KR100526747B1 - 알카리를 포함하지 않는 알루미노보로실리케이트 유리 및 그 이용방법 - Google Patents

알카리를 포함하지 않는 알루미노보로실리케이트 유리 및 그 이용방법 Download PDF

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카알-차이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 쇼옷트 그라스
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Abstract

본 발명은 다음 조성(중량%, 산화물 기준)을 가지며, 디스플레이 기술과 박막 광전변환 공학 모두에서 기판 유리로서 이용하는데 매우 적합한, 알카리를 포함하지 않는 알루미노보로실리케이트 유리에 관한 것이다:
SiO2 > 58 - 70; B2O3 0.5 - < 9; Al2O3 10 - 25; MgO > 8 - 15; CaO 0 - < 10; SrO 0 - < 3 그리고 BaO 0 - < 2; 여기서 MgO + CaO + SrO + BaO > 8 - 18; ZnO 0 - < 2;

Description

알카리를 포함하지 않는 알루미노보로실리케이트 유리 및 그 이용방법{ALUMINOBOROSILICATE GLASS DEVOID OF ALKALI AND USING METHOD THEREOF}
본 발명은 알카리를 포함하지 않는 알루미노보로실리케이트 유리에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 유리의 이용방법에 관한 것이다.
예를 들면, TN(twisted nematic)/STN(supertwisted nematic) 디스플레이, 활성 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCDs), 박막트랜지스터(TFTs) 또는 플라스마-어드레스드 액정(plasma-addressed liquid crystals; PALCs)과 같은 평판 액정 디스플레이 기술(flat-panel liquid-crystal display technology)에서 기판으로 사용되는 유리에는 높은 요구조건이 존재한다. 높은 열적 쇼크에 대한 내성과 평판 스크린의 제조 공정에 채용되는 공격적인 화학물질에 대한 우수한 내성 이외에, 상기 유리는 넓은 스펙트럼 범위(VIS, UV)에 걸친 높은 투명도를 가져야 하고, 중량을 줄이기 위해 낮은 밀도를 가져야 한다. 예를 들면, TFT 디스플레이("chip on glass")에서와 같은, 반도체 집적회로를 위한 기판 재료로서의 이용은 추가적으로 300℃ 까지의 낮은 온도에서 무정형 실리콘(a-Si)의 형태로 상기 유리 기판상에 통상적으로 침착되는 박막 재료 실리콘에의 열적 매칭이 또한 요구된다. 상기 무정형 실리콘은 약 600℃ 의 온도에서 뒤따르는 열처리에 의해 부분적으로 재결정화된다. 상기 a-Si 부분으로 인해, 결과적으로 부분적인 결정질인 poly-si 층은 α20/300 3.7 ×10-6/K 의 열팽창계수에 의해 특징된다. a-Si/poly-Si 비율에 따라, 상기 열팽창계수 α20/300 는 2.9 ×10-6/K 과 4.2 ×10-6/K 사이에서 변화될 수 있다. 대체로 결정질 Si 층이, 박막 광전변환 공학(photovoltaics)에서도 마찬가지로 요구되는, 700℃ 이상의 높은 온도 처리 또는 CVD 공정에 의한 직접적인 침착에 의해 형성되는 경우, 3.2 ×10-6/K 또는 그 이하의 상당히 감소된 열팽창계수를 갖는 기판이 요구된다. 또한, 디스플레이 및 광전변환 기술에서의 적용은 알카리 금속 이온의 부재가 요구된다. 제조 결과로서 1500 ppm 이하의 산화나트륨 레벨은 Na+ 의 상기 반도체 층으로의 확산으로 인한 일반적인 "중독" 작용의 관점에서 용인될 수 있다.
