JP2001068699A - 太陽電池 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
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- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性低下を生じさせることなく電極の接着強
度を向上させ、なおかつ後工程での作業性を向上させる
ことを目的とする。 【解決手段】 半導体接合部を有する半導体基板の一主
面側にバスバー部とフィンガー部とからなる表面電極を
形成し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池にお
いて、前記バスバー部をフィンガーと直交する方向で分
割し、その分割したバスバー部同士を部分的に接続し
た。
度を向上させ、なおかつ後工程での作業性を向上させる
ことを目的とする。 【解決手段】 半導体接合部を有する半導体基板の一主
面側にバスバー部とフィンガー部とからなる表面電極を
形成し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池にお
いて、前記バスバー部をフィンガーと直交する方向で分
割し、その分割したバスバー部同士を部分的に接続し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池に関し、特
にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成
した太陽電池に関する。
にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成
した太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の太陽電池を図４に示す。例えば厚
さ０．５ｍｍ程度の単結晶または多結晶シリコンなどか
ら成るｐ型シリコン基板１の主面側に、０．２〜０．５
μｍの深さにリン（Ｐ）などを拡散させたｎ層２を設け
る。このｎ層２の表面に反射防止膜５を設ける。この反
射防止膜５上に銀などから成る表面電極６を設ける。そ
して、表面電極６および裏面電極７上に銅箔が容易に接
続できるように半田層（不図示）を設ける。
さ０．５ｍｍ程度の単結晶または多結晶シリコンなどか
ら成るｐ型シリコン基板１の主面側に、０．２〜０．５
μｍの深さにリン（Ｐ）などを拡散させたｎ層２を設け
る。このｎ層２の表面に反射防止膜５を設ける。この反
射防止膜５上に銀などから成る表面電極６を設ける。そ
して、表面電極６および裏面電極７上に銅箔が容易に接
続できるように半田層（不図示）を設ける。
【０００３】また、シリコン基板１の他の主面側にアル
ミニウムなどを高濃度に拡散させたｐ+ 層４を設け、シ
リコン基板１の裏面側の内部電界によって少数キャリア
である電子の再結合速度を遅くさせて短絡電流を向上さ
せ、もって太陽電池の変換効率を高めることも提案され
ている。
ミニウムなどを高濃度に拡散させたｐ+ 層４を設け、シ
リコン基板１の裏面側の内部電界によって少数キャリア
である電子の再結合速度を遅くさせて短絡電流を向上さ
せ、もって太陽電池の変換効率を高めることも提案され
ている。
【０００４】このような結晶系シリコンで形成される太
陽電池素子では、低コスト化のために、表面電極６およ
び裏面電極７は一般に印刷・焼成法で形成される。印刷
・焼成法では、シリコン基板との密着強度を向上させる
ために、銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀１
００重量部に対して０．１〜５重量部添加してペースト
状にしたものをスクリーン印刷法でシリコン基板１の表
面に印刷し、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成す
ることにより形成する。つまり、電極ペースト中にガラ
スフリットを添加して、電極ペースト中の金属成分の焼
結を促進させるとともに、基板材料であるシリコンと共
融状態をつくって密着強度を向上させるものである。そ
の後、金属ペースト中のバインダーあるいはガラスフリ
ットなどを取り除いて、電気伝導性を向上させるととも
に、素子特性を向上させるために、酸処理を行なってデ
ィップ法あるいは噴流法などで表面電極６と裏面電極７
の表面部に半田層を形成する。
陽電池素子では、低コスト化のために、表面電極６およ
び裏面電極７は一般に印刷・焼成法で形成される。印刷
・焼成法では、シリコン基板との密着強度を向上させる
ために、銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀１
００重量部に対して０．１〜５重量部添加してペースト
状にしたものをスクリーン印刷法でシリコン基板１の表
面に印刷し、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成す
ることにより形成する。つまり、電極ペースト中にガラ
