JP2000296458A - 研磨媒体安定化装置 - Google Patents
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Abstract
ための研磨媒体保持装置を用いた研磨装置である。 【解決手段】 研磨媒体は、研磨媒体と支持面との間に
加えられる負圧によって支持面に引き付けられる。更
に、多孔質層が、研磨媒体と支持面との間に配置されて
もよく、負圧をかけたときに、研磨媒体にへこみが形成
される。更に別の構成においては、研磨媒体が、キャリ
ヤ及び研磨されるべき基板に引き付けられる。
Description
化学的機械研磨に関する。より詳細には、本発明は、研
磨中の研磨面の保持特性及び研磨液の保持特性を改善す
ることを目的とする。
ことは、様々な分野の産業で利用できる。このような研
磨工程は、半導体装置の製造などで、極めて重要になり
つつあり、且つ、普及しつつある。半導体装置を製造す
るために用いられる様々な工程を通しての多くの様々な
段階で、半導体ウェーハ又は半導体基板を研磨する重要
なステップが必要となる。
技術として、とりわけ、ウェーハ又は基板上に半導体装
置を製造するときに使用するための技術として、急速に
採用されはじめている。装置は、通常アルミニウムか又
は銅などの金属の接続線が真空堆積又はその他の適切な
工程によって配線される一般にはメタライゼーションと
呼ばれるステップによって接続される。
た半導体装置の性能レベルは、急速に要求に合わないも
のになりつつある。最新の高性能装置は、多層金属配線
を使用している。多層配線は、第1の金属層上に誘電体
層又は絶縁層を堆積し、この誘電体層を貫通するバイア
ホールをエッチングし、そして、第1の金属層に接続す
るためのバイアホールを埋める第2の金属層を堆積する
ことによって構成することができる。これらの装置は、
装置密度を増加させ、装置間の配線長を短くすることが
できる。
は、かなりの厚さを有するので、様々な層を次々に重ね
てパターン化すると、ウェーハ基板に平坦でない形状が
残る。この種の非平坦性は、高密度装置においては、多
くの場合、許容できない。なぜなら、回路をウェーハ上
に印刷するために使用されるリソグラフィ装置は、その
回路の配線幅が細くなればなるほど、リソグラフィ装置
の被写界深度は、ますます、ウェーハの平坦性のたとえ
わずかな変動であってもそれを補正するに足る焦点深度
が得られなくなるからである。
坦化は、形成される装置パターンによって発生する非平
坦性だけでなく、ウェーハ全体における平坦度の変動に
も同様に責任を負わなければならない。製造工程におい
て、ウェーハは、例えば、たわみ、或いは、ゆがむこと
がある。
れらのパターン形状によるウェーハの凸凹及び変動だけ
でなく、全体にわたって一様に平坦なウェーハ表面を実
現するための特殊な能力が要求される。化学的機械研磨
は、多層メタライゼーションを用いた最先端の装置に要
求されるウェーハ表面の全体的な平坦性を実現する有効
な手段として幅広く受け入れられている。
板又はウェーハを支持するほぼ円形の圧力板又はキャリ
ヤプラテンを有するウェーハキャリヤを含む。キャリヤ
プラテンとウェーハとの間に、キャリヤフィルムが挿入
されてもよい。ウェーハキャリヤは、下向きの力を加え
る手段を備え、ウェーハを研磨媒体(典型的には、円形
のパッド)に押し付け、その研磨媒体の上には、研磨液
が供給される。研磨媒体は、研磨プラテンによって支持
される。研磨液は、研磨材のコロイド懸濁液から構成さ
れてもよく、また、化学反応性の溶液から構成されても
よい。一般的には、収容リングが、ウェーハを取り囲
み、研磨中に、ウェーハがキャリヤプラテンからずれる
のを防止する。
対運動は、化学反応性の研磨液及び/又は研磨材を含ん
だ研磨液の存在下において、且つ、ウェーハキャリヤか
ら力を加えられた状態下においては、化学的な作用と機
械的な作用とが組み合わさったものをウェーハに与え、
それは、最終的には、ウェーハ表面を全体的に平坦化す
ることになる。一般的に、研磨プラテンは、キャリヤプ
ラテンがそうであるように、回転することができる。典
型的な研磨装置においては、パッドに対するウェーハの
相対運動は、研磨プラテンか、キャリヤプラテンか、或
いは、その両方を回転させることによってなされる。
の研磨パッドが取り付けられ、その研磨パッドは、それ
が、磨耗し、或いは、研磨液及び研磨微粒子が詰まって
つるつるになることによって満足な結果が得られなくな
るまで使用される。その時点で、研磨工程を中断して、
研磨パッドを交換しなければならない。別の機構におい
ては、長方形のパッドが使用されることもある。即ち、
パッド材料が継続的に供給され、このパッド材料は、所
定の量ずつ研磨プラテンへ送り出され、研磨パッドが磨
耗しすぎて効果がなくなることは決してない。
着剤又はその他の取り付け手段によって研磨プラテンに
固定されていないときに発生する共通の問題は、研磨圧
力がウェーハキャリヤからウェーハを介して研磨パッド
に加えられたときに、研磨パッドがそれの所定の位置か
ら移動することである。この移動は、ウェーハと、使用
してもよいあらゆる化学的な研磨媒体も含めた研磨パッ
ドとの間の摩擦力が、研磨パッドと研磨プラテンとの間
に存在する摩擦力よりも大きいことにより発生する。こ
のような移動は、生産性を低下させ、しかも、工程で使
用される研磨圧力をできるだけ減少させることが要求さ
れる研磨工程の精度を減少させ、そのために、研磨時間
を増加させる。更に悪いことには、研磨パッドは、移動
するときに座屈(buckle)することがあり、非平坦な研
磨結果又は工程の完全な失敗(例えば、基板の破損)を
もたらす。これらの問題は、化学的機械研磨だけに限定
されるものではなく、純粋に機械的な研磨工程において
も発生する可能性がある。
問題は、研磨動作がある程度なされると、研磨されるべ
き基板と研磨パッドとの間にある化学的な液体即ちスラ
リが枯渇することである。研磨パッド/プラテンと研磨
される基板表面とを構成する比較的に滑らかで平坦な表
面のために、研磨動作は、化学的な液体/スラリを「掃
き出す」傾向があり、研磨される基板表面と研磨パッド
との間に、真空状態又は負圧が徐々に増大する。従っ
て、この問題は、研磨する時間が経過するにつれて次第
に悪化する。また、皮肉にも、この問題は、基板の表面
がより平坦で滑らかになるにつれてより深刻になり、研
磨の効率及び工程の効率を更に減少させる。
き、それと同時に、研磨パッドを連続的か又は断続的に
容易に素早く交換することのできる装置を有することが
望ましい。また、例えば、研磨されるべき基板表面と研
磨パッドとの間の「スラリ欠乏」として知られている現
象のような、化学的な研磨薬剤が排除されるのを防止す
ることが望ましい。
なる更なる利点の中でも特に上述の問題を解決しようと
するものである。研磨面を安定させるための装置は、実
質的に平坦な非柔軟性の支持ベースと、支持ベースの上
にある柔軟性のある研磨パッドと、支持ベースにあり、
且つ、支持ベース中及び研磨パッドの下にある真空ポー
トとを含む。真空ポートを介して負圧がかけられると、
研磨パッドが、支持ベースに引き付けられ、その研磨パ
ッドは、所定の研磨位置に維持される。好ましくは、シ
ールが、提供され、支持ベース上で真空ポートのまわり
に外周を構成する。負圧をかけるときに、気密状態が、
シールに沿って、支持ベースと研磨パッドとの間に形成
される。
り均一に分散させるために、複数の真空ポートを使用す
る。例えば、複数の真空ポートが、支持ベースの外周に
沿って配置されてもよい。或いは、複数の真空ポート
が、支持ベース全体にほぼ均一に配置されてもよい。複
