｌａｓｔｉｃ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ）」により作成されてもよい。可能と するこれら種々の構成は、フリップ・チップ型マウント・チップ３の表面間と隣 接する基板１との間で良好な電気的接触が得られるようにする。 更に、３次元マルチ・チップ・モジュールにおいて、使用される際に特に多く の熱を発生する集積回路チップ３’からの熱を導くために、適当に位置に熱伝導 ブロック１５を配列することができる。これらの熱伝導ブロック１５は集積回路 ３、３’とほぼ同一の形状及び大きさを有し、良好な熱伝導性を有するＳｉのよ うな物質又は他の物質から作成される。これらは、例えば前述のスウェーデン特 許出願の「弾性接触を有するフリップ・チップ形式接続」に開示された方法によ り、集積回路チップ３、３’と同一の方法で所定位置に機械的に配置され、かつ 保持されてもよい。好ましくは、これらは、チップのエッジ又は小さな側面と協 調するバンプ手段により配置される。 前述の接続手段のうちの適当な１つを使用した好ましい実施例において、集積 回路及び３次元構造の各個別的なチップの各レベルは、矢印１７により示すよう に、この構造の最上部及び底部に印加される圧縮力のみによって、相互に保持さ れてもよい。 そこで、例えば既に説明したように、このようなパイル又はスタック式取り外 し可能な構造を達成するために、導電面被覆を有し、チップ９を介して基板１の 隣接面又は表面に接続する弾性バンプを設けて、モジュール全体を一緒に押し付 けることにより電気的な接触を得る。圧縮力は、モジュールの上部及び最下位の 外側又は表面に、特に適当な設計のブロック形状を有する冷却手段１９に力を印 加する図示なしの何らかのクランプ手段により得られ、これは、基板の最上部及 び底部に即ち最上部及び底部基板７の外面に印加される。 アライメント及び電気的接続用の弾性手段により得られる摺動可能な電気的接 触との組み合わせによる緩やかな構成は、モジュールの構成要素間の熱歪みを最 小化するように低下させる。このクランプ構成が正しく作動するように、かつ何 らの高精度装置を使用することなく、モジュールのアッセンブリのために、面間 に何らかの種類の機械的なレジストレーションが必要である。そのときに、この ようなレジストレーションは、ビア構造及び／又はビア・チップ９用のバンプ構 造、多分、更に前述のスウェーデン国特許出願「弾性位置決め用溝内バンプ」に よる熱伝導チップ１５用のバンプ構造により既に述べたように、都合よく実行さ れる。 このようなやり方により、即ち各層及び構成要素のみがクランプ及びアライメ ント手段から導き出される力により所定の位置に保持され、従ってはんだを溶融 等させる必要もなく互いに容易に分離可能なスタックによって、３次元マルチ・ チップ・モジュールの構成要素をマウントすることにより、構成要素の動作不良 の場合には、各構成要素を容易に除去及び置換することができる。 図２は、図１の３次元マルチ・チップ・モジュールと同様のもの、ただし基本 的にそれらの最上部面上のみに集積回路チップ３を搬送する４基板１を有するも のを示す。基板１の最上部表面上の位置決めバンプ２１は、この図では見えるが 、これらのバンプ２１は集積回路チップ３、３’及びビア・チップ９の下縁即ち コーナと協調する。基板１の表面層をチップ３、９の底面における導電性領域に 接続する電気的な接続バンプを２３に示す。更に、図２は、ビア・チップ９の最 上部に配置された基板１によるビア・チップ９のアライメントを示し、そのとき に、基板のアライメントも達成される。例えば、このアライメントは、前述のス ウェーデン特許出願「弾性位置決め用溝内バンプ」に開示された方法により既に 述ベたように達成される。このようなアライメントを使用するのであれば、ビア ・チップ９の最上部表面に位置する弾性バンプ２７を受け止めるために、それぞ れの 基板に、即ちその最上部面及び／又はその底面にＶ溝２５がエッチングされる。 協調バンプ２７及びＶ溝２５は、前述のスウェーデン国特許出願「電気的な高密 度コネクタ」に開示された装置によりビア・チップ９及び次の上に位置する基板 １を相互に接続するように設計されてもよい。 