スフリットを添加して、電極ペースト中の金属成分の焼
結を促進させるとともに、基板材料であるシリコンと共
融状態をつくって密着強度を向上させるものである。そ
の後、金属ペースト中のバインダーあるいはガラスフリ
ットなどを取り除いて、電気伝導性を向上させるととも
に、素子特性を向上させるために、酸処理を行なってデ
ィップ法あるいは噴流法などで表面電極６と裏面電極７
の表面部に半田層を形成する。
【０００５】複数の太陽電池を接続するには、表面銅箔
８の一方端を表面電極６のバスバー６ａ上の略全長にわ
たって配設して接合することによって表面電極６に接続
し、他方端を裏面側銅箔８を介して裏面電極７のバスバ
ー部の端部に半田付けして裏面電極７に接続する。
８の一方端を表面電極６のバスバー６ａ上の略全長にわ
たって配設して接合することによって表面電極６に接続
し、他方端を裏面側銅箔８を介して裏面電極７のバスバ
ー部の端部に半田付けして裏面電極７に接続する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】反射防止膜５上に導電
ペーストを印刷して焼成し、導電ペーストが反射防止膜
５を貫通することでシリコン基板１とのコンタクトをと
る電極の形成方法においては、電極６とシリコン基板１
との接着強度を向上させるためには、導電ペースト中の
ガラスフリットを増やしたり、焼成温度を高くしたり、
電極６とシリコン基板１との界面にＴｉなどのシリサイ
ド層を形成する必要がある。
ペーストを印刷して焼成し、導電ペーストが反射防止膜
５を貫通することでシリコン基板１とのコンタクトをと
る電極の形成方法においては、電極６とシリコン基板１
との接着強度を向上させるためには、導電ペースト中の
ガラスフリットを増やしたり、焼成温度を高くしたり、
電極６とシリコン基板１との界面にＴｉなどのシリサイ
ド層を形成する必要がある。
【０００７】しかし、ｎ層の拡散層が浅い太陽電池にお
いては、導電ペースト中のガラスフリットを増やした
り、焼成温度を高くすると、ガラスフリットがｎ層２を
突き抜ける割合が多くなるため、半導体接合部（ｎ層と
ｐ型基板の界面）でのリークが発生し、太陽電池の変換
効率が低下するという問題がある。
いては、導電ペースト中のガラスフリットを増やした
り、焼成温度を高くすると、ガラスフリットがｎ層２を
突き抜ける割合が多くなるため、半導体接合部（ｎ層と
ｐ型基板の界面）でのリークが発生し、太陽電池の変換
効率が低下するという問題がある。
【０００８】また、表面電極６とシリコン基板１との界
面にＴｉなどのシリサイド層を形成する方法では、反射
防止膜５上にＴｉなどの金属をスパッタリング法で成膜
した後、水素雰囲気中で熱処理を行ってシリサイド層を
形成してから導電ペーストを印刷して焼成するため、低
コストな量産プロセスには適さないという問題がある。
面にＴｉなどのシリサイド層を形成する方法では、反射
防止膜５上にＴｉなどの金属をスパッタリング法で成膜
した後、水素雰囲気中で熱処理を行ってシリサイド層を
形成してから導電ペーストを印刷して焼成するため、低
コストな量産プロセスには適さないという問題がある。
【０００９】この問題を解決するために、表面電極のバ
スバー部を厚くすることにより、電極の接着強度を向上
させることも考えられる。すなわち、表１に示すよう
に、バスバーの厚みを厚くすると、電極の接着強度は向
上する。
スバー部を厚くすることにより、電極の接着強度を向上
させることも考えられる。すなわち、表１に示すよう
に、バスバーの厚みを厚くすると、電極の接着強度は向
上する。
【００１０】
【表１】
【００１１】また、その形成方法について、図６（ａ）
（ｂ）に示すように、バスバー部６ａを細分化すること
により、バスバー６ａ全体もしくは一部を厚く形成する
ことが考えられる。すなわち、スクリーン印刷法で形成
するバスバー部６ａは、スクリーン印刷の印圧によって
断面中央部が凹状になり、印圧を小さくするとフィンガ
ー部６ｂの膜厚が薄くなる。そこで、バスバー６ａの一
部に分割した間隙部が形成されるように印刷パターンを
形成すると、スクリーンの間隙部分が乳剤で支えられ、
スクリーンと基板１間に所定の空隙が形成され、分割さ
れた間隙部を有するバスバー部６ａを厚く形成すること
ができる。図６（ａ）に示す方法では、電極を形成した
後に、二分割したバスバー６ａを表銅箔で接続して集電
する。
（ｂ）に示すように、バスバー部６ａを細分化すること
により、バスバー６ａ全体もしくは一部を厚く形成する
ことが考えられる。すなわち、スクリーン印刷法で形成
するバスバー部６ａは、スクリーン印刷の印圧によって
断面中央部が凹状になり、印圧を小さくするとフィンガ
ー部６ｂの膜厚が薄くなる。そこで、バスバー６ａの一
部に分割した間隙部が形成されるように印刷パターンを
形成すると、スクリーンの間隙部分が乳剤で支えられ、
スクリーンと基板１間に所定の空隙が形成され、分割さ
れた間隙部を有するバスバー部６ａを厚く形成すること
ができる。図６（ａ）に示す方法では、電極を形成した
後に、二分割したバスバー６ａを表銅箔で接続して集電
する。
【００１２】しかし、図６（ａ）に示す方法では、二分
