JP4845347B2 - 研磨パッドおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、情報記録用樹脂板やＭＥＭＳ素子等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工処理を安定、かつ高い研磨速度で行う研磨パッドに関するものである。本発明の研磨パッドは、特にシリコンウエハ並びにその上に酸化物層、金属層、低誘電体（ｌｏｗ‐ｋ）層、高誘電体（ｈｉｇｈ‐ｋ）層等が形成されたデバイスやＭＥＭＳ製品を、さらにこれらの層を積層・形成する前に平坦化する工程、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程に使用することが好適である。

高度な表面平坦性を要求される材料の代表的なものとしては、半導体集積回路（ＩＣ、ＬＳＩ）を製造するシリコンウエハと呼ばれる単結晶シリコンの円板が挙げられる。シリコンウエハは、ＩＣ、ＬＳＩ等の製造工程において、回路作成に使用する各種薄膜の信頼できる半導体接合を形成するために、各薄膜作成工程において表面を高精度に平坦に仕上げることが要求される。

一般的には、図１に示すように、研磨パッドはプラテンと呼ばれる回転可能な支持円盤に固着され、半導体ウエハは自公転運動可能な研磨ヘッドと呼ばれる円盤に固着される。双方の回転運動により、プラテンと研磨ヘッドとの間に相対速度を発生させ、研磨パッドとウエハとの間隙に微細な粒子（砥粒）を懸濁させた研磨スラリーを付加することで、研磨、平坦化加工が実施される。この際、研磨パッドがウエハ表面上を移動する時、接触点で砥粒がウエハ表面上に押し付けられる。従って、ウエハ表面と砥粒との間の滑り動摩擦的な作用により加工面の研磨が実行される。このような研磨加工は、通常ＣＭＰ加工と称されている。

かかる研磨工程において使用される半導体ウエハの鏡面研磨用パッドとしては、ポリウレタン発泡体タイプの研磨パッド、ポリエステル系の不織布にポリウレタン樹脂を含浸させた研磨布タイプの研磨パッドが公知である。

従来、上記の高精度の研磨に使用される研磨パッドとしては、一般的に空洞率が３０〜３５％程度のポリウレタン発泡体シートが使用されている。また、ポリウレタン等のマトリックス樹脂に中空微小粒子又は水溶性高分子粉末等を分散した研磨パッドを開示した特許文献１に記載の技術も公知である。

現在、局所的な平坦性を向上するために高硬度のポリウレタン発泡体シートを用いた研磨パッドが使用されているが、被研磨体にダストやスクラッチが多く発生するという問題を有している。そこで、特許文献２においては、独立気泡を有するポリウレタン樹脂に親水性のビニル化合物重合体を含浸することにより、水に対する接触角を８０度以下にした研磨パッドを使用し、被研磨体のダストやスクラッチの低減を実現している。

しかし、これらの研磨パッドでは、研磨中に研磨層表面の孔にスラリー中の砥粒、削りかす等がたまって研磨速度を低下させるため、研磨途中で定期的にダイヤモンド砥粒を電着させたヘッドを用いて研磨層表面を研磨し、新しい表面を出すドレス工程が必要となる。であるが、研磨パッド内の空洞は均一に分散していない、空洞の大きさ、形がそろっていない等の理由により、ドレス工程を行い、表面を更新しても同一の表面とはならず、研磨層表面の物性や表面プロファイルがドレス毎に異なり、研磨速度や均一性などの研磨特性に違いを見せるという問題点がある。

また、ポリウレタン発泡体シートは、数ｍｍのブロック体を成形し、研磨層の所定厚みに裁断することで製造しており、ブロック体内の空洞のバラツキが、各シートのバラツキとなり、ロット内の物性のバラツキを発生させるという問題点も有する。

このような問題点を解消するために、研磨層に気孔を有さない非発泡タイプの研磨パッドが提案されている（特許文献３および４）。特許文献３には熱硬化性樹脂シートからなる研磨パッドが記載されており、特許文献４にはプラスチック板を用いた研磨パッドが記載されている。

しかし、上記で述べた全ての研磨パッドは、研磨時に使用されるスラリーの保持、使用済みのスラリーや研磨層・被研磨体の削り屑の排出等を行うために、研磨面に格子状溝や同心円溝や貫通孔等の凹凸を加工する。この加工手段としては、彫刻刀や特許文献５および６に記載されている切削機器（旋削溝加工用工具）等による切削や指定の金型によるプレス等の方法が取られている。このような加工方法では、前者の二つには作業者による加工にばらつき、微細な加工への限界等の問題を抱えており、後者は、金型作製のコストアップ、プレスによる、加工周辺部の物性の変化等の問題を抱えている。

上記の凹凸加工の問題点を解決する方法として、特許文献７では光重合するプレポリマー又はオリゴマーからなる液状前駆体を型に流し込み、放射線照射部を硬化し未露光の液状前駆体を除去するという、フォトリソグラフィー法を用いての研磨面の加工を提案している。

上記の液状の感光性樹脂を用いての塗布では、ある程度の厚みのあるパッドを作製するとなると、液状樹脂故に支持体上で経時的に広がりをみせ、厚み精度に問題を起こす。また、それを改善するために、スペーサー等を導入して生産を行うということは、効率の低下を招く。また、露光前は液状であるため、露光して固体化するまでの製品管理（温度管理等）が難しく、また、製品のストックも困難となり、工業的効率を低下させる要因となる。

