JPH0661202A - 半導体ウェーハの保持方法 - Google Patents
半導体ウェーハの保持方法Info
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- JPH0661202A JPH0661202A JP30841791A JP30841791A JPH0661202A JP H0661202 A JPH0661202 A JP H0661202A JP 30841791 A JP30841791 A JP 30841791A JP 30841791 A JP30841791 A JP 30841791A JP H0661202 A JPH0661202 A JP H0661202A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体ウェーハを硬質基板に保持してその片
面を研磨加工するに際して、半導体ウェーハをワック
ス、接着剤等を用いることなく保持し、かつ半導体ウェ
ーハを高精度、高品質に研磨加工することを可能とす
る。 【構成】 真空吸着用貫通微小孔２を有する硬質基板４
表面に平面精度が高いシリコーン弾性体を形成し、その
シリコーン弾性体に前記微小孔と通ずる孔を設けたシリ
コーン弾性体６を設け、該硬質基板裏側より真空吸引し
半導体ウェーハＷを保持した後、該ウェーハの研磨加工
を行う際、該シリコーン弾性体の表面粘着性のみで該半
導体ウェーハを保持する。
面を研磨加工するに際して、半導体ウェーハをワック
ス、接着剤等を用いることなく保持し、かつ半導体ウェ
ーハを高精度、高品質に研磨加工することを可能とす
る。 【構成】 真空吸着用貫通微小孔２を有する硬質基板４
表面に平面精度が高いシリコーン弾性体を形成し、その
シリコーン弾性体に前記微小孔と通ずる孔を設けたシリ
コーン弾性体６を設け、該硬質基板裏側より真空吸引し
半導体ウェーハＷを保持した後、該ウェーハの研磨加工
を行う際、該シリコーン弾性体の表面粘着性のみで該半
導体ウェーハを保持する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを硬質
基板に保持してその片面を研磨加工する際に用いられる
半導体ウェーハの保持方法に関する。
基板に保持してその片面を研磨加工する際に用いられる
半導体ウェーハの保持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体ウェーハを鏡面研磨する
には、半導体ウェーハをワックスを用いて硬質基板に貼
付してから鏡面研磨する方法が従来から行われている。
この方法ではワックスの厚みのバラツキ等により鏡面仕
上げ精度に影響を及ぼし、また半導体ウェーハの高精度
仕上げに限界があり、さらに半導体ウェーハを鏡面研磨
した後洗浄が必要であり、半導体ウェーハの汚染や損傷
の原因となっていた。
には、半導体ウェーハをワックスを用いて硬質基板に貼
付してから鏡面研磨する方法が従来から行われている。
この方法ではワックスの厚みのバラツキ等により鏡面仕
上げ精度に影響を及ぼし、また半導体ウェーハの高精度
仕上げに限界があり、さらに半導体ウェーハを鏡面研磨
した後洗浄が必要であり、半導体ウェーハの汚染や損傷
の原因となっていた。
【０００３】このため、ワックスを用いない半導体ウェ
ーハの保持方法として、半導体ウェーハと上記硬質基板
との間にポリウレタンその他の特殊有機材料をクッショ
ン材として用いる方法（特開昭６２−２９７０６４号公
報）も実用化されている。この方法では半導体ウェーハ
の鏡面研磨加工後の平面度、平行度などの形状精度に問
題があった。
ーハの保持方法として、半導体ウェーハと上記硬質基板
との間にポリウレタンその他の特殊有機材料をクッショ
ン材として用いる方法（特開昭６２−２９７０６４号公
報）も実用化されている。この方法では半導体ウェーハ
の鏡面研磨加工後の平面度、平行度などの形状精度に問
題があった。
【０００４】前記硬質基板に、真空吸着用貫通孔を形成
し、半導体ウェーハを真空吸着により保持する方法も知
られている。しかし、この方法では半導体ウェーハと硬
質基板が直接接触しているために半導体ウェーハの微小
凹凸や微粒径の塵または真空吸着用貫通微小孔などの影