図２のビア・チップ９は、前述のスウェーデン国特許出願「ビア構造」に開示 されたようにそれらの斜面上の電気的導体を備えた深いＶ溝２９を有する。深い Ｖ溝３１を備えたこのようなビア構造は、更に基板１にも配列される。図示の実 施例において、最上部に配置された基板１に接続するビア・チップ９及びこの最 上部基板１の深いＶ溝２９、３１は、同一の垂直線に沿っており、かつ浅いＶ溝 ２５は深いＶ溝２９、３１の両側面に対照的に配置されている。図２に示す熱伝 導ブロック１５は、基板から突起しているバンプ３２により配置され、バンプ２ １と同様のこれらのバンプは、チップの端面又は底部コーナと協調する。このよ うなバンプは簡単な方法によりむしろ剛性の弾性材料から作成可能とされ、意図 している位置に考慮している構成要素の非常に簡単なマウンティングを可能にす る。これらは三角形横断面を有することができ、例えばこの横断面は二等辺三角 形を有する。 図２は、更にその右側部分に、考慮している３次元マルチ・チップ・モジュー ルを同様の他の３次元マルチ・チップ・モジュールに接続することを示している 。 既に示唆したように、例えば既に述べたスウェーデン国特許出願「弾性接触に よるフリップ・チップ型接続」に説明されているような適当なマウント技術が使 用されるときは、全ての個別的なチップが除去可能かつ置換可能であり、これは 、多くのアプリケーションにおいてコストを節約することができる。構成要素が 互いに他の手段、例えば互いに接着剤で接着する、又ははんだ付けすることによ り固定される通常の３次元マルチ・チップ・モジュールに比較して多くの利点が ある。これは、このような３次元マルチ・チップ・モジュールを分解すると、し ばしばこのモジュールにおける他の構成要素に損傷を発生させ、従って動作不良 構成要素の交換はモジュール機能を再び作成することはないためである。 従って、このような動作不良の３次元マルチ・チップ・モジュール機能を再び 作成するために、しばしば全モジュール又は少なくとも３次元マルチ・チップ・ モジュールの１面を交換することがコスト的により少なくなる。しかしながら、 ここで説明したような構造は、この種の問題に対処するように設計される。この 解決法は、以上で概説したように、３次元マルチ・チップ・モジュール個々のチ ップをその正しい位置に保持する圧縮力を使用するだけのスタック式パッケージ ング構造にある。 図２において、３次元マルチ・チップ・モジュール用の冷却ブロック１９は、 最下部の基板の底面及び最上部基板に配置された構成要素の表面に向かって直接 押し付け、かつこれらの外面に冷却フランジ即ちフィンを有している。冷却手段 は、フランジ３３で流れている即ち通過する空気又は冷却液のように、当該技術 分において知られている任意形式の冷却を備えてもよい。 ３次元マルチ・チップ・モジュールの回路により発生される熱は、各チップの 平坦な裏側が隣接する基板の下側と接触することにより、マルチ・チップ・モジ ュールの異なる複数の層間に伝導される。このような処理を促進させるために、 良好な熱接触がチップの裏側と隣接する基板との間に形成され、また以上で説明 したように、マウントの前又は後でチップの裏側を研磨することにより、及び良 好な熱伝導性を有し、かつ好ましくは、グリース又はオイルのような電気的に絶 縁する何らかの液状物質を塗布することにより、得られ、更に互いに接触する表 面が電気的に絶縁する物質からなる限り、液状物質のような導電性物質を使用す ることができる。熱接触するこのような液状物質は、チップと基板１との間に摺 動接触を提供し、この摺動接触は良好な熱伝導性を有する。 所望の位置における熱放散を高めることは、以上で説明した方法において、熱 伝導チップ１５を使用することにより、達成され、従って、これは特に多量の熱 を発生する集積回路チップ３’近傍に配置される。更に、多くの熱を発生するこ のような集積回路チップは、３次元マルチ・チップ・モジュールの底部又は最上 部近傍即ち、その外部冷却面近くに都合よく配置される。 基板１がＳｉのような良好な熱放散をする物質から作成される場合に、良好な 横方向熱転送が得られ、従って温度が３次元マルチ・チップ・モジュール内で過 度に変動することはない。 