数の真空ポートは、支持ベースの外周に沿った比較的に
より大きな真空ポートのグループと、支持ベースの外周
内の領域の全体にほぼ均一に配置された比較的により小
さい真空ポートのグループとを含んでもよい。
と支持ベースとの間に配置することを含む。この付加的
な層は、負荷をかけることによって研磨パッドが支持ベ
ースに引き付けられたとき、平坦でない部分が研磨パッ
ドに形成されるように提供される。これらの平坦でない
部分は、基板を研磨中に、研磨パッドの研磨領域に研磨
液を保持するのを助ける。
ある。付加的な層は、負圧をかけたときに、研磨パッド
の一部分が孔に部分的に引き込まれるように孔をあけら
れる。好ましくは、孔は、約0.06〜約0.25イン
チの範囲にある直径又は寸法を有する。
として、本発明による研磨装置は、ほぼ平坦な非柔軟性
の支持ベースと、支持ベースの上にある柔軟性のある研
磨パッドと、研磨パッドを支持ベースに引き付けて、研
磨パッドを所定の研磨位置に維持するための手段とを備
える。好ましくは、この引き付ける手段は、支持ベース
にある少なくとも1つの真空ポートに接続された真空ソ
ースを備えるが、それの代わりとして、以下で説明する
ように、研磨パッドをヘッドに引き付けるための真空ソ
ースのようなその他の構成を使用してもよい。更に、基
板キャリヤが、研磨パッド及び支持ベースに対して移動
可能に取り付けられる。
ベースとの間に挿入されてもよい。好ましくは、パッド
は、孔があけられたもの、或いは、多孔質のものであ
る。より好ましくは、パッドは、孔あき弾性パッドであ
る。
るときに、研磨媒体を安定させる方法が開示される。こ
の方法は、実質的に非柔軟性の支持面全体に研磨媒体を
提供する段階と、支持面と研磨媒体との間に負圧をかけ
て、研磨媒体を支持面に引き付ける段階とを含む。負圧
は、約0.2〜3.0psi、好ましくは、約1.2p
siの力で加えられる。
対して研磨媒体が移動しないように負圧を維持しなが
ら、基板を研磨媒体に押し付けて研磨する段階を含む。
この方法は、さらにまた、基板を研磨媒体に接触した状
態から引き離す段階と、負圧をかけるのを停止する段階
と、洗浄、コンディショニング、又は、交換のために研
磨媒体を取り外す段階とを含んでもよい。
ンディショニングした後に、その研磨媒体を元に戻す段
階を含んでもよい。その研磨媒体を元に戻した後、負圧
が、再度、支持面と研磨媒体との間にかけられて、研磨
媒体が支持面に引き付けられる。或いは、最初の研磨媒
体と交換するために、別の研磨媒体が、支持面に配置さ
れてもよい。新しい研磨媒体が配置されると、負圧が、
再度、別の研磨媒体と支持面との間にかけられ、その別
の研磨媒体が、支持面に引き付けられる。
研磨媒体と実質的に非柔軟性の支持面との間に提供され
てもよい。そして、負圧をかけると、研磨媒体の一部分
が、多孔質層の孔へ部分的に引き込まれて、研磨媒体の
研磨面上にへこみが形成される。
れ、この装置は、実質的に非柔軟性の支持ベースと、支
持ベースの少なくとも一部分に重なる柔軟性のある研磨
パッドと、基板を研磨パッドにあてがって、その基板を
研磨するキャリヤとを含む。基板に対して研磨媒体を実
質的にしわのない状態に維持するための手段は、例え
ば、支持ベースにあり、且つ、研磨パッドの下にある真
空ポート、又は、柔軟性のある研磨パッドをキャリヤ及
び基板に引き付けるための機構を含んでもよい。
に提供される場合には、それを介して負圧をかけること
によって、研磨パッドを支持ベースに引き付けて、その
研磨パッドを所定の研磨位置に維持してもよい。維持す
るための手段が、柔軟性のある研磨パッドをキャリヤ及
び基板に引き付けるための機構を含む場合には、少なく
とも1つの真空ポートが、キャリヤに形成されてもよ
い。少なくとも1つの真空ポートを介してキャリヤと研
磨パッドとの間に負圧をかけるために、真空ソースが提
供され、それによって、いつでも、少なくともキャリヤ
及び基板の下にある研磨パッドの部分を実質的にしわの
ない状態に維持することができる。
の符号は同一の構成要素を示し、本発明は、一般的に
は、研磨装置の研磨パッドを改善することに関する。研
磨装置の基本的な構成要素を理解することによって、以
下で明らかとなる本発明をより良く理解することができ
る。
リヤ120は、典型的には研磨パッド又は研磨ストリッ
プ220を支持する支持ベース250の上方に配置され
ている。一般的には、基板キャリヤ120は、ウェーハ
又は基板を支持することができ、同時に、研磨を容易に
するために必要な力を加えることができる。基板キャリ
ヤ120は、基板260を支持ベース250の平面に自
動的に位置合わせする何らかの能力を有してもよい。任
意で、弾性パッド240が、研磨パッド又は研磨媒体2
20と支持ベース250との間に挿入され、それによっ
て、ある環境下において研磨を改善してもよい。基板キ
ャリヤ120は、スピンドル270を有してもよく、こ
のスピンドル270に、必要な下向きの力及び回転力が
加えられる。上述したように、基板キャリヤ120は、
好ましくは、自己アライメントを実行する能力があり、
それによって、基板260を研磨媒体220に位置合わ
せすることができる。多くの別の可能性もあるが、基板
キャリヤ120は、下部部材290が、軸受手段285
を中心にして、上部部材280に対して相対的に回転す
ることを考慮に入れたものであってもよい。研磨液が、
計量されたやり方で、研磨液ノズル230から研磨媒体
220に供給されてもよい。
が、基板260と研磨媒体220との間に提供されても
よい。例えば、相対運動の1つの形態は、支持ベース2
50を大地に対して動かないように保持して基板キャリ
ヤ120を制御可能に動かすことによってなされる。基
板キャリヤは、運動制御装置(図示せず)によって制御
されてもよく、支持面250の平面と平行な方向に制御
された運動又はプログラムされた運動をなすことができ
る。別に、或いは、それに加えて、基板キャリヤは、ス
ピンドル270によって規定される軸を中心にして回転
してもよい。各方向の運動は、同時に発生するようにプ
ログラムされてもよく、典型的には、そのようにプログ
ラムされる。
本発明の第1の実施例の平面図である。柔軟な研磨パッ
ド170が、円形の支持ベース150の上に重なる。上
述した弾性パッド240に類似した任意による弾性パッ
ド(図示せず)が、柔軟な研磨パッド170と支持ベー
ス150との間に使用されてもよい。円形の支持ベース
150は、回転可能であってもよく、それによって、基
板260が基板キャリヤ180によって研磨パッド17
0に押し付けられて保持されるときに、研磨圧力を基板
に発生させる。それとは別の方法として、基板260と
研磨パッド170との間の研磨動作をなすためには、支
持ベース150を動かないように保持して、キャリヤ1
80を動かしてもよい。基板キャリヤ180は、好まし
くは、プログラマブルであり、その結果として、支持ベ
ース150及び研磨パッド170に対して、直線運動、
回転運動、又は、それらの両方の種類の運動を組み合わ
せた運動をなす。
50及び研磨パッド170と相対的になすことのできる
研磨のパターンには、事実上、何も制限がない。図1に
示す装置の更に別の方法による動作は、キャリヤ180
及び支持ベース150の両方が互いに対して同時に運動
することである。これは、一般的には、キャリヤ180
が、回転運動、直線運動、又は、それらの両方の種類の
運動を組み合わせた運動をなすとともに、支持ベース1
50も回転運動をなすことを意味する。
従来の研磨装置は、研磨パッドを接着剤で支持ベースに
取り付ける。このような構成は、磨耗又は凝結のために
研磨パッドを交換する時期になると取り扱いが面倒であ
