JP2001160557A - 薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びそれらの製造方法 - Google Patents
薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びそれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャ
パシタ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、相互作用パラメータが相異な
る物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物
質層の界面に組成転移層が導入される多重膜を提供す
る。組成転移層は上部物質層をなす元素及び下部物質層
をなす元素の両方を含んで、下部物質層上から上部物質
層に至るまでの濃度勾配を持って、上部物質層に隣接す
る部分で上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大
きい。このような下部物質層または上部物質層はアルミ
ニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チタニウ
ム、イットリウム、タンタルまたはニオビウムの酸化物
または窒化物よりなる。
パシタ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、相互作用パラメータが相異な
る物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物
質層の界面に組成転移層が導入される多重膜を提供す
る。組成転移層は上部物質層をなす元素及び下部物質層
をなす元素の両方を含んで、下部物質層上から上部物質
層に至るまでの濃度勾配を持って、上部物質層に隣接す
る部分で上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大
きい。このような下部物質層または上部物質層はアルミ
ニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チタニウ
ム、イットリウム、タンタルまたはニオビウムの酸化物
または窒化物よりなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子に関し、
特に、薄膜構造のための界面特性が改善された多重膜、
このような多重膜を誘電体として用いるキャパシタ、及
びそれらの製造方法に関する。
特に、薄膜構造のための界面特性が改善された多重膜、
このような多重膜を誘電体として用いるキャパシタ、及
びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子では、要求される素子特性を
得るために多重膜を用いる場合がある。特に、キャパシ
タの静電容量を増やすために、相異なる物質層を多数回
積層してなる多重膜を誘電膜として利用できる。例え
ば、誘電膜としてＯＮＯ（Ｏｘｉｄｅ／Ｎｉｔｒｉｄｅ
／Ｏｘｉｄｅ）膜またはＮＯ（Ｎｉｔｒｉｄｅ／Ｏｘｉ
ｄｅ）膜などの多重膜を利用できる。さらに、半導体素
子の高集積化に伴うキャパシタの容量増大の要求に応え
るために、新しい誘電物質を複合的に積層して用いる方
法が提案されている。
得るために多重膜を用いる場合がある。特に、キャパシ
タの静電容量を増やすために、相異なる物質層を多数回
積層してなる多重膜を誘電膜として利用できる。例え
ば、誘電膜としてＯＮＯ（Ｏｘｉｄｅ／Ｎｉｔｒｉｄｅ
／Ｏｘｉｄｅ）膜またはＮＯ（Ｎｉｔｒｉｄｅ／Ｏｘｉ
ｄｅ）膜などの多重膜を利用できる。さらに、半導体素
子の高集積化に伴うキャパシタの容量増大の要求に応え
るために、新しい誘電物質を複合的に積層して用いる方
法が提案されている。
【０００３】しかし、多重膜をなす異種物質層は相異な
る相互作用パラメータをもつため、異種物質層間の異種
接合界面特性が劣ってしまう。このため、ある物質層上
に相互作用パラメータの異なる異種物質層が蒸着される
とき、異種物質層が一様に蒸着できなくなる場合があ
る。例えば、異種物質層は、図１及び図２に示したよう
に、島状の成長形態で蒸着することができる。図１及び
図２は、島状の成長形態の蒸着メカニズムを概略的に示
すものである。
る相互作用パラメータをもつため、異種物質層間の異種
接合界面特性が劣ってしまう。このため、ある物質層上
に相互作用パラメータの異なる異種物質層が蒸着される
とき、異種物質層が一様に蒸着できなくなる場合があ
る。例えば、異種物質層は、図１及び図２に示したよう
に、島状の成長形態で蒸着することができる。図１及び
図２は、島状の成長形態の蒸着メカニズムを概略的に示
すものである。
【０００４】図１を参照すれば、下部物質層１０上に相
互作用パラメータの異なる上部物質層２０が蒸着される
とき、異種接合界面特性により上部物質層２０は孤立し
た島状形態で核生成され、この核を中心として成長する
ことになる。なぜなら、蒸着メカニズムは、上部物質層
及び下部物質層を構成する物質の相互作用パラメータが
異なる場合、表面エネルギーを減少するために下部物質
層１０における一定の核生成位置において上部物質層２
０を核生成させ成長させることを、均一な蒸着より優先
するからである。
互作用パラメータの異なる上部物質層２０が蒸着される
とき、異種接合界面特性により上部物質層２０は孤立し
た島状形態で核生成され、この核を中心として成長する
ことになる。なぜなら、蒸着メカニズムは、上部物質層
及び下部物質層を構成する物質の相互作用パラメータが
異なる場合、表面エネルギーを減少するために下部物質
層１０における一定の核生成位置において上部物質層２
０を核生成させ成長させることを、均一な蒸着より優先
するからである。
【０００５】このような蒸着メカニズムは、下部物質層
１０として酸化アルミニウム（Ａｌ 2Ｏ3）層を用い、上
部物質層２０として酸化チタニウム（ＴｉＯ2）層を用
いる場合にも適用できる。
１０として酸化アルミニウム（Ａｌ 2Ｏ3）層を用い、上
部物質層２０として酸化チタニウム（ＴｉＯ2）層を用
いる場合にも適用できる。
【０００６】図２を参照すれば、その蒸着中に、前記物
質層２０は、核から島状に成長して接し合い、かつ連続
した形で成長する。このため、蒸着された上部物質層２
０は極めて粗い表面トポロジーを持つことになる。した
がって、上部物質層２０がより薄く蒸着されると、この
ようなトポロジーの粗さは一層大きくなる。すなわち、
上部物質層２０の厚さ偏差は極めて不均一なため、上部
物質層２０の膜質特性もまた極めて不均一になる。
質層２０は、核から島状に成長して接し合い、かつ連続
した形で成長する。このため、蒸着された上部物質層２
０は極めて粗い表面トポロジーを持つことになる。した
がって、上部物質層２０がより薄く蒸着されると、この
ようなトポロジーの粗さは一層大きくなる。すなわち、
上部物質層２０の厚さ偏差は極めて不均一なため、上部
物質層２０の膜質特性もまた極めて不均一になる。
【０００７】このように多重膜をなすいずれか一つの物
質層２０の膜質特性が不均一になれば、各種の不具合が
生じてくる。例えば、前述したように、何れか一つの物
質層の厚さ偏差が大きくなれば、多重膜の厚さが全体的
に不均一になり得る。このことは、多重膜が誘電体とし
て用いられる場合、全体の誘電率に影響を及ぼして多重
膜の全体的な誘電率が不均一になる要因となる。このよ
うな誘電率の不均一は、結局キャパシタの特性を低下さ
せる要因となる。
質層２０の膜質特性が不均一になれば、各種の不具合が
生じてくる。例えば、前述したように、何れか一つの物
質層の厚さ偏差が大きくなれば、多重膜の厚さが全体的
に不均一になり得る。このことは、多重膜が誘電体とし
て用いられる場合、全体の誘電率に影響を及ぼして多重
膜の全体的な誘電率が不均一になる要因となる。このよ
うな誘電率の不均一は、結局キャパシタの特性を低下さ
せる要因となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みて成されたものであり、その目的は、相異なる物質よ
りなる層間の界面特性を改善して全体的に均一な膜質特
性を示す多重膜、および当該多重膜の製造方法を提供す
るところにある。
みて成されたものであり、その目的は、相異なる物質よ
りなる層間の界面特性を改善して全体的に均一な膜質特
性を示す多重膜、および当該多重膜の製造方法を提供す
るところにある。
【０００９】本発明の他の目的は、前述した多重膜を誘
電体として用いるキャパシタ、および当該キャパシタの
製造方法を提供するところにある。
電体として用いるキャパシタ、および当該キャパシタの
製造方法を提供するところにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一形態は、相異なる物質元素をそれぞれ含
んでなる下部物質層及び上部物質層の界面に組成転移層
が導入される多重膜を提供する。組成転移層は、前記上
部物質層をなす元素及び前記下部物質層をなす元素の両
方を含み、前記下部物質層上から前記上部物質層に至る
までの濃度勾配を有する。すなわち、組成転移層は、前
記上部物質層に隣接する部分において、前記上部物質層
を構成する元素の濃度が相対的に大きい。前記下部物質
層または上部物質層は、アルミニウム、シリコン、ジル
コニウム、セリウム、チタニウム、リットリウム、タン
タルまたはニオビウムの酸化物または窒化物よりなり得
る。
に、本発明の一形態は、相異なる物質元素をそれぞれ含
んでなる下部物質層及び上部物質層の界面に組成転移層
が導入される多重膜を提供する。組成転移層は、前記上
部物質層をなす元素及び前記下部物質層をなす元素の両
方を含み、前記下部物質層上から前記上部物質層に至る
までの濃度勾配を有する。すなわち、組成転移層は、前
記上部物質層に隣接する部分において、前記上部物質層
を構成する元素の濃度が相対的に大きい。前記下部物質
層または上部物質層は、アルミニウム、シリコン、ジル
コニウム、セリウム、チタニウム、リットリウム、タン
タルまたはニオビウムの酸化物または窒化物よりなり得
る。
【００１１】また、前記多重膜は、前記下部物質層、前
記組成転移層及び前記上部物質層が順次積層されて多数
回繰り返されてなる。
記組成転移層及び前記上部物質層が順次積層されて多数
回繰り返されてなる。
【００１２】前記目的を達成するために、本発明の他の
形態は、下部物質層上に組成転移層を形成する。次に、
前記組成転移層上に前記下部物質層に含まれる元素及び
少なくとも一つの他の物質を含む上部物質層を形成す
る。
形態は、下部物質層上に組成転移層を形成する。次に、
前記組成転移層上に前記下部物質層に含まれる元素及び
少なくとも一つの他の物質を含む上部物質層を形成す
る。
【００１３】このとき、前記組成転移層は、前記下部物
質層及び前記上部物質層の界面に前記上部物質層をなす
元素及び前記下部物質層をなす元素の両方を含む。ま
た、前記下部物質層上から前記上部物質層に至るまでの
濃度勾配を持って、前記上部物質層に隣接する部分にお
いて前記上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大
きい。
質層及び前記上部物質層の界面に前記上部物質層をなす
元素及び前記下部物質層をなす元素の両方を含む。ま
た、前記下部物質層上から前記上部物質層に至るまでの
濃度勾配を持って、前記上部物質層に隣接する部分にお
いて前記上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大
きい。
【００１４】前記組成転移層は、前記上部物質層をなす
元素を含む上部物質ソースを前記下部物質層上に与えて
前記下部物質層上に吸着させ、残留する前記上部物質ソ
ースを排出する第１パージを行い、前記下部物質層をな
す元素を含む下部物質ソースを前記下部物質層上に与え
て前記下部物質層上に吸着させるか、あるいは前記吸着
された上部物質ソースと反応させ、残留する前記下部物
質ソース及び反応副産物を排出する第２パージを行い、
前記吸着された前記上部物質ソースまたは前記反応され
た上部物質ソース、及び吸着された下部物質ソースに反
応剤を与えて前記組成転移層をなす生成物を蒸着し、前
記反応剤との反応によって発生する反応副産物を排出す
る第３パージを行う反応サイクルを行って形成される。
元素を含む上部物質ソースを前記下部物質層上に与えて
前記下部物質層上に吸着させ、残留する前記上部物質ソ
ースを排出する第１パージを行い、前記下部物質層をな
す元素を含む下部物質ソースを前記下部物質層上に与え
て前記下部物質層上に吸着させるか、あるいは前記吸着
された上部物質ソースと反応させ、残留する前記下部物
質ソース及び反応副産物を排出する第２パージを行い、
前記吸着された前記上部物質ソースまたは前記反応され
た上部物質ソース、及び吸着された下部物質ソースに反
応剤を与えて前記組成転移層をなす生成物を蒸着し、前
記反応剤との反応によって発生する反応副産物を排出す
る第３パージを行う反応サイクルを行って形成される。
【００１５】このとき、繰り返される各反応サイクルを
それぞれ順次変化する条件で行って、各反応サイクルに
よって生成する生成物の組成を各反応サイクル別に順次
異ならしめて前記組成転移層に濃度勾配を持たせる。
それぞれ順次変化する条件で行って、各反応サイクルに
よって生成する生成物の組成を各反応サイクル別に順次
異ならしめて前記組成転移層に濃度勾配を持たせる。
【００１６】前記目的を達成するために、本発明の他の
形態は、前述した多重膜を半導体素子のキャパシタの誘
電体として用いる。
形態は、前述した多重膜を半導体素子のキャパシタの誘
電体として用いる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しか
し、本発明の実施形態は各種の形態に変形でき、本発明
の技術的思想の範囲は後述する実施形態によって限定さ
れるものではない。本発明の実施形態は当業界における
通常の知識を有した者に本発明をより完全に説明するた
めに提供されるものである。したがって、図中の要素の
形状などはより明確な説明のために誇張されており、図
中同一の符号で示された要素は同一の要素を意味する。
また、ある層が他の層または半導体基板の“上”にある
と記載される場合、前記ある層は前記他の層または半導
体基板に直接的に接触して存在することもできれば、そ
の間に第３の層が介在されることもできる。
発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しか
し、本発明の実施形態は各種の形態に変形でき、本発明
の技術的思想の範囲は後述する実施形態によって限定さ
れるものではない。本発明の実施形態は当業界における
通常の知識を有した者に本発明をより完全に説明するた
めに提供されるものである。したがって、図中の要素の
形状などはより明確な説明のために誇張されており、図
中同一の符号で示された要素は同一の要素を意味する。
また、ある層が他の層または半導体基板の“上”にある
と記載される場合、前記ある層は前記他の層または半導
体基板に直接的に接触して存在することもできれば、そ
の間に第３の層が介在されることもできる。
【００１８】本発明の実施形態は多層の相異なる物質層
が順次積層された多重膜を形成するとき、相異なる物質
層の界面に組成が変化する組成転移層を導入したものを
含む。このように導入される組成転移層は、他の種類の
物質層の構成元素を共に含む。また、組成転移層は、下
部物質層に隣接する部分には下部物質層を構成する構成
元素を相対的にたくさん含み、上部物質層に隣接する部
分には上部物質層を構成する構成元素を相対的にたくさ
ん含むように、膜質内に組成勾配を持つ。
が順次積層された多重膜を形成するとき、相異なる物質
層の界面に組成が変化する組成転移層を導入したものを
含む。このように導入される組成転移層は、他の種類の
物質層の構成元素を共に含む。また、組成転移層は、下
部物質層に隣接する部分には下部物質層を構成する構成
元素を相対的にたくさん含み、上部物質層に隣接する部
分には上部物質層を構成する構成元素を相対的にたくさ
ん含むように、膜質内に組成勾配を持つ。
【００１９】このように組成転移層が下部物質層上に存
在するので、蒸着される上部物質層の下部膜質依存性を
抑制できる。上部物質層及び下部物質層を各々構成する
元素は相異なる相互作用パラメータを持つため、上部物
質層は蒸着される時に下部膜質依存性を示す。しかし、
組成転移層は、上部物質層及び下部物質層間の相互作用
パラメータの差を緩和させて、上部物質層の下部膜質依
存性を抑制して均一な蒸着がなされるように誘導でき
る。
在するので、蒸着される上部物質層の下部膜質依存性を
抑制できる。上部物質層及び下部物質層を各々構成する
元素は相異なる相互作用パラメータを持つため、上部物
質層は蒸着される時に下部膜質依存性を示す。しかし、
組成転移層は、上部物質層及び下部物質層間の相互作用
パラメータの差を緩和させて、上部物質層の下部膜質依
存性を抑制して均一な蒸着がなされるように誘導でき
る。
【００２０】より詳細に説明すれば、上部物質層及び下
部物質層を構成する物質のそれぞれは、相異なる相互作
用パラメータを持つため、蒸着される上部物質層及び下
部物質層の界面には異種接合界面が形成される。したが
って、上部物質層の蒸着メカニズムはこのような異種接
合界面による表面エネルギーを減少させるように行われ
る。すなわち、上部物質層は下部物質層の表面に均一に
蒸着されず、一定の核生成位置で異種核生成をなし、当
該位置において優先的に成長する。
部物質層を構成する物質のそれぞれは、相異なる相互作
用パラメータを持つため、蒸着される上部物質層及び下
部物質層の界面には異種接合界面が形成される。したが
って、上部物質層の蒸着メカニズムはこのような異種接
合界面による表面エネルギーを減少させるように行われ
る。すなわち、上部物質層は下部物質層の表面に均一に
蒸着されず、一定の核生成位置で異種核生成をなし、当
該位置において優先的に成長する。
【００２１】しかし、下部物質層上に、前述した組成転
移層を導入すれば、前述したような異種接合界面の生成
を緩和できる。このことは、下部物質層と接する部分で
は下部物質層を構成する構成元素による組成が優越し、
かつ、上部物質層と接する組成転移層の表面近傍では上
部物質層を構成する構成元素による組成が優越するよう
に組成転移層が形成されるからである。
移層を導入すれば、前述したような異種接合界面の生成
を緩和できる。このことは、下部物質層と接する部分で