響により、やはり平面度、平行度などの形状精度に悪影
響を及ぼすという問題があった。
し、半導体ウェーハを真空吸着により保持する方法も知
られている。しかし、この方法では半導体ウェーハと硬
質基板が直接接触しているために半導体ウェーハの微小
凹凸や微粒径の塵または真空吸着用貫通微小孔などの影
響により、やはり平面度、平行度などの形状精度に悪影
響を及ぼすという問題があった。
【０００５】また、上記半導体ウェーハの微小凹凸、微
粒径の塵などの影響を緩和する方法として、シリコーン
ラバーの表面粘着力により半導体ウェーハを保持する方
法（特開昭６２−１１１４４２号公報）が開示されてい
る。この方法では半導体ウェーハの保持を一般のシリコ
ーンラバーで行うため、その吸着力は弱く鏡面研磨加工
時に半導体ウェーハの横ズレ等が発生し、またシリコー
ンラバーの平面精度の影響により、半導体ウェーハの鏡
面研磨加工精度に顕著に影響するという不都合があっ
た。
粒径の塵などの影響を緩和する方法として、シリコーン
ラバーの表面粘着力により半導体ウェーハを保持する方
法（特開昭６２−１１１４４２号公報）が開示されてい
る。この方法では半導体ウェーハの保持を一般のシリコ
ーンラバーで行うため、その吸着力は弱く鏡面研磨加工
時に半導体ウェーハの横ズレ等が発生し、またシリコー
ンラバーの平面精度の影響により、半導体ウェーハの鏡
面研磨加工精度に顕著に影響するという不都合があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体ウェ
ーハを硬質基板に保持してその片面を研磨加工するに際
し、半導体ウェーハをワックス、接着剤等を用いること
なく保持し、かつ半導体ウェーハを高精度、高品質に研
磨加工することを可能とした半導体ウェーハの保持方法
を提供することを目的とする。
ーハを硬質基板に保持してその片面を研磨加工するに際
し、半導体ウェーハをワックス、接着剤等を用いること
なく保持し、かつ半導体ウェーハを高精度、高品質に研
磨加工することを可能とした半導体ウェーハの保持方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体ウェーハの保持方法においては、真
空吸着用貫通微小孔を有する硬質基板表面に平面精度が
高い前記微小孔と通ずる孔を設けたシリコーン弾性体層
を設け、該硬質基板裏側より真空吸引し半導体ウェーハ
を保持した後、該ウェーハの研磨加工を行う際、該シリ
コーン弾性体の表面粘着性のみで該半導体ウェーハを保
持するようにしたものである。
に、本発明の半導体ウェーハの保持方法においては、真
空吸着用貫通微小孔を有する硬質基板表面に平面精度が
高い前記微小孔と通ずる孔を設けたシリコーン弾性体層
を設け、該硬質基板裏側より真空吸引し半導体ウェーハ
を保持した後、該ウェーハの研磨加工を行う際、該シリ
コーン弾性体の表面粘着性のみで該半導体ウェーハを保
持するようにしたものである。
【０００８】本発明で用いる硬質基板は、金属、セラミ
ックス、エポキシ樹脂などの有機樹脂等からなり、表面
に０．１〜１．０ｍｍφの真空吸着用貫通微小孔を有し
ており、その微小孔は真空源と圧縮空気源に切換弁を介
して連通している。この硬質基板表面にシリコーン弾性
体を形成する。
ックス、エポキシ樹脂などの有機樹脂等からなり、表面
に０．１〜１．０ｍｍφの真空吸着用貫通微小孔を有し
ており、その微小孔は真空源と圧縮空気源に切換弁を介
して連通している。この硬質基板表面にシリコーン弾性
体を形成する。
【０００９】この場合用いるシリコーン弾性体として
は、通常使用される直鎖状オルガノポリシロキサン、 一般式
は、通常使用される直鎖状オルガノポリシロキサン、 一般式
【００１０】
【化１】
【００１１】（但し、式中、Ｒはメチル基、ビニル基、
フェニル基、トリフルオロプロピル基等を示し、ａは
１．９８〜２．０２の正数である。オイル状から生ゴム
状までのいずれであっても特に制限はないが、通常２５
℃において動粘度が１０００ｃｓ以上になる程度がよ
い。）で示されるものを主成分とし、これにシリカヒド
ロゲル、シリカエアロゲル等の補強性シリカ、酸化チタ
ン、酸化セリウム等の断熱向上剤、石英粉、ケイソウ土
等の無機充填剤を配合してもよい。
フェニル基、トリフルオロプロピル基等を示し、ａは
