WO2011129254A1 - 研磨パッド - Google Patents

研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
WO2011129254A1
WO2011129254A1 PCT/JP2011/058778 JP2011058778W WO2011129254A1 WO 2011129254 A1 WO2011129254 A1 WO 2011129254A1 JP 2011058778 W JP2011058778 W JP 2011058778W WO 2011129254 A1 WO2011129254 A1 WO 2011129254A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
polishing pad
layer
region
double
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/058778
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
木村　毅
Original Assignee
東洋ゴム工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東洋ゴム工業株式会社 filed Critical 東洋ゴム工業株式会社
Priority to SG2012073318A priority Critical patent/SG184410A1/en
Priority to US13/639,475 priority patent/US9126304B2/en
Priority to CN201180006998.0A priority patent/CN102712074B/zh
Publication of WO2011129254A1 publication Critical patent/WO2011129254A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure

Definitions

  • the present invention relates to a polishing pad for use in planarizing unevenness on a surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer by chemical mechanical polishing (CMP), and more specifically, a window for detecting a polishing state or the like by optical means.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the present invention relates to a polishing pad having (light transmission region) and a method for manufacturing a semiconductor device using the polishing pad.
  • a conductive film is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter also referred to as a wafer), and a wiring layer is formed by photolithography, etching, or the like.
  • a process for forming an interlayer insulating film is performed on the surface of the wafer, and these processes cause irregularities made of a conductor such as metal or an insulator on the wafer surface.
  • miniaturization of wiring and multilayer wiring have been advanced for the purpose of increasing the density of semiconductor integrated circuits, and along with this, technology for flattening the irregularities on the wafer surface has become important.
  • CMP is a technique of polishing using a slurry-like abrasive (hereinafter referred to as slurry) in which abrasive grains are dispersed in a state where the surface to be polished of a wafer is pressed against the polishing surface of a polishing pad.
  • slurry a slurry-like abrasive
  • a polishing apparatus generally used in CMP includes a polishing surface plate 2 that supports a polishing pad 1 and a support base (polishing head) 5 that supports a material to be polished (wafer or the like) 4. And a backing material for uniformly pressing the wafer and a supply mechanism for the abrasive 3.
  • the polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example.
  • the polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the material to be polished 4 supported by each of the polishing surface plate 2 and the support base 5 are opposed to each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressurizing mechanism for pressing the workpiece 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side.
  • the optical detection means is a method of detecting an end point of polishing by irradiating a wafer with a light beam through a window (light transmission region) through a polishing pad and monitoring an interference signal generated by the reflection. It is.
  • a polishing pad having a polishing layer and one or more light-transmitting window members for optically measuring a polishing state formed integrally with a part of the polishing layer, the light-transmitting window The member is formed by laminating at least a soft light-transmitting layer having a micro rubber A hardness of 60 degrees or less and a hard light-transmitting layer having a micro rubber A hardness of 80 degrees or more, and the soft light transmitting layer is positioned on the outermost layer on the polishing surface side.
  • Patent Document 1 A polishing pad characterized by the above has been proposed (Patent Document 1).
  • the polishing layer includes a first window member that transmits light in a thickness direction.
  • a polishing pad in which a second window member that transmits light in the thickness direction is formed in the formation corresponding to the first window member (Patent Document 2).
  • a polishing pad has been proposed in which a transparent sheet is disposed between these pad layers so as to cover the opening in the lower layer of the pad and the opening in the upper layer of the pad (Patent Document 3).
  • Patent Document 4 a polishing pad in which a transparent film is disposed between an upper layer pad and a lower layer pad has been proposed.
  • a sheet (film) having an adhesive layer on both sides is used as the transparent sheet (transparent film).
  • a sheet (film) is interposed between a polishing layer having a light transmission region and a cushion layer.
  • the present invention provides a polishing pad that enables high-precision optical end point detection in the state of polishing, and prevents slurry leakage from the polishing layer side to the cushion layer side even when used for a long period of time.
  • the purpose is to provide. Moreover, it aims at providing the manufacturing method of the semiconductor device using this polishing pad.
  • the present invention provides a polishing pad in which a polishing layer having a polishing region and a light transmission region and a cushion layer having a through hole are laminated via a double-sided adhesive sheet so that the light transmission region and the through hole overlap. And a polishing pad, wherein a translucent member is attached to the adhesive layer of the double-sided adhesive sheet in the through-hole.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing the structure of a conventional polishing pad.
  • the polishing layer 10 having the polishing region 8 and the light transmission region 9 and the cushion layer 12 having the through hole 11 are interposed via the double-sided adhesive sheet 15 so that the light transmission region 9 and the through hole 11 overlap.
  • the double-sided adhesive sheet 15 has an adhesive layer 14 on both sides of the transparent sheet 13, and a release sheet is provided on the surface of the adhesive layer 14 before normal use.
  • the conventional polishing pad 1 is manufactured by peeling the release sheet provided on the surface of each adhesive layer 14 of the double-sided adhesive sheet 15 and bonding the exposed adhesive layers 14 to the polishing layer 10 and the cushion layer 12. Has been.
  • the reason why the optical end point detection accuracy of such a conventional polishing pad is poor is considered as follows. Since the adhesive surface of the adhesive layer 14 in the through-hole 11 is exposed, fine dust or the like adheres to the adhesive surface during the preparation of the polishing pad and during the polishing operation, thereby reducing the light transmittance or reducing the light transmittance. It is considered that the optical end point detection accuracy deteriorates. Further, when the polishing pad is affixed to the platen, it is considered that the optical end point detection accuracy deteriorates due to the adhesive surface touching the platen and the adhesive surface becoming rough.
  • the polishing pad of the present invention does not have the above-mentioned problem because the translucent member 16 is adhered to the adhesive layer 14 in the through hole 11, and the optical end point detection accuracy is high. A decrease can be prevented.
  • the translucent member is preferably a resin film that has been subjected to antireflection treatment and / or light scattering treatment.
  • the resin film By using the resin film, direct reflection of the incident measurement light can be prevented, so that the optical end point detection accuracy can be kept high.
  • the translucent member is a resin film subjected to antifouling treatment.
  • Use of the resin film makes it difficult for dust to adhere to the film surface, so that the optical end point detection accuracy can be maintained high.
  • a resin film having a bandpass function may be used as the translucent member if necessary. Use of the resin film cuts off light having an unnecessary wavelength and allows only light having a required wavelength to pass therethrough, so that only light having a required wavelength can be detected in optical end point detection. Is good.
  • the present invention relates to a semiconductor device manufacturing method including a step of polishing a surface of a semiconductor wafer using the polishing pad.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the polishing pad of the present invention.
  • the polishing pad 1 of the present invention includes a polishing layer 10 having a polishing region 8 and a light transmission region 9, and a cushion layer 12 having a through hole 11, and the light transmission region 9 and the through hole 11.
  • a polishing layer 10 having a polishing region 8 and a light transmission region 9
  • a cushion layer 12 having a through hole 11, and the light transmission region 9 and the through hole 11.
  • a translucent member 16 is adhered to the adhesive layer 14 in the through hole 11.
  • the material for forming the light transmission region is not particularly limited, but it is possible to detect the optical end point with high accuracy while polishing and use a material having a light transmittance of 20% or more over the entire wavelength range of 400 to 700 nm. It is preferable that the material has a light transmittance of 50% or more.
  • Such materials include polyurethane resins, polyester resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, epoxy resins, and acrylic resins, and other thermosetting resins, polyurethane resins, polyester resins, polyamide resins, cellulose resins, Acrylic resins, polycarbonate resins, halogen resins (polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, etc.), polystyrene, olefin resins (polyethylene, polypropylene, etc.), thermoplastic resins, butadiene rubber, isoprene rubber, etc.
  • thermosetting resin is preferably one that cures at a relatively low temperature.
  • photocurable resin it is preferable to use a photopolymerization initiator in combination.
  • the photocurable resin is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by reaction with light.
  • the resin which has an ethylenically unsaturated hydrocarbon group is mentioned.
  • Polyhydric alcohol-based (meth) acrylates such as dipentaerythritol pentaacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, and oligobutadienediol diacrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloxyethoxyphenyl) propane, bisphenol A or Epoxy (meth) acrylates such as (meth) acrylic acid adducts of epichlorohydrin-
  • a photopolymerization initiator or a sensitizer can be added. These are not particularly limited, and are selected and used according to the light source and wavelength range to be used.
  • ultraviolet rays near i-line 365 nm
  • benzophenone 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4-methoxy-4′- Aromatic ketones such as dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-ethylanthraquinone, and phenanthrenequinone, methylbenzoin, ethylbenzoin, etc.
  • Benzoins such as benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) imidazole 2-mer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5 Phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (2,4 -Dimethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer and other imidazoles, 9-phenylacridine, acridine derivatives such as 1,7-bis (9,9'-acridinyl) heptane, N-phenylglycine and the like It is done. These may be used alone
  • the photosensitive resin is not particularly limited as long as it is a resin that chemically reacts with light.
  • a compound containing an active ethylene group or an aromatic polycyclic compound is added to a polymer main chain or side chain.
  • polyvinyl cinnamate unsaturated polyester obtained by polycondensation of p-phenylenediacrylic acid with glycol, cinnamylidene acetic acid esterified with polyvinyl alcohol, cinnamoyl group, cinnamylidene group, chalcone residue, isocoumarin residue, 2 , 5-dimethoxystilbene residue, styrylpyridinium residue, thymine residue, ⁇ -phenylmaleimide, anthracene residue, and 2-pyrone or other photosensitive functional groups introduced into the main chain or side chain of the polymer, etc.
  • Diazo group or azido group introduced into the main chain or side chain of the polymer paraformaldehyde condensate of p-diazodiphenylamine, formaldehyde condensate of benzenediazodium-4- (phenylamino) -phosphate, methoxy
  • Examples include a formaldehyde condensate of a salt addition product of benzenediazodium-4- (phenylamino), polyvinyl-p-azidobenzal resin, and azidoacrylate.
  • polymers having a phenol ester introduced into the main chain or side chain polymers having an unsaturated carbon-carbon double bond such as a (meth) acryloyl group, unsaturated polyesters, unsaturated polyurethanes, unsaturated polymers Examples thereof include saturated polyamide, poly (meth) acrylic acid in which an unsaturated carbon-carbon double bond is introduced as an ester bond in the side chain, epoxy (meth) acrylate, and novolak (meth) acrylate.
  • photosensitive polyimides photosensitive polyamic acids, photosensitive polyamideimides, and combinations of phenolic resins and azide compounds can be used. Further, it can be used in combination with an epoxy resin or a polyamide introduced with a chemically cross-linked site and a photocationic polymerization initiator. Furthermore, natural rubber, synthetic rubber, or a combination of a cyclized rubber and a bisazide compound can be used.
  • the material used for the light transmission region is preferably the same or larger in grindability than the material used for the polishing region.
  • Grindability refers to the degree to which a material to be polished is ground during polishing. In such a case, the light transmission region does not protrude from the polishing region, and scratches on the material to be polished and dechucking errors during polishing can be prevented.
  • a material similar to the material used for the polishing region and the physical properties of the polishing region is preferable to use a material similar to the material used for the polishing region and the physical properties of the polishing region.
