JP5816832B2 - アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5816832B2 JP5816832B2 JP2010235334A JP2010235334A JP5816832B2 JP 5816832 B2 JP5816832 B2 JP 5816832B2 JP 2010235334 A JP2010235334 A JP 2010235334A JP 2010235334 A JP2010235334 A JP 2010235334A JP 5816832 B2 JP5816832 B2 JP 5816832B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foil
- electrolytic capacitor
- vapor deposition
- aluminum electrolytic
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
基材として純度99.8%で長さ100mのロール状のアルミニウムプレン箔を用いた。このアルミニウムプレン箔を図1に示す真空チャンバー内の巻き出しロールに配設し、真空チャンバー内を1×10-5Torrの真空にした。
前記実施例1において、蒸着層が形成されたロール状のアルミニウムプレン箔を取り出した後、アルミニウムプレン箔を大気中で巻き返し、蒸着層の表面を大気中に露呈させた。
前記実施例1において、チタンを蒸着するときに窒素ガスを供給しないで蒸着層を形成した以外は前記実施例1と同様にして陰極箔を作製した。
前記比較例1において、真空チャンバー内から蒸着されたアルミニウムプレン箔を取り出し、このロール状のアルミニウムプレン箔を200℃の温度で熱処理を行った以外は前記比較例1と同様にして陰極箔を作製した。
フタル酸モノ1,2,3,4−テトラメチルイミダゾリウム 25重量部
なお、(表2)の陰極容量の測定は、ほう酸アンモニムの10wt%水溶液中にて、同等面積の陰極を2枚対抗する事で120Hzの容量を測定した。
11 巻き出しロール
12 走行ローラ
13,14 蒸着ローラ
15 巻き取りロール
16a,16b 蒸着源
17 窒素ガス配管
Claims (4)
- 陽極箔と、アルミニウム箔上に窒化チタン膜が形成された陰極箔とを備えた電解コンデンサの製造方法であって、
前記陰極箔は、
真空チャンバー内で、アルミニウム箔上に窒化チタン膜を蒸着させる工程と、
前記窒化チタン膜を蒸着させる工程の後に、ロール状に巻き取られた前記アルミニウム箔を大気中で巻き返すことで大気に露呈し、その後150℃以上250℃以下で熱処理する工程と
を有する、電解コンデンサの製造方法。 - 前記窒化チタン膜を蒸着する工程は、
アルミニウム箔を搬送させながらチタンを蒸着により付着させる工程と、
前記付着したチタンに向けて窒素ガスを噴射する工程
とを有する、請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。 - 請求項1または2の方法によって得られた電解コンデンサ用電極箔。
- 請求項1または2の方法によって得られた陰極箔と、陽極箔とを用いた電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010235334A JP5816832B2 (ja) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010235334A JP5816832B2 (ja) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012089688A JP2012089688A (ja) | 2012-05-10 |
JP5816832B2 true JP5816832B2 (ja) | 2015-11-18 |
Family
ID=46260985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010235334A Active JP5816832B2 (ja) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5816832B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111627714B (zh) * | 2020-05-28 | 2021-08-13 | 西安交通大学 | 一种具有多级混合结构的多孔阳极铝箔的制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2745875B2 (ja) * | 1991-06-29 | 1998-04-28 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
JPH0574664A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Elna Co Ltd | 電解コンデンサおよび電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JPH05190400A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Toyo Metaraijingu Kk | 高容量電解コンデンサ用電極材料およびその製造方法 |
JP3548584B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2004-07-28 | 株式会社アルバック | 電極箔の製造法 |
JP2002299181A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ |
JP2012049420A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Panasonic Corp | アルミ電解コンデンサ |
-
2010
- 2010-10-20 JP JP2010235334A patent/JP5816832B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012089688A (ja) | 2012-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8153240B2 (en) | Carbon nanostructures and methods of making and using the same | |
US20130065050A1 (en) | Production of decorated carbon nanotubes | |
CN110574132B (zh) | 用于片上超级电容器的蚀刻的硅上的沉积的碳膜 | |
JPH0715864B2 (ja) | 電解コンデンサの電極用シート及びその製造方法 | |
JP5816832B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔とこれを用いたアルミ電解コンデンサならびにアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
Banerjee et al. | Enhancement of field emission and hydrophobic properties of silicon nanowires by chemical vapor deposited carbon nanoflakes coating | |
JP5181401B1 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用陰極箔 | |
JP2008010490A (ja) | 電解コンデンサ用電極の製造方法 | |
JP6932936B2 (ja) | 材料製造方法、および、材料 | |
US7709082B2 (en) | Electrodes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings, and method for their manufacture | |
KR101470830B1 (ko) | 3차원 탄소구조체의 합성방법 및 이에 의하여 합성된 3차원 탄소구조체 | |
KR102498711B1 (ko) | 게터의 안정화 처리 방법 | |
KR100891466B1 (ko) | 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계 방출원, 이의 제조방법및 탄소나노튜브의 밀도 제어 방법 | |
US7799374B2 (en) | Method for manufacturing field emission cathode | |
JP4983134B2 (ja) | 誘電体膜の製造方法及びコンデンサ | |
JP2006310493A (ja) | コンデンサ用電極箔 | |
JP2018177557A (ja) | カーボンナノチューブ複合体の製造方法及び積層体 | |
JP2012049420A (ja) | アルミ電解コンデンサ | |
WO2022202941A1 (ja) | 電極およびその製造方法 | |
Suttichart et al. | Synthesis and characterization of multi-wall carbon nanotubes/DLC incorporated composites as electrode materials for supercapacitor | |
US6761803B2 (en) | Large area silicon cone arrays fabrication and cone based nanostructure modification | |
KR102100736B1 (ko) | 탄소 복합체 및 그 제조방법 | |
JP7392389B2 (ja) | 材料製造方法、および、材料 | |
Azam et al. | Nanostructuring ultra-thin co films to active catalyst particles for vertically aligned single-walled CNT growth | |
JP3548582B2 (ja) | 電極箔 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131011 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20131113 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20140108 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20140418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140723 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150420 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5816832 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |