WO2013031692A1 - 研磨パッド - Google Patents

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WO2013031692A1
WO2013031692A1 PCT/JP2012/071472 JP2012071472W WO2013031692A1 WO 2013031692 A1 WO2013031692 A1 WO 2013031692A1 JP 2012071472 W JP2012071472 W JP 2012071472W WO 2013031692 A1 WO2013031692 A1 WO 2013031692A1
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WO
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polishing
region
light transmission
polishing pad
support film
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Application number
PCT/JP2012/071472
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English (en)
French (fr)
Inventor
木村　毅
Original Assignee
東洋ゴム工業株式会社
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a polishing pad for use in planarizing unevenness on a surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer by chemical mechanical polishing (CMP), and more specifically, a window for detecting a polishing state or the like by optical means.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the present invention relates to a polishing pad having (light transmission region) and a method for manufacturing a semiconductor device using the polishing pad.
  • a conductive film is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter also referred to as a wafer), and a wiring layer is formed by photolithography, etching, or the like.
  • a process for forming an interlayer insulating film is performed on the surface of the wafer, and these processes cause irregularities made of a conductor such as metal or an insulator on the wafer surface.
  • miniaturization of wiring and multilayer wiring have been advanced for the purpose of increasing the density of semiconductor integrated circuits, and along with this, technology for flattening the irregularities on the wafer surface has become important.
  • CMP is a technique of polishing using a slurry-like abrasive (hereinafter referred to as slurry) in which abrasive grains are dispersed in a state where the surface to be polished of a wafer is pressed against the polishing surface of a polishing pad.
  • slurry a slurry-like abrasive
  • a polishing apparatus generally used in CMP includes a polishing surface plate 2 that supports a polishing pad 1 and a support base (polishing head) 5 that supports an object to be polished (wafer or the like) 4. And a backing material for uniformly pressing the wafer and a supply mechanism for the abrasive 3.
  • the polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example.
  • the polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the object to be polished 4 supported on each of the polishing surface plate 2 and the support base 5 are opposed to each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressing mechanism for pressing the object to be polished 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side.
  • the optical detection means is a method of detecting an end point of polishing by irradiating a wafer with a light beam through a window (light transmission region) through a polishing pad and monitoring an interference signal generated by the reflection. It is.
  • the end point is determined by monitoring the change in the thickness of the surface layer of the wafer and knowing the approximate depth of the surface irregularities. When such a change in thickness becomes equal to the depth of the unevenness, the CMP process is terminated.
  • Various methods have been proposed for the polishing end point detection method using such optical means and the polishing pad used in the method.
  • Patent Documents 1 and 2 proposals for preventing the slurry from leaking out from the boundary (seam) between the polishing region and the light transmission region have also been made.
  • Patent Document 3 a method of disposing a transparent film having an adhesive applied on the upper and lower surfaces between an upper layer pad and a lower layer pad is disclosed (Patent Document 3).
  • Patent Document 3 a method of disposing a transparent film having an adhesive applied on the upper and lower surfaces between an upper layer pad and a lower layer pad.
  • a polishing layer and a porous subpad layer are laminated, and a light transmissive window is provided in an internal opening of the polishing layer and the porous subpad layer.
  • a polishing pad is disclosed in which a pressure sensitive adhesive layer is bonded to the lower surface of the layer and the light transmissive window (Patent Document 4).
  • Patent Document 4 if there is a pressure sensitive adhesive layer on the lower surface of the light transmissive window, the same problem as described above occurs.
  • An object of the present invention is to provide a polishing pad that can prevent slurry leakage and is excellent in optical detection accuracy.
  • the present inventor has found that the above object can be achieved by the polishing pad shown below, and has completed the present invention.
  • the present invention provides a polishing pad in which a polishing region, a cushion layer, and a support film are laminated in this order.
  • a light transmission region is provided in the opening through the polishing region and the cushion layer and on the support film, and the light transmission region has a peripheral portion and a recessed portion on the surface on the polishing surface plate side,
  • the present invention relates to a polishing pad in which a support film is laminated on a peripheral portion, and the support film is not laminated on the indented portion but is opened.
  • a covering member is provided on the side surface of the recess. Moreover, it is preferable that the said covering member is formed by bending the edge part of the support film laminated
  • the present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device including a step of polishing a surface of a semiconductor wafer using the polishing pad.
  • the polishing pad of the present invention has a structure in which a support film is laminated on the peripheral surface provided on the polishing platen side surface of the light transmission region and the polishing platen side surface of the cushion layer. Even if the slurry leaks from the boundary and the boundary between the cushion layer and the light transmission region, the support film can prevent the slurry from leaking.
  • a concave portion is provided on the surface of the polishing platen side of the light transmission region, and the concave portion is not laminated with an adhesive layer and a member such as a film. The decrease can be prevented, thereby improving the optical detection accuracy.
  • the optical detection device can be protruded from the surface of the polishing platen and can be brought close to the recessed portion of the light transmission region. Thereby, since the distance between the object to be polished (wafer) and the optical detection device can be shortened, the optical detection accuracy can be further improved.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing an example of the structure of the polishing pad of the present invention.
  • the polishing pad 1 of the present invention has a polishing region 8, a cushion layer 11, and a support film 12 laminated in this order, and is supported in the opening 10 penetrating the polishing region 8 and the cushion layer 11.
  • a light transmission region 9 is provided on the film 12.
  • the light transmission region 9 has a peripheral portion 13 and a concave portion 14 on the surface of the polishing surface plate side, and a support film 12 is laminated on the peripheral portion 13, and the support film 12 is provided on the concave portion 14. Are not stacked and open.
  • the material for forming the light transmission region 9 is not particularly limited, but a material that enables high-precision optical end point detection in the state of polishing and has a light transmittance of 20% or more over the entire wavelength range of 400 to 700 nm is used. It is preferable that the material has a light transmittance of 50% or more.
  • Such materials include polyurethane resins, polyester resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, epoxy resins, and acrylic resins, and other thermosetting resins, polyurethane resins, polyester resins, polyamide resins, cellulose resins, Acrylic resins, polycarbonate resins, halogen resins (polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, etc.), polystyrene, olefin resins (polyethylene, polypropylene, etc.), thermoplastic resins, butadiene rubber, isoprene rubber, etc. Examples thereof include rubber, photo-curing resin that is cured by light such as ultraviolet rays and electron beams, and photosensitive resin. These resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the material used for the light transmission region 9 is preferably the same as or larger than the material used for the polishing region 8.
  • Grindability refers to the degree to which a workpiece or dresser is shaved during polishing. In such a case, the light transmission region 9 does not protrude from the surface of the polishing region 8, and scratches on the object to be polished and dechucking errors during polishing can be prevented.
  • polishing region 8 it is preferable to use a material used for forming the polishing region 8 or a material similar to the physical properties of the polishing region 8.
  • a highly wear-resistant polyurethane resin that can suppress light scattering in the light transmission region 9 due to dressing marks during polishing is desirable.
  • the polyurethane resin comprises an isocyanate component, a polyol component (high molecular weight polyol, low molecular weight polyol, etc.), and a chain extender.
  • isocyanate component 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,2′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4′-diphenylmethane diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate,
  • examples include p-phenylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 4,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate, and the like. . These may be used alone or in combination of two or more.
  • the high molecular weight polyol examples include a polyether polyol typified by polytetramethylene ether glycol, a polyester polyol typified by polybutylene adipate, a polycaprolactone polyol, a reaction product of a polyester glycol such as polycaprolactone and an alkylene carbonate, and the like.
