JP2001220174A - アルカリ金属不含のアルミノホウケイ酸塩ガラスおよびその使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ディスプレイ技術および薄膜光電池の双方に
おける基板ガラスとしての使用に高度に適したガラス。 【解決手段】 次の組成（質量％、酸化物基準）：Ｓｉ
Ｏ_２ ＞５８〜６５、Ｂ _２Ｏ_３ ＞６〜１０．５、Ａｌ_２
Ｏ_３ ＞１４〜２５、ＭｇＯ ０〜＜３、ＣａＯ０〜９お
よびＢａＯ ＞３〜８、但し、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ
８〜１８、ＺｎＯ ０〜＜２を有する、アルカリ金属不
含のアルミノホウケイ酸塩ガラス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリ金属不含
のアルミノホウケイ酸塩ガラスに関する。また、本発明
はこのガラスの使用に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラットパネル液晶ディスプレイ技術、
例えばＴＮ（ねじれネマティック）／ＳＴＮ（超ねじれ
ネマティック）ディスプレイ、アクティブマトリックス
液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤｓ）、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴｓ）またはプラズマアドレスド液晶(plasma ad
dressed liquid crystals)（ＰＡＬＣｓ）における基板
として適用するためのガラスには、高度な要求がなされ
ている。高い熱衝撃抵抗性およびフラットパネルスクリ
ーンの製造のためのプロセスに使用される攻撃的な化学
薬品に対する良好な耐性の他にも、ガラスは、幅広いス
ペクトル域（ＶＩＳ、ＵＶ）に亘り高い透明度を有する
べきであり、かつ重量を減らすために低い密度を有する
べきである。例えばＴＦＴディスプレイ（“チップ・オ
ン・ガラス”）における、集積半導体回路のための基板
材料としての使用は、付加的に、３００℃までの低温で
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の形でガラス基板上
に通常堆積する薄膜材料シリコンとの熱整合を必要とす
る。アモルファスシリコンを、約６００℃の温度での引
き続く熱処理により部分的に再結晶させる。ａ−Ｓｉ分
率のために、生じる部分的に結晶質のポリ−Ｓｉ層は、
熱膨張率α_{２０／３０ ０}≒３．７×１０^{- ６}／Ｋにより
特徴付けられる。ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ比に応じて、熱
膨張率α_{２０／３００}は、２．９×１０^{- ６}／Ｋ〜４．
２×１０^{- ６}／Ｋの間で変化しうる。実質的に結晶質の
Ｓｉ層が、薄膜光電池において同様に望ましい、約７０
０℃を上回る高温処理によりまたはＣＶＤ法による直接
的な堆積により生じる場合には、基板は、３．２×１０
^{- ６}／Ｋまたはそれ以下の顕著に低下した熱膨張を有す
ることを必要とする。その上、ディスプレイおよび光電
池技術における適用は、アルカリ金属イオンの不在を必
要とする。製造の結果としての１０００ｐｐｍ未満の酸
化ナトリウム水準は、半導体層へのＮａ^＋の拡散のため
に一般的な“被毒”作用を考慮して許容されうる。

【０００３】適切な品質で（気泡なし、ノットなし、混
在物なし）、例えばフロートプラント中でまたは延伸法
により、経済的に、大工業規模に関して適したガラスを
製造可能にすべきである。殊に、延伸法による、低い表
面うねりを有し、薄く（＜１ｍｍ）縞のない基板の製造
には、ガラスの高い失透安定性が要求される。殊にＴＦ
Ｔディスプレイの場合の、半導体のミクロ構造に不利な
影響を及ぼす、製造中の基板のコンパクションに対抗す
るために、ガラスは、適した温度依存性の粘度特性線を
有している必要がある：熱プロセスおよび形状安定性に
関連して、十分に高いガラス転移温度、即ちＴ_ｇ＞７０
０℃を有しているべきであるのに対して、他方では過剰
に高くない融解および加工温度（Ｖ_Ａ）、即ちＶ_Ａ≦１
３５０℃を有しているべきである。

【０００４】また、ＬＣＤディスプレイ技術または薄膜
光電池技術のためのガラス基板の必要条件は、J. C. La
ppによる“Glass substrates for AMLCD applications:
properties and implications” SPIE Proceedings, V
ol. 3014, invited paper (1997)、およびJ. Schmidに
よる“Photovoltaik - Strom aus der Sonne”VerlagC.
F. Mueller, Heidelberg 1994にそれぞれ記載されてい
る。

【０００５】上記の必要条件プロフィールは、アルカリ
土類金属−アルミノホウケイ酸塩ガラスにより最も満た
される。しかしながら、次の刊行物に記載されている公
知のディスプレイまたは太陽電池の基板ガラスはなお欠
点を有しており、かつ必要条件の完全なリストを満たし
ていない。

【０００６】一部の文献には、相対的にＢａＯをあまり
含有しないかまたは全く含有しないガラスが記載されて
いる、例えば欧州特許第７１４８６２号、国際特許出願
公表第９８／２７０１９号明細書、特開平１０−７２２
３７号公報および欧州特許第５１０５４４号明細書。こ
の種類のガラス、殊に低い熱膨張率、即ち低いＲＯ含量
および高い網目形成成分含量を有するものは、結晶化に
極めて感受性である。更に、多くのガラスは、殊に欧州
特許第７１４８６２号明細書および特開平１０−７２２
３７号公報において、粘度が１０^２ｄＰａｓで極めて高
い温度を有する。

【０００７】しかしながら、高い水準の重アルカリ土類
金属酸化物ＢａＯおよび／またはＳｒＯを有するディス
プレイガラスの製造は、同様に、ガラスの乏しい溶融性
のために極めて困難を伴う。その上、この種類のガラス
は、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３７３０４
１０号、米国特許第５１１６７８９号、米国特許第５１
１６７８７号、欧州特許第３４１３１３号明細書、欧州
特許第５１０５４３号明細書および特開平９−１００１
３５号公報に記載されているように、望ましくない高い
密度を有する。

【０００８】高いＢａＯ水準に対する緩和と組み合わせ
た相対的に低いＳｒＯ含量を有するガラスでさえ、その
溶融性に関連して望ましくない粘度極性線を有してい
る、例えば特開平９−１６９５３８号公報、国際特許出
願公表第９７／１１９２０号明細書および特開平４−１
６００３０号公報に記載されているガラス。

【０００９】相対的に高い水準の軽アルカリ土類金属酸
化物、殊にＭｇＯを有するガラスは、例えば特開平９−
１５６９５３号、特開平８−２９５５３０号、特開平９
−４８６３２号公報およびドイツ連邦共和国特許第１９
７３９９１２号明細書に記載されているように、良好な
溶融性を示し、かつ低密度を有する。しかしながら、耐
薬品性、殊に緩衝されたフッ化水素酸に対する耐薬品
性、結晶化安定性および耐熱性に関連して、これらは、
ディスプレイおよび太陽電池基板に要求されることを全
て満たしていない。

【００１０】低いホウ酸含量を有するガラスは、過剰に
高い融解温度を示すか、またはこの結果として、これら
のガラスを含むプロセスに要求される融解および加工温
度で過剰に高い粘度を示す。このことは、特開平１０−
４５４２２号および特開平９−２６３４２１号公報のガ
ラスに当てはまる。

【００１１】更に、この種類のガラスは、低いＢａＯ含
量と組み合わせた場合に、高い失透傾向を有する。

【００１２】それに対して、例えば米国特許第４８２４
８０８号明細書に記載されているように、高いホウ酸含
量を有するガラスは、不十分な耐熱性および耐薬品性、
殊に塩酸溶液に対する不十分な耐薬品性を有する。