は下部物質層を構成する構成元素による組成が優越し、
かつ、上部物質層と接する組成転移層の表面近傍では上
部物質層を構成する構成元素による組成が優越するよう
に組成転移層が形成されるからである。
【００２２】これにより、上部物質層は上部物質層をな
す物質の相互作用パラメータと類似した相互作用パラメ
ータを実質的に持つ組成転移層の表面上に蒸着される。
したがって、上部物質層は、異種接合界面上の島状成長
メカニズムよりは同種界面上で成長する均一な蒸着メカ
ニズム従って組成転移層上に蒸着されるようになる。し
たがって、界面をよりシャープに形成できる。
す物質の相互作用パラメータと類似した相互作用パラメ
ータを実質的に持つ組成転移層の表面上に蒸着される。
したがって、上部物質層は、異種接合界面上の島状成長
メカニズムよりは同種界面上で成長する均一な蒸着メカ
ニズム従って組成転移層上に蒸着されるようになる。し
たがって、界面をよりシャープに形成できる。
【００２３】また、本発明の実施形態では、前述したよ
うな多重膜を半導体素子のキャパシタの誘電体として用
いる方法を提示する。このとき、多重膜は均一なサブ膜
よりなるので、均一な誘電率を提供できる。
うな多重膜を半導体素子のキャパシタの誘電体として用
いる方法を提示する。このとき、多重膜は均一なサブ膜
よりなるので、均一な誘電率を提供できる。
【００２４】以下、本発明の実施形態を酸化アルミニウ
ム層及び酸化チタニウム層を含む多重膜を例に取って具
体的に説明する。図３を参照すれば、多重膜１００は、
相異なる物質よりなる下部物質層１１０及び上部物質層
１５０を含む。例えば、下部物質層１１０は酸化アルミ
ニウム膜であり、上部物質層１５０は酸化チタニウム膜
である。このとき、前記した下部物質層１１０及び上部
物質層１５０の各々は数Å〜数十Åの厚さで形成でき
る。好ましくは、それぞれ約２Å〜５Åの厚さで形成す
る。
ム層及び酸化チタニウム層を含む多重膜を例に取って具
体的に説明する。図３を参照すれば、多重膜１００は、
相異なる物質よりなる下部物質層１１０及び上部物質層
１５０を含む。例えば、下部物質層１１０は酸化アルミ
ニウム膜であり、上部物質層１５０は酸化チタニウム膜
である。このとき、前記した下部物質層１１０及び上部
物質層１５０の各々は数Å〜数十Åの厚さで形成でき
る。好ましくは、それぞれ約２Å〜５Åの厚さで形成す
る。
【００２５】上部物質層１５０が下部物質層１１０の表
面に接触するように蒸着される場合、すなわち、酸化チ
タニウムが酸化アルミニウム層の表面に接触するように
蒸着される場合、蒸着される酸化チタニウムは、図１及
び図２を参照して説明したように、島状成長メカニズム
に優先的に従うと知られている。このことは、上部物質
層１５０及び下部物質層１１０がそれぞれ酸化アルミニ
ウム膜及び酸化チタニウム膜であって、差の大きい相互
作用パラメータを持つからである。
面に接触するように蒸着される場合、すなわち、酸化チ
タニウムが酸化アルミニウム層の表面に接触するように
蒸着される場合、蒸着される酸化チタニウムは、図１及
び図２を参照して説明したように、島状成長メカニズム
に優先的に従うと知られている。このことは、上部物質
層１５０及び下部物質層１１０がそれぞれ酸化アルミニ
ウム膜及び酸化チタニウム膜であって、差の大きい相互
作用パラメータを持つからである。
【００２６】もし、上部物質層１５０として用いられる
酸化チタニウム層が酸化アルミニウムの下部物質層１１
０に直接的に接触して蒸着されれば、蒸着される膜質の
均一性が低下されて膜質内に短所を持つことになる。特
に、酸化チタニウムは導電性をもつため、酸化アルミニ
ウム層などの絶縁特性を持つ膜質と結合するよりも、同
じ酸化チタニウム上に蒸着されて結合しやすい。したが
って、酸化チタニウム層は極めて不均一な膜質特性を示
すことになり、ひいては、酸化アルミニウム層の表面を
完全に覆えない場合もある。
酸化チタニウム層が酸化アルミニウムの下部物質層１１
０に直接的に接触して蒸着されれば、蒸着される膜質の
均一性が低下されて膜質内に短所を持つことになる。特
に、酸化チタニウムは導電性をもつため、酸化アルミニ
ウム層などの絶縁特性を持つ膜質と結合するよりも、同
じ酸化チタニウム上に蒸着されて結合しやすい。したが
って、酸化チタニウム層は極めて不均一な膜質特性を示
すことになり、ひいては、酸化アルミニウム層の表面を
完全に覆えない場合もある。
【００２７】酸化アルミニウム層及び酸化チタニウム層
を含む多重膜１００を半導体素子のキャパシタの誘電体
として用いる場合、前記した酸化アルミニウム層及び酸
化チタニウム層はそれぞれ約２Å〜５Åに極めて薄く形
成されることが、静電容量の増大に有効である。しか
し、酸化チタニウム層が前述したように島状成長メカニ
ズムに優先的に従って蒸着されて不均一な膜質特性をも
つと、キャパシタの静電容量の増大に極めて悪影響を及
ぼす。
を含む多重膜１００を半導体素子のキャパシタの誘電体
として用いる場合、前記した酸化アルミニウム層及び酸
化チタニウム層はそれぞれ約２Å〜５Åに極めて薄く形
成されることが、静電容量の増大に有効である。しか
し、酸化チタニウム層が前述したように島状成長メカニ
ズムに優先的に従って蒸着されて不均一な膜質特性をも
つと、キャパシタの静電容量の増大に極めて悪影響を及
ぼす。
【００２８】これを防止するために、異種物質よりなる
上部物質層１５０及び下部物質層１１０間の界面特性を
緩和する手段として、上部物質層１５０及び下部物質層
１１０間の界面に組成転移層１３０を導入する。組成転
移層１３０は異種物質よりなる上部物質層１５０及び下
部物質層１１０間の表面相互作用パラメータの差を減少
させる役目をする。すなわち、界面活性の役目をして表
面エネルギーまたは界面エネルギーを減少させる役目を
する。
上部物質層１５０及び下部物質層１１０間の界面特性を
緩和する手段として、上部物質層１５０及び下部物質層
１１０間の界面に組成転移層１３０を導入する。組成転
移層１３０は異種物質よりなる上部物質層１５０及び下
部物質層１１０間の表面相互作用パラメータの差を減少
させる役目をする。すなわち、界面活性の役目をして表
面エネルギーまたは界面エネルギーを減少させる役目を
する。
【００２９】このために、組成転移層１３０は、図４に
示すように、下部物質層１１０及び上部物質層１５０を
それぞれなす構成元素を共に含んで、このような構成元
素の濃度は組成転移層１３０の厚さに応じて変化する。
すなわち、組成転移層１３０の厚さに応じて濃度勾配が
形成されるのである。
示すように、下部物質層１１０及び上部物質層１５０を
それぞれなす構成元素を共に含んで、このような構成元
素の濃度は組成転移層１３０の厚さに応じて変化する。
すなわち、組成転移層１３０の厚さに応じて濃度勾配が
形成されるのである。
【００３０】図４を参照すれば、例えば、酸化アルミニ
ウムの下部物質層１１０及び酸化チタニウムの上部物質
層１５０の界面に形成される組成転移層１３０は、下部
物質層１１０の膜質内で酸化アルミニウムの濃度は実質
的に１００％になり、上部物質層１５０の膜質内で酸化
チタニウムの濃度は実質的に１００％になる。これによ
り、組成転移層１３０は、下部物質層１１０から上部物
質層１５０である酸化チタニウム層に至るまで、酸化ア
ルミニウムの濃度が順次減少するような濃度勾配を持
つ。これに対し、組成転移層１３０は、酸化アルミニウ
ム層の下部物質層１１０で接触する部位から上部物質層
１５０に至るまで酸化チタニウムの濃度が増加する濃度
勾配を持つ。これにより、酸化チタニウム層である上部
物質層１５０に接する組成転移層１３０の表面部位は、
ほぼ酸化チタニウムにより組成されることになる。
ウムの下部物質層１１０及び酸化チタニウムの上部物質
層１５０の界面に形成される組成転移層１３０は、下部
物質層１１０の膜質内で酸化アルミニウムの濃度は実質
的に１００％になり、上部物質層１５０の膜質内で酸化
チタニウムの濃度は実質的に１００％になる。これによ
り、組成転移層１３０は、下部物質層１１０から上部物
質層１５０である酸化チタニウム層に至るまで、酸化ア
ルミニウムの濃度が順次減少するような濃度勾配を持
つ。これに対し、組成転移層１３０は、酸化アルミニウ
ム層の下部物質層１１０で接触する部位から上部物質層
１５０に至るまで酸化チタニウムの濃度が増加する濃度
勾配を持つ。これにより、酸化チタニウム層である上部
物質層１５０に接する組成転移層１３０の表面部位は、
ほぼ酸化チタニウムにより組成されることになる。
【００３１】したがって、組成転移層１３０の表面は実
質的に酸化チタニウムをたくさん含むので、蒸着される
酸化チタニウムは表面上に分布されたチタニウム相と優
先的に結合することになる。したがって、全体的に均一
な酸化チタニウム層の上部物質層１５０が形成できる。
すなわち、酸化チタニウム層は島状成長メカニズムより
は均一な成長メカニズムに優先的に依存して成長でき
る。
質的に酸化チタニウムをたくさん含むので、蒸着される
酸化チタニウムは表面上に分布されたチタニウム相と優
先的に結合することになる。したがって、全体的に均一
な酸化チタニウム層の上部物質層１５０が形成できる。
すなわち、酸化チタニウム層は島状成長メカニズムより
は均一な成長メカニズムに優先的に依存して成長でき
る。
【００３２】このような組成転移層１３０は実質的に単
