JP2000344727A - ４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びに４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法 - Google Patents
４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びに４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法Info
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- JP2000344727A JP2000344727A JP11359389A JP35938999A JP2000344727A JP 2000344727 A JP2000344727 A JP 2000344727A JP 11359389 A JP11359389 A JP 11359389A JP 35938999 A JP35938999 A JP 35938999A JP 2000344727 A JP2000344727 A JP 2000344727A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルへ
の変換が極めて容易であり、また、液晶等の電子材料、
側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分子用モノマ−原料と
して極めて有用な化合物及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（２） 【化１】 （式中、ＭはＺｎ、Ｂ、Ｓｉ又はＳｎであり、Ｘはハロ
ゲン、ヒドロキシル基、アルコキシ基又は炭化水素基を
表す。ｍは１≦ｍ≦ｎなる数であり、ｎはＭの価数に対
応した２〜４の数を表す。）で示される４−ターシャリ
ーブトキシフェニル金属化合物と下記一般式（３） 【化２】 （式中、Ｙは、塩素原子、臭素原子、沃素原子又はトリ
フレ−トを表す。）で示される４−置換ベンゾニトリル
化合物とを、Ｐｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−Ｎｉバイメ
タル触媒の存在下、クロスカップリング反応させて４−
ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルを製造
する。
の変換が極めて容易であり、また、液晶等の電子材料、
側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分子用モノマ−原料と
して極めて有用な化合物及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（２） 【化１】 （式中、ＭはＺｎ、Ｂ、Ｓｉ又はＳｎであり、Ｘはハロ
ゲン、ヒドロキシル基、アルコキシ基又は炭化水素基を
表す。ｍは１≦ｍ≦ｎなる数であり、ｎはＭの価数に対
応した２〜４の数を表す。）で示される４−ターシャリ
ーブトキシフェニル金属化合物と下記一般式（３） 【化２】 （式中、Ｙは、塩素原子、臭素原子、沃素原子又はトリ
フレ−トを表す。）で示される４−置換ベンゾニトリル
化合物とを、Ｐｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−Ｎｉバイメ
タル触媒の存在下、クロスカップリング反応させて４−
ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルを製造
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶等の電子材
料、側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分子用モノマ−の
原料となる４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビ
フェニル及びその製造方法、並びにそれを用いた４−ヒ
ドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法に関する
ものである。
料、側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分子用モノマ−の
原料となる４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビ
フェニル及びその製造方法、並びにそれを用いた４−ヒ
ドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】４−アルコキシ−４’−シアノビフェニ
ル及び４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの合成
方法としては、以下のような方法が知られている。
ル及び４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの合成
方法としては、以下のような方法が知られている。
【０００３】ｉ）特開平１−３９４７４号公報には、出
発原料である４−酢酸ビフェニルを、ブロモ化し、４−
ブロモ−４’−酢酸ビフェニルを得て、これを水酸化カ
リウムにより、４−ブロモ−４’−オキシビフェニルカ
リウム塩として、沃化アルキルを反応させるか又は加水
分解した後、シアン化銅で処理することで、４−アルコ
キシ−４’−シアノビフェニル及び４−ヒドロキシ−
４’−シアノビフェニルを得る方法が記載されている。
発原料である４−酢酸ビフェニルを、ブロモ化し、４−
ブロモ−４’−酢酸ビフェニルを得て、これを水酸化カ
リウムにより、４−ブロモ−４’−オキシビフェニルカ
リウム塩として、沃化アルキルを反応させるか又は加水
分解した後、シアン化銅で処理することで、４−アルコ
キシ−４’−シアノビフェニル及び４−ヒドロキシ−
４’−シアノビフェニルを得る方法が記載されている。
【０００４】また、近年、有機金属化合物と有機ハライ
ドを遷移金属触媒共存下、クロスカップリング反応によ
り合成する方法が数多く提案されている。例えば、 ｉｉ）ドイツ特許第１９６０７１３５号明細書（１９９
０）に記載の方法では、ｐ−メトキシマグネシウムブロ
ミドとｐ−ブロモベンゾニトリルを酢酸パラジウム／ト
リフェニルホスフィン系触媒下、クロスカップリング反
応させ、４−メトキシ−４’−シアノビフェニルを得て
いる。しかしながら、この方法では、有機マグネシウム
化合物が、シアノ基を求核攻撃するため、４−ブロモ−
４’−メトキシベンゾフェノニウムの副生が避けられな
い。有機マグネシウムを用いた方法で、本副生成物の生
成を抑えた方法としては、例えば、 ｉｉｉ）Журнал орбанцуескоц х
цмцц．３１，１１（１９９５）では、ｐ−メトキシ
マグネシウムブロミドとｐ−ジブロモベンゼンをパラジ
ウムビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン触媒下、
クロスカップリング反応させ、４−ブロモ−４’−メト
キシ−ビフェニルを得、これをシアン化銅により、シア
ノ化する方法が提案されている。
ドを遷移金属触媒共存下、クロスカップリング反応によ
り合成する方法が数多く提案されている。例えば、 ｉｉ）ドイツ特許第１９６０７１３５号明細書（１９９
０）に記載の方法では、ｐ−メトキシマグネシウムブロ
ミドとｐ−ブロモベンゾニトリルを酢酸パラジウム／ト
リフェニルホスフィン系触媒下、クロスカップリング反
応させ、４−メトキシ−４’−シアノビフェニルを得て
いる。しかしながら、この方法では、有機マグネシウム
化合物が、シアノ基を求核攻撃するため、４−ブロモ−
４’−メトキシベンゾフェノニウムの副生が避けられな
い。有機マグネシウムを用いた方法で、本副生成物の生
成を抑えた方法としては、例えば、 ｉｉｉ）Журнал орбанцуескоц х
цмцц．３１，１１（１９９５）では、ｐ−メトキシ
マグネシウムブロミドとｐ−ジブロモベンゼンをパラジ
ウムビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン触媒下、
クロスカップリング反応させ、４−ブロモ−４’−メト
キシ−ビフェニルを得、これをシアン化銅により、シア
ノ化する方法が提案されている。
【０００５】一方、有機マグネシウム化合物の如く、シ
アノ基を求核攻撃しない様な有機金属化合物を用い、ｐ
−ハロゲン化ベンゾニトリルとのクロスカップリング反
応を行うことが提案されている。例えば、 ｉｖ）Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，３９０，
３８９ （１９９０）の記載の方法において、ｐ−メト
キシフェニル亜鉛クロリドとｐ−ブロモベンゾニトリル
をテトラ（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒存
在下のクロスカップリング反応により、ほぼ定量的に目
的物である４−メトキシ−４’−シアノビフェニルを得
ている。また、 ｖ）Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３８，３４
４７（１９９７）に記載の方法では、ｐ−メトキシフェ
ニルボレ−トとｐ−シアノトリフレ−トをパラジウムビ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン触媒下にクロス
カップリング反応させ、４−メトキシ−４’−シアノビ
フェニルを高収率で得ている。さらに、 ｖｉ）特開平６−２３９７６６号公報に記載の方法で
は、エチル（ジクロロ）（ｐ−メトシキフェニル）シラ
ンとｐ−ブロモベンゾニトリルを酢酸パラジウム／トリ
−ｏ−トリルホスフィン系触媒下のクロスカップリング
反応により、４−メトキシ−４’−シアノビフェニルを
得ている。
アノ基を求核攻撃しない様な有機金属化合物を用い、ｐ
−ハロゲン化ベンゾニトリルとのクロスカップリング反
応を行うことが提案されている。例えば、 ｉｖ）Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，３９０，
３８９ （１９９０）の記載の方法において、ｐ−メト
キシフェニル亜鉛クロリドとｐ−ブロモベンゾニトリル
をテトラ（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒存
在下のクロスカップリング反応により、ほぼ定量的に目
的物である４−メトキシ−４’−シアノビフェニルを得
ている。また、 ｖ）Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３８，３４
４７（１９９７）に記載の方法では、ｐ−メトキシフェ
ニルボレ−トとｐ−シアノトリフレ−トをパラジウムビ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン触媒下にクロス
カップリング反応させ、４−メトキシ−４’−シアノビ
フェニルを高収率で得ている。さらに、 ｖｉ）特開平６−２３９７６６号公報に記載の方法で
は、エチル（ジクロロ）（ｐ−メトシキフェニル）シラ
ンとｐ−ブロモベンゾニトリルを酢酸パラジウム／トリ
−ｏ−トリルホスフィン系触媒下のクロスカップリング
反応により、４−メトキシ−４’−シアノビフェニルを
得ている。
【０００６】４−メトキシ−４’−シアノビフェニル
は、脱メチル化反応により、４−ヒドロキシ−４’−シ
アノビフェニルに誘導することができるが、この脱メチ
ル化反応は、酢酸中で臭化水素酸で処理する等、操作及
び後処理を考慮すれば、簡便な方法ではない。４−ｔｅ
ｒｔ．−ブトキシビフェニル誘導体としては、 ｖｉｉ）特開平４−１７３７５６号公報では、４−ｔｅ
ｒｔ．−ブトキシ−４’−フルオロビフェニルの製造方
法が提案されているが、ｐ−ｔｅｒｔ．−ブトキシフェ
ニルマグネシウムハライドとｐ−ハロゲン化フルオロベ
ンゼン、又はｐ−フルオロフェニルマグネシウムハライ
ドとｐ−ｔｅｒｔ．−ブトキシハロゲン化ベンゼンをパ
ラジウムホスフィン触媒下にクロスカップリング反応さ
せており、上述の如く、シアノ化体合成には、適用でき
ないものである。
は、脱メチル化反応により、４−ヒドロキシ−４’−シ
アノビフェニルに誘導することができるが、この脱メチ
ル化反応は、酢酸中で臭化水素酸で処理する等、操作及
び後処理を考慮すれば、簡便な方法ではない。４−ｔｅ
ｒｔ．−ブトキシビフェニル誘導体としては、 ｖｉｉ）特開平４−１７３７５６号公報では、４−ｔｅ
ｒｔ．−ブトキシ−４’−フルオロビフェニルの製造方
法が提案されているが、ｐ−ｔｅｒｔ．−ブトキシフェ
ニルマグネシウムハライドとｐ−ハロゲン化フルオロベ
ンゼン、又はｐ−フルオロフェニルマグネシウムハライ
ドとｐ−ｔｅｒｔ．−ブトキシハロゲン化ベンゼンをパ
ラジウムホスフィン触媒下にクロスカップリング反応さ
せており、上述の如く、シアノ化体合成には、適用でき
ないものである。
【０００７】更に、４−シアノビフェニル誘導体として
は、 ｖｉｉｉ）特開平６−４９０８０号方法では、表示用液
晶組成物として、シアノビフェニルシロキサンを提案し
ており、その実施例において、有機マグネシウム化合物
を経由した合成処方を採用している。この際も、有機マ
グネシウムによるｐ−ブロモベンゾニトリルのシアノ基
の求核攻撃する可能性があり、シアノビフェニル誘導体
合成には、適当ではない。
は、 ｖｉｉｉ）特開平６−４９０８０号方法では、表示用液
晶組成物として、シアノビフェニルシロキサンを提案し
ており、その実施例において、有機マグネシウム化合物
を経由した合成処方を採用している。この際も、有機マ
グネシウムによるｐ−ブロモベンゾニトリルのシアノ基
の求核攻撃する可能性があり、シアノビフェニル誘導体
合成には、適当ではない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の課題に
鑑みてなされたものであり、その目的は、従来技術の問
題を解決すること、すなわち、４−ヒドロキシ−４’−
シアノビフェニルへの変換が極めて容易であり、また、
液晶等の電子材料、側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分
子用モノマ−原料として極めて有用な化合物及びその製
造方法を提供することである。
鑑みてなされたものであり、その目的は、従来技術の問
題を解決すること、すなわち、４−ヒドロキシ−４’−
シアノビフェニルへの変換が極めて容易であり、また、
液晶等の電子材料、側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分
子用モノマ−原料として極めて有用な化合物及びその製
造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、４−ターシ
ャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルが安定であ
り、定量的合成が可能なこと、殊にクロスカップリング
反応を用いた方法により容易に合成できること、更に、
酸触媒下、容易に４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェ
ニルに変換できることを見出し、本発明を完成させるに
至った。
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、４−ターシ
ャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルが安定であ
り、定量的合成が可能なこと、殊にクロスカップリング
反応を用いた方法により容易に合成できること、更に、
酸触媒下、容易に４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェ
ニルに変換できることを見出し、本発明を完成させるに
至った。
【００１０】すなわち、本発明は、下記構造式（１）
【００１１】
【化８】
【００１２】で示される４−ターシャリーブトキシ−
４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びにそれ
を用いた４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製
造方法である。
４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びにそれ
を用いた４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製
造方法である。
【００１３】本発明の４−ターシャリーブトキシ−４’
−シアノビフェニルは、４−ヒドロキシ−４’−シアノ
ビフェニルへの変換が極めて容易であり、また、液晶等
の電子材料、側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分子用モ
ノマ−原料として極めて有用である。
−シアノビフェニルは、４−ヒドロキシ−４’−シアノ
ビフェニルへの変換が極めて容易であり、また、液晶等
の電子材料、側鎖型液晶ポリマ−等の機能性高分子用モ
ノマ−原料として極めて有用である。
【００１４】以下に本発明をさらに詳細に説明する本発
明においては、下記一般式（２）
明においては、下記一般式（２）
【００１５】
【化９】
【００１６】（式中、ＭはＺｎ、Ｂ、Ｓｉ又はＳｎであ
り、Ｘはハロゲン、ヒドロキシル基、アルコキシ基又は
炭化水素基を表す。ｍは１≦ｍ≦ｎなる数であり、ｎは