【００１３】相対的に低いＳｉＯ_２含量を有するガラス
は、殊にこれらが相対的に多量のＢ _２Ｏ_３および／また
はＭｇＯを含有し、かつアルカリ土類金属が少ない場合
には、十分に高い耐薬品性を有していない。このこと
は、国際特許出願公表第９７／１１９１９号および欧州
特許出願公開第６７２６２９号明細書のガラスにもあて
はまる。後者の文献の相対的にＳｉＯ_２に富む変法は、
低いＡｌ_２Ｏ_３水準を有しているにすぎず、これは結晶
化挙動には不利である。

【００１４】ハードディスク用の特開平９−１２３３３
号公報に記載されたガラスは、Ａｌ _２Ｏ_３またはＢ_２Ｏ
_３が比較的少なく、その際、後者は単に任意であるにす
ぎない。ガラスは、高いアルカリ土類金属酸化物含量を
有し、かつ高い熱膨張を有し、このことはガラスをＬＣ
ＤまたはＰＶ技術における使用にとって不適当なものに
する。

【００１５】本出願人によるドイツ連邦共和国特許第１
９６１７３４４号および同第１９６０３６９８号明細書
には、約３．７・１０^{- ６}／Ｋの熱膨張率α
_{２０／３００}および極めて良好な耐薬品性を有し、アル
カリ金属不含で、酸化スズ含有のガラスが開示されてい
る。これらは、ディスプレイ技術における使用に適して
いる。しかしながら、ＺｎＯを含有していなければなら
ないので、これらは、特にフロートプラント法における
加工のために理想的ではない。殊により高いＺｎＯ含量
（＞１．５質量％）で、熱成形域における蒸発および引
き続く凝縮によりガラス表面上にＺｎＯコーティングを
形成する危険がある。

【００１６】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９６０
１０２２号明細書には、極めて幅広い組成範囲から選択
され、かつＺｒＯ_２およびＳｎＯを含有していなければ
ならないガラスが記載されている。実施例によればＳｒ
Ｏを含有するガラスは、そのＺｒＯ_２水準のために、ガ
ラス欠陥を示す傾向にある。

【００１７】ドイツ連邦共和国特許出願公開第４２１３
５７９号明細書には、５．５×１０ ^{- ６}／Ｋを下回り、
実施例によれば４．０×１０^{- ６}／Ｋ以上の熱膨張率α
_{２０／ ３００}を有するＴＦＴ適用のためのガラスが記載
されている。相対的に高いＢ_２Ｏ_３水準および相対的に
低いＳｉＯ_２含量を有するこれらのガラスは、高い耐薬
品性、殊に希塩酸に対する耐薬品性を有していない。

【００１８】米国特許第５３７４５９５号明細書には、
３．２・１０^{- ６}／Ｋ〜４．６・１０^{- ６}／Ｋの熱膨張率
を有するガラスが記載されている。実施例が説明してい
るように高いＢａＯ含量を有するガラスは、相対的に重
く、かつ乏しい溶融性および実質的に結晶質のＳｉに理
想的に整合しない熱膨張を示す。

【００１９】未審査の日本の刊行物である特開平１０−
２５１３２号、特開平１０−１１４５３８号、特開平１
０−１３００３４号、特開平１０−５９７４１号、特開
平１０−３２４５２６号、特開平１１−４３３５０号、
特開平１１−４９５２０号、特開平１０−２３１１３９
号および特開平１０−１３９４６７号公報には、多くの
任意の成分を用いて変化させることができ、かつそのつ
ど１つまたはそれ以上の特別な清澄剤(refining agent)
と混合されるディスプレイガラスのための極めて幅広い
組成範囲が挙げられている。しかしながら、これらの文
献には、どのようにして上記の完全な必要条件プロフィ
ールを有するガラスを特別な方法で得ることができるの
かということが示されていない。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、液晶
ディスプレイおよび薄膜太陽電池、殊にμｃ−Ｓｉをベ
ースとする薄膜太陽電池のためのガラス基板、高い耐熱
性、好ましい加工範囲および十分な失透安定性を有する
ガラスに課される物理的性質および化学的性質に関連し
て前記の複雑な必要条件プロフィールを満たすガラスを
提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】この課題は、請求項１で
定義されたような相対的に狭い組成範囲からなるアルミ
ノホウケイ酸塩ガラスにより達成される。

【００２２】

【発明の実施の形態】このガラスは、＞５８〜６５質量
％のＳｉＯ_２を含有する。より低い含量で、耐薬品性は
損なわれるのに対して、より高い水準で、熱膨張が低す
ぎ、かつガラスの結晶化傾向が増大する。

【００２３】このガラスは、相対的に高い水準のＡｌ_２
Ｏ_３、即ち＞１４〜２５質量％、有利に１８〜２５質量
％のＡｌ_２Ｏ_３を含有する。このような高いＡｌ_２Ｏ_３
水準は、ガラスの結晶化安定性に有利であり、加工温度
が過剰に増大することなくその耐熱性に肯定的な影響を
及ぼす。１８質量％を上回り、特に有利に少なくとも２
０．５質量％、最も好ましくは少なくとも２１．５質量
％のＡｌ_２Ｏ_３含量が好ましい。

【００２４】Ｂ_２Ｏ_３含量は、＞６〜１０．５質量％、
有利に＞８〜１０．５質量％である。Ｂ_２Ｏ_３含量は、
高いガラス転移温度Ｔ_ｇを達成するために、挙げられた
最大含量に制限される。また、より高い含量は、塩酸溶
液に対する耐薬品性を損なうであろう。挙げられた最小
のＢ_２Ｏ_３含量は、ガラスが良好な溶融性および良好な
結晶化安定性を有することを確実にするのに役立つ。

【００２５】網目形成成分Ａｌ_２Ｏ_３およびＢ_２Ｏ
_３は、有利に相互に依存した最小水準で存在し、その
際、好ましい含量の網目形成成分ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３
およびＢ_２Ｏ_３を確実にする。例えば、＞６〜１０．５
質量％のＢ_２Ｏ_３含量の場合に、最小Ａｌ_２Ｏ_３含量は
有利に＞１８質量％であり、かつ＞１４〜２５質量％の
Ａｌ _２Ｏ_３含量の場合に、最小Ｂ_２Ｏ_３含量は有利に＞
８質量％である。有利に、殊に３．６×１０^{- ６}／Ｋま
での極めて低い熱膨張率を達成するために、ＳｉＯ_２、
Ｂ_２Ｏ_３およびＡｌ_２Ｏ_３の総和は８４質量％を上回
る。

【００２６】本質的なガラス成分は、網目修飾アルカリ
土類金属酸化物である。殊にその水準を変化させること
により、全体で８〜１８質量％のアルカリ土類金属酸化
物の総含量内で、２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．８×１０^-
６／Ｋの熱膨張率α_{２０／３ ００}が達成される。アルカ
リ土類金属酸化物の最大総和は、有利に１５質量％、殊
に有利に１２質量％である。後者の好ましい上限は、極
めて低い（α_{２０／３ ００}＜３．２×１０^{- ６}／Ｋ）熱
膨張率を有するガラスを得るのに殊に有利である。Ｂａ
Ｏが常に存在するのに対して、ＭｇＯおよびｃａＯは任
意の成分である。有利に少なくとも２つのアルカリ土類
金属が存在し、殊に有利に挙げられた３つ全てのアルカ
リ土類金属が存在する。

【００２７】ＢａＯ含量は、＞３〜８質量％である。こ
れらの相対的に高いＢａＯ水準は、多様な板ガラス製造
プロセス、例えばフロート法および多様な延伸法のた
め、殊にかなり高い水準の網目形成成分を有する低膨張
ガラス変法の場合に、十分な結晶化安定性、ひいては原
則としてむしろ高い結晶化傾向を確実にすることが見出
された。最大ＢａＯ含量は、有利に５質量％、殊に有利
に４質量％、最も有利に＜４質量％に制限され、これは
望ましいガラスの低い密度に肯定的な影響を及ぼす。

