JP2001049437A - 発熱体ｃｖｄ装置及び付着膜の除去方法 - Google Patents

発熱体ｃｖｄ装置及び付着膜の除去方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理装置内部に付着した膜を効率よく除去可
能な付着膜の除去方法、さらには、in situ クリーニン
グ可能な発熱体ＣＶＤ装置及びそのクリーニング法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 処理室内に少なくとも表面が白金により
構成された発熱体を配設し、処理室内を排気した後、発
熱体を加熱保持し、該発熱体により分解及び／又は活性
化して生成する活性種が付着膜と反応して付着膜を気体
状物質に変換させるクリーニングガスを導入し、生成し
た気体状物質を排気することにより付着膜を除去するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定の温度に維持
された発熱体を用いて所定の膜を作製する発熱体ＣＶＤ
装置及び付着膜の除去方法に係り、特に、in situ（そ
の場）クリーニングが可能な発熱体ＣＶＤ装置及びその
クリーニング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ（大規模集積回路）を始めとする
各種半導体デバイスやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の
作製においては、基板上に所定の薄膜を作製するプロセ
スのｌつとして化学気相堆積（Chemical Vapor Deposit
ion，ＣＶＤ）法が広く用いられている。
【０００３】ＣＶＤ法には、放電プラズマ中で原料ガス
を分解及び／又は活性化させて成膜を行うプラズマＣＶ
Ｄ法や基板を加熱してその熱により化学反応を生じさせ
て成膜を行う熱ＣＶＤ法等の他に、所定の高温に維持し
た発熱体により原料ガスを分解及び／又は活性化させて
成膜を行う方式のＣＶＤ法（以下、発熱体ＣＶＤ法と呼
ぶ）がある。
【０００４】発熱体ＣＶＤ法を行う成膜処理装置（発熱
体ＣＶＤ装置）は、真空排気可能な処理室内に基板を配
置し、処理室内に設けられたタングステン等の高融点金
属からなる発熱体を１０００〜１８００℃程度の温度に
維持しながら原料ガスを導入するよう構成されている。
導入された原料ガスは、発熱体の表面を通過する際に分
解や活性化され、これらが基板に到達することにより最
終的な目的物である材料の膜が基板の表面に堆積する。
なお、このような発熱体ＣＶＤ法のうち、ワイヤ状の発
熱体を用いるものについてはホットワイヤ（Hot Wire）
ＣＶＤ法と呼ばれ、また、発熱体による原料ガスの分解
あるいは活性化において発熱体の触媒反応を利用してい
ると考えられているものについては触媒ＣＶＤ（または
Cat-ＣＶＤ：Catalytic-ＣＶＤ）法と呼ばれる。
【０００５】発熱体ＣＶＤ法では原料ガスの分解や活性
化は、発熱体の表面を通過する際に起こるため、基板の
熱のみによって反応を生じさせる熱ＣＶＤ法に比べて基
板の温度を低くできるという長所がある。また、プラズ
マＣＶＤ法のようにプラズマを形成することがないの
で、プラズマによる基板のダメージといった問題からも
無縁である。このようなことから、発熱体ＣＶＤ法は、
高集積化や高機能化が益々進む次世代の半導体デバイス
や表示デバイス等の成膜方法として有望視されている。
【０００６】ところで、ＣＶＤ法に限らず各種成膜法に
より基板上に膜を堆積する成膜処理装置では、成膜中
に、基板以外の成膜処理装置内部の構成部材にも膜が付
着する。成膜処理装置の内部に付着した膜は、厚くなる
と剥離してゴミの原因となる。基板上の膜中に取り込ま
れたり膜表面に付着したゴミは、デバイスの欠陥原因と
なり製品歩留まりを低下させてしまう。そのため、基板
上への膜堆積を連続して繰り返し行う工程の途中で、付
着膜が剥離する前の適宜なタイミングで成膜処理装置内
部に付着した膜を除去する必要がある。
【０００７】付着膜の剥離によるゴミの発生を防止する
方法としては、成膜処理室内面を適当な防着板等の部材