  • a polyether polyol typified by polytetramethylene ether glycol
  • a polyester polyol typified by polybutylene adipate a polycaprolactone polyol
  • a reaction product of a polyester glycol such as polycaprolactone and an alkylene carbonate
  • Exemplified polyester polycarbonate polyol, polyester polycarbonate polyol obtained by reacting ethylene carbonate with polyhydric alcohol and then reacting the obtained reaction mixture with organic dicarboxylic acid, and polycarbonate obtained by transesterification reaction between polyhydroxyl compound and aryl carbonate A polyol etc. are mentioned.
  • chain extenders include ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 3 -Low molecular weight polyols such as methyl-1,5-pentanediol, diethylene glycol, triethylene glycol, 1,4-bis (2-hydroxyethoxy) benzene, or 2,4-toluenediamine, 2,6-toluenediamine, 3, 5 -diethyl-2, 4 -toluenediamine, 4,4'-di-sec-butyl-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2 ', 3,3'-tetrachloro
  • polyamines are often colored themselves or resins formed using these are colored in many cases, it is preferable to blend them so as not to impair the physical properties and light transmittance.
  • a compound having an aromatic hydrocarbon group when used, the light transmittance on the short wavelength side tends to be lowered. Therefore, it is particularly preferable not to use such a compound.
  • a compound in which an electron donating group such as a halogen group or a thio group or an electron withdrawing group is bonded to an aromatic ring or the like tends to decrease the light transmittance. Therefore, such a compound may not be used. Particularly preferred. However, you may mix
  • the ratio of the isocyanate component, the polyol component, and the chain extender in the polyurethane resin can be appropriately changed depending on the molecular weight of each and the desired physical properties of the light transmission region produced therefrom.
  • the number of isocyanate groups of the organic isocyanate relative to the total number of functional groups (hydroxyl group + amino group) of the polyol and the chain extender is preferably 0.95 to 1.15, more preferably 0.99 to 1.10.
  • the polyurethane resin can be manufactured by applying a known urethanization technique such as a melting method or a solution method, but it is preferable to manufacture the polyurethane resin by a melting method in consideration of cost, working environment, and the like.
  • the polymerization procedure of the polyurethane resin either a prepolymer method or a one-shot method is possible.
  • an isocyanate-terminated prepolymer from an organic isocyanate and a polyol in advance. Is preferably synthesized, and a prepolymer method in which a chain extender is reacted with this is preferred.
  • the NCO wt% of the prepolymer is preferably about 2 to 8 wt%, more preferably about 3 to 7 wt%. If the NCO wt% is less than 2 wt%, the reaction curing tends to take too much time and the productivity tends to decrease.
  • the reaction rate becomes too fast.
  • air entrainment or the like occurs, and physical properties such as transparency and light transmittance of the polyurethane resin tend to deteriorate.
  • the attenuation of the reflected light increases due to light scattering, and the polishing end point detection accuracy and the film thickness measurement accuracy tend to decrease. Therefore, in order to remove such bubbles and make the light transmission region non-foamed, it is preferable to sufficiently remove the gas contained in the material by reducing the pressure to 10 Torr or less before mixing the material. .
  • the stirring process after mixing in the case of the stirring blade type mixer normally used, it is preferable to stir at the rotation speed of 100 rpm or less so that bubbles may not mix.
  • the stirring step is preferably performed under reduced pressure.
  • the rotation and revolution type mixer is difficult to mix bubbles even at high rotation, it is also preferable to perform stirring and defoaming using the mixer.
  • the production method of the light transmission region 9 is not particularly limited and can be produced by a known method.
  • a polyurethane resin block produced by the above method has a predetermined thickness using a band saw type or canna type slicer, a method of pouring the resin into a mold having a cavity of a predetermined thickness, an injection molding method, A method using a coating technique or a sheet forming technique is used.
  • the light transmission region 9 has a peripheral portion 13 and a recessed portion 14 on one side.
  • the method for forming the recessed portion 14 is not particularly limited.
  • the light transmitting region having the recessed portion is directly formed by a method of cutting the surface of the light transmitting region manufactured by the above method, an injection molding method, or a casting method. The method of producing etc. are mentioned.
  • the shape and size of the light transmission region 9 are not particularly limited, it is preferable to have the same shape and size as the polishing region 8 and the opening 10 of the cushion layer 11. When producing a long polishing pad, a long light transmission region may be used.
  • the shape and size of the peripheral portion 13 and the recessed portion 14 can be appropriately adjusted in consideration of the shape and size of the light transmission region 9, but the light transmission region 9 is fixed on the support film 12 by the peripheral portion 13. Therefore, the width of the peripheral portion 13 is preferably 1 mm or more.
  • the thickness of the light transmission region 9 is not particularly limited, but it is preferable to adjust the thickness to be equal to or less than the surface of the polishing region 8 when it is provided in the opening 10.
  • the wafer may be damaged by the protruding portion during polishing.
  • the difference in height between the surface of the polishing region 8 and the surface of the light transmission region 9 is preferably 500 ⁇ m or less.
  • the depth of the recess 14 is not particularly limited, but is preferably equal to or less than the thickness of the cushion layer 11 in order to make the life of the light transmission region 9 equal to the life of the polishing region 8.
  • the surface roughness Ra of the recessed portion 14 is preferably 10 ⁇ m or less in order to suppress irregular reflection of light.
  • the Asker D hardness of the light transmission region 9 is preferably 30 to 60 degrees. By using the light transmission region having the hardness, the generation of scratches on the wafer surface and the deformation of the light transmission region can be suppressed. In addition, it is possible to suppress the occurrence of scratches on the surface of the light transmission region, thereby enabling highly accurate optical end point detection to be performed stably.
  • the Asker D hardness in the light transmission region is preferably 30 to 50 degrees.
  • the surface on the polishing surface side of the light transmission region 9 and the surface of the recessed portion 14 may be subjected to roughening treatment in advance. Thereby, the change of the light transmittance of the light transmissive region at the time of use can be suppressed, and when the end point is detected by the program corresponding to the initial light transmittance (light reflectance), from the initial use to the end of the use of the polishing pad, It is possible to prevent an end point detection error from occurring due to a change in light transmittance.
  • Examples of roughening methods include 1) a method of performing sandblasting, embossing (embossing), etching, corona discharge, or laser irradiation on one surface of a resin sheet, and 2) a textured mold. 3) A method of forming a pattern on one side when extruding a resin sheet, 4) A resin roll using a metal roll, a rubber roll or an embossing roll having a predetermined surface shape. Examples thereof include a method of forming a pattern on one side, and 5) a method of buffing using an abrasive such as sandpaper.
  • Examples of the material for forming the polishing region 8 include polyurethane resin, polyester resin, polyamide resin, acrylic resin, polycarbonate resin, halogen-based resin (polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, etc.), polystyrene, and olefin resin. (Polyethylene, polypropylene, etc.), epoxy resin, photosensitive resin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the material for forming the polishing region may be the same or different from that of the light transmission region, but it is preferable to use the same type of material as that used for the light transmission region.
  • Polyurethane resin is a particularly preferable material as a material for forming a polishing region because it has excellent abrasion resistance and a polymer having desired physical properties can be easily obtained by variously changing the raw material composition.
  • the isocyanate component to be used is not particularly limited, and examples thereof include the isocyanate component.
  • the high molecular weight polyol to be used is not particularly limited, and examples thereof include the high molecular weight polyol.