  • a highly abrasion-resistant polyurethane resin that can suppress light scattering in the light transmission region due to dressing marks during polishing is desirable.
  • the polyurethane resin comprises an isocyanate component, a polyol component (such as a high molecular weight polyol or a low molecular weight polyol), and a chain extender.
  • isocyanate component 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,2′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4′-diphenylmethane diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate,
  • examples include p-phenylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, 4,4′-dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate, and the like. . These may be used alone or in combination of two or more.
  • the high molecular weight polyol examples include a polyether polyol typified by polytetramethylene ether glycol, a polyester polyol typified by polybutylene adipate, a polycaprolactone polyol, a reaction product of a polyester glycol such as polycaprolactone and an alkylene carbonate, and the like.
  • a polyether polyol typified by polytetramethylene ether glycol
  • a polyester polyol typified by polybutylene adipate a polycaprolactone polyol
  • a reaction product of a polyester glycol such as polycaprolactone and an alkylene carbonate
  • Exemplified polyester polycarbonate polyol, polyester polycarbonate polyol obtained by reacting ethylene carbonate with polyhydric alcohol and then reacting the obtained reaction mixture with organic dicarboxylic acid, and polycarbonate obtained by transesterification reaction between polyhydroxyl compound and aryl carbonate A polyol etc. are mentioned.
  • chain extenders include ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 3 -Low molecular weight polyols such as methyl-1,5-pentanediol, diethylene glycol, triethylene glycol, 1,4-bis (2-hydroxyethoxy) benzene, or 2,4-toluenediamine, 2,6-toluenediamine, 3, 5 -diethyl-2, 4 -toluenediamine, 4,4'-di-sec-butyl-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2 ', 3,3'-tetrachloro
  • polyamines are often colored themselves or resins formed using these are colored in many cases, it is preferable to blend them so as not to impair the physical properties and light transmittance.
  • a compound having an aromatic hydrocarbon group when used, the light transmittance on the short wavelength side tends to be lowered. Therefore, it is particularly preferable not to use such a compound.
  • a compound in which an electron donating group such as a halogen group or a thio group or an electron withdrawing group is bonded to an aromatic ring or the like tends to decrease the light transmittance. Therefore, such a compound may not be used. Particularly preferred. However, you may mix
  • the ratio of the isocyanate component, the polyol component, and the chain extender in the polyurethane resin can be appropriately changed depending on the molecular weight of each and the desired physical properties of the light transmission region produced therefrom.
  • the number of isocyanate groups of the organic isocyanate relative to the total number of functional groups (hydroxyl group + amino group) of the polyol and the chain extender is preferably 0.95 to 1.15, more preferably 0.99 to 1.10.
  • the polyurethane resin can be manufactured by applying a known urethanization technique such as a melting method or a solution method, but it is preferable to manufacture the polyurethane resin by a melting method in consideration of cost, working environment, and the like.
  • the polymerization procedure of the polyurethane resin either a prepolymer method or a one-shot method is possible.
  • an isocyanate-terminated prepolymer from an organic isocyanate and a polyol in advance. Is preferably synthesized, and a prepolymer method in which a chain extender is reacted with this is preferred.
  • the NCO wt% of the prepolymer is preferably about 2 to 8 wt%, more preferably about 3 to 7 wt%. If the NCO wt% is less than 2 wt%, the reaction curing tends to take too much time and the productivity tends to decrease.
  • the reaction rate becomes too fast.
  • air entrainment or the like occurs, and physical properties such as transparency and light transmittance of the polyurethane resin tend to deteriorate.
  • the attenuation of the reflected light increases due to light scattering, and the polishing end point detection accuracy and the film thickness measurement accuracy tend to decrease. Therefore, in order to remove such bubbles and make the light transmission region non-foamed, it is preferable to sufficiently remove the gas contained in the material by reducing the pressure to 10 Torr or less before mixing the material. .
  • the stirring process after mixing in the case of the stirring blade type mixer normally used, it is preferable to stir at the rotation speed of 100 rpm or less so that bubbles may not mix.
  • the stirring step is preferably performed under reduced pressure.
  • the rotation and revolution type mixer is difficult to mix bubbles even at high rotation, it is also preferable to perform stirring and defoaming using the mixer.
  • the production method of the light transmission region is not particularly limited, and can be produced by a known method.
  • a polyurethane resin block produced by the above method can be made to have a predetermined thickness using a band saw type or canna type slicer, a method of pouring the resin into a mold having a cavity of a predetermined thickness, a coating technique, A method using a sheet forming technique is used.
  • the shape and size of the light transmission region are not particularly limited, but are preferably the same shape and size as the opening of the polishing region.
  • the light transmission region may be the same size as the through hole of the cushion layer, may be larger than the through hole, or may be smaller than the through hole.
  • the thickness of the light transmission region is not particularly limited, but is preferably the same as or less than the thickness of the polishing region.
  • the material to be polished may be damaged by the protruding portion during polishing. Further, the light transmission region is deformed by the stress applied during polishing, and is greatly distorted optically, so that there is a possibility that the optical end point detection accuracy of polishing is lowered.
  • the thickness is too thin, the durability may be insufficient, or a large recess may be formed on the upper surface of the light transmission region, and a large amount of slurry may accumulate, resulting in a decrease in optical end point detection accuracy.
  • the Asker D hardness in the light transmission region is preferably 30 to 75 degrees. By using the light transmission region having the hardness, the generation of scratches on the wafer surface and the deformation of the light transmission region can be suppressed. In addition, it is possible to suppress the occurrence of scratches on the surface of the light transmission region, thereby enabling highly accurate optical end point detection to be performed stably.
  • the Asker D hardness in the light transmission region is preferably 40 to 60 degrees.
  • Examples of the material for forming the polishing region include polyurethane resin, polyester resin, polyamide resin, acrylic resin, polycarbonate resin, halogen resin (polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, etc.), polystyrene, olefin resin ( Polyethylene, polypropylene, etc.), epoxy resins, and photosensitive resins. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the material for forming the polishing region may be the same or different from that of the light transmission region, but it is preferable to use the same type of material as that used for the light transmission region.
  • Polyurethane resin is a particularly preferable material as a material for forming a polishing region because it has excellent abrasion resistance and a polymer having desired physical properties can be easily obtained by variously changing the raw material composition.
  • the isocyanate component to be used is not particularly limited, and examples thereof include the isocyanate component.
  • the high molecular weight polyol to be used is not particularly limited, and examples thereof include the high molecular weight polyol.
  • the number average molecular weight of these high molecular weight polyols is not particularly limited, but is preferably 500 to 2000 from the viewpoint of the elastic properties of the resulting polyurethane. If the number average molecular weight is less than 500, a polyurethane using the number average molecular weight does not have sufficient elastic properties and becomes a brittle polymer. For this reason, the polishing region produced from this polyurethane becomes too hard, which causes scratches on the wafer surface. Moreover, since it becomes easy to wear, it is not preferable from the viewpoint of the pad life. On the other hand, when the number average molecular weight exceeds 2,000, polyurethane using this is too soft, and the polishing region produced from this polyurethane tends to have poor planarization characteristics.
  • the low molecular weight polyol in addition to the high molecular weight polyol, the low molecular weight polyol can be used in combination.
  • chain extenders examples include 4,4′-methylenebis (o-chloroaniline) (MOCA), 2,6-dichloro-p-phenylenediamine, 4,4′-methylenebis (2,3-dichloroaniline), 3, 5-bis (methylthio) -2,4-toluenediamine, 3,5-bis (methylthio) -2,6-toluenediamine, 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine, 3,5-diethyltoluene- 2,6-diamine, trimethylene glycol-di-p-aminobenzoate, polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate, 1,2-bis (2-aminophenylthio) ethane, 4,4′-diamino- 3,3′-diethyl-5,5′-dimethyldiphenylmethane, N, N′-di-sec-butyl-4,4′-diaminodipheny
  • the ratio of the isocyanate component, the polyol component, and the chain extender in the polyurethane resin can be variously changed depending on the molecular weight of each and the desired physical properties of the polishing region produced from these.
  • the number of isocyanate groups in the isocyanate component relative to the total number of functional groups (hydroxyl group + amino group) of the polyol component and the chain extender is preferably 0.95 to 1.15. Preferably it is 0.99 to 1.10.
  • the polyurethane resin can be produced by the same method as the above method.
  • stabilizers such as antioxidants, surfactants, lubricants, pigments, solid beads, fillers such as water-soluble particles and emulsion particles, antistatic agents, abrasive grains, and other materials as necessary. Additives may be added.
  • the polishing region is preferably a fine foam.
  • a fine foam By using a fine foam, the slurry can be held in the fine pores on the surface, and the polishing rate can be increased.
  • the method of finely foaming the polyurethane resin is not particularly limited, and examples thereof include a method of adding hollow beads, a method of foaming by a mechanical foaming method, a chemical foaming method, and the like.
  • the mechanical foaming method using the silicon type surfactant which is a copolymer of polyalkylsiloxane and polyether is especially preferable.
  • the silicon-based surfactant SH-192, L-5340 (manufactured by Toray Dow Corning Silicon) and the like are exemplified as suitable compounds.
  • the manufacturing method of this polyurethane foam has the following processes. 1) Foaming process for producing a cell dispersion of isocyanate-terminated prepolymer A silicon-based surfactant is added to the isocyanate-terminated prepolymer (first component), and the mixture is stirred in the presence of a non-reactive gas to remove the non-reactive gas. Disperse as fine bubbles to obtain a cell dispersion. When the prepolymer is solid at normal temperature, it is preheated to an appropriate temperature and melted before use.
  • non-reactive gas used to form the fine bubbles non-flammable gases are preferable, and specific examples include nitrogen, oxygen, carbon dioxide, rare gases such as helium and argon, and mixed gases thereof.
  • nitrogen, oxygen, carbon dioxide, rare gases such as helium and argon, and mixed gases thereof are preferable.
  • air that has been dried to remove moisture is most preferable in terms of cost.
  • a stirring device for making non-reactive gas into fine bubbles and dispersing it in an isocyanate-terminated prepolymer containing a silicon-based surfactant a known stirring device can be used without particular limitation. Specifically, a homogenizer, a dissolver, A two-axis planetary mixer (planetary mixer) is exemplified.
  • the shape of the stirring blade of the stirring device is not particularly limited, but it is preferable to use a whipper-type stirring blade because fine bubbles can be obtained.
  • stirring in the mixing step may not be stirring that forms bubbles, and it is preferable to use a stirring device that does not involve large bubbles.
  • a planetary mixer is suitable. There is no problem even if the same stirring device is used as the stirring device for the stirring step and the mixing step, and it is also preferable to adjust the stirring conditions such as adjusting the rotation speed of the stirring blade as necessary. .
  • heating and post-curing the foam reacted until the foaming reaction liquid is poured into the mold and no longer flows has the effect of improving the physical properties of the foam.
  • the foam reaction solution may be poured into the mold and immediately put into a heating oven for post cure, and heat is not immediately transferred to the reaction components under such conditions, so the bubble size does not increase.
  • the curing reaction is preferably performed at normal pressure because the bubble shape is stable.
  • a known catalyst for promoting a polyurethane reaction such as a tertiary amine type or an organic tin type may be used.
  • the type and addition amount of the catalyst are selected in consideration of the flow time for pouring into a mold having a predetermined shape after the mixing step.
  • the production of the polyurethane foam may be a batch method in which each component is metered into a container and stirred, and each component and a non-reactive gas are continuously supplied to the stirring device and stirred. It may be a continuous production method in which a cell dispersion is sent out to produce a molded product.
  • the polishing region is manufactured by cutting the polyurethane foam produced as described above into a predetermined size.