基板１が以上に従った構成により冷却できるよりも大きな電力密度を有するモ ジュール用の冷却構成を得るために、周辺に形成されたチャネル３５（図１及び 図２を参照）、及び各面即ちレベルのチップ３、３’、９、１５の小さな側面又 はエッジを２層冷却用に使用することができる。これは、外部コンデンサに冷媒 を転送するシールド・システムを提供する各モジュール周辺にフレーム（図示な し）を配列することにより得られる。勿論、このような冷却構成は、モジュール 全体の２つの対向側面で外部装置及び同様の３次元マルチ・チップ・モジュール を接触させるための側面接触が得られなくなるが、しかしそれでも他の２つの対 向側面は、以下で詳細に説明するように、このような目的に使用できる。 従って、冷却用に最上部表面及び底面を使用するだけで得られる効果があり、 この効果は、各２次元マルチ・チップ・モジュールの全てのエッジがこれらの回 路基板と同様のエッジ接触を備えることができることであり、これによって、２ 次元マルチ・チップ・モジュール間の電気的接続及び機械的接続が得られる。こ のような接触は、好ましくは、同様のマルチ・チップ・モジュール又は外部装置 に転送をするスウェーデン国特許出願の「基板エッジ・コネクタ」により設計さ れ、伝送線路さえもインピーダンス整合させることができる。このようにして設 計されたコネクタ構造は、非常に密な詰め込みを可能にする多数の接続を備え、 更に互いに光導波管を接続する可能性を与え、これがまた非常に密な詰め込みを 可能にする。 図２の右側部分の拡大図である図３には、互いに２次元マルチ・チップ・モジ ュールの電気的な接触がある程度詳細に示されている。ここで、２次元マルチ・ チップ・モジュール間の相互接続は、ほぼ矩形の細長い内部コネクタ・ストリッ プ又は内部コネクタ基板３７を使用してスウェーデン国特許出願の「基板エッジ ・コネクタ」に説明されている基板エッジ接触により得られる。このような内部 コネクタ基板３７は、全てのチップ３、３’、９、１５と本質的に同一の厚さを 有し、第１の３次元マルチ・チップ・モジュールの隣接する２つの基板１の間、 又は最上部基板と上側の冷却ブロック１９の底面との間および、隣接する２つの 基板１の間、又は最上部基板と１つの側面が第１のモジュールと機械的に接触し ている近傍の第２の３次元マルチ・チップ・モジュールの冷却ブロック１９との 間の自由空間３８に挿入される。従って、内部コネクタ基板３７は、縦方向中心 軸又は面を有し、この軸の片側上の部分又は面は第１の３次元マルチ・チップ・ モジュールに接続され、また反対側の部分は第２の３次元マルチ・チップ・モジ ュールに接続されている。これは、更に、このような相互接続ストリップ３７を 接続しようとする個別的な基板１の縁部分は、どのようなチップも搬送するのが 許容されないので、自由空間３８は、同−３次元マルチ・チップ・モジュール、 複数のチャネルを形成する複数の自由空間、又は相互接続３７の半分を受け止め る複数の溝に属する基板１の縁領域に形成される。 相互接続ストリップ３７を配置するために、弾性バンプ３９は熱伝導ブロック １５について説明したと同じようにして使用され得ると共に、これらのバンプは 基板１上の適当な位置に配置され、相互接続ストリップ３７のエッジ又は小さな 側面即ちコーナと協調する。第１の３次元マルチ・チップ・モジュールにおける １基板１上の導電性パスを第２の３次元マルチ・チップ・モジュールにおける近 傍の基板１上の導電性パスに電気的に接続することは、スウェーデン国特許出願 の「基板エッジ・コネクタ」に詳細に説明されているコネクタ・ストリップ３７ の底面における導電性パスを接触させる電気導体を有する。 図４の平面図には、９つの３次元マルチ・チップ・モジュールを互いに接続す る方法を示す。ここで、９つの３次元マルチ・チップ・モジュールは互いに３× ３マトリックスに接続されるが、しかし勿論、適当な任意の構成がマルチ・チッ プ・モジュールに使用されてもよい。