これらの問題点を解消するため、本発明者等は、光開始剤と固体の光反応性化合物から構成された固体状のシート状成形体や少なくとも光開始剤と固体高分子、固体または及び液体の光反応性化合物から構成された固体状の感光性樹脂シート上を研磨パッドに使用することを提案し（特願２０００‐３６７４６９号）、上記のような厚みの経時変動を低減させることに成功した。また、感光性樹脂シート上に放射線の透過部と非透過部を持ったフィルムをのせ、放射線透過部に、光変性を誘起し、溶剤に対する溶解性を変化させることにより、溶剤による選択的除去を行い、少なくともパッドの一表面に凹凸部をもったパターンをもった研磨パッドを作製することで、研磨特性に優れた研磨パッドの作製に成功した。更に、表面の凹凸を最適化することで、研磨途中にドレス工程を入れることなく研磨が行える研磨パッドの作製に成功した。

更に本発明者等は、上記のような研磨パッドと、貯蔵弾性率２００ＭＰａ以上を有する研磨パッドとを組み合わせることにより、平坦性の向上を図ることも可能とした（特願２００１‐２６９９２８号）。

しかしながら、無発泡の研磨パッドを用いることにより、現在使用されている発泡体を用いた研磨パッドに比べ、スラリーの保持性を発現する気泡を有さないため、研磨表面でのスラリーの保持性が極めて低くなり、被研磨面での研磨特性が低下するという問題が生じた。
特表平８‐５００６２２号公報 特開２００２‐３７０１５７公報 特開２００２‐１６５０号公報 特開２００２‐６４０７１号公報 特開２００１‐１８１６４号公報 特開２００２‐１８４７３０号公報 特表２００１−５０７９９７号公報

本発明の目的は、上記のような従来の研磨パッドの有する問題点を解決し、研磨特性の優れた無発泡の研磨パッドを提供することにある。

本発明者等は上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、研磨パッドの研磨層表面のスラリーに対する濡れ性を向上させる、即ち、研磨層表面の水に対する接触角を特定範囲内に規定することにより、研磨特性の優れた無発泡の研磨パッドが得られることを知見し、このような知見に基づき、本発明を完成させた。

即ち、本発明は、固体高分子、光反応性化合物および光重合開始剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物から形成され、かつ水に対する接触角７０度以下を有することを特徴とする研磨パッドに関する。

更に、本発明を好適に実施するためには、
上記固体高分子の主鎖または側鎖の少なくとも１部分に親水性を有する基を含有し；
上記光反応性化合物の主鎖または側鎖の少なくとも１部分に親水性を有する基を含有し；
表面に凹凸部を有するパターンが形成され；
裏面に更に他の層を設けてあり；
光変性後の研磨パッド用シートが、４００〜７００ｎｍの波長領域の光に対して、１ｍｍの厚みに換算した透過率２０〜１００％を有し；
研磨の対象物が半導体用ウエハ、ハードディスク用ウエハ、ガラス板、ＭＥＭＳ素子である；ことが好ましい。

本発明の他の態様として、（ａ）固体高分子、光反応性化合物および光重合開始剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物を提供する工程、
（ｂ）支持体上に該研磨パッド用組成物の層を形成して研磨パッド用シートを形成する工程、
（ｃ）該研磨パッド用シートの上に放射線透過部と非透過部とを有するフィルムを載せて、放射線を照射して光変性を行う工程、
（ｄ）溶剤による選択的除去を行って、該研磨パッド用シートの表面に凹凸部を有するパターンを形成する工程、
（ｅ）乾燥する工程
を含む、研磨パッドの製造方法がある。

更に、本発明を好適に実施するためには、
上記研磨パッド用シートを形成する工程（ｂ）が、
（ｉ）溶剤を含有する研磨パッド用組成物を支持体上に塗布する工程、および
（ｉｉ）該溶剤を除去する工程
を含み；
上記研磨パッド用シートを形成する工程（ｂ）が、放射線透過性を有する２つの支持体の間に前記研磨パッド用組成物の層を形成して行われる；
ことが好ましい。

本発明の更に別の態様として、本発明の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法がある。

本発明によれば、固体高分子、光反応性化合物および光重合開始剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物から形成され、かつ水に対する接触角を特定範囲内に規定することによって、研磨特性の優れた無発泡の研磨パッド、上記研磨パッドの製造方法および上記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法を提供することを可能としたものである。

本発明の研磨パッド用感光性樹脂組成物は、前述のように、固体高分子、光反応性化合物および光重合開始剤を含有する。本発明でいう固体とは、２０〜２５℃にて流動性を持たないものを指しており、流動性とは、フラットな面にその物質を置いたときに、経時的な拡がりが見られるものを示す。例えば、ゴムや粘弾性物質は経時的な拡がりを見せないので、本発明における固体の範囲に入る。

本発明の研磨パッドは、水に対する接触角７０度以下を有することを要件とするが、好ましくは５０度以下である。上記接触角が７０度を越える場合は、研磨表面でのスラリーの保持性が悪く、研磨特性を低下させるために好ましくない。更に、本発明の研磨パッドにおいては、研磨層表面のスラリーに対する濡れ性を向上させるため、研磨層表面の水に対する接触角は小さいことが望ましく、上記接触角の下限値は好ましくは０度であり、研磨層表面でのスラリーの良好な保持性に加えて、研磨層の親水性が大きくなって研磨中の研磨層の物性変化が大きくなる可能性を考慮して、より好ましくは３０度である。接触角の測定は液滴法を適用する。接触角計（協和界面科学社製）の試料台に測定試料を水平に固定し、テフロン^{（登録商標）}製の針先にできた直径２ｍｍ以下の水滴を測定試料面に近づける。試料面と水滴を接触させ、水滴を試料面に付着させる。付着した水滴の接触角を測定する。

本発明の研磨パッドの水に対する接触角を上記範囲内とするために、研磨パッド用感光性樹脂組成物中の固体高分子の主鎖または側鎖の少なくとも１部に親水性を有する基を含有することが好ましい。