１．９８〜２．０２の正数である。オイル状から生ゴム
状までのいずれであっても特に制限はないが、通常２５
℃において動粘度が１０００ｃｓ以上になる程度がよ
い。）で示されるものを主成分とし、これにシリカヒド
ロゲル、シリカエアロゲル等の補強性シリカ、酸化チタ
ン、酸化セリウム等の断熱向上剤、石英粉、ケイソウ土
等の無機充填剤を配合してもよい。
【００１２】シリコーン弾性体の硬化剤としては、ラジ
カル反応に使用されるジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキサン等の有機過酸化物、付加反応硬化剤として
ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも
２個有するオルガノハイドロジエンポリシロキサンと白
金系触媒、縮合反応硬化剤として多官能のアルコキシシ
ランまたはシロキサンと有機金属酸塩などが例示され
る。工程短縮としては、特に付加反応硬化剤を用いるの
が好ましい。
カル反応に使用されるジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキサン等の有機過酸化物、付加反応硬化剤として
ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも
２個有するオルガノハイドロジエンポリシロキサンと白
金系触媒、縮合反応硬化剤として多官能のアルコキシシ
ランまたはシロキサンと有機金属酸塩などが例示され
る。工程短縮としては、特に付加反応硬化剤を用いるの
が好ましい。
【００１３】シリコーン弾性体に粘着性を付与する場
合、分子中に含有するＳｉＯ2 単位とＲ'3ＳｉＯ0.5 単
位（但し、式中Ｒ' は水素原子、メチル基、ビニル基及
びフェニル基等が挙げられる。）とのモル比が１：０．
４〜１：１．５であるオルガノポリシロキサン（粘着性
付与オルガノポリシロキサン）を用いるのが好ましい。
この場合、Ｒ'3ＳｉＯ0.5 単位のモル比が０．４以下で
あると保存安定性に劣り、１．５以上であると粘着性が
なくなる。
合、分子中に含有するＳｉＯ2 単位とＲ'3ＳｉＯ0.5 単
位（但し、式中Ｒ' は水素原子、メチル基、ビニル基及
びフェニル基等が挙げられる。）とのモル比が１：０．
４〜１：１．５であるオルガノポリシロキサン（粘着性
付与オルガノポリシロキサン）を用いるのが好ましい。
この場合、Ｒ'3ＳｉＯ0.5 単位のモル比が０．４以下で
あると保存安定性に劣り、１．５以上であると粘着性が
なくなる。
【００１４】本発明で好ましいと思われる付加反応硬化
型液状シリコーンゴム組成物を以下に示す。 Ａ）２５℃における粘度が１０００〜１０００００ｃｐ
であり、一分子中に少なくとも２個アルケニル基を含有
するジオルガノポリシロキサン１００重量部、Ｂ）一分
子中に少なくとも２個の珪素原子に直結した水素原子を
有するオルガノハイドロジエンポリシロキサン、Ａ）成
分のアルケニル基と珪素原子に直結した水素原子とのモ
ル比が０．４〜４．０となる量、Ｃ）比表面積が５０ｍ
2 ／ｇ以上である微粉状シリカ、Ａ）成分１００重量部
当り５〜５０重量部、Ｄ）触媒量の白金化合物又は白金
族化合物、からなる組成物である。
型液状シリコーンゴム組成物を以下に示す。 Ａ）２５℃における粘度が１０００〜１０００００ｃｐ
であり、一分子中に少なくとも２個アルケニル基を含有
するジオルガノポリシロキサン１００重量部、Ｂ）一分
子中に少なくとも２個の珪素原子に直結した水素原子を
有するオルガノハイドロジエンポリシロキサン、Ａ）成
分のアルケニル基と珪素原子に直結した水素原子とのモ
ル比が０．４〜４．０となる量、Ｃ）比表面積が５０ｍ
2 ／ｇ以上である微粉状シリカ、Ａ）成分１００重量部
当り５〜５０重量部、Ｄ）触媒量の白金化合物又は白金
族化合物、からなる組成物である。
【００１５】上記シリコーン組成物１００重量部に対し
て粘着性を付与するために、粘着性付与オルガノポリシ
ロキサン１０〜１００重量部添加する。この添加量が１
０重量部以下であると粘着性が不十分となり、１００重
量部以上であるとゴム層の強度が低下する。添加方法
は、組成物が液状なのでゲートミキサー等を用いて行
う。
て粘着性を付与するために、粘着性付与オルガノポリシ