純な固溶体の形態を有する。例えば、酸化アルミニウム
及び酸化チタニウムは約１０１０℃の温度及び２．４９
×１０-11Ｐａ（１．８７×１０-13Ｔｏｒｒ）以下の圧
力条件で相互固溶できると知られている。したがって、
酸化アルミニウム及び酸化チタニウムが固溶されて共に
含む組成転移層１３０は、蒸着工程の温度及び圧力を調
節することにより形成できる。
純な固溶体の形態を有する。例えば、酸化アルミニウム
及び酸化チタニウムは約１０１０℃の温度及び２．４９
×１０-11Ｐａ（１．８７×１０-13Ｔｏｒｒ）以下の圧
力条件で相互固溶できると知られている。したがって、
酸化アルミニウム及び酸化チタニウムが固溶されて共に
含む組成転移層１３０は、蒸着工程の温度及び圧力を調
節することにより形成できる。
【００３３】このような組成転移層１３０の形成を原子
層蒸着（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）方法に基づいて説明する。しかし、組成
転移層１３０の形成は前述したＡＬＤ方法の他にも、前
記したような固溶相を得る方法なら、いかなる方法であ
っても良い。
層蒸着（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）方法に基づいて説明する。しかし、組成
転移層１３０の形成は前述したＡＬＤ方法の他にも、前
記したような固溶相を得る方法なら、いかなる方法であ
っても良い。
【００３４】図５を参照すれば、まず、下部物質層（図
３の１１０）が形成された半導体基板（図示せず）を導
入する。例えば、ＡＬＤ方法を用いて薄く蒸着された酸
化アルミニウム層を下部物質層１１０として用いる。こ
のとき、酸化アルミニウム層は約数Å〜数十Åの厚さで
形成できるので、約２Å〜５Åの厚さで形成する。
３の１１０）が形成された半導体基板（図示せず）を導
入する。例えば、ＡＬＤ方法を用いて薄く蒸着された酸
化アルミニウム層を下部物質層１１０として用いる。こ
のとき、酸化アルミニウム層は約数Å〜数十Åの厚さで
形成できるので、約２Å〜５Åの厚さで形成する。
【００３５】次に、酸化アルミニウム層の下部物質層１
１０上に後続する上部物質層１５０をなす酸化チタニウ
ムを形成するのに用いられるチタニウムソースを供給す
る（図５の５０１）。このとき、半導体基板はＡＬＤ工
程のために約２５０℃〜４５０℃の温度に保つことがで
きるが、好ましくは、約３５０℃の温度に保つ。
１０上に後続する上部物質層１５０をなす酸化チタニウ
ムを形成するのに用いられるチタニウムソースを供給す
る（図５の５０１）。このとき、半導体基板はＡＬＤ工
程のために約２５０℃〜４５０℃の温度に保つことがで
きるが、好ましくは、約３５０℃の温度に保つ。
【００３６】前記したチタニウムソースとしては、四塩
化チタニウム（ＴｉＣｌ4）などのチタニウムハロゲン
化合物ガスを利用できる。このとき、四塩化チタニウム
の供給量は要求される工程変数を考慮して変化できる。
しかし、本発明の実施形態では四塩化チタニウムを半導
体基板上に約０．４秒間供給する場合を例に取って説明
する。供給された四塩化チタニウムは下部物質層１１０
の酸化アルミニウム層上に吸着される。このような吸着
は主として化学的吸着作用によって発生する。
化チタニウム（ＴｉＣｌ4）などのチタニウムハロゲン
化合物ガスを利用できる。このとき、四塩化チタニウム
の供給量は要求される工程変数を考慮して変化できる。
しかし、本発明の実施形態では四塩化チタニウムを半導
体基板上に約０．４秒間供給する場合を例に取って説明
する。供給された四塩化チタニウムは下部物質層１１０
の酸化アルミニウム層上に吸着される。このような吸着
は主として化学的吸着作用によって発生する。
【００３７】次に、第１パージを約１秒間行う（５０
２）。パージガスとしては窒素ガス（Ｎ2）を利用で
き、窒素ガスは約４００ｓｃｃｍの流量で供給できる。
このようなパージ段階によって、吸着されずに残留する
四塩化チタニウムを排出できる。すなわち、パージと共
にポンピングを行うこともできる。また、物理的に吸着
された四塩化チタニウムを排出することもできる。
２）。パージガスとしては窒素ガス（Ｎ2）を利用で
き、窒素ガスは約４００ｓｃｃｍの流量で供給できる。
このようなパージ段階によって、吸着されずに残留する
四塩化チタニウムを排出できる。すなわち、パージと共
にポンピングを行うこともできる。また、物理的に吸着
された四塩化チタニウムを排出することもできる。
【００３８】次に、前記したように四塩化チタニウムが
吸着された下部物質層１１０の酸化アルミニウム層の表
面にアルミニウムソースを約０．２秒間供給する（５０
３）。例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ；Ａｌ
（ＣＨ3）3）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ；
Ａｌ（Ｃ2Ｈ5）3）などのアルミニウムを含む前駆体と
して用いられるアルミニウムソースを供給する。このよ
うに供給されるアルミニウムソースは本発明の実施形態
では約０．２秒間供給される場合を提示したが、ＡＬＤ
工程の変数を考慮して変化できる。
吸着された下部物質層１１０の酸化アルミニウム層の表
面にアルミニウムソースを約０．２秒間供給する（５０
３）。例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ；Ａｌ
（ＣＨ3）3）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ；
Ａｌ（Ｃ2Ｈ5）3）などのアルミニウムを含む前駆体と
して用いられるアルミニウムソースを供給する。このよ
うに供給されるアルミニウムソースは本発明の実施形態
では約０．２秒間供給される場合を提示したが、ＡＬＤ
工程の変数を考慮して変化できる。
【００３９】供給されるアルミニウムソースは下部物質
層１１０の酸化アルミニウム層の表面に吸着するか、あ
るいは吸着された四塩化チタニウムと次のように反応す
る。アルミニウムソースとしてＴＭＡを用いた場合を例
に取ると、一部のＴＭＡは四塩化チタニウムが吸着され
ない下部物質層１１０の酸化アルミニウム層の表面に吸
着される。主として化学的な吸着作用によるＴＭＡが以
降に下部物質層１１０の表面に残留することになる。そ
して、一部のＴＭＡは酸化アルミニウム層に吸着されて
いる四塩化チタニウムと次の反応式１に従って反応する
ことになる。
層１１０の酸化アルミニウム層の表面に吸着するか、あ
るいは吸着された四塩化チタニウムと次のように反応す
る。アルミニウムソースとしてＴＭＡを用いた場合を例
に取ると、一部のＴＭＡは四塩化チタニウムが吸着され
ない下部物質層１１０の酸化アルミニウム層の表面に吸
着される。主として化学的な吸着作用によるＴＭＡが以
降に下部物質層１１０の表面に残留することになる。そ
して、一部のＴＭＡは酸化アルミニウム層に吸着されて
いる四塩化チタニウムと次の反応式１に従って反応する
ことになる。
【００４０】 ３ＴｉＣｌ4＋４Ａｌ（ＣＨ3）3→３Ｔｉ（ＣＨ3）4＋４ＡｌＣｌ3（ｇ） …反応式１ 上記反応式１による反応によって、吸着されていた四塩
化チタニウムは吸着された状態で四メチルチタニウム
（Ｔｉ（ＣＨ3）4）に変わり、ＴＭＡは三塩化アルミニ
ウム（ＡｌＣｌ3）に変わる。生成された三塩化アルミ
ニウムは気相状態に残留する。したがって、酸化アルミ
ニウム層の下部物質層１１０の表面には四メチルチタニ
ウム及びＴＭＡが分布されて吸着された状態を示すこと
になる。
化チタニウムは吸着された状態で四メチルチタニウム
（Ｔｉ（ＣＨ3）4）に変わり、ＴＭＡは三塩化アルミニ
ウム（ＡｌＣｌ3）に変わる。生成された三塩化アルミ
ニウムは気相状態に残留する。したがって、酸化アルミ
ニウム層の下部物質層１１０の表面には四メチルチタニ
ウム及びＴＭＡが分布されて吸着された状態を示すこと
になる。
【００４１】次に、第２パージを行い（５０４）、気相
状態に残留する三塩化アルミニウムまたは吸着されずに
残留したり物理的に吸着しているＴＭＡなどを排出す
る。このとき、第２パージ段階５０４は第１パージ段階
５０１のように行われるが、必要ならばパージ時間を異
にしても良い。例えば、本発明の実施形態では、第２パ
ージ段階５０４のパージ持続時間を約２秒間とする。
状態に残留する三塩化アルミニウムまたは吸着されずに
残留したり物理的に吸着しているＴＭＡなどを排出す
る。このとき、第２パージ段階５０４は第１パージ段階
５０１のように行われるが、必要ならばパージ時間を異
にしても良い。例えば、本発明の実施形態では、第２パ
ージ段階５０４のパージ持続時間を約２秒間とする。
【００４２】次に、酸化剤を反応剤として供給する（５
０５）。例えば、水蒸気（Ｈ2Ｏ）などを約０．２秒間
供給する。水蒸気などは下部物質層１１０上に吸着され
ているＴＭＡ及び四メチルチタニウムと次の反応式２に
示すように反応する。
０５）。例えば、水蒸気（Ｈ2Ｏ）などを約０．２秒間
供給する。水蒸気などは下部物質層１１０上に吸着され
ているＴＭＡ及び四メチルチタニウムと次の反応式２に
示すように反応する。
【００４３】 Ｔｉ（ＣＨ3）4＋２Ａｌ（ＣＨ3）4＋５Ｈ2Ｏ →ＴｉＯ2（ｓ）＋Ａｌ2Ｏ3（ｓ）＋１０ＣＨ4…反応式２ すなわち、吸着された状態のＴＭＡ及び四メチルチタニ
