JP4458651B2 - 太陽電池装置 - Google Patents
太陽電池装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4458651B2 JP4458651B2 JP2000297619A JP2000297619A JP4458651B2 JP 4458651 B2 JP4458651 B2 JP 4458651B2 JP 2000297619 A JP2000297619 A JP 2000297619A JP 2000297619 A JP2000297619 A JP 2000297619A JP 4458651 B2 JP4458651 B2 JP 4458651B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- bus bar
- lead wire
- solar cell
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池装置に関し、特に複数の太陽電池素子がリード線によって接続された太陽電池装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の太陽電池装置を図3に示す。図3中、1はシリコン基板、5は表面電極、6は裏面電極、7は銅箔から成るリード線である。シリコン基板1内にはN型領域2とP型領域3とがある。N型領域2の表面には表面電極5が設けられ、P型領域3の表面には裏面電極6が設けられている。
【0003】
この表面電極5は、銀と半田から成るリード線接続用のバスバー部5aと、銀と半田から成る集電用のフィンガー部5bとから構成される。また、裏面電極6も銀と半田から成るリード線接続用のバスバー部6aと、アルミニウムから成る集電用電極6bとから構成される。
【0004】
複数の太陽電池を接続するには、リード線7の一方端を表面電極5のバスバー部5a上の略全長にわたって配設してその複数個所を表面電極5のバスバー部5aと接合することによって表面電極5に接続するとともに、表面リード線7の他方端を裏面電極6のバスバー部6aの端部に半田付けして裏面電極6に接続する。
【0005】
なお、裏面電極のバスバー部6aは、Agなどから成る下層電極層6cと銅箔などから成る上層電極層6dとから構成されている。この上層電極層6dは半田などで下層電極層6cに接合されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の太陽電池装置では、複数の太陽電池素子を接続する場合において、リード線7を裏面電極6のバスバー部6aの端部に半田付けする際に、溶融した半田が裏面電極6のバスバー部6aの側方からはみ出して固化して小さな突起となり、後のラミネートなどのモジュール化工程で太陽電池素子に割れなどが発生して製造歩留まりの低下を招くという問題があった。
【0007】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、リード線接続時に半田のはみ出しによる半田突起が発生して、モジュール化工程で歩留まり低下を招くという従来の問題点を解消した太陽電池装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、半導体接合部を有する半導体基板の一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に裏面電極を形成し、前記表面電極と隣接する半導体基板の裏面電極とをリード線で接続した太陽電池装置において、前記裏面電極をリード線接続用のバスバー部と、このバスバー部に接続された集電用電極部とで形成すると共に、このバスバー部を下層電極層と銅箔からなる上層電極層とを順次積層して形成し、この下層電極層における前記リード線の延在方向の端部に切欠部を設け、該切欠部の直上で、前記リード線と前記上層電極層とを半田を介して接続したことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る太陽電池装置の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
【0010】
図1は本発明の太陽電池装置に用いられる太陽電池素子を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図、(c)は裏面図ある。図2は本発明の太陽電池装置を示す図である。図1および図2において、1は半導体基板、5は表面電極、6は裏面電極、7はリード線である。
【0011】
半導体基板1は、厚み0.3mm程度の単結晶シリコンや多結晶シリコンなどから成る。この半導体基板1内には、N型領域2とP型領域3があり、N型領域2とP型領域3との界面部分で半導体接合部4が形成される。このN型領域2はP型のシリコン基板1を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン(POCl3)中で加熱することによって、シリコン基板1の表面部全体にリン原子を拡散させ、その後に側面部と底面部の拡散層を除去する。なお、この半導体基板1は単結晶ガリウム砒素などで形成してもよい。
【0012】
基板1の表面側には、図示されていないが、例えば窒化シリコン膜などから成る反射防止膜が形成される。このような反射防止膜は例えばプラズマCVD法などで形成される。
【0013】
N型領域2の表面部分には、表面電極5が形成されている。この表面電極5は、リード線7を接続するためのバスバー部5aとこのバスバー5aと交差して分岐して形成された集電用のフィンガー部5bとから成る。バスバー部5aは基板1の略全長にわたって二本平行に形成されており、フィンガー部5bはバスバー部5aに交差して多数本が基板1の略全長にわたって形成されている。バスバー部5aは例えば2mm程度の幅に形成され、フィンガー部5bは例えば0.2mm程度の幅に形成される。このような表面電極5は、例えば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤から成るペーストをスクリーン印刷して700℃〜800℃程度の温度で焼き付け、全体を半田層で被覆することにより形成される。
【0014】
この表面電極5のバスバー部5a上にはリード線7が貼り付けられている。このリード線7は、表面電極5のバスバー部5aの断面積を大きくして表面電極5の電気抵抗を下げるとともに、太陽電池の出力を取り出すために設けるものであり、幅2mm程度、厚み0.2mm程度に形成される。
【0015】
基板1の裏面側には裏面電極6が設けられている。この裏面電極6もバスバー部6aと、このバスバー部6aと1mm程度重なるよう裏面全面に形成される集電用電極部6bとから成る。
【0016】
この裏面電極6のバスバー部6aは、Agなどから成る下層電極層6cと銅箔などから上層電極6dから成る。この上層電極層6dは、太陽電池素子の配線抵抗を下げるために設けるものであり、幅5mm程度、厚み0.1mm程度に形成される。
【0017】
下層電極層6cは基板1の略全長にわたって二本平行に形成されている。下層電極層6cは例えば7mm程度の幅に形成され、リード線7が接続される側の端部には、切欠部9が形成されている。基板1の端から10mmの部分は図1(c)に示すように幅2mmのコの字型に形成され、集電用電極部6bはバスバー部6a以外の裏面のほぼ全面を、バスバー部6aとの重なりが1mm程度になるよう、5mm程度の開口幅に形成され、切欠部9部分は重なりなく形成される。この切欠部9の形状は、コの字状に限らず、リード線7が接続される端部側が開口するような形状であればいかなる形状でもよく、複数のすじ状に切欠部を設けた形状であってもよい。
【0018】
このような裏面電極6の下層電極層6cは例えば銀粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤から成るペーストをスクリーン印刷し、集電用電極部6bは例えばアルミ粉末、ガラスフリット、結合剤、および溶剤から成るペーストをスクリーン印刷し、700℃〜800℃程度の温度で焼き付け、バスバー部6aを半田層で被覆することにより形成される。
【0019】
リード線7は、裏面電極の上層電極層6dに、裏面電極6の切欠部9が形成された端部側から10mm程度の所で接続される。裏面電極6の切欠部9部分でリード線7と裏面の上層電極層6dを接続しても、裏面電極6の切欠部9とリード線7が合致しているため、リード線7を接続する際に半田が溶融しても切欠部9に溜まり、裏面電極6の側方に余分な半田がはみ出すことを極力回避して、半田突起を発生させることがない。
【0020】
【実施例】
図1(c)に示す裏面電極パターンを形成した。まず、基板1の裏面に銀から成る裏面電極の下層電極層6cを7mm幅で二本平行に形成した。基板端部より10mmの所は、コの字型に幅2mm抜けるように形成する。下層電極層6cに重なるように、基板1裏面のほぼ全面にアルミから成る電極を形成した。表面に銀から成る電極を形成した後、800℃で焼き付けを行い、溶融半田槽にディップして半田層を形成した。次に、図2に示すように、複数の太陽電池素子をリード線で接続した。リード線と裏面の上層電極層が接続されている部分の下に当たる裏面電極は、リード線と形状が合致するようにコの字型に成っており、溶着したとき半田のはみ出しがなく、半田突起の発生が全くなかった。