Ｍの価数に対応した２〜４の数を表す。）で示される４
−ターシャリーブトキシフェニル金属化合物と下記一般
式（３）
り、Ｘはハロゲン、ヒドロキシル基、アルコキシ基又は
炭化水素基を表す。ｍは１≦ｍ≦ｎなる数であり、ｎは
Ｍの価数に対応した２〜４の数を表す。）で示される４
−ターシャリーブトキシフェニル金属化合物と下記一般
式（３）
【００１７】
【化１０】
【００１８】（式中、Ｙは塩素原子、臭素原子、沃素原
子又はトリフレ−トを表す。）で示される４−置換ベン
ゾニトリル化合物とを、Ｐｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−
Ｎｉバイメタル触媒の存在下、クロスカップリング反応
させるにより、上記構造式（１）に示される４−ターシ
ャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルを得る。
子又はトリフレ−トを表す。）で示される４−置換ベン
ゾニトリル化合物とを、Ｐｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−
Ｎｉバイメタル触媒の存在下、クロスカップリング反応
させるにより、上記構造式（１）に示される４−ターシ
ャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルを得る。
【００１９】本発明の４−ターシャリーブトキシ−４’
−シアノビフェニルは、例えば、４−ヒドロキシ−４’
−シアノビフェニルを硫酸等の酸触媒下にイソブテンに
より、ヒドロキシル基をイソブチル化することによって
も合成することはできる。しかしながら、上記文献ｉ）
の如き合成方法で得られた４−ヒドロキシ−４’−シア
ノビフェニルは、不純物として位置異性体を含む場合が
あり、また、フェノ−ル構造のイソブテンを用いたイソ
ブチル化反応は、平衡反応であり、定量的な反応となら
ず、高純度品を得るには不適当な場合がある。
−シアノビフェニルは、例えば、４−ヒドロキシ−４’
−シアノビフェニルを硫酸等の酸触媒下にイソブテンに
より、ヒドロキシル基をイソブチル化することによって
も合成することはできる。しかしながら、上記文献ｉ）
の如き合成方法で得られた４−ヒドロキシ−４’−シア
ノビフェニルは、不純物として位置異性体を含む場合が
あり、また、フェノ−ル構造のイソブテンを用いたイソ
ブチル化反応は、平衡反応であり、定量的な反応となら
ず、高純度品を得るには不適当な場合がある。
【００２０】したがって、上記構造式（１）を有する高
純度な４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェ
ニルを合成するためには、上記一般式（２）で示される
４−ターシャリーブトキシフェニル基を有するホウ素化
合物、亜鉛化合物、ケイ素化合物及び錫化合物からなる
群から選ばれる少なくとも一種と、上記一般式（３）で
示される４−置換ベンゾニトリル化合物とを、Ｐｄ触
媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−Ｎｉバイメタル触媒の存在下、
クロスカップリング反応させる本発明の方法が好適に用
いられる。
純度な４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェ
ニルを合成するためには、上記一般式（２）で示される
４−ターシャリーブトキシフェニル基を有するホウ素化
合物、亜鉛化合物、ケイ素化合物及び錫化合物からなる
群から選ばれる少なくとも一種と、上記一般式（３）で
示される４−置換ベンゾニトリル化合物とを、Ｐｄ触
媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−Ｎｉバイメタル触媒の存在下、
クロスカップリング反応させる本発明の方法が好適に用
いられる。
【００２１】本発明の方法において使用される上記一般
式（２）で示される４−ターシャリーブトキシフェニル
金属化合物のうち、ホウ素化合物としては、例えば、下
記一般式（４）
式（２）で示される４−ターシャリーブトキシフェニル
金属化合物のうち、ホウ素化合物としては、例えば、下
記一般式（４）
【００２２】
【化１１】
【００２３】（式中、Ｘ1は、ヒドロキシル基、アルコ
キシ基又は炭化水素基を示し、ｐは３以下の正数を表
す。）で示される化合物を挙げることができる。具体的
には、例えば、トリ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ホウ素、４−ターシャリーブトキシフェニルジヒド
ロキシホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ヒドロキシホウ素、４−ターシャリーブトキシフェ
ニルジメトキシホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシ
フェニル）メトキシホウ素、４−ターシャリーブトキシ
フェニルジエトキシホウ素、ジ（４−ターシャリーブト
キシフェニル）エトキシホウ素、４−ターシャリーブト
キシフェニルジ（ｎ−プロポキシ）ホウ素、ジ（４−タ
ーシャリーブトキシフェニル）（ｎ−プロポキシ）ホウ
素、４−ターシャリーブトキシフェニルジ（ｉ−プロポ
キシ）ホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）（ｉ−プロポキシ）ホウ素、４−ターシャリーブト
キシフェニルジ（ｎ−ブトキシ）ホウ素、ジ（４−ター
シャリーブトキシフェニル）（ｎ−ブトキシ）ホウ素、
４−ターシャリーブトキシフェニルジ（ｉ−ブトキシ）
ホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）（ｉ
−ブトキシ）ホウ素、４−ターシャリーブトキシフェニ
ルジ（ｓｅｃ−ブトキシ）ホウ素、ジ（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）（ｓｅｃ−ブトキシ）ホウ素、４
−ターシャリーブトキシフェニルジ（ｔｅｒｔ−ブトキ
シ）ホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）
（ｔｅｒｔ−ブトキシ）ホウ素、４−ターシャリーブト
キシフェニル（ベンゼンジオキシ）ホウ素、４−ターシ
ャリーブトキシフェニル（プロパンジオキシ）ホウ素、
４−ターシャリーブトキシフェニルジエチルホウ素、ジ
（４−ターシャリーブトキシフェニル）エチルホウ素、
４−ターシャリーブトキシフェニル（９−ボラビシクロ
［３．３．１］ノナリル）ホウ素等を挙げることができ
る。
キシ基又は炭化水素基を示し、ｐは３以下の正数を表
す。）で示される化合物を挙げることができる。具体的
には、例えば、トリ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ホウ素、４−ターシャリーブトキシフェニルジヒド
ロキシホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ヒドロキシホウ素、４−ターシャリーブトキシフェ
ニルジメトキシホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシ
フェニル）メトキシホウ素、４−ターシャリーブトキシ
フェニルジエトキシホウ素、ジ（４−ターシャリーブト
キシフェニル）エトキシホウ素、４−ターシャリーブト
キシフェニルジ（ｎ−プロポキシ）ホウ素、ジ（４−タ
ーシャリーブトキシフェニル）（ｎ−プロポキシ）ホウ
素、４−ターシャリーブトキシフェニルジ（ｉ−プロポ
キシ）ホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）（ｉ−プロポキシ）ホウ素、４−ターシャリーブト
キシフェニルジ（ｎ−ブトキシ）ホウ素、ジ（４−ター
シャリーブトキシフェニル）（ｎ−ブトキシ）ホウ素、
４−ターシャリーブトキシフェニルジ（ｉ−ブトキシ）
ホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）（ｉ
−ブトキシ）ホウ素、４−ターシャリーブトキシフェニ
ルジ（ｓｅｃ−ブトキシ）ホウ素、ジ（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）（ｓｅｃ−ブトキシ）ホウ素、４
−ターシャリーブトキシフェニルジ（ｔｅｒｔ−ブトキ
シ）ホウ素、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）
（ｔｅｒｔ−ブトキシ）ホウ素、４−ターシャリーブト
キシフェニル（ベンゼンジオキシ）ホウ素、４−ターシ
ャリーブトキシフェニル（プロパンジオキシ）ホウ素、
４−ターシャリーブトキシフェニルジエチルホウ素、ジ
（４−ターシャリーブトキシフェニル）エチルホウ素、
４−ターシャリーブトキシフェニル（９−ボラビシクロ
［３．３．１］ノナリル）ホウ素等を挙げることができ
る。
【００２４】亜鉛化合物としては、例えば、下記一般式
（５）
（５）
【００２５】
【化１２】
【００２６】（式中、Ｘ2はハロゲン又は炭化水素基を
表し、ｑは２以下の正数を表す。）で示される化合物を
挙げることができる。具体的には、例えば、ジ（４−タ
ーシャリーブトキシフェニル）亜鉛、（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）塩化亜鉛、（４−ターシャリーブ
トキシフェニル）臭化亜鉛、（４−ターシャリーブトキ
シフェニル）沃化亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェ
ニル（メチル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェニ
ル（エチル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェニル
（ｎ−プロピル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェ
ニル（ｉ−プロピル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシ
フェニル（ｎ−ブチル）亜鉛、４−ターシャリーブトキ
シフェニル（ｉ−ブチル）亜鉛、４−ターシャリーブト
キシフェニル（ｓｅｃ−ブチル）亜鉛、４−ターシャリ
ーブトキシフェニル（ｔｅｒｔ．−ブチル）亜鉛等を挙
げることができる。
表し、ｑは２以下の正数を表す。）で示される化合物を
挙げることができる。具体的には、例えば、ジ（４−タ
ーシャリーブトキシフェニル）亜鉛、（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）塩化亜鉛、（４−ターシャリーブ
トキシフェニル）臭化亜鉛、（４−ターシャリーブトキ
シフェニル）沃化亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェ
ニル（メチル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェニ
ル（エチル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェニル
（ｎ−プロピル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシフェ
ニル（ｉ−プロピル）亜鉛、４−ターシャリーブトキシ
フェニル（ｎ−ブチル）亜鉛、４−ターシャリーブトキ
シフェニル（ｉ−ブチル）亜鉛、４−ターシャリーブト
キシフェニル（ｓｅｃ−ブチル）亜鉛、４−ターシャリ
ーブトキシフェニル（ｔｅｒｔ．−ブチル）亜鉛等を挙
げることができる。
【００２７】ケイ素化合物としては、下記一般式（６）
【００２８】
【化１３】
【００２９】（式中、Ｘ3はハロゲン又は炭化水素基を
示し、ｒは４以下の正数を表す。）で示される化合物を
挙げることができる。具体的には、例えば、４−ターシ
ャリーブトキシフェニル（エチル）ジクロロシラン、４
−ターシャリーブトキシフェニル（ジエチル）クロロシ
ラン、４−ターシャリーブトキシフェニルトリエチルシ
ラン、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）（エチ
ル）クロロシラン、ジ（４−ターシャリーブトキシフェ
ニル）ジエチルシラン、４−ターシャリーブトキシフェ
ニル（メチル）ジクロロシラン、４−ターシャリーブト
キシフェニル（ジメチル）クロロシラン、４−ターシャ
リーブトキシフェニルトリメチルシラン、ジ（４−ター
シャリーブトキシフェニル）（メチル）クロロシラン、
ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ジメチルシラ
ン、４−ターシャリーブトキシフェニルトリクロロシラ
ン、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ジクロロ
シラン等を挙げることができる。
示し、ｒは４以下の正数を表す。）で示される化合物を
挙げることができる。具体的には、例えば、４−ターシ
ャリーブトキシフェニル（エチル）ジクロロシラン、４
−ターシャリーブトキシフェニル（ジエチル）クロロシ
ラン、４−ターシャリーブトキシフェニルトリエチルシ
ラン、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）（エチ
ル）クロロシラン、ジ（４−ターシャリーブトキシフェ
ニル）ジエチルシラン、４−ターシャリーブトキシフェ
ニル（メチル）ジクロロシラン、４−ターシャリーブト
キシフェニル（ジメチル）クロロシラン、４−ターシャ
リーブトキシフェニルトリメチルシラン、ジ（４−ター
シャリーブトキシフェニル）（メチル）クロロシラン、
ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ジメチルシラ
ン、４−ターシャリーブトキシフェニルトリクロロシラ
ン、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ジクロロ
シラン等を挙げることができる。
【００３０】錫化合物としては、例えば、下記一般式
（７）
（７）
【００３１】
【化１４】
【００３２】（式中、Ｘ4は炭化水素基を示し、ｒは４
以下の正数を表す。）で示される化合物を挙げることが
できる。具体的には、例えば、４−ターシャリーブトキ
シフェニルトリメチルスズ、ジ（４−ターシャリーブト
キシフェニル）ジメチルスズ、トリ（４−ターシャリー
ブトキシフェニル）メチルスズ、４−ターシャリーブト
キシフェニルトリエチルスズ、ジ（４−ターシャリーブ
トキシフェニル）ジエチルスズ、トリ（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）エチルスズ、４−ターシャリーブ
トキシフェニルトリ−ｎ−プロピルスズ、ジ（４−ター
シャリーブトキシフェニル）ジ−ｎ−プロピルスズ、ト
リ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ｎ−プロピル
スズ、４−ターシャリーブトキシフェニルトリ−ｉ−プ
ロピルスズ、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）
ジ−ｉ−プロピルスズ、トリ（４−ターシャリーブトキ
シフェニル）ｉ−プロピルスズ、４−ターシャリーブト
キシフェニルトリ−ｎ−ブチルスズ、ジ（４−ターシャ
リーブトキシフェニル）ジ−ｎ−ブチルスズ、トリ（４
−ターシャリーブトキシフェニル）ｎ−ブチルスズ、４
−ターシャリーブトキシフェニルトリ−ｉ−ブチルス
ズ、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ジ−ｉ−
ブチルスズ、トリ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ｉ−ブチルスズ、４−ターシャリーブトキシフェニ
ルトリ−ｓｅｃ−ブチルスズ、ジ（４−ターシャリーブ
トキシフェニル）ジ−ｓｅｃ−ブチルスズ、トリ（４−
ターシャリーブトキシフェニル）ｓｅｃ−ブチルスズ、
テトラ（４−ターシャリーブトキシフェニル）メチルス
ズ、４−ターシャリーブトキシフェニルトリ−ｔｅｒｔ
−ブチルスズ、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスズ、トリ（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）ｔｅｒｔ−ブチルスズ等を挙げる
ことができる。
以下の正数を表す。）で示される化合物を挙げることが
できる。具体的には、例えば、４−ターシャリーブトキ
シフェニルトリメチルスズ、ジ（４−ターシャリーブト
キシフェニル）ジメチルスズ、トリ（４−ターシャリー
ブトキシフェニル）メチルスズ、４−ターシャリーブト
キシフェニルトリエチルスズ、ジ（４−ターシャリーブ
トキシフェニル）ジエチルスズ、トリ（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）エチルスズ、４−ターシャリーブ
トキシフェニルトリ−ｎ−プロピルスズ、ジ（４−ター
シャリーブトキシフェニル）ジ−ｎ−プロピルスズ、ト
リ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ｎ−プロピル
スズ、４−ターシャリーブトキシフェニルトリ−ｉ−プ
ロピルスズ、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）