  • the number average molecular weight of these high molecular weight polyols is not particularly limited, but is preferably 500 to 2000 from the viewpoint of the elastic properties of the resulting polyurethane. If the number average molecular weight is less than 500, a polyurethane using the number average molecular weight does not have sufficient elastic properties and becomes a brittle polymer. For this reason, the polishing region produced from this polyurethane becomes too hard, which causes scratches on the wafer surface. Moreover, since it becomes easy to wear, it is not preferable from the viewpoint of the pad life. On the other hand, when the number average molecular weight exceeds 2,000, polyurethane using this is too soft, and the polishing region produced from this polyurethane tends to have poor planarization characteristics.
  • the low molecular weight polyol in addition to the high molecular weight polyol, the low molecular weight polyol can be used in combination.
  • chain extenders examples include 4,4′-methylenebis (o-chloroaniline) (MOCA), 2,6-dichloro-p-phenylenediamine, 4,4′-methylenebis (2,3-dichloroaniline), 3, 5-bis (methylthio) -2,4-toluenediamine, 3,5-bis (methylthio) -2,6-toluenediamine, 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine, 3,5-diethyltoluene- 2,6-diamine, trimethylene glycol-di-p-aminobenzoate, polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, 1,2-bis (2-aminophenylthio) ethane, 4,4′-diamino- 3,3′-diethyl-5,5′-dimethyldiphenylmethane, N, N′-di-sec-butyl-4,4′-diaminodipheny
  • the ratio of the isocyanate component, the polyol component, and the chain extender in the polyurethane resin can be variously changed depending on the molecular weight of each and the desired physical properties of the polishing region produced therefrom.
  • the number of isocyanate groups in the isocyanate component relative to the total number of functional groups (hydroxyl group + amino group) of the polyol component and the chain extender is preferably 0.95 to 1.15. Preferably it is 0.99 to 1.10.
  • the polyurethane resin can be produced by the same method as described above.
  • stabilizers such as antioxidants, surfactants, lubricants, pigments, solid beads, fillers such as water-soluble particles and emulsion particles, antistatic agents, abrasive grains, and other materials as necessary. Additives may be added.
  • the polishing region is preferably a fine foam.
  • a fine foam By using a fine foam, the slurry can be held in the fine pores on the surface, and the polishing rate can be increased.
  • the method of finely foaming the polyurethane resin is not particularly limited, and examples thereof include a method of adding hollow beads, a method of foaming by a mechanical foaming method, a chemical foaming method, and the like.
  • the mechanical foaming method using the silicon type surfactant which is a copolymer of polyalkylsiloxane and polyether is especially preferable.
  • the silicon-based surfactant SH-192, L-5340 (manufactured by Toray Dow Corning Silicon) and the like are exemplified as suitable compounds.
  • the manufacturing method of this polyurethane foam has the following processes. 1) Foaming process for producing a cell dispersion of isocyanate-terminated prepolymer A silicon-based surfactant is added to the isocyanate-terminated prepolymer (first component), and the mixture is stirred in the presence of a non-reactive gas to remove the non-reactive gas. Disperse as fine bubbles to obtain a cell dispersion. When the prepolymer is solid at normal temperature, it is preheated to an appropriate temperature and melted before use.
  • non-reactive gas used to form the fine bubbles non-flammable gases are preferable, and specific examples include nitrogen, oxygen, carbon dioxide, rare gases such as helium and argon, and mixed gases thereof.
  • nitrogen, oxygen, carbon dioxide, rare gases such as helium and argon, and mixed gases thereof are preferable.
  • air that has been dried to remove moisture is most preferable in terms of cost.
  • a stirring device for making non-reactive gas into fine bubbles and dispersing it in an isocyanate-terminated prepolymer containing a silicon-based surfactant a known stirring device can be used without particular limitation. Specifically, a homogenizer, a dissolver, A two-axis planetary mixer (planetary mixer) is exemplified.
  • the shape of the stirring blade of the stirring device is not particularly limited, but it is preferable to use a whipper-type stirring blade because fine bubbles can be obtained.
  • stirring in the mixing step may not be stirring that forms bubbles, and it is preferable to use a stirring device that does not involve large bubbles.
  • a planetary mixer is suitable. There is no problem even if the same stirring device is used as the stirring device for the stirring step and the mixing step, and it is also preferable to adjust the stirring conditions such as adjusting the rotation speed of the stirring blade as necessary. .
  • the foam reaction solution may be poured into the mold and immediately put into a heating oven for post cure, and heat is not immediately transferred to the reaction components under such conditions, so the bubble size does not increase.
  • the curing reaction is preferably performed at normal pressure because the bubble shape is stable.
  • a catalyst that promotes a known polyurethane reaction such as a tertiary amine type or an organic tin type may be used.
  • the type and addition amount of the catalyst are selected in consideration of the flow time for pouring into a mold having a predetermined shape after the mixing step.
  • the polyurethane foam may be produced by a batch method in which each component is metered into a container and stirred, and each component and a non-reactive gas are continuously supplied to the stirring device and stirred to produce bubbles. It may be a continuous production method in which a dispersion is sent out to produce a molded product.
  • the average cell diameter of the polyurethane foam is preferably 30 to 80 ⁇ m, more preferably 30 to 60 ⁇ m. When deviating from this range, the polishing rate tends to decrease, or the planarity of the polished material (wafer) after polishing tends to decrease.
  • the specific gravity of the polyurethane foam is preferably 0.5 to 1.3.
  • the specific gravity is less than 0.5, the surface strength of the polishing region decreases, and the planarity of the material to be polished tends to decrease.
  • the ratio is larger than 1.3, the number of bubbles on the surface of the polishing region decreases, and planarity is good, but the polishing rate tends to decrease.
  • the hardness of the polyurethane foam is preferably 45 to 70 degrees as measured by an Asker D hardness meter.
  • Asker D hardness is less than 45 degrees, the planarity of the material to be polished is lowered.
  • Asker D hardness is more than 70 degrees, the planarity is good but the uniformity of the material to be polished is lowered. There is a tendency.
  • the polishing region 8 is manufactured by cutting the polyurethane foam produced as described above into a predetermined size.
  • the polishing region 8 is preferably provided with a concavo-convex structure (grooves or holes) for holding and renewing the slurry on the polishing side surface in contact with the wafer.
  • a concavo-convex structure grooves or holes
  • the polishing region is formed of fine foam, it has many openings on the polishing surface and has the function of holding the slurry, but in order to more efficiently maintain the slurry and renew the slurry.
  • the concavo-convex structure is not particularly limited as long as it is a surface shape that holds and renews slurry.
  • XY lattice grooves For example, XY lattice grooves, concentric grooves, through holes, non-through holes, polygonal columns, cylinders, spiral grooves , Eccentric circular grooves, radial grooves, and combinations of these grooves.
  • the groove pitch, groove width, groove depth and the like are not particularly limited and are appropriately selected and formed.
  • these uneven structures are generally regular, but in order to make the slurry retention and renewability desirable, the groove pitch, groove width, groove depth, etc. should be changed for each range. Is also possible.
  • the thickness of the polishing region 8 is not particularly limited, but is usually about 0.8 to 4 mm, preferably 1.5 to 2.5 mm.
  • a method of producing the polishing region of the thickness a method of making the block of the fine foam a predetermined thickness using a band saw type or a canna type slicer, pouring resin into a mold having a cavity of a predetermined thickness, and curing And a method using a coating technique or a sheet forming technique.
  • the cushion layer 11 supplements the characteristics of the polishing region.
  • the cushion layer is necessary in order to achieve both planarity and uniformity in a trade-off relationship in CMP.
  • Planarity refers to the flatness of a pattern portion when a polished object with minute irregularities generated during pattern formation is polished, and uniformity refers to the uniformity of the entire object to be polished.