【0021】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、裏面電極をリード線接続用のバスバー部と、このバスバー部に接続された集電用のフィンガー部とで形成すると共に、このバスバー部を下層電極層と上層電極層とを順次積層して形成し、この下層電極層におけるリード線の延在方向の端部に切欠部を設けたことから、リード線を裏面電極に接続する際に、裏面電極部分の半田が溶融しても、半田が電極の側方にはみ出すことがなく、半田突起の発生を防止でき、後工程での歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る太陽電池装置に用いられる太陽電池素子を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図、(c)は裏面図である。
【図2】本発明に係る太陽電池装置の一実施形態を示す図である。
【図3】従来の太陽電池装置を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図、(c)は裏面図である。
【符号の説明】
1:基板、2:N型領域、3:P型領域、4:半導体接合部、5a:表面電極バスバー、5b:表面電極フィンガー、6a:裏面電極バスバー、6b:裏面集電極、6c:裏面下層電極層、6d:裏面上層電極層、7:リード線
Claims (1)
- 半導体接合部を有する半導体基板の一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に裏面電極を形成し、前記表面電極と隣接する半導体基板の裏面電極とをリード線で接続した太陽電池装置において、
前記裏面電極をリード線接続用のバスバー部と、このバスバー部に接続された集電用電極部とで形成すると共に、このバスバー部を下層電極層と銅箔からなる上層電極層とを順次積層して形成し、この下層電極層における前記リード線の延在方向の端部に切欠部を設け、
該切欠部の直上で、前記リード線と前記上層電極層とを半田を介して接続したことを特徴とする太陽電池装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000297619A JP4458651B2 (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 太陽電池装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000297619A JP4458651B2 (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 太陽電池装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002154639A Division JP2002359388A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 太陽電池装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002111024A JP2002111024A (ja) | 2002-04-12 |
JP4458651B2 true JP4458651B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=18779710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000297619A Expired - Fee Related JP4458651B2 (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 太陽電池装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4458651B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004179260A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
WO2005093855A1 (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Kyocera Corporation | 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電装置 |
WO2009017174A1 (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Kyocera Corporation | 太陽電池モジュール |
JP5053380B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-10-17 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池パネル |
JP2011249736A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
CN102376790A (zh) * | 2010-08-12 | 2012-03-14 | 太聚能源股份有限公司 | 光伏装置 |
KR101661768B1 (ko) | 2010-09-03 | 2016-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000297619A patent/JP4458651B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002111024A (ja) | 2002-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4738149B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP5989243B2 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法、太陽電池モジュール | |
JP5210437B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 | |
US20080092944A1 (en) | Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure | |
KR101484355B1 (ko) | 단결정 태양 전지의 제조 방법 | |
US20080290368A1 (en) | Photovoltaic cell with shallow emitter | |
JP5726303B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP2001068699A (ja) | 太陽電池 | |
JP3853953B2 (ja) | 太陽電池装置 | |
JP4458651B2 (ja) | 太陽電池装置 | |
JP3683700B2 (ja) | 太陽電池装置 | |
JP2001044459A (ja) | 太陽電池 | |
JP4780953B2 (ja) | 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール | |
JP2000340812A (ja) | 太陽電池 | |
JP4412842B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2003273379A (ja) | 太陽電池素子 | |
JP4658380B2 (ja) | 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール | |
JP3805299B2 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP6785964B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
JP4203247B2 (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
JP2005191201A (ja) | 太陽電池素子接続用インナーリード及び太陽電池モジュール並びに太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2003273378A (ja) | 太陽電池素子 | |
JP2002353477A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP4284368B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
TWI478369B (zh) | 太陽能電池的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100112 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4458651 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |