JP3853953B2

JP3853953B2 - 太陽電池装置

Info

Publication number: JP3853953B2
Application number: JP01708998A
Authority: JP
Inventors: 宏明高橋; 健次福井; 勝彦白沢
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-01-29
Filing date: 1998-01-29
Publication date: 2006-12-06
Anticipated expiration: 2018-01-29
Also published as: JPH11214733A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池装置に関し、特に複数の太陽電池素子がリード線によって接続された太陽電池装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の太陽電池装置を図４に示す。図４中、１１はシリコン基板、１５（１５ａ）は表面電極、１６（１６ａ）は裏面電極、１８はリード線である。シリコン基板１１内にはＮ型領域１２とＰ型領域１３とがある。Ｎ型領域１２の表面には表面電極１５（１５ａ）が設けられ、Ｐ型領域１３の表面には裏面電極１６（１６ａ）が設けられている。この表面電極１５はリード線接続用のバスバー部１５ａと集電用のフィンガー部１５ｂとから成る。また、裏面電極１６もバスバー部１６ａとフィンガー部（不図示）とから成る。裏面電極１６のバスバー部１６ａには、抵抗損失を小さくするために銅箔がハンダ付されている。
【０００３】
複数の太陽電池素子を接続するためのリード線１８は銅箔などから成り、一方端が表面電極１５上の略全長にわたって配設され、その複数箇所を表面電極１５と接合することによって表面電極１５に接続され、他方端が銅箔１７を介して裏面電極１６のバスバー部１６ａの端部にハンダ付けされて裏面電極１６に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の太陽電池装置では、太陽電池素子のセル面積の増大化に伴ない、発生電流が増加したり、また表面電極１５のバスバー部１５ａが長くなり、そのために抵抗損失が増大して変換効率が低下するという問題があった。
【０００５】
変換効率の低下を防止するためには、表面電極１５部分のリード線１８や裏面電極１６部分の銅箔１７の断面積を増加させればよいが、表面電極１５部分のリード線１８は、受光面積を減少させないようにするために、その厚みを厚くして断面積を増加させなければならない。
【０００６】
ところが、リード線１８が厚くなると、このリード線１８をホットエアーやハンダ鏝で表面電極１５に溶着する際に、このホットエアーやハンダ鏝の熱が表面電極１５部分のハンダまで伝わりにくく、表面電極１５とリード線１８の溶着に時間がかかり、リード線１８の熱膨張による伸びが大きくなるという問題があった。リード線１８が伸びた状態で表面電極１５に接合されると、リード線１８が縮む際に、シリコン基板１１に圧縮応力が印加されて、シリコン基板１１に大きな反りが発生し、セル割れや電極剥がれなどを誘発し、製造歩留りが低下するという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような従来装置の問題点に鑑みてなされたものでり、セル面積の増大にともなって発生する抵抗損失の増大と、その対向策であるバスバー部の銅箔を厚くすることによって発生するセルの反り、セル割れ、或いは電極剥がれなどの問題を解消した太陽電池装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明では、半導体接合部を有する半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成した複数の太陽電池素子を設け、この複数の太陽電池素子の表面電極と裏面電極とをリード線で接続した太陽電池装置において、前記表面電極をバスバー部に銅箔を接合して設け、この銅箔にその長さ方向における途中部分から前記リード線を接続する。
【０００９】
上記発明では、前記銅箔を前記表面電極のバスバー部に複数箇所で接合することが望ましい。
【００１０】
また、前記リード線を前記銅箔に複数箇所で接合することによって接続することが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、請求項１ないし請求項３に係る発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１は請求項１ないし請求項３に係る発明の一実施形態を示す断面図と平面であり、１は半導体基板、５は表面電極、７は裏面電極、９はリード線である。
【００１２】
半導体基板１は、厚み０．３ｍｍ程度の単結晶シリコンや多結晶シリコンなどから成る。この半導体基板１内には、Ｎ型領域２とＰ型領域３があり、Ｎ型領域２とＰ型領域３との界面部分で半導体接合部４が形成される。このＮ型領域２はＰ型のシリコン基板１を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ₃）中で加熱することによって、シリコン基板１の全体の表面部にリン原子を拡散させ、その後に側面部と底面部の拡散層を除去することにより、厚み０．３〜０．４μｍ程度に形成する。なお、この半導体基板１は単結晶ガリウム砒素などで形成してもよい。
