KR100532440B1 - 윈도로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부를 가지는 화학기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드 - Google Patents

윈도로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부를 가지는 화학기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드 Download PDF

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Abstract

윈도(window)로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부(sealing barrier)를 가지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드(pad)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 의한 연마 패드는 웨이퍼에 접촉할 연마면을 가지는 상측 패드, 상면이 상측 패드 후면에 부착되고 바닥면이 화학 기계적 연마 장비의 플레이튼(platen) 상면에 부착되는 바닥측 패드, 바닥측 패드 및 상측 패드를 관통하게 형성되되 상측 패드를 관통하는 부분이 바닥측 패드를 관통하는 부분에 비해 넓은 구멍(aperture), 상측 패드의 구멍 부위에 끼워져 연마 종말점 감지를 위한 감지광이 지나는 통로로 이용되는 투명한 윈도(window), 및 연마면에 도입되는 유체로부터 기인하는 습기가 투명한 윈도의 배후로 침투되는 것을 방지하기 위해 바닥측 패드의 구멍 부위에서 바닥측 패드의 측면을 덮어 가리고 투명한 윈도의 일부 배후 바닥면을 덮어 가리게 연장된 실링 장벽부(sealing barrier)를 포함하여 구성된다.

Description

윈도로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부를 가지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드{Polishing pad having sealing barrier to protect fluid permeation onto window for a chemical mechanical polishing apparatus}
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로, 특히, 연마 진행 중에 제품의 상태를 측정하는 광학 장비(optical apparatus)를 사용하기 위해서 연마 패드(polishing pad)에 구비되어, 광선(optical beam)이 투과되는 투명한 윈도(window)로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부(sealing barrier)를 가지는 화학 기계적 연마(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 장비에 사용되는 연마 패드에 관한 것이다.
회로가 집적된 반도체 웨이퍼(wafer)를 제조할 때 CMP 공정을 도입하는 것이 일반화되고 있다. CMP는 주로 웨이퍼 상에 도입되는 다양한 물질층들을 평탄화하거나 이러한 패터닝하는 데 이용되고 있다. CMP 공정은 화학적으로 활성인 슬러리(slurry)를 연마 패드 상에 도입하여 이러한 슬러리의 작용 및 연마 패드의 작용에 의해서 웨이퍼의 표면을 연마하는 과정이다.
도 1은 전형적인 CMP 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 전형적인 윈도를 가지는 CMP 패드를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 전형적인 CMP 장비는 반도체 웨이퍼(10)를 평탄화하기 위해서, 연마 패드(20)를 회전시키는 플레이튼(platen:35)과 웨이퍼(10)를 잡는 헤드(head:31) 등을 구비한다. 플레이튼(35)의 회전축(36)에 대해서 회전하고, 헤드(31)는 회전축(32)에 대해서 회전한다. 연마 패드(21)는 플레이튼(35)의 상면을 덮도록 부착된다. 연마 패드(21)는 웨이퍼(10)에 접촉하는 연마면을 가지는 하드 패드(hard pad)인 상측 패드(21과 상측 패드(21)의 후면에 도입되는 소프트 패드(soft pad)인 바닥측 패드(bottom pad:23)를 포함하여 구성된다.
이와 같은 CMP 장비를 이용하여 웨이퍼(10)를 연마할 때, 연마되는 웨이퍼(10)의 표면 상태를 측정하는 것이 이러한 연마 공정을 제어하는 데 또는 연마의 종말점을 감지하는 데 필요하다. 이러한 웨이퍼(10)의 표면 상태를 측정하는 방법 또는 연마 종말점을 감지하는 방법은 다양한 방법이 시도되고 있으나, 도 1에 제시된 바와 같이 광학인 방법이 크게 사용되고 있다. 광학적인 방법은 레이저 광 간섭계(laser interferometer:32)를 사용하여 광선(34)을 웨이퍼(10)의 표면에 조사하고 반사광을 수집하여 웨이퍼(10)의 표면 상태를 측정하는 방법이다. 이를 위해서 연마 패드(20)에서는 광선(34)이 진행할 통로로 사용될 구멍(aperture:30)이 구비된다. 그런데, CMP 과정에서는 슬러리 등이 사용되므로, 이러한 구멍(30)은 윈도(window) 등으로 가려지게 된다.