ウムは水蒸気と反応してそれぞれ酸化物の形に変わる。
例えば、二酸化チタニウム（ＴｉＯ2）及び三酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの酸化チタニウム相及び酸化
アルミニウム相に各々置換される。このような酸化チタ
ニウム相及び酸化アルミニウム相は、下部物質層１１０
の表面に蒸着された状態を保つことになる。
ウムは水蒸気と反応してそれぞれ酸化物の形に変わる。
例えば、二酸化チタニウム（ＴｉＯ2）及び三酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの酸化チタニウム相及び酸化
アルミニウム相に各々置換される。このような酸化チタ
ニウム相及び酸化アルミニウム相は、下部物質層１１０
の表面に蒸着された状態を保つことになる。
【００４４】このとき、反応副産物としてメタンガス
（ＣＨ4）が発生する。これを排出するために、第３パ
ージを約３秒間行う（５０６）。こうして組成転移層１
３０を形成するＡＬＤ工程の一つの反応サイクルが完了
する。このような反応サイクルによって蒸着される酸化
アルミニウム相及び酸化チタニウム相の両方を含む固溶
層は約０．５Å〜３Åの厚さをもつことができる。
（ＣＨ4）が発生する。これを排出するために、第３パ
ージを約３秒間行う（５０６）。こうして組成転移層１
３０を形成するＡＬＤ工程の一つの反応サイクルが完了
する。このような反応サイクルによって蒸着される酸化
アルミニウム相及び酸化チタニウム相の両方を含む固溶
層は約０．５Å〜３Åの厚さをもつことができる。
【００４５】そして、このような反応サイクルを多数回
繰り返すことにより組成転移層１３０の厚さを所望の厚
さまで成長させることができる。また、それぞれの反応
サイクルにおいて、パージ持続時間、チタニウムソース
を与える段階（５０１）またはアルミニウムソースを与
える段階（５０３）での持続時間、すなわち、パルシン
グ時間を変えることで、組成転移層１３０に濃度勾配を
与えつつ所望の厚さまで成長させることができる。
繰り返すことにより組成転移層１３０の厚さを所望の厚
さまで成長させることができる。また、それぞれの反応
サイクルにおいて、パージ持続時間、チタニウムソース
を与える段階（５０１）またはアルミニウムソースを与
える段階（５０３）での持続時間、すなわち、パルシン
グ時間を変えることで、組成転移層１３０に濃度勾配を
与えつつ所望の厚さまで成長させることができる。
【００４６】図６を参照すれば、前記したような反応サ
イクルを行うことにより、下部物質層１１０上に第１サ
ブ組成転移層１３１を形成できる。次に、前述した反応
サイクルを工程条件を異ならしめて行うことにより、第
２サブ組成転移層１３２を第１サブ組成転移層１３１上
に形成できる。例えば、四塩化チタニウムを与える段階
（５０１）の持続時間を変えて供給される四塩化チタニ
ウムの量を変化させたり、あるいはＴＭＡを与える段階
（５０３）の持続時間を変えて供給されるＴＭＡの量を
変えて第２サブ組成転移層１３２の組成比を第１サブ組
成転移層１３１の組成比と異ならしめることができる。
イクルを行うことにより、下部物質層１１０上に第１サ
ブ組成転移層１３１を形成できる。次に、前述した反応
サイクルを工程条件を異ならしめて行うことにより、第
２サブ組成転移層１３２を第１サブ組成転移層１３１上
に形成できる。例えば、四塩化チタニウムを与える段階
（５０１）の持続時間を変えて供給される四塩化チタニ
ウムの量を変化させたり、あるいはＴＭＡを与える段階
（５０３）の持続時間を変えて供給されるＴＭＡの量を
変えて第２サブ組成転移層１３２の組成比を第１サブ組
成転移層１３１の組成比と異ならしめることができる。
【００４７】より詳細に説明すれば、第１サブ組成転移
層１３１を前記図５のタイミング図の反応サイクルを従
って形成した後に、第２サブ組成転移層１３２を形成す
る反応サイクルでは四塩化チタニウムを与える段階（５
０１）の持続時間を増やす。そして、ＴＭＡを与える段
階（５０３）の持続時間を短縮させる。また、第１パー
ジ段階（５０２）または第２パージ段階（５０４）の持
続時間を調節する。
層１３１を前記図５のタイミング図の反応サイクルを従
って形成した後に、第２サブ組成転移層１３２を形成す
る反応サイクルでは四塩化チタニウムを与える段階（５
０１）の持続時間を増やす。そして、ＴＭＡを与える段
階（５０３）の持続時間を短縮させる。また、第１パー
ジ段階（５０２）または第２パージ段階（５０４）の持
続時間を調節する。
【００４８】こうすることによって、与えられる四塩化
チタニウムの量が相対的に増えるので、結局、形成され
る第２サブ組成転移層１３２での酸化チタニウム相の量
またはチタニウムの量を相対的に増加できる。結果とし
て、第２サブ組成転移層１３２は、前記した第１サブ組
成転移層１３１に比べて、酸化アルミニウムに対する酸
化チタニウムの割合が大きい組成をもつことになる。
チタニウムの量が相対的に増えるので、結局、形成され
る第２サブ組成転移層１３２での酸化チタニウム相の量
またはチタニウムの量を相対的に増加できる。結果とし
て、第２サブ組成転移層１３２は、前記した第１サブ組
成転移層１３１に比べて、酸化アルミニウムに対する酸
化チタニウムの割合が大きい組成をもつことになる。
【００４９】このように図５を参照して説明した反応サ
イクルを、前述したように関連した反応変数を制御しな
がら繰り返すことにより、酸化アルミニウムに対する酸
化チタニウムの割合が順次大きくなるように第３サブ組
成転移層１３３、第４サブ組成転移層１３４、第５サブ
組成転移層１３５または第６サブ組成転移層１３６を順
次形成することができる。したがって、組成転移層１３
０が図４に示されたような濃度勾配を持つように誘導で
きる。一方、サブ組成転移層を形成するために反応サイ
クルの繰り返し回数を制御することにより、組成転移層
１３０の全体的な厚さを制御できる。
イクルを、前述したように関連した反応変数を制御しな
がら繰り返すことにより、酸化アルミニウムに対する酸
化チタニウムの割合が順次大きくなるように第３サブ組
成転移層１３３、第４サブ組成転移層１３４、第５サブ
組成転移層１３５または第６サブ組成転移層１３６を順
次形成することができる。したがって、組成転移層１３
０が図４に示されたような濃度勾配を持つように誘導で
きる。一方、サブ組成転移層を形成するために反応サイ
クルの繰り返し回数を制御することにより、組成転移層
１３０の全体的な厚さを制御できる。
【００５０】なお、図５では、チタニウムソースを与え
る段階（５０１）がアルミニウムソースを与える段階
（５０３）前に行われる場合を示しているが、アルミニ
ウムソースを与える段階がチタニウムソースを与える段
階前に行われても良い。または、チタニウムソースを与
える段階（５０１）後であって、アルミニウムソースを
与える段階（５０３）前に、酸化剤などの反応剤を与え
る段階（５０５）が行われても良い。この場合には、酸
化チタニウム相が蒸着された下部物質層１１０（酸化ア
ルミニウム層）上に、後続するアルミニウムソースを与
える段階で供給されるアルミニウムソースが吸着される
ことになる。したがって、アルミニウムソースを供給す
る段階後に酸化剤を供給する段階がさらに追加されて酸
化アルミニウム相を蒸着することになるので、結果とし
ては、酸化アルミニウム相及び酸化チタニウム相の両方
をもつサブ組成転移層が形成できる。
る段階（５０１）がアルミニウムソースを与える段階
（５０３）前に行われる場合を示しているが、アルミニ
ウムソースを与える段階がチタニウムソースを与える段
階前に行われても良い。または、チタニウムソースを与
える段階（５０１）後であって、アルミニウムソースを
与える段階（５０３）前に、酸化剤などの反応剤を与え
る段階（５０５）が行われても良い。この場合には、酸
化チタニウム相が蒸着された下部物質層１１０（酸化ア
ルミニウム層）上に、後続するアルミニウムソースを与
える段階で供給されるアルミニウムソースが吸着される
ことになる。したがって、アルミニウムソースを供給す
る段階後に酸化剤を供給する段階がさらに追加されて酸
化アルミニウム相を蒸着することになるので、結果とし
ては、酸化アルミニウム相及び酸化チタニウム相の両方
をもつサブ組成転移層が形成できる。
【００５１】そして、以上のように組成転移層１３０を
形成した後、その上に、図３を参照して説明したよう
に、上部物質層１５０を形成できる。例えば、酸化チタ
ニウム層の上部物質層１５０をＡＬＤ方法により形成で
きる。
形成した後、その上に、図３を参照して説明したよう
に、上部物質層１５０を形成できる。例えば、酸化チタ
ニウム層の上部物質層１５０をＡＬＤ方法により形成で
きる。
【００５２】このとき、上部物質層１５０に接する組成
転移層１３０の部分、例えば、図６の第６サブ組成転移
層１３６は、その下部のサブ組成転移層に比べて酸化チ
タニウムの含量が極めて高い。したがって、蒸着される
上部物質層１５０の酸化チタニウム層は実質的に酸化チ
タニウム上に蒸着されることと同じような蒸着効果を得
ることができる。したがって、島状成長メカニズムより
均一な成長メカニズムに従って成長させることができ
る。これにより、上部物質層１５０はより均一な膜質に