割された表面電極６（６ａ）が印刷や半田層の影響によ
り、厚みが異なってしまう場合がある。その場合、例え
ば太陽電池素子の状態でＩ−Ｖ特性を測定するとき、バ
スバー６ａ上に接触させて測定する測定ピンが二分割さ
れたバスバー６ａの片方にしか当たらず、正しい測定が
できないという問題が生じる。また、例えば銅箔を溶着
する際、二分割された表面電極６（６ａ）の厚みが異な
ると、二分割された二本に溶着できないという問題が生
じる。
割された表面電極６（６ａ）が印刷や半田層の影響によ
り、厚みが異なってしまう場合がある。その場合、例え
ば太陽電池素子の状態でＩ−Ｖ特性を測定するとき、バ
スバー６ａ上に接触させて測定する測定ピンが二分割さ
れたバスバー６ａの片方にしか当たらず、正しい測定が
できないという問題が生じる。また、例えば銅箔を溶着
する際、二分割された表面電極６（６ａ）の厚みが異な
ると、二分割された二本に溶着できないという問題が生
じる。
【００１３】さらに、二分割された二本のバスバー部６
ａの厚みが同じでも、位置決め精度の問題により、例え
ば太陽電池素子の状態でＩ−Ｖ特性を測定するとき、バ
スバー６ａ上に接触させて測定する測定ピンが二分割さ
れたバスバー６ａの片方にしか当たらず、正しい測定が
できないという問題が生じる。また、同様に、例えば銅
箔を溶着する際、二分割された二本のバスバーの厚みが
同じでも、位置決め精度の問題により、二分割された二
本を溶着できないという問題が生じる。
ａの厚みが同じでも、位置決め精度の問題により、例え
ば太陽電池素子の状態でＩ−Ｖ特性を測定するとき、バ
スバー６ａ上に接触させて測定する測定ピンが二分割さ
れたバスバー６ａの片方にしか当たらず、正しい測定が
できないという問題が生じる。また、同様に、例えば銅
箔を溶着する際、二分割された二本のバスバーの厚みが
同じでも、位置決め精度の問題により、二分割された二
本を溶着できないという問題が生じる。
【００１４】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、特性低下を生じさせることな
く電極の接着強度を向上させ、なおかつ後工程での作業
性を向上させることを目的とする。
みてなされたものであり、特性低下を生じさせることな
く電極の接着強度を向上させ、なおかつ後工程での作業
性を向上させることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池では、半導体接合部を有する
半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とか
らなる表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成
した太陽電池において、前記バスバー部をフィンガーと
直交する方向で分割し、その分割したバスバー部同士を
部分的に接続したことを特徴とする。
に、本発明に係る太陽電池では、半導体接合部を有する
半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とか
らなる表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成
した太陽電池において、前記バスバー部をフィンガーと
直交する方向で分割し、その分割したバスバー部同士を
部分的に接続したことを特徴とする。
【００１６】上記のように、表面電極のバスバーを分割
して形成すると、表面電極を厚く形成でき、もって電極
の接合強度が大きくなるとともに、分割したバスバーを
部分的に接続することによって、分割したバスバー間が
導通し、分割したバスバーのどちらでも同じように集電
できる。そのため、例えばＩ−Ｖ特性を測定するときな
ど、バスバー上に接触させて測定する測定ピンが分割し
たバスバーの片方にしか当たらない場合でも、正しい測
定ができる。また、銅箔を溶着する際、分割した表面電
極の厚みが異なっても溶着できる。さらに、分割したバ
スバーを銅箔で溶着するための厳密な位置決め精度は必
要なくなる。
して形成すると、表面電極を厚く形成でき、もって電極
の接合強度が大きくなるとともに、分割したバスバーを
部分的に接続することによって、分割したバスバー間が
導通し、分割したバスバーのどちらでも同じように集電
できる。そのため、例えばＩ−Ｖ特性を測定するときな
ど、バスバー上に接触させて測定する測定ピンが分割し
たバスバーの片方にしか当たらない場合でも、正しい測
定ができる。また、銅箔を溶着する際、分割した表面電
極の厚みが異なっても溶着できる。さらに、分割したバ
スバーを銅箔で溶着するための厳密な位置決め精度は必
要なくなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽電
池の一実施形態を示す断面図、図２は平面図であり、１
は半導体基板、６は表面電極、７は裏面電極、８は表面
銅箔、９は裏面銅箔である。
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽電
