JP3182909B2 - 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法 - Google Patents
強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法Info
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Landscapes
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- Semiconductor Memories (AREA)
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に不揮発性メモリ装
置に使用される強誘電体薄膜の製造方法に関し、特に鉛
を１成分として含む強誘電体薄膜の製造方法に関する。
置に使用される強誘電体薄膜の製造方法に関し、特に鉛
を１成分として含む強誘電体薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第６４巻、１４８４項〜１４９
３項に記載されていた様に、強誘電体メモリ装置等に使
用される強誘電体キャパシタには、組成比が一様な前駆
体薄膜を形成した後アニールし、強誘電体薄膜を形成し
ていた。
イド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第６４巻、１４８４項〜１４９
３項に記載されていた様に、強誘電体メモリ装置等に使
用される強誘電体キャパシタには、組成比が一様な前駆
体薄膜を形成した後アニールし、強誘電体薄膜を形成し
ていた。
【０００３】図２の断面構造図を基に従来例を説明す
る。
る。
【０００４】すなわち、シリコン基板１０１上に下部電
極１０３を形成し、下部電極１０３上に酸化鉛を過剰に
含む、一様な組成比を持つ強誘電体薄膜の前駆体である
ＰＺＴ２００をスパッタ法により形成した後、ペロブス
カイト構造の強誘電相を得るため、５００℃から９００
℃の温度でアニールしていた。
極１０３を形成し、下部電極１０３上に酸化鉛を過剰に
含む、一様な組成比を持つ強誘電体薄膜の前駆体である
ＰＺＴ２００をスパッタ法により形成した後、ペロブス
カイト構造の強誘電相を得るため、５００℃から９００
℃の温度でアニールしていた。
【０００５】その後上部電極１１０を形成していた。
【０００６】この様に、スパッタ法に於て、強誘電体薄
膜を得るには、強誘電体の前駆体薄膜を形成した後に後
処理として５００℃から９００℃程度の温度で、酸素雰
囲気中で１時間程度アニールを行い完全な強誘電相、す
なわちペロブスカイト構造を得ていた。
膜を得るには、強誘電体の前駆体薄膜を形成した後に後
処理として５００℃から９００℃程度の温度で、酸素雰
囲気中で１時間程度アニールを行い完全な強誘電相、す
なわちペロブスカイト構造を得ていた。
【０００７】また、従来ゾル−ゲル法に於いてもＰＺＴ
を形成する場合、Ｐｂ、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム
（Ｚｒ）の金属アルコキシドを化学量論組成のモル比で
均一溶液とし、これを下部電極上に塗布し、その後、７
００℃で焼成してはじめて強誘電相を得ることが出来
る。
を形成する場合、Ｐｂ、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム
（Ｚｒ）の金属アルコキシドを化学量論組成のモル比で
均一溶液とし、これを下部電極上に塗布し、その後、７
００℃で焼成してはじめて強誘電相を得ることが出来
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来Ｐｂを１
成分として含む強誘電体薄膜を形成する場合、この様に
して下部電極上に形成された強誘電体の前駆体薄膜は、
アニール時に蒸気圧の高いＰｂが前駆体薄膜表面から蒸
発し、強誘電体薄膜の厚さ方向にＰｂの濃度分布が出来
てしまい、化学量論的組成に非常に近い一様な強誘電性
薄膜が有する特性に比べ、強誘電体薄膜の特性が著しく
劣化してしまうという問題点を有していた。
成分として含む強誘電体薄膜を形成する場合、この様に
して下部電極上に形成された強誘電体の前駆体薄膜は、
アニール時に蒸気圧の高いＰｂが前駆体薄膜表面から蒸
発し、強誘電体薄膜の厚さ方向にＰｂの濃度分布が出来
てしまい、化学量論的組成に非常に近い一様な強誘電性
薄膜が有する特性に比べ、強誘電体薄膜の特性が著しく
劣化してしまうという問題点を有していた。
【０００９】そこで、本発明は従来のこの様な課題を解
決しようとするもので、その目的とするところは、アニ
ール後に於いて強誘電体薄膜の厚さ方向のＰｂ濃度分布
の変化を少なくし薄膜全体に於いて一様な組成、すなわ
ち化学量論的組成に非常に近い膜を形成し、強誘電体特
性の非常に良い膜を得る強誘電体薄膜の製造方法を提供
するところにある。
決しようとするもので、その目的とするところは、アニ