親水性を有する基としては、アミノ基（第１アミン基）、イミノ基（第２アミン基）、第３アミン基、第４アンモニウム塩基、カルボキシル基、スルホン基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ヒドロキシル基、エーテル基、アミド基、エステル基、ウレタン基、ウレア基などが挙げられる。これらの親水性基を単独で用いても、２つ以上の親水性基を含有するようにしても構わない。これらの親水基の含有量は、研磨パッドの水に対する接触角を上記範囲内とすることができればよく、限定されることはない。

具体的な高分子としては、ポリビニルアルコール類、ポリエチレンオキサイド類、ポリアクリル酸類、ポリビニルピロリドン類、ポリエーテルウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、また、これらの樹脂を化学変性させた樹脂などが挙げられる。塩基性窒素を含有させたポリアミド樹脂が好ましい。さらに、塩基性窒素をアンモニウムイオン化したポリアミド樹脂が好ましい。樹脂をイオン化することにより親水性を高める場合は、アンモニウムイオンのような非金属性イオンを用いることが、被研磨対象物への金属汚染を低減する点で好ましい。

また、本発明の研磨パッド用組成物において、得られる研磨パッドの水に対する接触角を上記範囲内とするために、研磨パッド用組成物中の光反応性化合物の主鎖または側鎖の少なくとも１部に親水性を有する基を含有することが好ましい。

本発明の光反応性化合物とは、光により化学反応を起こす化合物を示しており、ここでいう光とは、可視光線、紫外線、電子線、ＡｒＦレーザー光、ＫｒＦレーザー光等のエネルギー線である。

上記に示したような親水性を有する基をもった光反応性化合物としては、これらに限定されるものではないが、
アクリル酸、メタアクリル酸、２‐メタクリロイロキシエチルコハク酸や２‐メタクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２‐アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸などのカルボキシル基含有化合物；
２‐ヒドロキシエチルアクリレート、２‐ヒドロキシブチルアクリレートや２‐ヒドロキシプロピルアクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類、グリセリンジメタクリレート、２‐ヒドロキシ‐３‐アクリロイロキシプロピルメタクリレート、３‐クロロ‐２‐ヒドロキシプロピルメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレートなどの水酸基含有化合物；
メトキシジエチレングリコールメタクリレートやメトキシトリエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート等のポリエチレングリコール（メタ）アクリレート類、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ＃２００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ＃４００ジメタクリレート、ＰＥＧ＃６００ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ系アルキレンオキサイド付加物のアクリレート、ノニルフェノールタイプエチレンオキサイド付加物のアクリレート、アルキレングリコールタイプアクリル酸変性物などのエーテル基含有化合物；
ジメチルアミノエチルメタクリレートやその４級化物；
２−メタクリロイロキシエチルアシッドホスフェートなどのリン酸基含有化合物；
エチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物のような、アルコールのグリシジルエーテル変性物の（メタ）アクリル酸付加物などのエポキシアクリレートエーテル基と水酸基含有化合物；
ウレタンアクリレートのようなウレタン基含有化合物；等が挙げられる。

本発明の研磨パッド用組成物に用いられる固体高分子として、それ自体が光反応性を有しているものを用いてもよく、上記固体高分子の親水性に大きく影響を与えない程度に混合する。具体的には、活性エチレン基を含む化合物や芳香族多環化合物を高分子の主鎖や側鎖に導入したもの；ポリビニルシンナメート、ｐ‐フェニレンジアクリル酸をグリコールと縮重合した不飽和ポリエステル、シンナミリデン酢酸をポリビニルアルコールにエステル化したもの、シンナモイル基、シンナミリデン基、カルコン残基、イソクマリン残基、２，５‐ジメトキシスチルベン残基、スチリルピリジニウム残基、チミン残基、α‐フェニルマレイミド、アントラセン残基、２‐ピロン等の感光基を高分子の主鎖や側鎖に導入したもの等、ジアゾ基やアジド基を高分子の主鎖や側鎖に導入したもの；ｐ‐ジアゾジフェニルアミンのパラホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンジアゾジウム‐４‐(フェニルアミノ)‐ホスフェートのホルムアルデヒド縮合物、メトキシベンゼンジアゾジウム‐４‐(フェニルアミノ）の塩付加物のホルムアルデヒド縮合物、ポリビニル‐ｐ‐アジドベンザル樹脂、アジドアクリレート等、主鎖または側鎖中にフェノールエステルが導入された高分子；（メタ）アクリロイル基等の不飽和炭素‐炭素二重結合が導入された高分子；不飽和ポリエステル、不飽和ポリウレタン、不飽和ポリアミド、側鎖にエステル結合で不飽和炭素‐炭素二重結合が導入されたポリ（メタ）アクリル酸、エポキシ（メタ）アクリレート、ノボラック（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、種々の感光性ポリイミド、感光性ポリアミド酸、感光性ポリアミドイミド等、またフェノール樹脂をアジド化合物との組み合わせで使用できる。また、エポキシ樹脂や化学架橋型部位を導入したポリアミドを光カチオン重合開始剤との組み合わせで使用できる。天然ゴム、合成ゴム、環化ゴムをビスアジド化合物との組み合わせで使用できる。

本発明の光重合開始剤とは、光の照射により、何らかの化学反応をおこし、他の成分の化学反応を誘発するものである。例えば、光架橋を開始させるもの、光重合を開始させるもの（ラジカル重合、カチオン重合等）、光により構造を変化して溶解特性を変化させるもの、光により酸などを発生させるものなどが挙げられる。