る。研磨パッドの取り外しは、簡単に実施することがで
きず、また、パッド及び/又は接着剤の一部が、残るこ
とがあり、新しい研磨パッドを取り付けるときに、支持
ベースが極めて平坦であることを保証するための付加的
な配慮を必要とする。そのために、これは、極めて退屈
で時間のかかる処理となることがあり、停止時間を発生
させることによって生産量を減少させる。
が、接着剤又はその他の取り付け手段によって研磨プラ
テンに固定されていないときに発生する共通の問題は、
研磨圧力が基板キャリヤから基板を介して研磨パッドに
加えられたときに、研磨パッドがそれの所定の位置から
移動することである。この移動は、基板と、使用しても
よいあらゆる化学的な研磨媒体も含めた研磨パッドとの
間の摩擦力が、研磨パッドと支持ベース(研磨プラテ
ン)との間に存在する摩擦力よりも大きいことにより発
生する。
磨パッドによって発生するような問題を克服するだけで
なく、接着剤で固定していないパッドに関連して上述し
たような問題をも克服するものである。真空ポート19
0が、支持ベース150に形成され、真空ソース(図2
には示さず)に接続される。回転する支持ベース150
の場合には、真空ソースは、スリップリング又はこの分
野で既知の他の等価な装置を介して真空ポートと連絡す
る。シールバリヤ195が、真空ポートを取り囲み、研
磨パッド170の外周のすぐ内側の輪郭をなぞり、好ま
しくは、このシールバリヤ195は、IC1000(R
ODELから市販されている)などの材料からなるスト
リップのようなシールリング、O−リング、或いは、有
効な真空密封状態を形成するその他の何らかの材料であ
る。従って、支持ベース150上に研磨パッド170が
配置されると、真空ポート190を介して減圧され、そ
の真空ポート190は、シールバリヤ195に沿って効
果的に密封状態を形成する。密封状態が形成されると、
研磨パッド170と支持ベース150との間にあるあら
ゆる空気は、本質的に、真空ソースによって排除され、
それによって、研磨パッド170を支持ベース150に
効果的に固定することができる。
で固定することが実際上できないような研磨装置の実施
の形態を示し、そのために、この装置においては、本発
明がいよいよ重要になる。この実施の形態においては、
個々の研磨パッド170ではなく、研磨媒体マガジン3
50が使用される。研磨媒体マガジン350は、関連す
る基板キャリヤ354とともに示され、この基板キャリ
ヤ354は、図2に示すキャリヤ180に関連して上述
したようなあらゆる運きができるように制御されてもよ
い。任意の研磨液送出ノズル352が、研磨媒体310
に研磨液を供給してもよい。研磨液送出ノズル352
は、基板キャリヤ354に取り付けられて、基板キャリ
ヤ354とともに移動してもよく、或いは、分離して配
置されてもよく、さもなければ、それらの両方の構成が
使用されてもよい。基板キャリヤは、説明だけを目的と
して図示され、例えば、リニアモータによって駆動され
る基板キャリヤのようなその他の装置と取り替えること
もできる。
長い媒体のロールの形態で供給される研磨媒体310を
使用する。研磨媒体310は、好ましくは、研磨パッド
か、又は、研磨媒体310を少なくとも部分的な幅で被
覆する固定研磨材の何れかを有する薄い高分子フィルム
基材を備える。フィルムは、約0.001〜0.020
インチの厚さであってもよく、好ましくは、約0.00
5〜0.007インチの厚さである。研磨媒体310
は、実質的に、研磨液に対して不浸透性でなければなら
ない。好ましくは、その材料は、マイラー(Mylar)フ
ィルム又はポリエチレングリコールテレフタレートから
製造される。新しい研磨媒体310は、好ましくは、研
磨媒体マガジン350によって自動的に供給されるの
で、ロールの全部が消費されてしまうまでは、ユーザは
介在しなくてもよい。
に配置することが望まれる適切な機器構成及び機構に応
じて、研磨媒体マガジンが通過する様々な経路を有して
もよい。経路については、発明の名称「改善された研磨
のための研磨媒体マガジン(Polishing Media Magazine
For Improved Polishing)」、1997年4月4日出願
の同時係属米国出願第08/833,278号に詳細に
説明され、その内容は本明細書に全体として援用されて
いる。図3において、媒体は、供給ロール300から、
第1の回転変向バー320の下を通り、そして、プラテ
ン支持体355の上面356を通過して送り出されるロ
ールである。研磨媒体310は、上面356を通り抜
け、第2の回転変向バー325の上を通り、コンディシ
ョニングシステム305を通過し、第3の変向バー33
0の周りを通り、最後に、巻き取りロール340に巻か
れる。第3の回転変向バー330は、好ましくは、垂直
方向において、巻き取りロール340よりも低い位置に
配置される。この構成によれば、結果として得られる角
度359は、研磨液を第3の回転変向バー330に集め
ようとし、図示したように、研磨媒体310から廃液タ
ンク358の中へそれを確実に落下させることができ
る。
磨媒体の張力の加えられた部分を支持することによっ
て、その研磨媒体の張力の加えられた部分を、研磨媒体
マガジンのその他の機構に対して正確に配置することが
できる。これらの変向バー部材は、典型的には、軸受に
よってそれぞれの端部が支持される円柱状に磨かれた細
長い円柱又はロッドである。これらの回転変向バーは、
典型的には、システム全体における摩擦及び磨耗を減少
させるために使用されるが、例として、多孔質のウェブ
ロール又は浮遊ロールのようなそれとは異なる非回転部
材を使用して、所望の研磨媒体の経路を提供してもよ
い。そのような例は、媒体を搬送する完全に非接触型の
方法を提供する。
な部材が使用されようとも、張力の加えられた部分は、
研磨中に発生するかもしれない上述の移動及び座屈の問
題を完全にはまだ解決してはいない。研磨中に張力の加
えられた部分をさらにしっかりと所定の位置に固定する
ために、研磨媒体マガジンを用いた研磨装置は、本発明
による真空固定システムとともに使用されてもよい。本
システムは、装置がスラリ型研磨媒体又はスラリレス型
研磨媒体のどちらを使用するかに関係なく、そのような
装置に取り付けることができる。真空固定システムは、
研磨媒体の張力の加えられた部分と研磨支持面との間を
減圧し、張力の加えられた部分がそれの所定の位置に保
持される圧力を増加させる。その結果として、研磨媒体
と支持面との引き合う力は、基板と、使用されうるあら
ゆる化学的な研磨媒体も含めた研磨媒体との間の摩擦力
よりも大きくなり、研磨媒体の移動又は座屈(bucklin
g)はまったく発生しない。この種の解決方法は、化学
的機械研磨だけに限定されるものではなく、機械研磨装
置にも同様に適用することができる。更に、真空固定シ
ステムによって提供される圧力は、研磨媒体に張力を加
えることを必要とせずに、移動及び座屈を十分に防止す
るものである。
2が、支持体355を貫通する真空ポート190に接続
される。図示しないが、シールバリヤ195が、図2に
関連して説明したものと同様に、且つ、媒体310の張
力の加えられた部分の外周のすぐ内側に横たわって、真
空ポート190の周囲に配置される。真空ソースは、好
ましくは、容量の大きな低圧ブロワ(例えば、GAS
T、FUJI、AMETECから市販されている)であ
り、研磨媒体に約0.2〜3.0psiの真空度を発生
させる。適用される好ましい真空度は、約1.2psi
である。使用される媒体が、上述した標準的なものより
も薄い場合には、媒体に対して約3〜4psiの真空度
を発生させるために、ベンチュリポンプが使用されても