【００２８】ＳｒＯは除外されるので、従ってガラスの
低い融解および熱成形温度および低い密度を維持するこ
とができる。しかしながら、バッチ原材料の不純物とし
てガラス融液中に導入される少量、即ち０．１質量％未
満の量は許容されうる。

【００２９】更に、このガラスは、９質量％までのＣａ
Ｏを含有していてよい。より高い水準は、熱膨張の過剰
増大および結晶化傾向の増大をまねく。ガラスは、有利
に少なくとも２質量％のＣａＯを含有する。

【００３０】また、このガラスは、＜３質量％までのＭ
ｇＯを含有していてもよい。その相対的に高い水準は、
低密度および低い加工温度に有益であるのに対して、相
対的に低い水準は、ガラスの耐薬品性、殊に緩衝したフ
ッ化水素酸に対する耐薬品性、およびその失透安定性に
関して好ましい。

【００３１】更に、このガラスは、＜２質量％までのＺ
ｎＯを含有していてもよい。ＺｎＯは、ホウ酸のそれと
同じく粘度特性線に影響を及ぼし、構造をゆるめる機能
を有し、かつアルカリ土類金属酸化物よりも熱膨張に及
ぼす影響が少ない。最大ＺｎＯ水準は、殊にガラスがフ
ロート法により加工される場合には、有利に１．５質量
％、有利に１．０質量％、最も有利に１質量％未満に制
限される。より高い水準は、熱成形域における蒸発およ
び引き続く凝縮により形成されうるガラス表面上の望ま
しくないＺｎＯコーティングの危険が増大するであろ
う。ＺｎＯの添加は、少量であっても失透安定性の増大
をもたらすので、少なくとも０．１質量％の存在が好ま
しい。

【００３２】このガラスは、アルカリ金属不含である。
本明細書中で使用されるような用語“アルカリ金属不
含”は、本質的にはアルカリ金属酸化物不含であるけれ
ども、１０００ｐｐｍ未満の不純物を含有していてもよ
いことを意味する。

【００３３】このガラスは、２質量％までのＺｒＯ_２＋
ＴｉＯ_２を含有していてよく、その際、ＴｉＯ_２含量お
よびＺｒＯ_２含量の双方は、それぞれ２質量％までであ
ってよい。ＺｒＯ_２は有利に、ガラスの耐熱性を増大さ
せる。しかしながら、その低溶解性のために、ＺｒＯ_２
はガラス中の、ＺｒＯ_２含有の融液残存構造、いわゆる
ジルコニウム巣の危険を増大させる。従って、ＺｒＯ_２
は有利に除外される。ジルコニウム含有のトラフ材料の
侵食から生じる低ＺｒＯ_２含量は問題ない。ＴｉＯ_２は
有利に、ソラリゼーション傾向、即ちＵＶ−ＶＩＳ放射
のために可視波長域における透過率の低下を減少させ
る。２質量％を上回る含量で、カラーキャスト(colour
cast)は、使用される原材料の不純物の結果として低い
水準でガラス中に存在するＦｅ^３＋イオンとの錯体形成
のために起こりうる。

【００３４】このガラスは、通常の量で、常用の清澄剤
を含有していてもよい：従って、１．５質量％までのＡ
ｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｃｌ
^-（例えばＢａＣｌ_２の形で）、Ｆ^-（例えばＣａＦ_２の
形で）および／またはＳＯ_４ ^{２ -}（例えばＢａＳＯ_４の
形で）を含有していてもよい。しかしながら、清澄剤の
総和は、１．５質量％を超えるべきではない。清澄剤Ａ
ｓ_２Ｏ_３およびＳｂ_２Ｏ_３が除外される場合には、この
ガラスは、多数の延伸法を用いるだけではなく、フロー
ト法によっても加工することができる。

【００３５】例えば単純なバッチ製造に関連して、Ｚｒ
Ｏ_２およびＳｎＯ_２の双方を除外できることおよび上記
の性質プロフィール、殊に高い耐熱性および耐薬品性お
よび低い結晶化傾向を有するガラスをなお得ることがで
きることは有利である。