ロキサン１０〜１００重量部添加する。この添加量が１
０重量部以下であると粘着性が不十分となり、１００重
量部以上であるとゴム層の強度が低下する。添加方法
は、組成物が液状なのでゲートミキサー等を用いて行
う。
【００１６】次に、硬質基板とシリコーン弾性体の接着
を発現させるため、硬質基板に従来より良く用いられて
いるシリコーンゴム用プライマーを塗布する。もしく
は、シリコーンゴムに自己接着性を付与するため、シラ
ンカップリング剤を予め混合しておくとよい。
を発現させるため、硬質基板に従来より良く用いられて
いるシリコーンゴム用プライマーを塗布する。もしく
は、シリコーンゴムに自己接着性を付与するため、シラ
ンカップリング剤を予め混合しておくとよい。
【００１７】前記硬質基板の表面にシリコーン弾性体を
形成する方法は、通常のスクリーン印刷或いは塗布層の
コントロールに硬質基板表面の端部にスペーサーを設け
塗布することも可能である。
形成する方法は、通常のスクリーン印刷或いは塗布層の
コントロールに硬質基板表面の端部にスペーサーを設け
塗布することも可能である。
【００１８】コーティング法を用いる場合、トルエン、
キシレン、ヘキサン等の有機溶剤でシリコーンゴム組成
物を所定の濃度に溶解し、スプレーコーティング等で塗
布する。そのシリコーン塗布層に硬質基板より通ずる貫
通微小孔を形成後、熱空気により塗布層を硬化させる。
キシレン、ヘキサン等の有機溶剤でシリコーンゴム組成
物を所定の濃度に溶解し、スプレーコーティング等で塗
布する。そのシリコーン塗布層に硬質基板より通ずる貫
通微小孔を形成後、熱空気により塗布層を硬化させる。
【００１９】硬化後、塗布層のゴム硬度は２０〜９０°
が好ましい。２０°以下ではシリコーン弾性体表面の研
磨加工が困難であり、平面精度が低下する。９０°以上
では表面粘着性の発現が困難となる。
が好ましい。２０°以下ではシリコーン弾性体表面の研
磨加工が困難であり、平面精度が低下する。９０°以上
では表面粘着性の発現が困難となる。
【００２０】その後、平面精度の高い硬質基板上で微小
粒径のシリカ等の軟質粒子で研磨するか、もしくは精密
平面研削盤等を用いてシリコーン弾性体表面の平面精度
を高いものとする。研磨加工後の粘着力（タック）は１
０〜２０００ｇ／ｃｍ2 が好ましい。１０ｇ／ｃｍ2 以
下であると半導体ウェーハの研磨加工時に横ズレが発生
し、２０００ｇ／ｃｍ2 以上であると半導体ウェーハの
剥離が困難となる。
粒径のシリカ等の軟質粒子で研磨するか、もしくは精密
平面研削盤等を用いてシリコーン弾性体表面の平面精度
を高いものとする。研磨加工後の粘着力（タック）は１
０〜２０００ｇ／ｃｍ2 が好ましい。１０ｇ／ｃｍ2 以
下であると半導体ウェーハの研磨加工時に横ズレが発生
し、２０００ｇ／ｃｍ2 以上であると半導体ウェーハの
剥離が困難となる。
【００２１】なお、上記粘着力（タック）は、硬質基板
表面のシリコーン弾性体上に半導体ウェーハを載せ、約
８ｇ／ｃｍ2 の荷重をかけ、一定時間放置後垂直方向に
半導体ウェーハを引き上げたときの力を粘着力（ｇ／ｃ
ｍ2 ）で示したものである。
表面のシリコーン弾性体上に半導体ウェーハを載せ、約
８ｇ／ｃｍ2 の荷重をかけ、一定時間放置後垂直方向に
半導体ウェーハを引き上げたときの力を粘着力（ｇ／ｃ
ｍ2 ）で示したものである。
【００２２】半導体ウェーハ吸着時には、シリコーン弾
性体上に半導体ウェーハを装着し、前記硬質基板の裏側
より真空吸引する。この真空吸引により半導体ウェーハ
はシリコーン弾性体に押しつけられる。
性体上に半導体ウェーハを装着し、前記硬質基板の裏側
より真空吸引する。この真空吸引により半導体ウェーハ
はシリコーン弾性体に押しつけられる。
【００２３】その後は真空吸引を止めてもシリコーン弾
性体の表面粘着性により半導体ウェーハはシリコーン弾
性体を介して硬質基板に保持される。このようにシリコ
ーン弾性体の表面粘着性により半導体ウェーハは保持さ
れるので、硬質基板への吸着力は強力であり、半導体ウ
ェーハの研磨加工が容易に行なえる。
性体の表面粘着性により半導体ウェーハはシリコーン弾
性体を介して硬質基板に保持される。このようにシリコ
ーン弾性体の表面粘着性により半導体ウェーハは保持さ