よい。
10を割り出して、媒体の所定部分を表面356上に配
置し、表面356上にある媒体310の所定部分に張力
を加え、そして、真空ソース192によって負圧をかけ
ることを含む。シールバリヤによって媒体310と表面
356との間に密封状態が形成されると、負圧によっ
て、媒体310と表面356との間に存在する空気が全
て排気され、この時点で、媒体は、本質的に、表面35
6に固定される。それに続いて、研磨動作を開始するこ
とができる。好ましくは、負圧状態は、コンディショニ
ング又は洗浄のために、或いは、研磨に使用されるべき
新しい媒体部分を前進させるために媒体の運動が必要と
なるまで維持される。
磨システムの部分図である。研磨媒体310は、ローラ
420上を通過するが、これは、本発明に影響を及ぼさ
ない。この実施の形態においては、研磨媒体310の下
にある支持面の縦方向のエッジは、可動エッジ部材46
5によって、支持面の残りの部分よりも高く持ち上げら
れている。上述しなかったが、表面356の縦方向のエ
ッジは、任意で、表面356の残りの部分よりも高く持
ち上げられてもよいが、それのエッジは、表面356の
残りの部分と一体成形されたものである。媒体310
は、持ち上げられた縁部分の中間にある平坦部分と同じ
程度の広さを有する研磨のための作業領域を有するだけ
でよい。有効幅の外側にある領域は、被覆しなくてもよ
く、それによって、材料費を節約できる。
10の持ち上げられた縁を形成するのを助ける。研磨工
程においてスラリを使用する実施の形態の場合には、持
ち上げられたエッジは、研磨領域にスラリを保持するの
を助け、また、再循環か又は廃棄の何れかのために、ス
ラリを適切な容器に流し込むのを助ける。本発明にとっ
てより重要なことは、持ち上げられたエッジは、更に、
媒体310をシールバリヤに押し付けることであり、真
空ソース192によってシステムに負圧をかけたとき
に、確実に真空に引くことができることを保証する。
図5(b)に示すように、研磨媒体310でシールバリ
ヤ495を密閉するような配置を維持するために特に有
効である。図5(b)に示すように、エッジ部材465
は、付勢部材468によって、支持部材455に対して
垂直方向に上向きに付勢される。付勢部材468は、好
ましくは、ばねであり、もっとも好ましくは、コイルば
ねであるが、それと等価な付勢特性を備えたその他のば
ねと簡単に取り替えてもよく、O−リング、ブラダ、空
気圧式又は油圧式の装置などのその他の弾性付勢機構と
取り替えてもよい。
と、媒体310とシールバリヤ495との間に密封状態
が形成される。そして、図5(a)に示すように、媒体
は、負圧によって、支持面465にフラットに引き付け
られ、そこに固定される。負圧は、付勢部材468の付
勢力に十分に勝るものであり、図5(a)に示すよう
に、エッジ部材465が最大限に押し下げられたとき、
付勢部材468は、圧縮され、エッジ部材465は、そ
れらが着座する最下の垂直位置に押し下げられることに
注意されたい。それらの最下の位置において、エッジ部
材465は、研磨媒体310と位置が合い、エッジ部材
465が縁取る平坦な研磨面465の全体にわたり滑ら
かで平坦な接触面を保証する。
勢力は、できるだけ少なくした媒体310の下向きの力
よりも大きくなる。その結果として、エッジ部材465
は、図5(b)に示すように、それらの最上の位置に付
勢される。最上の位置にあることによって、やはり図5
(b)に示すように、エッジ部材は、縦方向のエッジに
沿ったシールバリヤが、負圧がなくても媒体310に接
触したままであることを保証する。これによって、再
び、所望されるときに確実に真空に引くことが可能とな
り、それによって、システムの信頼性は、大幅に改善さ
れる。
は、支持部材455の支持面456と研磨媒体310と
の接触面に負圧をかけるための別の構成を示す。この構
成においては、複数の真空ポート290が、シールバリ
ヤ495によって規定される外周のすぐ内側の表面45
6に沿って間隔を置いて配置される。図示した例におい
ては、真空ポート290は、一定間隔で配置され、同じ
寸法を有する。しかしながら、本発明は、そのようなも
のに限定されない。真空ポートの配置は、横方向エッジ
の近辺に持ち上げられたエッジがないのを補償するため
に、例えば、横方向エッジに沿ってより密に配置されて
もよい。それとは別に、或いは、それに加えて、真空ポ
ートは、任意に負圧をかけることができるようにするた
めに、異なる位置においては異なる寸法を有してもよ
い。また、スラリ/液体の欠乏を防止するのを支援する
という二次的な目的を達成するために、多くの小さな真
空ポートが、表面456の全体に配置されてもよく、こ
のことは、以下で詳細に説明される。
研磨媒体310との接触面に負圧をかけるための更に別
の構成を有する研磨システム650の部分図を示す。こ
の構成においては、最大1/4インチ(0.25″)ま
での、好ましくは、最大1/8インチ(0.125″)
までの複数の極めて小さな真空ポート390が、表面5
56の有効幅(即ち、研磨媒体の張力の加えられた部分
の下にあり、且つ、シールバリヤ495の境界内にある
領域)の全体に配置される。図示した例においては、真
空ポート290は、ほぼ一様に配置され、ほぼ同じ寸法
を有する。しかしながら、本発明は、そのようなものに
限定されない。真空ポートの配置は、例えば、シールバ
リヤ495の近傍の表面の外周の近くにより密集してい
てもよい。それとは別に、或いは、それに加えて、真空
ポートは、任意に負圧をかけることができるようにする
ために、異なる位置においては異なる寸法を有してもよ
い。例えば、シールバリヤ495の外周の内側に沿った
真空ポートは、シールバリヤのより内側にある真空ポー
ト(表面556の中心により近い真空ポート)に比較し
て、より大きくてもよい。
られた一体成形の縦方向エッジ、可動の持ち上げられた
エッジ部材、或いは、支持面の残りの部分と同一平面上
にあるエッジを有するように構成されてもよい。
研磨媒体310との接触面に負圧をかけるための更に別
の構成を有する研磨システム475の部分図を示す。こ
の構成においては、溝又は通路477が、支持面478
にそれの外周を大体において取り巻くように、しかも、
シールバリヤ495の境界の内側に形成される。真空ソ
ース(図示しないが、図3に関連して説明したものに類
似する)が、支持体476を貫通する真空ポート479
を介して通路477に接続される。
ルバリヤ495の内側にある研磨面478の部分との間
に存在する空気が、通路477及びポート479を介し
て排気され、それによって、研磨媒体310を研磨面4
78に引き付け、研磨工程において、研磨媒体を所定の
位置にしっかりと保持する。図示した例においては、通
路477は、それの全周にわたりほぼ均一な寸法を有す
る。しかしながら、本発明は、そのようなものに限定さ
れることはなく、通路は、図示した長方形パターンの角
又は端部のような選択された領域においてより太く又は
より深くなるように形成されてもよい。また、通路は、
楕円形、鼓形、などのその他のパターンで形成されても
よい。
できる更なる変形を示す。この実施の形態においては、
付加的な通路487が、通路477によって規定される
外周の内部に形成される。2つの通路477及び487
は、研磨面489の下にある接続ポート488によって
接続される。或いは、通路477及び487を接続する
ための通路が、研磨面489に形成されてもよいが、ポ
ート488のほうがより好ましい。通路487は、一般
的には、研磨領域に位置するので、必ずしもそうではな
いが、通路477よりも細くなるように通路487を形
成するほうが好ましく、その結果として、研磨面の平坦