更に、図４に示すように、３次元マルチ・ チップ・モジュールのうちの１つは、拡大されたファン・アウト部４７と、相互 接続ストリップ３７と同一方法により選択された３次元マルチ・チップ・モジュ ールにおいて隣接する基板１間に挿入された縁部分４９とを有する特殊なコネク タ部４５を介してバック・プレーン４３に接続されてもよい。縁部分４９は、基 本的に相互接続ストリップ３７のほぼ半分に設計されてもよい。 従って、ここで説明された３次元マルチ・チップ・モジュールは、従来技術に 従って作成されたものに比較していくつかの利点を有する。例えば、モジュール の構造は、欠陥のある構成要素を交換するために装置を静かに分解可能にする。 これは、モジュールにおける異なる面間の相互接続をほぼ任意に配置する可能性 を与える。更に、モジュールの最上部表面及び底面上の冷却手段を備える構成は 、 同様に構築された他の３次元マルチ・チップ・モジュールに対して容易な横方向 の機械的及び電気的な接続を可能にする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，Ｙ Ｕ，ＺＷ 【要約の続き】 ２５、２７）を使用することにより、互いに電気的及び 機械的な接触により取り外し可能なやり方で維持され る。特にバンプ（２１）は構成要素を正しい位置に案内 するために構成要素の端面と協調するように配列されて もよい。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．互いに積み重ねられた少なくとも２つの２次元マルチ・チップ・モジュー ルを備えた３次元マルチ・チップ・モジュールであって、各２次元マルチ・チッ プ・モジュールは導電性パス及び少なくとも一つの集積回路チップを有する電気 的に絶縁された基板を備え、集積回路チップは複数の電気的端子を備えた第１の 表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面を有し、２次元マルチ・チップ・ モジュールの前記少なくとも一つの集積回路チップはその第１の面にマウントさ れ、かつ前記２次元モジュールの基板の導電性パスに電気的に接続され、前記３ 次元マルチ・チップ・モジュールの少なくとも２つの集積回路チップは互いに電 気的に接続された前記３次元マルチ・チップ・モジュールにおいて、２次元マル チ・チップ・モジュールの少なくとも一つの集積回路チップは、その第２の表面 が隣接する電気的に絶縁された基板と接触しているようにマウントされ、前記少 なくとも一つの集積回路チップは隣接する電気的に絶縁された基板間に間隔又は スペースを置く素子として使用されることを特徴とする３次元マルチ・チップ・ モジュール。 ２．２次元マルチ・チップ・モジュールの少なくとも一つの集積回路チップは 前記２次元マルチ・チップ・モジュールの基板にフリップ・チップ・マウントさ れていることを特徴とする請求項１記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ３．基板及び／又は集積回路チップの大きな最外表面と熱接触する外部冷却体 及び／又は熱伝導ブロックを有することを特徴とする請求項１−２のいずれかに 記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ４．隣接する２基板間又は基板と外部冷却体及び／又は熱伝導ブロックとの間 の基板上に配置され、かつこれらの基板、又は基板及び前記ブロックの大きな対 向面と熱接触する内部熱伝導ブロックを有することを特徴とする請求項１−３の いずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ５．複数の基板及び／又は集積回路チップの大きな最外表面上に圧縮力を作用 させる圧縮手段を有することを特徴とする請求項１−４のいずれかに記載の３次 元マルチ・チップ・モジュール。 ６．前記圧縮力は、互いに対する位置に前記３次元マルチ・チップ・モジュー ルの構成要素を維持する唯一の手段であることを特徴とする請求項５記載の３次 元マルチ・チップ・モジュール。 ７．少なくとも一つの基板はその一端に自由縁部を有し、この縁部はマルチ・ チップ・モジュールにおける他の基板に対して、又はコネクタ手段に対して前記 基板の電気的な接続を許容する露出された導電性領域を有することを特徴とする 請求項１−６のいずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ８．