도 2를 참조하면, 이러한 구멍(30)은 투명한 윈도(40)로 가려져, 연마 패드(20) 표면으로부터 슬러리 또는 세정에 사용되는 순수 등으로부터 기인하는 유체(fluid)의 누설(leakage)이 일차적으로 방지된다. 만일, 유체의 누설이 일어나면 윈도(40)의 표면 등에 습기(60)가 차거나 이슬 등이 맺히게 된다. 이러한 습기(60)나 이슬은 광선(34)을 산란시켜 정확한 광학적 측정을 방해하게 된다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 상태 측정 또는 종말점 감지(end point detecting)가 불가능하게 되어 연마 패드(20)를 교체하게 된다.
이를 방지하기 위해서, 미국 특허 제6,358,130호(Peter W Freeman 등에 의해서 2002년 3월 19일 등록)에 제시된 바와 같이, 이러한 유체의 누설을 방지하는 다양한 방법들이 제시되고 있다. 그럼에도 불구하고, 여전히 윈도(40)에의 습기(60)가 차는 현상이 발생하는 데, 이는 도 2에 화살표로 제시된 바와 같이 연마 패드(20)의 바닥측 패드(23)를 통한 유체의 침투(permeation of fluid)로 이해될 수 있다.
연마 패드(20)의 바닥측 패드(23)는 연마의 균일도를 개선하기 위해서 도입되어 버퍼층(buffer layer)으로서 작용한다. 따라서, 이러한 바닥측 패드(23)는 마치 스펀지와 같이 성긴 조직 구조를 가지는 소프트 패드일 수밖에 없다. 이러한 소프트 패드인 바닥측 패드(23)는 실제 연마면을 가지는 상측 패드(21)에 접착층(51)에 의해 부착되고, 연후에 바닥측 패드(23)의 바닥면에 도입되는 접착층(55)에 의해서 플레이튼(35)에 부착되게 된다. 이러한 구조의 연마 패드(20)는 현재 사용되고 있는 CMP용 연마 패드에서는 일반적인 것으로, 미국 로델(Rodel)사의 IC 1000 패드 및 IC 1010 패드 등에서도 이러한 구조가 채용되고 있다.
이러한 연마 패드(20)에서 비록 윈도(40)와 상측 패드(21)의 틈새(45) 등으로의 유체 누설은 방지될 수 있다할 지라도, 바닥측 패드(23) 자체를 통한 유체의 침투는 실질적으로 막기 어려운 상태이다. 소프트 패드인 바닥측 패드(23)를 통한 습기의 침투는 슬러리나 순수에 노출되는 바닥측 패드(23)의 측면으로부터 그 내부로 향해 일어난다. 이러한 습기의 침투는 연마 공정을 수행하는 과정이 반복됨에 따라 점차 가중되어 결국 습기의 침투가 통로인 구멍(30)에 다다르게 되어 윈도(40)의 후면에 습기가 차게 된다. 실질적으로, IC 1010 패드를 사용하여 실제 CMP 공정을 수행할 때, 대략 2000매 정도 연마 공정을 수행하면 윈도(40)에 습기가 차는 현상이 발생하고 있다. 이와 같이 윈도(40)에 습기가 차게 되면, 실질적으로 종말점 검출이 불가능해져 결국 연마 패드(20)를 교환해주어야 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 광학 장비에 의한 종말점 검출 또는 웨이퍼 상태의 측정을 보다 더 신뢰성 있게 허용하기 위해서, 측정 광이 투과하는 윈도로의 유체 또는 습기 침투를 보다 신뢰성 있게 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드를 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 화학 기계적 연마(CMP) 중에 웨이퍼의 상태를 측정 또는 연마 종말점을 검출하기 위해 광의 경로로 이용되는 윈도로의 습기의 침투를 막을 수 있는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드를 제공한다.