  • a concavo-convex structure for holding and renewing the slurry is provided on the polishing side surface in contact with the wafer.
  • the polishing region is formed of fine foam, it has many openings on the polishing surface and has the function of holding the slurry, but in order to more efficiently maintain the slurry and renew the slurry.
  • the concavo-convex structure is not particularly limited as long as it is a surface shape that holds and renews slurry.
  • XY lattice grooves For example, XY lattice grooves, concentric grooves, through holes, non-through holes, polygonal columns, cylinders, spiral grooves , Eccentric circular grooves, radial grooves, and combinations of these grooves.
  • the groove pitch, groove width, groove depth and the like are not particularly limited and are appropriately selected and formed.
  • these uneven structures are generally regular, but in order to make the slurry retention and renewability desirable, the groove pitch, groove width, groove depth, etc. should be changed for each range. Is also possible.
  • the thickness of the polishing region is not particularly limited, but is usually about 0.8 to 4 mm, preferably 1.5 to 2.5 mm.
  • a method of producing the polishing region of the thickness a method of making the block of the fine foam a predetermined thickness using a band saw type or a canna type slicer, pouring resin into a mold having a cavity of a predetermined thickness, and curing And a method using a coating technique or a sheet forming technique.
  • the cushion layer supplements the characteristics of the polishing area.
  • the cushion layer is necessary in order to achieve both planarity and uniformity in a trade-off relationship in CMP.
  • Planarity refers to the flatness of a pattern portion when a material having fine irregularities generated during pattern formation is polished, and uniformity refers to the uniformity of the entire material to be polished.
  • the planarity is improved by the characteristics of the polishing region, and the uniformity is improved by the characteristics of the cushion layer.
  • a material for forming the cushion layer is not particularly limited.
  • a fiber nonwoven fabric such as a polyester nonwoven fabric, a nylon nonwoven fabric, and an acrylic nonwoven fabric
  • a resin-impregnated nonwoven fabric such as a polyester nonwoven fabric impregnated with polyurethane
  • examples thereof include rubber resins such as foam, butadiene rubber and isoprene rubber, and photosensitive resins.
  • the manufacturing method of the polishing pad of the present invention is not particularly limited.
  • a polishing region provided with an opening and a cushion layer provided with a through-hole are bonded to the adhesive layer of the double-sided adhesive sheet so that the opening and the through-hole overlap each other, and then bonded within the opening in the polishing region.
  • the light transmitting region can be bonded to the agent layer, and the light transmitting member can be bonded to the adhesive layer in the through hole of the cushion layer.
  • means for forming the opening in the polishing region and the through hole in the cushion layer are not particularly limited.
  • a method of pressing or grinding with a cutting tool, a laser using a carbonic acid laser or the like And a method in which a raw material is poured into a mold having the shape of an opening or a through-hole and cured.
  • the size and shape of the opening and the through hole are not particularly limited.
  • the double-sided adhesive sheet has a general configuration in which an adhesive layer is provided on both sides of a substrate such as a nonwoven fabric or a film, and is generally called a double-sided tape.
  • a substrate such as a nonwoven fabric or a film
  • the composition of the adhesive layer include rubber adhesives and acrylic adhesives.
  • a release sheet is provided on the adhesive layer of the double-sided adhesive sheet.
  • the translucent member is preferably formed of a material having a light transmittance equivalent to that of the light transmissive region so as not to lower the optical end point detection accuracy.
  • Examples thereof include glass and a resin film that transmits light. It is done. In particular, it is preferable to use a resin film formed of the same material as the light transmission region.
  • the thickness of the translucent member is not particularly limited, but is preferably as thin as possible in consideration of the light transmittance.
  • the antireflection treatment can be performed, for example, by providing an antireflection film having a lower refractive index than the film on the film.
  • the material for forming the antireflection film include resin materials such as ultraviolet curable acrylic resins, hybrid materials in which inorganic fine particles such as colloidal silica are dispersed in the resin, metals such as tetraethoxysilane and titanium tetraethoxide. Examples thereof include sol-gel materials using alkoxides.
  • each material may contain a fluorine group for imparting antifouling properties to the film surface.
  • the light scattering treatment can be performed by imparting a fine concavo-convex structure to the surface of the film by an appropriate method such as a roughening method using a sand blasting method or an embossing method, or a blending method of transparent fine particles.
  • the fine particles include inorganic fine particles such as silica, alumina, titania, zirconia, tin oxide, indium oxide, cadmium oxide, and antimony oxide having a mean particle size of 0.5 to 50 ⁇ m, a crosslinked or uncrosslinked polymer, and the like. And organic fine particles (including beads).
  • a resin film that has been subjected to antifouling treatment may be used as the translucent member.
  • the antifouling treatment can be performed, for example, by applying a fluororesin film on the film.
  • a resin film having a bandpass function may be used as the light transmitting member.
  • the band pass function refers to a function of selectively transmitting light of a specific wavelength from multicolor light and blocking (reflecting / absorbing) light of other wavelengths.
  • Examples of the resin film having a bandpass function include colored films such as cellophane.
  • a double-sided tape may be provided on the surface of the cushion layer that adheres to the platen.
  • the semiconductor device is manufactured through a process of polishing the surface of the semiconductor wafer using the polishing pad.
  • a semiconductor wafer is generally a laminate of a wiring metal and an oxide film on a silicon wafer.
  • the method and apparatus for polishing the semiconductor wafer are not particularly limited.
  • a polishing surface plate 2 that supports the polishing pad 1
  • a support table 5 that supports the semiconductor wafer 4
  • This is performed using a backing material for performing uniform pressurization and a polishing apparatus equipped with a polishing agent 3 supply mechanism.
  • the polishing pad 1 is attached to the polishing surface plate 2 by attaching it with a double-sided tape, for example.
  • the polishing surface plate 2 and the support base 5 are disposed so that the polishing pad 1 and the semiconductor wafer 4 supported on each of the polishing surface plate 2 and the support table 5 face each other, and are provided with rotating shafts 6 and 7 respectively. Further, a pressurizing mechanism for pressing the semiconductor wafer 4 against the polishing pad 1 is provided on the support base 5 side. In polishing, the semiconductor wafer 4 is pressed against the polishing pad 1 while rotating the polishing surface plate 2 and the support base 5, and polishing is performed while supplying slurry.
  • the flow rate of the slurry, the polishing load, the polishing platen rotation speed, and the wafer rotation speed are not particularly limited and are appropriately adjusted.
  • the protruding portion of the surface of the semiconductor wafer 4 is removed and polished flat. Thereafter, a semiconductor device is manufactured by dicing, bonding, packaging, or the like. The semiconductor device is used for an arithmetic processing device, a memory, and the like.
  • Example 1 [Production of light transmission region] 128 parts by weight of a polyester polyol (number average molecular weight 2400) composed of adipic acid, hexanediol and ethylene glycol and 30 parts by weight of 1,4-butanediol were mixed, and the temperature was adjusted to 70 ° C. To this mixed solution, 100 parts by weight of 4,4′-diphenylmethane diisocyanate previously adjusted to 70 ° C. was added and stirred for about 1 minute. Then, the mixed solution was poured into a container kept at 100 ° C. and post-cured at 100 ° C. for 8 hours to produce a polyurethane resin. Using the produced polyurethane resin, a light transmission region (length 56 mm, width 20 mm, thickness 1.25 mm) was prepared by injection molding.
  • a polyester polyol number average molecular weight 2400
  • 1,4-butanediol 1,4-butanediol
  • Concentric groove processing (groove width: 0.25 mm, groove depth: 0.45 mm, groove pitch: 1.5 mm) on the surface of the buffed sheet using a groove processing machine (manufactured by Toho Koki Co., Ltd.) ) This sheet was punched to a size of 60 cm in diameter, and then an opening (56 mm ⁇ 20 mm) was formed at a position of about 12 cm from the center of the punched sheet to prepare a polishing region.
  • a polishing surface plate A double-sided tape for laminating was laminated and punched out to a size of 60 cm in diameter to produce a cushion layer with double-sided tape.
  • a through hole 50 mm ⁇ 14 mm was formed at a position of about 12 cm from the center of the cushion layer with the double-sided tape.
  • the polishing region with double-sided tape and the cushion layer with double-sided tape were bonded together so that the opening and the through hole overlap, and the produced light transmission region was bonded to the adhesive layer in the opening. Thereafter, a light-transmissive member (polyethylene terephthalate film, 50 mm long, 14 mm wide, 50 ⁇ m thick) was bonded to the adhesive layer in the through hole to prepare a polishing pad.
  • a light-transmissive member polyethylene terephthalate film, 50 mm long, 14 mm wide, 50 ⁇ m thick
  • Example 2 [Production of polishing pad]
  • a double-sided tape (Sekisui Chemical Co., Ltd., double tack tape) having a release film (thickness 38 ⁇ m) made of polyethylene terephthalate on both sides is peeled off to expose the adhesive layer, and the adhesive layer Were bonded to the surface opposite to the groove processed surface of the polishing region prepared in Example 1 using a laminator to prepare a polishing region with a double-sided tape.
  • region produced in Example 1 was bonded together to the adhesive bond layer in the opening part of the grinding
  • a light transmitting member (50 mm ⁇ 14 mm) is formed by using a Thomson blade in a portion corresponding to the light transmitting region of the release film on the other surface of the double-sided tape, and a separation member other than the light transmitting member is formed.
  • the mold film was peeled to expose the adhesive layer.
  • a polishing surface plate A double-sided tape for laminating was laminated and punched out to a size of 60 cm in diameter to produce a cushion layer with double-sided tape.
  • a through hole 50 mm ⁇ 14 mm was formed at a position of about 12 cm from the center of the cushion layer with the double-sided tape.
  • the cushion layer with the double-sided tape was bonded to the exposed adhesive layer of the polishing layer with the double-sided tape so that the translucent member and the through hole overlapped to prepare a polishing pad.
  • Example 3 A polishing pad was produced in the same manner as in Example 1 except that an anti-reflection film (manufactured by NOF Corporation, Realak) was used as the translucent member.
  • an anti-reflection film manufactured by NOF Corporation, Realak
  • Comparative Example 1 A polishing pad was produced in the same manner as in Example 1 except that the translucent member was not bonded to the adhesive layer in the through hole.
  • An SPP600S manufactured by Okamoto Machine Tool Co., Ltd. was used as a polishing apparatus, and the produced polishing pad was bonded to a polishing surface plate. Then, the 8-inch dummy wafer was polished for 1 hour.
  • silica slurry (SS12, manufactured by Cabot Corporation) was added as a slurry at a flow rate of 150 ml / min.
  • the polishing load was 350 g / cm 2
  • the polishing platen rotation number was 35 rpm
  • the wafer rotation number was 30 rpm.
  • the polishing pad is peeled off from the polishing surface plate, and whether the dust is attached to the light transmitting member or the adhesive layer in the through hole of the cushion layer and whether the surface thereof is rough are visually observed. did. In the polishing pads of Examples 1 to 3, no adhesion of dust or rough surface was observed. On the other hand, dust adhesion and surface roughness were observed on the polishing pad of Comparative Example 1. It is considered that fine dust or the like adhered to the adhesive layer during the preparation of the polishing pad and during the polishing operation. In addition, when the polishing pad is attached to the polishing surface plate or during the polishing operation, it is considered that the adhesive layer touches or adheres to the polishing surface plate and the surface thereof is roughened.
  • the polishing pad of the present invention is used for flattening optical materials such as lenses and reflecting mirrors, silicon wafers, glass substrates for hard disks, aluminum substrates, and materials that require high surface flatness such as general metal polishing. Used for processing.
  • the polishing pad of the present invention is particularly suitable for a step of planarizing a silicon wafer and a device having an oxide layer, a metal layer, etc. formed thereon, before further laminating and forming these oxide layers and metal layers. Used for.
  • Polishing pad 2 Polishing surface plate 3: Abrasive (slurry) 4: Material to be polished (semiconductor wafer) 5: Support base (polishing head) 6, 7: Rotating shaft 8: Polishing region 9: Light transmission region 10: Polishing layer 11: Through hole 12: Cushion layer 13: Transparent sheet 14: Adhesive layer 15: Double-sided adhesive sheet 16: Translucent member

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

　本発明は、研磨を行っている状態で高精度の光学終点検知を可能とし、長期間使用した場合であっても研磨層（１０）側からクッション層（１２）側へのスラリー漏れを防止することができる研磨パッド（１）を提供することを目的とする。また、該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明の研磨パッドは、研磨領域（８）及び光透過領域（９）を有する研磨層と貫通孔（１１）を有するクッション層とが、前記光透過領域と前記貫通孔とが重なるように両面接着シート（１５）を介して積層されており、前記貫通孔内の両面接着シートの接着剤層（１４）に透光部材（１６）が貼付されていることを特徴とする。

Description

研磨パッド
　本発明は、半導体ウエハなどの被研磨材表面の凹凸をケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）で平坦化する際に使用される研磨パッドに関し、詳しくは、研磨状況等を光学的手段により検知するための窓（光透過領域）を有する研磨パッド、及び該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法に関する。
　半導体装置を製造する際には、半導体ウエハ（以下、ウエハともいう）表面に導電性膜を形成し、フォトリソグラフィー、エッチング等をすることにより配線層を形成する形成する工程や、配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程等が行われ、これらの工程によってウエハ表面に金属等の導電体や絶縁体からなる凹凸が生じる。近年、半導体集積回路の高密度化を目的として配線の微細化や多層配線化が進んでいるが、これに伴い、ウエハ表面の凹凸を平坦化する技術が重要となってきた。
　ウエハ表面の凹凸を平坦化する方法としては、一般的にＣＭＰ法が採用されている。ＣＭＰは、ウエハの被研磨面を研磨パッドの研磨面に押し付けた状態で、砥粒が分散されたスラリー状の研磨剤（以下、スラリーという）を用いて研磨する技術である。
　ＣＭＰで一般的に使用する研磨装置は、例えば、図１に示すように、研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、被研磨材（ウエハなど）４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えている。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と被研磨材４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、被研磨材４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。
　このようなＣＭＰを行う上で、ウエハ表面平坦度の判定の問題がある。すなわち、希望の表面特性や平面状態に到達した時点を検知する必要がある。従来、酸化膜の膜厚や研磨速度等に関しては、テストウエハを定期的に処理し、結果を確認してから製品となるウエハを研磨処理することが行われてきた。
　しかし、この方法では、テストウエハを処理する時間とコストが無駄になり、また、あらかじめ加工が全く施されていないテストウエハと製品ウエハでは、ＣＭＰ特有のローディング効果により、研磨結果が異なり、製品ウエハを実際に加工してみないと、加工結果の正確な予想が困難である。
　そのため、最近では上記の問題点を解消するために、ＣＭＰプロセス時に、その場で、希望の表面特性や厚さが得られた時点を検出できる方法が望まれている。このような検知については様々な方法が用いられているが、測定精度や非接触測定における空間分解能の点から光学的検知手段が主流となりつつある。
　光学的検知手段とは、具体的には光ビームを窓（光透過領域）を通して研磨パッド越しにウエハに照射して、その反射によって発生する干渉信号をモニターすることによって研磨の終点を検知する方法である。
　このような光学的手段による研磨の終点検知法およびその方法に用いられる研磨パッドについては様々なものが提案されている。
　例えば、研磨層と、該研磨層の一部に一体に形成された研磨状態を光学的に測定するための一つ以上の透光窓部材と、を有する研磨パッドであって、該透光窓部材は、マイクロゴムＡ硬度６０度以下の軟質透光層とマイクロゴムＡ硬度が８０度以上の硬質透光層が少なくとも積層され、かつ、前記軟質透光層は研磨面側の最表層に位置する事を特徴とする研磨パッドが提案されている（特許文献１）。
　また、被研磨物を研磨する研磨層と、前記研磨層を支持する下地層とを有し、前記研磨層には、厚み方向に光を透過させる第１窓部材が形成されており、前記下地層には、前記第１窓部材に対応する位置に、厚み方向に光を透過させる第２窓部材が形成されていることを特徴とする研磨パッドが提案されている（特許文献２）。
　一方、スラリーが研磨層側からクッション層側に漏れ出さないための提案もなされている。
　例えば、パッド下層の開口部分およびパッド上層の開口部分を覆うように、これらのパッド層の間に透明シートを配置したポリシングパッドが提案されている（特許文献３）。
　また、上層パッドと下層パッドとの間に、透明フィルムを配置した研磨パッドが提案されている（特許文献４）。
　上記透明シート（透明フィルム）としては、両面に接着剤層を有するシート（フィルム）が用いられているが、このようなシート（フィルム）を光透過領域を有する研磨層とクッション層との間に設けた場合、光学的終点検知精度が悪くなるという問題があった。
特開２００３－２８５２５９号公報 特開２００７－４４８１４号公報 特開２００１－２９１６８６号公報 特開２００３－６８６８６号公報
　本発明は、研磨を行っている状態で高精度の光学終点検知を可能とし、長期間使用した場合であっても研磨層側からクッション層側へのスラリー漏れを防止することができる研磨パッドを提供することを目的とする。また、該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す研磨パッドにより上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
　すなわち本発明は、研磨領域及び光透過領域を有する研磨層と貫通孔を有するクッション層とが、前記光透過領域と前記貫通孔とが重なるように両面接着シートを介して積層されている研磨パッドにおいて、前記貫通孔内の両面接着シートの接着剤層に透光部材が貼付されていることを特徴とする研磨パッド、に関する。
　図２は、従来の研磨パッドの構造を示す概略断面図である。詳しくは、研磨領域８及び光透過領域９を有する研磨層１０と貫通孔１１を有するクッション層１２とが、前記光透過領域９と前記貫通孔１１とが重なるように両面接着シート１５を介して積層されている。両面接着シート１５は、透明シート１３の両面に接着剤層１４を有するものであり、通常使用前においては接着剤層１４の表面に剥離シートが設けられている。従来の研磨パッド１は、両面接着シート１５の各接着剤層１４の表面に設けられた剥離シートを剥離し、露出した各接着剤層１４を研磨層１０及びクッション層１２に貼り合せることにより製造されている。
このような従来の研磨パッドの光学的終点検知精度が悪い理由としては以下のことが考えられる。貫通孔１１内の接着剤層１４は接着面が露出しているため、研磨パッド作製時及び研磨操作時に当該接着面に細かな埃などが付着し、それにより光透過率が低下したり又は光の反射が起こり、光学的終点検知精度が悪くなると考えられる。また、研磨パッドをプラテンに貼り付ける際に、当該接着面がプラテンに触れて接着面が荒れることにより、光学的終点検知精度が悪くなると考えられる。また、研磨操作中に光透過領域９に圧力が加わった際に、当該接着面がプラテンに貼り付いて光透過領域９が歪むことにより、光学的終点検知精度が悪くなると考えられる。研磨パッドを作製した後に、貫通孔１１内の接着剤層１４を完全に除去すれば上記問題は解決すると思われるが、接着剤層１４を完全に除去することは事実上不可能である。
　本発明の研磨パッドは、図３に示すように、前記貫通孔１１内の接着剤層１４に透光部材１６が貼付されているため上記のような問題が起こらず、光学的終点検知精度の低下を防止することができる。
　前記透光部材は、反射防止処理及び／又は光散乱処理された樹脂フィルムであることが好ましい。該樹脂フィルムを用いることにより、入射する測定光の直接反射を防止できるため、光学的終点検知精度を高く維持することができる。
　また、前記透光部材は、防汚処理された樹脂フィルムであることが好ましい。該樹脂フィルムを用いることにより、フィルム表面に埃などが付着しにくくなるため、光学的終点検知精度を高く維持することができる。
　また、前記透光部材として、必要によりバンドパス機能を有する樹脂フィルムを使用してもよい。該樹脂フィルムを用いると、不要な波長の光をカットして、必要な波長の光のみを透過することができるため、光学的終点検知において必要な波長の光のみを検出することができるため都合がよい。
　さらに本発明は、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法、に関する。
ＣＭＰ研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略図である。 従来の研磨パッドの構造を示す概略断面図である。 本発明の研磨パッドの構造を示す概略断面図である。
　図３は、本発明の研磨パッドの構造を示す概略断面図である。図３に示すように、本発明の研磨パッド１は、研磨領域８及び光透過領域９を有する研磨層１０と貫通孔１１を有するクッション層１２とが、前記光透過領域９と前記貫通孔１１とが重なるように両面接着シート１５を介して積層されており、前記貫通孔１１内の接着剤層１４に透光部材１６が貼付されていることを特徴とする。
　光透過領域の形成材料は特に制限されないが、研磨を行っている状態で高精度の光学終点検知を可能とし、波長４００～７００ｎｍの全範囲で光透過率が２０％以上である材料を用いることが好ましく、さらに好ましくは光透過率が５０％以上の材料である。そのような材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、及びアクリル樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、及びオレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）などの熱可塑性樹脂、ブタジエンゴムやイソプレンゴムなどのゴム、紫外線や電子線などの光により硬化する光硬化性樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なお、熱硬化性樹脂は比較的低温で硬化するものが好ましい。光硬化性樹脂を使用する場合には、光重合開始剤を併用することが好ましい。