成長できる。
転移層１３０の部分、例えば、図６の第６サブ組成転移
層１３６は、その下部のサブ組成転移層に比べて酸化チ
タニウムの含量が極めて高い。したがって、蒸着される
上部物質層１５０の酸化チタニウム層は実質的に酸化チ
タニウム上に蒸着されることと同じような蒸着効果を得
ることができる。したがって、島状成長メカニズムより
均一な成長メカニズムに従って成長させることができ
る。これにより、上部物質層１５０はより均一な膜質に
成長できる。
【００５３】また、このような多重膜１００がキャパシ
タの誘電体として用いられる場合、前記したような下部
物質層１１０、組成転移層１３０及び上部物質層１５０
の構造が繰り返されるように多重膜１００を構成でき
る。
タの誘電体として用いられる場合、前記したような下部
物質層１１０、組成転移層１３０及び上部物質層１５０
の構造が繰り返されるように多重膜１００を構成でき
る。
【００５４】図７を参照すれば、下部物質層１１０、組
成転移層１３０及び上部物質層１５０を順次形成した
後、これらの段階をさらに繰り返すことができる。例え
ば、酸化アルミニウム層として下部物質層１１０を形成
し、組成転移層１３０を導入した後、上部物質層１５０
として酸化チタニウム層を形成し、酸化チタニウム層の
上部物質層１５０上に酸化アルミニウム層の他の下部物
質層１１０’を形成できる。
成転移層１３０及び上部物質層１５０を順次形成した
後、これらの段階をさらに繰り返すことができる。例え
ば、酸化アルミニウム層として下部物質層１１０を形成
し、組成転移層１３０を導入した後、上部物質層１５０
として酸化チタニウム層を形成し、酸化チタニウム層の
上部物質層１５０上に酸化アルミニウム層の他の下部物
質層１１０’を形成できる。
【００５５】この場合、前記酸化チタニウム層の上部物
質層１５０と酸化アルミニウム層の他の下部物質層１１
０’との間にも他の組成転移層が導入できるが、一般的
に酸化チタニウム層上で酸化アルミニウム層は均一に成
長できると知られている。したがって、前記した酸化チ
タニウム層の上部物質層１５０と酸化アルミニウム層の
他の下部物質層１１０’との間には組成転移層の導入が
省略できる。
質層１５０と酸化アルミニウム層の他の下部物質層１１
０’との間にも他の組成転移層が導入できるが、一般的
に酸化チタニウム層上で酸化アルミニウム層は均一に成
長できると知られている。したがって、前記した酸化チ
タニウム層の上部物質層１５０と酸化アルミニウム層の
他の下部物質層１１０’との間には組成転移層の導入が
省略できる。
【００５６】このように形成された酸化アルミニウム層
の他の下部物質層１１０’上に他の組成転移層１３０’
を導入し、その上にさらに酸化チタニウム層の他の上部
物質層１５０’を導入できる。もちろん、他の上部物質
層１５０’上にさらに他の下部物質層１１０”などを導
入しても良い。このように、下部物質層１１０、組成転
移層１３０及び上部物質層１５０を順次形成する段階を
繰り返し行うことにより、より厚い多重膜１１０を形成
できる。
の他の下部物質層１１０’上に他の組成転移層１３０’
を導入し、その上にさらに酸化チタニウム層の他の上部
物質層１５０’を導入できる。もちろん、他の上部物質
層１５０’上にさらに他の下部物質層１１０”などを導
入しても良い。このように、下部物質層１１０、組成転
移層１３０及び上部物質層１５０を順次形成する段階を
繰り返し行うことにより、より厚い多重膜１１０を形成
できる。
【００５７】一般的に、キャパシタの誘電体として前記
多重膜１００を用いる場合、多重膜１００の全体の厚さ
は約２０Å〜１００Åに形成できる。好ましくは、約６
０Åの厚さで形成する。この場合、前記した酸化アルミ
ニウム層の下部物質層１１０または酸化チタニウム層の
上部物質層１５０は各々約数Å、例えば、約２Å〜５Å
に形成し、組成転移層１３０は約２Å〜５Åの厚さで形
成する。なお、組成転移層１３０をなすサブ組成転移層
は約０．５Å〜２Åの厚さで形成できる。
多重膜１００を用いる場合、多重膜１００の全体の厚さ
は約２０Å〜１００Åに形成できる。好ましくは、約６
０Åの厚さで形成する。この場合、前記した酸化アルミ
ニウム層の下部物質層１１０または酸化チタニウム層の
上部物質層１５０は各々約数Å、例えば、約２Å〜５Å
に形成し、組成転移層１３０は約２Å〜５Åの厚さで形
成する。なお、組成転移層１３０をなすサブ組成転移層
は約０．５Å〜２Åの厚さで形成できる。
【００５８】多重膜１００は、前述したように、下部物
質層１１０、組成転移層１３０及び上部物質層１５０を
順次形成した後、これらの段階を繰り返して所望の厚さ
に成長できる。したがって、下部物質層１１０、組成転
移層１３０及び上部物質層１５０のそれぞれの厚さはそ
の物質固有の特性を保てる最小限の厚さで形成されるこ
とが好ましい。なぜなら、多重膜１００が誘電体として
用いられる場合、前記した下部物質層１１０、組成転移
層１３０及び上部物質層１５０のそれぞれの厚さが最小
化するとき、最大の誘電率を示すからである。
質層１１０、組成転移層１３０及び上部物質層１５０を
順次形成した後、これらの段階を繰り返して所望の厚さ
に成長できる。したがって、下部物質層１１０、組成転
移層１３０及び上部物質層１５０のそれぞれの厚さはそ
の物質固有の特性を保てる最小限の厚さで形成されるこ
とが好ましい。なぜなら、多重膜１００が誘電体として
用いられる場合、前記した下部物質層１１０、組成転移
層１３０及び上部物質層１５０のそれぞれの厚さが最小
化するとき、最大の誘電率を示すからである。
【００５９】本発明の実施形態による半導体素子のキャ
パシタは、本発明の実施形態による多重膜１００がキャ
パシタの誘電体として利用できることを示す。しかし、
本発明の実施形態による多重膜１００は、キャパシタの
誘電体としてのみ用いられるものではない。
パシタは、本発明の実施形態による多重膜１００がキャ
パシタの誘電体として利用できることを示す。しかし、
本発明の実施形態による多重膜１００は、キャパシタの
誘電体としてのみ用いられるものではない。
【００６０】図８を参照すれば、半導体基板８１０及び
絶縁膜８２０とが絶縁され、半導体基板８１０の活性領
域に導電性プラグ８３０により電気的に接続される下部
電極８４０が形成される。下部電極８４０はキャパシタ
の誘電体の有効面積を増やすために、図示されたよう
に、円筒形構造のような３次元的な形状を持つことが好
ましい。
絶縁膜８２０とが絶縁され、半導体基板８１０の活性領
域に導電性プラグ８３０により電気的に接続される下部
電極８４０が形成される。下部電極８４０はキャパシタ
の誘電体の有効面積を増やすために、図示されたよう
に、円筒形構造のような３次元的な形状を持つことが好
ましい。
【００６１】下部電極８４０上に、前述したような多重
膜１００を誘電体として導入する。このような多重膜１
００は、図３または図７に示されたように、二つの膜質
の間に組成転移層（図３または図７の１３０）が導入さ
れるので、均一な膜質特性を示すことができる。
膜１００を誘電体として導入する。このような多重膜１
００は、図３または図７に示されたように、二つの膜質
の間に組成転移層（図３または図７の１３０）が導入さ
れるので、均一な膜質特性を示すことができる。
【００６２】また、多重膜１００をなす下部物質層１１
０に酸化アルミニウム層を導入し、かつ、上部物質層１
５０として酸化チタニウム層を導入する場合、多重膜１
００全体は、増加した有効誘電定数を有することができ
る。すなわち、酸化アルミニウム層は誘電物質であり、
酸化チタニウムは導電物質であるから、多重膜１００
は、酸化アルミニウム層または酸化チタニウム層のそれ
ぞれの固有の誘電率よりも高い誘電率を具現できる。酸
化アルミニウム層または酸化チタニウム層のそれぞれの
固有の誘電率よりも約３倍高い誘電率を多重膜１００は
具現できる。
０に酸化アルミニウム層を導入し、かつ、上部物質層１
５０として酸化チタニウム層を導入する場合、多重膜１
００全体は、増加した有効誘電定数を有することができ
る。すなわち、酸化アルミニウム層は誘電物質であり、
酸化チタニウムは導電物質であるから、多重膜１００
は、酸化アルミニウム層または酸化チタニウム層のそれ
ぞれの固有の誘電率よりも高い誘電率を具現できる。酸
化アルミニウム層または酸化チタニウム層のそれぞれの
固有の誘電率よりも約３倍高い誘電率を多重膜１００は
具現できる。
【００６３】その一方、このような多重膜１００は、前
述したように、ＡＬＤ方法により蒸着できる。したがっ
て、ＡＬＤ方法の特性に起因する高い段差塗布性を多重
膜１００は示すことができる。したがって、下部電極８
４０が高い段差をもつ３次元構造よりなるとしても、下
部電極８４０の表面に沿って均一に多重膜１００を蒸着
できる。
述したように、ＡＬＤ方法により蒸着できる。したがっ
て、ＡＬＤ方法の特性に起因する高い段差塗布性を多重
膜１００は示すことができる。したがって、下部電極８
４０が高い段差をもつ３次元構造よりなるとしても、下
部電極８４０の表面に沿って均一に多重膜１００を蒸着
できる。
【００６４】このような多重膜１００上に上部電極８５
０が導入されて半導体素子のキャパシタが完成される。
０が導入されて半導体素子のキャパシタが完成される。
【００６５】前述したように、本発明の実施形態を酸化