【００３６】

【実施例】作業例：ガラスをＰｔ／Ｉｒるつぼ中で１６
２０℃で不可避の不純物を除いて本質的にアルカリ金属
不含の常用の原材料から生産した。融液を、この温度で
１．５時間清澄し、ついで誘導加熱した白金るつぼに移
し、均質化のために１５５０℃で３０分間撹拌した。

【００３７】表は、本発明によるガラスの１５の例をそ
の組成（質量％、酸化物基準）およびその最も重要な性
質と共に示している。０．３質量％の水準での清澄剤Ｓ
ｎＯ _２（実施例１〜８、１１、１２、１４、１５）また
はＡｓ_２Ｏ_３（例９、１０、１３）は挙げられていな
い。次の性質が与えられている： ・熱膨張率α_{２０／３００}［１０^{- ６}／Ｋ］ ・密度ρ［ｇ／ｃｍ^３］ ・ＤＩＮ５２３２４による膨張計による(dilatometric)
ガラス転移温度Ｔ_ｇ［℃］ ・粘度が１０^４ｄＰａｓでの温度（Ｔ４［℃］と呼ぶ） ・Vogel-Fulcher-Tammann式から計算した、粘度が１０
^２ｄＰａｓでの温度（Ｔ２［℃］と呼ぶ） ・５％濃度の塩酸で９５℃で２４時間処理後の、両面磨
いた寸法５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍのガラスプレート
からの質量損失（材料除去値）としての“ＨＣｌ”耐酸
性［ｍｇ／ｃｍ^２］ ・１０％濃度のＮＨ_４Ｆ・ＨＦ溶液で２３℃で２０分間
処理後の、両面磨いた寸法５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍ
のガラスプレートからの質量損失（材料除去値）として
の緩衝したフッ化水素酸に対する“ＢＨＦ”耐性［ｍｇ
／ｃｍ^２］ ・屈折率ｎ_ｄ。

【００３８】表 例：本発明によるガラスの組成（質量％、酸化物基準）
および本質的な性質

【００３９】

【表１】

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】作業例の説明として、本発明によるガラス
は、次の有利な性質を有する： ・２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．８×１０^{- ６}／Ｋの熱膨張
α_{２０／３００}、好ましい実施態様において≦３．６×
１０^{- ６}／Ｋ、殊に好ましい実施態様において＜３．２
×１０^{- ６}／Ｋ、従ってアモルファスシリコンおよびま
すます多結晶質のシリコンの双方の膨張挙動に適合し
た。

【００４３】・Ｔ_ｇ＞７００℃、極めて高いガラス転移
温度、即ち高い耐熱性。これは、製造の結果として最も
低く可能なコンパクションにとって、かつアモルファス
Ｓｉ層でコーティングし、引き続き徐冷するための基板
としてのガラスの使用にとって必須である。

【００４４】・ρ＜２．６００ｇ／ｃｍ^３、低密度 ・粘度が１０^４ｄＰａｓでの温度（加工温度Ｖ_Ａ）は多
くとも１３５０℃および粘度が１０^２ｄＰａｓでの温度
は多くとも１７２０℃、これは熱成形および溶融性に関
連して適した粘度特性線を意味する。

【００４５】・ｎ_ｄ≦１．５２６、低い屈折率。この性
質はガラスの高透過性のための物理的必要条件である。

【００４６】・高い耐薬品性、とりわけ緩衝したフッ化
水素酸溶液に対する良好な耐性から明らかであり、この
ことはフラットパネルスクリーンの製造において使用さ
れる薬品に対して十分に不活性にする。

【００４７】このガラスは、高い熱衝撃抵抗性および良
好な失透安定性を有する。このガラスは板ガラスとし
て、多様な延伸法、例えばマイクロシートダウンフロ
ー、アップフローまたはオーバーフロー融解法により、
および好ましい実施態様において、ガラスがＡｓ_２Ｏ_３
およびＳｂ_２Ｏ_３を含有しない場合には、フロート法に
よっても製造することができる。