ジ−ｉ−プロピルスズ、トリ（４−ターシャリーブトキ
シフェニル）ｉ−プロピルスズ、４−ターシャリーブト
キシフェニルトリ−ｎ−ブチルスズ、ジ（４−ターシャ
リーブトキシフェニル）ジ−ｎ−ブチルスズ、トリ（４
−ターシャリーブトキシフェニル）ｎ−ブチルスズ、４
−ターシャリーブトキシフェニルトリ−ｉ−ブチルス
ズ、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニル）ジ−ｉ−
ブチルスズ、トリ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ｉ−ブチルスズ、４−ターシャリーブトキシフェニ
ルトリ−ｓｅｃ−ブチルスズ、ジ（４−ターシャリーブ
トキシフェニル）ジ−ｓｅｃ−ブチルスズ、トリ（４−
ターシャリーブトキシフェニル）ｓｅｃ−ブチルスズ、
テトラ（４−ターシャリーブトキシフェニル）メチルス
ズ、４−ターシャリーブトキシフェニルトリ−ｔｅｒｔ
−ブチルスズ、ジ（４−ターシャリーブトキシフェニ
ル）ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスズ、トリ（４−ターシャリ
ーブトキシフェニル）ｔｅｒｔ−ブチルスズ等を挙げる
ことができる。
【００３３】上記一般式（２）で示される４−ターシャ
リーブトキシフェニル金属化合物の製造方法は特に限定
するものではないが、例えば、下記一般式（８）
リーブトキシフェニル金属化合物の製造方法は特に限定
するものではないが、例えば、下記一般式（８）
【００３４】
【化１５】
【００３５】（式中、Ｚは塩素原子、臭素原子又は沃素
原子を表す。）で示されるマグネシウム化合物、又は下
記構造式（９）
原子を表す。）で示されるマグネシウム化合物、又は下
記構造式（９）
【００３６】
【化１６】
【００３７】で示されるリチウム化合物を、対応する亜
鉛化合物、ホウ素化合物、ケイ素化合物又は錫化合物と
反応させることによって調製することができる。本発明
の方法によれば、従来、−７８℃程度の極低温で行わな
ければならなかったアリルホウ素化合物の調製が、−３
０℃以上、さらには実施例で表すが如く０℃以上の温度
で可能になる。
鉛化合物、ホウ素化合物、ケイ素化合物又は錫化合物と
反応させることによって調製することができる。本発明
の方法によれば、従来、−７８℃程度の極低温で行わな
ければならなかったアリルホウ素化合物の調製が、−３
０℃以上、さらには実施例で表すが如く０℃以上の温度
で可能になる。
【００３８】本発明の方法において、上記一般式（３）
で示される４−置換ベンゾニトリルとしては、４−クロ
ロベンゾニトリル、４−ブロモベンゾニトリル、４−ヨ
−ドベンゾニトリル、４−シアノフェニルトリフレ−ト
が挙げられる。
で示される４−置換ベンゾニトリルとしては、４−クロ
ロベンゾニトリル、４−ブロモベンゾニトリル、４−ヨ
−ドベンゾニトリル、４−シアノフェニルトリフレ−ト
が挙げられる。
【００３９】本発明の方法において、クロスカップリン
グ反応の際に用いられるＰｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−
Ｎｉバイメタル触媒としては、特に限定するものではな
いが、例えば、下記一般式（１０） Ｌ1 fＰｄＸ5 g （１０） （式中、ｆは０〜６の整数、ｇはＰｄの価数に相当する
数であり、Ｐｄの価数は零価、一価又は二価である。Ｘ
5はハロゲン原子、水素原子、炭素数１〜２０の炭化水
素基、カルボン酸残基又はケトン残基であり、各々同一
であっても異なっていても良い。Ｌ1は、有機ホスフィ
ン、有機ホスファイト、有機アルシン、有機アミン、有
機ニトリル、有機イソシアニド、オレフィン、ジエン又
はカルボニルであり、各々同一であっても異なっていて
も良く、さらにこれらは架橋されていても良い。）で示
される化合物、例えば、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウム（０）、ヘキサキス（２，６−キシリ
ルイソシアニド）三パラジウム（０）、カルボニルトリ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（カ
ルボニル）トリス（トリ−ｔｅｒｔ．−ブチルホスフィ
ン）三パラジウム（０）、（エチレン）ビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム（０）、（フマル酸ジメチ
ル）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（０）、（メタクリル酸メチル）ビス（メチルジフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリエ
チルホスフィト）パラジウム（０）、テトラキス（トリ
フェニルホスフィト）パラジウム（０）、テトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、テトラ
キス（トリシクロヘキシル）パラジウム（０）、テトラ
キス（トリ−ｔｅｒｔ．−ブチルホスフィン）パラジウ
ム（０）、テトラキス（トリ−ｎ−ブチルホスフィン）
パラジウム（０）、テトラキス（トリエチルホスフィ
ン）パラジウム（０）、テトラキス（ジ−ｔｅｒｔ．−
ブチルフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス
（トリシクロヘキシル）パラジウム（０）、ビス（トリ
−ｔｅｒｔ．−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、
ビス（トリ−ｎ−ブチルホスフィン）パラジウム
（０）、ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム
（０）、ビス（ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニルホスフ
ィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリフェニルア
ルシン）パラジウム（０）、ビス（シクロオクタジエ
ン）パラジウム（０）、ジクロロビス［ビス（ジメチル
ホスフィノ）メタン］二パラジウム（Ｉ）、ジブロモビ
ス［ビス（ジメチルホスフィノ）メタン］二パラジウム
（Ｉ）、ジヨ−ドビス［ビス（ジメチルホスフィノ）メ
タン］二パラジウム（Ｉ）、ジクロロビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ブロモビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジ
クロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］パラジウム（ＩＩ）、ジブロモ［１，２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジ
ヨ−ド［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、
ジブロモ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロ
パン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド［１，３−ビス
（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）、ブロモビス（トリ−ｔ−ブチルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリ−ｔ
−ブチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ
［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］
パラジウム（ＩＩ）、ジブロモ［１，２−ビス（ジ−ｔ
−ブチルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジ
ヨ−ド［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エ
タン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス
（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］パラジウム
（ＩＩ）、ジブロモ［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホ
スフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド
［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパ
ン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリシクロヘ
キシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス
（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジヨ−ドビス（トリシクロヘキシルホスフィン）
パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，２−ビス（ジシク
ロヘキシルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、
ジブロモ［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド［１，２−
ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］パラジウ
ム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジシクロヘキシ
ルホスフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、ジブロ
モ［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロ
パン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド［１，３−ビス
（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン］パラジウム
（ＩＩ）、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラ
ジウム（ＩＩ）、ジブロモビス（トリメチルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリメチルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリエ
チルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス
（トリエチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−
ドビス（トリエチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（トリｉ−プロピルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）、ジブロモビス（トリｉ−プロピルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリｉ−プロ
ピルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス
（トリｎ−ブチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジ
ブロモビス（トリｎ−ブチルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリｎ−ブチルホスフィン）
パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（メチルジフェニル
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス（メチ
ルジフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−
ドビス（メチルジフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロビス（ジメチルフェニルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス（ジメチルフェニルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（ジメチ
ルフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、クロロ
（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）、ブロモ（フェニル）ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）、ヨ−ド（フェニル）ビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジ
メチルビス（トリメチルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）、テトラメチレンビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、塩化パ
ラジウム（ＩＩ）、パラジウムカ−ボン等を挙げること
ができ、これらの二種以上の混合物及び複核錯体の使用
も本発明の範囲に含まれる。
グ反応の際に用いられるＰｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−
Ｎｉバイメタル触媒としては、特に限定するものではな
いが、例えば、下記一般式（１０） Ｌ1 fＰｄＸ5 g （１０） （式中、ｆは０〜６の整数、ｇはＰｄの価数に相当する
数であり、Ｐｄの価数は零価、一価又は二価である。Ｘ
5はハロゲン原子、水素原子、炭素数１〜２０の炭化水
素基、カルボン酸残基又はケトン残基であり、各々同一
であっても異なっていても良い。Ｌ1は、有機ホスフィ
ン、有機ホスファイト、有機アルシン、有機アミン、有
機ニトリル、有機イソシアニド、オレフィン、ジエン又
はカルボニルであり、各々同一であっても異なっていて
も良く、さらにこれらは架橋されていても良い。）で示
される化合物、例えば、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウム（０）、ヘキサキス（２，６−キシリ
ルイソシアニド）三パラジウム（０）、カルボニルトリ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（カ
ルボニル）トリス（トリ−ｔｅｒｔ．−ブチルホスフィ
ン）三パラジウム（０）、（エチレン）ビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム（０）、（フマル酸ジメチ
ル）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（０）、（メタクリル酸メチル）ビス（メチルジフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリエ
チルホスフィト）パラジウム（０）、テトラキス（トリ
フェニルホスフィト）パラジウム（０）、テトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、テトラ
キス（トリシクロヘキシル）パラジウム（０）、テトラ
キス（トリ−ｔｅｒｔ．−ブチルホスフィン）パラジウ
ム（０）、テトラキス（トリ−ｎ−ブチルホスフィン）
パラジウム（０）、テトラキス（トリエチルホスフィ
ン）パラジウム（０）、テトラキス（ジ−ｔｅｒｔ．−
ブチルフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス
（トリシクロヘキシル）パラジウム（０）、ビス（トリ
−ｔｅｒｔ．−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、
ビス（トリ−ｎ−ブチルホスフィン）パラジウム
（０）、ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム
（０）、ビス（ジ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニルホスフ
ィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリフェニルア
ルシン）パラジウム（０）、ビス（シクロオクタジエ
ン）パラジウム（０）、ジクロロビス［ビス（ジメチル
ホスフィノ）メタン］二パラジウム（Ｉ）、ジブロモビ
ス［ビス（ジメチルホスフィノ）メタン］二パラジウム
（Ｉ）、ジヨ−ドビス［ビス（ジメチルホスフィノ）メ
タン］二パラジウム（Ｉ）、ジクロロビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ブロモビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジ
クロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］パラジウム（ＩＩ）、ジブロモ［１，２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジ
ヨ−ド［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、
ジブロモ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロ
パン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド［１，３−ビス
（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）、ブロモビス（トリ−ｔ−ブチルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリ−ｔ
−ブチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ
［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］
パラジウム（ＩＩ）、ジブロモ［１，２−ビス（ジ−ｔ
−ブチルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジ
ヨ−ド［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エ
タン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス
（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］パラジウム
（ＩＩ）、ジブロモ［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホ
スフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド
［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパ
ン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリシクロヘ
キシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス
（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジヨ−ドビス（トリシクロヘキシルホスフィン）
パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，２−ビス（ジシク
ロヘキシルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、
ジブロモ［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド［１，２−
ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］パラジウ
ム（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジシクロヘキシ
ルホスフィノ）プロパン］パラジウム（ＩＩ）、ジブロ
モ［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロ
パン］パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ド［１，３−ビス
（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン］パラジウム
（ＩＩ）、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラ
ジウム（ＩＩ）、ジブロモビス（トリメチルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリメチルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリエ
チルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス
（トリエチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−
ドビス（トリエチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（トリｉ−プロピルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）、ジブロモビス（トリｉ−プロピルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリｉ−プロ
ピルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス
（トリｎ−ブチルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジ
ブロモビス（トリｎ−ブチルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（トリｎ−ブチルホスフィン）
パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（メチルジフェニル
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス（メチ
ルジフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−
ドビス（メチルジフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロビス（ジメチルフェニルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）、ジブロモビス（ジメチルフェニルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジヨ−ドビス（ジメチ
ルフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、クロロ
（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）、ブロモ（フェニル）ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（ＩＩ）、ヨ−ド（フェニル）ビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジ
メチルビス（トリメチルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）、テトラメチレンビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、塩化パ
ラジウム（ＩＩ）、パラジウムカ−ボン等を挙げること
ができ、これらの二種以上の混合物及び複核錯体の使用
も本発明の範囲に含まれる。
【００４０】また、下記一般式（１１） Ｌ2 hＮｉＸ6 i （１１） （式中、ｈは０〜６の整数、ｉはＮｉの価数に相当する
数であり、Ｎｉの価数は零価、一価又は二価である。Ｘ
6は、ハロゲン原子，水素原子，炭素数１〜２０の炭化
水素基であり、同一であっても異なっても良い。Ｌ
2は、置換ホスフィン配位子，カルボニル配位子，アミ
ン配位子であり、同一であっても異なっても良く、置換
ホスフィン配位子の場合、架橋されていても良い。）で
示される有機ニッケル錯体、例えば、トリカルボニル
（トリフェニルホスフィンニッケル（０）、ジカルボニ
ルビス（トリフェニルホスフィンニッケル（０），テト
ラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、二
窒素ビス［ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッ
ケル（０）］、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフ
ィン）ニッケル（０）、ビス（シクロオクタジエン）ニ
ッケル（０）、（シクロドデカトリエン）ニッケル
（０）、塩化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッケ
ル（Ｉ）、臭化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッ
ケル（Ｉ）、沃化トリス（トリフェニルホスフィン）ニ
ッケル（Ｉ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）
ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二臭
化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニ
ッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，３
−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル
（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二塩化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）ニッ
ケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ−ｔ−ブチル
ホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス
（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二臭化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス
（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二塩化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィ
ノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビ
ス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］ニッケル
（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホス
フィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２
−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッケ
ル（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジシクロヘキシル
ホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，
２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッ
ケル（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジシクロヘキシ
ルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化
［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパ
ン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジシク
ロヘキシルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、
二塩化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル
（ＩＩ）、二臭化ビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリシクロヘキシ
ルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリメ
チルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ
メチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（ト
リメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス
（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビ
ス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化
ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩
化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二臭化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッ
ケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリｉ−プロピルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリｎ−ブチルホ
スフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリｎ−ブ
チルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ
ｎ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス
（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二
臭化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二沃化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッ
ケル（ＩＩ）、二塩化ビス（ジメチルフェニルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（ジメチルフェニル
ホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（ジメチル
フェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、塩化（フェニ
ル）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、臭化（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、沃化（フェニル）ビス（トリフ
ェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、ジメチルビス
（トリメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、テトラメ
チレンビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、塩化（シクロペンタジエニル）（トリフェニルホ
スフィン）ニッケル（ＩＩ）、メチル（シクロペンタジ
エニル）（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、塩化（ヒドリド）ビス（トリシクロヘキシルホス
フィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化（２，２’−ビピリ
ジル）ニッケル（ＩＩ）、二臭化（２，２’−ビピリジ
ル）ニッケル（ＩＩ）、二沃化（２，２’−ビピリジ
ル）ニッケル（ＩＩ）、ジエチル（２，２’−ビピリジ
ル）ニッケル（ＩＩ）等を挙げることができ、これらの
二種以上の混合物及び二臭化ビス［２−（エトキシカル
ボニル）アリル］二ニッケル塩の如き、複核錯体の使用
も本発明の範囲に含まれる。
数であり、Ｎｉの価数は零価、一価又は二価である。Ｘ
6は、ハロゲン原子，水素原子，炭素数１〜２０の炭化
水素基であり、同一であっても異なっても良い。Ｌ
2は、置換ホスフィン配位子，カルボニル配位子，アミ
ン配位子であり、同一であっても異なっても良く、置換
ホスフィン配位子の場合、架橋されていても良い。）で
示される有機ニッケル錯体、例えば、トリカルボニル
（トリフェニルホスフィンニッケル（０）、ジカルボニ
ルビス（トリフェニルホスフィンニッケル（０），テト
ラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、二
窒素ビス［ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッ
ケル（０）］、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフ
ィン）ニッケル（０）、ビス（シクロオクタジエン）ニ
ッケル（０）、（シクロドデカトリエン）ニッケル
（０）、塩化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッケ
ル（Ｉ）、臭化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッ
ケル（Ｉ）、沃化トリス（トリフェニルホスフィン）ニ
ッケル（Ｉ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）
ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二臭
化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニ
ッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，３
−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル
（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二塩化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）ニッ
ケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ−ｔ−ブチル
ホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス
（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二臭化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス
（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二塩化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィ
ノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビ
ス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］ニッケル
（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホス
フィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２
−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッケ
ル（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジシクロヘキシル
ホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，
２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッ
ケル（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジシクロヘキシ
ルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化
［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパ
ン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジシク
ロヘキシルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、
二塩化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル
（ＩＩ）、二臭化ビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリシクロヘキシ
ルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリメ
チルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ
メチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（ト
リメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス
（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビ
ス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化
ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩
化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二臭化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッ
ケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリｉ−プロピルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリｎ−ブチルホ
スフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリｎ−ブ
チルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ
ｎ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス
（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二
臭化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、二沃化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッ
ケル（ＩＩ）、二塩化ビス（ジメチルフェニルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（ジメチルフェニル
ホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（ジメチル
フェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、塩化（フェニ
ル）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、臭化（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（ＩＩ）、沃化（フェニル）ビス（トリフ
ェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、ジメチルビス
（トリメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、テトラメ
チレンビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、塩化（シクロペンタジエニル）（トリフェニルホ
スフィン）ニッケル（ＩＩ）、メチル（シクロペンタジ
エニル）（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ
Ｉ）、塩化（ヒドリド）ビス（トリシクロヘキシルホス
フィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化（２，２’−ビピリ
ジル）ニッケル（ＩＩ）、二臭化（２，２’−ビピリジ
ル）ニッケル（ＩＩ）、二沃化（２，２’−ビピリジ
ル）ニッケル（ＩＩ）、ジエチル（２，２’−ビピリジ
ル）ニッケル（ＩＩ）等を挙げることができ、これらの
二種以上の混合物及び二臭化ビス［２−（エトキシカル
ボニル）アリル］二ニッケル塩の如き、複核錯体の使用
も本発明の範囲に含まれる。
【００４１】さらに、上記パラジウム化合物とニッケル
化合物を混合したもの、錯体化させたもの、及び粘土鉱
物等の担体に担持させたものを用いることも本発明の範
囲に含まれる。
化合物を混合したもの、錯体化させたもの、及び粘土鉱
物等の担体に担持させたものを用いることも本発明の範
囲に含まれる。
【００４２】上記一般式（２）で示される４−タ−シャ
リ−ブトキシフェニル金属化合物と上記一般式（３）で
示される４−置換ベンゾニトリル化合物をクロスカップ
リング反応させる際の反応条件は、特に限定するもので
はないが、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下又は
大気下条件で、有機反応及び錯体合成で一般的な溶媒、
例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、
ｎ−デカン、ベンゼン、トルエン、アセトン、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、ｎ−ブチルメチル
エーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジ−ｎ−ブチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ−メチ
ルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シメチ
ルスルホキシド、トリエチルアミン、ヘキサメチルリン
酸トリアミド等の溶媒中で、−８５〜２００℃、好まし
くは、−５０〜１５０℃の温度範囲で行うことができ
る。また、上述した溶媒を混合した系を用いることもで
きる。
リ−ブトキシフェニル金属化合物と上記一般式（３）で
示される４−置換ベンゾニトリル化合物をクロスカップ
リング反応させる際の反応条件は、特に限定するもので
はないが、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下又は
大気下条件で、有機反応及び錯体合成で一般的な溶媒、
例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、
ｎ−デカン、ベンゼン、トルエン、アセトン、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、ｎ−ブチルメチル
エーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジ−ｎ−ブチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ−メチ
ルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シメチ
ルスルホキシド、トリエチルアミン、ヘキサメチルリン
酸トリアミド等の溶媒中で、−８５〜２００℃、好まし
くは、−５０〜１５０℃の温度範囲で行うことができ
る。また、上述した溶媒を混合した系を用いることもで
きる。
【００４３】クロスカップリング反応の際に使用する触
媒量は、特に限定されるものではないが、上記一般式
（２）で示される４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金
属化合物１ｍｏｌに対し、パラジウム及び／又はニッケ
ルが０．０００１〜１ｍｏｌとなるような範囲で使用す
ることが好ましく、特に好ましくは、０．００１〜０．
１ｍｏｌの範囲である。
媒量は、特に限定されるものではないが、上記一般式
（２）で示される４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金
属化合物１ｍｏｌに対し、パラジウム及び／又はニッケ
ルが０．０００１〜１ｍｏｌとなるような範囲で使用す
ることが好ましく、特に好ましくは、０．００１〜０．
１ｍｏｌの範囲である。
【００４４】本発明の方法において、上記一般式（２）
で示される４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属化合
物が４−タ−シャリ−ブトキシフェニルホウ素化合物で
ある場合、触媒成分としてパラジウム及び／又はニッケ
ル触媒に加えて塩基性化合物を用い、そして反応溶媒と
して水、アルコ−ル類等の活性水素を有する極性溶媒を
加えることが好ましい。この場合、目的物である顕著な
４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの
収率向上が見られる場合がある。使用する塩基性化合物
としては、例えば、水酸化ナトリウム，水酸化カリウ
ム，水酸化タリウム等の水酸化物、炭酸ナトリウム，炭
酸水素ナトリウム，炭酸タリウム、炭酸セシウム等の炭
酸塩、燐酸カリウム等の燐酸塩、ナトリウムエトキシ
ド，ナトリウム−ｔｅｒｔ．−ブトキシド，カリウム−
ｔｅｒｔ．−ブトキシド等のアルコキシド化合物、酢酸
ナトリウム，酢酸カリウム等のカルボン酸塩、トリエチ
ルアミン等のアミン化合物を挙げることができる。活性
水素を有する極性溶媒としては、水、メタノ−ル、エタ
ノ−ル、エチレンジアミン等を挙げることができる。
で示される４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属化合
物が４−タ−シャリ−ブトキシフェニルホウ素化合物で
ある場合、触媒成分としてパラジウム及び／又はニッケ
ル触媒に加えて塩基性化合物を用い、そして反応溶媒と
して水、アルコ−ル類等の活性水素を有する極性溶媒を
加えることが好ましい。この場合、目的物である顕著な
４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの
収率向上が見られる場合がある。使用する塩基性化合物
としては、例えば、水酸化ナトリウム，水酸化カリウ
ム，水酸化タリウム等の水酸化物、炭酸ナトリウム，炭
酸水素ナトリウム，炭酸タリウム、炭酸セシウム等の炭
酸塩、燐酸カリウム等の燐酸塩、ナトリウムエトキシ
ド，ナトリウム−ｔｅｒｔ．−ブトキシド，カリウム−
ｔｅｒｔ．−ブトキシド等のアルコキシド化合物、酢酸
ナトリウム，酢酸カリウム等のカルボン酸塩、トリエチ
ルアミン等のアミン化合物を挙げることができる。活性
水素を有する極性溶媒としては、水、メタノ−ル、エタ
ノ−ル、エチレンジアミン等を挙げることができる。
【００４５】本発明の方法において、上記一般式（２）
で示される４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属化合
物、上記一般式（３）で示される４−置換ベンゾニトリ
ル、及び触媒系の反応系への投入の条件は特に限定され
ないが、４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属化合物
に触媒系を投入し、その後、４−置換ベンゾニトリルを
滴下する方法、４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属
化合物に予め触媒系と４−置換ベンゾニトリルを溶媒で
希釈混合したものを滴下する方法、溶媒で４−タ−シャ
リ−ブトキシフェニル金属化合物と４−置換ベンゾニト
リルを混合希釈したものに触媒系を投入し、クロスカッ
プリング反応を開始させる方法等の如何なる投入混合形
態をも使用できる。
で示される４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属化合
物、上記一般式（３）で示される４−置換ベンゾニトリ
ル、及び触媒系の反応系への投入の条件は特に限定され
ないが、４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属化合物
に触媒系を投入し、その後、４−置換ベンゾニトリルを
滴下する方法、４−タ−シャリ−ブトキシフェニル金属
化合物に予め触媒系と４−置換ベンゾニトリルを溶媒で
希釈混合したものを滴下する方法、溶媒で４−タ−シャ
リ−ブトキシフェニル金属化合物と４−置換ベンゾニト
リルを混合希釈したものに触媒系を投入し、クロスカッ
プリング反応を開始させる方法等の如何なる投入混合形
態をも使用できる。
【００４６】そして、本発明の方法によって得られた４
−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルは、
アセトン等の良溶媒に溶解させたのち、塩酸、硫酸等の
酸を触媒として脱ブチル化することにより、４−ヒドロ
キシ−４’−シアノビフェニルとすることができる。
−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルは、
アセトン等の良溶媒に溶解させたのち、塩酸、硫酸等の
酸を触媒として脱ブチル化することにより、４−ヒドロ
キシ−４’−シアノビフェニルとすることができる。
【００４７】
【実施例】以下に実施例を表すが、本発明は、これらの
実施例によって何ら限定されるものではない。
実施例によって何ら限定されるものではない。
【００４８】実施例１ （有機マグネシウム化合物の合成）窒素雰囲気下、還流
冷却器、滴下濾斗、攪拌装置を備えた５００ｍｌのフラ
スコに、マグネシウムの２１．４ｇ（０．８８０ｍｏ
ｌ）とテトラヒドロフラン６９．２ｇ（０．９６０ｍｏ