れるので、硬質基板への吸着力は強力であり、半導体ウ
ェーハの研磨加工が容易に行なえる。
【００２４】研磨加工終了後、硬質基板より半導体ウェ
ーハを取外す時は、真空吸着用貫通微小孔から圧縮空気
を噴出させることにより、半導体ウェーハのみを容易に
取り外すことができる。
ーハを取外す時は、真空吸着用貫通微小孔から圧縮空気
を噴出させることにより、半導体ウェーハのみを容易に
取り外すことができる。
【００２５】
【作用】本発明の半導体ウェーハの保持方法で半導体ウ
ェーハの研磨加工を行うことにより、微小粒径の塵、半
導体ウェーハの凹凸が介在しても、シリコーン弾性体の
粘弾性的性質により、シリコーン弾性体内に埋め込まれ
るので、その影響はほとんどない。
ェーハの研磨加工を行うことにより、微小粒径の塵、半
導体ウェーハの凹凸が介在しても、シリコーン弾性体の
粘弾性的性質により、シリコーン弾性体内に埋め込まれ
るので、その影響はほとんどない。
【００２６】なお、前述したごとく、シリコーン弾性体
には各種の無機充填剤を配合することができる。このよ
うな無機充填剤を配合した場合シリコーン弾性体層を用
いる場合には、無機充填剤を配合したシリコーン弾性体
の表面にさらに無機充填剤を配合しない第二のシリコー
ン弾性体層を設けた２層構造とすれば、配合した無機充
填剤に起因する半導体ウェーハ鏡面のスクラッチの虞が
皆無となる利点がある。
には各種の無機充填剤を配合することができる。このよ
うな無機充填剤を配合した場合シリコーン弾性体層を用
いる場合には、無機充填剤を配合したシリコーン弾性体
の表面にさらに無機充填剤を配合しない第二のシリコー
ン弾性体層を設けた２層構造とすれば、配合した無機充
填剤に起因する半導体ウェーハ鏡面のスクラッチの虞が
皆無となる利点がある。
【００２７】また、研磨加工時の半導体ウェーハの保持
をシリコーン弾性体の表面粘着性のみで行なえるので、
真空吸着用貫通微小孔の影響もほとんどない。このよう
に研磨加工された半導体ウェーハは平面度、平行度等の
形状精度が高くなる。さらに、ワックス、接着剤を用い
た場合に比べて工程の短縮化ができ、かつ高精度、高品
質の研磨加工が可能となった。
をシリコーン弾性体の表面粘着性のみで行なえるので、
真空吸着用貫通微小孔の影響もほとんどない。このよう
に研磨加工された半導体ウェーハは平面度、平行度等の
形状精度が高くなる。さらに、ワックス、接着剤を用い
た場合に比べて工程の短縮化ができ、かつ高精度、高品
質の研磨加工が可能となった。
【００２８】
【実施例】次に、本発明の実施例を比較例とともにあげ
て説明する。 実施例１ 付加反応硬化型液状シリコーン（信越化学（株）製、Ｋ
Ｅ−１９４０−５０Ａ／Ｂ）１００重量部に対して、Ｓ
ｉＯ2 単位と（ＣＨ3)2 ＳｉＯ0.5 単位のモル比が１：
０．７５であり、ビニル基を１００ｇ当り０．１１モル
含有する粘着性付与オルガノポリシロキサン２０重量部
及び増粘剤としてポリオキシアルキレンモノブチルエー
テル０．８重量部をゲートミキサーで添加混合する。
て説明する。 実施例１ 付加反応硬化型液状シリコーン（信越化学（株）製、Ｋ
Ｅ−１９４０−５０Ａ／Ｂ）１００重量部に対して、Ｓ
ｉＯ2 単位と（ＣＨ3)2 ＳｉＯ0.5 単位のモル比が１：
０．７５であり、ビニル基を１００ｇ当り０．１１モル
含有する粘着性付与オルガノポリシロキサン２０重量部
及び増粘剤としてポリオキシアルキレンモノブチルエー
テル０．８重量部をゲートミキサーで添加混合する。
【００２９】次に、添付図面中、図１に示した真空吸着
用貫通孔２を有する硬質基板４表面にシリコーンゴム用
プライマーを塗布し、風乾で３０分間放置後、上記シリ
コーン組成物をスクリーン印刷で硬質基板表面に塗布し
た。その後、シリコーン塗布層に硬質基板４より通ずる
貫通孔２’を形成するため、硬質基板裏側より圧縮空気
を送り込み、シリコーン塗布層に貫通孔を形成し、１５
０℃の熱風炉で２時間放置し硬化した。硬化後、精密平
面研削盤（岡本工作機械（株）製、ＰＳＧ−６３ＤＸ）
を用いて、シリコーン弾性体６の表面の平面精度を高い
ものとした。
用貫通孔２を有する硬質基板４表面にシリコーンゴム用
プライマーを塗布し、風乾で３０分間放置後、上記シリ
コーン組成物をスクリーン印刷で硬質基板表面に塗布し