상기 연마 패드는 웨이퍼에 접촉할 연마면을 가지는 상측 패드, 상면이 상기 상측 패드 후면에 부착되고 바닥면이 화학 기계적 연마 장비의 플레이튼(platen) 상면에 부착되는 바닥측 패드, 상기 바닥측 패드 및 상기 상측 패드를 관통하게 형성되되 상기 상측 패드를 관통하는 부분이 상기 바닥측 패드를 관통하는 부분에 비해 넓은 구멍(aperture), 상기 상측 패드의 상기 구멍 부위에 끼워져 연마 종말점 감지를 위한 감지광이 지나는 통로로 이용되는 투명한 윈도(window), 및 상기 연마면에 도입되는 유체로부터 기인하는 습기가 상기 투명한 윈도의 배후로 침투되는 것을 방지하기 위해 상기 바닥측 패드의 상기 구멍 부위에서 상기 바닥측 패드의 측면을 덮어 가리고 상기 투명한 윈도의 일부 배후 바닥면을 덮어 가리게 연장된 실링 장벽부(sealing barrier)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 실링 장벽부는 상기 구멍에 대해서 폐쇄된 루프(loop)를 이루는 형태를 가질 수 있다.
삭제
또한, 상기 바닥측 패드는 상기 실링 장벽부의 어느 한 측면에서 단절되고 상기 실링 장벽부는 상면이 상기 상측 패드의 바닥면에 부착되고 바닥면이 상기 플레이튼 상면에 부착된 것일 수 있다.
상기 실링 장벽부의 어느 한 측면은 상기 구멍에 노출되고 다른 한 측면은 상기 바닥측 패드의 측면과 접촉할 수 있다. 또는, 상기 실링 장벽부의 어느 한 측면은 상기 플레이튼 및 상기 상측 패드의 외측 측면과 함께 노출되고 다른 한 측면은 상기 바닥측 패드의 측면과 접촉할 수 있다.
상기 실링 장벽부는 상기 바닥측 패드와 대등한 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 실링 장벽부는 상기 바닥측 패드 보다 상기 유체에 대한 투과도가 낮은 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 실링 장벽부는 상기 상측 패드를 구성하는 물질과 대등한 물질로 형성된 것일 수 있다.
삭제
이때, 상기 바닥측 패드는 상기 실링 장벽부의 상기 구멍에 노출된 측면에 대향되는 반대 측면에서 단절되고 상기 실링 장벽부는 상면이 상기 상측 패드의 바닥면에 부착되고 바닥면이 상기 플레이튼 상면에 부착된 것일 수 있다.
이때, 상기 실링 장벽부의 상면은 상기 윈도의 상기 구멍에 대향되고 상기 연마면에 반대되는 바닥면을 일부 덮도록 연장될 수 있다.
본 발명에 따르면, 광학 장비를 사용하여 종말점 검출 또는 웨이퍼 상태의 측정을 수행할 때, 측정 광이 투과하는 윈도로의 유체 또는 습기 침투를 보다 신뢰성 있게 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드를 제공할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 반도체 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 층은 상기 다른 층에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수 있다.
본 발명의 실시예들에서는, 도 1에 제시된 바와 같은 전형적인 CMP 장비에서 웨이퍼를 연마하기 위해서 연마 패드를 준비할 때, 바닥측 패드와 광의 전달 통로인 구멍(aperture)의 사이에 습기 침투(permeation of humidity)를 막기 위한 실링 장벽부(sealing barrier)를 도입하는 바를 제시한다. 실링 장벽부는 연마의 균일도를 증가시키기 위한 버퍼층으로서 소프트 패드인 바닥측 패드 보다 낮은 습기 투과도(permeation of humidity)를 가지는 물질로 형성될 수 있으므로, 바닥측 패드 자체로 습기가 침투하는 경로를 차단하는 역할을 한다.
