JP2000340812A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JP2000340812A JP2000340812A JP11150147A JP15014799A JP2000340812A JP 2000340812 A JP2000340812 A JP 2000340812A JP 11150147 A JP11150147 A JP 11150147A JP 15014799 A JP15014799 A JP 15014799A JP 2000340812 A JP2000340812 A JP 2000340812A
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- copper foil
- electrode
- surface electrode
- thick film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極の接着強度を向上させるために、特性低
下やプロセスコストの増加が発生するという問題あっ
た。 【解決手段】 半導体接合部を有する半導体の一主面側
にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成
し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池であっ
て、上記表面電極のバスバー部に銅箔を複数個所で接合
して設けると共に、この表面電極の上記銅箔との接合部
分を他の部分よりも厚く形成する。
下やプロセスコストの増加が発生するという問題あっ
た。 【解決手段】 半導体接合部を有する半導体の一主面側
にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成
し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池であっ
て、上記表面電極のバスバー部に銅箔を複数個所で接合
して設けると共に、この表面電極の上記銅箔との接合部
分を他の部分よりも厚く形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の太陽電池を図４に示す。図４中、
１１はシリコン基板、１６は表面電極、１８は表面銅
箔、１７は裏面電極バスバー、１９は裏面銅箔である。
シリコン基板１１内にはＮ型領域１２とＰ型領域１３と
Ｐ+ 型領域１４とが設けられている。Ｎ型領域１２の表
面には反射防止膜１５が形成され、その上から表面電極
１６（１６ａ）が設けられ、Ｐ+ 型領域１４の表面には
裏面電極１７（１７ａ）が設けられている。この表面電
極１６は表面銅箔接続用のバスバー部１５ａと集電用の
フィンガー部１５ｃとから成る。また、裏面電極１７も
バスバー部１７ａとフィンガー部（不図示）とから成
る。
１１はシリコン基板、１６は表面電極、１８は表面銅
箔、１７は裏面電極バスバー、１９は裏面銅箔である。
シリコン基板１１内にはＮ型領域１２とＰ型領域１３と
Ｐ+ 型領域１４とが設けられている。Ｎ型領域１２の表
面には反射防止膜１５が形成され、その上から表面電極
１６（１６ａ）が設けられ、Ｐ+ 型領域１４の表面には
裏面電極１７（１７ａ）が設けられている。この表面電
極１６は表面銅箔接続用のバスバー部１５ａと集電用の
フィンガー部１５ｃとから成る。また、裏面電極１７も
バスバー部１７ａとフィンガー部（不図示）とから成
る。
【０００３】複数の太陽電池を接続するには、表面側銅
箔１８の一方端が表面電極１６ａ上の略全長にわたって
配設され、その複数個所を表面電極１６ａと接合するこ
とによって表面電極１６に接続され、他方端が裏面側銅
箔１８を介して裏面電極１７のバスバー部１７ａの端部
に半田付けされて裏面電極１７に接続される。
箔１８の一方端が表面電極１６ａ上の略全長にわたって
配設され、その複数個所を表面電極１６ａと接合するこ
とによって表面電極１６に接続され、他方端が裏面側銅
箔１８を介して裏面電極１７のバスバー部１７ａの端部
に半田付けされて裏面電極１７に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】反射防止膜１５上に導
電ペーストを印刷して焼成し、導電ペーストが反射防止
膜１５を貫通することでシリコン基板１１とコンタクト
を取る電極の形成方法においては、電極１６とシリコン
基板１１との接着強度を向上させるためには、導電ペー
スト中のガラスフリットを増やしたり、焼成温度を高く
したり、電極１６とシリコン基板１１との界面にＴｉ等
のシリサイド層を形成する必要がある。
電ペーストを印刷して焼成し、導電ペーストが反射防止
膜１５を貫通することでシリコン基板１１とコンタクト
を取る電極の形成方法においては、電極１６とシリコン
基板１１との接着強度を向上させるためには、導電ペー
スト中のガラスフリットを増やしたり、焼成温度を高く
したり、電極１６とシリコン基板１１との界面にＴｉ等
のシリサイド層を形成する必要がある。
【０００５】しかし、Ｎ型領域１２の拡散層が浅い接合
を持つ太陽電池においては、導電ペースト中のガラスフ
リットを増やしたり、焼成温度を高くしたりすると、ガ
ラスフリットが拡散層１２を突き抜ける割合が多くなる
ため、半導体接合部（Ｎ型領域とＰ型領域の界面）での
リークが発生し、太陽電池の変換効率が低下するという
問題がある。
を持つ太陽電池においては、導電ペースト中のガラスフ
リットを増やしたり、焼成温度を高くしたりすると、ガ
ラスフリットが拡散層１２を突き抜ける割合が多くなる
ため、半導体接合部（Ｎ型領域とＰ型領域の界面）での
リークが発生し、太陽電池の変換効率が低下するという
問題がある。
【０００６】また、表面電極１６とシリコン基板１１と
の界面にＴｉ等のシリサイド層を形成する方法では、反
射防止膜１５上にＴｉ等の金属をスパッタリングによっ