ｌ）を仕込み、攪拌開始後、これに滴下濾斗より、４−
タ−シャリ−ブトキシクロロベンゼン１４９．２ｇ
（０．８００ｍｏｌ）とエチルブロマイド４．３６ｇ
（０．０４００ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１３８．
５ｇ（１．９２ｍｏｌ）で希釈した溶液を、テトラヒド
ロフラン還流条件下に、２時間かけて滴下し、引き続
き、同還流条件下で４時間攪拌し、４−タ−シャリ−ブ
トキシフェニルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフ
ラン溶液を得た。
冷却器、滴下濾斗、攪拌装置を備えた５００ｍｌのフラ
スコに、マグネシウムの２１．４ｇ（０．８８０ｍｏ
ｌ）とテトラヒドロフラン６９．２ｇ（０．９６０ｍｏ
ｌ）を仕込み、攪拌開始後、これに滴下濾斗より、４−
タ−シャリ−ブトキシクロロベンゼン１４９．２ｇ
（０．８００ｍｏｌ）とエチルブロマイド４．３６ｇ
（０．０４００ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１３８．
５ｇ（１．９２ｍｏｌ）で希釈した溶液を、テトラヒド
ロフラン還流条件下に、２時間かけて滴下し、引き続
き、同還流条件下で４時間攪拌し、４−タ−シャリ−ブ
トキシフェニルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフ
ラン溶液を得た。
【００４９】（有機亜鉛化合物の合成）窒素気流下２０
０ｍｌのシュレンク管に、上記で調製した４−タ−シャ
リ−ブトキシフェニルマグネシウムクロリドのテトラヒ
ドロフラン溶液４５．０ｍｍｏｌを取り、マグネチック
スタ−ラにより攪拌しつつ、これにテトラメチルエチレ
ンジアミン１．５７ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）を加えた
後、滴下濾斗より、塩化亜鉛６．１３ｇ（４５．０ｍｍ
ｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた溶液
を室温にて３０分間で滴下し、更に１時間攪拌した。
０ｍｌのシュレンク管に、上記で調製した４−タ−シャ
リ−ブトキシフェニルマグネシウムクロリドのテトラヒ
ドロフラン溶液４５．０ｍｍｏｌを取り、マグネチック
スタ−ラにより攪拌しつつ、これにテトラメチルエチレ
ンジアミン１．５７ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）を加えた
後、滴下濾斗より、塩化亜鉛６．１３ｇ（４５．０ｍｍ
ｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた溶液
を室温にて３０分間で滴下し、更に１時間攪拌した。
【００５０】（クロスカップリング反応）窒素気流下、
調製した４−タ−シャリ−ブトキシフェニル塩化亜鉛を
オイルバスで５５℃とし、これにジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．４５
０ｍｍｏｌ）を添加し、滴下濾斗より、４−ブロモベン
ゾニトリル８．１９ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）をテトラヒ
ドロフラン３０ｍｌに溶解させた溶液を同温度にて３０
分間で滴下した。滴下終了後、更に同温度で１時間攪拌
した。反応終了の後、１Ｎの塩酸水溶液を投入し、反応
を停止させ、トルエンとジエチルエ−テル混合溶媒で目
的物である４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビ
フェニルを抽出した。得られた溶液を硫酸マグネシウム
による乾燥の後、生成した４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニルをガスクロマトグラフ内部標準
法により定量したところ、８．３２ｇ（３３．１ｍｏ
ｌ）であり、これは、収率７３．６％に相当した。結果
を表１に表す。
調製した４−タ−シャリ−ブトキシフェニル塩化亜鉛を
オイルバスで５５℃とし、これにジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．４５
０ｍｍｏｌ）を添加し、滴下濾斗より、４−ブロモベン
ゾニトリル８．１９ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）をテトラヒ
ドロフラン３０ｍｌに溶解させた溶液を同温度にて３０
分間で滴下した。滴下終了後、更に同温度で１時間攪拌
した。反応終了の後、１Ｎの塩酸水溶液を投入し、反応
を停止させ、トルエンとジエチルエ−テル混合溶媒で目
的物である４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビ
フェニルを抽出した。得られた溶液を硫酸マグネシウム
による乾燥の後、生成した４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニルをガスクロマトグラフ内部標準
法により定量したところ、８．３２ｇ（３３．１ｍｏ
ｌ）であり、これは、収率７３．６％に相当した。結果
を表１に表す。
【００５１】
【表１】
【００５２】（４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シア
ノビフェニルの同定）上記の４−タ−シャリ−ブトキシ
−４’−シアノビフェニルの溶液からエバポレ−タによ
り、溶媒であるトルエンとジエチルエ−テルを留去さ
せ、得られた固体をヘキサン（７０％）とアセトン（３
０％）混合溶媒系より再結晶させた。得られた４−タ−
シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニル再結晶物
は、白色固体であり、ガスクロマトグラフにより純度９
９％であることが確認された。
ノビフェニルの同定）上記の４−タ−シャリ−ブトキシ
−４’−シアノビフェニルの溶液からエバポレ−タによ
り、溶媒であるトルエンとジエチルエ−テルを留去さ
せ、得られた固体をヘキサン（７０％）とアセトン（３
０％）混合溶媒系より再結晶させた。得られた４−タ−
シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニル再結晶物
は、白色固体であり、ガスクロマトグラフにより純度９
９％であることが確認された。
【００５３】更に、この４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニル再結晶物の融点及びスペクトル
デ−タを採取したところ以下のとおりであった。
４’−シアノビフェニル再結晶物の融点及びスペクトル
デ−タを採取したところ以下のとおりであった。
【００５４】融点＝１１３℃、ＧＣ−ＭＳ測定；ｍ／ｚ
（Ｍａｘ）＝２５１ 元素分析Ｃ17Ｈ17ＮＯ ｗｔ％； Ｆｏｕｎｄ（Ｃ８１．５，Ｈ６．９，Ｎ５．４．Ｏ６．
２）， Ｃａｌｃｄ（Ｃ８１．２，Ｈ６．８，Ｎ５．６，Ｏ６．
４）1 Ｈ−ＮＭＲ；１．４１ｐｐｍ（ｓ，９Ｈ），７．１０
ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ），７．５２ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ），
７．６７ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ；２９．４ｐｐｍ（ＣＨ3），７９．５ｐ
ｐｍ（Ｃ），１１０．９ｐｐｍ（Ｃ），１１９．５ｐｐ
ｍ（ＣＮ），１２４．８ｐｐｍ（２ＣＨ），１２７．８
ｐｐｍ（２ＣＨ），１２８．２ｐｐｍ（２ＣＨ），１３
３．０ｐｐｍ（２ＣＨ），１３５．０ｐｐｍ（Ｃ），１
４５．７ｐｐｍ（Ｃ），１５６．７ｐｐｍ（Ｃ） ＩＲ（ｃｍ-1）；３０５８，２９８２，２９３５，２２
３０（ＣＮ），１６０１，１４９３，１３６８，１２４
８，１１８３，８９７，８３３，７１３，５５３ 実施例２ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施
例１と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノ
ビフェニルの合成を行った。結果は、収率７４．９％で
あった。結果を表１にあわせて表す。
（Ｍａｘ）＝２５１ 元素分析Ｃ17Ｈ17ＮＯ ｗｔ％； Ｆｏｕｎｄ（Ｃ８１．５，Ｈ６．９，Ｎ５．４．Ｏ６．
２）， Ｃａｌｃｄ（Ｃ８１．２，Ｈ６．８，Ｎ５．６，Ｏ６．
４）1 Ｈ−ＮＭＲ；１．４１ｐｐｍ（ｓ，９Ｈ），７．１０
ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ），７．５２ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ），
７．６７ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ；２９．４ｐｐｍ（ＣＨ3），７９．５ｐ
ｐｍ（Ｃ），１１０．９ｐｐｍ（Ｃ），１１９．５ｐｐ
ｍ（ＣＮ），１２４．８ｐｐｍ（２ＣＨ），１２７．８
ｐｐｍ（２ＣＨ），１２８．２ｐｐｍ（２ＣＨ），１３
３．０ｐｐｍ（２ＣＨ），１３５．０ｐｐｍ（Ｃ），１
４５．７ｐｐｍ（Ｃ），１５６．７ｐｐｍ（Ｃ） ＩＲ（ｃｍ-1）；３０５８，２９８２，２９３５，２２
３０（ＣＮ），１６０１，１４９３，１３６８，１２４
８，１１８３，８９７，８３３，７１３，５５３ 実施例２ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施
例１と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノ
ビフェニルの合成を行った。結果は、収率７４．９％で
あった。結果を表１にあわせて表す。
【００５５】実施例３ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと、及び実施例
１のクロスカップリング反応において４−ブロモベンゾ
ニトリル溶液の滴下温度及び反応温度の５５℃を室温
に、その反応時間を１時間から２３時間としたこと以外
は、実施例１と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’
−シアノビフェニルの合成を行った。結果は、収率８
６．７％であった。結果を表１にあわせて表す。
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと、及び実施例
１のクロスカップリング反応において４−ブロモベンゾ
ニトリル溶液の滴下温度及び反応温度の５５℃を室温
に、その反応時間を１時間から２３時間としたこと以外
は、実施例１と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’
−シアノビフェニルの合成を行った。結果は、収率８
６．７％であった。結果を表１にあわせて表す。
【００５６】実施例４ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて沃化亜鉛１
４．４ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施
例１と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノ
ビフェニルの合成を行った。結果は、収率８２．２％で
あった。結果を表１にあわせて表す。
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて沃化亜鉛１
４．４ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施
例１と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノ
ビフェニルの合成を行った。結果は、収率８２．２％で
あった。結果を表１にあわせて表す。
【００５７】実施例５ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成おいて、塩化亜鉛６．
１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて沃化亜鉛８．６２
ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）としたこと及びその溶液を滴下
する際の内温を５℃に維持したこと以外は、実施例１と
同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェ
ニルの合成を行った。結果は、収率９９．２％であっ
た。結果を表１にあわせて示す。
１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて沃化亜鉛８．６２
ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）としたこと及びその溶液を滴下
する際の内温を５℃に維持したこと以外は、実施例１と
同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェ
ニルの合成を行った。結果は、収率９９．２％であっ
た。結果を表１にあわせて示す。
【００５８】比較例１ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）を加えないこと、すな
わち、有機亜鉛化合物を用いずに４−タ−シャリ−ブト
キシフェニルマグネシウムクロリドをそのまま用いたこ
と以外は、実施例１と同様に反応を行ったが、４−タ−
シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの生成は確
認されなっかた。結果を表１にあわせて表す。
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）を加えないこと、すな
わち、有機亜鉛化合物を用いずに４−タ−シャリ−ブト
キシフェニルマグネシウムクロリドをそのまま用いたこ
と以外は、実施例１と同様に反応を行ったが、４−タ−
シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの生成は確
認されなっかた。結果を表１にあわせて表す。
【００５９】実施例６ 実施例１のクロスカップリング反応において、ジクロロ
ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３１６
ｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）に変えて、テトラキス（トル
フェニルホスフィン）ニッケル０．４９９ｇ（０．４５
０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様に４−
タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの合成
を行った。結果は、収率５１．５％であった。結果を表
１にあわせて表す。
ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３１６
ｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）に変えて、テトラキス（トル
フェニルホスフィン）ニッケル０．４９９ｇ（０．４５
０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様に４−
タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの合成
を行った。結果は、収率５１．５％であった。結果を表
１にあわせて表す。
【００６０】実施例７ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと、及び実施例
１のクロスカップリング反応においてジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．
４５０ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム０．１０１
ｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１
と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルの合成を行った。結果は、収率３５．１％であっ
た。結果を表１にあわせて表す。
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと、及び実施例
１のクロスカップリング反応においてジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．
４５０ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム０．１０１
ｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１
と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルの合成を行った。結果は、収率３５．１％であっ
た。結果を表１にあわせて表す。
【００６１】実施例８ 実施例１の有機亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと及びその溶液