ール後に於いて強誘電体薄膜の厚さ方向のＰｂ濃度分布
の変化を少なくし薄膜全体に於いて一様な組成、すなわ
ち化学量論的組成に非常に近い膜を形成し、強誘電体特
性の非常に良い膜を得る強誘電体薄膜の製造方法を提供
するところにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電体キャパ
シタの製造方法は、 （１）鉛（Ｐｂ）を一成分として含む強誘電体薄膜が下
部電極と上部電極の間に挟まれた構造を持つ強誘電体キ
ャパシタの製造方法において、前記下部電極上に前記強
誘電体薄膜または前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜を前記
下部電極側で鉛の濃度を低濃度に、前記上部電極側で鉛
の濃度を高濃度に形成する工程と、前記強誘電体薄膜ま
たは前記強誘電体の前駆体薄膜を熱処理によって結晶化
する工程と、前記上部電極を形成する工程を備えたこと
を特徴とする。 （２）鉛（Ｐｂ）を一成分として含む強誘電体薄膜が下
部電極と上部電極の間に挟まれた構造を持つ強誘電体キ
ャパシタの製造方法において、前記下部電極上に前記強
誘電体薄膜または前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜を前記
下部電極側で鉛の濃度を低濃度に、前記上部電極側で鉛
の濃度を高濃度に形成する工程と、前記強誘電体薄膜ま
たは前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜上に前記上部電極を
形成する工程と、前記強誘電体薄膜または前記強誘電体
の前駆体薄膜を熱処理によって結晶化する工程と、を備
えたことを特徴とする。 （３）上記の強誘電体薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ）、ランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺ
Ｔ）であることを特徴とする。 （４）上記前記強誘電体薄膜がスパッタ法で形成される
ことを特徴とする。 （５）上記前記強誘電体の前駆体薄膜がゾル−ゲル法で
形成されることを特徴とする。 （６）また、本発明の強誘電体メモリ装置の製造方法
は、上記の強誘電体キャパシタの製造方法を備えたこと
を特徴とする。
シタの製造方法は、 （１）鉛（Ｐｂ）を一成分として含む強誘電体薄膜が下
部電極と上部電極の間に挟まれた構造を持つ強誘電体キ
ャパシタの製造方法において、前記下部電極上に前記強
誘電体薄膜または前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜を前記
下部電極側で鉛の濃度を低濃度に、前記上部電極側で鉛
の濃度を高濃度に形成する工程と、前記強誘電体薄膜ま
たは前記強誘電体の前駆体薄膜を熱処理によって結晶化
する工程と、前記上部電極を形成する工程を備えたこと
を特徴とする。 （２）鉛（Ｐｂ）を一成分として含む強誘電体薄膜が下
部電極と上部電極の間に挟まれた構造を持つ強誘電体キ
ャパシタの製造方法において、前記下部電極上に前記強
誘電体薄膜または前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜を前記
下部電極側で鉛の濃度を低濃度に、前記上部電極側で鉛
の濃度を高濃度に形成する工程と、前記強誘電体薄膜ま
たは前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜上に前記上部電極を
形成する工程と、前記強誘電体薄膜または前記強誘電体
の前駆体薄膜を熱処理によって結晶化する工程と、を備
えたことを特徴とする。 （３）上記の強誘電体薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ）、ランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺ
Ｔ）であることを特徴とする。 （４）上記前記強誘電体薄膜がスパッタ法で形成される
ことを特徴とする。 （５）上記前記強誘電体の前駆体薄膜がゾル−ゲル法で
形成されることを特徴とする。 （６）また、本発明の強誘電体メモリ装置の製造方法
は、上記の強誘電体キャパシタの製造方法を備えたこと
を特徴とする。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【実施例】本発明の強誘電体薄膜の製造方法の第１の実
施例を図１（ａ）〜（ｅ）の製造工程断面図に基づき説
明する。
施例を図１（ａ）〜（ｅ）の製造工程断面図に基づき説
明する。
【００１５】ここでは簡単のため、強誘電体特性を調べ
るための試料の製造方法について述べることにする。
るための試料の製造方法について述べることにする。
【００１６】勿論この製造方法を半導体装置にそのまま
応用すれば、強誘電体を用いた半導体メモリ装置を作る
ことが出来る。
応用すれば、強誘電体を用いた半導体メモリ装置を作る
ことが出来る。