て製膜した後、水素雰囲気中で熱処理を行ってシリサイ
ド層を形成してから導電ペーストを印刷して焼成するた
め、低コストな量産プロセスには適しないという問題が
ある。
の界面にＴｉ等のシリサイド層を形成する方法では、反
射防止膜１５上にＴｉ等の金属をスパッタリングによっ
て製膜した後、水素雰囲気中で熱処理を行ってシリサイ
ド層を形成してから導電ペーストを印刷して焼成するた
め、低コストな量産プロセスには適しないという問題が
ある。
【０００７】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、電極の接着強度を向上させる
ために生じる特性低下やプロセスコストの増加の問題を
解消した太陽電池を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、電極の接着強度を向上させる
ために生じる特性低下やプロセスコストの増加の問題を
解消した太陽電池を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池では、半導体接合部を有する
半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とか
ら成る表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成
した太陽電池において、前記表面電極のバスバー部に銅
箔を複数個所で接合して設けると共に、この表面電極の
前記銅箔との接合部分を他の部分よりも厚く形成する。
に、本発明に係る太陽電池では、半導体接合部を有する
半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とか
ら成る表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成
した太陽電池において、前記表面電極のバスバー部に銅
箔を複数個所で接合して設けると共に、この表面電極の
前記銅箔との接合部分を他の部分よりも厚く形成する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽電
池の一実施形態を示す断面図、図２は平面図であり、１
は半導体基板、６は表面電極、７は裏面電極、８は表面
銅箔、９は裏面銅箔である。
面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る太陽電
池の一実施形態を示す断面図、図２は平面図であり、１
は半導体基板、６は表面電極、７は裏面電極、８は表面
銅箔、９は裏面銅箔である。
【００１０】半導体基板１は、厚み０．３ｍｍ程度の単
結晶シリコンや多結晶シリコンなどから成る。この半導
体基板１はボロン（Ｂ）を１×１０16〜１０18ａｔｏｍ
ｓ・ｃｍ-3程度含有し、比抵抗は１．５Ωｃｍである。
この半導体基板１内には、Ｎ型領域２とＰ+ 型領域４が
あり、Ｎ型領域２はＰ型のシリコン基板１を拡散炉中に
配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）中で加熱する
ことによって、シリコン基板１の全体の表面部にリン原
子を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度拡散さ
せ、その後に側面部と裏面部の拡散層を除去することに
より、厚み０．３〜０．４μｍ程度に形成する。なお、
この半導体基板１は単結晶ガリウム砒素などで形成して
もよい。
結晶シリコンや多結晶シリコンなどから成る。この半導
体基板１はボロン（Ｂ）を１×１０16〜１０18ａｔｏｍ
ｓ・ｃｍ-3程度含有し、比抵抗は１．５Ωｃｍである。
この半導体基板１内には、Ｎ型領域２とＰ+ 型領域４が
あり、Ｎ型領域２はＰ型のシリコン基板１を拡散炉中に
配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）中で加熱する
ことによって、シリコン基板１の全体の表面部にリン原
子を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度拡散さ
せ、その後に側面部と裏面部の拡散層を除去することに
より、厚み０．３〜０．４μｍ程度に形成する。なお、
この半導体基板１は単結晶ガリウム砒素などで形成して
もよい。
【００１１】また、半導体基板１の裏面側には、アルミ
ニウム（Ａｌ）ペーストを印刷して焼成することによ
り、アルミニウムを５〜１０μｍ程度の厚みに１×１０
20〜１０22ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度Ｐ+ 層４を形成す
る。
ニウム（Ａｌ）ペーストを印刷して焼成することによ
り、アルミニウムを５〜１０μｍ程度の厚みに１×１０
20〜１０22ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度Ｐ+ 層４を形成す
る。
【００１２】次に、半導体基板１の一主面側に反射防止
膜５を形成する。この反射防止膜５はたとえば窒化シリ
コン膜などからなり、シランとアンモニアとの混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法などで厚みに５００〜１００
０Å、屈折率１．９０〜２．３０に形成される。この反
射防止膜５は、半導体基板１の表面で光が反射するのを
防止して、半導体基板１内に光を有効に取り込むために
設ける。
膜５を形成する。この反射防止膜５はたとえば窒化シリ
コン膜などからなり、シランとアンモニアとの混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法などで厚みに５００〜１００
０Å、屈折率１．９０〜２．３０に形成される。この反
射防止膜５は、半導体基板１の表面で光が反射するのを
防止して、半導体基板１内に光を有効に取り込むために