  • the planarity is improved by the characteristics of the polishing region, and the uniformity is improved by the characteristics of the cushion layer.
  • the material for forming the cushion layer 11 is not particularly limited.
  • a fiber nonwoven fabric such as a polyester nonwoven fabric, a nylon nonwoven fabric, and an acrylic nonwoven fabric
  • a resin-impregnated nonwoven fabric such as a polyester nonwoven fabric impregnated with polyurethane
  • a polymer resin such as polyurethane foam and polyethylene foam
  • rubber resins such as foam, butadiene rubber and isoprene rubber, and photosensitive resins.
  • the support film 12 is provided with an adhesive layer on one side or both sides of a resin film.
  • the resin film material include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, fluorine-containing resins such as polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and general-purpose engineering plastics such as polycarbonate; Special engineering plastics such as polyetherimide, polyetheretherketone, and polyethersulfone can be mentioned.
  • the composition of the adhesive layer include rubber adhesives and acrylic adhesives.
  • the adhesive layer is provided to bond the support film 12 to the cushion layer 11 or the polishing surface plate 2 and to bond the peripheral portion 13 of the light transmission region 9 to the support film 12.
  • the thickness of the resin film is not particularly limited, but is preferably about 20 to 200 ⁇ m from the viewpoint of strength and the like.
  • the manufacturing method of the polishing pad 1 of the present invention is not particularly limited, and various methods are conceivable. Specific examples will be described below.
  • Case 1 The polishing region 8 and the cushion layer 11 are bonded together, and then an opening 10 that penetrates the polishing region 8 and the cushion layer 11 is formed. Thereafter, the support film 12 is bonded to one side of the cushion layer 11. Then, the light transmission region 9 is fitted into the opening 10, and the peripheral portion 13 of the light transmission region 9 is bonded to the support film 12. Further, the portion of the support film 12 corresponding to the recessed portion 14 of the light transmission region 9 is cut out, and the recessed portion 14 is opened.
  • Case 2 The polishing region 8 and the cushion layer 11 are bonded together, and then an opening 10 that penetrates the polishing region 8 and the cushion layer 11 is formed. Thereafter, the support film 12 is bonded to one side of the cushion layer 11. And the light transmissive area
  • a covering member 15 may be provided on the side surface of the recessed portion 14.
  • the method of providing the covering member 15 is not particularly limited, and examples thereof include a method of bonding a resin sheet, a method of applying a resin composition or an adhesive to the side surface of the indented portion, and a method of curing, but reliably preventing slurry leakage. Therefore, from the viewpoint of manufacturing efficiency, a method in which the end portion of the support film 12 laminated on the peripheral portion 13 is bent and bonded to the side surface of the recessed portion 14 is preferable.
  • Examples of means for attaching the polishing region and the cushion layer include a method in which the polishing region and the cushion layer are sandwiched with a double-sided tape and pressed.
  • the double-sided tape has a general configuration in which adhesive layers are provided on both sides of a substrate such as a nonwoven fabric or a film.
  • Examples of the composition of the adhesive layer include rubber adhesives and acrylic adhesives. Considering the content of metal ions, an acrylic adhesive is preferable because the metal ion content is low.
  • the composition of the polishing region and the cushion layer may be different, the composition of each adhesive layer of the double-sided tape can be made different so that the adhesive force of each layer can be optimized.
  • the means for forming the opening in the polishing region and the cushion layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of opening by pressing or grinding with a cutting tool, a method of using a laser with a carbonic acid laser, and the like. .
  • the size and shape of the opening are not particularly limited.
  • the semiconductor device is manufactured through a process of polishing the surface of the semiconductor wafer using the polishing pad.
  • a semiconductor wafer is generally a laminate of a wiring metal and an oxide film on a silicon wafer.
  • the method and apparatus for polishing the semiconductor wafer are not particularly limited.
  • a polishing surface plate 2 that supports the polishing pad 1
  • a support table 5 that supports the semiconductor wafer 4
  • This is performed using a backing material for performing uniform pressurization and a polishing apparatus equipped with a polishing agent 3 supply mechanism.
  • the polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example.
  • the polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the semiconductor wafer 4 supported on each of the polishing surface plate 2 and the support table 5 face each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressurizing mechanism for pressing the semiconductor wafer 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side. In polishing, the semiconductor wafer 4 is pressed against the polishing pad 1 while rotating the polishing surface plate 2 and the support base 5, and polishing is performed while supplying acidic slurry.
  • the flow rate of the acidic slurry, the polishing load, the polishing platen rotation speed, and the wafer rotation speed are not particularly limited, and are adjusted as appropriate.
  • the protruding portion of the surface of the semiconductor wafer 4 is removed and polished flat. Thereafter, a semiconductor device is manufactured by dicing, bonding, packaging, or the like. The semiconductor device is used for an arithmetic processing device, a memory, and the like.
  • Hardness measurement This was performed according to JIS K6253-1997.
  • the produced polyurethane foam or light transmission region cut into a size of 2 cm ⁇ 2 cm (thickness: arbitrary) is used as a hardness measurement sample, and the temperature is 23 ° C. ⁇ 2 ° C. and the humidity is 50% ⁇ 5% for 16 hours. Left to stand. At the time of measurement, the samples were overlapped to a thickness of 6 mm or more.
  • the hardness was measured using a hardness meter (manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd., Asker D type hardness meter).
  • Example 1 [Production of light transmission region] A thermoplastic polyurethane A1098A (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) is used to produce a polyurethane sheet (59.5 mm long, 19.5 mm wide, 2.0 mm thick, D hardness 48 degrees) by injection molding, and the polyurethane sheet is further cut. A light transmission region was produced by forming a crease (length 54 mm, width 14 mm, depth 0.8 mm).
  • the buffed sheet was punched into a diameter (61 cm), and concentric grooves were formed on the surface using a groove processing machine (manufactured by Toho Koki Co., Ltd.). A laminating machine was used on the surface of the sheet opposite to the grooved surface, and a double-sided tape (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., double tack tape) was bonded to prepare a polishing region with double-sided tape.
  • a groove processing machine manufactured by Toho Koki Co., Ltd.
  • a laminating machine was used on the surface of the sheet opposite to the grooved surface, and a double-sided tape (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., double tack tape) was bonded to prepare a polishing region with double-sided tape.
  • a cushion layer made of polyethylene foam (Toray Industries Inc., TORAYPEF, thickness: 0.8 mm) buffed and corona-treated is bonded to the adhesive surface of the prepared polishing area with double-sided tape using a laminator.
  • An abrasive sheet was prepared.
  • an opening having a size of 60 mm ⁇ 20 mm was formed in the polishing sheet.