性は、ほとんど阻害されない。ポート491は、通路4
77、通路487、及び、ポート488を真空ソース
(図示せず)に接続する。
られた一体成形された縦方向エッジ、可動の持ち上げら
れたエッジ部材、或いは、支持面の残りの部分と同一平
面上にあるエッジを有するように構成されてもよい。
し、この装置は、同様に、化学的な液体或いはスラリ、
或いは、研磨されるべき基板と研磨パッドとの間に使用
されるその他の液体が研磨中に消耗するという問題を解
決するようになされたものである。上述したように、研
磨動作がある程度なされると、この液体は、それがます
ます消耗されてしまうという傾向を有し、最後には、液
体は、基板と研磨パッドとの間からほぼ完全になくなっ
てしまう。研磨パッド/プラテン及び研磨される基板の
表面を構成する比較的に滑らかで平坦な表面のために、
研磨動作は、化学的な液体/スラリを「掃き出す」傾向
があり、研磨される基板表面と研磨パッドとの間に、真
空状態又は負圧が徐々に増大する。
面556との間に、多孔質の弾性層710を含む。真空
ポート190を介して負圧をかけると、研磨媒体310
は、弾性層710を少なくとも部分的に圧縮するに足る
力で支持面556に押し付けられる。薄い研磨媒体は、
更に、空気が孔からなくなるにつれて、弾性層710に
引き付けられ、弾性層710の孔720に部分的に入り
込む。その結果として、複数の凹部即ち「へこみ」が、
研磨媒体310の研磨面に形成される。図11は、支持
体555、弾性層710、研磨媒体310、及び基板2
60の互いの関係を説明する部分断面図を示す。
ように負圧をかけたときに、弾性層710の孔720上
に形成される。凹部は、スラリ、KOH、水、或いは、
研磨工程において使用されるあらゆる液状媒体840を
蓄えるキャパシタンスとして動作する。従って、極めて
平坦な基板260が、研磨媒体310上を通過する場合
であっても、液体840のすべてが、研磨領域から掃き
出されることはない。即ち、ひとかたまりの流体/研磨
媒体が、へこみ810内に残って、研磨されるべき基板
の下のスラリ/液体が欠乏することによってよく発生す
るずれ/固着(例えば、「スティクション」)問題を防
止するのを助ける。
れているIC1000パッドであるが、市販されている
その他の等価な多孔質で弾性のある材料によって代替す
ることもできる。或いは、IC1000に類似する孔を
有する比較的に弾性のない層が、研磨媒体310にへこ
みを形成するためにうまく使用されてもよい。さらにま
た、支持面556が、図7に示す真空ポートのようなI
C1000の孔に近い大きさの真空ポート390を備え
る場合に、研磨媒体310と支持面555との間の層
が、完全に省略されるのであれば、へこみは、研磨媒体
310に形成されてもよい。
研磨システムの部分図である。上述した実施の形態にお
いては、研磨媒体310は、ローラ420及び325上
を通過するが、上述した実施の形態の場合と同様に、こ
れは、本発明にとって重要なことではない。なぜなら、
本発明は、例えば、柔軟性のある単一シートからなる研
磨媒体のような別の媒体構成によって実施されてもよい
からである。この実施の形態においては、支持部材85
5の支持面856は、それの中央部分857に、くぼみ
が付けられ、或いは、少なくともへこみが付けられる
(図13も参照)。
し、研磨媒体は好ましくは表面855上で張力が加えら
れ、研磨媒体の縁に負圧がかけられ、或いは、負圧がか
けられずに(好ましくは、負圧がかけられ)、クランプ
870によってエッジ表面858に固定される。媒体
は、好ましくは、媒体の1インチの幅当たり少なくとも
2lbfの力で張力が加えられる。好ましくは、媒体の
固定は、図示したように、4つのクランプ870を用い
てテーブルの4つの角の近辺でなされるが、より多くの
クランプが使用されてもよく、或いは、より少ないクラ
ンプが使用されてもよい。別の方法として、媒体は、長
いクランプを使用して、それの両側の縁を全体にわたっ
て固定されてもよく、その長いクランプの表面には、そ
の下に横たわる発泡材又はその他の柔らかいテーパのあ
る材料が施される。
260の外側にある収容リング868又はその他の構造
部材によって取り囲まれた領域に少なくとも1つの真空
ポート865を備える。真空ポート865は、真空チュ
ーブ890を介して真空ソース880に接続される。上
述した実施の形態の場合と同様に、この実施の形態は、
1つの真空ポートを使用することに限定されるものでは
なく、別の構成は、リング領域の外周に沿って様々な間
隔で配置された等しいか又は等しくない寸法の複数の真
空ポートを含んでもよい。多数の真空ポートが使用され
る場合には、好ましくは、真空ポートは、リング領域の
周囲に等しい間隔で配置されるが、これもまた、必ずし
もそうでなくてもよい。
基板キャリヤ860の外周に沿って提供され、好ましく
は、キャリヤ860のエッジに極めて近接して、そし
て、当然ながら、1つか又は複数の真空ポート865を
取り囲むようにして提供される。研磨媒体310に接触
する収容リング868の表面は、好ましくは、シールバ
リヤ866として動作する。任意で、専用のシールバリ
ヤが、表面に接触する収容リング868上か又は収容リ
ング868の円周の内側に隣接して配置されてもよい。
真空ポート865を介して負圧をかけると、媒体310
とシールバリヤ866との間に密封状態が形成される。
そして、媒体が、基板260及び基板キャリヤ860の
底面に平たく引き付けられ、真空ポート865を介して
真空に引かれる負圧によって、そこに固定される。
よい。基板キャリヤ860によって基板260に加えら
れる力が、媒体310を研磨されるべき基板260の表
面に引き付ける負圧とは逆方向に作用し、それによっ
て、基板を研磨するために必要な加工圧力(即ち、プレ
ストンの方程式の「P」変数)を提供する。この構成の
1つの利点は、完全に平坦な平面の研磨面又は支持面を
必要としないことである。更に、それに押さえつけて研
磨がなされる支持体を提供できなくてもよいくぼみまた
はへこみを有する中央部分のために、支持部材855の
重量をはるかにより軽くすることができる。
310の付勢力が、媒体310、基板260、キャリヤ
860間に依然として存在しているかもしれないどのよ
うな引き合う力よりも大きくなる。その結果として、媒
体310は、基板260及び基板キャリヤ860と接触
した状態から引っ込み、支持体855と同一平面上にあ
るほぼ平坦な形状を回復する。負圧を解除した後に正の
流体圧力(好ましくは、空気)のような正圧を媒体31
0に提供して、媒体310が基板260及びキャリヤ8
60から分離するのを助けるために、任意による機構
が、キャリヤ860に提供されてもよい。
ら持ち上げられ、検査及び/又は交換のために、容易に
基板を取り除くことができる。新たな基板が、媒体31
0とキャリヤ860との間に配置されると、キャリヤ8
60が、媒体310の近傍に、或いは、媒体310に接
触するように再び配置される。再度、負圧をかけること
によって、上述したような密封状態が発生し、その時点
で、研磨が再び開始される。
述したような真空技術を用いたシステムの断面図であ
る。また、基板キャリヤ860の実施の形態も示され
る。基板キャリヤ860のプレート955は、上部基準
面を構成し、この基準面から、加圧手段960が、基板
260に負荷をかける。この例においては、加圧手段
は、流量を制御して気体及び/又は液体を放出するよう
に構成された同心の3つの環961、962、及び、9
63を含む。好ましくは、加圧手段961、962、及
び、963は、プレート955と基板260との間に加