【００１３】
Ｎ型領域２の表面部分には、表面電極５が形成されている。この表面電極５は、リード線９を接続するためのバスバー部５ａとこのバスバー部５ａと交差して分岐して形成されたフィンガー部５ｂとから成る。バスバー部５ａは基板１の略全長にわたって二本平行に形成されており、フィンガー部５ｂはバスバー部５ｂに交差して多数本が基板１の略全長にわたって形成されている。バスバー部５ａは例えば２ｍｍ程度の幅に形成され、フィンガー部５ｂは例えば０．２ｍｍ程度の幅に形成される。このような表面電極５は、例えば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤などから成るペーストをスクリーン印刷して７００〜８００℃程度の温度で焼き付け、全体をハンダ層で被覆することにより形成される。
【００１４】
この表面電極５（５ａ）上には銅箔６が貼りつけられている。この銅箔６は、表面電極５（５ａ）の断面積を大きくして表面電極５の電気抵抗を下げるために設けるものであり、幅２ｍｍ程度、厚み０．１６ｍｍ程度に形成される。このような銅箔６を表面電極５上に例えば等間隔に５点で接合する。このように表面電極５と銅箔６とを複数箇所のみで接合すると、温度変化によって銅箔６の長さが変化しても、銅箔６が切断したり、基板１に反りを生じることがない。
【００１５】
基板１の表面側には、図示されていないが、例えば窒化シリコン膜などから成る反射防止膜が形成される。このような反射防止膜は例えばプラズマＣＶＤ法などで形成される。
【００１６】
基板１の裏面側には裏面電極７が設けられている。この裏面電極７も、リード線９を接続するためのバスバー部７ａとこのバスバー部７ａと交差して分岐して多数本形成されるフィンガー部（不図示）とから成る。バスバー部７ａは基板１の略全長にわたって二本平行に形成されており、フィンガー部はバスバー部７ａに交差して多数本が基板１の略全長にわたって形成されている。バスバー部７ａは例えば５ｍｍ程度の幅に形成され、フィンガー部は例えば０．５ｍｍ程度の幅に形成される。基板１の裏面側は、受光面積の減少を考慮しなくてもよいことから、表面電極５のバスバー部５ａよりも幅広に形成でき、裏面電極７側での抵抗損失を低減できる。このような裏面電極７は、例えば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤などから成るペーストをスクリーン印刷して焼き付け、ハンダ層で被覆することにより形成される。なお、裏面電極７は、バスバー部７ａとフィンガー部７ｂを交差して設ける場合に限らず、基板１の裏面側の全面に設けてもよい。
【００１７】
この裏面電極７上には銅箔８が貼りつけられている。この銅箔８は、幅５ｍｍ程度、厚み０．１ｍｍ程度に形成される。このような銅箔８を裏面電極７のバスバー部７ａ上に例えば等間隔に５点で接合する。このように裏面電極７のバスバー部７ａと銅箔８を複数箇所のみで接合すると、温度変化によって銅箔８の長さが変化しても、銅箔８が切断したり、基板１に反りを生じることがない。
【００１８】
表面電極５のバスバー部５ａと裏面電極７のバスバー部７ａをリード線９で接続する。このリード線９は表面電極５上に貼りつけられる銅箔６と同一のものでよい。つまり、幅２ｍｍ、厚み０．１６ｍｍ程度の銅箔で構成される。このリード線９における表面電極５のバスバー部５ａ側は、バスバー部５ａの長さ方向における略中央部と端部の二点で接合される。例えば１５０ｍｍ角の太陽電池であれば、リード線９と銅箔６とを７５ｍｍ程度の長さで重なり合わせて二点を接合すればよい。このように、リード線９を表面電極５のバスバー部５ａ側の略中央部と端部の二点で接合すると、基板１が１５０ｍｍ角程度に大型化しても基板１に反りなどを生じることなく、しかも抵抗損失を低減できる。
【００１９】
裏面電極７側はリード線９を銅箔８に例えば１０〜７５ｍｍ程度重なり合わせて接合する。この裏面電極７側はリード線９を銅箔８と一点もしくは複数点で接合する。
【００２０】
【実施例】
基板１の表面側にバスバー部５ａとフィンガー部５ｂとから成る表面電極５を設けると共に、裏面側にもバスバー部７ａとフィンガー部とから成る裏面電極７を設け、表面電極５のバスバー部５ａ上の全長にわたって、幅２ｍｍ、厚さ０．１６ｍｍの銅箔から成るリード線９を等間隔な５点で接合し、裏面電極のバスバー部７ａ上の全長にわたって、幅５ｍｍ、厚さ０．１ｍｍの銅箔８を等間隔な５点で接合して端部にリード線９を接続した従来構造の太陽電池素子の出力特性と基板１の反りを測定した。
【００２１】
また、表面電極５上に幅２ｍｍ、厚さ０．１６ｍｍの銅箔６を等間隔な５点で接合するとともに、幅２ｍｍ、厚さ０．１６ｍｍの銅箔から成るリード線９をバスバー部５ａの中央部分から端部側に配置してバスバー部の中央部近傍と端部の２箇所で接合した請求項１の発明に係る構造の太陽電池素子の出力特性と基板１の反りを測定した。その結果を表１に示す。
【００２２】
なお、リード線９の端部は、図３に示すように、二本のリード線９をタイバー９ａで接続したループ構造のものを用いた。また、表１に示すセル特性は表面電極５と裏面電極７部分に銅箔やリード線をつけずに探針測定を行ったものである。
【００２３】
【表１】