を滴下する際の内温を５℃に維持したこと、更に実施例
１のクロスカップリング反応においてジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．
４５０ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム０．１０１
ｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）とトリ−タシャリーブチルホ
スフィン０．３６４ｇ（１．８０ｍｍｏｌ）としたこと
以外は、実施例１と同様に４−ターシャリーブトキシ−
４’−シアノビフェニルの合成を行った。結果は、収率
８５．８％であった。結果を表１にあわせて示す。
６．１３ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛１
０．１ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）としたこと及びその溶液
を滴下する際の内温を５℃に維持したこと、更に実施例
１のクロスカップリング反応においてジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．
４５０ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム０．１０１
ｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）とトリ−タシャリーブチルホ
スフィン０．３６４ｇ（１．８０ｍｍｏｌ）としたこと
以外は、実施例１と同様に４−ターシャリーブトキシ−
４’−シアノビフェニルの合成を行った。結果は、収率
８５．８％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００６２】実施例９ （クロスカップリング反応用触媒の調製）１００ｍｌの
シュレンク管にトルエン１０ｍｌ、テトラヒドロフラン
１０ｍｌ及び亜燐酸トリエチル０．１０５ｇ（０．９０
ｍｍｏｌ）を仕込み、これに攪拌しつつ、１．４８ｍｏ
ｌ／Ｌのターシャリーブチルリチウムのペンタン溶液を
１．８２ｍｌ（２．７０ｍｍｏｌ）を室温にてゆっくり
と加えた。これに酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１０１ｇ
（０．４５０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で５分攪拌し、
クロスカップリング反応用触媒とした。
シュレンク管にトルエン１０ｍｌ、テトラヒドロフラン
１０ｍｌ及び亜燐酸トリエチル０．１０５ｇ（０．９０
ｍｍｏｌ）を仕込み、これに攪拌しつつ、１．４８ｍｏ
ｌ／Ｌのターシャリーブチルリチウムのペンタン溶液を
１．８２ｍｌ（２．７０ｍｍｏｌ）を室温にてゆっくり
と加えた。これに酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１０１ｇ
（０．４５０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で５分攪拌し、
クロスカップリング反応用触媒とした。
【００６３】（有機亜鉛化合物の合成）実施例１の有機
亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛６．１３ｇ（４
５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛６．０８ｇ（２７．
０ｍｍｏｌ）としたこと及びその溶液を滴下する際の内
温を５℃に維持したこと以外は、実施例１と同様に有機
亜鉛化合物を合成した。
亜鉛化合物の合成において、塩化亜鉛６．１３ｇ（４
５．０ｍｍｏｌ）に変えて臭化亜鉛６．０８ｇ（２７．
０ｍｍｏｌ）としたこと及びその溶液を滴下する際の内
温を５℃に維持したこと以外は、実施例１と同様に有機
亜鉛化合物を合成した。
【００６４】（クロスカップリング反応）実施例１のク
ロスカップリング反応においてジクロロビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．４５０
ｍｍｏｌ）に変えて、上記のクロスカップリング用触媒
を用いたことしたこと以外は、実施例１と同様に４−タ
ーシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルの合成を
行った。結果は、収率７９．５％であった。結果を表１
にあわせて示す。
ロスカップリング反応においてジクロロビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム０．３１６ｇ（０．４５０
ｍｍｏｌ）に変えて、上記のクロスカップリング用触媒
を用いたことしたこと以外は、実施例１と同様に４−タ
ーシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルの合成を
行った。結果は、収率７９．５％であった。結果を表１
にあわせて示す。
【００６５】実施例１０ （有機マグネシウム化合物の合成）実施例１の有機マグ
ネシウム化合物の合成と全く同様に４−タ−シャリ−ブ
トキシフェニルマグネシウムクロリドを合成し、以下の
反応に用いた。
ネシウム化合物の合成と全く同様に４−タ−シャリ−ブ
トキシフェニルマグネシウムクロリドを合成し、以下の
反応に用いた。
【００６６】（有機ホウ素化合物の合成）窒素気流下２
００ｍｌのシュレンク管に、上記で調製した４−タ−シ
ャリ−ブトキシフェニルマグネシウムクロリドのテトラ
ヒドロフラン溶液６０．０ｍｍｏｌを取り、マグネチッ
クスタ−ラにより攪拌しつつ、ドライアイスメタノ−ル
浴により、−７８℃まで冷却した。滴下濾斗より、トリ
メトキシホウ素５．９２ｇ（５７．０ｍｍｏｌ）をジエ
チルエ−テル２０ｍｌに希釈した溶液を−７８℃、１時
間の条件で滴下した。滴下終了の後、５時間で０℃まで
昇温し、０℃にて１時間攪拌した。
００ｍｌのシュレンク管に、上記で調製した４−タ−シ
ャリ−ブトキシフェニルマグネシウムクロリドのテトラ
ヒドロフラン溶液６０．０ｍｍｏｌを取り、マグネチッ
クスタ−ラにより攪拌しつつ、ドライアイスメタノ−ル
浴により、−７８℃まで冷却した。滴下濾斗より、トリ
メトキシホウ素５．９２ｇ（５７．０ｍｍｏｌ）をジエ
チルエ−テル２０ｍｌに希釈した溶液を−７８℃、１時
間の条件で滴下した。滴下終了の後、５時間で０℃まで
昇温し、０℃にて１時間攪拌した。
【００６７】１Ｎの塩酸水溶液で反応を停止した後、ジ
エチルエーテルで目的物であるジヒドロキシ（ターシャ
リーブトキシフェニル）ホウ素を抽出し、エバポレータ
でジエチルエーテルを留去して、ジヒドロキシ（ターシ
ャリーブトキシフェニル）ホウ素の白色固体を得た。こ
の白色固体を、ヘキサンとアセトンとの混合溶媒より再
結晶し、ジヒドロキシ（ターシャリーブトキシフェニ
ル）ホウ素８．８２ｇ（４５．５ｍｍｏｌ）を得た。収
率は７５．９％に相当する。
エチルエーテルで目的物であるジヒドロキシ（ターシャ
リーブトキシフェニル）ホウ素を抽出し、エバポレータ
でジエチルエーテルを留去して、ジヒドロキシ（ターシ
ャリーブトキシフェニル）ホウ素の白色固体を得た。こ
の白色固体を、ヘキサンとアセトンとの混合溶媒より再
結晶し、ジヒドロキシ（ターシャリーブトキシフェニ
ル）ホウ素８．８２ｇ（４５．５ｍｍｏｌ）を得た。収
率は７５．９％に相当する。
【００６８】（クロスカップリング反応）還流冷却器を
備えた２００ｍｌのシュレンク管に、マグネチックスタ
−ラで攪拌しつつ、上記で調製した調製したジヒドロキ
シ（ターシャリーブトキシフェニル）ホウ素１．９４ｇ
（１０．０ｍｍｏｌ）、４−ブロモベンゾニトリル１．
８２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０
ｍｌ、エタノ−ル３０ｍｌ、炭酸ナトリウム２．１２ｇ
（２０．０ｍｍｏｌ）を２０ｍｌの純水に溶解させた水
溶液を混合し、これにテトラキス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム０．１１６ｇ（０．１００ｍｍｏｌ）
を添加した後、オイルバスにて還流条件下、２時間攪拌
した。反応終了の後、１Ｎの塩酸水溶液を投入し、反応
を停止させ、トルエンとジエチルエ−テル混合溶媒で目
的物である４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビ
フェニルを抽出した。得られた溶液を硫酸マグネシウム
による乾燥の後、生成した４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニルをガスクロマトグラフ内部標準
法により定量したところ、２．３１ｇ（９．２２ｍｏ
ｌ）であり、これは、収率９２．２％に相当した。結果
を表１にあわせて表す。
備えた２００ｍｌのシュレンク管に、マグネチックスタ
−ラで攪拌しつつ、上記で調製した調製したジヒドロキ
シ（ターシャリーブトキシフェニル）ホウ素１．９４ｇ
（１０．０ｍｍｏｌ）、４−ブロモベンゾニトリル１．
８２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０
ｍｌ、エタノ−ル３０ｍｌ、炭酸ナトリウム２．１２ｇ
（２０．０ｍｍｏｌ）を２０ｍｌの純水に溶解させた水
溶液を混合し、これにテトラキス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム０．１１６ｇ（０．１００ｍｍｏｌ）
を添加した後、オイルバスにて還流条件下、２時間攪拌
した。反応終了の後、１Ｎの塩酸水溶液を投入し、反応
を停止させ、トルエンとジエチルエ−テル混合溶媒で目
的物である４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビ
フェニルを抽出した。得られた溶液を硫酸マグネシウム
による乾燥の後、生成した４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニルをガスクロマトグラフ内部標準
法により定量したところ、２．３１ｇ（９．２２ｍｏ
ｌ）であり、これは、収率９２．２％に相当した。結果
を表１にあわせて表す。
【００６９】実施例１１ 実施例１０のクロスカップリング反応において、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．１１６
ｇ（０．１００ｍｍｏｌ）に変えて、パラジウムカ−ボ
ン（Ｐｄ１０．０ｗｔ％）０．１０６ｇ（Ｐｄ０．１０
０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例７と同様に４−
タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの合成
を行った。結果は、収率７０．２％であった。結果を表
１にあわせて表す。
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．１１６
ｇ（０．１００ｍｍｏｌ）に変えて、パラジウムカ−ボ
ン（Ｐｄ１０．０ｗｔ％）０．１０６ｇ（Ｐｄ０．１０
０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例７と同様に４−
タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルの合成
を行った。結果は、収率７０．２％であった。結果を表
１にあわせて表す。
【００７０】実施例１２ （有機マグネシウム化合物の合成）実施例１の有機マグ
ネシウム化合物の合成と全く同様に４−タ−シャリ−ブ
トキシフェニルマグネシウムクロリドを合成し、以下の
反応に用いた。
ネシウム化合物の合成と全く同様に４−タ−シャリ−ブ
トキシフェニルマグネシウムクロリドを合成し、以下の
反応に用いた。
【００７１】（有機ホウ素化合物の合成）窒素雰囲気
下、還流冷却器、滴下濾斗、攪拌装置を備えた３００ｍ
ｌのフラスコに、上記で調製した４−タ−シャリ−ブト
キシフェニルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラ
ン溶液６０．０ｍｍｏｌを取り、攪拌しつつ、氷浴によ
り、３℃まで冷却した。滴下濾斗より、トリメトキシホ
ウ素６．２３ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフ
ラン５０ｍｌに希釈した溶液を３℃、２時間の条件で滴
下した。滴下終了の後、室温にて１時間攪拌した。こう
して合成したジメトキシ（ターシャリーブトキシフェニ
ル）ホウ素を次のクロスカップリング反応にそのまま用
いた。
下、還流冷却器、滴下濾斗、攪拌装置を備えた３００ｍ
ｌのフラスコに、上記で調製した４−タ−シャリ−ブト
キシフェニルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラ
ン溶液６０．０ｍｍｏｌを取り、攪拌しつつ、氷浴によ
り、３℃まで冷却した。滴下濾斗より、トリメトキシホ
ウ素６．２３ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフ
ラン５０ｍｌに希釈した溶液を３℃、２時間の条件で滴
下した。滴下終了の後、室温にて１時間攪拌した。こう
して合成したジメトキシ（ターシャリーブトキシフェニ
ル）ホウ素を次のクロスカップリング反応にそのまま用
いた。
【００７２】（クロスカップリング反応）上記のジメト
キシ（ターシャリーブトキシフェニル）ホウ素のテトラ
ヒドロフラン溶液に炭酸ナトリウム６．３６（６０．０
ｍｍｏｌ）を５０ｍｌに希釈した水溶液を室温にて加
え、１０分間攪拌した。
キシ（ターシャリーブトキシフェニル）ホウ素のテトラ
ヒドロフラン溶液に炭酸ナトリウム６．３６（６０．０
ｍｍｏｌ）を５０ｍｌに希釈した水溶液を室温にて加
え、１０分間攪拌した。
【００７３】これに４−ブロモベンゾニトリル１０．９
ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム０．６９３ｇ（０．６００ｍｍｏ
ｌ）、エタノ−ル５０ｍｌを添加し、オイルバスにより
昇温して、還流条件下で２時間攪拌した。反応終了の
後、１Ｎの塩酸水溶液を投入し、反応を停止させ、トル
エンとジエチルエ−テル混合溶媒で目的物である４−タ
−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルを抽出し
た。得られた溶液を硫酸マグネシウムによる乾燥の後、
生成した４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルをガスクロマトグラフ内部標準法により定量した
ところ、１５．０ｇ（５９．７ｍｏｌ）であり、これ
は、収率９９．５％に相当した。結果を表１にあわせて
表す。
ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム０．６９３ｇ（０．６００ｍｍｏ
ｌ）、エタノ−ル５０ｍｌを添加し、オイルバスにより
昇温して、還流条件下で２時間攪拌した。反応終了の
後、１Ｎの塩酸水溶液を投入し、反応を停止させ、トル
エンとジエチルエ−テル混合溶媒で目的物である４−タ
−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルを抽出し
た。得られた溶液を硫酸マグネシウムによる乾燥の後、
生成した４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルをガスクロマトグラフ内部標準法により定量した
ところ、１５．０ｇ（５９．７ｍｏｌ）であり、これ
は、収率９９．５％に相当した。結果を表１にあわせて
表す。
【００７４】比較例２ 実施例９の有機ホウ素化合物の合成において、反応温度
３℃に変えて、５０℃としたこと以外は、実施例９と同
様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニ
ルの合成を行った。結果は、収率４１．０％であった。
結果を表１にあわせて表す。
３℃に変えて、５０℃としたこと以外は、実施例９と同
様に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニ
ルの合成を行った。結果は、収率４１．０％であった。
結果を表１にあわせて表す。
【００７５】実施例１３ 実施例１２のクロスカップリング反応において、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９３
ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変えて、ジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム０．４２１ｇ（０．
６００ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１２と同様
に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニル
の合成を行った。結果は、収率８７．１％であった。結
果を表１にあわせて表す。
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９３
ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変えて、ジクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム０．４２１ｇ（０．
