TWI541100B - 用於ｃｍｐ終點偵測的防漏墊 - Google Patents

用於ｃｍｐ終點偵測的防漏墊 Download PDF

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Description

用於CMP終點偵測的防漏墊 【交互參照之相關申請案】
本申請案主張2009年6月30日提出申請之美國專利申請案61/222045號之優先權，其全文在此併入本文作為參考。
本發明是關於用在化學機械研磨(CMP)的研磨墊。
在製造現代化半導體積體電路(IC)的製程中，經常須要平坦化基材的外表面。舉例而言，平坦化需要研磨移除導電填充物層直到暴露出下伏層的頂部表面，而留下介於絕緣層的凸出圖案之間的導電材料以形成介層洞、插塞、線路以提供介於基材上薄膜電路之間的導電路徑。此外，可需要平坦化以使氧化層平坦且薄，以提供適合光刻的平坦表面。
一種達成半導體基材平坦化或地形移除的方法是化學機械研磨(CMP)。習知化學機械研磨(CMP)製程涉及在存在研磨漿料的情況下將基材壓抵旋轉研磨墊。
大體而言，需要偵測何時已達成期望的表面平坦度或層厚度，或者何時下伏層已暴露，以決定是否停止研磨。已開發數種技術用於在CMP製程期間原位偵測終點。舉例而言，已開發在層的研磨期間用於原位偵測基材上之層均勻性的光學偵測系統。光學偵測系統可包括：一光源，其在研磨期間將光束透過研磨墊中的窗導向基材；一偵測器，其測量從基材反射的光線；以及一電腦，其分析來自偵測器的訊號並且計算是否已偵測到終點。
在一態樣中，一種研磨墊包括：一均質單一研磨層，其具有一研磨表面以及一相對的底部表面。該研磨層具有在該研磨表面中部份延伸但不完全穿透該研磨層的一凹部，該凹部界定一凹陷的內表面以及介於該凹陷的內表面與該底部表面之間的該研磨層之一薄化區域。一固態光穿透窗固定於該凹部中。該窗比該研磨層更具光穿透性。
實施例可包括下列一者或多者。背襯層可固定至該研磨層之該背表面並且與之鄰接。背襯層可包括對準該凹部並且穿透該背襯層的一穿孔。該窗的頂部表面可與該研磨表面共平面。該薄化區域的下表面可與該研磨層之該底部表面共平面。窗可填入該凹部。在該凹部中的黏著劑可將該窗固定至該研磨層。該薄化區域可具有少於約30 mil的厚度。該研磨層可為多孔塑膠，例如，具嵌入的中空微球體的鑄型聚胺酯或發泡聚胺酯。該窗可實質上為純聚胺酯。
在另一態樣中，一種研磨墊包括具有一研磨表面的一研磨層。該研磨表面包括一第一區域，該第一區域具有複數個第一溝槽，該複數個第一溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第一深度，該研磨表面尚包括一第二區域，該第二區域被該第一區域環繞且具有複數個第二溝槽，該複數個第二溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第二深度，該第二深度大於該第一深度。
實施例可包括下列一者或多者。背襯層可固定至該研磨層之該背表面並且與之鄰接。背襯層可包括對準該第二區域並且穿透該背襯層的一穿孔。研磨表面可包括複數個第二區域，該複數個第二區域之各者被該第一區域環繞。該複數個第二區域可在研磨墊的中心周圍以相等的角間隔隔開。該複數個第一溝槽可以一第一間距均等地隔開，而該複數個第二溝槽可以一第二間距均等地隔開。該第二間距可等於或少於該第一間距。該複數個第一溝槽可為同心的環狀弧。第一間距可大於第二區域的長度。第二區域可為簡單的凸起形狀。研磨層可為圓形且其具有介於約30英吋至31英吋之間的直徑，而第二區域可於離研磨表面之中心約7.5英吋處置中。介於該研磨層的底部表面以及該複數個第二溝槽的底部之間的該研磨層之厚度小於30 mil。