で覆い、この部材に膜を付着させて、これを定期的に交
換する方法がある。しかし、例えば、ＣＶＤ装置では狭
い隙間やこれら部材の裏など細部にまで膜が付着するた
め、これらの膜の剥離によるゴミの発生を完全に防止す
ることは困難である。
【０００８】また、付着膜を除去する方法として、処理
室内に所定のクリーニングガスを導入してプラズマや熱
のエネルギーの作用により、クリーニングガスと付着膜
とを反応させ、付着膜を気体状の生成物にして排気除去
する方法（ in situ（その場）クリーニング法と呼ばれ
る）がある。この方法は、処理室を大気に曝さずに処理
できるため、安定した膜特性を継続して得ることができ
るとともに、部材交換、処理室を大気圧から所定の圧力
まで排気する必要もないため、クリーニング工程に要す
る時間が短く、生産性において有利である。しかも、細
部に付着した膜も除去できるのでゴミの発生を抑制する
のに効果的である。
【０００９】この in situ クリーニング法としては、
例えばシリコンや窒化シリコンの成膜を行うプラズマＣ
ＶＤ装置の場合、成膜を繰り返し行った後、適宜なタイ
ミングで、処理室内にＮＦ３やＣＦ４、ＣＣｌ４等のク
リーニングガスを導入してプラズマを発生させる。プラ
ズマにより分解及び／又は活性化したクリーニングガス
は付着膜と反応し、シリコン膜の場合は四フッ化シリコ
ン（ＳｉＦ４）や四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）、窒化
シリコン膜の場合はこれらと窒素（Ｎ２）といった気体
状の生成物にして排気除去する。一方、クリーニングガ
スにＣｌＦ３のように分解しやすいガスを用いる場合
は、プラズマを用いることなしに、成膜処理室を加熱す
るだけで、付着膜を気体状生成物として排気除去でき
る。しかしながら、実用上の除去速度を得るためには成
膜室を２００℃程度に加熱する必要があるため、真空シ
ールの劣化の問題の他、成膜処理室の加熱、冷却に長時
間を要し、実質的なクリーニング処理時間が長くなると
いう問題もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、成膜
処理室の in situ クリーニングは、安定した膜特性を
継続して堆積するためには極めて重要なプロセスであ
る。そこで、本発明者は、今後発展が見込まれる発熱体
ＣＶＤ法によって膜堆積を行う成膜処理装置について i
n situ クリーニング法の検討を行ったところ、上記し
た従来の in situ クリーニング法では、高融点金属か
らなる発熱体自体がクリーニングガスと反応してしま
い、ワイヤの線径が減少してしまうことが分かった。即
ち、発熱体ＣＶＤ装置の成膜処理室内に予めプラズマ発
生用の電極を配設しておき、クリーニングガスを導入し
てプラズマを発生させてクリーニングを行うと、付着膜
は除去できるものの、発熱体自身も反応して細線化して
しまい、次に成膜しようとすると所望の発熱特性が得ら
れなくなるという問題が起こることが分かった。
【００１１】一方、クリーニングガスにＣｌＦ３を用
い、成膜処理室をヒータで外部から２００℃に加熱し、
ガスを導入してクリーニングを行った場合も、同様に発
熱体がクリーニングガスと反応し、細線化するという問
題が起こることが分かった。
【００１２】以上のように、従来の in situ クリーニ
ング法は、発熱体ＣＶＤ装置に適用することは不可能で
ある。しかしながら、発熱体ＣＶＤ法による成膜を安定
かつ継続して行うことができ、常に高特性の膜を堆積す
るためには in situ クリーニングは不可欠な技術であ
ることから、本発明者は、発熱体ＣＶＤ装置の in situ
クリーニング技術を確立すべく、発熱体ＣＶＤ装置の
構成並びにクリーニング条件の検討を行った。
【００１３】本発明は、以上の知見及びそれに基づく研
究により、初めて完成できたものであり、本発明の目的
とするところは、複雑な形状の部材であっても、部材の
加熱手段を設けて加熱することなしに、その表面に付着
した膜を効率よく完全に除去可能な付着膜の除去方法を
提供することにある。また、本発明の目的は、所定の温
度に維持された発熱体を用いて所定の膜を作製する発熱
体ＣＶＤ装置において、処理室を大気に戻すことなく成