예를 들면, 플로트 플랜트(float plant)에서 또는 드로잉 공법(drawing method)에 의해, 적합한 유리를 산업적으로 대량으로 적합한 질(버블, 매듭, 개재물이 없는)을 가지고 경제적으로 생산하는 것이 가능해야 한다. 특히, 드로잉 방법에 의한 낮은 표면 진동을 갖는 얇은(< 1mm) 줄무늬 없는(streak-free) 기판의 제조는 상기 유리의 높은 불투명성 안정도를 요구한다. 특히 TFT 디스플레이의 경우, 상기 반도체 미세구조에 불리한 영향을 미치는, 제조 동안의 상기 기판의 조밀화(compaction)에 대항하기 위해, 상기 유리는 적합한 온도-의존성 점도 특성 라인을 가질 필요가 있다: 열처리 및 성형 안정도에 관하여, 이것은 충분히 높은 유리 변형 온도, 즉, Tg > 700℃ 를 가져야 하는 반면, 다른 한편으로는 과도하게 높은 용융 및 가공(VA)온도, 즉, VA ≤1350℃ 의 온도를 가져서는 안된다.
LCD 디스플레이 기술 또는 박막 광전변환 기술용으로 유리 기판에 부과되는 요구조건들은 또한 J. C. Lapp 의 SPIE Proceedings, Vol. 3014, 초청 논문(1997) "Glass substrates for AMLCD applications: properties and implications", 그리고, J. Schmid, Verlag C. F. Mueller 의, Heidelberg 1994, "Photovoltaik - Strom aus der Sonne" 에 각각 상세히 기술되어 있다.
제조상의 관점으로부터, 더 큰 디스플레이 포맷으로의 변환에는 상기 유리 기판의 기계적 안정성 및 비중에 새로운 요구조건이 부가된다. 현재의 600 mm ×720 mm 박판으로부터 예를 들면 1 m ×1 m 및 그 이상의 치수를 갖는 박판으로의 변화는 중량의 상응하는 증가를 가져오고, 이것은 특히, 상기 유리 박판을 하나의 제조 공정단계로부터 다른 단계로 이송하기 위한 로봇의 핸들링에 영향을 미친다. "탄성 새깅(elastic sagging)", 즉, 그것들 자체 중량하에서의 박막의 새깅을 최소화하기 위해, 80 GPa 보다 큰 탄성계수, 바람직하게는 85 GPa 이상의 높은 탄성계수를 가지며 2.55 g/㎤ 보다 낮은 밀도로 합성된 유리가 바람직하다. 이것은 또한 상기 유리 기판을 활성 실리콘 층으로 코팅하는 동안 상기 박판의 새깅의 위험을 최소화한다.
1998, 7월 5일 부터 10일 까지 미국 캘리포니아주, 샌프란시스코에서 개최된, 제 18회 국제 유리 학회의 의사록, "Mechanical Properties of AMLCD Glass Substrates" 에 기술된 유리들은 이러한 관점에서 특징적인 단점을 갖는다.
다음 문헌들에 기술된 디스플레이 또는 태양전지 기판 유리에도 동일하게 적용된다.
이것들은 상술된 적용예들을 위한 전체 요구조건 목록을 충족시키지 못한다.
예를 들면, WO 97/11919, WO 97/11920, US 5,374,595, WO 00/32528, JP 9-156953A, JP 10-72237 A, EP 714 862 B, EP 341 313 B, DE 196 03 698 C1, DE 196 17 344 C1, DE 42 13 579 A 및 WO 98/27019 와 같은 다수의 문헌들이 MgO 를 포함하지 않거나 또는 MgO 를 적게 포함하도록 요구되는 높은 기계적 안성성을 갖지 못하는 유리들을 기술하고 있다.
이러한 유리들 중 일부 및 또한 독일 공개 공보 제 197 36 912 C1 호의 유리, 그리고 실시예에 따르면, 일본 공개 공보 제 9-48 632 A 호의 유리들은 비교적 많은 양의 중알카리 토금속 산화물 BaO 및/또는 SrO 를 포함하며, 이것은 나쁜 용해능으로 귀결된다. 또한, 이러한 유리들은 바람직하지 못하게 높은 밀도를 가지며, 이것은 특히 큰-포맷 디스플레이용으로 불리하다.
일본 공개 공보 제 8-295530 A 호에 기술된 바와 같이, 높은 붕산(boric acid) 함량을 갖는 유리들은 그것들의 낮은 용융온도로 인해 용융되기 쉽지만, 특히 염산 용액에 대하여 불충분한 내열성과 화학적 내성을 갖는다. 또한, 이것들은 다소 낮은 탄성계수를 갖는다.