이에 따라, 바닥측 패드의 외측 측면에 슬러리 또는 순수가 접촉함에 따라 습기가 바닥측 패드 내부로 침투되어 구멍으로 습기가 침투되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 광이 전달되는 경로를 확보하는 투명한 윈도의 바닥면 등에 습기가 끼는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 이러한 윈도에 습기가 끼는 데 따른 웨이퍼 상태 측정 불능 또는 연마 종말점 검출 불량 등의 문제점들이 발생하는 것을 최대한 방지할 수 있다. 따라서, 연마 패드의 수명을 크게 증가시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 실링 장벽부를 가지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 3 - 3'의 절단선을 따르는 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5는 도 4의 실링 장벽부를 설명하기 위해서 실링 장벽부의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 CMP 장비에 사용되는 연마 패드(200)는 상측 패드(210)와 바닥측 패드(230) 및 실링 장벽부(700) 등을 포함하여 구성된다. 웨이퍼가 접촉되어 CMP될 연마면(211)을 상면으로 가지는 상측 패드(210)와 그 후면에 부착되는 바닥측 패드(230)는 전형적인 CMP 패드 구조로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상측 패드(210)는 폴리우레탄(poly urethane) 등으로 구성될 수 있고, 바닥측 패드(230)는 스펀지 형태의 소프트한 패드로 구성될 수 있다.
이러한 바닥측 패드(230)의 상면과 상측 패드(210)의 바닥면은 접착제의 층(510)에 의해서 상호간에 부착되고, 바닥측 패드(230)의 바닥면은 CMP 장비의 플레이튼(35)의 상면과 접착제의 층(550)에 의해서 상호간에 부착된다.
바닥측 패드(230)와 상측 패드(210)를 관통하여 광이 전달될 통로로 구멍(30)이 구비된다. 구멍(30)은 도 1에 제시된 바와 같이 웨이퍼의 상태를 측정하기 위한 또는 연마의 종말점을 검출하기 위한 광학 장비, 예컨대, 레인저 광 간섭계(도 1의 32)의 광선이 웨이퍼에 조사 또는 이에 따른 반사광의 통로로 이용된다.
이러한 구멍(30)은 도 1 및 도 4에 제시된 바와 같이 연마 패드(200)를 상하로 관통하게 형성된다. 그런데, 상측 패드(210)의 연마면(211)에는 CMP를 위한 슬러리가 유입되게 되거나 또는 세정 등을 위한 순수 등이 유입될 수 있다. 이러한 슬러리나 순수 등의 유체로부터 구멍(30) 내부 또는 그 하부에 있는 광학 장비 등을 보호하기 위해서, 즉, 슬러리 등의 유체의 누설을 방지하기 위해서 구멍(30)의 상단에는 투명한 윈도(400)가 도입된다.
한편, 윈도(400)는 투명한 우레탄 물질 등으로 형성될 수 있는 데, 연마 종말점 검출 등을 위한 광의 투과를 허용하기 위해서 투명해야 한다. 이러한 윈도(400)는 상측 패드(210)의 구멍(30)에 끼워진다.
바닥측 패드(230)는 전형적인 CMP 패드의 경우 앞서 설명한 바와 같이 연마 균일도의 개선을 위해서 소프트 패드로 구성된다. 따라서, 바닥측 패드(230) 자체는 유체에 대한 투과도가 상측 패드(210) 상대적으로 낮은 조직을 가지게 된다. 즉, 마치 스펀지와 같은 조직으로 상대적으로 유체의 침투가 가능하여 바닥측 패드(230) 자체가 도 1에 제시된 바와 같이 유체의 침투 경로로서 작용할 수 있게 된다.
이와 같은 유체의 침투를 방지하여 윈도(400)에 습기가 끼는 것을 보다 신뢰성 있게 방지하기 위해서, 실링 장벽부(700)를 바닥측 패드(230)와 구멍(30) 사이에 도입한다. 유체의 침투는 바닥측 패드(230)의 노출되는 외측 측면에 상기한 슬러리 또는 순수 등이 접촉하기 때문에 이루어진다. 따라서, 바닥측 패드(230)의 외측 표면으로부터 구멍(30)에 이르는 침투 경로 사이에, 이러한 침투를 막아줄 실링 장벽부(700)를 도입한다.
이러한 실링 장벽부(700)는 도 4에 제시된 바와 같이 구멍(30)에 인접하게 설치되어, 바닥측 패드(230)의 측면이 구멍에 노출되지 않도록 도입될 수 있다. 이와 같이 하면, 바닥측 패드(230) 내로 유체의 흡습 또는 침투가 도 4의 화살표와 같이 이루어지더라도, 침투된 습기가 구멍(300)에 다다르지 않게 되어 윈도(400)로의 습기의 침투는 방지될 수 있다. 또한, 이러한 실링 장벽부(700)는 구멍(30)에 노출되지 않게 도입될 수도 있으며, 침투 경로의 중간에 도입되는 것으로도 충분하다.