　光硬化性樹脂は、光により反応して硬化する樹脂であれば特に制限されない。例えば、エチレン性不飽和炭化水素基を有する樹脂が挙げられる。具体的には、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ヘキサプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，９－ノナンジオールジアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、及びオリゴブタジエンジオールジアクリレートなどの多価アルコール系（メタ）アクリレート、２，２－ビス（４－（メタ）アクリロキシエトキシフェニル）プロパン、ビスフェノールＡ又はエピクロルヒドリン系エポキシ樹脂の（メタ）アクリル酸付加物などのエポキシ（メタ）アクリレート、無水フタル酸－ネオペンチルグリコール－アクリル酸の縮合物などの低分子不飽和ポリエステル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸付加物、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートと２価アルコールと（メタ）アクリル酸モノエステルとの反応で得られるウレタン（メタ）アクリレート化合物、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、及びノニルフェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。これらは単独または２種以上を組み合わせて用いられる。
　光硬化性樹脂の光硬化性を高めるために、光重合開始剤や増感剤等を添加する事ができる。これらは、特に制限されるものではなく、用いる光源、波長域に応じて選択して使用する。
　ｉ線（３６５ｎｍ）付近の紫外線を光源に用いる場合には、例えば、ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタン－１－オン、２－エチルアントラキノン、及びフェナントレンキノンなどの芳香族ケトン類、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン類、ベンジルジメチルケタールなどのベンジル誘導体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（ｍ－メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－フェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（２，４－ジメトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体などのイミダゾール類、９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９，９’－アクリジニル）ヘプタンなどのアクリジン誘導体、Ｎ－フェニルグリシンなどが挙げられる。これらは単独または２種以上を組み合わせて用いられる。
　感光性樹脂としては、光により化学反応する樹脂であれば特に制限されず、具体的には、（１）活性エチレン基を含む化合物や芳香族多環化合物を高分子の主鎖や側鎖に導入したもの；ポリビニルシンナメート、ｐ－フェニレンジアクリル酸をグリコールと縮重合した不飽和ポリエステル、シンナミリデン酢酸をポリビニルアルコールでエステル化したもの、シンナモイル基、シンナミリデン基、カルコン残基、イソクマリン残基、２，５－ジメトキシスチルベン残基、スチリルピリジニウム残基、チミン残基、α－フェニルマレイミド、アントラセン残基、及び２－ピロン等の感光性官能基を高分子の主鎖や側鎖に導入したものなどが挙げられる。
（２）ジアゾ基やアジド基を高分子の主鎖や側鎖に導入したもの；ｐ－ジアゾジフェニルアミンのパラホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンジアゾジウム－４－（フェニルアミノ）－ホスフェートのホルムアルデヒド縮合物、メトキシベンゼンジアゾジウム－４－（フェニルアミノ）の塩付加物のホルムアルデヒド縮合物、ポリビニル－ｐ－アジドベンザル樹脂、アジドアクリレートなどが挙げられる。
（３）主鎖または側鎖中にフェノールエステルが導入された高分子；（メタ）アクリロイル基等の不飽和炭素－炭素二重結合が導入された高分子、不飽和ポリエステル、不飽和ポリウレタン、不飽和ポリアミド、側鎖にエステル結合で不飽和炭素－炭素二重結合が導入されたポリ（メタ）アクリル酸、エポキシ（メタ）アクリレート、及びノボラック（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　また、種々の感光性ポリイミド、感光性ポリアミド酸、感光性ポリアミドイミド、またフェノール樹脂とアジド化合物との組み合わせで使用できる。また、エポキシ樹脂や化学架橋型部位の導入したポリアミドと光カチオン重合開始剤との組み合わせで使用できる。さらに、天然ゴム、合成ゴム、又は環化ゴムとビスアジド化合物との組み合わせで使用できる。
　光透過領域に用いる材料は、研磨領域に用いる材料よりも研削性が同じか大きいものが好ましい。研削性とは、研磨中に被研磨材やドレッサーにより削られる度合いをいう。上記のような場合、光透過領域が研磨領域より突き出ることがなく、被研磨材へのスクラッチや研磨中のデチャックエラーを防ぐことができる。
　また、研磨領域に用いられる形成材料や研磨領域の物性に類似する材料を用いることが好ましい。特に、研磨中のドレッシング痕による光透過領域の光散乱を抑制できる耐摩耗性の高いポリウレタン樹脂が望ましい。
前記ポリウレタン樹脂は、イソシアネート成分、ポリオール成分（高分子量ポリオールや低分子量ポリオールなど）、及び鎖延長剤からなるものである。
　イソシアネート成分としては、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、２，２’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、ｍ－フェニレンジイソシアネート、ｐ－キシリレンジイソシアネート、ｍ－キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、４，４’－ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　高分子量ポリオールとしては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールに代表されるポリエ－テルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いで得られた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、及びポリヒドキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　また、ポリオールとして上述した高分子量ポリオールの他に、エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等の低分子量ポリオールを併用してもよい。
　鎖延長剤としては、エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等の低分子量ポリオール類、あるいは２，４－トルエンジアミン、２，６－トルエンジアミン、3 ，5 －ジエチル－2 ，4 －トルエンジアミン、４，４’－ジ－ｓｅｃ－ブチルージアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２’，３，３’－テトラクロロ－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－メチレン－ビスーメチルアンスラニレート、４，４’－メチレン－ビスーアンスラニリックアシッド、４，４’－ジアミノジフェニルスルフォン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－メチレン－ビス（３－クロロ－２，６－ジエチルアニリン）、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノ－５，５’－ジエチルジフェニルメタン、１，２－ビス（２－アミノフェニルチオ）エタン、トリメチレングリコールージ－ｐ－アミノベンゾエート、３，５－ビス（メチルチオ）－２，４－トルエンジアミン等に例示されるポリアミン類を挙げることができる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。ただし、ポリアミン類については自身が着色していたり、これらを用いてなる樹脂が着色する場合も多いため、物性や光透過性を損なわない程度に配合することが好ましい。また、芳香族炭化水素基を有する化合物を用いると短波長側での光透過率が低下する傾向にあるため、このような化合物を用いないことが特に好ましい。また、ハロゲン基やチオ基などの電子供与性基又は電子吸引性基が芳香環等に結合している化合物は、光透過率が低下する傾向にあるため、このような化合物を用いないことが特に好ましい。ただし、短波長側要求される光透過性を損なわない程度に配合してもよい。
　前記ポリウレタン樹脂におけるイソシアネート成分、ポリオール成分、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量やこれらから製造される光透過領域の所望物性などにより適宜変更できる。ポリオールと鎖延長剤の合計官能基（水酸基＋アミノ基）数に対する有機イソシアネートのイソシアネート基数は、０．９５～１．１５であることが好ましく、さらに好ましくは０．９９～１．１０である。前記ポリウレタン樹脂は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。
　前記ポリウレタン樹脂の重合手順としては、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能であるが、研磨時のポリウレタン樹脂の安定性及び透明性の観点から、事前に有機イソシアネートとポリオールからイソシアネート末端プレポリマーを合成しておき、これに鎖延長剤を反応させるプレポリマー法が好ましい。また、前記プレポリマーのＮＣＯ重量％は２～８重量％程度であることが好ましく、さらに好ましくは３～７重量％程度である。ＮＣＯ重量％が２重量％未満の場合には、反応硬化に時間がかかりすぎて生産性が低下する傾向にあり、一方ＮＣＯ重量％が８重量％を超える場合には、反応速度が速くなり過ぎて空気の巻き込み等が発生し、ポリウレタン樹脂の透明性や光透過率等の物理特性が悪くなる傾向にある。なお、光透過領域に気泡がある場合には、光の散乱により反射光の減衰が大きくなり研磨終点検出精度や膜厚測定精度が低下する傾向にある。したがって、このような気泡を除去して光透過領域を無発泡体にするために、前記材料を混合する前に１０Ｔｏｒｒ以下に減圧することにより材料中に含まれる気体を十分に除去することが好ましい。また、混合後の撹拌工程においては気泡が混入しないように、通常用いられる撹拌翼式ミキサーの場合には、回転数１００ｒｐｍ以下で撹拌することが好ましい。また、撹拌工程においても減圧下で行うことが好ましい。さらに、自転公転式混合機は、高回転でも気泡が混入しにくいため、該混合機を用いて撹拌、脱泡を行うことも好ましい方法である。
　光透過領域の作製方法は特に制限されず、公知の方法により作製できる。例えば、前記方法により製造したポリウレタン樹脂のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法や所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法や、コーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが用いられる。
