JP2745875B2 - 電解コンデンサ用陰極材料 - Google Patents
電解コンデンサ用陰極材料Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、表面に金属窒化物お
よび金属酸化物が形成された電解コンデンサ用の陰極に
用いられる電極材料に関する。
よび金属酸化物が形成された電解コンデンサ用の陰極に
用いられる電極材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサは、アルミニウム、タン
タルなどの絶縁性の金属酸化物が形成されるいわゆる弁
金属を少なくとも陽極に用い、陽極酸化処理等により表
面に形成した絶縁性の金属酸化物薄膜層を誘電体として
使用し、電解液を介して陰極側の電極と対抗させてコン
デンサとしている。
タルなどの絶縁性の金属酸化物が形成されるいわゆる弁
金属を少なくとも陽極に用い、陽極酸化処理等により表
面に形成した絶縁性の金属酸化物薄膜層を誘電体として
使用し、電解液を介して陰極側の電極と対抗させてコン
デンサとしている。
【０００３】電解コンデンサでは、内部に電解液を含有
することから陰極の材料も、腐食の発生防止や、不要な
反応を抑止するために陽極と同種の弁金属材料が用いら
れる。しかしこの弁金属材料は陽極酸化等の酸化処理を
行わずとも、空気中の酸素と反応して極めて薄い自然酸
化皮膜が形成される。この自然酸化皮膜も絶縁性を有し
その薄さ故高い静電容量を有することになる。この傾向
は特に自然酸化皮膜が容易に形成され安いアルミニウム
において顕著である。
することから陰極の材料も、腐食の発生防止や、不要な
反応を抑止するために陽極と同種の弁金属材料が用いら
れる。しかしこの弁金属材料は陽極酸化等の酸化処理を
行わずとも、空気中の酸素と反応して極めて薄い自然酸
化皮膜が形成される。この自然酸化皮膜も絶縁性を有し
その薄さ故高い静電容量を有することになる。この傾向
は特に自然酸化皮膜が容易に形成され安いアルミニウム
において顕著である。
【０００４】この自然酸化皮膜により、陽極側、陰極側
双方に誘電体層が存在し、等価的にコンデンサが２個直
列に接続されたことになって、各々の静電容量の分数和
の逆数の静電容量となる。このため、特に低圧領域にお
いては陰極側の影響が大きく、静電容量の低下が免れな
いという欠点があった。
双方に誘電体層が存在し、等価的にコンデンサが２個直
列に接続されたことになって、各々の静電容量の分数和
の逆数の静電容量となる。このため、特に低圧領域にお
いては陰極側の影響が大きく、静電容量の低下が免れな
いという欠点があった。
【０００５】このような欠点を解決するためには、陰極
側電極が静電容量を持たない材料、すなわち絶縁性酸化
皮膜が形成されずかつ電解液に対して安定な金属である
白金、金、パラジウムなどを用いればよいが、これらの
金属が経済的理由から使用できないことは明らかであ
る。
側電極が静電容量を持たない材料、すなわち絶縁性酸化
皮膜が形成されずかつ電解液に対して安定な金属である
白金、金、パラジウムなどを用いればよいが、これらの
金属が経済的理由から使用できないことは明らかであ
る。
【０００６】そこで、陰極側電極の静電容量を極端に高
めて、陽極側電極の静電容量との差を大きくすること
で、静電容量の低下が防止できるので、陰極側電極の静
電容量値の増大に努力が払われてきた。このような従来
技術としては、まず陰極側電極の表面積を拡大して静電
容量を得るために、電気化学的なエッチング処理が行わ
れている。しかしこのエッチング処理による表面積の拡
大も最近では限界近くに達しており、新たな静電容量増
大のための提案が求められている。
めて、陽極側電極の静電容量との差を大きくすること
で、静電容量の低下が防止できるので、陰極側電極の静
電容量値の増大に努力が払われてきた。このような従来
技術としては、まず陰極側電極の表面積を拡大して静電
容量を得るために、電気化学的なエッチング処理が行わ
れている。しかしこのエッチング処理による表面積の拡
大も最近では限界近くに達しており、新たな静電容量増
大のための提案が求められている。
【０００７】この様な要求に応えるものとして、基材の
電極金属より高い誘電率をもつ別の金属あるいはその化
合物薄膜を形成し、静電容量を増大させる提案がなされ
ている。このようなものとして例えば、特開平２−１１
７１２３号公報のように、陰極材料表面に金属窒化物の
蒸着皮膜を形成するものがある。
電極金属より高い誘電率をもつ別の金属あるいはその化
合物薄膜を形成し、静電容量を増大させる提案がなされ
ている。このようなものとして例えば、特開平２−１１
７１２３号公報のように、陰極材料表面に金属窒化物の
蒸着皮膜を形成するものがある。
【０００８】電極基材表面に金属窒化物薄膜を形成する
ものは、静電容量の増大策として有益なものである。し
かしながら、実際にコンデンサを製作すると種々の問題
点がある。金属窒化物薄膜ははコンデンサ内部で電解液
と接触することになるが、接触界面で電気二重層が形成
し、等価回路上二重層コンデンサとの直列接続容量によ
って、所期の静電容量が得られない。またこの電気二重
層が不安定であるため、コンデンサの静電容量も大きな
経時変化をもたらし、安定した特性のコンデンサが得ら
れない。
ものは、静電容量の増大策として有益なものである。し
かしながら、実際にコンデンサを製作すると種々の問題
点がある。金属窒化物薄膜ははコンデンサ内部で電解液
と接触することになるが、接触界面で電気二重層が形成
し、等価回路上二重層コンデンサとの直列接続容量によ
って、所期の静電容量が得られない。またこの電気二重
層が不安定であるため、コンデンサの静電容量も大きな
経時変化をもたらし、安定した特性のコンデンサが得ら
れない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこでこの発明は、電
解コンデンサの陰極材料の表面に形成する金属窒化物層
を改良し、高静電容量でかつ安定した特性とすること
で、小形大容量で、しかも信頼性の高い電解コンデンサ
を得られる陰極材料を提供することを目的とする。
解コンデンサの陰極材料の表面に形成する金属窒化物層
を改良し、高静電容量でかつ安定した特性とすること
で、小形大容量で、しかも信頼性の高い電解コンデンサ
を得られる陰極材料を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこでこの発明の陰極材
料は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる
基材の表面に、金属窒化物からなる第１の薄膜層と、こ
の第１の薄膜層の上面に、前記金属窒化物を変成させた
３Åないし３０Åの厚さの金属酸化物からなる第２の薄
膜層を形成したことを特徴としている。
料は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる
基材の表面に、金属窒化物からなる第１の薄膜層と、こ
の第１の薄膜層の上面に、前記金属窒化物を変成させた
３Åないし３０Åの厚さの金属酸化物からなる第２の薄
膜層を形成したことを特徴としている。
【００１１】またこの発明では、第１の薄膜層を形成す
る金属窒化物に、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフ
ニウム、窒化ニオブ、窒化ジルコにウム、窒化バナジウ
ム、窒化クロムから選択される材料を用いることも特徴
としている。
る金属窒化物に、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフ
ニウム、窒化ニオブ、窒化ジルコにウム、窒化バナジウ
ム、窒化クロムから選択される材料を用いることも特徴
としている。
【００１２】この発明によれば、陰極の基材には、通常
の電解コンデンサに用いられる箔状、板状あるいは線状
のアルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いること
ができる。陰極材料は、その表面積拡大のため予めエッ
チング処理により拡面化を図ったものを用いてもよい。
の電解コンデンサに用いられる箔状、板状あるいは線状
のアルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いること
ができる。陰極材料は、その表面積拡大のため予めエッ
チング処理により拡面化を図ったものを用いてもよい。
【００１３】この発明で第１の薄膜層として形成される
金属窒化物は、チタン、タンタル、ハフニウム、ニオ
ブ、ジルコニウム、バナジウムあるいはクロムなどの金