設ける。
【００１３】この反射防止膜５上には、表面電極６が形
成されている。この表面電極６は、バスバー部６ａと、
表面銅箔８との接続部分で他のバスバー部６ａよりも厚
く５〜１０μｍ程度の厚みに形成されたバスバー厚膜部
６ｂと、バスバー部６ａと交差して分岐して幅１００〜
３００μｍ、ピッチ１５〜３ｍｍ程度に形成されたフィ
ンガー部６ｃとから成る。バスバー部６ａは基板１の略
全長にわたって２本あるいは３本平行に形成されてお
り、フィンガー部６ｃはバスバー部６ａに交差して多数
本が基板１の略全長にわたって形成される。このような
表面電極６は、たとえば銀粉末、ガラスフリット、結合
剤、および溶剤から成るペーストをスクリーン印刷して
６００〜８００℃程度の温度で焼き付け、全体を半田層
（不図示）で被覆することにより形成される。
成されている。この表面電極６は、バスバー部６ａと、
表面銅箔８との接続部分で他のバスバー部６ａよりも厚
く５〜１０μｍ程度の厚みに形成されたバスバー厚膜部
６ｂと、バスバー部６ａと交差して分岐して幅１００〜
３００μｍ、ピッチ１５〜３ｍｍ程度に形成されたフィ
ンガー部６ｃとから成る。バスバー部６ａは基板１の略
全長にわたって２本あるいは３本平行に形成されてお
り、フィンガー部６ｃはバスバー部６ａに交差して多数
本が基板１の略全長にわたって形成される。このような
表面電極６は、たとえば銀粉末、ガラスフリット、結合
剤、および溶剤から成るペーストをスクリーン印刷して
６００〜８００℃程度の温度で焼き付け、全体を半田層
（不図示）で被覆することにより形成される。
【００１４】この表面電極６（６ａ）上には５０〜２５
０μｍ程度の厚みの表面銅箔８が貼り付けられている。
この表面銅箔８は、表面電極６（６ａ）の断面積を大き
くして表面電極６の電気抵抗を下げるとともに、太陽電
池の出力を取り出すために設けられる。このような表面
銅箔８をバスバー部６ａ上の他のバスバー部よりも厚く
形成されたバスバー厚膜部６ｂと熱溶着等により接続す
る。
０μｍ程度の厚みの表面銅箔８が貼り付けられている。
この表面銅箔８は、表面電極６（６ａ）の断面積を大き
くして表面電極６の電気抵抗を下げるとともに、太陽電
池の出力を取り出すために設けられる。このような表面
銅箔８をバスバー部６ａ上の他のバスバー部よりも厚く
形成されたバスバー厚膜部６ｂと熱溶着等により接続す
る。
【００１５】この場合、表面銅箔８は表面電極６の厚膜
部６ｂに接合されることから、厚くした部分での電極６
とシリコン基板１１の接着強度が強くなり、銅箔８が剥
がれにくくなる。
部６ｂに接合されることから、厚くした部分での電極６
とシリコン基板１１の接着強度が強くなり、銅箔８が剥
がれにくくなる。
【００１６】基板１の裏面側には裏面電極７が設けられ
ている。この裏面電極７も、裏面銅箔９を接続するため
の幅１〜２ｍｍ、厚み５〜１０μｍ程度のバスバー部７
ａとこのバスバー部７ａと交差して分岐して多数本形成
される幅１００〜３００μｍ程度、厚み５〜１０μｍ程
度、ピッチ１．５〜５ｍｍ程度のフィンガー部（不図
示）とから成る。バスバー部７ａは基板１の略全長にわ
たって２本あるいは３本平行に形成されており、フィン
ガー部はバスバー部７ａに交差して多数本が基板１の略
全長にわたって形成される。このような裏面電極６は、
たとえば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤
から成るペーストをスクリーン印刷して焼き付け、全体
を半田層（不図示）で被覆することにより形成される。
ている。この裏面電極７も、裏面銅箔９を接続するため
の幅１〜２ｍｍ、厚み５〜１０μｍ程度のバスバー部７
ａとこのバスバー部７ａと交差して分岐して多数本形成
される幅１００〜３００μｍ程度、厚み５〜１０μｍ程
度、ピッチ１．５〜５ｍｍ程度のフィンガー部（不図
示）とから成る。バスバー部７ａは基板１の略全長にわ
たって２本あるいは３本平行に形成されており、フィン
ガー部はバスバー部７ａに交差して多数本が基板１の略
全長にわたって形成される。このような裏面電極６は、
たとえば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤
から成るペーストをスクリーン印刷して焼き付け、全体
を半田層（不図示）で被覆することにより形成される。
【００１７】この裏面電極７（７ａ）上には裏面銅箔９
が貼り付けられている。この裏面銅箔９は、裏面電極７
（７ａ）の断面積を大きくして裏面電極７の電気抵抗を
下げるとともに、太陽電池の出力を取り出すために設け
られる。このような裏面銅箔９は、裏面バスバー部７ａ
上に複数箇所で熱溶着等により接続する。
が貼り付けられている。この裏面銅箔９は、裏面電極７
（７ａ）の断面積を大きくして裏面電極７の電気抵抗を
下げるとともに、太陽電池の出力を取り出すために設け
られる。このような裏面銅箔９は、裏面バスバー部７ａ
上に複数箇所で熱溶着等により接続する。
【００１８】図３は本発明に係る太陽電池の他の実施形
態を示す図である。この太陽電池では、表面電極６のバ
スバー部６ａの幅の方向の一部に厚膜部６ｂを形成して
いる。このように、バスバー部６ａの幅方向の一部に厚
膜部６ｂを形成しても、上述した太陽電池と同様な効果
が得られる。
態を示す図である。この太陽電池では、表面電極６のバ
スバー部６ａの幅の方向の一部に厚膜部６ｂを形成して
いる。このように、バスバー部６ａの幅方向の一部に厚
膜部６ｂを形成しても、上述した太陽電池と同様な効果
が得られる。
【００１９】
【実施例】図２（ａ）に示すように、反射防止膜５上
に、バスバー部６ａとフィンガー部６ｃを同時に印刷し
て乾燥した後、表面銅箔８との接続部分にバスバー厚膜
部６ｂを印刷して、焼成した。バスバー部６ａとフィン
ガー部６ｃの電極厚みは焼成後で１０μｍ、バスバー厚
膜部６ｂの電極厚みは焼成後で２５μｍ、幅は２ｍｍで
ある。その後、バスバー部６ａ上に表面銅箔８をバスバ