另一態樣中，一種研磨設備包括：一平台；一研磨墊，其支撐於該平台上；以及一光學監控系統。該研磨墊包括具有一研磨表面的一研磨層，該研磨表面包括一第一區域，該第一區域具有複數個第一溝槽，該複數個第一溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第一深度，該研磨表面尚包括一第二區域，該第二區域被該第一區域環繞且具有複數個第二溝槽，該複數個第二溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第二深度，該第二深度大於該第一深度。該光學監控系統包括一光源，該光源將光線導引穿過該研磨墊的第二區域。
實施例可包括下列一者或多者優點。光學監控可透過有效的防漏研磨墊實施。研磨墊可為簡單地以低成本製造。
一個或多個實施例的細節將於伴隨的圖式以及下方的說明書中提出。其他態樣、特徵以及優點將可由說明書、圖式及申請專利範圍而顯得清楚易懂。
化學機械研磨(CMP)墊中的終點偵測窗會讓研磨液體透過墊漏損並且進入平台。研磨液體可在邊緣周圍流動並且漏至安置終點偵測設備的平台中的穿孔。為對抗此漏損，在製造CMP研磨墊期間，研磨墊的區域可被磨出而留下薄層。薄層具有充分低的不透明度以容許光線從終點設備通過該層而從正被研磨的基材反射，然後，往後穿透該層，如此，終點設備可偵測何時完成研磨。
在某些實施例中，薄層可支撐透明窗。在其他實施例中，形成於研磨墊中的溝槽之密度與深度在終點偵測設備上方的區域中增加。在溝槽底部處的層厚度以及溝槽密度容許充分的光線穿過該層並且從正在處理的基材反射。
如第1圖所示，CMP設備100包括研磨頭112，其用於固持半導體基材114抵靠平台116上的研磨墊118。
該基材可例如為產品基材(例如，其包括多重記憶體或處理器晶片)、測試基材、裸基材或閘控基材。該基材可處於積體電路製造的各種階段，例如，該基材可為裸晶圓，或其可包括一個或多個沈積及/或圖案化層。該詞彙「基材」可包括圓碟以及矩形薄片。
當平台繞其中心垂直軸線旋轉時，研磨頭112施加壓力至基材114抵靠研磨墊118的研磨表面124。此外，研磨頭112通常繞其中心軸線旋轉，且藉由驅動銷或移動臂132橫跨平台116的表面移動。研磨液體130(例如研磨漿料)可分配至研磨墊118表面上。在研磨液體的運作下，介於基材和研磨表面之間的壓力以及相對運動會造成表面研磨。調節劑可研磨研磨墊118之表面，以維持研磨墊118的粗糙度。在某些實施例中，研磨表面124包括用於分配研磨液體130的溝槽。
光學監控系統包括光源136(諸如白光源)以及偵測器138(諸如分光光度計)，其與研磨墊118中的窗140在光學上相通。在本文中，窗是比環繞的研磨墊更聚光穿透性的區域。光源136和偵測器138位於平台116中且與之旋轉，以致平台每旋轉一次，監控的光束會掃過基材114一次。舉例而言，分岔的光纖134可將光從光源136攜帶穿過平台116，以受引導穿過窗140至基材114上，而從基材114反射的光可往後穿過光纖134至偵測器138。或者，光源136及偵測器138為位於平台116下方的靜置部件，而光穿孔可延伸穿過窗140下方的平台以間歇性地將監控的光束傳遞至基材。光源136可使用從遠紅外線至紫外線的各波長(諸如紅光)，然而亦可使用光帶光譜(例如白光)。
研磨墊118可包括研磨層120，該研磨層具有研磨表面124以接觸基材，以及具有黏附式固定至平台116的背襯層122。研磨層120是被製成具有均質組成的單一層(例如，單一連續且相連、無破裂的層)。研磨層120可為適合大量平坦化基材上曝露的層的材料。此研磨層可由諸如中空微球體的聚胺酯(例如具有填充物)所形成。研磨層可為多孔性。孔洞可由中空微球體提供，或者藉由鑄造研磨材料期間的發泡所提供。在某些實施例中，研磨層120可為由Rohn & Hass購得的IC-1000或IC-1010材料。背襯層122可比研磨層120更具可壓縮性。在某些實施例中，研磨墊僅包括研磨層，及/或研磨層是適合用於磨光製程的相對柔軟之材料，諸如具有大的垂直定向孔洞的多孔塗層。在某些實施例中，溝槽可形成於研磨表面124中。