　光透過領域の形状、大きさは特に制限されるものではないが、研磨領域の開口部と同様の形状、大きさにすることが好ましい。また、光透過領域は、クッション層の貫通孔と同じ大きさであってもよく、貫通孔より大きくてもよく、又は貫通孔より小さくてもよい。
　光透過領域の厚さは特に制限されるものではないが、研磨領域の厚みと同一厚さ、またはそれ以下にすることが好ましい。光透過領域が研磨領域より厚い場合には、研磨中に突き出た部分により被研磨材を傷つける恐れがある。また、研磨の際にかかる応力により光透過領域が変形し、光学的に大きく歪むため研磨の光学終点検知精度が低下する恐れがある。一方、薄すぎる場合には耐久性が不十分になったり、光透過領域の上面に大きな凹部が生じて多量のスラリーが溜まり、光学終点検知精度が低下する恐れがある。
　光透過領域のアスカーＤ硬度は、３０～７５度であることが好ましい。該硬度の光透過領域を用いることにより、ウエハ表面のスクラッチの発生や光透過領域の変形を抑制できる。また、光透過領域表面の傷の発生も抑制することができ、それにより高精度の光学終点検知を安定的に行うことが可能になる。光透過領域のアスカーＤ硬度は４０～６０度であることが好ましい。
　研磨領域の形成材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、エポキシ樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。なお、研磨領域の形成材料は、光透過領域と同組成でも異なる組成であってもよいが、光透過領域に用いられる形成材料と同種の材料を用いることが好ましい。
　ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができるため、研磨領域の形成材料として特に好ましい材料である。
　使用するイソシアネート成分は特に制限されず、例えば、前記イソシアネート成分が挙げられる。
　使用する高分子量ポリオールは特に制限されず、例えば、前記高分子量ポリオールが挙げられる。なお、これら高分子量ポリオールの数平均分子量は、特に限定されるものではないが、得られるポリウレタンの弾性特性等の観点から５００～２０００であることが好ましい。数平均分子量が５００未満であると、これを用いたポリウレタンは十分な弾性特性を有さず、脆いポリマーとなる。そのためこのポリウレタンから製造される研磨領域は硬くなりすぎ、ウエハ表面のスクラッチの原因となる。また、摩耗しやすくなるため、パッド寿命の観点からも好ましくない。一方、数平均分子量が２０００を超えると、これを用いたポリウレタンは軟らかくなりすぎるため、このポリウレタンから製造される研磨領域は平坦化特性に劣る傾向にある。
　また、ポリオールとしては、高分子量ポリオールの他に、前記低分子量ポリオールを併用することもできる。
　鎖延長剤としては、４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）（ＭＯＣＡ）、２，６－ジクロロ－ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－メチレンビス（２，３－ジクロロアニリン）、３，５－ビス（メチルチオ）－２，４－トルエンジアミン、３，５－ビス（メチルチオ）－２，６－トルエンジアミン、３，５－ジエチルトルエン－２，４－ジアミン、３，５－ジエチルトルエン－２，６－ジアミン、トリメチレングリコール－ジ－ｐ－アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド－ジ－ｐ－アミノベンゾエート、１，２－ビス（２－アミノフェニルチオ）エタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジイソプロピル－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトラエチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトライソプロピルジフェニルメタン、ｍ－キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｓｅｃ－ブチル－ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、及びｐ－キシリレンジアミン等に例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオール成分を挙げることができる。これらは１種で用いても、２種以上を混合しても差し支えない。
　前記ポリウレタン樹脂におけるイソシアネート成分、ポリオール成分、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量やこれらから製造される研磨領域の所望物性などにより種々変え得る。研磨特性に優れる研磨領域を得るためには、ポリオール成分と鎖延長剤の合計官能基（水酸基＋アミノ基）数に対するイソシアネート成分のイソシアネート基数は０．９５～１．１５であることが好ましく、さらに好ましくは０．９９～１．１０である。
　前記ポリウレタン樹脂は、前記方法と同様の方法により製造することができる。なお、必要に応じてポリウレタン樹脂に酸化防止剤等の安定剤、界面活性剤、滑剤、顔料、中実ビーズや水溶性粒子やエマルション粒子等の充填剤、帯電防止剤、研磨砥粒、その他の添加剤を添加してもよい。
　研磨領域は、微細発泡体であることが好ましい。微細発泡体にすることにより表面の微細孔にスラリーを保持することができ、研磨速度を大きくすることができる。
　前記ポリウレタン樹脂を微細発泡させる方法は特に制限されないが、例えば中空ビーズを添加する方法、機械的発泡法、及び化学的発泡法等により発泡させる方法などが挙げられる。なお、各方法を併用してもよいが、特にポリアルキルシロキサンとポリエーテルとの共重合体であるシリコン系界面活性剤を使用した機械的発泡法が好ましい。該シリコン系界面活性剤としては、ＳＨ－１９２、Ｌ－５３４０（東レダウコーニングシリコン製）等が好適な化合物として例示される。
　微細気泡タイプのポリウレタン発泡体を製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。
１）イソシアネート末端プレポリマーの気泡分散液を作製する発泡工程
　イソシアネート末端プレポリマー（第１成分）にシリコン系界面活性剤を添加し、非反応性気体の存在下で撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。前記プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
２）硬化剤（鎖延長剤）混合工程
　上記の気泡分散液に鎖延長剤（第２成分）を添加、混合、撹拌して発泡反応液とする。
３）注型工程
　上記の発泡反応液を金型に流し込む。
４）硬化工程
　金型に流し込まれた発泡反応液を加熱し、反応硬化させる。
　微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。
　非反応性気体を微細気泡状にしてシリコン系界面活性剤を含むイソシアネート末端プレポリマーに分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置を特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、２軸遊星型ミキサー（プラネタリーミキサー）等が例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼を使用すると微細気泡が得られるため好ましい。
　なお、撹拌工程において気泡分散液を作成する撹拌と、混合工程における鎖延長剤を添加して混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。特に混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。撹拌工程と混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。
　前記ポリウレタン発泡体の製造方法においては、発泡反応液を型に流し込んで流動しなくなるまで反応した発泡体を、加熱、ポストキュアすることは、発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。金型に発泡反応液を流し込んで直ちに加熱オーブン中に入れてポストキュアを行う条件としてもよく、そのような条件下でもすぐに反応成分に熱が伝達されないので、気泡径が大きくなることはない。硬化反応は、常圧で行うと気泡形状が安定するため好ましい。
　前記ポリウレタン樹脂の製造において、第３級アミン系、有機スズ系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択する。
　前記ポリウレタン発泡体の製造は、容器に各成分を計量して投入し、撹拌するバッチ方式であってもよく、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して撹拌し、気泡分散液を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。
　研磨領域は、以上のようにして作製されたポリウレタン発泡体を、所定のサイズに裁断して製造される。
　研磨領域は、ウエハと接触する研磨側表面に、スラリーを保持・更新するための凹凸構造（溝、孔）が設けられていることが好ましい。研磨領域が微細発泡体により形成されている場合には研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持する働きを持っているが、更なるスラリーの保持性とスラリーの更新を効率よく行うため、またウエハの吸着によるデチャックエラーの誘発やウエハの破壊や研磨効率の低下を防ぐためにも、研磨側表面に凹凸構造を有することが好ましい。凹凸構造は、スラリーを保持・更新する表面形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、ＸＹ格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、溝ピッチ、溝幅、溝深さ等も特に制限されず適宜選択して形成される。さらに、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。
　研磨領域の厚みは特に限定されるものではないが、通常０．８～４ｍｍ程度であり、１．５～２．５ｍｍであることが好ましい。前記厚みの研磨領域を作製する方法としては、前記微細発泡体のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。
　クッション層は、研磨領域の特性を補うものである。クッション層は、ＣＭＰにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨材を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨材全体の均一性をいう。研磨領域の特性によって、プラナリティを改善し、クッション層の特性によってユニフォーミティを改善することを行う。本発明の研磨パッドにおいては、クッション層は研磨領域より柔らかいものを用いることが好ましい。