ー厚膜部６ｂで接続し、表面銅箔８を引っ張ることによ
って電極強度を測定した。
に、バスバー部６ａとフィンガー部６ｃを同時に印刷し
て乾燥した後、表面銅箔８との接続部分にバスバー厚膜
部６ｂを印刷して、焼成した。バスバー部６ａとフィン
ガー部６ｃの電極厚みは焼成後で１０μｍ、バスバー厚
膜部６ｂの電極厚みは焼成後で２５μｍ、幅は２ｍｍで
ある。その後、バスバー部６ａ上に表面銅箔８をバスバ
ー厚膜部６ｂで接続し、表面銅箔８を引っ張ることによ
って電極強度を測定した。
【００２０】また、図２（ｂ）に示すように、バスバー
厚膜部６ｂをバスバー部６ａとフィンガー部６ｃの交差
部のみに形成する方法においても、電極強度を測定し
た。この場合、バスバー部６ａを印刷して乾燥した後、
バスバー部６ａと交差するようにフィンガー部６ｃを印
刷する。このとき、バスバー部６ａと交差するバスバー
厚膜部６ｂは、幅が０．１μｍ〜０．５μｍ程度で形成
される。その後バスバー部６ａ上に表面銅箔８を複数箇
所で接続した。電極強度の測定結果を表１に示す。
厚膜部６ｂをバスバー部６ａとフィンガー部６ｃの交差
部のみに形成する方法においても、電極強度を測定し
た。この場合、バスバー部６ａを印刷して乾燥した後、
バスバー部６ａと交差するようにフィンガー部６ｃを印
刷する。このとき、バスバー部６ａと交差するバスバー
厚膜部６ｂは、幅が０．１μｍ〜０．５μｍ程度で形成
される。その後バスバー部６ａ上に表面銅箔８を複数箇
所で接続した。電極強度の測定結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示すとおり、従来構造の太陽電池に
おいては電極の引っ張り強度が０．５ｋｇであるのに対
し、請求項１のように表面銅箔と接合する部分の電極を
厚くすることで１．０ｋｇ以上の電極強度が得られ、電
極強度が向上することが確認された。
おいては電極の引っ張り強度が０．５ｋｇであるのに対
し、請求項１のように表面銅箔と接合する部分の電極を
厚くすることで１．０ｋｇ以上の電極強度が得られ、電
極強度が向上することが確認された。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る太陽電池によれば、表面銅箔とバスバー電極との接合
部分のバスバー電極を厚くしたことから、厚くした部分
での電極とシリコン基板との接着強度が強くなり、もっ
て表面電極に接合される銅箔が剥がれにくくなる。その
ため、製造工程における後工程での配線歩留りが向上す
る。
る太陽電池によれば、表面銅箔とバスバー電極との接合
部分のバスバー電極を厚くしたことから、厚くした部分
での電極とシリコン基板との接着強度が強くなり、もっ
て表面電極に接合される銅箔が剥がれにくくなる。その
ため、製造工程における後工程での配線歩留りが向上す
る。
【図１】本発明に係る太陽電池の一実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係る太陽電池の一実施形態を示す平面
図であり、（ａ）はバスバー電極の厚膜部を長く形成し
た場合、（ｂ）はバスバー電極の厚膜部をフィンガー電
極と同じピッチに形成した場合を示す。
図であり、（ａ）はバスバー電極の厚膜部を長く形成し
た場合、（ｂ）はバスバー電極の厚膜部をフィンガー電
極と同じピッチに形成した場合を示す。
【図３】本発明に係る太陽電池の他の実施形態を示す平
面図である。
面図である。
【図４】従来の太陽電池を示す図であり、（ａ）は断面
図、（ｂ）は平面図である。
図、（ｂ）は平面図である。
１…基板、２…Ｎ型領域、３…Ｐ型領域、４…Ｐ+ 型領
域、５ａ…表面電極バスバー、５ｂ…表面電極厚膜部、
５ｃ…表面電極フィンガー、６…表面電極側の銅箔、７
ａ…裏面電極バスバー、８…裏面電極側の銅箔
域、５ａ…表面電極バスバー、５ｂ…表面電極厚膜部、
５ｃ…表面電極フィンガー、６…表面電極側の銅箔、７
ａ…裏面電極バスバー、８…裏面電極側の銅箔
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体接合部を有する半導体基板の一主
面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を
形成し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池にお
いて、前記表面電極のバスバー部に銅箔を複数個所で接
合して設けると共に、この表面電極の前記銅箔との接合
部分を他の部分よりも厚く形成したことを特徴とする太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11150147A JP2000340812A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11150147A JP2000340812A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340812A true JP2000340812A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15490534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11150147A Pending JP2000340812A (ja) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000340812A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005109524A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2006156693A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール |
| JP2007273908A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kaneka Corp | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2009260190A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 太陽電池セル、タブ付き太陽電池セルおよびこれらの製造方法 |
| US20100000602A1 (en) * | 2007-12-11 | 2010-01-07 | Evergreen Solar, Inc. | Photovoltaic Cell with Efficient Finger and Tab Layout |
| JP2010080576A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| WO2011004758A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 株式会社シンク・ラボラトリー | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| KR101146734B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2012-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈 |
| CN103972307A (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-06 | 茂迪股份有限公司 | 太阳能电池、其模组及其制造方法 |
| KR101594127B1 (ko) | 2010-01-07 | 2016-02-15 | 삼성전자주식회사 | 패턴이 형성된 집전 전극 및 이를 채용한 태양 전지 |
| JP2016103642A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
| JPWO2017037803A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-11-24 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239067A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Hitachi Ltd | 太陽電池素子 |
| JPH03283472A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Tonen Corp | 太陽電池 |
| JPH0411786A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Tonen Corp | 太陽電池の製造方法及び該製造方法で作成された太陽電池 |
| JPH04276665A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Canon Inc | 集積型太陽電池 |
| JPH07147424A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| JPH09135035A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09223812A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール及び該製造方法 |
| JPH11135812A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の形成方法 |
-
1999
- 1999-05-28 JP JP11150147A patent/JP2000340812A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239067A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Hitachi Ltd | 太陽電池素子 |
| JPH03283472A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Tonen Corp | 太陽電池 |
| JPH0411786A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Tonen Corp | 太陽電池の製造方法及び該製造方法で作成された太陽電池 |
| JPH04276665A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Canon Inc | 集積型太陽電池 |
| JPH07147424A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| JPH09135035A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09223812A (ja) * | 1996-02-14 | 1997-08-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール及び該製造方法 |