독일 공개 공보 제 196 01 022 A1 호는 매우 광범위한 조성범위로부터 선택되는 SnO-함유 유리들을 기술한다. 이러한 유리들은, 실시예에 따르면, MgO 를 적게 함유하며, B2O3 및 BaO 는 풍부하고, 존재해야 하는 ZrO2 레벨 때문에 유리 결손을 나타내는 경향이 있다.
심사되지 않은 일본 특허 공개 공보 JP 10-25132 A, JP 10-114538 A, JP 10-130034 A, JP 10-59741 A, JP 10-324526 A, JP 11-43350 A, JP 11-49520 A, JP 10-231139 A, JP 10-139467 A, JP 11-292563 A 및 JP 2000-159541 A 에는, 디스플레이 유리용으로 매우 광범위한 조성 범위가 언급되는데, 이것은 많은 선택적 성분들에 의해 변화될 수 있고, 각각의 경우 하나 이상의 특정 정제제와 혼합될 수 있다. 그러나, 이러한 문헌들은 상술한 완전한 요구조건 프로파일을 갖는 유리들이 어떻게 특정한 방법으로 얻어질 수 있는지 제시하지는 않는다.
본 발명의 목적은, 액정 디스플레이, 특히 TFT 디스플레이, 그리고 박막 태양전지를 위한, 특히 다결정질 Si 를 기초로 하는 유리 기판에 부과되는, 물리적 및 화학적 특성들에 관한 상술한 복잡한 요구조건 프로파일을 만족하고, 높은 내열성, 양호한 가공 범위, 높은 화학적 내성 및 특히 충분한 기계적 안정성을 갖는 유리를 제공함에 있다.
상기 목적은 독립청구항에 한정된 조성 범위로부터 제조되는 알루미노보로실리케이트 유리에 의해 달성된다.
상기 유리는 SiO2 를 58 내지 70 중량% 보다 많이 포함한다. 더 낮은 함량에서는, 화학적 내성이 감소되고, 반면에 더 높은 레벨에서는, 열팽창이 너무 낮아지고 상기 유리의 결정화 경향이 증가한다. 최대 함량은 68 중량% 인 것이 바람직하다.
상기 유리는 10 내지 25 중량%의 Al2O3 를 포함한다. 이것은 상기 유리의 실투현상(devitrification)의 안정성에 유리한 영향을 미치고, 가공 온도를 과도하게 증가시키는 일 없이 내열성을 증가시킬 수 있다. Al2O3 의 함량은 14 내지 24 중량% 인 것이 바람직하다.
상기 B2O3 함량은 0.5 내지 9 중량% 미만이다. 상기 B2O3 함량은 높은 기계적 안정성을 달성하기 위해 특정 최대 함량으로 제한된다. 더 높은 함량은 또한 염산 용액에 대한 화학적 내성을 감소시킨다. 특정 B2O3 의 최소 함량은 상기 유리가 우수한 용융가능성(meltability) 및 우수한 실투현상에 대한 안정성을 갖도록 보장한다. 1 내지 8.5 중량 % 함량인 것이 바람직하다. 최대 함량은 5중량% 인 것이 특히 바람직하다.
본질적인 유리 성분은 망상조직-변형(network-modifying) 알카리토금속 산화물이다. 8 중량% 보다 많고 18 중량% 사이의 알카리토금속 산화물의 합계를 가지고, 2.8 ×10-6/K 와 3.9 ×10-6/K 사이의 열팽창계수 α20/300 이 달성된다. MgO 는 항상 존재하고, 반면 CaO, SrO 및 BaO 는 선택적인 성분이다. 최소한 두개의 알카리토금속 금속산화물들이 존재하는 것이 바람직하다. 이러한 두번째 알카리토금속 산화물은 CaO 인 것이 특히 바람직하다. 최소한 세개의 알카리토금속 산화물들이 존재하는 것이 특히 바람직하다.
상기 유리는 8 내지 15 중량% 보다 많은 MgO 를 포함한다. 이러한 비교적 높은 레벨은 증가된 요구조건에 충분한 탄성계수를 가지며, 낮은 밀도를 갖는 유리를 얻는것을 가능케한다.
상기 B2O3 함량은 상기 MgO 함량에 의존하는 것이 바람직한데, 이는 B2O3 및 MgO 가 탄성계수에 반대 영향을 미치기 때문이다. 상기 MgO/B2O3 의 중량비는 따라서 1 보다 큰 것이 바람직하고, 1.35 보다 큰 것이 더욱 바람직하다.
더욱 높은 MgO 함량은 상기 유리의 우수한 결정화 안정성 및 높은 HCl에 대한 화학적 내성을 악화시키는 결과를 가져온다.
상기 유리는 또한 10 중량% 보다 적은, 바람직하게는 9 중량% 보다 적은 CaO 를 포함 할 수 있다. 더 높은 레벨은 밀도의 과잉 증가 및 결정화 경향에 증가를 가져온다. 상기 유리는 바람직하게는 최소한 0.5 중량%, 특히 바람직하게는 최소한 1 중량% 에 달하는 CaO 를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유리는 또한 BaO 를 포함할 수 있는데, 이것은 이것의 실투현상의 안정성에 유리한 영향을 미친다. 상기 유리의 밀도를 낮게 유지하기 위해 최대 함량은 2 중량% 보다 적게 제한된다. 상기 유리의 BaO 함량은 0 내지 0.5 중량% 사이인 것이 특히 바람직하다. 매우 경량의 유리가 요구되는 경우, 상기 유리는 BaO 를 포함하지 않는 것이 가장 바람직하다.
상기 유리는 또한 SrO 를 포함할 수 있다. 이것의 존재는 마찬가지로 실투현상의 안정성에 유리한 영향을 미친다. 상기 유리의 밀도를 낮게 유지하기 위해 최대 SrO 함량은 3 중량% 보다 적게 제한된다. 상기 유리는 0 내지 1 중량% 사이의 함량을 포함하는 것이 특히 바람직하고, 0 내지 0.5 중량% 사이의 함량을 포함하는 것이 가장 바람직하다.
상기 두개의 중(heavy)알카리토금속 산화물 SrO 및 BaO 는 최대 4 중량% 로 제한되는 것이 바람직하다.
상기 유리는 또한 ZnO 를 2 중량% 까지 포함할 수 있다. ZnO 는 붕산과 유사한 점도 특성 라인에 영향을 미치며, 망상조직을 느슨하게 하는 (network-loosening) 기능을 가지며, 상기 알카리토금속 산화물 보다는 열팽창에 영향을 덜 미친다. 최대 ZnO 레벨은, 특히 상기 유리가 플로트 공법(float method)에 의해 가공되는 경우에 1.5 중량% 로 제한되는 것이 바람직하다. 더 높은 레벨은, 증착 및 열간 성형 범위에서 뒤따르는 응축에 의해 형성될 수 있는, 원하지 않는 ZnO 코팅층이 유리 표면상에 형성되는 위험을 증가시킨다.
상기 유리는 알카리를 포함하지 않는다. 여기서 사용된 "알카리를 포함하지 않는다" 는 말은, 비록 1500 ppm 미만의 불순물을 포함할 수 있음에도 불구하고, 알카리금속 산화물을 본질적으로 포함하는 않는다는 것을 의미한다.
상기 유리는 2 중량% 까지의 ZrO2 + TiO2 를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 TiO2 함량 및 ZrO2 함량은 모두 각각 2 중량% 까지에 달할 수 있다. ZrO2 는 상기 유리의 내열성을 유리하게 증가시킨다. 그러나, 낮은 용해도로 인해, ZrO2 는, 상기 유리 내에, ZrO2 를 포함하는 용융 잔여물, 소위 지르코늄 네스트(nests)의 위험을 증가시킨다. 따라서 ZrO2 는 생략되는 것이 바람직하다. 지르코늄을 포함하는 트로프(trough) 재료의 부식으로부터 기원하는 낮은 ZrO2 함량은 문제가 되지 않는다. TiO2 는 상기 솔라리제이션(solarization) 경향을 유리하게 감소시키는데, 즉, UV-VIS 복사선 때문에 가시 파장 영역에서의 투과성을 감소시킨다. 2 중량% 보다 더 큰 함량에서는, 사용된 원재료의 불순불의 결과로서 상기 유리 내에 낮은 레벨로 존재하는 Fe3+ 이온들과 착화합물을 형성하기 때문에 색조(colour casts)가 나타날 수 있다.