属が好ましい。特にこれらの金属の大半は弁金属であ
り、後述する各種の処理によって金属酸化物になりやす
く、また電解液との反応による腐食等の不都合も起きに
くい。
金属窒化物は、チタン、タンタル、ハフニウム、ニオ
ブ、ジルコニウム、バナジウムあるいはクロムなどの金
属が好ましい。特にこれらの金属の大半は弁金属であ
り、後述する各種の処理によって金属酸化物になりやす
く、また電解液との反応による腐食等の不都合も起きに
くい。
【００１４】また基材表面に金属窒化物の薄膜層を形成
する手段としては、各種の物理的あるいは化学的プロセ
スが利用できる。物理的手段として具体的な手段を例示
すれば、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
陰極アークプラズマ蒸着法などがある。また化学的手段
としては、ＣＶＤ法などがある。
する手段としては、各種の物理的あるいは化学的プロセ
スが利用できる。物理的手段として具体的な手段を例示
すれば、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
陰極アークプラズマ蒸着法などがある。また化学的手段
としては、ＣＶＤ法などがある。
【００１５】形成される金属窒化物薄膜の厚みは、特に
限定されるものではないが、基材のアルミニウムの表面
を一様に覆い、しかも薄膜層形成が効率よく行われる範
囲であればよく、数百Åから１μｍ程度が好適である。
限定されるものではないが、基材のアルミニウムの表面
を一様に覆い、しかも薄膜層形成が効率よく行われる範
囲であればよく、数百Åから１μｍ程度が好適である。
【００１６】次に第１の薄膜層である金属窒化物の表面
を金属酸化物に変成させる手段としては、熱処理、液処
理、陽極酸化処理等がある。熱処理は酸素雰囲気（通常
は空気中でよい）中で２００℃ないし５５０℃に被処理
物を加熱して行う。
を金属酸化物に変成させる手段としては、熱処理、液処
理、陽極酸化処理等がある。熱処理は酸素雰囲気（通常
は空気中でよい）中で２００℃ないし５５０℃に被処理
物を加熱して行う。
【００１７】液処理は、硝酸、硫酸、りん酸などの無機
酸あるいはしゅう酸、くえん酸、酢酸などの有機酸の水
溶液に被処理物を浸漬して行う。
酸あるいはしゅう酸、くえん酸、酢酸などの有機酸の水
溶液に被処理物を浸漬して行う。
【００１８】また陽極酸化処理は、被処理物である基材
を陽極とし、これに対抗する陰極側電極を設置し、電解
液中で直流電流を流すことで行う。陽極酸化に用いる電
解液についても各種のものが選択できるが、アルミニウ
ムもしくはアルミニウム合金基材表面に絶縁性酸化皮膜
を形成するのに好適なものとしては、りん酸、りん酸二
水素アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、硝酸、硫
酸、しゅう酸、ほう酸、ほう酸アンモニウム、クロム
酸、水酸化ナトリウム、りん酸ナトリウムなどの酸、塩
あるいは苛性アルカリなどの水溶液を挙げることができ
る。なお、陽極酸化処理を行うためには、被処理物が導
電性を有する必要があるが、上記の第１の薄膜層である
金属窒化物は何れも導電性を有しており、陽極酸化処理
を行う上で問題はない。
を陽極とし、これに対抗する陰極側電極を設置し、電解
液中で直流電流を流すことで行う。陽極酸化に用いる電
解液についても各種のものが選択できるが、アルミニウ
ムもしくはアルミニウム合金基材表面に絶縁性酸化皮膜
を形成するのに好適なものとしては、りん酸、りん酸二
水素アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、硝酸、硫
酸、しゅう酸、ほう酸、ほう酸アンモニウム、クロム
酸、水酸化ナトリウム、りん酸ナトリウムなどの酸、塩
あるいは苛性アルカリなどの水溶液を挙げることができ
る。なお、陽極酸化処理を行うためには、被処理物が導
電性を有する必要があるが、上記の第１の薄膜層である
金属窒化物は何れも導電性を有しており、陽極酸化処理
を行う上で問題はない。
【００１９】第２の薄膜層の好ましい厚さは、電気二重
層の形成を防止するために、第１の金属窒化物層の表面
を一様に酸化物層とする必要がある。また絶縁性の酸化
物層が厚くなると陰極材料の静電容量が減少するので好
ましくなく、この発明の目的に合致した範囲は、３Åか