光重合開始剤としては、光により化学反応を行う物であれば限定なく使用可能であり、具体的には、光架橋を開始させるものとしては、ビスアジド化合物などが挙げられる。

光ラジカル重合開始剤としては、ｉ線（３６５ｎｍ）付近の紫外線を光源に用いた場合では、芳香族ケトン類としては、ベンゾフェノン、４，４’‐ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’‐ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４‐メトキシ‐４’‐ジメチルアミノベンゾフェノン、２‐ベンジル‐２‐ジメチルアミノ‐１‐（４‐モルホリノフェニル）‐ブタン‐１‐オン、２‐エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等、ベンゾイン類としては、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等、ベンジル誘導体としては、ベンジルジメチルケタール等、イミダゾール類としては、２‐（ｏ‐クロロフェニル）‐４，５‐ジフェニルイミダゾール二量体、２‐（ｏ‐クロロフェニル）‐４，５‐ジ（ｍ‐メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２‐（ｏ‐フルオロフェニル）‐４，５‐フェニルイミダゾール二量体、２‐（ｏ‐メトキシフェニル）‐４，５‐ジフェニルイミダゾール二量体、２‐（ｐ‐メトキシフェニル）‐４，５‐ジフェニルイミダゾール二量体、２‐（２，４‐ジメトキシフェニル）‐４，５‐ジフェニルイミダゾール二量体等、アクリジン誘導体としては、９‐フェニルアクリジン、１，７‐ビス（９，９’‐アクリジニル）ヘプタン等、Ｎ‐フェニルグリシンなどが挙げられる。これらは単独または２種以上を組み合わせて用いられる。

光カチオン重合開始剤としては、光によって酸が発生するものが挙げられる。具体的には、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールセレノニウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアルキル‐４‐ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、スルホン酸エステル、鉄‐アレーン化合物、シラノール‐アルミニウム錯体等がある。

固体高分子は、研磨パッドの弾性率（ヤング率）、バルク硬度、圧縮率、圧縮回復率などの機械的特性の向上や光反応前の研磨パッドの経時的厚みの変動を低減させるために添加することも可能である。ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンやこれらの複合体、混合体等が挙げられるが、上記目的が達成される固体高分子であれば限定されることはない。

本発明のパッド用組成物においては、必要に応じては増感剤、酸化防止剤、可塑剤、熱重合禁止剤等の添加剤を添加することが可能である。

本発明の研磨パッドは、上記のようなパッド用感光性樹脂組成物を用いて製造する。次に、その製造方法について説明する。本発明の研磨パッドの製造方法は、前述のように、
（ａ）上記研磨パッド用感光性樹脂組成物を提供する工程、
（ｂ）支持体上に上記研磨パッド用組成物の層を形成して研磨パッド用シートを形成する工程、
（ｃ）上記研磨パッド用シートの上に放射線透過部と非透過部とを有するフィルムを載せて、放射線を照射して光変性を行う工程、
（ｄ）溶剤による選択的除去を行って、上記研磨パッド用シートの表面に凹凸部を有するパターンを形成する工程、
（ｅ）乾燥する工程
を含むことを要件とする。

上記研磨パッド用シートは支持体上に上記研磨パッド用組成物の層をシート成形することによって作製するが、一般的なシート成形法を用いて作製することができる。そのような方法としては、プレス機、プレスロール等を用いるシート成形法が可能であるが、それらに限定されるものではない。

上記支持体としては、使用する放射線に対して透過性を有するものが好ましい。フィルムのような薄いものでもよいし、プラスチック板のような厚いものでもよい。また、表面に離型効果を示すものをコートした支持体を用いてもよい。

また、上記研磨パッド用シートを作製する際に、放射線透過性を有する２つの支持体の間に上記研磨パッド用組成物の層を形成してもよい。

本発明において、上記研磨パッド用シートは、様々な形態で使用可能である。例えば、シート状、円状、ベルト状、ロール状、テープ状などが挙げられる。研磨の様式に応じて対応することが好ましい。

上記研磨パッド用シートを成形する場合、用いる装置、機械的条件に応じて、光開始剤や光反応性化合物等を溶剤に溶解し、混練して、溶剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物を作製し、成形前または成形後に溶剤除去を行う工程を含んでもよい。

本発明における放射線を照射し光反応を行う場合には、放射線の透過部と非透過部を持ったフィルムを、研磨特性に最適な凹凸（パターン）を形成する研磨パッドの表面に載せて放射線を照射する。またこのとき、フィルムと研磨パッド用シートの密着度を向上させるために真空下での照射も可能である。

また、放射線の照射において、パターンを形成する表面と反対側の裏面から放射線を照射し、パターンの深度に影響を及ぼさない厚みまで光硬化を行うことも可能である。

本発明において、放射線照射による化学反応によって、放射線の透過部分と非透過部分で溶剤に対する溶解性に差をつけ、適当な溶剤により、選択的な除去を行う。このような除去溶剤としては、限定されるものではなく、用いる原料によって適宜選択される。また、場合によっては、除去効率を向上させるために、除去中の溶剤をある一定の温度まで加温して使用してもよい。

本発明の研磨パッドは、被研磨対象物と接触する研磨層表面には、スラリーを保持・更新する表面形状を有することが好ましい。また、本発明の研磨パッドは、無発泡体を用いていることにより、発泡体のような研磨表面の多くの開口は存在せず、スラリーを保持する働きは、研磨層素材のスラリーとの親和性のみである。更なるスラリーの保持性とスラリーの更新を効率よく行うため、また被研磨対象物との吸着による被研磨体の破壊を防ぐためにも、研磨層表面に凹凸パターンを有することが好ましい。本発明の凹凸パターンはスラリーを保持・更新するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ＸＹ格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、円錐、多角錘、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝やこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、これらの表面凹凸パターンは規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。被研磨材の硬さや弾性特性、使用するスラリーの砥粒の大きさや形状や硬さ、積層する場合には、研磨層以外の層の硬さ、弾性特性等により、それぞれの条件に最適な凹凸形状が選択される。ある一定荷重でのガラスと研磨パッドの摩擦係数としての動摩擦係数が１．２７未満、静摩擦係数が１．４９未満であることが好ましい。これらの値を超えると、研磨中に被研磨体がはずれる可能性が高くなるため好ましくない。