圧空気の層970を形成するように空気を放出する。し
かしながら、プレート955と基板260との間の支持
層又は固定層970を形成するために、その他の気体、
水、水と空気及び/又はその他の気体との混合物、又
は、負圧が使用されてもよい。もちろん、この種のキャ
リヤは、3つの環を使用することに限定されることはな
く、4以上の環を使用してもよく、或いは、1又は2の
環でもよい。
964、965、及び、966が、環961、962、
及び、963のそれぞれを加圧空気の発生源(図示せ
ず)に接続する。絞り弁967が、それぞれの管路に提
供され、オペレータは、1つの入力管路968を用いな
がら、環961、962、及び、963それぞれの流量
を個別に制御することができる。このようなキャリヤの
より詳細で完璧な説明が、本願と同じ日に出願された、
代理人整理番号第36172−20017.00号、発
明の名称「パッドレス基板キャリヤ(Padless Substrate
Carrier)」の、同時係属出願に記載されている。この
出願「パッドレス基板キャリヤ(Padless Substrate Car
rier)」は、本明細書に全体として援用されている。
ト971を貫通してもよく、それによって、研磨媒体と
ともにスラリを使用するシステムに、スラリを連続的
に、さもなければ、自動制御で供給することができる。
本発明は、図14に説明されるキャリヤを使用すること
に限定されるものではなく、基材を裏打ちしたパッドを
用いたキャリヤ、回転するキャリヤなどを含めた、より
一般的なキャリヤを使用してもよい。エアー袋付きの適
合性のあるクラウン、及び、キャリヤのクラウンを適合
させるためのその他の圧力装置を備えた設計など、様々
な設計が使用されてもよい。
1、962、及び、963の流量は、空気/液体を等し
い流量/圧力で、或いは、一定の圧力分布で送出するよ
うに調整されてもよく、或いは、その両方が同時に発生
してもよい。更に、圧力波が、面板955のエッジの近
くにほぼ一定の値で広がることができるように、もっと
も外側にある環961は、面板955の端に極めて近接
して形成されてもよい。支持層970は、更に、面板9
55に対して基板が「揺動」又はすりこぎ運動をなすの
を可能にする。なぜなら、面板955は、層970が形
成されてしまえば、基板の裏側に接触しないからであ
る。基板260の半径は、面板の半径よりもいくぶん小
さく、基板は、収容リング868の存在によって、面板
955と研磨媒体310との間の所定の位置に保持され
る。
かける能力を、収容リング内で基板がすりこぎ運動又は
揺動するのを可能にする能力と組み合わせることによっ
て、材料を基板の縁から中心へ一貫して移動させる極め
て均一な研磨工程が得られる。
は適合させなければならない状況においては、環96
1、962、及び、963それぞれの流量を変化させ
て、所望の圧力分布構造を実現してもよい。
したように、キャリヤのアプリケータ960によって加
圧するだけでなく、真空チューブ890を介してキャリ
ヤ860内で研磨媒体に加えられる負圧が、基板260
に研磨媒体310を引き付け、均一な圧力で研磨媒体3
10を基板260の裏側に押し付ける大気圧Paの圧力
によって、研磨媒体310が、そこで所定の位置に保持
され、同時に基板260の裏面は、キャリヤ860によ
って供給される液体/空気の圧力によって、或いは、例
えば、極めて多孔質なシートを介して基板をキャリヤに
吸引することによって支持される。
860は、垂直方向の力を支持体856に加える必要が
ない。従って、駆動プレート971は、研磨中に、水平
方向の力を提供するだけでよい。また、精度の高い研磨
面も必要としない。なぜなら、実際の研磨動作は、支持
体856と接触せずになされ、研磨媒体310が、基板
260の研磨面に押し付けられるからである。これは、
研磨処理装置の重量を大幅に減少させるだけでなく、支
持体856のコストをも大幅に減少させる。更に、支持
体856をはるかに小型軽量に製造することができるの
で、これは、基板を並列処理するための複数のユニット
又はモジュールをはるかに簡単に積み重ねて組み立てる
ことを可能にする。そのようなモジュールは、水平に配
置されたウェーハの研磨面が、上を向くように、下を向
くように、或いは、ウェーハの研磨面が、垂直に配置さ
れ、或いは、水平から様々にずれて配置されるように、
積み重ねられ、或いは、配置されてもよい。
は、例えば、ポリカーボネートのような透明な材料から
形成された面板955を提供することであり、それの表
面には、静電フィルムを備える。透明な面板955を提
供することによって、オブザーバが、研磨中に、基板が
適切に処理されているかを確認することができる。
好ましい実施の形態の断面図であり、この基板キャリヤ
1060は、キャリヤプレートによる基板の押し下げを
制御するために負圧を使用するだけでなく、基板をキャ
リヤに保持するための固定圧力を供給するためにも負圧
を使用する。この構成においては、キャリヤプレート1
155は、シールプレート1120及び収容リング支持
体1170から延びるキャリヤプレート降下止め117
2を介して、キャリヤ装填コラム1110に取り付けら
れる。ダイヤフラム1140が、シールプレート112
0とキャリヤプレート1155との間に取り付けられ、
加圧可能なチャンバ1145を形成する。
ャリヤ全体を配置するための基部を形成する。キャリヤ
装填コラム1110の配置は、研磨中に基板の横方向支
持力を制御する収容リング1180の負荷を主に制御す
る。
1170の真空孔1147に接続されたメイン真空管路
1132を介して、第2の加圧可能なチャンバ1134
に接続される。キャリヤプレート1155にある真空ウ
ェーハピックアップ孔1182が、真空配管及び取り付
け具(図示せず)によって少なくとも1つの真空ポート
1166に接続されたマニホルド1184を介して、個
々に制御することのできる負圧/正圧発生源(図示せ
ず)に接続される。真空孔1182を介して負圧をかけ
ることによって、基板の裏側が、キャリヤプレート11
55に固定される。この例においては、キャリヤプレー
ト1155の面1155′を貫通して中心に配置された
真空孔に加えて、真空孔の4つの環が提供されるが、別
の真空孔の構成が、それの代わりとして使用されてもよ
い。更に、監視孔1192が、それらが配置された箇所
における圧力及び/又は流量を監視するために使用すべ
く、真空孔1182の配列の中間に提供されてもよい。
監視孔は、マニホルド1194を介して、個々の圧力/
流量監視センサ(図示せず)に個別に接続されてもよ
く、或いは、中央感知ユニット(図示せず)に接続され
てもよい。
ンバ1145に接続し、真空管路1160の反対側の端
部には、大気圧に暴露されたオリフィス1162が提供
される。好ましくはブリード弁であるバルブ1164
が、メイン真空管路1132と他と異なる真空管路11
60を互いに接続する。バルブ1164は、他と異なる
真空管路1160から真空ソース1130への流れを止
めるように調節されることが可能であり、この場合に
は、加圧チャンバ1145は、オリフィス1162を介
して大気圧となる。この比較的に高い圧力は、加圧チャ
ンバを膨張させ、ダイヤフラム1148を押しやり、そ
れによって、キャリヤプレート1155及び面115
5′を図15において下向きに押し付け、これが、より
大きい研磨圧力を基板に効果的に加える。キャリヤプレ
ート降下止め1172は、キャリヤプレート1155の
下向きの運動を制限することによって、キャリヤ面11
55′が、下向きの方向へ過度に押し下げられるのを防
止する。
160から真空ソース1130への流れを促進するよう
に、且つ、流量を可変的に調節するように、調節される
ことが可能であり、この場合には、加圧チャンバ114
5は、大気圧以下の圧力値になる。これは、加圧チャン
バを収縮させ、ダイヤフラム1148を引き付け、それ
によって、キャリヤプレート1155を図15において
上向きに押し上げ、これが、より小さい研磨圧力を基板
に効果的に加える。上述したように、上向きの運動の度
合は、バルブ1164を調節して流量を変化させること
によって制御することができる。
ば、研磨中に、負圧が、研磨媒体に加えられ、基板26
0に研磨媒体310を引き付け、そして、均一な圧力で
研磨媒体310を基板260の裏側に押し付ける大気圧
Paの圧力によって、研磨媒体310が、所定の位置に
保持され、それと同時に、基板260の裏面は、上述し
たように、キャリヤ面板1155′を介して加えられる
負圧によって保持される。
た利点と同じものが、この実施の形態についても得られ
る。基板の磨耗、及び、基板と研磨媒体との間の摩擦力
の結果として起こる発熱を制御するために、噴霧器又は
空気噴射器が使用されて、研磨媒体310の裏側、即
ち、基板と直接に接触しない側に、1つか又はそれ以上
の冷却流を吹き付けてもよい。或いは、ウォータベッド
が、研磨媒体310の裏側に接触させた状態で提供され
てもよい。
いポリカーボネートシート(例えば、約0.060イン
チの厚さ)を媒体の裏側に負圧で引き付けることによっ
て、研磨媒体310上に提供される。或いは、ただ単
に、研磨媒体自身の厚さを厚くすることによって、強度
を強化してもよい。それに加えて、或いは、それの代わ
りとして、裏材のシートは、基板の均一性及び平坦性を
向上させるために、研磨媒体の裏側に接触する側に溝状
に切り込みを入れてもよい。
を有する実質的に長方形のシールバリヤを備える。1つ
の真空ポートが、シールバリヤの外周内に規定される研
磨面の一端の中央に提供される。約2psigの負圧を
かけることによって、約418平方インチの広さは、支
持面の上に重なる研磨媒体に約836ポンドの引力を提
供し、それは、シールバリヤによって真空密封状態を形
成する。この付加的な負荷が、研磨媒体の伸び、移動、
座屈を除去し、そして、研磨媒体に張力を加える必要性
を除去するために使用されてもよい。研磨媒体は、固定
された研磨材をそれの研磨領域に有するマイヤー(MYLA
R)(商標)フィルムであり、これは、スリーエム(3
M)社又はデュポン(DuPont)社から市販されている。
て、IC1000層が、研磨媒体の下且つ支持面の上に
サブパッドとして配置される。真空ポートを介して負圧
がかけられると、研磨媒体の研磨領域は、サブパッド及
び支持面に押し付けられる。空気が、研磨媒体、サブパ
ッド、及び、支持面の間の空間から奪われ、サブパッド
を圧縮し、また、研磨媒体のサブパッドの孔の上にある
部分を部分的にその孔に入り込ませる。KOHと水の混
合物が、研磨媒体の研磨面に供給されると、研磨動作が
開始される。研磨媒体に対してのウェーハキャリヤ、ウ
ェーハ保持リング、及び、ウェーハの運動は、研磨領域
からKOH/水からなる研磨溶液を掃き出す傾向を有す
る。
の上にある部分が負圧によって部分的にサブパッドの孔
に入り込むことによって形成された研磨媒体のへこみ
は、KOH/水からなる研磨液の小さな溜まりを捕ら
え、それによって、研磨されるウェーハ表面は、絶えず
研磨液を得ることができる。
す部分断面図である。
施例を示す上面図である。
構成図である。
の実施の形態による研磨システムの部分等角図である。
線分5−5に沿った断面図であり、(b)は図4に示す
装置の負圧をかけないときの線分5−5に沿った断面図
である。
る。
ための構成における更なる変形を有する研磨システムの
部分図である。
ための構成における更に別の変形を有する研磨システム
の部分図である。
ための構成において、図8の変形を有する研磨システム
の部分図である。
うになされた研磨装置の構成の切取図である。
説明する部分断面図である。
の部分斜視図である。
示す図である。
断面図である。
用される基板キャリヤの別の実施の形態の断面図であ
る。
Claims (42)
- 【請求項1】 研磨面を安定させるための装置であっ
て、 実質的に平坦な非柔軟性の支持ベースと、 前記支持ベースの上にある柔軟性のある研磨パッドと、 前記支持ベース内にあり、前記研磨パッドの下にある真
空ポートと、を備え、 前記真空ポートを介して負圧をかけることによって、前
記研磨パッドを前記支持ベースに引き付けて、前記研磨
パッドを所定の研磨位置に維持する装置。 - 【請求項2】 前記支持ベース上で前記真空ポートのま
わりに外周を構成するシールを更に備え、前記負圧をか
けたときに、気密状態が、前記支持ベースと前記研磨パ
ッドとの間に前記シールに沿って形成される請求項1に
記載の装置。 - 【請求項3】 前記真空ポートが、複数の真空ポートの
中の1つである請求項1に記載の装置。 - 【請求項4】 前記複数の真空ポートが、前記支持ベー
スの外周に沿って配置された請求項3に記載の装置。 - 【請求項5】 前記複数の真空ポートが、前記支持ベー
ス全体に実質的に均一に配置された請求項3に記載の装
置。 - 【請求項6】 前記複数の真空ポートが、前記支持ベー
スの外周に沿った比較的により大きな真空ポートのグル
ープと、前記支持ベースの前記外周内の領域の全体に実
質的に均一に配置された比較的により小さい真空ポート
のグループとを含む請求項3に記載の装置。 - 【請求項7】 前記柔軟性のある研磨パッドと前記支持
ベースとの間に挿入された弾性パッドを更に備えた請求
項1に記載の装置。 - 【請求項8】 前記弾性パッドが、孔あき弾性パッドを
備えた請求項7に記載の装置。 - 【請求項9】 前記孔あきパッドが、約0.25インチ
以下の直径を有する孔を含む請求項8に記載の装置。 - 【請求項10】 前記柔軟性のある研磨パッドと前記支
持ベースとの間に挿入された多孔質パッドを更に備えた
請求項1に記載の装置。 - 【請求項11】 実質的に平坦な非柔軟性の支持ベース
と、 前記支持ベースの上にある柔軟性のある研磨パッドと、 前記研磨パッドを前記支持ベースに引き付けて、前記研
磨パッドを所定の研磨位置に維持する手段と、を備えた
研磨装置。 - 【請求項12】 前記引きつける手段が、前記支持ベー
スにある少なくとも1つの真空ポートに接続された真空
ソースを備えた請求項11に記載の研磨装置。 - 【請求項13】 前記研磨パッド及び前記支持ベースに
対して移動可能に取り付けられた基板キャリヤを更に備
えた請求項11に記載の研磨装置。 - 【請求項14】 前記柔軟性のある研磨パッドと前記支
持ベースとの間に挿入された弾性パッドを更に備えた請
求項11に記載の研磨装置。 - 【請求項15】 前記弾性パッドが、孔あき弾性パッド
を備えた請求項14に記載の装置。 - 【請求項16】 前記柔軟性のある研磨パッドと前記支
持ベースとの間に挿入された多孔質パッドを更に備えた
請求項11に記載の装置。 - 【請求項17】 基板を研磨媒体に押し付けて研磨する
ときに、研磨媒体を安定させる方法であって、 実質的に非柔軟性の支持面全体に研磨媒体を提供するこ
とと、 支持面と研磨媒体との間に負圧をかけて、研磨媒体を支
持面に引き付けることと、を備えた方法。 - 【請求項18】 約0.2〜3.0psiの力で負圧が
かけられる請求項17に記載の安定させる方法。 - 【請求項19】 約1.2psiの力で負圧がかけられ
る請求項18に記載の安定させる方法。 - 【請求項20】 支持面に対して研磨媒体が移動しない
ように負圧を維持しながら、基板を研磨媒体に押し付け
て研磨することを更に備えた請求項17に記載の方法。 - 【請求項21】 基板を研磨媒体に接触した状態から引