　前記クッション層の形成材料は特に制限されないが、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布、ポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。
　本発明の研磨パッドの製造方法は特に制限されない。例えば、開口部を設けた研磨領域と貫通孔を設けたクッション層を、開口部と貫通孔とが重なるように両面接着シートの接着剤層にそれぞれ貼り合わせ、その後、研磨領域の開口部内の接着剤層に光透過領域を貼り合わせ、またクッション層の貫通孔内の接着剤層に透光部材を貼り合わせることにより製造することができる。
　前記研磨パッドの製造方法において、研磨領域に開口部を、クッション層に貫通孔を形成する手段は特に制限されるものではないが、例えば、切削工具でプレス又は研削する方法、炭酸レーザーなどによるレーザーを利用する方法、開口部又は貫通孔の形状を備えた金型に原料を流し込んで硬化させて形成する方法などが挙げられる。なお、開口部及び貫通孔の大きさや形状は特に制限されない。
　両面接着シートは、不織布又はフィルム等の基材の両面に接着剤層を設けた一般的な構成を有するものであり、一般的に両面テープと呼ばれるものである。接着剤層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。通常、両面接着シートの接着剤層上には剥離シートが設けられている。
　透光部材は、光学的終点検知精度を低下させないために、光透過領域と同等の光透過率を有する材料で形成されていることが好ましく、例えば、ガラス、光を透過する樹脂フィルムなどが挙げられる。特に光透過領域と同じ材料で形成された樹脂フィルムを用いることが好ましい。透光部材の厚さは特に制限されないが、光透過率を考慮するとできるだけ薄いほうが好ましい。
　透光部材として、反射防止処理及び／又は光散乱処理された樹脂フィルムを用いることが好ましい。
　反射防止処理は、例えばフィルム上に、該フィルムより低屈折率の反射防止膜を付与することにより行うことができる。反射防止膜の形成材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等の樹脂系材料、樹脂中にコロイダルシリカ等の無機微粒子を分散させたハイブリッド系材料、テトラエトキシシラン、チタンテトラエトキシド等の金属アルコキシドを用いたゾル－ゲル系材料等があげられる。また、各材料は、膜表面の防汚性付与のためにフッ素基を含有するものを用いてもよい。
　光散乱処理は、例えばサンドブラスト方式やエンボス加工方式による粗面化方式、透明微粒子の配合方式などの適宜な方式にてフィルムの表面に微細凹凸構造を付与することにより行うことができる。また、フィルム上に光散乱膜を別途設けてもよい。前記微粒子としては、例えば、平均粒径が０．５～５０μｍのシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、酸化アンチモン等の無機系微粒子、架橋又は未架橋のポリマー等からなる有機系微粒子（ビーズを含む）などが挙げられる。
　また、透光部材として、防汚処理された樹脂フィルムを用いてもよい。防汚処理は、例えば、フィルム上にフッ素樹脂皮膜を付与することにより行うことができる。
　また、透光部材として、バンドパス機能を有する樹脂フィルムを用いてもよい。バンドパス機能とは、多色光から特定の波長の光を選択的に透過させ、それ以外の波長の光はブロックする（反射・吸収させる）機能をいう。バンドパス機能を有する樹脂フィルムとしては、例えば、セロハンなどの色付きフィルムが挙げられる。
　クッション層のプラテンと接着する面には両面テープが設けられていてもよい。
　半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図１に示すように研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、半導体ウエハ４を支持する支持台５（ポリシングヘッド）とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と半導体ウエハ４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤２と支持台５とを回転させつつ半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
　これにより半導体ウエハ４の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。
　以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。
　実施例１
　〔光透過領域の作製〕
　アジピン酸とヘキサンジオールとエチレングリコールからなるポリエステルポリオール（数平均分子量２４００）１２８重量部、及び１，４－ブタンジオール３０重量部を混合し、７０℃に温調した。この混合液に、予め７０℃に温調した４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート１００重量部を加え、約１分間撹拌した。そして、１００℃に保温した容器中に該混合液を流し込み、１００℃で８時間ポストキュアを行ってポリウレタン樹脂を作製した。作製したポリウレタン樹脂を用い、インジェクション成型にて光透過領域（縦５６ｍｍ、横２０ｍｍ、厚さ１．２５ｍｍ）を作製した。
　〔研磨領域の作製〕
　反応容器内に、ポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ－３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部、及びシリコン系界面活性剤（東レダウコーニングシリコーン社製、ＳＨ－１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融した４，４’－メチレンビス（ｏ－クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した。その後、約１分間撹拌を続けてパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行い、ポリウレタン発泡体ブロックを得た。このポリウレタン発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン発泡体シート（比重：０．８６、Ｄ硬度：５２度）を得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：１．２７ｍｍ）。このバフ処理をしたシートの表面に、溝加工機（東邦鋼機社製）を用いて同心円状の溝加工（溝幅：０．２５ｍｍ、溝深さ：０．４５ｍｍ、溝ピッチ：１．５ｍｍ）を行った。このシートを直径６０ｃｍの大きさに打ち抜き、次に、打ち抜いたシートの中心から約１２ｃｍの位置に開口部（５６ｍｍ×２０ｍｍ）を形成して研磨領域を作製した。
　〔研磨パッドの作製〕
　作製した研磨領域の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）を貼り合わせて両面テープ付き研磨領域を作製した。
　表面をバフがけし、コロナ処理したポリエチレンフォーム（東レ社製、トーレペフ、厚さ：０．８ｍｍ）からなるクッション層の片面（研磨定盤側の面）にラミ機を使用して、研磨定盤に貼り合せるための両面テープを貼り合わせ、直径６０ｃｍの大きさに打ち抜いて両面テープ付きクッション層を作製した。両面テープ付きクッション層の中心から約１２ｃｍの位置に貫通孔（５０ｍｍ×１４ｍｍ）を形成した。
　両面テープ付き研磨領域と両面テープ付きクッション層とを、開口部と貫通孔とが重なるように貼り合わせ、さらに作製した光透過領域を開口部内の接着剤層に貼り合わせた。その後、透光部材（ポリエチレンテレフタレートフィルム、縦５０ｍｍ、横１４ｍｍ、厚さ５０μｍ）を貫通孔内の接着剤層に貼り合わせて研磨パッドを作製した。
　実施例２
　〔研磨パッドの作製〕
　両面にポリエチレンテレフタレートからなる離型フィルム（厚さ３８μｍ）を有する両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）の片面の離型フィルムを剥離して接着剤層を露出させ、該接着剤層を実施例１で作製した研磨領域の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して貼り合わせて両面テープ付き研磨領域を作製した。両面テープ付き研磨領域の開口部内の接着剤層に、実施例１で作製した光透過領域を貼り合わせて両面テープ付き研磨層を作製した。その後、前記両面テープの他面の離型フィルムの前記光透過領域に対応する部分に、トムソン刃を用いて切れ込みを入れて透光部材（５０ｍｍ×１４ｍｍ）を形成し、透光部材以外の離型フィルムを剥離して接着剤層を露出させた。
　表面をバフがけし、コロナ処理したポリエチレンフォーム（東レ社製、トーレペフ、厚さ：０．８ｍｍ）からなるクッション層の片面（研磨定盤側の面）にラミ機を使用して、研磨定盤に貼り合せるための両面テープを貼り合わせ、直径６０ｃｍの大きさに打ち抜いて両面テープ付きクッション層を作製した。両面テープ付きクッション層の中心から約１２ｃｍの位置に貫通孔（５０ｍｍ×１４ｍｍ）を形成した。
　そして、前記両面テープ付き研磨層の露出させた接着剤層に、透光部材と貫通孔とが重なるように前記両面テープ付きクッション層を貼り合わせて研磨パッドを作製した。
　実施例３
　透光部材として、アンチリフレクションフィルム（日油（株）社製、リアルック）を用いた以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
　比較例１
　透光部材を貫通孔内の接着剤層に貼り合わせなかった以外は実施例１と同様の方法で研磨パッドを作製した。
　（評価方法）
　研磨装置としてＳＰＰ６００Ｓ（岡本工作機械社製）を用い、作製した研磨パッドを研磨定盤に貼り合わせた。そして、８インチのダミーウエハを１時間研磨した。研磨条件としては、スラリーとして、シリカスラリー（ＳＳ１２、キャボット社製）を研磨中に流量１５０ｍｌ／ｍｉｎ添加した。研磨荷重としては３５０ｇ／ｃｍ２、研磨定盤回転数３５ｒｐｍ、ウエハ回転数３０ｒｐｍとした。その後、研磨パッドを研磨定盤から剥離し、クッション層の貫通孔内の透光部材又は接着剤層にごみが付着しているか否か、及びその表面が荒れているか否かを目視にて観察した。実施例１～３の研磨パッドには、ごみの付着又は表面の荒れは認められなかった。一方、比較例１の研磨パッドには、ごみの付着及び表面の荒れが認められた。研磨パッド作製時及び研磨操作時に接着剤層に細かな埃などが付着したと考えられる。また、研磨パッドを研磨定盤に貼り付けるとき又は研磨操作中に、接着剤層が研磨定盤に触れたり又は張り付いて、その表面が荒れたと考えられる。
　本発明の研磨パッドは、レンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工に用いられる。本発明の研磨パッドは、特にシリコンウエハ並びにその上に酸化物層、金属層等が形成されたデバイスを、さらにこれらの酸化物層や金属層を積層・形成する前に平坦化する工程に好適に使用される。
１：研磨パッド
２：研磨定盤
３：研磨剤（スラリー）
４：被研磨材（半導体ウエハ）
５：支持台（ポリシングヘッド）
６、７：回転軸
８：研磨領域
９：光透過領域
１０：研磨層
１１：貫通孔
１２：クッション層
１３：透明シート
１４：接着剤層
１５：両面接着シート
１６：透光部材
 
 
 
 
 

Claims (5)

  1. 研磨領域及び光透過領域を有する研磨層と貫通孔を有するクッション層とが、前記光透過領域と前記貫通孔とが重なるように両面接着シートを介して積層されている研磨パッドにおいて、前記貫通孔内の両面接着シートの接着剤層に透光部材が貼付されていることを特徴とする研磨パッド。
  2. 前記透光部材は、反射防止処理及び／又は光散乱処理された樹脂フィルムである請求項１記載の研磨パッド。
  3. 前記透光部材は、防汚処理された樹脂フィルムである請求項１記載の研磨パッド。
  4. 前記透光部材は、バンドパス機能を有する樹脂フィルムである請求項１記載の研磨パッド。
  5. 請求項１記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
     
     
PCT/JP2011/058778 2010-04-15 2011-04-07 研磨パッド WO2011129254A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG2012073318A SG184410A1 (en) 2010-04-15 2011-04-07 Polishing pad
US13/639,475 US9126304B2 (en) 2010-04-15 2011-04-07 Polishing pad
CN201180006998.0A CN102712074B (zh) 2010-04-15 2011-04-07 抛光垫

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-094318 2010-04-15
JP2010094318A JP5620141B2 (ja) 2010-04-15 2010-04-15 研磨パッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011129254A1 true WO2011129254A1 (ja) 2011-10-20

Family

ID=44798630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/058778 WO2011129254A1 (ja) 2010-04-15 2011-04-07 研磨パッド

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9126304B2 (ja)
JP (1) JP5620141B2 (ja)
KR (1) KR20120096059A (ja)
CN (1) CN102712074B (ja)
MY (1) MY164221A (ja)
SG (1) SG184410A1 (ja)
TW (1) TWI474893B (ja)
WO (1) WO2011129254A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102581750A (zh) * 2012-03-31 2012-07-18 天津西美科技有限公司 一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103958125A (zh) * 2011-12-16 2014-07-30 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫
JP5389973B2 (ja) * 2012-04-11 2014-01-15 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド及びその製造方法
US9993907B2 (en) * 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
US9259820B2 (en) * 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
KR102160091B1 (ko) 2014-06-12 2020-09-25 엘지디스플레이 주식회사 편광판 및 그 제조방법
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
KR20240015167A (ko) 2014-10-17 2024-02-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
DE102014116598A1 (de) * 2014-11-13 2016-05-19 Vorwerk & Co. Interholding Gesellschaft mit beschränkter Haftung Vorrichtung, Verwendung einer Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbearbeitung
US10618141B2 (en) 2015-10-30 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for forming a polishing article that has a desired zeta potential
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
CN117283450A (zh) 2016-01-19 2023-12-26 应用材料公司 多孔化学机械抛光垫
JP6794464B2 (ja) * 2016-02-26 2020-12-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄い研磨パッド内の窓
US10213894B2 (en) 2016-02-26 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Method of placing window in thin polishing pad
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
KR101945874B1 (ko) * 2017-08-07 2019-02-11 에스케이씨 주식회사 표면 처리된 연마패드용 윈도우 및 이를 포함하는 연마패드
SG11202010448TA (en) 2018-05-07 2020-11-27 Applied Materials Inc Hydrophilic and zeta potential tunable chemical mechanical polishing pads
WO2020050932A1 (en) 2018-09-04 2020-03-12 Applied Materials, Inc. Formulations for advanced polishing pads
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
CN114193319B (zh) * 2021-12-10 2022-10-18 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫
CN116000799B (zh) * 2022-12-20 2023-09-22 南通北风橡塑制品有限公司 一种防静电聚氨酯抛光垫及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033012A (ja) * 2003-07-14 2005-02-03 Seiko Epson Corp 研磨装置および半導体装置の製造方法
JP2007530297A (ja) * 2004-03-25 2007-11-01 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 疎水性領域及び終点検出ポートを備える研磨パッド
JP2008226911A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Jsr Corp 化学機械研磨用パッド、化学機械研磨用積層体パッド、および化学機械研磨方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69632490T2 (de) * 1995-03-28 2005-05-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren und Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
US6247998B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
US6454630B1 (en) 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
US6524164B1 (en) 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP4131632B2 (ja) 2001-06-15 2008-08-13 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び研磨パッド
JP2003133270A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
JP2003163191A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd 機械化学的研磨装置用の研磨パッド
JP2003285259A (ja) 2002-03-28 2003-10-07 Toray Ind Inc 研磨パッド、研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
AU2003302299A1 (en) 2002-11-27 2004-06-18 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device
US6676483B1 (en) 2003-02-03 2004-01-13 Rodel Holdings, Inc. Anti-scattering layer for polishing pad windows
TW200530378A (en) 2003-03-11 2005-09-16 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and semiconductor device manufacturing method
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
JP4904027B2 (ja) 2005-08-10 2012-03-28 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2007276009A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP5110677B2 (ja) * 2006-05-17 2012-12-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033012A (ja) * 2003-07-14 2005-02-03 Seiko Epson Corp 研磨装置および半導体装置の製造方法
JP2007530297A (ja) * 2004-03-25 2007-11-01 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 疎水性領域及び終点検出ポートを備える研磨パッド
JP2008226911A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Jsr Corp 化学機械研磨用パッド、化学機械研磨用積層体パッド、および化学機械研磨方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102581750A (zh) * 2012-03-31 2012-07-18 天津西美科技有限公司 一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板
CN102581750B (zh) * 2012-03-31 2015-04-29 天津西美科技有限公司 一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板

Also Published As

Publication number Publication date
JP5620141B2 (ja) 2014-11-05
KR20120096059A (ko) 2012-08-29
TWI474893B (zh) 2015-03-01
US9126304B2 (en) 2015-09-08
SG184410A1 (en) 2012-11-29
MY164221A (en) 2017-11-30
CN102712074A (zh) 2012-10-03
CN102712074B (zh) 2016-01-20
US20130017769A1 (en) 2013-01-17
JP2011228358A (ja) 2011-11-10
TW201141661A (en) 2011-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5620141B2 (ja) 研磨パッド
JP4775881B2 (ja) 研磨パッド
JP5110677B2 (ja) 研磨パッド
JP4971028B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
WO2014080729A1 (ja) 研磨パッド
JP2007260827A (ja) 研磨パッドの製造方法
JP5732354B2 (ja) 研磨パッド
JP2009224384A (ja) 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
WO2014087771A1 (ja) 研磨パッド
JP2006110686A (ja) 研磨パッド
JP5255286B2 (ja) 研磨パッド
JP4859109B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2007276009A (ja) 研磨パッド
JP5146927B2 (ja) 長尺研磨パッドの製造方法
JP4869017B2 (ja) 長尺研磨パッドの製造方法
WO2016052155A1 (ja) 研磨パッド
JP4831476B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2017117976A (ja) 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2017119314A (ja) 研磨パッドの使用方法
JP2017119313A (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2009220249A (ja) 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP2017119315A (ja) 積層研磨パッド製造用光透過領域積層部材、及び研磨領域積層部材、並びに積層研磨パッド製造用キット、並びに積層研磨パッド
JP2017119316A (ja) 研磨パッド
JP2007283458A (ja) 長尺研磨パッドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180006998.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11768775

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127016954

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13639475

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11768775

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1