本発明における研磨パッド用シートは、照射する放射線の波長での透過率が１〜１００％、好ましくは１０〜１００％が望ましい。上記透過率が１％未満では、光の照射エネルギーが不足し、反応を効率よく進行させる事ができない。

本発明における研磨パッドは、透明性の高い研磨パッドであるため、これまで一般的に光の干渉を用いて被研磨体の膜厚を研磨中に検出する研磨方法で用いられてきた、光透過領域と研磨領域を別々に持つ研磨パッドと異なり、光透過領域と研磨領域が同一組成・境界を持たない研磨パッドにすることが可能である。

本発明における研磨パッドは、波長領域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおいての透過率が２０〜１００％、好ましくは３０〜１００％であることが望ましい。上記透過率が２０％未満では、光の干渉を用いて被研磨体の膜厚を研磨中に検出する際に、検出精度が不足し、再現性ある研磨が困難となる。

本発明における研磨パッドの厚みは０．１〜１０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｍｍである。

本発明の研磨パッドは、上記のような研磨パッド用感光性樹脂組成物から形成された層以外に、裏面に更に他の層を設けたものであってもよく、例えば研磨層とクッション層を積層させることも可能である。クッション層は研磨層と研磨装置のプラテンとの間に位置するものであり、研磨の特性を補うものである。クッション層は、ＣＭＰにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要である。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨対象物を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨対象物全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッション層の特性によってユニフォーミティを改善することを行う。本発明の研磨パッドにおいては、クッション層は研磨層より柔らかいものを用いる。

上記クッション層に使用されるものとしては、研磨層より柔らかいものであれば限定されることはない。例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。

研磨層とクッション層とを貼り合わせる手段としては、研磨層とクッション層に両面テープを挟みプレスする方法が挙げられる。

両面テープは、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を取ったものである。クッション層へのスラリーの浸透等を防ぐことを考慮すれば、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、研磨層とクッション層は組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。

また、本発明の研磨層は、光に対する透過性が高い透明なものであるため、表面や内部に光による硬化性を利用した接着剤を有するクッション素材を用いることで、両面テープを使用せずに直接、研磨層とクッション層を積層させてもよい。

クッション層と両面テープとを張り合わせる手段としては、クッション層に両面テープをプレスする方法が挙げられる。

両面テープは、上述と同様に不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を取ったものである。研磨パッドの使用後に、プラテンから剥がすことを考慮すれば、基材にフィルムを用いることがテープ残り等を解消することができ好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、クッション層とプラテンは組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。

本発明の研磨パッドにおける研磨層は、硬度３５〜８０を有することが好ましい。上記硬度は、ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７に準拠して、研磨層から２ｃｍ×２ｃｍ（厚み：任意）の硬度測定用試料を切り出し、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置し、試料を重ね合わせて厚み６ｍｍ以上とし、硬度計（高分子計器社製 アスカーＤ型硬度計）を用いて測定した。上記硬度が４５度未満の場合、被研磨対象物のプラナリティ（平坦性）が悪化し、また、８０度より大きい場合はプラナリティは良好であるが、被研磨対象物のユニフォーミティ（均一性）が悪化してしまう。

本発明の研磨パッドにおける研磨層の圧縮率は、０．５〜５．０％であることが好ましい。前記範囲に圧縮率があることにより、プラナリティとユニフォーミティを両立させることが可能となる。圧縮率は、次式で表される。

［Ｔ１は研磨層に無負荷状態から３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ２はＴ１の状態から１８０ＫＰa（１８００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みである。］

本発明の研磨パッドにおける研磨層の圧縮回復率が、５０〜１００％であることが好ましい。圧縮回復率がこの範囲を逸脱する場合、被研磨対象物による繰り返しの荷重が研磨中に研磨領域にかかるにつれて、研磨層厚みに大きな変化が現れ、研磨特性の安定性が悪化してしまうため好ましくない。圧縮回復率は、次式で表される。

［Ｔ１は研磨層に無負荷状態から３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ２はＴ１の状態から１８０ＫＰa（１８００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ３はＴ２の状態から無負荷状態で６０秒間保持し、その後、３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みである。］

本発明の研磨パッドにおける研磨層の貯蔵弾性率が、測定温度４０℃、測定周波数１Ｈｚにおいて、２００ＭＰａ以上であることが好ましい。貯蔵弾性率とは、光硬化後のシートに、動的粘弾性測定装置で引っ張り試験用治具を用い、正弦波振動を加え測定した弾性率のことをいう。貯蔵弾性率が２００ＭＰａ未満の場合、研磨領域の表面の強度が低下し、被研磨対象物のプラナリティ（平坦性）が悪化してしまうため好ましくない。

本発明の研磨パッドを用いて、被研磨対象物を研磨する場合、限定されるわけではないが、一般的には、図１に示すような装置を用いる。研磨パッド（１）はプラテン（２）と呼ばれる回転可能な支持円盤に固着され、被研磨対象物（４）は自公転運動可能な研磨ヘッド（５）と呼ばれる円盤にバッキングパッドを用いた水吸着や真空吸着によって固着される。研磨ヘッドに好適な圧力をかけることにより被研磨対象物を研磨パッドに押しつけ、双方の回転運動により、プラテンと研磨ヘッドとの間に相対速度を発生させ、研磨パッドと被研磨対象物との間隙に微細な粒子（砥粒）を懸濁させたスラリー（３）が入りこむように供給することで、被研磨対象物の研磨、平坦化加工を行っている。この際、研磨パッドが被研磨対象物表面上を移動する時、接触点で砥粒が被研磨対象物表面上に押し付けられる。従って、被研磨対象物表面と砥粒との間の滑り動摩擦的な作用により加工面の研磨が行われる。