상기 유리는 통상적인 양의 종래의 정제제를 포함할 수 있다 : 이것은 따라서 1.5 중량% 까지의 As2O3, Sb2O3, SnO2, CeO2, Cl-, F- 및/또는 SO4 2- 를 포함할 수 있다. 그러나, 상기 정제제의 합은 1.5 중량%를 초과해서는 안된다. 상기 정제제 As2O3 및 Sb2O3 가 생략되는 경우, 상기 유리는 다양한 드로잉 공법(drawing method)을 이용할 수 있을뿐만 아니라, 플로트 공법에 의해서도 가공될 수 있다.
손쉬운 배치(batch)의 준비에 관한 실시예로서, ZrO2 및 SnO2 를 모두 생략할 수 있고, 상술된 특성 프로파일, 특히 높은 내열성 및 화학적 내성 그리고 낮은 결정화 경향을 갖는 유리를 여전히 얻을 수 있다는 것이 유리하다.
실시예:
피할 수 없는 불순물들은 별도로하고 본질적으로 알카리를 포함하지 않는 종래의 원재료들로부터 1620℃ 의 Pt/Ir 도가니에서 유리들이 제조되었다. 상기 용융물은 이 온도에서 1 시간 반 동안 정제되었고, 그 다음 유도적으로 가열된 플래티넘 도가니로 이송되고 균질화를 위해 1550℃ 에서 30분 동안 교반되었다. 상기 용융물은 예열된 흑연 몰드에 주입되고 실온으로 냉각되었다.
다음 표는 본 발명에 따른 유리의 8 가지 실시예(A1-A8)와 대조군으로서의 유리의 실시예(C)를 그것들의 조성(중량%, 산화물 기준)과 그것들의 가장 중요한 특성으로서 보여준다. 다음 특성들이 주어진다:
ㆍ 열팽창계수 α20/300 [10-6/K]
ㆍ 밀도 ρ[g/㎤]
ㆍ DIN 52324 에 따른 팽창 유리 변형 온도 Tg[℃]
ㆍ 104 dPas 점도에서의 온도(T 4[℃]로 표기)
ㆍ 탄성계수 E [GPa]
ㆍ 95℃ 에서 24시간 동안 5% 강도의 염산으로 처리 후 모든 측면이 연마된 50 mm ×50 mm ×2 mm 치수의 유리판으로부터의 중량 손실(재료 제거값)로서의 내산성(acid resistance) "HCl" [mg/㎠]
ㆍ 95℃ 에서 6시간 동안 5% 강도의 수산화나트륨 수용액으로 처리 후 모든 측면이 연마된 50 mm ×50 mm ×2 mm 치수의 유리판으로부터의 중량 손실(재료 제거값)로서의 알카리내성(alkali resistance) "NaOH" [mg/㎠]
ㆍ 23℃ 에서 20분 동안 10% 강도의 NH4F·HF 용액으로 처리 후 모든 측면이 연마된 50 mm ×50 mm ×2 mm 치수의 유리판으로부터의 중량 손실(재료 제거값)로서의 완충된 하이드로플루오르 산(hydrofluoric acid)에 대한 내성 "BHF" [mg/㎠]
실시예: 본 발명에 따른 유리(A1-A8) 및 대조 유리(C)의 조성(중량%, 산화물 기준) 및 본질적 특성.
표 계속:
n.m. = 측정되지 않음(not measured)
상기 실시예에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 유리는 다음과 같은 유리한 특성을 갖는다:
ㆍ 2.8 ×10-6/K 와 3.9 ×10-6/K 사이의 열팽창계수 α20/300, 따라서 다결정질 실리콘의 팽창 거동에 매칭된다.
ㆍ Tg > 710℃ 의, 높은 유리 변형 온도, 즉, 높은 내열성을 갖는다. 이것은 제조의 결과로서 가장 낮은 가능한 조밀성을 위해 필수적이며 무정형 Si 층으로의 코팅 및 그것들의 연이은 어닐링(annealing)을 위한 기판으로서의 상기 유리의 이용에 필수적인 것이다.