６００ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１２と同様
に４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフェニル
の合成を行った。結果は、収率８７．１％であった。結
果を表１にあわせて表す。
【００７６】実施例１４ 実施例１２のクロスカップリング反応において、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９３
ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム
０．１３５ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）としたこと以外
は、実施例１２と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニルの合成を行った。結果は、収率
９３．６％であった。結果を表１にあわせて表す。
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９３
ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム
０．１３５ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）としたこと以外
は、実施例１２と同様に４−タ−シャリ−ブトキシ−
４’−シアノビフェニルの合成を行った。結果は、収率
９３．６％であった。結果を表１にあわせて表す。
【００７７】実施例１５ 実施例１２の有機ホウ素化合物の合成において、トリメ
トキシホウ素の添加量を６．２３ｇ（６０．０ｍｍｏ
ｌ）から２．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）としたこと及
び実施例１２のクロスカップリング反応においてテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９３
ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム
０．１３５ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）としたこととした
こと以外は、実施例１２と同様に４−ターシャリーブト
キシ−４’−シアノビフェニルの合成を行った。結果
は、収率８６．４％であった。結果を表１にあわせて示
す。
トキシホウ素の添加量を６．２３ｇ（６０．０ｍｍｏ
ｌ）から２．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）としたこと及
び実施例１２のクロスカップリング反応においてテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６９３
ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変えて、酢酸パラジウム
０．１３５ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）としたこととした
こと以外は、実施例１２と同様に４−ターシャリーブト
キシ−４’−シアノビフェニルの合成を行った。結果
は、収率８６．４％であった。結果を表１にあわせて示
す。
【００７８】実施例１６ 実施例１２の有機ホウ素化合物の合成において、トリメ
トキシホウ素６．２３ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）に変え
て、ジエチルメトキシホウ素６．００ｇ（６０．０ｍｍ
ｏｌ）としたこと及び実施例１２のクロスカップリング
反応においてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム０．６９３ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変え
て、酢酸パラジウム０．１３５ｇ（０．６００ｍｍｏ
ｌ）としたこととしたこと以外は、実施例１２と同様に
４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルの
合成を行った。結果は、収率８６．２％であった。結果
を表１にあわせて示す。
トキシホウ素６．２３ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）に変え
て、ジエチルメトキシホウ素６．００ｇ（６０．０ｍｍ
ｏｌ）としたこと及び実施例１２のクロスカップリング
反応においてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム０．６９３ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）に変え
て、酢酸パラジウム０．１３５ｇ（０．６００ｍｍｏ
ｌ）としたこととしたこと以外は、実施例１２と同様に
４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニルの
合成を行った。結果は、収率８６．２％であった。結果
を表１にあわせて示す。
【００７９】実施例１７ （４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの合成）還
流冷却器を備えた２００ｍｌのシュレンク管に、実施例
１で得た４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルの再結晶５．０２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を仕込
み、マグネチックスタ−ラで攪拌しつつ、アセトン１０
０ｍｌに溶解させた。このアセトン溶液に３５．６ｗｔ
％塩酸水溶液を１．５０ｇ添加し、５０℃で８時間攪拌
させた。反応終了の後、反応液を純水３００ｍｌ中に加
え、目的物である４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェ
ニルを析出させた。析出した固体を濾別し、純水で洗浄
し後、１５０℃で１２時間乾燥させた。得られた４−ヒ
ドロキシ−４’−シアノビフェニルは、３．６４ｇ（１
８．６ｍｍｏｌ）であり、単離収率９３．２％であっ
た。また、その1Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲスペクト
ルは、タ−シャリ−ブチルに由来するピ−クが完全に消
失し、公知の４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニル
のピ−クパタ−ンと完全に一致した。
流冷却器を備えた２００ｍｌのシュレンク管に、実施例
１で得た４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルの再結晶５．０２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を仕込
み、マグネチックスタ−ラで攪拌しつつ、アセトン１０
０ｍｌに溶解させた。このアセトン溶液に３５．６ｗｔ
％塩酸水溶液を１．５０ｇ添加し、５０℃で８時間攪拌
させた。反応終了の後、反応液を純水３００ｍｌ中に加
え、目的物である４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェ
ニルを析出させた。析出した固体を濾別し、純水で洗浄
し後、１５０℃で１２時間乾燥させた。得られた４−ヒ
ドロキシ−４’−シアノビフェニルは、３．６４ｇ（１
８．６ｍｍｏｌ）であり、単離収率９３．２％であっ
た。また、その1Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲスペクト
ルは、タ−シャリ−ブチルに由来するピ−クが完全に消
失し、公知の４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニル
のピ−クパタ−ンと完全に一致した。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、以下の顕著な効果が奏
される。
される。
【００８１】すなわち、本発明の第一の効果としては、
液晶中間体である４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェ
ニルや側鎖型液晶ポリマ−のモノマ−の原料として極め
て有用な４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルを極めて高純度に提供できる。
液晶中間体である４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェ
ニルや側鎖型液晶ポリマ−のモノマ−の原料として極め
て有用な４−タ−シャリ−ブトキシ−４’−シアノビフ
ェニルを極めて高純度に提供できる。
【００８２】また第二の効果としては、４−タ−シャリ
−ブトキシ−４’−シアノビフェニルを合成するにあた
り、極めて効率的で、経済的なクロスカップリング反応
処方を提供できる。
−ブトキシ−４’−シアノビフェニルを合成するにあた
り、極めて効率的で、経済的なクロスカップリング反応
処方を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 37/04 Ｃ０７Ｂ 37/04 Ｂ 61/00 ３００ 61/00 ３００
Claims (5)
- 【請求項１】 下記構造式（１） 【化１】 で示される４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビ
フェニル。 - 【請求項２】 下記一般式（２） 【化２】 （式中、ＭはＺｎ、Ｂ、Ｓｉ又はＳｎであり、Ｘはハロ
ゲン、ヒドロキシル基、アルコキシ基又は炭化水素基を
表す。ｍは１≦ｍ≦ｎなる数であり、ｎはＭの価数に対
応した２〜４の数を表す。）で示される４−ターシャリ
ーブトキシフェニル金属化合物と下記一般式（３） 【化３】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子、沃素原子又はトリフ
レ−トを表す。）で示される４−置換ベンゾニトリル化
合物とを、Ｐｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−Ｎｉバイメタ
ル触媒の存在下、クロスカップリング反応させることを
特徴とする請求項１に記載の４−ターシャリーブトキシ
−４’−シアノビフェニルの製造方法。 - 【請求項３】 下記一般式（８） 【化４】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表
す。）で示されるマグネシウム化合物、又は下記構造式
（９） 【化５】 で示されるリチウム化合物を、亜鉛化合物、ホウ素化合
物、ケイ素化合物及び錫化合物からなる群より選ばれる
少なくとも一種と反応させて下記一般式（２） 【化６】 （式中、ＭはＺｎ、Ｂ、Ｓｉ又はＳｎであり、Ｘはハロ
ゲン、アルコキシ基、ヒドロキシル基又は炭化水素基を
表す。ｍは１≦ｍ≦ｎなる数であり、ｎはＭの価数に対
応した２〜４の数を表す。）で示される４−ターシャリ
ーブトキシフェニル金属化合物を得る工程、及び該４−
ターシャリーブトキシフェニル金属化合物と下記一般式
（３） 【化７】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子、沃素原子又はトリフ
レ−トを表す。）で示される４−置換ベンゾニトリル化
合物とを、Ｐｄ触媒、Ｎｉ触媒又はＰｄ−Ｎｉバイメタ
ル触媒の存在下、クロスカップリング反応させる工程か
らなることを特徴とする請求項１に記載の４−ターシャ
リーブトキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法。 - 【請求項４】 ４−ターシャリーブトキシフェニルホウ
素化合物を−３０℃以上４０℃以下の温度で調製するこ
とを特徴とする請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の４−ターシャリーブト
キシ−４’−シアノビフェニルを、酸触媒下、脱イソブ
テン反応させることを特徴とする４−ヒドロキシ−４’
−シアノビフェニルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11359389A JP2000344727A (ja) | 1999-03-29 | 1999-12-17 | ４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びに４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-85864 | 1999-03-29 | ||
| JP8586499 | 1999-03-29 | ||
| JP11359389A JP2000344727A (ja) | 1999-03-29 | 1999-12-17 | ４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びに４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000344727A true JP2000344727A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=26426867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11359389A Pending JP2000344727A (ja) | 1999-03-29 | 1999-12-17 | ４−ターシャリーブトキシ−４’−シアノビフェニル及びその製造方法、並びに４−ヒドロキシ−４’−シアノビフェニルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000344727A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000336045A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-05 | Chisso Corp | ビアリール誘導体の製造方法 |
| JP2003055331A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-26 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 新規なビフェニル化合物及びその製造方法 |
| JP2003055285A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Hokko Chem Ind Co Ltd | ４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−４’−ハロゲノビフェニルおよびその製法、並びに４−ハロゲノ−４’−ヒドロキシビフェニルの製法 |
| JP2003212799A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-07-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | 置換芳香族化合物の製造方法 |
| JP2004189599A (ja) * | 2001-10-23 | 2004-07-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | 不飽和有機化合物誘導体の製造方法 |
| WO2005075384A1 (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Japan Science And Technology Agency | 芳香族化合物の製造方法 |
| JP2009039613A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tosoh Corp | 触媒組成物及びそれを用いたクロスカップリング化合物の製造方法 |
-
1999
- 1999-12-17 JP JP11359389A patent/JP2000344727A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000336045A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-05 | Chisso Corp | ビアリール誘導体の製造方法 |
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| US7781599B2 (en) | 2004-02-10 | 2010-08-24 | Japan Science And Technology Agency | Process for production of aromatic compounds |
| JP2009039613A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Tosoh Corp | 触媒組成物及びそれを用いたクロスカップリング化合物の製造方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090929 |