本発明の研磨パッドの被研磨対象物としては、レンズ、反射ミラー等の光学材料や半導体デバイスに用いられるシリコンウエハ、プラズマディスプレーやハードディスク用のガラス基板、情報記録用樹脂板やＭＥＭＳ素子等の高度な表面平坦性を要求される材料が挙げられる。特に本発明の研磨パッドは、シリコンウエハ並びにその上に酸化物層、金属層、低誘電体（Ｌｏｗ‐ｋ）層、高誘電体（ｈｉｇｈ‐ｋ）層等が形成されたデバイスの研磨に有効である。

半導体デバイスに使用される半導体ウエハ表面を研磨する場合、半導体ウエハ上に形成された絶縁層や金属層を研磨する。絶縁層としては、現在、酸化シリコンが主流であるが、半導体の高集積化に伴う配線間距離の縮小による遅延時間の問題から低誘電率を持った有機、無機材料やこれらを発泡させることによって更に低誘電率化したものが挙げられる。これらの絶縁層として、ＳＴＩや金属配線部の層間絶縁膜などが挙げることができる。金属層としては、銅、アルミ、タングステンなどがあり、プラグ、（デュアル）ダマシンなどによって構造される。金属層の場合、バリア層を設けており、これも研磨対象となる。

使用されるスラリーとしては、被研磨対象物の研磨、平坦化を可能とするものであればよく、限定されるものではない。半導体ウエハを研磨する場合、砥粒として、ＳｉＯ_２、ＣｅＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＭｎＯ_２などを含有した水溶液を用いる。砥粒種は、研磨する対象によって変えられる。研磨対象物がシリコンウエハ上のシリコン酸化物である場合は、ＳｉＯ_２を砥粒として含んだアルカリ性水溶液やＣｅＯ_２を砥粒として含んだ中性水溶液が用いられるのが一般的である。また、シリコンウエハ上の研磨対象物がアルミ、タングステン、銅等の金属の場合、それら金属表面を酸化させることの出来る酸性水溶液に砥粒を含んだものが用いられる。また、金属を研磨する場合、金属膜は脆く、スクラッチと呼ばれる傷を付けやすいことから、砥粒を含まない酸性水溶液を用いられる時もある。ウエハと研磨パッドの摩擦抵抗の低減や、スクラッチの低減、研磨速度の制御をする目的で、界面活性剤を滴下しながら研磨を行なっても良い。界面活性剤は、それ単独で本発明の研磨パッド上に滴下しても良くまた、前述のスラリー中に予め混合して滴下しても良い。

被研磨対象物を研磨する場合、被研磨対象物を研磨パッドに押しつける圧力や研磨パッドを固着したプラテンと被研磨対象物を固着させた研磨ヘッドの相対速度が被研磨対象物の研磨量に大きな影響を与える。相対速度や圧力は、被研磨対象物の種類やスラリーの種類によって異なり、研磨量と平坦性等の両立する点を研磨条件として用いる。

また、研磨の際、研磨パッドの研磨面は被研磨対象物によって平滑化され、研磨特性の低下を招く。平滑化を抑制することを行うことも可能である。具体的には、ダイヤモンドを電着させたドレッサーによる定期的なドレッシングや化学的に研磨表面を溶解させるなどの機械的、化学的手法を用いることが可能である。

ドレッサーによるドレッシングにおいて、本発明の研磨パッドの研磨層は無発泡体であることから、被研磨体との吸着防止や被研磨体に対する掻き取り効果向上などのために、研磨層表面に細かな目立てを行うことが望ましい。蒸着されている砥粒のサイズが小さいドレッサー、蒸着砥粒の突き出し高さが低いドレッサー、砥粒間の間隔が狭いドレッサーを用いることが上記を実現するために望ましい。

また、本発明の研磨パッドは無発泡体であることから、ミクロな気泡内の研磨屑を除去する必要がないため、ブラシによる洗浄、高圧水による洗浄等を行うことで凹凸内の詰まりを容易に低減させる事も可能である。

以下、実施例により、この発明を更に詳しく説明するが、本発明は実施例により特に制限されるものではない。

透過率測定方法
２ｃｍ×６ｃｍ（厚み：任意）の大きさに切り出した光硬化後のシートを透過率測定用試料とした。分光光度計（日立製 Ｕ−３２１０ Ｓｐｅｃｔｒｏ Ｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）を用いて、測定波長域４００〜７００ｎｍで測定した。これらの透過率の結果を、Ｌａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒの法則を用いて、厚み１ｍｍの透過率に換算して決定した。

硬度測定方法
ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７に準拠して行った。研磨領域に用いられる研磨層を２ｃｍ×２ｃｍ（厚み：任意）の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み６ｍｍ以上とした。硬度計（高分子計器社製 アスカーＤ型硬度計）を用い、硬度を測定した。

圧縮率・圧縮回復率測定方法
研磨領域に用いられる研磨層を直径７ｍｍの円（厚み：任意）に切り出したものを圧縮率・圧縮回復率測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で４０時間静置した。測定には熱分析測定器 ＴＭＡ（ＳＥＩＫＯ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製 ＳＳ６０００）を用い、圧縮率と圧縮回復率を測定した。また、圧縮率と圧縮回復率の計算式を下記に示す。

［Ｔ１は研磨層に無負荷状態から３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ２はＴ１の状態から１８０ＫＰa（１８００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みである。］

［Ｔ１は研磨層に無負荷状態から３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ２はＴ１の状態から１８０ＫＰa（１８００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ３はＴ２の状態から無負荷状態で６０秒間保持し、その後、３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みである。］