【００１７】第１の実施例では、強誘電体薄膜の製造方
法としてゾル−ゲル法を用いた。
法としてゾル−ゲル法を用いた。
【００１８】まず、図１（ａ）のように、ｎ型シリコン
基板１０１上に、化学的気相成長法により約５０００Å
の二酸化珪素膜１０２を、更にスパッタ法により約２０
００Åの白金（Ｐｔ）を下部電極１０３として順次形成
する。
基板１０１上に、化学的気相成長法により約５０００Å
の二酸化珪素膜１０２を、更にスパッタ法により約２０
００Åの白金（Ｐｔ）を下部電極１０３として順次形成
する。
【００１９】次に、図１（ｂ）のように、５００Åの第
１の強誘電体前駆体薄膜１０４を塗布する。この強誘電
体前駆体薄膜１０４は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉの金属アルコ
キシドを１．００：０．５２：０．４８のモル比で均一
溶液としたものである。
１の強誘電体前駆体薄膜１０４を塗布する。この強誘電
体前駆体薄膜１０４は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉの金属アルコ
キシドを１．００：０．５２：０．４８のモル比で均一
溶液としたものである。
【００２０】この強誘電体前駆体薄膜１０４を下部電極
１０３上に塗布した後、酸素雰囲気中、２００℃で２０
分の仮焼成を行う。
１０３上に塗布した後、酸素雰囲気中、２００℃で２０
分の仮焼成を行う。
【００２１】その後、図１（ｃ）に示すようにそれぞれ
５００Åの第２から第６の強誘電体前駆体薄膜１０５、
１０６、１０７、１０８、１０９を同様にして形成す
る。
５００Åの第２から第６の強誘電体前駆体薄膜１０５、
１０６、１０７、１０８、１０９を同様にして形成す
る。
【００２２】但し第２から第６の強誘電体前駆体薄膜１
０５、１０６、１０７、１０８、１０９はＰｂ、Ｚｒ、
Ｔｉの金属アルコキシドを下記に示すモル比で均一溶液
としたものである。
０５、１０６、１０７、１０８、１０９はＰｂ、Ｚｒ、
Ｔｉの金属アルコキシドを下記に示すモル比で均一溶液
としたものである。
【００２３】 すなわち、どんどん強誘電体前駆体薄膜が積み重なるに
つれ、Ｐｂ濃度を増加するようにした。
つれ、Ｐｂ濃度を増加するようにした。
【００２４】第６の強誘電体前駆体薄膜１０９形成後に
も仮焼成を行なった。
も仮焼成を行なった。
【００２５】その後、酸素雰囲気中、７００℃で焼成を
１時間行うことにより、ＰＺＴの多結晶薄膜を形成する
ことが出来た。
１時間行うことにより、ＰＺＴの多結晶薄膜を形成する
ことが出来た。
【００２６】次に図１（ｄ）に示すように、上部電極１
１０として厚さ１０００ÅのＰｔをスパッタ法で形成し
た後、図１（ｅ）の様に、普通のフォトリソグラフィー
を用いて上部電極１１０のＰｔを１００μｍ角にパター
ニングした。
１０として厚さ１０００ÅのＰｔをスパッタ法で形成し
た後、図１（ｅ）の様に、普通のフォトリソグラフィー
を用いて上部電極１１０のＰｔを１００μｍ角にパター
ニングした。
【００２７】図３に７００℃での焼成を行った前後のＰ
ｂ濃度の深さプロファイルを示す。このように焼成後の
Ｐｂ濃度の深さ分布は、ほぼ一様となり化学量論的組成
に非常に近いものであった。
ｂ濃度の深さプロファイルを示す。このように焼成後の
Ｐｂ濃度の深さ分布は、ほぼ一様となり化学量論的組成
に非常に近いものであった。
【００２８】図４に示すように、この強誘電体薄膜の強
誘電体特性はソーヤ・タワー回路によるヒステリシスカ
ーブで測定された。測定は室温、５０Ｈｚの周波数で行
った。
誘電体特性はソーヤ・タワー回路によるヒステリシスカ
ーブで測定された。測定は室温、５０Ｈｚの周波数で行
った。
【００２９】残留分極３０μＣ／ｃｍ2、抗電界３０ｋ
Ｖ／ｃｍと良好な強誘電性特性が 得られた。
Ｖ／ｃｍと良好な強誘電性特性が 得られた。
【００３０】第１の実施例では、強誘電体前駆体薄膜の
塗布を６回行ったが、２回としてもよい。
塗布を６回行ったが、２回としてもよい。
【００３１】その時は、１回目に塗布する強誘電体前駆
体薄膜のＰｂモル比に比べて２回目に塗布する強誘電体
前駆体薄膜のＰｂモル比を上げてやればよい。
体薄膜のＰｂモル比に比べて２回目に塗布する強誘電体
前駆体薄膜のＰｂモル比を上げてやればよい。
【００３２】本発明の強誘電体薄膜の製造方法の第２の
実施例を図５（ａ）〜（ｄ）の製造工程断面図に基づき
説明する。
実施例を図５（ａ）〜（ｄ）の製造工程断面図に基づき
説明する。
【００３３】第２の実施例では、強誘電体薄膜の製造方
法として高周波マグネトロンスパッタ法を用いた。
法として高周波マグネトロンスパッタ法を用いた。
【００３４】まず、図５（ａ）のように、第１の実施例
と同様にして、シリコン基板１０１上に二酸化珪素膜１
０２、下部電極１０３を形成する。
と同様にして、シリコン基板１０１上に二酸化珪素膜１
０２、下部電極１０３を形成する。
【００３５】次に、図５（ｂ）のように、２５００Åの
第１の強誘電体薄膜５０４を高周波マグネトロンスパッ
タ法により形成する。
第１の強誘電体薄膜５０４を高周波マグネトロンスパッ
タ法により形成する。
【００３６】この時ターゲットにＰｂ1.1Ｚｒ0.5Ｔｉ
0.5Ｏ3を用いた。
0.5Ｏ3を用いた。
【００３７】基板温度３００℃、Ａｒ：Ｏ2＝９：１の
雰囲気ガスとし、２０ｍＴｏｒｒ、パワー３００Ｗとし
た。
雰囲気ガスとし、２０ｍＴｏｒｒ、パワー３００Ｗとし
た。
【００３８】次に図５（ｃ）に示すように、ガス圧力だ
けを２５ｍＴｏｒｒに増加してイン・シチュでスパッタ
デポジションを行ない、５００Åの第２の強誘電体薄膜
５０５を形成した。
けを２５ｍＴｏｒｒに増加してイン・シチュでスパッタ
デポジションを行ない、５００Åの第２の強誘電体薄膜
５０５を形成した。
【００３９】同じターゲットを用いても雰囲気ガスの圧
力だけを変化させることにより、デポジションされた薄
膜の組成比を変化させることは可能である。
力だけを変化させることにより、デポジションされた薄
膜の組成比を変化させることは可能である。
【００４０】上に示した今のスパッタ条件に於いては、
圧力を増加させることによりＰｂ濃度を増加させること
が出来る。
圧力を増加させることによりＰｂ濃度を増加させること
が出来る。
【００４１】スパッタ直後の強誘電体薄膜５０４、５０
５は完全な強誘電相すなわちペロブスカイト構造を示さ
ない。
５は完全な強誘電相すなわちペロブスカイト構造を示さ
ない。
【００４２】すなわち、ペロブスカイト構造と強誘電相
を示さないパイロクロア相の混合状態となっている。
を示さないパイロクロア相の混合状態となっている。
【００４３】そこで、次に酸素雰囲気中、７５０℃で１
時間アニールを行い多結晶の完全な強誘電体相を形成す
る。
時間アニールを行い多結晶の完全な強誘電体相を形成す
る。
【００４４】最後に図５（ｄ）に示すように、第１の実
施例と同様にして、１００μｍ角のＰｔからなる上部電
極１１０を形成した。
施例と同様にして、１００μｍ角のＰｔからなる上部電
極１１０を形成した。
【００４５】図６に７５０℃でのアニールを行った前後
のＰｂ濃度の深さプロファイルを示す。
のＰｂ濃度の深さプロファイルを示す。
【００４６】このようにアニール後のＰｂ濃度の深さ分
布は、ほぼ一様となり化学量論的組成に非常に近いもの
であった。
布は、ほぼ一様となり化学量論的組成に非常に近いもの
であった。
【００４７】又、ターゲットにＰｂ1.1Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5
Ｏ3.1を用い、実施例２と同様の方法を用いて強誘電体
膜を製造した場合にもアニール後のＰｂの濃度の深さ分
布はほぼ一様となった。
Ｏ3.1を用い、実施例２と同様の方法を用いて強誘電体
膜を製造した場合にもアニール後のＰｂの濃度の深さ分
布はほぼ一様となった。
【００４８】この強誘電体薄膜の残留分極は５０μＣ／
ｃｍ2、抗電界は３５ｋＶ／ｃｍと良好な強誘電性特性
が得られた。
ｃｍ2、抗電界は３５ｋＶ／ｃｍと良好な強誘電性特性
が得られた。
【００４９】第２の実施例では、スパッタ中にガス圧力
を２段階に分けてデポジションを行ったが、コンピュー
タ制御により、ガス圧力を連続的に増加させ、それにと
もなって強誘電体薄膜中のＰｂ濃度を徐々に、増加させ
ることも可能である。
を２段階に分けてデポジションを行ったが、コンピュー
タ制御により、ガス圧力を連続的に増加させ、それにと
もなって強誘電体薄膜中のＰｂ濃度を徐々に、増加させ
ることも可能である。
【００５０】また、全ガス圧力を一定に保ちながら、Ａ
ｒ分圧を増加させることによっても強誘電体薄膜中のＰ
ｂ濃度を増加させることもできるし、ターゲットとシリ
コン基板の距離を増加させることによっても、強誘電体
薄膜中のＰｂ濃度を増加させることが可能である。
ｒ分圧を増加させることによっても強誘電体薄膜中のＰ
ｂ濃度を増加させることもできるし、ターゲットとシリ
コン基板の距離を増加させることによっても、強誘電体
薄膜中のＰｂ濃度を増加させることが可能である。
【００５１】第２の実施例において、アニールを行なっ
てから上部電極１１０を形成したが、上部電極１１０を
形成した後、アニールを行なってもよい。
てから上部電極１１０を形成したが、上部電極１１０を
形成した後、アニールを行なってもよい。
【００５２】第１及び第２の実施例に於いて、シリコン
基板を用いたがマグネシア（ＭｇＯ）、サファイア等他
の基板を用いても良い。
基板を用いたがマグネシア（ＭｇＯ）、サファイア等他
の基板を用いても良い。
【００５３】また、強誘電体薄膜として、ＰＺＴすなわ
ちＰｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3、Ｘ＝０．４８、０．５を
用いて説明したが、他の組成比を持つＰＺＴであっても
よいし、ランタン（Ｌａ）をドーピングしたＰＬＺＴで
も勿論良いし、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂ
ａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ナイオビウム（Ｎｂ）、
ストロンチウム（Ｓｒ）等がドーピングされていても勿
論良い。
ちＰｂ（ＺｒXＴｉ1-X）Ｏ3、Ｘ＝０．４８、０．５を
用いて説明したが、他の組成比を持つＰＺＴであっても
よいし、ランタン（Ｌａ）をドーピングしたＰＬＺＴで
も勿論良いし、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂ
ａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ナイオビウム（Ｎｂ）、
ストロンチウム（Ｓｒ）等がドーピングされていても勿
論良い。
【００５４】
【発明の効果】本発明の強誘電体薄膜の製造方法は、以
上説明したように下部電極と上部電極の間に鉛（Ｐｂ）
を１成分として含む強誘電体薄膜が挟まれた構造を持つ
強誘電体薄膜の製造方法に於いて、前記下部電極上に前
記強誘電体の前駆体薄膜を前記下部電極側で鉛の濃度を
低濃度に、前記上部電極側で鉛の濃度を高濃度に形成す
ることによって、アニールを行い完全な強誘電相を得た
後のＰｂ組成比の上下方向のずれを極力無くす事によ
り、強誘電体特性の良好な薄膜を得ることが出来る効果
を有する。
上説明したように下部電極と上部電極の間に鉛（Ｐｂ）
を１成分として含む強誘電体薄膜が挟まれた構造を持つ
強誘電体薄膜の製造方法に於いて、前記下部電極上に前
記強誘電体の前駆体薄膜を前記下部電極側で鉛の濃度を
低濃度に、前記上部電極側で鉛の濃度を高濃度に形成す
ることによって、アニールを行い完全な強誘電相を得た
後のＰｂ組成比の上下方向のずれを極力無くす事によ
り、強誘電体特性の良好な薄膜を得ることが出来る効果
を有する。
【００５５】更に、この強誘電体薄膜の製造方法を用い
れば、不揮発性メモリや、光スイッチ、キャパシタ、赤
外線センサ、超音波センサ、薄膜圧電振動子として利用
できるといった効果を有する。
れば、不揮発性メモリや、光スイッチ、キャパシタ、赤
外線センサ、超音波センサ、薄膜圧電振動子として利用
できるといった効果を有する。
【図１】本発明の強誘電体薄膜の製造方法の第１実施例
を示す製造工程断面図である。
を示す製造工程断面図である。
【図２】従来の強誘電体薄膜の製造方法を説明するため
の断面構造図である。
の断面構造図である。
【図３】本発明の第１実施例の強誘電体薄膜のＰｂ濃度
の表面からの深さ依存性を示すグラフである。
の表面からの深さ依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の第１実施例の強誘電体薄膜の強誘電体
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図５】本発明の強誘電体薄膜の製造方法の第２実施例
を示す製造工程断面図である。
を示す製造工程断面図である。
【図６】本発明の第２実施例の強誘電体薄膜のＰｂ濃度
の表面からの深さ依存性を示すグラフである。
の表面からの深さ依存性を示すグラフである。
１０１ シリコン基板 １０２ 二酸化珪素膜 １０３ 下部電極 １０４ 第１の強誘電体前駆体薄膜 １０５ 第２の強誘電体前駆体薄膜 １０６ 第３の強誘電体前駆体薄膜 １０７ 第４の強誘電体前駆体薄膜 １０８ 第５の強誘電体前駆体薄膜 １０９ 第６の強誘電体前駆体薄膜 １１０ 上部電極 ２００ ＰＺＴ ５０４ 第１の強誘電体薄膜 ５０５ 第２の強誘電体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/8247 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１ 27/105 29/788 29/792 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/822 H01L 27/04 H01L 21/314 - 21/318 H01L 21/471 - 21/473 H01L 27/10 - 27/115 H01L 41/00 C23C 14/00
Claims (6)
- 【請求項１】 鉛（Ｐｂ）を一成分として含む強誘電体
薄膜が下部電極と上部電極の間に挟まれた構造を持つ強
誘電体キャパシタの製造方法において、 前記下部電極上に前記強誘電体薄膜または前記強誘電体
薄膜の前駆体薄膜を前記下部電極側で鉛の濃度を低濃度
に、前記上部電極側で鉛の濃度を高濃度に形成する工程
と、 前記強誘電体薄膜または前記強誘電体の前駆体薄膜を熱
処理によって結晶化する工程と、 前記上部電極を形成する工程を備えたことを特徴とする
強誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項２】 鉛（Ｐｂ）を一成分として含む強誘電体
薄膜が下部電極と上部電極の間に挟まれた構造を持つ強
誘電体キャパシタの製造方法において、 前記下部電極上に前記強誘電体薄膜または前記強誘電体
薄膜の前駆体薄膜を前記下部電極側で鉛の濃度を低濃度