膜処理室の内部に付着した膜を除去できる insitu クリ
ーニング法を提供することにある。さらには、in situ
クリーニング可能な発熱体ＣＶＤ装置を提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の付着膜の除去方
法は、真空排気可能な処理室の内部及び／又は該処理室
内に配置された部材に付着した付着膜の除去方法であっ
て、前記処理室内を排気した後、内部に配設した少なく
とも表面が白金により構成された発熱体を加熱保持する
とともに、該発熱体により分解及び／又は活性化して生
成する活性種が付着膜と反応して付着膜を気体状物質に
変換させるクリーニングガスを導入し、生成した気体状
物質を排気することにより付着膜を除去することを特徴
とする。
【００１５】さらに、前記処理室は、原料ガスを加熱さ
れた前記発熱体によって分解及び／又は活性化させ、基
板上に前記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む
膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置の処理室であることを
特徴とする。
【００１６】以上のように、発熱体の少なくとも表面を
白金とすることにより、発熱体とクリーニングガスとの
反応を実質的に防止でき、発熱体の消耗を防止すること
が可能となる。しかも、表面を白金としたことで、クリ
ーニングガスの分解及び／又は活性化させて活性種の生
成を低温で効率よく行え、成膜処理装置の内部に付着し
た膜を効果的に除去することができる。また、このよう
にして得られる活性種の寿命は長く、複雑な形状、パイ
プの内部に付着した膜も除去することが可能となる。さ
らには、高特性膜の安定した継続成膜に必要不可欠な成
膜処理室の in situクリーニングが可能となる。
【００１７】なお、前記クリーニングガスを、フッ素
（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、
四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ
２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、四塩化炭素
（ＣＣｌ４）、五フッ化塩化エタン（Ｃ２ＣｌＦ５）、
三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、三フッ化塩化メタン（ＣＣ
ｌＦ３）若しくは六フッ化硫黄（ＳＦ６）のいずれか、
又は少なくとも１種を含む混合ガスとするのが好まし
い。
【００１８】これらのガスを用いることにより、加熱保
持された発熱体によりクリーニングガスは分解及び／又
は活性化され、付着膜と反応して気体状物質を効率よく
生成することができ、付着膜を効果的に除去することが
可能となる。
【００１９】本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、真空排気可
能な処理室内に所定の温度に設定可能な発熱体を設け、
原料ガスを前記発熱体を加熱することにより分解及び／
又は活性化させ、基板上に前記原料ガスの構成元素の少
なくとも１つを含む膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置で
あって、分解及び／活性化して生成した活性種が付着膜
と反応し、付着膜を気体状物質に変換するクリーニング
ガスのガス供給系を設け、かつ、前記発熱体は少なくと
もその表面を白金で構成することにより、大気に開放す
ることなく前記処理室内に付着した膜の除去を可能とし
たことを特徴とする。
【００２０】発熱体を実質的にクリーニングガスと反応
しない構成としたため、成膜後、そのままの状態で、ク
リーニングガスを流し、発熱体を加熱して付着膜を除去
することができる。即ち、装置の in situ クリーニン
グが可能となる。
【００２１】また、前記処理室内部にプラズマ発生用の
電極を設けたことを特徴とする。本発明の発熱体をクリ
ーニングガスとも反応せず、かつそのプラズマとも反応
しない構成としたことから、従来のプラズマクリーニン
グをそのまま用いることができる。さらに、プラズマと
発熱体による加熱とを併用してガスの分解及び／又は活
性化が行えるため、成膜及びクリーニング処理条件の自
由度が増え、堆積膜の特性改良並びにクリーニング効率
の一層の向上を図ることが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る
in situ クリーニング方法が実施可能な発熱体ＣＶＤ
法を用いた成膜処理装置（発熱体ＣＶＤ装置）の一構成
例を示す概念図である。
【００２３】図１に示す成膜処理装置は、処理室１と、
処理室内を真空排気するための排気系１１と，膜堆積用
原料ガス及びクリーニングガス供給系２３，２５と、基
板を搬出入するためのゲートバルブ５とから構成され、
処理室内部には、ガス供給系２３，２５と接続されたガ
ス供給器２，基板ホルダー４、白金被膜が形成された発
熱体３が配設されている。
【００２４】ここで、原料ガスとクリーニングガスのガ
ス供給器２への供給切換はバルブ２２，２４により行わ
れる。また、ガスの供給量はガス供給系２３，２５のそ
れぞれに設けられた流量調整器（不図示）により制御さ
れる。ガス供給器２は中空構造となっており、基板ホル
ダー４と対向する面に多数のガス吹き出し口２１０が形
成されている。一方、排気系１１は、排気速度調整機能
を有するメインバルブ１２を介して処理室１と接続され
ており、この調整機能により処理室内の圧力が制御され
る。
【００２５】発熱体３は、支持体３１により保持され、
所定の温度に加熱・維持するためのエネルギー供給機構
３０に接続されている。エネルギー供給機構３０には、
通常、直流電源又は交流電源が用いられる。発熱体３
は、電源から電流が供給されて、通電加熱により所定の
温度に設定されるようになっている。この発熱体を高温
加熱することにより、成膜時には原料ガスを、クリーニ
ング時にはクリーニングガスを分解及び／又は活性化
し、成膜又はクリーニングを効率よく行うことができ
る。
【００２６】図２は、図１に示す発熱体３の配置例を示
す平面概念図である。図２の例においては、発熱体３は
線状の部材からなるものであり、鋸歯状に折り曲げら
れ、支持体３１に保持されている。
【００２７】ここで、白金の被膜を基体の表面に形成し
た発熱体３について、図３を用いてさらに詳しく説明す
る。図３は、図２の線状発熱体３の矢視ａ−ａ’におけ
る断面図である。図３に示すように、発熱体３は、基体
３０１と、基体３０１の表面に形成された被膜３０２と
からなるものである。基体３０１は、特に規定するもの
ではないが、発熱体３の構成部材であるため、その材質
は、被膜３０２である白金よりも融点の高い材料である
ことが望ましい。具体的には、タングステン、タンタ
ル、ニオブ、炭素、イリジウム、モリブデン、ロジウ
ム、炭化珪素、ＰＢＮ（Pyrolitic Boron Nitride，熱
分解窒化棚素）若しくはアルミナ等である。そして、被
膜３０２は白金である。この白金の被膜３０２は、電子
ビーム蒸着法あるいはスパッタリング法、メッキ、ライ
ニング等により形成される。なお、本発明において、発
熱体全体が白金でもよいことはいうまでもない。
【００２８】次に、図１の装置を参照して成膜及びクリ
ーニング方法の一例を説明する。 （成膜）まず、ゲートバルブ５を介して不図示のロード
ロック室から基板を搬入し、基板ホルダー４の上に載置
する。次に、処理室１内を排気系１１により、所定の圧
力まで真空排気した後、エネルギー供給機構３０である
直流電源または交流電源から発熱体３に電流を流し、所
定の温度に加熱保持する。この温度は、堆積膜及び原料
ガスの種類により適宜選択されるが、例えばシリコン膜
の堆積に（ＳｉＨ ４）と水素（Ｈ２）を用いる場合は、
１０００℃程度の温度が用いられる。
【００２９】次に、バルブ２２を開け、所定流量の原料
ガスを処理室内に導入し、メインバルブ１２の排気速度
調整機能により、処理室内の圧力を所定の圧力に設定す
る。ガス供給器２に供給された原料ガスは、ガス吹き出
し口２１０から発熱体方向に吹き出され、高温の発熱体
表面の白金の作用により分解及び／又は活性化され、活