  • the support sheet polyethylene terephthalate, thickness: 50 micrometers
  • the light transmission region was fitted into the opening of the laminate, and the peripheral portion on the back surface side of the light transmission region was bonded to the support sheet. Then, the support sheet laminated
  • Polishing pad 2 Polishing surface plate 3: Abrasive (slurry) 4: Material to be polished (semiconductor wafer) 5: Support base (polishing head) 6, 7: Rotating shaft 8: Polishing area 9: Light transmission area 10: Opening part 11: Cushion layer 12: Support sheet 13: Peripheral part 14: Recessed part 15: Cover member

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Abstract

　本発明は、スラリー漏れを防止することができ、かつ光学的検知精度に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。本発明の研磨パッドは、研磨領域、クッション層、及び支持フィルムがこの順に積層されており、研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ支持フィルム上に光透過領域が設けられており、前記光透過領域は、研磨定盤側の表面に、周囲部とくぼみ部とを有しており、前記周囲部には支持フィルムが積層されており、前記くぼみ部には支持フィルムが積層されておらず開口していることを特徴とする。

Description

研磨パッド
　本発明は、半導体ウエハなどの被研磨体表面の凹凸をケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）で平坦化する際に使用される研磨パッドに関し、詳しくは、研磨状況等を光学的手段により検知するための窓（光透過領域）を有する研磨パッド、及び該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法に関する。
　半導体装置を製造する際には、半導体ウエハ（以下、ウエハともいう）表面に導電性膜を形成し、フォトリソグラフィー、エッチング等をすることにより配線層を形成する形成する工程や、配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程等が行われ、これらの工程によってウエハ表面に金属等の導電体や絶縁体からなる凹凸が生じる。近年、半導体集積回路の高密度化を目的として配線の微細化や多層配線化が進んでいるが、これに伴い、ウエハ表面の凹凸を平坦化する技術が重要となってきた。
　ウエハ表面の凹凸を平坦化する方法としては、一般的にＣＭＰ法が採用されている。ＣＭＰは、ウエハの被研磨面を研磨パッドの研磨面に押し付けた状態で、砥粒が分散されたスラリー状の研磨剤（以下、スラリーという）を用いて研磨する技術である。
　ＣＭＰで一般的に使用する研磨装置は、例えば、図１に示すように、研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、被研磨体（ウエハなど）４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えている。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と被研磨体４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、被研磨体４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。
　このようなＣＭＰを行う上で、ウエハ表面平坦度の判定の問題がある。すなわち、希望の表面特性や平面状態に到達した時点を検知する必要がある。従来、酸化膜の膜厚や研磨速度等に関しては、テストウエハを定期的に処理し、結果を確認してから製品となるウエハを研磨処理することが行われてきた。
　しかし、この方法では、テストウエハを処理する時間とコストが無駄になり、また、あらかじめ加工が全く施されていないテストウエハと製品ウエハでは、ＣＭＰ特有のローディング効果により、研磨結果が異なり、製品ウエハを実際に加工してみないと、加工結果の正確な予想が困難である。
　そのため、最近では上記の問題点を解消するために、ＣＭＰプロセス時に、その場で、希望の表面特性や厚さが得られた時点を検出できる方法が望まれている。このような検知については様々な方法が用いられているが、測定精度や非接触測定における空間分解能の点から光学的検知手段が主流となりつつある。
　光学的検知手段とは、具体的には光ビームを窓（光透過領域）を通して研磨パッド越しにウエハに照射して、その反射によって発生する干渉信号をモニターすることによって研磨の終点を検知する方法である。
　このような方法では、ウエハの表面層の厚さの変化をモニターして、表面凹凸の近似的な深さを知ることによって終点が決定される。このような厚さの変化が凹凸の深さに等しくなった時点で、ＣＭＰプロセスを終了させる。また、このような光学的手段による研磨の終点検知法およびその方法に用いられる研磨パッドについては様々なものが提案されてきた。
　一方、スラリーが研磨領域と光透過領域との境界（継ぎ目）から漏れ出さないための提案（特許文献１、２）もなされている。
　また、スラリー漏れを防止するために、上層パッドと下層パッドとの間に上下面に接着剤が塗布された透明フィルムを配置する方法が開示されている（特許文献３）。しかし、光透過領域と透明フィルムの間に接着層があると、光透過率が低下するため光学的検知精度も低下する恐れがある。
　また、スラリー漏れを防止するために、研磨層と多孔性サブパッド層とが積層されており、研磨層及び多孔性サブパッド層の内部開口内に光透過性窓が設けられており、前記多孔性サブパッド層及び光透過性窓の下面に感圧接着剤層を接着させた研磨パッドが開示されている（特許文献４）。しかし、光透過性窓の下面に感圧接着剤層があると、前記と同様の問題が生じる。
　さらに、スラリー漏れを防止し、かつ光学的検知精度を向上させるために、光透過領域と透明支持フィルムとの間に空間部を設けた長尺研磨パッドが開示されている（特許文献５）。しかし、光透過領域の下面に透明支持フィルムがあると、前記と同様の問題が生じる。
特開２００１－２９１６８６号公報 特表２００３－５１０８２６号公報 特開２００３－６８６８６号公報 特開２０１０－９９８２８号公報 特開２００８－１０１０８９号公報
　本発明は、スラリー漏れを防止することができ、かつ光学的検知精度に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。
　本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す研磨パッドにより上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
　すなわち本発明は、研磨領域、クッション層、及び支持フィルムがこの順に積層されている研磨パッドにおいて、
　研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ支持フィルム上に光透過領域が設けられており、前記光透過領域は、研磨定盤側の表面に、周囲部とくぼみ部とを有しており、前記周囲部には支持フィルムが積層されており、前記くぼみ部には支持フィルムが積層されておらず開口していることを特徴とする研磨パッド、に関する。
　前記くぼみ部の側面に被覆部材が設けられていることが好ましい。また、前記被覆部材は、周囲部に積層された支持フィルムの端部を折り曲げることにより形成されていることが好ましい。それにより、スラリー漏れを確実に防止することができる。
　また、本発明は、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法、に関する。
　本発明の研磨パッドは、光透過領域の研磨定盤側表面に設けた周囲部及びクッション層の研磨定盤側表面に支持フィルムが積層された構造を有するため、研磨領域と光透過領域との境界、及びクッション層と光透過領域との境界からスラリーが漏れた場合であっても、支持フィルムによりスラリー漏れを防止することができる。また、光透過領域の研磨定盤側表面にはくぼみ部が設けられており、当該くぼみ部には接着剤層及びフィルム等の部材が積層されておらず開口しているため、光透過率の低下を防止でき、それにより光学的検知精度を向上させることができる。さらに、光学的検知装置を研磨定盤の表面から突出させて、光透過領域のくぼみ部内に近づけることができる。それにより、被研磨体（ウエハ）と光学的検知装置との距離を短くすることができるため、光学的検知精度をより向上させることができる。
ＣＭＰ研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図である。 本発明の研磨パッドの構造の一例を示す概略断面図である。 本発明の研磨パッドの構造の他の一例を示す概略断面図である。
　図２は、本発明の研磨パッドの構造の一例を示す概略断面図である。図２に示すように、本発明の研磨パッド１は、研磨領域８、クッション層１１、及び支持フィルム１２がこの順に積層されており、研磨領域８及びクッション層１１を貫く開口部１０内かつ支持フィルム１２上に光透過領域９が設けられている。光透過領域９は、研磨定盤側の表面に、周囲部１３とくぼみ部１４とを有しており、周囲部１３には支持フィルム１２が積層されており、くぼみ部１４には支持フィルム１２が積層されておらず開口している。