貯蔵弾性率測定法
ＪＩＳ Ｋ７１９８−１９９１に準拠して行った。研磨領域に用いられる研磨層を３ｍｍ×４０ｍｍの短冊状（厚み；任意）に切り出したものを動的粘弾性測定用試料とし、２３℃の環境条件で、シリカゲルを入れた容器内に４日間静置した。切り出した後の各シートの正確な幅および厚みの計測は、マイクロメータにて行った。測定には動的粘弾性スペクトロメーター（岩本製作所製、現アイエス技研）を用い、貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。その際の測定条件を下記に示す。

（測定条件）
測定温度；４０℃
印加歪 ；０．０３％
初期荷重；２０ｇ
周波数 ；１Ｈｚ

接触角測定
研磨パッド用感光性樹脂組成物をポリエステルフィルム（厚み１２５μｍ）の間に挟み、プレス機にて１００℃、１０気圧でプレスし、シート状成形体を得た。この成形体に表裏１０分間ずつ、紫外線照射（高圧水銀灯、オーク社製）を行い完全硬化させた。表裏のポリエステルフィルムを剥離し、感光性シートを接触角計（協和界面科学社製）の試料台に測定試料を水平に固定した。テフロン^{（登録商標）}製の針先にできた直径１．８ｍｍの水滴を測定試料面に近づけ、試料面と水滴を接触させ、水滴を試料面に付着させた時の接触角を測定した。

研磨速度評価
研磨装置として、ＮＦ３００（ナノファクター社製）を用い、作製した研磨パッドを定盤（プラテン）に貼り付け、研磨速度の評価を行った。研磨速度は３インチ（７６ｍｍ）のシリコンウエハ上に熱酸化膜を１μｍ成膜したものを、所定時間研磨して、ウエハ表面を乾かさないようにし、純水を流しながらウエハ表面をＰＶＡ製のスポンジで洗浄し、エアを吹き付け乾燥させた。その後、ウエハの膜厚を測定し算出した。酸化膜の膜厚測定には、光干渉型膜厚測定装置（大塚電子社製）を用いた。研磨条件としては、スラリーとしてシリカスラリー（ＳＳ１２、キャボット社製）を研磨中に流量２５ｃｃ／分にて添加した。研磨荷重としては１４０ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数７５ｒｐｍ、ウエハ回転数３５ｒｐｍとした。ドレス条件として、＃２７０ドレッサーを使用し、ドレス荷重７０ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数７５ｒｐｍ、ドレッサー回転数３５ｒｐｍ、純水の流量２５ｃｃ／分で行った。

スクラッチ評価
研磨速度評価時の研磨条件で１分間研磨した。研磨したウエハ表面を乾かさないようにし、純水を流しながらウエハ表面をＰＶＡ製のスポンジで洗浄した。さらに、ウエハを５％フッ酸水溶液（２３℃）１０分間浸漬した。膜厚約３０００Åエッチングし、ダストの除去及びスクラッチ部の拡大を行った。２０倍の光学顕微鏡でウエハ全面をスキャンニングし、０．５μｍ以上のスクラッチ個数をカウントした。

膜厚検出評価
ウエハの膜圧の光学的検出評価は以下のような手法で行った。８インチのシリコンウエハに熱酸化膜を１μｍ製膜したものを用い、その上に、研磨層（１．２７ｍｍ）を設置した。干渉式膜厚測定装置（大塚電子社製）を用い、波長領域４００〜７００ｎｍにおいて膜厚測定を数回行った。算出される膜厚結果、及び各波長での干渉光の山と谷の状況確認を行い、光透過領域の膜厚検出を以下のような基準で評価した。
評価基準
○：再現性が良く膜厚が測定されている
×：再現性が悪く、検出精度が不十分である

実施例１
ポリアミド樹脂（ε‐カプロラクタム／Ｎ，Ｎ’‐ビス（γ‐アミノプロピル）ピペラジンアジペート／１，３‐ビスアミノメチルシクロヘキサンアジペートの重合体）５５．０部、Ｎ‐メチルトルエンスルホン酸アミド７．７部、１，４‐ナフトキノン０．０２部、メタノール５０．０部、水１０部を撹拌機付き加熱溶解釜中で６０℃、２時間混合してポリマーを完全溶解してから、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルのアクリル酸付加物３０．１部、メタクリル酸３．１部、ハイドロキノンモノメチルエーテル０．１部、亜硫酸アンモニウム０．３部とベンジルジメチルケタール１．０部を混ぜて３０分間溶解した。次に、徐々に昇温してメタノールと水を留出させ、固体の感光性樹脂組成物を得た。この組成物を１２５μｍ厚みのポリエステルフィルムと厚み２μｍのポリビニルアルコール（ＡＨ‐２４、日本合成化学社製）の被膜をコートした１２５μｍ厚みのポリエステルフィルムとの間に、被膜が感光性樹脂に接するように挟み、プレス機にて１００℃、１０気圧でプレスし、樹脂厚み１．２７ｍｍの研磨パッド用シート（シート状成形体）を得た。ポリビニルアルコールを被膜したポリエステルフィルムのみを剥離し、ポリビニルアルコールの被膜された研磨パッド用シート上に、ネガフィルム（円柱と同心円溝の複合形状を形状として得ることができるパターンをパッドの所定直径に配置させたもの）を真空密着させ、紫外線照射を６０秒間行った。次にブラシ式ウォッシャー（日本電子精機社製）で２３℃、１２０秒間、ブラッシングを行い、紫外線の照射させていない未露光部を除去した。現像液には超純水（比抵抗値１０ＭΩ・ｃｍ以上）を使用した。更に、６０℃で３０分間、温風乾燥した後に、紫外線照射を１０分間行い、研磨パッド用シートを完全硬化し、直径２０ｃｍの研磨パッド用シートを得た。このシートの溝加工面と反対の面（研磨面）にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製 ダブルタックテープ）を貼り、更に、クッション層としては、表面をバフがけ、コロナ処理をしたポリエチレンフォーム（東レ社製 トーレペフ）（厚み０．８０ｍｍ）をラミ機を使用して貼り合わせ、クッション層の貼り合わせた面と反対の面にラミ機を使用して両面テープを貼り合わせ、研磨パッドを作製した。研磨層の各物性を以下の表１〜２に示す。