た。その後、シリコーン塗布層に硬質基板４より通ずる
貫通孔２’を形成するため、硬質基板裏側より圧縮空気
を送り込み、シリコーン塗布層に貫通孔を形成し、１５
０℃の熱風炉で２時間放置し硬化した。硬化後、精密平
面研削盤（岡本工作機械（株）製、ＰＳＧ−６３ＤＸ）
を用いて、シリコーン弾性体６の表面の平面精度を高い
ものとした。
【００３０】上記の半導体ウェーハ保持治具Ｈの平面度
は、２．０μｍ、表面粗さＲａは０．８μｍ、粘着力
（タック）９７５ｇ／ｃｍ2 、シリコーン弾性体のゴム
硬度は４７°であった。
は、２．０μｍ、表面粗さＲａは０．８μｍ、粘着力
（タック）９７５ｇ／ｃｍ2 、シリコーン弾性体のゴム
硬度は４７°であった。
【００３１】上記半導体ウェーハ保持治具Ｈを装着した
研磨装置の一例を図３に示した。同図において、８は研
磨液供給源、１０は硬質基板保持部、１２は研磨布、１
４は回転盤、Ｗは半導体ウェーハである。
研磨装置の一例を図３に示した。同図において、８は研
磨液供給源、１０は硬質基板保持部、１２は研磨布、１
４は回転盤、Ｗは半導体ウェーハである。
【００３２】この方法により、合理的にかつ短時間に高
精度、高品質の半導体ウェーハをえることが可能となっ
た。
精度、高品質の半導体ウェーハをえることが可能となっ
た。
【００３３】なお、図４には、シリコーン弾性体６に無
機充填剤を配合した場合、該シリコーン弾性体６の表面
にさらに無機充填剤を配合しない第二のシリコーン弾性
体１６を設けて２層構造とした例を示した。
機充填剤を配合した場合、該シリコーン弾性体６の表面
にさらに無機充填剤を配合しない第二のシリコーン弾性
体１６を設けて２層構造とした例を示した。
【００３４】比較例１ 付加反応硬化型液状シリコーン（信越化学（株）製、Ｋ
Ｅ−１９４０−２０Ａ／Ｂ）１００重量部に対して増粘
剤としてポリオキシアルキレンモノブチルエーテル０．
８重量部をゲートミキサーで添加混合後、実施例１と同
様な製造方法で半導体ウェーハ保持治具を作成した。こ
の半導体ウェーハ保持治具の平面度は１０μｍ、表面粗
さＲａは８．７７μｍ、粘着力（タック）９ｇ／ｃ
ｍ2 、シリコーン弾性体のゴム硬度は２０°であった。
Ｅ−１９４０−２０Ａ／Ｂ）１００重量部に対して増粘
剤としてポリオキシアルキレンモノブチルエーテル０．
８重量部をゲートミキサーで添加混合後、実施例１と同
様な製造方法で半導体ウェーハ保持治具を作成した。こ
の半導体ウェーハ保持治具の平面度は１０μｍ、表面粗
さＲａは８．７７μｍ、粘着力（タック）９ｇ／ｃ
ｍ2 、シリコーン弾性体のゴム硬度は２０°であった。
【００３５】この方法では粘着力（タック）が低いた
め、研磨加工時に横ズレが発生し、なおかつシリコーン
弾性体平面精度の影響によ、高精度の半導体ウェーハを
えることは不可能であった。
め、研磨加工時に横ズレが発生し、なおかつシリコーン
弾性体平面精度の影響によ、高精度の半導体ウェーハを
えることは不可能であった。
【００３６】
【発明の効果】以上のべたごとく、本発明によれば、半
導体ウェーハを硬質基板に保持してその片面を研磨加工
するに際し、半導体ウェーハをワックス、接着剤等を用
いることなく保持し、かつ半導体ウェーハを高精度、高
品質に研磨加工することが可能となった。
導体ウェーハを硬質基板に保持してその片面を研磨加工
するに際し、半導体ウェーハをワックス、接着剤等を用
いることなく保持し、かつ半導体ウェーハを高精度、高
品質に研磨加工することが可能となった。
【図１】本発明方法に用いられる半導体ウェーハ保持治
具の一例を示す断面説明図である。
具の一例を示す断面説明図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明方法を実施するに用いられる研磨装置の
一例を示す概略説明図である。
一例を示す概略説明図である。
２，２’ 真空吸着用貫通微小孔 ４ 硬質基板 ６ シリコーン弾性体 Ｈ 半導体ウェーハ保持治具 Ｗ 半導体ウェーハ
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法に用いられる半導体ウェーハ保持治
具の一例を示す断面説明図である。
具の一例を示す断面説明図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明方法を実施するに用いられる研磨装置の