き離すことと、 負圧をかけることを停止することと、 洗浄、コンディショニング、又は、交換のために研磨媒
体を取り外すことと、を更に備えた請求項20に記載の
方法。 - 【請求項22】 洗浄及び/又はコンディショニングの
後に、研磨媒体を元に戻すことと、 支持面と研磨媒体との間に負圧をかけて、研磨媒体を支
持面に引き付けることと、を更に備えた請求項21に記
載の方法。 - 【請求項23】 別の研磨媒体を支持面に配置すること
と、 支持面と別の研磨媒体との間に負圧をかけて、別の研磨
媒体を支持面に引き付けることと、を更に備えた請求項
21に記載の方法。 - 【請求項24】 基板を研磨媒体に接触した状態から引
き離すことと、 負圧をかけるのを停止することと、 支持面に対して研磨媒体を再配置することと、を更に備
えた請求項20に記載の方法。 - 【請求項25】 支持面と研磨媒体との間に、再度、負
圧をかけて、研磨媒体を支持面に引き付けることを更に
備えた請求項24に記載の方法。 - 【請求項26】 前記負圧をかけることの前に、研磨媒
体と実質的に非柔軟性の支持面との間に多孔質層を提供
することを更に備え、前記負圧をかけたときに、前記研
磨媒体の一部分が、前記多孔質層の孔へ部分的に引き込
まれて、前記研磨媒体の研磨面上にへこみを形成する請
求項17に記載の方法。 - 【請求項27】 研磨面を安定させるための装置であっ
て、 実質的に非柔軟性の支持ベースと、 前記支持ベースの少なくとも一部分に重なる柔軟性のあ
る研磨パッドと、 前記研磨パッドに基板をあてがって、その基板を研磨す
るキャリヤと、 前記柔軟性のある研磨パッドを、基板に対して実質的に
しわのない状態に維持するための手段と、を備えた装
置。 - 【請求項28】 前記維持するための装置が、前記支持
ベースにあり、且つ、前記研磨パッドの下にある真空ポ
ートを備え、前記真空ポートを介して負圧をかけること
によって、前記研磨パッドを前記支持ベースに引き付け
て、前記研磨パッドを所定の研磨位置に維持する請求項
27に記載の装置。 - 【請求項29】 前記維持するための装置が、前記柔軟
性のある研磨パッドを前記キャリヤ及び基板に引き付け
るための機構を備えた請求項27に記載の装置。 - 【請求項30】 前記機構が、前記キャリヤにある少な
くとも1つの真空ポートと、前記少なくとも1つの真空
ポートを介して前記キャリヤと前記研磨パッドとの間に
負圧をかけるための真空ソースとを備えた請求項29に
記載の装置。 - 【請求項31】 基板キャリヤと研磨媒体との間にある
基板を研磨するための方法であって、 研磨されるべき基板の表面に研磨媒体を押し付けること
と、 研磨がなされない基板の表面を基板キャリヤで押さえて
基板を支持することと、 研磨媒体と基板との少なくとも一方を動かすことによっ
て、研磨媒体と基板とを相対的に運動させることと、を
備えた方法。 - 【請求項32】 前記押しつけることが、基板キャリヤ
と研磨媒体との間に負圧をかけ、それによって、大気圧
が、研磨媒体を基板及び基板キャリヤに押し付けること
を含む請求項31に記載の方法。 - 【請求項33】 前記支持することが、基板キャリヤと
基板との間の流体軸受を実現することを含む請求項31
に記載の方法。 - 【請求項34】 流体軸受が、空気軸受からなる請求項
33に記載の方法。 - 【請求項35】 前記支持することが、基板キャリヤと
基板との固定を実現することを含む請求項31に記載の
方法。 - 【請求項36】 前記固定が、基板キャリヤと基板との
間を真空に引くことによって実現される請求項35に記
載の方法。 - 【請求項37】 研磨されるべき基板の表側の面に接触
するようになされた柔軟性のある研磨パッドと、 基板の裏面を支持するようになされた基板キャリヤと、 前記柔軟性のある研磨パッドに負圧をかけ、それによっ
て、研磨パッドを研磨されるべき基板及び基板キャリヤ
に押し付けるようになされた前記基板キャリヤ上の少な
くとも1つの真空ポートと、を備えた研磨装置。 - 【請求項38】 基板キャリヤと基板との間の流体軸受
を実現するために、前記基板キャリヤの面に少なくとも
1つのポートを更に備えた請求項37に記載の装置。 - 【請求項39】 前記面にある前記少なくとも1つのポ
ートが、前記面と基板との間の空気軸受を実現するよう
になされた請求項38に記載の装置。 - 【請求項40】 基板キャリヤと基板との固定を実現す
るために、前記基板キャリヤの面に少なくとも1つのポ
ートを更に備えた請求項37に記載の装置。 - 【請求項41】 前記面にある前記少なくとも1つのポ
ートが、基板キャリヤと基板との間を真空に引くように
なされた請求項40に記載の装置。 - 【請求項42】 前記面にある前記少なくとも1つのポ
ートに接続された真空ソースを更に備えた請求項41に
記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000296458A true JP2000296458A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=22978830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (5)
| Country | Link |
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| US (3) | US6491570B1 (ja) |
| EP (1) | EP1031398A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000296458A (ja) |
| KR (1) | KR100696024B1 (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040803 |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040803 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041013 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20050307 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091228 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100301 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101029 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101108 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110401 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110819 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110824 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120131 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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