実施例２
Ｎ‐メチルトルエンスルホン酸アミドを添加しない以外は、実施例１と同様に行い研磨パッドを作製した。研磨層の各物性を以下の表１〜２に示す。

実施例３
メタクリル酸をイタコン酸に変更する以外は、実施例２と同様に行い研磨パッドを作製した。研磨層の各物性を以下の表１〜２に示す。

比較例１
ポリウレタン樹脂（バイロンＵＲ‐１４００ 東洋紡株式会社製）２００ｇ、トリメチロールプロパントリメタクリレート４０ｇ、ベンジルジメチルケタール１ｇをニーダーを用いて撹拌混合し、溶剤を除去し、固体の感光性組成物を得た。この組成物をフィルムに挟み、プレス機にて１００℃、１０気圧でプレスし、樹脂厚み１．２７ｍｍの研磨パッド用シート（シート状成形体）を得た。この研磨パッド用シートに所定時間、紫外線照射を行い、更に、反対側の面に所望のパターンを描いたフィルムをのせ、紫外線照射を行い、フィルムをはがし現像を行った。６０℃で３０分間、温風乾燥した後に、紫外線照射を１０分間行い、研磨パッド用シートを完全硬化し、直径２０ｃｍの研磨パッド用シートを得た。
以下は、実施例１と同様にして研磨パッドを作製した。研磨層の各物性を以下の表１〜２に示す。

比較例２
トルエンジイソシアネート（２，４‐体／２，６‐体＝８０／２０の混合物）１４７９０重量部、４，４’‐ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート３９３０重量部、ポリテトラメチレングリコール（数平均分子量：１００６、分子量分布：１．７）２５１５０重量部、及びジエチレングリコール２７５６重量部を混合し、８０℃で１２０分間、加熱攪拌してイソシアネート末端プレポリマー（イソシアネート当量：２．１ｍｅｑ／ｇ）を得た。反応容器内に、フィルタリングした前記プレポリマー１００重量部、及びフィルタリングしたシリコーン系ノニオン界面活性剤（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。攪拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく攪拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融し、フィルタリングした４，４’‐メチレンビス（ｏ‐クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した。約１分間攪拌を続け、その後パン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行いポリウレタン樹脂発泡体ブロックを得た。このポリウレタン樹脂発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン樹脂発泡体シートを得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：１．２７ｍｍ）。

以上に示す結果より、実施例１〜３の本発明の研磨パッド、即ち、固体高分子、光反応性化合物、光重合開始剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物からなり、かつ水に対する接触角を特定範囲内に規定することにより、得られる研磨パッドの研磨特性を向上させることが可能であることがわかった。

これに対して、比較例１の研磨パッドは、水に対する接触角が大きいため、得られる研磨パッドの研磨特性が、研磨速度およびスクラッチ数ともに非常に劣るものであった

ＣＭＰ研磨で使用する従来の研磨装置の一例を示す概略構成図である。

符号の説明

１ … 研磨パッド
２ … 定盤（プラテン）
３ … 研磨剤（スラリー）
４ … 被研磨対象物（ウエハ）
５ … 被研磨対象物支持台（研磨ヘッド）
６、７ … 回転軸

Claims (9)

1. 固体高分子、光反応性化合物および光重合開始剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物を光重合して得られ、かつ該固体高分子または該光反応性化合物の主鎖または側鎖の少なくとも１部分に親水性を有する基を含有させることによって水に対する接触角が３４〜６３度であることを特徴とする、砥粒を含まない無発泡の研磨パッド。
2. 表面に凹凸部を有するパターンが形成された請求項１記載の研磨パッド。
3. 裏面に更に他の層を設けた請求項１記載の研磨パッド。
4. （ａ）固体高分子、光反応性化合物および光重合開始剤を含有する研磨パッド用感光性樹脂組成物を提供する工程、
   （ｂ）支持体上に該研磨パッド用組成物の層を形成して研磨パッド用シートを形成する工程、
   （ｃ）該研磨パッド用シートの上に放射線透過部と非透過部とを有するフィルムを載せて、放射線を照射して光変性を行う工程、
   （ｄ）溶剤による選択的除去を行って、該研磨パッド用シートの表面に凹凸部を有するパターンを形成する工程、
   （ｅ）乾燥する工程
   を含み、
   該固体高分子または該光反応性化合物の主鎖または側鎖の少なくとも１部分に親水性を有する基を含有させることによって水に対する接触角が３４〜６３度であることを特徴とする、砥粒を含まない無発泡の研磨パッドの製造方法。
5. 前記研磨パッド用シートを形成する工程（ｂ）が、
   （ｉ）溶剤を含有する研磨パッド用組成物を支持体上に塗布する工程、および
   （ｉｉ）該溶剤を除去する工程
   を含む請求項４記載の製造方法。
6. 前記研磨パッド用シートを形成する工程（ｂ）が、放射線透過性を有する２つの支持体の間に前記研磨パッド用組成物の層を形成して行われる請求項４記載の製造方法。
7. 前記光変性後の研磨パッド用シートが、４００〜７００ｎｍの波長領域の光に対して、１ｍｍの厚みに換算した透過率２０〜１００％を有する請求項１記載の研磨パッド。
8. 研磨の対象物が半導体用ウエハ、ハードディスク用ウエハ、ガラス板、ＭＥＭＳ素子である請求項１記載の研磨パッド。
9. 請求項１〜３のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。

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