　光透過領域９の形成材料は特に制限されないが、研磨を行っている状態で高精度の光学終点検知を可能とし、波長４００～７００ｎｍの全範囲で光透過率が２０％以上である材料を用いることが好ましく、さらに好ましくは光透過率が５０％以上の材料である。そのような材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、及びアクリル樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、及びオレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）などの熱可塑性樹脂、ブタジエンゴムやイソプレンゴムなどのゴム、紫外線や電子線などの光により硬化する光硬化性樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　光透過領域９に用いる材料は、研磨領域８に用いる材料と研削性が同じか、あるいは大きいものが好ましい。研削性とは、研磨中に被研磨体やドレッサーにより削られる度合いをいう。上記のような場合、光透過領域９が研磨領域８の表面から突き出ることがなく、被研磨体へのスクラッチや研磨中のデチャックエラーを防ぐことができる。
　また、研磨領域８の形成に用いられる材料、又は研磨領域８の物性に類似する材料を用いることが好ましい。特に、研磨中のドレッシング痕による光透過領域９の光散乱を抑制できる耐摩耗性の高いポリウレタン樹脂が望ましい。
  前記ポリウレタン樹脂は、イソシアネート成分、ポリオール成分（高分子量ポリオール、低分子量ポリオールなど）、及び鎖延長剤からなるものである。
　イソシアネート成分としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、２，２’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、ｍ－フェニレンジイソシアネート、ｐ－キシリレンジイソシアネート、ｍ－キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’－ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　高分子量ポリオールとしては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールに代表されるポリエ－テルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いで得られた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、及びポリヒドキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　また、ポリオールとして上述した高分子量ポリオールの他に、エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等の低分子量ポリオールを併用してもよい。
　鎖延長剤としては、エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等の低分子量ポリオール類、あるいは２，４－トルエンジアミン、２，６－トルエンジアミン、3 ，5 －ジエチル－2 ，4 －トルエンジアミン、４，４’－ジ－ｓｅｃ－ブチルージアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２’，３，３’－テトラクロロ－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－メチレン－ビス－メチルアンスラニレート、４，４’－メチレン－ビス－アンスラニリックアシッド、４，４’－ジアミノジフェニルスルフォン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－メチレン－ビス（３－クロロ－２，６－ジエチルアニリン）、４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノ－５，５’－ジエチルジフェニルメタン、１，２－ビス（２－アミノフェニルチオ）エタン、トリメチレングリコールージ－ｐ－アミノベンゾエート、３，５－ビス（メチルチオ）－２，４－トルエンジアミン等に例示されるポリアミン類を挙げることができる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。ただし、ポリアミン類については自身が着色していたり、これらを用いてなる樹脂が着色する場合も多いため、物性や光透過性を損なわない程度に配合することが好ましい。また、芳香族炭化水素基を有する化合物を用いると短波長側での光透過率が低下する傾向にあるため、このような化合物を用いないことが特に好ましい。また、ハロゲン基やチオ基などの電子供与性基又は電子吸引性基が芳香環等に結合している化合物は、光透過率が低下する傾向にあるため、このような化合物を用いないことが特に好ましい。ただし、短波長側要求される光透過性を損なわない程度に配合してもよい。
　前記ポリウレタン樹脂におけるイソシアネート成分、ポリオール成分、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量やこれらから製造される光透過領域の所望物性などにより適宜変更できる。ポリオールと鎖延長剤の合計官能基（水酸基＋アミノ基）数に対する有機イソシアネートのイソシアネート基数は、０．９５～１．１５であることが好ましく、さらに好ましくは０．９９～１．１０である。前記ポリウレタン樹脂は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。
　前記ポリウレタン樹脂の重合手順としては、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能であるが、研磨時のポリウレタン樹脂の安定性及び透明性の観点から、事前に有機イソシアネートとポリオールからイソシアネート末端プレポリマーを合成しておき、これに鎖延長剤を反応させるプレポリマー法が好ましい。また、前記プレポリマーのＮＣＯ重量％は２～８重量％程度であることが好ましく、さらに好ましくは３～７重量％程度である。ＮＣＯ重量％が２重量％未満の場合には、反応硬化に時間がかかりすぎて生産性が低下する傾向にあり、一方ＮＣＯ重量％が８重量％を超える場合には、反応速度が速くなり過ぎて空気の巻き込み等が発生し、ポリウレタン樹脂の透明性や光透過率等の物理特性が悪くなる傾向にある。なお、光透過領域に気泡がある場合には、光の散乱により反射光の減衰が大きくなり研磨終点検出精度や膜厚測定精度が低下する傾向にある。したがって、このような気泡を除去して光透過領域を無発泡体にするために、前記材料を混合する前に１０Ｔｏｒｒ以下に減圧することにより材料中に含まれる気体を十分に除去することが好ましい。また、混合後の撹拌工程においては気泡が混入しないように、通常用いられる撹拌翼式ミキサーの場合には、回転数１００ｒｐｍ以下で撹拌することが好ましい。また、撹拌工程においても減圧下で行うことが好ましい。さらに、自転公転式混合機は、高回転でも気泡が混入しにくいため、該混合機を用いて撹拌、脱泡を行うことも好ましい方法である。
　光透過領域９の作製方法は特に制限されず、公知の方法により作製できる。例えば、前記方法により製造したポリウレタン樹脂のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、射出成形法、コーティング技術又はシート成形技術を用いた方法などが用いられる。
　光透過領域９は、片面に周囲部１３とくぼみ部１４とを有する。くぼみ部１４の形成方法は特に制限されず、例えば、前記方法で作製した光透過領域の表面を切削して形成する方法、射出成形法又は注型成形法によりくぼみ部を有する光透過領域を直接作製する方法などが挙げられる。
　光透過領域９の形状、大きさは特に制限されないが、研磨領域８及びクッション層１１の開口部１０と同様の形状、大きさにすることが好ましい。長尺状の研磨パッドを作製する場合、長尺状の光透過領域を用いてもよい。
　周囲部１３及びくぼみ部１４の形状、大きさは、光透過領域９の形状、大きさを考慮して適宜調整することができるが、支持フィルム１２上に周囲部１３により光透過領域９を固定する必要があるため、周囲部１３の幅は１ｍｍ以上であることが好ましい。
　光透過領域９の厚さは特に制限されないが、開口部１０内に設けた際に研磨領域８の表面以下になる厚さに調整することが好ましい。光透過領域９が研磨領域８の表面から突出する場合には、研磨中に突き出た部分によりウエハを傷つける恐れがある。一方、薄すぎる場合には、光透過領域９の上面に大きな凹部が生じて多量のスラリーが溜まり、光学終点検知精度が低下する恐れがある。そのため、光透過領域９を開口部１０内に設けた際に、研磨領域８の表面と光透過領域９の表面との高さの差は５００μｍ以下であることが好ましい。
　くぼみ部１４の深さは特に制限されないが、光透過領域９の寿命を研磨領域８の寿命と同等にするために、クッション層１１の厚さ以下であることが好ましい。
　くぼみ部１４の表面粗さＲａは、光の乱反射を抑制するために１０μｍ以下であることが好ましい。
　光透過領域９のアスカーＤ硬度は、３０～６０度であることが好ましい。該硬度の光透過領域を用いることにより、ウエハ表面のスクラッチの発生や光透過領域の変形を抑制できる。また、光透過領域表面の傷の発生も抑制することができ、それにより高精度の光学終点検知を安定的に行うことが可能になる。光透過領域のアスカーＤ硬度は３０～５０度であることが好ましい。
　光透過領域９の研磨面側の表面、及びくぼみ部１４の表面には予め粗面化処理を施しておいてもよい。それにより、使用時における光透過領域の光透過率の変化を抑制でき、初期の光透過率（光反射率）に対応したプログラムにより終点検知を行う場合に、研磨パッドの使用初期から終期まで、光透過率の変化に伴う終点検出エラーの発生を防止することができる。
　粗面化する方法としては、例えば、１）樹脂シートの片面にサンドブラスト処理、シボ処理（エンボス処理）、エッチング処理、コロナ放電処理、又はレーザー照射処理等を行う方法、２）シボ加工した金型を用いて射出成形又はモールド成形する方法、３）樹脂シートを押出成形する際に片面にパターンを形成する方法、４）所定の表面形状のメタルロール、ゴムロール、又はエンボスロールを用いて樹脂シートの片面にパターンを形成する方法、及び５）サンドペーパーなどの研磨材を用いてバフィングする方法などが挙げられる。
　研磨領域８の形成材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、エポキシ樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。なお、研磨領域の形成材料は、光透過領域と同組成でも異なる組成であってもよいが、光透過領域に用いられる形成材料と同種の材料を用いることが好ましい。
　ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができるため、研磨領域の形成材料として特に好ましい材料である。
　使用するイソシアネート成分は特に制限されず、例えば、前記イソシアネート成分が挙げられる。
　使用する高分子量ポリオールは特に制限されず、例えば、前記高分子量ポリオールが挙げられる。なお、これら高分子量ポリオールの数平均分子量は、特に限定されるものではないが、得られるポリウレタンの弾性特性等の観点から５００～２０００であることが好ましい。数平均分子量が５００未満であると、これを用いたポリウレタンは十分な弾性特性を有さず、脆いポリマーとなる。そのためこのポリウレタンから製造される研磨領域は硬くなりすぎ、ウエハ表面のスクラッチの原因となる。また、摩耗しやすくなるため、パッド寿命の観点からも好ましくない。一方、数平均分子量が２０００を超えると、これを用いたポリウレタンは軟らかくなりすぎるため、このポリウレタンから製造される研磨領域は平坦化特性に劣る傾向にある。
　また、ポリオールとしては、高分子量ポリオールの他に、前記低分子量ポリオールを併用することもできる。
　鎖延長剤としては、４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）（ＭＯＣＡ）、２，６－ジクロロ－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－メチレンビス（２，３－ジクロロアニリン）、３，５－ビス（メチルチオ）－２，４－トルエンジアミン、３，５－ビス（メチルチオ）－２，６－トルエンジアミン、３，５－ジエチルトルエン－２，４－ジアミン、３，５－ジエチルトルエン－２，６－ジアミン、トリメチレングリコール－ジ－ｐ－アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド－ジ－ｐ－アミノベンゾエート、１，２－ビス（２－アミノフェニルチオ）エタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジイソプロピル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトラエチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトライソプロピルジフェニルメタン、ｍ－キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、及びｐ－キシリレンジアミン等に例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオール成分を挙げることができる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。
　ポリウレタン樹脂におけるイソシアネート成分、ポリオール成分、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量やこれらから製造される研磨領域の所望物性などにより種々変え得る。研磨特性に優れる研磨領域を得るためには、ポリオール成分と鎖延長剤の合計官能基（水酸基＋アミノ基）数に対するイソシアネート成分のイソシアネート基数は０．９５～１．１５であることが好ましく、さらに好ましくは０．９９～１．１０である。
　ポリウレタン樹脂は、前記方法と同様の方法により製造することができる。なお、必要に応じてポリウレタン樹脂に酸化防止剤等の安定剤、界面活性剤、滑剤、顔料、中実ビーズや水溶性粒子やエマルション粒子等の充填剤、帯電防止剤、研磨砥粒、その他の添加剤を添加してもよい。
　研磨領域は、微細発泡体であることが好ましい。微細発泡体にすることにより表面の微細孔にスラリーを保持することができ、研磨速度を大きくすることができる。
　ポリウレタン樹脂を微細発泡させる方法は特に制限されないが、例えば中空ビーズを添加する方法、機械的発泡法、及び化学的発泡法等により発泡させる方法などが挙げられる。なお、各方法を併用してもよいが、特にポリアルキルシロキサンとポリエーテルとの共重合体であるシリコン系界面活性剤を使用した機械的発泡法が好ましい。該シリコン系界面活性剤としては、ＳＨ－１９２、Ｌ－５３４０（東レダウコーニングシリコン製）等が好適な化合物として例示される。
　微細気泡タイプのポリウレタン発泡体を製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。
１）イソシアネート末端プレポリマーの気泡分散液を作製する発泡工程
　イソシアネート末端プレポリマー（第１成分）にシリコン系界面活性剤を添加し、非反応性気体の存在下で撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。前記プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
２）硬化剤（鎖延長剤）混合工程
　上記の気泡分散液に鎖延長剤（第２成分）を添加、混合、撹拌して発泡反応液とする。
３）注型工程
　上記の発泡反応液を金型に流し込む。
４）硬化工程
　金型に流し込まれた発泡反応液を加熱し、反応硬化させる。
　微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。
　非反応性気体を微細気泡状にしてシリコン系界面活性剤を含むイソシアネート末端プレポリマーに分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置を特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、２軸遊星型ミキサー（プラネタリーミキサー）等が例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼を使用すると微細気泡が得られるため好ましい。
　なお、撹拌工程において気泡分散液を作成する撹拌と、混合工程における鎖延長剤を添加して混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。特に混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。撹拌工程と混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。
　ポリウレタン発泡体の製造方法においては、発泡反応液を型に流し込んで流動しなくなるまで反応した発泡体を、加熱、ポストキュアすることは、発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。金型に発泡反応液を流し込んで直ちに加熱オーブン中に入れてポストキュアを行う条件としてもよく、そのような条件下でもすぐに反応成分に熱が伝達されないので、気泡径が大きくなることはない。硬化反応は、常圧で行うと気泡形状が安定するため好ましい。
　ポリウレタン樹脂の製造において、第３級アミン系、有機スズ系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択する。
　ポリウレタン発泡体の製造は、容器に各成分を計量して投入し、撹拌するバッチ方式であってもよく、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して撹拌し、気泡分散液を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。
　ポリウレタン発泡体の平均気泡径は、３０～８０μｍであることが好ましく、より好ましくは３０～６０μｍである。この範囲から逸脱する場合は、研磨速度が低下したり、研磨後の被研磨材（ウエハ）のプラナリティ（平坦性）が低下する傾向にある。
　ポリウレタン発泡体の比重は、０．５～１．３であることが好ましい。比重が０．５未満の場合、研磨領域の表面強度が低下し、被研磨材のプラナリティが低下する傾向にある。また、１．３より大きい場合は、研磨領域表面の気泡数が少なくなり、プラナリティは良好であるが、研磨速度が低下する傾向にある。
　ポリウレタン発泡体の硬度は、アスカーＤ硬度計にて、４５～７０度であることが好ましい。アスカーＤ硬度が４５度未満の場合には、被研磨材のプラナリティが低下し、また、７０度より大きい場合は、プラナリティは良好であるが、被研磨材のユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。
　研磨領域８は、以上のようにして作製されたポリウレタン発泡体を、所定のサイズに裁断して製造される。
　研磨領域８は、ウエハと接触する研磨側表面に、スラリーを保持・更新するための凹凸構造（溝や孔）が設けられていることが好ましい。研磨領域が微細発泡体により形成されている場合には研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持する働きを持っているが、更なるスラリーの保持性とスラリーの更新を効率よく行うため、またウエハの吸着によるデチャックエラーの誘発やウエハの破壊や研磨効率の低下を防ぐためにも、研磨側表面に凹凸構造を有することが好ましい。凹凸構造は、スラリーを保持・更新する表面形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＸＹ格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、溝ピッチ、溝幅、溝深さ等も特に制限されず適宜選択して形成される。さらに、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。
　研磨領域８の厚みは特に限定されるものではないが、通常０．８～４ｍｍ程度であり、１．５～２．５ｍｍであることが好ましい。前記厚みの研磨領域を作製する方法としては、前記微細発泡体のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。
　クッション層１１は、研磨領域の特性を補うものである。クッション層は、ＣＭＰにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨体を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨体全体の均一性をいう。研磨領域の特性によって、プラナリティを改善し、クッション層の特性によってユニフォーミティを改善することを行う。本発明の研磨パッドにおいては、クッション層は研磨領域より柔らかいものを用いることが好ましい。