性種を生成する。この活性種は、基板上に到達して所望
の膜を堆積する。基板上に所望の膜厚が堆積した時点
で、原料ガスの供給と発熱体へのエネルギー供給を停止
し、処理室内部を真空排気した後、ゲートバルブ５を介
して基板をロードロック室へ搬出して、成膜を終了す
る。
【００３０】（クリーニング）以上の成膜を繰り返し行
うと、処理室内壁、基板ホルダー、ガス供給器、支持体
等にも膜が付着することになる。この付着膜が厚くなる
と、剥離して成膜中に堆積膜に混入したり表面に付着し
て、膜特性を劣化させたりデバイスの欠陥原因となるた
め、付着膜が剥離しゴミを発生する厚さになる前に、以
下に示すクリーニング処理を行う。なお、付着膜の膜厚
は光学式モニタ等で監視してもよいし、また、トータル
の堆積時間から見積るようにしてもよい。
【００３１】クリーニングは、まず、メインバルブ１２
を全開にし、処理室内を真空排気する。その後、直流電
源又は交流電源３０から発熱体に通電し、所定の温度に
加熱・保持する。次に、バルブ２４を開け、所定のクリ
ーニングガスを処理室１に導入し、メインバルブ１２の
排気速度調整機構により処理室内圧力を所定の圧力に制
御する。
【００３２】ガス吹き出し口２１０から吹き出されたガ
スは、加熱された発熱体表面の白金の作用により、効率
的に分解及び／又は活性化され、付着膜と反応性の高い
活性種を生成する。例えば、クリーニングガスにＮＦ３
を用いた場合は４００℃程度以上に、ＣＦ４の場合は１
０００℃程度以上に発熱体を加熱するのが好ましく、白
金の触媒作用により付着膜と反応性の高い活性種を生成
する。また、白金はこれらクリーニングガスの活性種に
対し安定であり、その後の成膜に影響を与えるものでは
ない。この活性種は、処理室内壁、基板ホルダー等の上
に付着した膜と反応し、付着膜を気体状物質に変換させ
る。気体状物質は排気系により外部に排出されるため、
付着膜は徐々に除去されることになる。
【００３３】所定時間この状態を保ち、付着膜が完全に
除去された後、バルブ２４を閉じ、クリーニングガスの
供給を停止し、発熱体への通電停止、処理室内部の真空
排気を行う。以上でクリーニングを終了する。
【００３４】本実施の形態でのクリーニング工程の手順
は本発明のクリーニング方法の一例であり、これに限ら
れるものではない。本発明においては、発熱体３を通電
加熱しつつクリーニングガスを導入してクリーニングが
行われることが重要であり、例えば、クリーニング時に
ダミー基板等を基板ホルダー４上に載置してもよく、バ
ルブ２２、２４とメインバルブ１２の開閉や圧力調整の
順序も本実施形態に限られるものではない。また、図１
では、クリーニングガスの導入をガス供給器２を介して
行っているが、このクリーニングガスの導入は、これに
限るものではない。クリーニングガスの処理室１内への
導入は、例えば、原料ガスの導入経路とは別の経路であ
ってもよく、単なるノズルであってもよい。また、発熱
体の配置位置も図１の場合に限らず、例えばガス供給器
の内部に設けてもよい。
【００３５】なお、上記例では、膜の付着した処理室１
の壁や基板ホルダー４、ガス供給器２等の温度について
は特に記述しなかったが、クリーニングガスの付着膜と
の反応速度は温度が高いほど速いので、クリーニング工
程の一層の時間短縮のために、これらにヒーターを付設
して加熱しながら処理することもできる。しかしなが
ら、本発明により、加熱しなくても十分短時間でクリー
ニング処理が行えるため、必要に応じて加熱の有無を選
択すればよい。ＣｌＦ３ガスのようなガス種の場合で
も、従来は実質的な除去速度を得るのに成膜処理室の加
熱を必要としていたが、本発明ではその必要がなく、長
時間を要していた成膜処理室の加熱、冷却が省け、実質
的なクリーニング処理時間を短縮できる。
【００３６】以上は、発熱体ＣＶＤ装置の in situ ク
リーニング法について説明したが、本発明の付着膜の除
去方法はこれに限ることはなく、他の処理装置や種々の
部材に付着した膜を除去する場合にも、好適に適用され
る。なお、ここで、部材には、真空装置で用いられる種
々の測定器、センサー、バルブ等も含まれる意味であ
る。
【００３７】例えば、真空容器内部に付着した膜は、真
空容器にクリーニングガス導入口を設け、そして容器内