ら３０Åの範囲である。
層の形成を防止するために、第１の金属窒化物層の表面
を一様に酸化物層とする必要がある。また絶縁性の酸化
物層が厚くなると陰極材料の静電容量が減少するので好
ましくなく、この発明の目的に合致した範囲は、３Åか
ら３０Åの範囲である。
【００２０】図１は、この発明の陰極材料の構造を示し
た断面図である。陰極の基材１となるアルミニウムもし
くはアルミニウム合金の表面は表面積拡大のためにエッ
チング処理が施されて微細を凹凸面となっている。この
基材１の表面には、物理的あるいは化学的な各種の手段
によって、金属窒化物からなる第１の薄膜層２が形成さ
れている。さらにこの第１の薄膜層の表面は陽極酸化等
の手段によって変成された金属酸化物の第２の薄膜層３
から構成されている。
た断面図である。陰極の基材１となるアルミニウムもし
くはアルミニウム合金の表面は表面積拡大のためにエッ
チング処理が施されて微細を凹凸面となっている。この
基材１の表面には、物理的あるいは化学的な各種の手段
によって、金属窒化物からなる第１の薄膜層２が形成さ
れている。さらにこの第１の薄膜層の表面は陽極酸化等
の手段によって変成された金属酸化物の第２の薄膜層３
から構成されている。
【００２１】
【作用】本発明によれば、アルミニウムもしくはアルミ
ニウム合金基材からなる陰極材料の表面に形成された第
１の薄膜層である金属窒化物の表面を変成させた第２の
極めて薄い金属酸化物層が形成されているが、この第２
の金属酸化物層は絶縁性であり、かつ電解液に対して極
めて安定な皮膜であるので、電気二重層の形成が防止で
きる。また誘電体層として機能するものの、その厚さが
極めて薄いことから静電容量値が高く、コンデンサの容
量減少への影響が少ない。
ニウム合金基材からなる陰極材料の表面に形成された第
１の薄膜層である金属窒化物の表面を変成させた第２の
極めて薄い金属酸化物層が形成されているが、この第２
の金属酸化物層は絶縁性であり、かつ電解液に対して極
めて安定な皮膜であるので、電気二重層の形成が防止で
きる。また誘電体層として機能するものの、その厚さが
極めて薄いことから静電容量値が高く、コンデンサの容
量減少への影響が少ない。
【００２２】
【実施例】以下、この発明の陰極材料について、実施例
に基づいて詳細に説明する。まず共通の陰極材料として
高純度のアルミニウム箔（９９．９９％、９０μｍ厚）
を用意した。このアルミニウム箔を電気化学的なエッチ
ングにより粗面化処理を施したものを用いた。
に基づいて詳細に説明する。まず共通の陰極材料として
高純度のアルミニウム箔（９９．９９％、９０μｍ厚）
を用意した。このアルミニウム箔を電気化学的なエッチ
ングにより粗面化処理を施したものを用いた。
【００２３】〔本発明例１〕アルミニウム箔にチタンを
蒸着種として、陰極アークプラズマ蒸着法によって窒化
チタンからなる第１の薄膜層を形成した。蒸着条件は次
のとおりである。 Ｎ2 ガス圧 ： ２×１０-2 （Ｔｏｒｒ） アーク電流 ： １５０ （Ａ） 基材バイアス電圧 ： −２０ （Ｖ） 蒸着時間 ： ９０ （秒） この結果アルミニウム箔表面には、０．３μｍ厚の窒化
チタン（ＴｉＮ）層が形成された。次にこの箔を、熱処
理して表面を酸化物に変成させ、第２の薄膜層を形成し
た。熱処理条件は、空気中で５００℃で５秒間加熱し
た。この結果得られた酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の膜厚は
５Åであった。
蒸着種として、陰極アークプラズマ蒸着法によって窒化
チタンからなる第１の薄膜層を形成した。蒸着条件は次
のとおりである。 Ｎ2 ガス圧 ： ２×１０-2 （Ｔｏｒｒ） アーク電流 ： １５０ （Ａ） 基材バイアス電圧 ： −２０ （Ｖ） 蒸着時間 ： ９０ （秒） この結果アルミニウム箔表面には、０．３μｍ厚の窒化
チタン（ＴｉＮ）層が形成された。次にこの箔を、熱処
理して表面を酸化物に変成させ、第２の薄膜層を形成し
た。熱処理条件は、空気中で５００℃で５秒間加熱し
た。この結果得られた酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の膜厚は
５Åであった。
【００２４】〔比較例１〕本発明例１の熱処理工程を行
わないものを比較例１とした。
わないものを比較例１とした。
【００２５】〔本発明例２〕アルミニウム箔をスパッタ
法により窒化ニオブからなる第１の薄膜層を形成した。
形成条件は次の通りである。 Ｎ2 ガス圧 ： １×１０-3 （Ｔｏｒｒ） 電圧 ： １２００ （Ｖ） 蒸着時間 ： ５ （分） この結果アルミニウム箔表面には、０．１μｍ厚の窒化
ニオブ（ＮｂＮ）層が形成された。次にこの箔を、陽極
酸化処理をして表面を酸化物に変成させ、第２の薄膜層
を形成した。陽極酸化の条件は、りん酸二水素アンモニ
ウム１重量％の水溶液中で、液温９５℃で１Ｖの直流を
箔に印加して１５分間陽極酸化を行った。この結果得ら
れた酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）の膜厚は２０Åであっ
た。
法により窒化ニオブからなる第１の薄膜層を形成した。
形成条件は次の通りである。 Ｎ2 ガス圧 ： １×１０-3 （Ｔｏｒｒ） 電圧 ： １２００ （Ｖ） 蒸着時間 ： ５ （分） この結果アルミニウム箔表面には、０．１μｍ厚の窒化
ニオブ（ＮｂＮ）層が形成された。次にこの箔を、陽極
酸化処理をして表面を酸化物に変成させ、第２の薄膜層
を形成した。陽極酸化の条件は、りん酸二水素アンモニ
ウム１重量％の水溶液中で、液温９５℃で１Ｖの直流を
箔に印加して１５分間陽極酸化を行った。この結果得ら
れた酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）の膜厚は２０Åであっ
た。
【００２６】〔比較例２〕本発明例２の陽極酸化処理を
行わないものを比較例２とした。
行わないものを比較例２とした。
【００２７】〔本発明例３〕アルミニウム箔にタンタル
を蒸着種として、アークイオンプレーティング法によっ
て窒化タンタルからなる第１の薄膜層を形成した。イオ
ンプレーティングの条件は次のとおりである。 Ｎ2 ガス圧 ： ３×１０-3 （Ｔｏｒｒ） 電圧 ： ２００ （Ｖ） プレーティング時間： １０ （分） この結果アルミニウム箔表面には、０．２μｍの窒化タ
ンタル（ＴａＮ）層が形成された。次にこの箔を、液体
処理して表面を酸化物に変成させ、第２の薄膜層を形成
した。液体処理の条件は、室温のりん酸１重量％の水溶
液に箔を５分間浸漬して行った。この結果得られた酸化
タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）の膜厚は３Åであった。
を蒸着種として、アークイオンプレーティング法によっ
て窒化タンタルからなる第１の薄膜層を形成した。イオ
ンプレーティングの条件は次のとおりである。 Ｎ2 ガス圧 ： ３×１０-3 （Ｔｏｒｒ） 電圧 ： ２００ （Ｖ） プレーティング時間： １０ （分） この結果アルミニウム箔表面には、０．２μｍの窒化タ
ンタル（ＴａＮ）層が形成された。次にこの箔を、液体
処理して表面を酸化物に変成させ、第２の薄膜層を形成
した。液体処理の条件は、室温のりん酸１重量％の水溶
液に箔を５分間浸漬して行った。この結果得られた酸化
タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）の膜厚は３Åであった。
【００２８】〔比較例３〕本発明例３の液体処理を行わ
ないものを比較例３とした。
ないものを比較例３とした。
【００２９】これらの発明例および比較例の箔につい
て、単位面積あたりの静電容量を測定した。また長期の
使用による静電容量の安定性を調べるために、高温（１
１０℃）で放置試験を実施し、静電容量の変化を調べ
た。この結果を表１示す。なお静電容量の測定は、γ−
ブチロラクトン７５部にフタル酸のモノテトラメチルア
ンモニウム塩２５部を溶解した電解液に試料を浸漬し
て、静電容量値を求めた。
て、単位面積あたりの静電容量を測定した。また長期の
使用による静電容量の安定性を調べるために、高温（１
１０℃）で放置試験を実施し、静電容量の変化を調べ
た。この結果を表１示す。なお静電容量の測定は、γ−
ブチロラクトン７５部にフタル酸のモノテトラメチルア
ンモニウム塩２５部を溶解した電解液に試料を浸漬し
て、静電容量値を求めた。
【００３０】
【表１】
【００３１】この結果からわかるように、本発明の陰極
材料は初期値においても、従来のものに比べて高い静電
容量容量値を示すと共に、長時間の経過後においても、
静電容量値の変化が少なく、安定した特性を維持してい
ることがわかる。
材料は初期値においても、従来のものに比べて高い静電
容量容量値を示すと共に、長時間の経過後においても、
静電容量値の変化が少なく、安定した特性を維持してい
ることがわかる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、陰
極材料であるアルミニウムもしくはアルミニウム合金材
の表面に、金属窒化物からなる第１の薄膜層と、さらに
この表面に前記金属窒化物を変成した金属酸化物からな
る第２の薄膜層が形成されると、静電容量値が高く、し
かも静電容量値の変化が長期にわたって少ない安定した
陰極材料となる。この発明の陰極材料を用いた電解コン
デンサは、静電容量が大きく、長期にわたって特性に変
化がない信頼性が高い電解コンデンサとなる。
極材料であるアルミニウムもしくはアルミニウム合金材
の表面に、金属窒化物からなる第１の薄膜層と、さらに
この表面に前記金属窒化物を変成した金属酸化物からな
る第２の薄膜層が形成されると、静電容量値が高く、し
かも静電容量値の変化が長期にわたって少ない安定した
陰極材料となる。この発明の陰極材料を用いた電解コン
デンサは、静電容量が大きく、長期にわたって特性に変
化がない信頼性が高い電解コンデンサとなる。
【図１】この発明の陰極材料を説明する断面図である。
１ 基材 ２ 第１の薄膜層 ３ 第２の薄膜層
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウムもしくはアルミニウム合金
からなる基材表面に、金属窒化物からなる第１の薄膜層
と、前記第１の薄膜層の上面に、前記金属窒化物を変成
させた３Åないし３０Åの厚さの金属酸化物からなる第
２の薄膜層が形成されていることを特徴とする電解コン
デンサ用陰極材料。 - 【請求項２】 第１の薄膜層を形成する金属窒化物は、
窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフニウム、窒化ニオ
ブ、窒化ジルコン、窒化バナジウム、窒化クロムから選
択される請求項１記載の電解コンデンサ用陰極材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566891A JP2745875B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18566891A JP2745875B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513282A JPH0513282A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2745875B2 true JP2745875B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16174785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18566891A Expired - Fee Related JP2745875B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745875B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5469325A (en) * | 1993-03-22 | 1995-11-21 | Evans Findings Co. | Capacitor |
| US5982609A (en) * | 1993-03-22 | 1999-11-09 | Evans Capacitor Co., Inc. | Capacitor |
| US5369547A (en) * | 1993-03-22 | 1994-11-29 | The Evans Findings Co., Ltd. | Capacitor |
| JPH11162791A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Nichicon Corp | 有極性アルミニウム電解コンデンサ |
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