アルミニウム層及び酸化チタニウム層を各々多重膜に含
まれる下部物質層及び上部物質層の例として説明した。
しかし、本発明の実施形態で説明された相異なる物質層
の間に前記両物質を含む組成転移層は、相異なる物質よ
りなる下部物質層及び上部物質層の間に導入できる。例
えば、下部物質層及び上部物質層は、それぞれアルミニ
ウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、セリウム（Ｃｅ）、チタニウム、イットリウム
（Ｙ）、タンタル（Ｔａ）またはニオビウム（Ｎｂ）な
どの酸化物または窒化物よりなり得る。このとき、前記
下部物質層及び上部物質層の各々は相異なる化合物より
なり、その界面に導入される組成転移層は前記化合物を
いずれも含むように形成される。
アルミニウム層及び酸化チタニウム層を各々多重膜に含
まれる下部物質層及び上部物質層の例として説明した。
しかし、本発明の実施形態で説明された相異なる物質層
の間に前記両物質を含む組成転移層は、相異なる物質よ
りなる下部物質層及び上部物質層の間に導入できる。例
えば、下部物質層及び上部物質層は、それぞれアルミニ
ウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、セリウム（Ｃｅ）、チタニウム、イットリウム
（Ｙ）、タンタル（Ｔａ）またはニオビウム（Ｎｂ）な
どの酸化物または窒化物よりなり得る。このとき、前記
下部物質層及び上部物質層の各々は相異なる化合物より
なり、その界面に導入される組成転移層は前記化合物を
いずれも含むように形成される。
【００６６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、相
異なる作用パラメータをもつ下部物質層及び上部物質層
の界面に組成転移層を導入することにより、上部物質層
が均一な膜質特性を示すように誘導できる。したがっ
て、前記下部物質層、組成転移層及び上部物質層が多数
回繰り返し積層された多重膜をキャパシタの誘電体とし
て用いることにより、キャパシタの静電容量を増やすこ
とができる。
異なる作用パラメータをもつ下部物質層及び上部物質層
の界面に組成転移層を導入することにより、上部物質層
が均一な膜質特性を示すように誘導できる。したがっ
て、前記下部物質層、組成転移層及び上部物質層が多数
回繰り返し積層された多重膜をキャパシタの誘電体とし
て用いることにより、キャパシタの静電容量を増やすこ
とができる。
【００６７】以上、本発明を具体的な実施形態を通じて
詳細に説明したが、本発明はこれに限定されることな
く、本発明の技術的な思想内において当分野の通常の知
識を有する者によってその変形や改良が可能である。
詳細に説明したが、本発明はこれに限定されることな
く、本発明の技術的な思想内において当分野の通常の知
識を有する者によってその変形や改良が可能である。
【図１】 島状成長メカニズムを説明するための概略断
面図である。
面図である。
【図２】 島状成長メカニズムを説明するための概略断
面図である。
面図である。
【図３】 本発明の実施形態による多重膜を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図４】 図３の多重膜内の組成変化を説明するための
濃度プロファイルである。
濃度プロファイルである。
【図５】 本発明の実施形態による組成転移層を形成す
る方法を説明するための概略タイミング図である。
る方法を説明するための概略タイミング図である。
【図６】 図５に示した反応サイクルを繰り返し行って
形成される組成転移層を説明するための概略断面図であ
る。
形成される組成転移層を説明するための概略断面図であ
る。
【図７】 本発明の実施形態による下部物質層、組成転
移層及び上部物質層の構造が繰り返される多重膜を説明
するための概略断面図である。
移層及び上部物質層の構造が繰り返される多重膜を説明
するための概略断面図である。
【図８】 本発明の実施形態による半導体素子のキャパ
シタを説明するための断面図である。
シタを説明するための断面図である。
１００…多重膜、 １１０（１１０’１１０”）…下部物質層、 １３０（１３０’）…組成転移層、 １３１〜１３６…サブ組成転移層、 １５０（１５０’）…上部物質層、 ８１０…半導体基盤、 ８２０…絶縁膜、 ８３０…導電性プラグ、 ８４０…下部電極、 ８５０…上部電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/8242 (72)発明者 朴 興 秀 大韓民国ソウル特別市松坡区芳▲てい▼洞 オリンピックアパート319棟1601号 (72)発明者 李 相 ▲忍▼ 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘２洞 韓 国１次アパート104棟706号
Claims (29)
- 【請求項１】 相異なる物質元素をそれぞれ含んでなる
下部物質層及び上部物質層と、 前記下部物質層及び前記上部物質層の界面に前記上部物
質層をなす元素及び前記下部物質層をなす元素の両方を
含んで導入されて、前記下部物質層上から前記上部物質
層に至るまでの濃度勾配を持って、前記上部物質層に隣
接する部分で前記上部物質層を構成する元素の濃度が相
対的に大きい組成転移層と、 を含むことを特徴とする薄膜構造ための多重膜。 - 【請求項２】 前記下部物質層は、 アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チ
タニウム、イットリウム、タンタル及びニオビウムのう
ち何れか一種の酸化物または窒化物よりなることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜構造のための多重膜。 - 【請求項３】 前記上部物質層は、 アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チ
タニウム、イットリウム、タンタル及びニオビウムのう
ち何れか一種の酸化物または窒化物よりなることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜構造のための多重膜。 - 【請求項４】 前記下部物質層は酸化アルミニウム層で
あり、前記上部物質層は酸化チタニウム層であることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜構造のための多重膜。 - 【請求項５】 前記組成転移層は、 酸化チタニウム相及び酸化アルミニウム相が混合された
固溶体よりなることを特徴とする請求項４に記載の薄膜
構造のための多重膜。 - 【請求項６】 前記組成転移層は、 前記酸化アルミニウム層上から前記酸化チタニウム層に
至るまでの濃度勾配を持って、前記酸化チタニウム層に
隣接する部分において前記酸化チタニウム相が相対的に
大きい濃度で存在することを特徴とする請求項５に記載
の薄膜構造のための多重膜。 - 【請求項７】 前記下部物質層、前記組成転移層及び前
記上部物質層が順次積層されて繰り返されることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜構造のための多重膜。 - 【請求項８】 下部物質層上に組成転移層を形成する段
階と、 前記組成転移層上に前記下部物質層に含まれる元素以外
の少なくとも一つの物質元素を含む上部物質層を形成す
る段階とを含んで、 前記組成転移層は前記下部物質層及び前記上部物質層の
界面に前記上部物質層をなす元素及び前記下部物質層を
なす元素の両方を含んで導入されて前記下部物質層上か
ら前記上部物質層に至るまでの濃度勾配を持って、前記
上部物質層に隣接する部分で前記上部物質層を構成する
元素の濃度が相対的に大きいことを特徴とする薄膜構造
のための多重膜を製造する方法。 - 【請求項９】 前記下部物質層は、 アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チ
タニウム、イットリウム、タンタル及びニオビウムのう
ち何れか一種の酸化物または窒化物よりなることを特徴
とする請求項８に記載の薄膜のための多重膜を製造する
方法。 - 【請求項１０】 前記上部物質層は、 アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チ
タニウム、イットリウム、タンタル及びニオビウムのう
ち何れか一種の酸化物または窒化物よりなることを特徴
とする請求項８に記載の薄膜構造のための多重膜を製造
する方法。 - 【請求項１１】 前記組成転移層を形成する段階は、 前記上部物質層をなす元素を含む上部物質ソースを前記
下部物質層上に与えて前記下部物質層上に吸着させる段
階と、 前記残留する上部物質ソースを排出する第１パージ段階
と、 前記下部物質層をなす元素を含む下部物質ソースを前記
下部物質層上に与えて前記下部物質層上に吸着させる
か、あるいは前記吸着された上部物質ソースと反応させ
る段階と、 前記残留する下部物質ソース及び反応副産物を排出する
第２パージ段階と、 前記吸着された前記上部物質ソースまたは前記反応され
た上部物質ソース、及び吸着された下部物質ソースに反
応剤を与えて前記組成転移層をなす生成物を蒸着する段
階と、 前記反応剤との反応によって発生する反応副産物を排出