前記３次元マルチ・チップ・モジュール側面における自由空間であって、 前記自由空間は、そのエッジにおける隣接する２基板間に配置され、少なくとも 一つの基板は前記自由空間に配置されたエッジに縁面部を有し、前記縁面部はマ ルチ・チップ・モジュールにおける他の基板に対して、又はコネクタ手段に対し て前記基板の電気的な接続を許容する露出された導電性領域を有することを特徴 とする請求項１−６のいずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ９．基板の縁部における自由空間に少なくとも部分的に挿入されるようにされ た形状を有し、かつその表面上の導電性パターンを搬送し、この導電性パターン は、コネクタ・ユニットが前記自由空間に挿入されたときに、前記縁部上の露出 された導電性領域と電気的な接触をするように適応されていることを特徴とする 請求項７−８のいずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 １０．前記コネクタ・ユニットは、その縦方向に中心軸を有する細長い矩形体又 はストリップの形状を有し、前記中心軸の一端に配置された前記コネクタ・ユニ ットの部分は、前記コネクタ・ユニットが前記自由空間に挿入されたときに、前 記３次元マルチ・チップ・モジュールにおける基板と電気的な接触をするように 適応されていることを特徴とする請求項９記載の３次元マルチ・チップ・モジュ ール。 １１．その中心軸の他の反対側に配置されたコネクタ・ユニットの部分は、同様 の他の３次元マルチ・チップ・モジュールにおける基板と電気的に接触するよう に適応されていることを特徴とする請求項１０記載の３次元マルチ・チップ・モ ジュール。 １２．その中心軸の他の反対側に配置されたコネクタ・ユニットの部分は、コネ クタ手段又はバック・プレーンにおける導電性領域と電気的に接触するように適 応されていることを特徴とする請求項１０記載の３次元マルチ・チップ・モジュ ール。 １３．前記自由空間におけるコネクタ・ユニット上及び前記基板の縁部上に設け られ、前記基板上に前記コネクタ・ユニットの正確な配置を達成する配置手段を 有することを特徴とする請求項１０−１２のいずれかに記載の３次元マルチ・チ ップ・モジュール。 １４．前記配置手段は、前記基板の縁部における表面上に配置され、前記コネク タ・ユニットの端面又はコーナと協調する複数の突起を備えていることを特徴と する請求項１３記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 １５．前記３次元マルチ・チップ・モジュールの異なる複数の導電層は、前記３ 次元マルチ・チップ・モジュールの前記基板におけるビア・ホールにより相互接 続され、かつ 前記ビア・ホールは、前記３次元マルチ・チップ・モジュールの各面上の任意 位置に配置されている ことを特徴とする請求項１−１４のいずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モ ジュール。 １６．隣接する２基板間に配置され、かつ電気的に接触する少なくとも一つのビ ア・チップであって、前記少なくとも一つのビア・チップはその表面からその反 対側への導電性パスを備え、前記隣接する２基板の対向面に及び／又は内におけ る複数の導電層を相互接続することを特徴とする請求項１−１５のいずれかに記 載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 １７．前記基板上の前記チップの正確な配置を達成するために、互いに押し付け られたチップ上、及び基板上の配置手段を有することを特徴とする請求項１−１ ６のいずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 １８．前記配置手段は、前記チップのうちの１つの表面及び前記基板上に配置さ れ、前記チップ及び前記基板のうちの他方の表面上に設けられた突起と協調する 溝を備えていることを特徴とする請求項１−１７のいずれかに記載の３次元マル チ・チップ・モジュール。 １９．前記配置手段は、導電性面領域を備え、前記チップ及び前記基板が互いに 押し付けられているときに、互いに電気的に接触することを特徴とする請求項１ ７−１８のいずれかに記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ２０．前記配置手段は、前記基板の表面上に配置され、前記基板に押し付けられ ているときに、前記チップの端面又はコーナと協調する複数の突起を備えている ことを特徴とする請求項１７記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ２１．複数の２次元マルチ・チップ・モジュールを備え、更に互いに接続された 少なくとも２つ集積回路を備え、各２次元マルチ・チップ・モジュールはほぼ平 坦な基板と、前記基板の表面上にマウントされた少なくとも一つの集積回路チッ プとを備えている３次元マルチ・チップ・モジュールにおいて、基板のエッジに おける縁領域に設けられた自由空間であって、前記縁領域は露出された導電性領 域を有することを除き、チップ又は他の構成要素を搬送していないことを特徴と する３次元マルチ・チップ・モジュール。 ２２．基板の前記縁部における前記自由空間に少なくとも部分的に挿入されるよ うに適応された形状を有し、かつその表面上の導電性パターンを搬送する取り外 し可能なコネクタであって、前記導電性パターンは、前記コネクタ・ユニットが 前記自由空間に挿入されたときに、前記縁部上に露出された導電性領域と電気的 に接触するように適応されていることを特徴とする請求項２１記載の３次元マル チ・チップ・モジュール。 ２３．前記コネクタ・ユニットは、その縦方向に中心軸を有する細長い矩形体又 はストリップの形状を有し、前記中心軸の一端に配置された前記コネクタ・ユニ ットの部分は、前記コネクタ・ユニットが前記自由空間に挿入されたときに、前 記３次元マルチ・チップ・モジュールにおける基板と電気的な接触をするように 適応されていることを特徴とする請求項２２記載の３次元マルチ・チップ・モジ ュール。 ２４．その中心軸の他の反対側に配置されたコネクタ・ユニットの部分は、同様 の他の３次元マルチ・チップ・モジュールにおける基板と電気的に接触するよう に適応されていることを特徴とする請求項２３記載の３次元マルチ・チップ・モ ジュール。 ２５．その中心軸の他の反対側に配置されたコネクタ・ユニットの部分は、コネ クタ手段又はバック・プレーンにおける導電性領域と電気的に接触をするように 適応されていることを特徴とする請求項２３記載の３次元マルチ・チップ・モジ ュール。 ２６．前記自由空間におけるコネクタ・ユニット上及び前記基板の縁部上に設け られ、前記基板上に前記コネクタ・ユニットの正確な配置を達成する配置手段を 有することを特徴とする請求項２２−２５のいずれかに記載の３次元マルチ・チ ップ・モジュール。 ２７．前記配置手段は、前記基板の縁部における表面上に配置され、前記コネク タ・ユニットの端面又はコーナと協調する複数の突起を備えていることを特徴と する請求項２６記載の３次元マルチ・チップ・モジュール。 ２８．複数の２次元マルチ・チップ・モジュールを備え、更に互いに接続された 少なくとも２つの集積回路を備え各２次元マルチ・チップ・モジュールは少なく とも一つのチップ及び基板を備え、前記少なくとも一つのチップは前記基板上に マウントされ、配置手段は基板上にマウントされた少なくとも一つのチップ上及 び前記基板上に配列され、前記基板上にマウントされた少なくとも一つのチップ 及び前記基板は、互いに押し付けられ、前記基板上の少なくとも一つのチップの 前記マウンティングを得ると共に、前記配置手段は前記基板上の少なくとも一つ のチップの正確な位置決めを達成するために作用する３次元マルチ・チップ・モ ジュールにおいて、前記配置手段は、前記基板の表面上に配置された複数の突起 を備え、マウントされている少なくとも一つのチップは、前記基板上にマウント されている前記少なくとも一つのチップの端面又はコーナと協調することを特徴 とする３次元マルチ・チップ・モジュール。