に、前記上部電極側で鉛の濃度を高濃度に形成する工程
と、前記強誘電体薄膜または前記強誘電体薄膜の前駆体薄膜
上に前記上部電極を形成する工程と、 前記強誘電体薄膜または前記強誘電体の前駆体薄膜を熱
処理によって結晶化する工程と、 を備えたこと を特徴とする強誘電体キャパシタの製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１記載の強誘電体薄膜がチタン酸
ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ランタンドープチタン酸ジル
コン酸鉛（ＰＬＺＴ）であることを特徴とする強誘電体
キャパシタの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の強誘電体キャパシタの製
造方法であって、 前記強誘電体薄膜がスパッタ法で形成されることを特徴
とする強誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の強誘電体キャパシタの製
造方法であって、 前記強誘電体の前駆体薄膜がゾル−ゲル法で形成される
ことを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５記載の強誘電体キャパ
シタの製造方法を備えたことを特徴とする強誘電体メモ
リ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24090892A JP3182909B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-09 | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-245855 | 1991-09-25 | ||
| JP24585591 | 1991-09-25 | ||
| JP24090892A JP3182909B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-09 | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25597099A Division JP3267277B2 (ja) | 1991-09-25 | 1999-09-09 | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法 |
| JP11255974A Division JP2000082796A (ja) | 1991-09-25 | 1999-09-09 | 半導体装置 |
| JP11255971A Division JP2000082795A (ja) | 1991-09-25 | 1999-09-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP25597299A Division JP3267278B2 (ja) | 1991-09-25 | 1999-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
| JP11255973A Division JP2000106420A (ja) | 1991-09-25 | 1999-09-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235268A JPH05235268A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3182909B2 true JP3182909B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=26534984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24090892A Expired - Lifetime JP3182909B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-09 | 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3182909B2 (ja) |
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| DE69517417T2 (de) * | 1994-12-27 | 2000-10-26 | Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo | Piezoelektrische dünnschichtanordnung, verfahren zur herstellung derselben und einen diese anordnung enthaltenden tintenstrahldruckkopf |