する第３パージ段階とを含んでなる反応サイクルを含む
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜構造のための多
重膜を製造する方法。 - 【請求項１２】 前記組成転移層を形成する段階は、 前記反応サイクルを多数回繰り返して行い、繰り返され
る各反応サイクルをそれぞれ順次変化する条件で行っ
て、各反応サイクルによって生成する生成物の組成を各
反応サイクル別に順次異ならしめて前記組成転移層に濃
度勾配を持たせることを特徴とする請求項１１に記載の
薄膜構造のための多重膜を製造する方法。 - 【請求項１３】 前記組成転移層を形成する段階は、 前記上部物質層をなす元素を含む上部物質ソースを与え
る段階と、 前記上部物質ソースを与える段階前または後にパージ段
階をさらに行い、前記下部物質層をなす元素を含む下部
物質ソースを与える段階と、 前記下部物質ソースを与える段階後または前記上部物質
ソースを与える段階後にパージ段階をさらに行い、前記
下部物質ソース及び前記上部物質ソースと反応する反応
剤を与える段階とを含んでなる反応サイクルを含むこと
を特徴とする請求項８に記載の薄膜構造のための多重膜
を製造する方法。 - 【請求項１４】 前記組成転移層を形成する段階は、 前記反応サイクルを多数回繰り返し行うが、それぞれの
繰り返される反応サイクルをそれぞれ順次変化する他の
条件で行って、それぞれの反応サイクルによって生成す
る生成物の組成をそれぞれの反応サイクル別に順次異な
らしめて前記組成転移層に濃度勾配を持たせることを特
徴とする請求項１３に記載の薄膜構造のための多重膜を
製造する方法。 - 【請求項１５】 前記下部物質層は酸化アルミニウム層
であり、 前記上部物質層は酸化チタニウム層であることを特徴と
する請求項８に記載の薄膜構造のための多重膜を製造す
る方法。 - 【請求項１６】 前記組成転移層を形成する段階は、 チタニウムソースを前記酸化アルミニウム層上に与えて
吸着させる段階と、 前記残留するチタニウムソースを排出する第１パージ段
階と、 アルミニウムソースを前記酸化アルミニウム層上に与え
て前記チタニウムソースと反応させるか、あるいは前記
酸化アルミニウム層上に吸着させる段階と、 前記残留するアルミニウムソース及び反応副産物を排出
する第２パージ段階と、 前記吸着された前記チタニウムソースまたは反応された
チタニウムソース、及び吸着されたアルミニウムソース
に酸化反応のための反応剤を与えて酸化チタニウム相及
び酸化アルミニウム相の両方を含む組成転移層を蒸着す
る段階と、 前記反応剤との反応によって発生する反応副産物を排出
する第３パージ段階とを含んでなる反応サイクルを含む
ことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜構造のための
多重膜を製造する方法。 - 【請求項１７】 前記組成転移層を形成する段階は、 前記反応サイクルを多数回繰り返し行い、繰り返される
各反応サイクルをそれぞれ異なる条件で行って、各反応
サイクルによって生成する前記酸化アルミニウム相及び
前記酸化チタニウム相の組成比を各反応サイクル別に異
ならしめて前記組成転移層に濃度勾配を持たせることを
特徴とする請求項１６に記載の薄膜構造のための多重膜
を製造する方法。 - 【請求項１８】 前記下部物質層、前記組成転移層及び
前記上部物質層を順次形成する段階が多数回繰り返され
ることを特徴とする請求項８に記載の薄膜構造のための
多重膜を製造する方法。 - 【請求項１９】 半導体基板上に形成された下部電極
と、 前記下部電極上に形成されて誘電体として用いられ、相
異なる物質元素を含んでなる下部物質層及び上部物質層
と、前記下部物質層及び前記上部物質層の界面に前記上
部物質層をなす元素及び前記下部物質層をなす元素を共
に含有して導入されて前記下部物質層上から前記上部物
質層に至るまでの濃度勾配を持って、前記上部物質層に
隣接する部分で前記上部物質層を構成する元素の濃度が
相対的に大きい組成転移層とを含む多重膜と、 前記多重膜上に形成された上部電極とを含むことを特徴
とする半導体素子のキャパシタ。 - 【請求項２０】 前記下部物質層は、 アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チ
タニウム、イットリウム、タンタル及びニオビウムのう
ちいずれか一種の酸化物または窒化物よりなることを特
徴とする請求項１９に記載の半導体素子のキャパシタ。 - 【請求項２１】 前記上部物質層は、 アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チ
タニウム、イットリウム、タンタル及びニオビウムのう
ちいずれか一種の酸化物または窒化物よりなることを特
徴とする請求項１９に記載の半導体素子のキャパシタ。 - 【請求項２２】 前記下部物質層は酸化アルミニウム層
であり、前記上部物質層は酸化チタニウム層であり、 前記組成転移層は酸化チタニウム相及び酸化アルミニウ
ム相が混合された固溶体よりなることを特徴とする請求
項１９に記載の半導体素子のキャパシタ。 - 【請求項２３】 前記組成転移層は、 前記酸化アルミニウム層上から前記酸化チタニウム層に
至るまでの濃度勾配を持って、前記酸化チタニウム層に
隣接する部分において前記酸化チタニウム相が相対的に
大きい濃度で存在することを特徴とする請求項２２に記
載の半導体素子のキャパシタ。 - 【請求項２４】 前記多重膜は、 前記下部物質層、前記組成転移層及び前記上部物質層の
順次積層された構造が多数回繰り返されてなることを特
徴とする請求項１９に記載の半導体素子のキャパシタ。 - 【請求項２５】 半導体基板上に下部電極を形成する段
階と、 前記下部電極上に相異なる物質元素を含んでなる下部物
質層及び上部物質層と、前記下部物質層及び前記上部物
質層の界面に前記上部物質層をなす元素及び前記下部物
質層をなす元素を共に含有して導入されて前記下部物質
層上から前記上部物質層に至るまで濃度勾配を持って、
前記上部物質層に隣接する部分で前記上部物質層を構成
する元素の濃度が相対的に大きい組成転移層とを含む多
重膜を誘電体として形成する段階と、 前記多重膜上に上部電極を形成する段階とを含む半導体
素子のキャパシタ製造方法。 - 【請求項２６】 前記下部物質層は酸化アルミニウム層
であり、 前記上部物質層は酸化チタニウム層であることを特徴と
する請求項２５に記載の半導体素子のキャパシタ製造方
法。 - 【請求項２７】 前記多重膜を形成する段階において、
前記組成転移層は、 チタニウムソースを前記酸化アルミニウム層上に与えて
吸着させる段階と、 前記残留するチタニウムソースを排出する第１パージ段
階と、 アルミニウムソースを前記酸化アルミニウム層上に与え
て前記チタニウムソースと反応させるか、あるいは前記
酸化アルミニウム層上に吸着させる段階と、 前記残留するアルミニウムソース及び反応副産物を排出
する第２パージ段階と、 前記吸着された前記チタニウムソースまたは反応された
チタニウムソース、及び吸着されたアルミニウムソース
に酸化反応のための反応剤を与えて酸化チタニウム相及
び酸化アルミニウム相の両方を含む組成転移層を蒸着す
る段階と、 前記反応剤との反応によって発生する反応副産物を排出
する第３パージ段階とを含んでなる反応サイクルによっ
て形成されることを特徴とする請求項２５に記載の半導
体素子のキャパシタ構造製造方法。 - 【請求項２８】 前記組成転移層は、 前記反応サイクルを多数回繰り返して行い、繰り返され
る各反応サイクルをそれぞれ異なる条件で行って、 それぞれの反応サイクルによって生成する前記酸化アル
ミニウム相及び前記酸化チタニウム相の組成比をそれぞ
れの反応サイクル別に異ならしめて前記組成転移層に濃
度勾配を持たせることによって形成されることを特徴と
する請求項２７に記載の半導体素子のキャパシタ製造方
法。 - 【請求項２９】 前記多重膜を形成する段階は、 前記下部物質層、前記組成転移層及び前記上部物質層を
順次形成する段階を多数回繰り返すことを特徴とする請
求項２５に記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
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| KR1019990045316A KR100363084B1 (ko) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR99P45316 | 1999-10-19 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2000320000A Expired - Fee Related JP4092067B2 (ja) | 1999-10-19 | 2000-10-19 | 薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びそれらの製造方法 |
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| JP (1) | JP4092067B2 (ja) |
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