【００２４】
表１に示すとおり、従来構造の太陽電池においては、Ｆ．Ｆ（曲線因子）の低下が３．６％（０．７２２／０．７４９）であるのに対して、請求項１のように係る中央取出構造の太陽電池にするとで、Ｆ．Ｆの低下が２．８％（０．７２８／０．７４９）に抑えられ、変換効率が０．１２％（１３．１９−１３．０７）向上する。また、請求項１に係る発明の中央取出構造のセルの反りは０．１ｍｍであり、従来構造のものと変わらなかった。
【００２５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１に係る発明によれば、表面電極のバスバー部に銅箔を接合して設け、この銅箔にその長さ方向における略中央部分から複数の太陽電池素子を接続するリード線を接続したことから、電極部分の断面積の増加によって、抵抗損失が減少することから、Ｆ．Ｆが向上し、出力特性が向上する。また、リード線をバスバー部の略中央部から配線するため、リード線を溶着するときの熱膨張による伸縮の影響が基板のバスバー方向において半分となるため、セルの反りが小さくなる。
【００２６】
また、請求項２に係る発明によれば、銅箔を表面電極のバスバー部に複数箇所で接合することから、基板の反りをより有効に小さくすることができる。
【００２７】
さらに、請求項３に係る発明によれば、リード線を表面電極側の銅箔に複数箇所で接合することから、基板の反りをより有効に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１に係る発明の太陽電池装置に用いられる太陽電池素子を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】請求項１に係る発明の太陽電池装置の一実施形態を示す図である。
【図３】太陽電池装置の出力特性の測定方法を示す図である。
【図４】従来の太陽電池装置を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【符号の説明】
１‥‥‥基板、５‥‥‥表面電極、６‥‥‥表面電極側の銅箔、７‥‥‥裏面電極、８‥‥‥裏面電極側の銅箔、９‥‥‥リード線

Claims

半導体接合部を有する半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成した複数の太陽電池素子を設け、この複数の太陽電池素子の表面電極と裏面電極とをリード線で接続した太陽電池装置において、前記表面電極のバスバー部に銅箔を接合して設け、この銅箔にその長さ方向における略中央部分から前記リード線を接続したことを特徴とする太陽電池装置。
前記銅箔を前記表面電極のバスバー部に複数箇所で接合したことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池装置。
前記リード線を前記銅箔に複数箇所で接合することによって接続したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の太陽電池装置。