部に少なくともその表面が白金で構成された発熱体を外
部から通電加熱可能に配置し、発熱体を所定の温度に加
熱保持してクリーニングガスを流すことにより、付着膜
を除去することができる。また、部材の場合は、この真
空容器内に部材を配置し、同様に処理すればよい。ま
た、ある程度の長さを有するパイプの場合は、パイプの
上流側に発熱体を配設し、ガスがパイプ内部を流れるよ
うに構成すればよい。また、パイプ、部材で真空容器の
一部を構成するようにしてもよい。
【００３８】本発明により、複雑形状の部材の狭い隙間
や配管内に付着した膜であっても、効率よく除去できる
のは、白金からなる発熱体を加熱することにより、クリ
ーニングガスを付着膜と反応性が極めて高い活性種とす
ることができることと、このようにして生成した活性種
は寿命が長いためであると考えられる。
【００３９】本発明の付着膜の除去方法は、クリ−ニン
グガスの種類やクリーニング条件を適宜適正化すること
により種々の付着膜に適用することができる。例えば、
フッ素系若しくは塩素系のクリーニングガスを用いた場
合は、シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン等の種々
の半導体や絶縁物の付着膜の他、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の金
属付着膜等、成膜により付着する膜に適用することがで
きる。
【００４０】また、クリーニングガスも付着膜の種類、
処理条件、成膜処理室の材質等により、適宜選択される
が、特にフッ素系ガス、塩素系ガスが好適に用いられ、
この中でもＮＦ３、Ｆ２、Ｃｌ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、
Ｃ３Ｆ８、ＣＣｌ４、Ｃ２ＣｌＦ5、ＣｌＦ３、ＣＣｌ
Ｆ３、ＳＦ６を用いるのがより好ましい。これらのガス
は１００％として用いても、また、例えばＡｒ，Ｈｅ等
のガスで希釈したもの、あるいはこれらの混合ガスとし
て用いてもよい。
【００４１】発熱体には、線状、棒状、板状、筒状、箔
状等、種々の形状のものが用いられ、また、さらに、線
状発熱体では、コイル状等にして配置してもよい。
【００４２】本発明の発熱体ＣＶＤ装置において、処理
室内部にプラズマ発生用電極を設けてもよい。すなわ
ち、クリーニング時は、発熱体を通電加熱する代わり
に、処理室内にプラズマ発生用の電極を配置し、フッ素
系あるいは塩素系のクリーニングガスを放電プラズマに
より分解及び／又は活性化して処理室内に付着した膜を
除去するプラズマクリーニングを行うことができる。本
発明の発熱体は、プラズマとも実質的に反応しないこと
が確認され、クリーニングに際して処理室内を大気に戻
す必要がなく、in situ クリーニングが可能である。さ
らに、成膜及びクリーニング時に、発熱体の加熱及びプ
ラズマ発生とを同時に行ってもよく、両者の相互作用に
より、膜特性の改良及びクリーニング効率の一層の向上
を図ることができる。
【００４３】また、ＣｌＦ３をクリーニングガスに用
い、処理室等の加熱によりガスを熱分解して in situ
クリーニングを行う場合でも、発熱体はＣｌＦ３ガスと
実質上反応しないため、処理室や部材の材質が許す範囲
内で、同様に実施可能である。
【００４４】
【発明の効果】本発明により、即ち、発熱体の少なくと
も表面を白金としてこれを所定の温度に加熱し、クリー
ニングガスを作用させることにより、付着膜と反応性の
高い活性種を生成させることができ、かつ発熱体自体は
安定に保てるため、種々の成膜装置や部材に付着した膜
を効果的に除去し得る付着膜の除去方法を提供すること
が可能となる。その結果、in situ クリーニング可能な
発熱体ＣＶＤ装置を提供することができ、高特性膜の作
製手段として有望視されている発熱体ＣＶＤ法による成
膜を安定して行うことが可能となり、半導体デバイス、
表示デバイス等の一層の高特性化、その開発促進、生産
性の向上に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わるクリーニング方法が実施可能な
発熱体ＣＶＤ法を用いた成膜処理装置の一構成例を示す