실링 장벽부(700)는 구멍(30)으로 습기가 침투하는 것을 방지하는 작용을 하므로, 도 5에 제시된 바와 같이 구멍(30)을 가운데 두는 폐쇄된 루프(loop)를 이루는 형태를 가지는 것이 바람직하다. 이때, 루프의 형태는 도 5에서와 같이 사각형일 수도 있으나 타원 또는 원형을 이루는 형태로도 무방하다.
이러한 실링 장벽부(700)는 바닥측 패드(230)에 침투된 습기가 더 이상 침투하는 것을 차단하는 작용을 하므로, 기본적으로 습기 또는 유체 등에 대해 비침투성을 가지는 물질(impermeable material)로 형성되는 것이 바람직하다. 실질적으로, 실링 장벽부(700)는 적어도 바닥측 패드(230)를 이루는 물질에 비해 유체 또는 습기에 대한 투과도(permeability)가 상대적으로 낮은 물질로 구성되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 바닥측 패드(230)에 비해 딱딱한 조직으로 형성되는 상측 패드(210)를 이루는 물질, 예컨대, 폴리우레탄이나 상측 패드(210)를 이루는 물질에 대등한 물질, 예컨대, 폴리텍스(polytex)로 이루어질 수 있다.
한편, 실링 장벽부(700)는 도 5에 제시된 바와 같은 형태 외에 다양한 형태로 형성될 수 있으나, 적어도, 바닥측 패드(230)가 실링 장벽부(700)의 어느 한 측면에서 단절되도록, 실링 장벽부(700)의 상면이 상측 패드(700)의 바닥면에 부착되고, 실링 장벽부(700)의 바닥면이 플레이튼(35)의 상면에 부착되는 것이 바람직하다. 즉, 도 4에 제시된 바와 같이 실링 장벽부(700)의 어느 한 측면이 광 투과용 구멍(30)에 노출되고 다른 반대쪽 측면이 바닥측 패드(230)의 어느 한 측면과 접촉하는 것이 바람직하다.
이를 위해서, 접촉제의 층들(510, 550)은 실링 장벽부(700)와 상측 패드(210)의 계면 및 플레이튼(35)의 상면과의 계면으로 연장되는 것이 바람직하다. 또한, 이를 위해서 실링 장벽부(700)의 두께는 바닥측 패드(230)와 대등한 두께이거나 또는 조금 더 두꺼운 두께를 가지는 것이 바람직하다.
한편, 도 4에 제시된 바와 같이, 실링 장벽부(700)의 상면은 윈도(400)의 바닥면의 일부를 덮도록 연장되는 것이 바람직하다. 이는 윈도(400)와 상측 패드(210) 사이의 틈(도 2의 45)으로 유체가 누설 또는 유입될 경우에도, 실링 장벽부(700)가 유입되는 유체 등이 구멍(30)에 다다르는 것을 충분히 방지해 줄 수 있도록 유도하기 위해서이다.
이제까지 본 발명의 실시예에서 제시하는 실링 장벽부(700)를 도입하는 바를 상세히 설명하였으나, 이러한 실링 장벽부(700)는 도 4에서 제시된 바와 같이 구멍(30)에 인접하도록 도입되지 않고 다양한 위치에 도입될 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 의한 실링 장벽부의 도입 위치에 대한 변형예를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 6을 참조하면, 실링 장벽부(700)는 바닥측 패드(231)의 중간에 도입될 수도 있다. 바닥측 패드(230)의 흡습 또는 유체의 침투 경로는, 바닥측 패드(230)의 외측 표면(239)에 슬러리 또는 순수와 같은 유체가 접촉하여 그 내부로 침투 또는 흡수되는 경로이므로, 바닥측 패드(230)의 외측 표면(230)과 구멍(30) 사이에 실링 장벽부(700)가 도입됨으로써도, 구멍(30)으로의 습기 또는 유체의 침투를 방지할 수 있다.