| JPH11135812A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子の形成方法 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8481105B2 (en) | 2004-05-07 | 2013-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar battery and manufacturing method therefor |
| JPWO2005109524A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2008-03-21 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| US8106291B2 (en) | 2004-05-07 | 2012-01-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar battery and manufacturing method therefor |
| WO2005109524A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2006156693A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール |
| JP2007273908A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kaneka Corp | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| US20100000602A1 (en) * | 2007-12-11 | 2010-01-07 | Evergreen Solar, Inc. | Photovoltaic Cell with Efficient Finger and Tab Layout |
| JP2009260190A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 太陽電池セル、タブ付き太陽電池セルおよびこれらの製造方法 |
| JP2010080576A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| WO2011004758A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 株式会社シンク・ラボラトリー | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| JP5788794B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2015-10-07 | 株式会社シンク・ラボラトリー | 太陽電池の製造方法 |
| US8420927B2 (en) | 2009-10-26 | 2013-04-16 | Lg Electronics Inc. | Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module |
| KR101146734B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2012-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈 |
| KR101594127B1 (ko) | 2010-01-07 | 2016-02-15 | 삼성전자주식회사 | 패턴이 형성된 집전 전극 및 이를 채용한 태양 전지 |
| CN103972307A (zh) * | 2013-01-24 | 2014-08-06 | 茂迪股份有限公司 | 太阳能电池、其模组及其制造方法 |
| JP2016103642A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
| US9722104B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-08-01 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US10014419B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-07-03 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US10230009B2 (en) | 2014-11-28 | 2019-03-12 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US11133426B2 (en) | 2014-11-28 | 2021-09-28 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US11239379B2 (en) | 2014-11-28 | 2022-02-01 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US11616153B2 (en) | 2014-11-28 | 2023-03-28 | Shangrao Jinko Solar Technology Development Co., Ltd | Solar cell and method for manufacturing the same |
| JPWO2017037803A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-11-24 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
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