| JP3363301B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2003-01-08 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜被覆基板及びその製造方法及び強誘電体薄膜被覆基板によって構成された不揮発性メモリ |
| JP3133922B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2001-02-13 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子 |
| JP3480624B2 (ja) | 1995-06-09 | 2003-12-22 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子 |
| JP3188179B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2001-07-16 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体メモリ素子の製造方法 |
| US5838034A (en) | 1996-12-10 | 1998-11-17 | National Science Council | Infrared optical bulk channel field effect transistor for greater effectiveness |
| EP0867952B8 (en) * | 1997-03-27 | 2003-05-28 | Seiko Epson Corporation | Process of producing a piezoelectric element |
| KR100363084B1 (ko) | 1999-10-19 | 2002-11-30 | 삼성전자 주식회사 | 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법 |
| US6494567B2 (en) * | 2000-03-24 | 2002-12-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and manufacturing method and manufacturing device thereof |
| US20030166311A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-09-04 | Seiko Epson Corporation | Method for patterning, method for forming film, patterning apparatus, film formation apparatus, electro-optic apparatus and method for manufacturing the same, electronic equipment, and electronic apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2006022401A (ja) * | 2004-05-27 | 2006-01-26 | Sharp Corp | Ｃｍｒ薄膜の形成方法 |
| JP4276276B2 (ja) | 2007-09-07 | 2009-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
| JP2011061117A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
| JP2011061118A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
| WO2011111789A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 日本電気株式会社 | 磁性体装置及びその製造方法 |
| JP5776142B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2015-09-09 | コニカミノルタ株式会社 | 振動板 |
| JP6115206B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2017-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24090892A patent/JP3182909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05235268A (ja) | 1993-09-10 |
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