　クッション層１１の形成材料は特に制限されないが、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布、ポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。
　支持フィルム１２は、樹脂フィルムの片面又は両面に接着層を設けたものである。樹脂フィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル；ポリエチレン；ポリプロピレン；ポリスチレン；ポリイミド；ポリビニルアルコール；ポリ塩化ビニル；ポリフルオロエチレンなどの含フッ素樹脂；ナイロン；セルロース；ポリカーボネートなどの汎用エンジニアリングプラスチック；ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、及びポリエーテルスルホンなどの特殊エンジニアリングプラスチックなどを挙げることができる。接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤、アクリル系接着剤等が挙げられる。該接着層は、支持フィルム１２をクッション層１１又は研磨定盤２に貼り合わせるため、及び光透過領域９の周囲部１３を支持フィルム１２に貼り合わせるために設けられる。
　樹脂フィルムの厚さは特に制限されないが、強度等の観点から２０～２００μｍ程度であることが好ましい。
　本発明の研磨パッド１の製造方法は特に制限されず種々の方法が考えられるが、具体的な例を以下に説明する。
　ケース１
　研磨領域８とクッション層１１を貼り合わせ、その後、研磨領域８及びクッション層１１を貫く開口部１０を形成する。その後、クッション層１１の片面に支持フィルム１２を貼り合わせる。そして、開口部１０内に光透過領域９を嵌め込み、光透過領域９の周囲部１３を支持フィルム１２に貼り合せる。さらに、光透過領域９のくぼみ部１４に対応する部分の支持フィルム１２を切除し、くぼみ部１４を開口させる。
　ケース２
　研磨領域８とクッション層１１を貼り合わせ、その後、研磨領域８及びクッション層１１を貫く開口部１０を形成する。その後、クッション層１１の片面に支持フィルム１２を貼り合わせる。そして、開口部１０内かつ支持フィルム１２上に光透過樹脂組成物を注入して加熱、光照射又は湿気等により硬化させることにより光透過領域９を形成する。さらに、光透過領域９のくぼみ部１４に対応する部分の支持フィルム１２を切除し、くぼみ部１４を切削等により形成する。
　図３に示すように、くぼみ部１４の側面に被覆部材１５を設けてもよい。被覆部材１５を設ける方法は特に制限されず、例えば、樹脂シートを貼り合せる方法、くぼみ部の側面に樹脂組成物又は接着剤を塗布し硬化させる方法などが挙げられるが、スラリー漏れを確実に防止するため、及び製造効率の観点から、周囲部１３に積層された支持フィルム１２の端部を折り曲げてくぼみ部１４の側面に貼り合せる方法が好ましい。
　研磨領域とクッション層とを貼り合わせる手段としては、例えば、研磨領域とクッション層を両面テープで挟み、プレスする方法が挙げられる。両面テープは、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものである。接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、研磨領域とクッション層は組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。
　研磨領域及びクッション層に開口部を形成する手段は特に制限されるものではないが、例えば、切削工具でプレス又は研削することにより開口する方法、炭酸レーザーなどによるレーザーを利用する方法などが挙げられる。なお、開口部の大きさや形状は特に制限されない。
　半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図１に示すように研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、半導体ウエハ４を支持する支持台５（ポリシングヘッド）とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と半導体ウエハ４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤２と支持台５とを回転させつつ半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付け、酸性スラリーを供給しながら研磨を行う。酸性スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
　これにより半導体ウエハ４の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。
　以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　［測定、評価方法］
　（平均気泡径測定）
　作製したポリウレタン発泡体を厚み１ｍｍ以下になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出したものを平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、ＳＥＭ（Ｓ－３５００Ｎ、日立サイエンスシステムズ（株））を用いて１００倍で観察した。得られた画像を画像解析ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ、三谷商事（株））を用いて、任意範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
　（比重測定）
　ＪＩＳ　Ｚ８８０７－１９７６に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を４ｃｍ×８．５ｃｍの短冊状（厚み：任意）に切り出したものを比重測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定には比重計（ザルトリウス社製）を用い、比重を測定した。
　（硬度測定）
　ＪＩＳ　Ｋ６２５３－１９９７に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体又は光透過領域を２ｃｍ×２ｃｍ（厚み：任意）の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み６ｍｍ以上とした。硬度計（高分子計器社製、アスカーＤ型硬度計）を用い、硬度を測定した。
　実施例１
　〔光透過領域の作製〕
　熱可塑性ポリウレタンＡ１０９８Ａ（東洋紡績社製）を用い、インジェクション成型にてポリウレタンシート（縦５９．５ｍｍ、横１９．５ｍｍ、厚み２．０ｍｍ、Ｄ硬度４８度）を作製し、さらにポリウレタンシートを切削加工してくぼみ部（縦５４ｍｍ、横１４ｍｍ、深さ０．８ｍｍ）を形成して光透過領域を作製した。
　〔研磨領域の作製〕
　反応容器内に、ポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ－３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部、及びシリコン系界面活性剤（東レダウコーニングシリコーン社製、ＳＨ－１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融した４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した。その後、約１分間撹拌を続けてパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行い、ポリウレタン発泡体ブロックを得た。このポリウレタン発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン発泡体シート（平均気泡径５０μｍ、比重０．８２、Ｄ硬度５５度）を得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：２ｍｍ）。このバフ処理をしたシートを直径（６１ｃｍ）に打ち抜き、溝加工機（東邦鋼機社製）を用いて表面に同心円状の溝加工を行った。このシートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）を貼り合わせて両面テープ付き研磨領域を作製した。
　〔研磨パッドの作製〕
  表面をバフがけし、コロナ処理したポリエチレンフォーム（東レ社製、トーレペフ、厚さ：０．８ｍｍ）からなるクッション層を、作製した両面テープ付き研磨領域の接着面にラミ機を用いて貼り合わせて研磨シートを作製した。次に、研磨シートに６０ｍｍ×２０ｍｍの大きさの開口部を形成した。そして、片面に接着剤層を有する支持シート（ポリエチレンテレフタレート、厚さ：５０μｍ）を研磨シートのクッション層に貼り合わせて積層体を得た。その後、該積層体の開口部内に光透過領域を嵌め込み、光透過領域の裏面側の周囲部を支持シートに貼り合わせた。その後、光透過領域の裏面側のくぼみ部に積層された支持シートを切除し、支持フィルムの端部を折り曲げてくぼみ部の側面に貼り合せて図３記載の構造の研磨パッドを作製した。該研磨パッドは、ダミーウエハ１５枚を研磨してもスラリー漏れは発生しなかった。
１：研磨パッド
２：研磨定盤
３：研磨剤（スラリー）
４：被研磨材（半導体ウエハ）
５：支持台（ポリシングヘッド）
６、７：回転軸
８：研磨領域
９：光透過領域
１０：開口部
１１：クッション層
１２：支持シート
１３：周囲部
１４：くぼみ部
１５：被覆部材
 
 

Claims (4)

  1. 研磨領域、クッション層、及び支持フィルムがこの順に積層されている研磨パッドにおいて、
    　研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ支持フィルム上に光透過領域が設けられており、前記光透過領域は、研磨定盤側の表面に、周囲部とくぼみ部とを有しており、前記周囲部には支持フィルムが積層されており、前記くぼみ部には支持フィルムが積層されておらず開口していることを特徴とする研磨パッド。
  2. くぼみ部の側面に被覆部材が設けられている請求項１記載の研磨パッド。
  3. 被覆部材は、周囲部に積層された支持フィルムの端部を折り曲げることにより形成されている請求項２記載の研磨パッド。
  4. 請求項１～３のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
     
     
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