ㆍ ρ< 2.55 g/㎤ 의, 낮은 밀도를 갖는다.
ㆍ E > 80 GPa 의, 높은 탄성계수를 갖는다. 상기 계수 또는 높은 비탄성계수, E/ρ는 충분한 기계적 안정성, 특히 상기 새깅(sagging) 문제에 관한 안정성을 보장한다.
ㆍ 점도 104 dPas 에서의 온도(가공 온도 VA)는 최대 1300℃, 그리고 점도 102 dPas 에서의 온도는 최대 1700℃ 이며, 이것은 상기 유리가 종래의 방법을 사용한 열간성형 및 용융가능성에 대한 적합한 점도 특성 라인을 갖는다는 것을 의미한다.
ㆍ 높은 화학적 내성, 이것은 특히 염산 용액에 대한 탁월한 내성으로부터 명백한데, 이것은 유리들을 평판 스크린의 제조에 사용되는 화학물질에 대해 충분하게 비활성으로 만든다.
이러한 특성을 가지고 있기 때문에, 상기 유리들은 따라서 특히 다결정질 Si 를 기초로 하는 디스플레이 기술, 특히 TFT 디스플레이, 그리고 박막 광전변환 공학에서 기판 유리로서, 그리고 하드 디스크의 기판 유리로서의 이용에 매우 적합하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 특히 다결정질 Si 를 기초로 하는 디스플레이 기술, 특히 TFT 디스플레이, 그리고 박막 광전변환 공학에서 기판 유리로서, 그리고 하드 디스크의 기판 유리로서 이용될 수 있다.

Claims (11)

  1. 다음 조성(중량%, 산화물 기준)을 갖는 알카리를 포함하지 않는 알루미노보로실리케이트 유리:
    SiO2 > 58 - 70
    B2O3 0.5 - < 9
    Al2O3 10 - 25
    MgO > 8 - 15
    CaO 0 - < 10
    SrO 0 - < 3
    BaO 0 - < 2
    여기서 MgO + CaO + SrO + BaO > 8 - 18
    ZnO 0 - < 2
  2. 제 1 항에 있어서,
    다음 조성(중량 %, 산화물 기준)을 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리:
    SiO2 > 58 - 68
    B2O3 1 - 8.5
    Al2O3 14 - 24
    MgO > 8 - 15
    CaO 0 - 9
    SrO 0 - < 3
    BaO 0 - < 2
    여기서 MgO + CaO + SrO + BaO > 8 - 18
    ZnO 0 - < 2
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유리는 0 내지 0.5 중량% 사이의 BaO 를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유리는 0 내지 1 중량% 사이의 SrO, 바람직하게는 0 내지 0.5 중량% 사이의 SrO 를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유리는 최대 5 중량%의 B2O3 를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유리는 추가적으로 다음을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리:
    ZrO2 0 - 2
    TiO2 0 - 2
    여기서 ZrO2 + TiO2 0 - 2
    As2O3 0 - 1.5
    Sb2O3 0 - 1.5
    SnO2 0 - 1.5
    CeO2 0 - 1.5
    Cl- 0 - 1.5
    F- 0 - 1.5
    SO4 2- 0 - 1.5
    여기서 As2O3 + Sb2O3 + SnO2 + CeO2 + Cl- + F- + SO4 2- ≤1.5
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유리는 2.8 ×10-6/K 및 3.9 ×10-6/K 사이의 열팽창계수 α20/300, 710℃ 보다 높은 유리 변형온도 Tg, 2.55 g/㎤ 보다 작은 밀도 ρ,그리고 0.5 mg/㎠ 보다 작은 "내산성 HCl" 을 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 유리는 80 GPa 보다 큰 탄성계수를 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리.
  9. 제 1 항에 따른 알루미노보로실리케이트 유리의 디스플레이 기술에서의 기판 유리로서의 이용방법.
  10. 제 1 항에 따른 알루미노보로실리케이트 유리의 박막 광전변환 공학에서의 기판 유리로서의 이용방법.
  11. 제 1 항에 따른 알루미노보로실리케이트 유리의 하드 디스크용 기판 유리의 제조에의 이용방법.
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