一例を示す概略説明図である。
一例を示す概略説明図である。
【図４】本発明方法に用いられる半導体ウェーハ保持治
具の他の例を示す断面説明図である。
具の他の例を示す断面説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 首藤 重揮 群馬県碓氷郡松井田町人見大字大宮１−10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材 料技術研究所内 (72)発明者 島本 登 群馬県碓氷郡松井田町人見大字大宮１−10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材 料技術研究所内 (72)発明者 田中 好一 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内 (72)発明者 橋本 浩昌 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内 (72)発明者 鈴木 文夫 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (2)
- 【請求項１】 真空吸着用貫通微小孔を有する硬質基板
表面に平面精度が高い前記微小孔と通ずる孔を設けたシ
リコーン弾性体層を設け、該硬質基板裏側より真空吸引
し半導体ウェーハを保持した後、該ウェーハの研磨加工
を行う際、該シリコーン弾性体の表面粘着性のみで該半
導体ウェーハを保持することを特徴とする半導体ウェー
ハの保持方法。 - 【請求項２】 該シリコーン弾性体が粘着性を有し、該
シリコーン弾性体に含有される粘着性付与剤が分子中に
含有するＳｉＯ2 単位とＲ'3ＳｉＯ0.5 単位（但し、式
中Ｒ' は水素原子、メチル基、ビニル基及びフェニル基
である。）とのモル比が１：０．４〜１：１．５である
オルガノポリシロキサンからなることを特徴とする請求
項１記載の半導体ウェーハの保持方法。
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|---|---|---|---|
| JP30841791A JP2634343B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体ウェーハの保持方法 |
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| US07/966,484 US5335457A (en) | 1991-10-28 | 1992-10-26 | Method of chucking semiconductor wafers |
| DE69205255T DE69205255T2 (de) | 1991-10-28 | 1992-10-26 | Verfahren zum Aufspannen und Fixieren von Halbleiter-Plättchen. |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30841791A JP2634343B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体ウェーハの保持方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661202A true JPH0661202A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2634343B2 JP2634343B2 (ja) | 1997-07-23 |
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|---|---|---|---|
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| US5335457A (en) | 1994-08-09 |
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