池の一実施形態を示す断面図、図２は平面図であり、１
は半導体基板、６は表面電極、７は裏面電極、８は表面
銅箔、９は裏面銅箔である。
【００１８】半導体基板１は、厚み０．３ｍｍ程度の単
結晶シリコンや多結晶シリコンなどからなる。この半導
体基板１はボロン（Ｂ）を１×１０16〜１０18ａｔｏｍ
ｓ・ｃｍ-3程度含有し、比抵抗は１．５Ω・ｃｍであ
る。この半導体基板１内にはＮ型領域２とＰ+ 型領域４
があり、Ｎ型領域２はＰ型のシリコン基板１を拡散炉中
に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）中で加熱す
ることによって、シリコン基板１の全体の表面部にリン
原子を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度拡散
させ、その後に側面部と裏面部の拡散層を除去すること
により、厚み０．３〜０．４μｍ程度に形成する。な
お、この半導体基板１は単結晶ガリウム砒素などで形成
しても良い。
結晶シリコンや多結晶シリコンなどからなる。この半導
体基板１はボロン（Ｂ）を１×１０16〜１０18ａｔｏｍ
ｓ・ｃｍ-3程度含有し、比抵抗は１．５Ω・ｃｍであ
る。この半導体基板１内にはＮ型領域２とＰ+ 型領域４
があり、Ｎ型領域２はＰ型のシリコン基板１を拡散炉中
に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）中で加熱す
ることによって、シリコン基板１の全体の表面部にリン
原子を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度拡散
させ、その後に側面部と裏面部の拡散層を除去すること
により、厚み０．３〜０．４μｍ程度に形成する。な
お、この半導体基板１は単結晶ガリウム砒素などで形成
しても良い。
【００１９】また、半導体基板１の裏面側にはアルミニ
ウム（Ａｌ）ペーストを印刷して焼成することにより、
アルミニウムを５〜１０μｍ程度の厚みに１×１０20〜
１０22ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度拡散させたＰ+ 層４を形
成する。
ウム（Ａｌ）ペーストを印刷して焼成することにより、
アルミニウムを５〜１０μｍ程度の厚みに１×１０20〜
１０22ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度拡散させたＰ+ 層４を形
成する。
【００２０】次に、半導体基板１の一主面側に反射防止
膜５を形成する。この反射防止膜５は例えば窒化シリコ
ン膜などからなり、シランとアンモニアとの混合ガスを
用いたプラズマＣＶＤ法などで厚み５００〜１０００
Å、屈折率１．９０〜２．３０に形成される。この反射
防止膜５は、半導体基板１の表面で光が反射するのを防
止して、半導体基板１内に光を有効に取り込むために設
ける。
膜５を形成する。この反射防止膜５は例えば窒化シリコ
ン膜などからなり、シランとアンモニアとの混合ガスを
用いたプラズマＣＶＤ法などで厚み５００〜１０００
Å、屈折率１．９０〜２．３０に形成される。この反射
防止膜５は、半導体基板１の表面で光が反射するのを防
止して、半導体基板１内に光を有効に取り込むために設
ける。
【００２１】この反射防止膜５上には、表面電極６が形
成されている。この表面電極６はバスバー部６ａと、バ
スバー部６ａと交差して分岐して幅１００〜３００μ
ｍ、ピッチ１〜３ｍｍ程度に形成されたフィンガー部６
ｂとからなる。バスバー部６ａは基板１の略全長にわた
って２組あるいは３組平行に形成されており、フィンガ
ー部６ｂはバスバー部６ａに交差して多数本が基板１の
略全長にわたって形成される。このような表面電極６
は、たとえば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および
溶剤から成るペーストをスクリーン印刷して６００〜８
００℃程度の温度で焼き付け、全体を半田層（不図示）
で被覆することにより形成される。
成されている。この表面電極６はバスバー部６ａと、バ
スバー部６ａと交差して分岐して幅１００〜３００μ
ｍ、ピッチ１〜３ｍｍ程度に形成されたフィンガー部６
ｂとからなる。バスバー部６ａは基板１の略全長にわた
って２組あるいは３組平行に形成されており、フィンガ
ー部６ｂはバスバー部６ａに交差して多数本が基板１の
略全長にわたって形成される。このような表面電極６
は、たとえば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および
溶剤から成るペーストをスクリーン印刷して６００〜８
００℃程度の温度で焼き付け、全体を半田層（不図示）
で被覆することにより形成される。
【００２２】この表面電極６の形成には、図２に示すよ
うなバスバー部６ａを二分割し、分割された二本のバス
バー６ａを接続する電極６ｃを部分的に設けたスクリー
ンを用いて印刷を行うことにより、厚膜化された電極６
を形成する。バスバー６ａの一部に分割した間隙部が形
成されるように印刷パターンを形成すると、スクリーン