도 7을 참조하면, 실링 장벽부(700)는 슬러리 또는 순수와 같은 유체가 접촉 가능한 부위인 바닥측 패드(233)의 외측 표면(239)을 덮어, CMP 공정 중에 도입되는 슬러리 또는 순수 등과 같은 유체가 바닥측 패드(233)와 접촉하는 것을 원천적으로 막을 수 있다. 즉, 실링 장벽부(700)의 어느 한 측면은 CMP 장비의 플레이튼(35) 및 상측 패드(210)의 외측 측면과 함께 노출되고 다른 한 측면은 바닥측 패드(233)의 측면과 접촉하도록 설치될 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
상술한 본 발명에 따르면, CMP 장비에 사용되는 연마 패드를 구성하는 바닥측 패드와 종말점 검출을 위한 광의 경로로 이용되는 구멍 사이에 실링 장벽부를 도입함으로써, 바닥측 패드, 즉, 소프트 패드를 통해 슬러리 또는 순수와 같은 유체가 구멍 또는 윈도로 침습 또는 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이에 따라, 윈도의 바닥면 등에 습기가 끼어 종말점 검출에 문제가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 연마 패드의 사용 수명을 크게 증가시킬 수 있다.
도 1은 전형적인 화학 기계적 연마 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 전형적인 윈도(window)를 가지는 연마 패드를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 실링 장벽부를 가지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 3 - 3'의 절단선을 따르는 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 도 4의 실링 장벽부를 설명하기 위해서 실링 장벽부의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드에서 실링 장벽부가 도입되는 위치에 대한 변형예들을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.

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  9. 웨이퍼에 접촉할 연마면을 가지는 상측 패드;
    상면이 상기 상측 패드 후면에 부착되고 바닥면이 화학 기계적 연마 장비의 플레이튼(platen) 상면에 부착되는 바닥측 패드;
    상기 바닥측 패드 및 상기 상측 패드를 관통하게 형성되되 상기 상측 패드를 관통하는 부분이 상기 바닥측 패드를 관통하는 부분에 비해 넓은 구멍(aperture);
    상기 상측 패드의 상기 구멍 부위에 끼워져 연마 종말점 감지를 위한 감지광이 지나는 통로로 이용되는 투명한 윈도(window); 및
    상기 연마면에 도입되는 유체로부터 기인하는 습기가 상기 투명한 윈도의 배후로 침투되는 것을 방지하기 위해 상기 바닥측 패드의 상기 구멍 부위에서 상기 바닥측 패드의 측면을 덮어 가리고 상기 투명한 윈도의 일부 배후 바닥면을 덮어 가리게 연장된 실링 장벽부(sealing barrier)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 실링 장벽부는 상기 구멍을 둘러싸는 폐쇄된 루프(loop)를 이루는 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드.
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  14. 제9항에 있어서,
    상기 실링 장벽부는 상기 바닥측 패드 보다 상기 유체에 대한 투과도가 낮은 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 실링 장벽부는 상기 상측 패드를 구성하는 물질과 대등한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
WO2004087375A1 (en) 2003-03-25 2004-10-14 Neopad Technologies Corporation Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (cmp)
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
TWI385050B (zh) 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US7210980B2 (en) 2005-08-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Sealed polishing pad, system and methods
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP5732354B2 (ja) * 2011-09-01 2015-06-10 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US9108290B2 (en) * 2013-03-07 2015-08-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad
US20140256231A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-11 Dow Global Technologies Llc Multilayer Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window
US8961266B2 (en) 2013-03-15 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Polishing pad with secondary window seal
WO2018169041A1 (ja) * 2017-03-17 2018-09-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨パッド、研磨工具、及び研磨方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6716085B2 (en) * 2001-12-28 2004-04-06 Applied Materials Inc. Polishing pad with transparent window
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US6454630B1 (en) * 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
WO2001023141A1 (en) * 1999-09-29 2001-04-05 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad
JP4686010B2 (ja) 2000-07-18 2011-05-18 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
KR20020082555A (ko) 2001-04-24 2002-10-31 삼성전자 주식회사 반도체 제조에 사용되는 식각 장치

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