概念図である。
【図２】図１に示す発熱体の形状を説明する平面概念図
である。
【図３】図２の矢視ａ−ａ’における発熱体の断面構造
を示す概念図である。
【符号の説明】
１ 処理室、 ２ ガス供給器、 ３ 発熱体、 ４ 基板ホルダー、 １１ 排気系、 １２ メインバルブ、 ２２ バルブ、 ２３ 原料ガス供給系、 ２４ バルブ、 ２５ クリーニングガス供給系、 ３０ エネルギー供給機構、 ３１ 支持体、 ２０１ 吹き出し口、 ３０１ 基体、 ３０２ 被膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/12 Ｈ０５Ｂ 3/12 Ａ Ｆターム(参考） 3B116 AA47 AB51 BC01 CD11 3K092 PP20 QB02 QB61 QB62 QB69 QB78 QB80 TT01 VV40 4K030 AA06 AA17 BA29 DA06 FA01 KA25 KA30 KA46 5F045 AC01 AC02 AC03 BB08 EB06 EC07 EE13 EF05 EK06 EK08 EN04

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空排気可能な処理室の内部及び／又は
    該処理室内に配置された部材に付着した付着膜の除去方
    法であって、 前記処理室内を排気した後、内部に配設した少なくとも
    表面が白金により構成された発熱体を加熱保持するとと
    もに、該発熱体により分解及び／又は活性化して生成す
    る活性種が付着膜と反応して付着膜を気体状物質に変換
    させるクリーニングガスを導入し、生成した気体状物質
    を排気することにより付着膜を除去することを特徴とす
    る付着膜の除去方法。
  2. 【請求項２】 前記処理室は、原料ガスを加熱された前
    記発熱体によって分解及び／又は活性化させ、基板上に
    前記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む膜を堆
    積させる発熱体ＣＶＤ装置の処理室であることを特徴と
    する請求項１に記載の付着膜の除去方法。
  3. 【請求項３】 前記クリーニングガスは、フッ素
    （Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、
    四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ
    ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、四塩化炭素
    （ＣＣｌ４）、五フッ化塩化エタン（Ｃ２ＣｌＦ５）、
    三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、三フッ化塩化メタン（ＣＣ
    ｌＦ３）若しくは六フッ化硫黄（ＳＦ６）のいずれか、
    又は少なくとも１種を含む混合ガスであることを特徴と
    する請求項１又は２に記載の付着膜の除去方法。
  4. 【請求項４】 真空排気可能な処理室内に所定の温度に
    設定可能な発熱体を設け、原料ガスを前記発熱体を加熱
    することにより分解及び／又は活性化させ、基板上に前
    記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む膜を堆積
    させる発熱体ＣＶＤ装置であって、 分解及び／活性化して生成した活性種が付着膜と反応
    し、付着膜を気体状物質に変換するクリーニングガスの
    ガス供給系を設け、かつ、前記発熱体は少なくともその
    表面を白金で構成することにより、大気に開放すること
    なく前記処理室内に付着した膜の除去を可能としたこと
    を特徴とする発熱体ＣＶＤ装置。
  5. 【請求項５】 前記処理室内部にプラズマ発生用の電極
    を設けたことを特徴とする請求項４に記載の発熱体ＣＶ
    Ｄ装置。
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