の間隙部分が乳剤で支えられ、スクリーンと基板１間に
所定の空隙が形成され、分割された間隙部を有するバス
バー部６ａを厚く形成することができる。このとき、図
３（ａ）に示すように、バスバー６ａは二分割以上複数
本であればよい。また図３（ｂ）に示すように、分割さ
れたバスバー６ａよりもそれを接続する電極６ｃの方が
太い形でもよい。
うなバスバー部６ａを二分割し、分割された二本のバス
バー６ａを接続する電極６ｃを部分的に設けたスクリー
ンを用いて印刷を行うことにより、厚膜化された電極６
を形成する。バスバー６ａの一部に分割した間隙部が形
成されるように印刷パターンを形成すると、スクリーン
の間隙部分が乳剤で支えられ、スクリーンと基板１間に
所定の空隙が形成され、分割された間隙部を有するバス
バー部６ａを厚く形成することができる。このとき、図
３（ａ）に示すように、バスバー６ａは二分割以上複数
本であればよい。また図３（ｂ）に示すように、分割さ
れたバスバー６ａよりもそれを接続する電極６ｃの方が
太い形でもよい。
【００２３】この表面電極６（６ａ）上には５０〜２５
０μｍ程度の厚みの表面銅箔８が貼り付けられている。
この表面銅箔８は、表面電極６（６ａ）の断面積を大き
くして表面電極６の電気抵抗を下げるとともに、太陽電
池の出力を取り出すために設けられる。このような表面
銅箔８を全面、もしくは複数箇所熱溶着などにより接続
する。バスバーを分割していることから、バスバーは厚
膜化されており、電極強度が向上して剥がれにくくな
る。
０μｍ程度の厚みの表面銅箔８が貼り付けられている。
この表面銅箔８は、表面電極６（６ａ）の断面積を大き
くして表面電極６の電気抵抗を下げるとともに、太陽電
池の出力を取り出すために設けられる。このような表面
銅箔８を全面、もしくは複数箇所熱溶着などにより接続
する。バスバーを分割していることから、バスバーは厚
膜化されており、電極強度が向上して剥がれにくくな
る。
【００２４】基板１の裏面側には裏面電極７が設けられ
ている。この裏面電極７も裏面銅箔９を接続するための
幅１〜２ｍｍ、厚み５〜１０μｍ程度のバスバー部７ａ
とこのバスバー部７ａと交差して分岐して多数本形成さ
れる幅１００〜３００μｍ程度、厚み５〜１０μｍ程
度、ピッチ１．５〜５ｍｍ程度のフィンガー部（不図
示）とから成る。バスバー部７ａは基板１の略全長にわ
たって形成される。このような裏面電極６は、たとえば
銀粉末、ガラスフリット、結合剤および溶剤からなるペ
ーストをスクリーン印刷して焼き付け、全体を半田層
（不図示）で被覆することにより形成される。
ている。この裏面電極７も裏面銅箔９を接続するための
幅１〜２ｍｍ、厚み５〜１０μｍ程度のバスバー部７ａ
とこのバスバー部７ａと交差して分岐して多数本形成さ
れる幅１００〜３００μｍ程度、厚み５〜１０μｍ程
度、ピッチ１．５〜５ｍｍ程度のフィンガー部（不図
示）とから成る。バスバー部７ａは基板１の略全長にわ
たって形成される。このような裏面電極６は、たとえば
銀粉末、ガラスフリット、結合剤および溶剤からなるペ
ーストをスクリーン印刷して焼き付け、全体を半田層
（不図示）で被覆することにより形成される。
【００２５】この裏面電極７（７ａ）上には裏面銅箔９
が貼り付けられている。この裏面銅箔９は、裏面電極７
（７ａ）の断面積を大きくして裏面電極７の電気抵抗を
下げるとともに、太陽電池の出力を取り出すために設け
られる。このような裏面銅箔９は、裏面バスバー部７ａ
上に複数箇所で熱溶着などにより接続する。
が貼り付けられている。この裏面銅箔９は、裏面電極７
（７ａ）の断面積を大きくして裏面電極７の電気抵抗を
下げるとともに、太陽電池の出力を取り出すために設け
られる。このような裏面銅箔９は、裏面バスバー部７ａ
上に複数箇所で熱溶着などにより接続する。
【００２６】
【実施例】図２に示すような電極パターンを反射防止膜
上にスクリーン印刷して焼成した。図５に示す従来の電
極パターンと図２に示す本発明の電極パターンで印刷し
て焼成した後の電極の厚みの測定結果と電極強度の測定
結果を表２に示す。
上にスクリーン印刷して焼成した。図５に示す従来の電
極パターンと図２に示す本発明の電極パターンで印刷し
て焼成した後の電極の厚みの測定結果と電極強度の測定
結果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】電極強度は２ｍｍ幅のリボン状金属端子を
表面電極バスバー６ａに半田付けして、太陽電池の表面
と直交する垂直方向にそって２０ｍｍ／ｍｉｎの速度で
引っ張った際に、破壊が生じた外力を測定したものであ
る。
表面電極バスバー６ａに半田付けして、太陽電池の表面
と直交する垂直方向にそって２０ｍｍ／ｍｉｎの速度で
引っ張った際に、破壊が生じた外力を測定したものであ
る。
【００２９】表２に示すとおり、本発明の電極パターン
によれば従来よりもバスバーの厚みを厚くできる。ま
た、表２に示すとおり、従来の電極パターンの太陽電池
においては電極の引っ張り強度が０．５５ｋｇであるの
に対し、本発明の電極パターンでは１．０ｋｇの電極強
度が得られた。
によれば従来よりもバスバーの厚みを厚くできる。ま