【００４８】これらの性質で、このガラスは、ディスプ
レイ技術、殊にＴＦＴディスプレイのため、および薄膜
光電池、殊にアモルファスおよびμｃ−Ｓｉベースとす
るものにおける基板ガラスとしての使用に高度に適して
いる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．８×１０^{- ６}
   ／Ｋの熱膨張率α_{２ ０／３００}を有するアルカリ金属不
   含のアルミノホウケイ酸塩ガラスにおいて、次の組成
   （質量％、酸化物基準）： ＳｉＯ_２ ＞５８〜６５ Ｂ_２Ｏ_３ ＞６〜１０．５ Ａｌ_２Ｏ_３ ＞１４〜２５ ＭｇＯ ０〜＜３ ＣａＯ ０〜９ ＢａＯ ＞３〜８ 但し、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ ８〜１８ ＺｎＯ ０〜＜２ を有していることを特徴とする、アルカリ金属不含のア
   ルミノホウケイ酸塩ガラス。
2. 【請求項２】 ８質量％を上回るＢ_２Ｏ_３を含んでい
   る、請求項１記載のアルミノホウケイ酸塩ガラス。
3. 【請求項３】 １８質量％を上回るＡｌ_２Ｏ_３、有利に
   少なくとも２０．５質量％のＡｌ_２Ｏ_３を含んでいる、
   請求項１または２記載のアルミノホウケイ酸塩ガラス。
4. 【請求項４】 多くとも４質量％のＢａＯを含んでい
   る、請求項１から３までのいずれか１項記載のアルミノ
   ホウケイ酸塩ガラス。
5. 【請求項５】 少なくとも０．１質量％のＺｎＯを含ん
   でいる、請求項１から４までのいずれか１項記載のアル
   ミノホウケイ酸塩ガラス。
6. 【請求項６】 付加的に次のもの： ＺｒＯ_２ ０〜２ ＴｉＯ_２ ０〜２ 但し、ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２ ０〜２ Ａｓ_２Ｏ_３ ０〜１．５ Ｓｂ_２Ｏ_３ ０〜１．５ ＳｎＯ_２ ０〜１．５ ＣｅＯ_２ ０〜１．５ Ｃｌ^- ０〜１．５ Ｆ^- ０〜１．５ ＳＯ_４ ^{２ -} ０〜１．５ 但し、Ａｓ_２Ｏ_３＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２＋ＣｅＯ_２＋
   Ｃｌ^-＋Ｆ^-＋ＳＯ_４ ^{２ -} ≦１．５ を含んでいる、請求項１から５までのいずれか１項記載
   のアルミノホウケイ酸塩ガラス。
7. 【請求項７】 不可避の不純物を除いて、酸化ヒ素およ
   び酸化アンチモンを含有しておらず、かつフロートプラ
   ントにおいて製造されることができる、請求項１から６
   までのいずれか１項記載のアルミノホウケイ酸塩ガラ
   ス。
8. 【請求項８】 ２．８×１０^{- ６}／Ｋ〜３．６×１０^{- ６}
   ／Ｋ、有利に３．２×１０^{- ６}／Ｋまでの熱膨張率α
   _{２０／３００}、７００℃を上回るガラス転移温度Ｔ_ｇお
   よび２．６００ｇ／ｃｍ^３を下回る密度ρを有してい
   る、請求項１から７までのいずれか１項記載のアルミノ
   ホウケイ酸塩ガラス。
9. 【請求項９】 ディスプレイ技術における基板ガラスと
   しての請求項１から８までのいずれか１項記載のアルミ
   ノホウケイ酸塩ガラスの使用。
10. 【請求項１０】 薄膜光電池における基板ガラスとして
    の請求項１から８までのいずれか１項記載のアルミノホ
    ウケイ酸塩ガラスの使用。