た、表２に示すとおり、従来の電極パターンの太陽電池
においては電極の引っ張り強度が０．５５ｋｇであるの
に対し、本発明の電極パターンでは１．０ｋｇの電極強
度が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池に
よれば、表面電極のバスバー部をフィンガーと直交する
方向で分割し、その分割したバスバー部同士を部分的に
接続したことから、電極を厚く形成でき、もって電極の
接着強度を大きくできるとともに、分割されていたバス
バー間が導通し、分割されたバスバーのどちらでも同じ
ように集電される。よって後工程のセルの状態でのＩ−
Ｖ特性を測定するときや、表面電極上に銅箔を溶着する
際に問題が生じず、さらに厳密な位置決め精度も必要な
くなる。
よれば、表面電極のバスバー部をフィンガーと直交する
方向で分割し、その分割したバスバー部同士を部分的に
接続したことから、電極を厚く形成でき、もって電極の
接着強度を大きくできるとともに、分割されていたバス
バー間が導通し、分割されたバスバーのどちらでも同じ
ように集電される。よって後工程のセルの状態でのＩ−
Ｖ特性を測定するときや、表面電極上に銅箔を溶着する
際に問題が生じず、さらに厳密な位置決め精度も必要な
くなる。
【図１】本発明に係る太陽電池の一実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係る太陽電池の一実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図３】本発明に係る太陽電池の他の実施形態を示す平
面図である。
面図である。
【図４】従来の太陽電池を示す断面図である。
【図５】従来の太陽電池を示す平面図である。
【図６】従来の太陽電池の他の平面図である。
１‥‥‥半導体基板、６‥‥‥表面電極、６ａ‥‥‥バ
スバー部、６ｂ‥‥‥フィンガー部、７‥‥‥裏面電極
スバー部、６ｂ‥‥‥フィンガー部、７‥‥‥裏面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA03 EA09 EA11 FA06 FA10 FA11 FA13 FA15 FA30 GA04
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体接合部を有する半導体基板の一主
面側にバスバー部とフィンガー部とからなる表面電極を
形成し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池にお
いて、前記バスバー部をフィンガーと直交する方向で分
割し、その分割したバスバー部同士を部分的に接続した
ことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403499A JP2001068699A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403499A JP2001068699A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068699A true JP2001068699A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17112735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24403499A Pending JP2001068699A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068699A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252108A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
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| JP2008252147A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
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| WO2012121348A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 日立化成工業株式会社 | 太陽電池セル、太陽電池モジュール、太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
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-
1999
- 1999-08-30 JP JP24403499A patent/JP2001068699A/ja active Pending
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