參考第2圖，一實施例中，研磨墊118具有15.0英吋(381.00 mm)的半徑R，其相對應之直徑為30英吋。在另一實施例中，研磨墊118具有15.25英吋(387.35 mm)或15.5英吋(393.70 mm)之半徑，其相對應之直徑為30.5英吋或31英吋。在其他實施例中，研磨墊118的直徑介於約30英吋至約31英吋之間。光學監測系統可使用約0.5英吋(12.70 mm)寬及0.75英吋(19.05 mm)長的區域，該區域是離研磨墊中心以約7.5英吋(190.50 mm)之距離D置中。因此，窗240應該涵蓋至少此區域。舉例而言，窗240可具有約2.25英吋(57.15 mm)的長度以及約0.75英吋(19.05 mm)的寬度。窗240可具有至少0.50英吋的寬度以及至少0.75英吋的長度。研磨墊及窗兩者可具有約0.02至0.20英吋之厚度，例如0.05至0.08英吋(1.27至2.03 mm)。窗240可具有矩形形狀，其較長的尺寸實質上平行於穿過窗中心的研磨墊的半徑。然而，窗240可具有其他形狀，例如圓形或卵形，而窗中心不需位於光學監控系統所用的區域之中心。在某些實施例中，窗240相同於窗140。
參考第3圖，複數個同心環狀溝槽346配置在研磨墊118的研磨表面124中。溝槽346是於製造期間從研磨層120磨出。溝槽346可以間距Pg均等地隔開。間距Pg是介於鄰近溝槽之間的徑向距離。在其他實施例中，溝槽346並非均等地橫跨研磨層120之頂部隔開，而是以提供基材114良好的研磨之方式隔開。介於每一溝槽346之間的是具有寬度Wp的環狀隔離部348。每一溝槽346包括以實質上U型或者平坦基部部份終結的壁。每一溝槽具有深度Dg以及寬度Wg。
該等壁大體上垂直。每一研磨循環造成研磨墊118磨損，大體上，其磨損型式是當研磨表面124消磨掉時研磨層120會變薄。當研磨層120磨損時，具有實質上垂直的壁的溝槽之寬度Wg不會改變。因此，大體上垂直的壁確保在整個操作壽命時間上研磨墊具有實質上均等的表面積。
溝槽346具有約0.015英吋的最小寬度Wg。每一溝槽346可具有介於約0.15及0.04英吋之間的寬度Wg，例如，大約0.02英吋的寬度Wg。每一隔離部348可具有介於約0.075及0.20英吋之間的寬度Wp，例如，約0.10英吋的寬度Wp。據此，介於溝槽346之間的間距Pg可介於約0.09及0.24英吋之間，例如，間距Pg可為約0.12英吋。
溝槽寬度Wg對隔離部寬度Wp的比率可經選擇以介於約0.10及0.25之間。該比率可為大約0.2。倘若溝槽太寬，研磨墊會太易撓曲，而「平坦化效應」會發生。另一方面，倘若溝槽太窄，會變得難以從溝槽移除廢棄材料。類似地，倘若間距太小，溝槽彼此會太靠近而研磨墊會變得太易撓曲。另一方面，倘若間距太大，漿料會無法均勻地傳送到基材的整個表面。
溝槽346具有至少約0.02英吋的深度Dg。深度Dg可介於0.02及0.05英吋之間，例如，溝槽深度Dg可為大約0.03英吋。研磨層120可具有介於約0.05及0.12英吋之間的厚度T。如此，厚度T可為約0.05或0.08英吋。
凹部350是在製造期間從研磨層120磨出，留下研磨層120的薄區域352。凹部350經形成以致其不會完全貫穿研磨層120。凹部350的側壁354可形成為垂直於研磨層120的研磨表面124以致在處理基材114期間當研磨墊118磨損時，側壁354仍然實質上垂直於研磨表面124，以確保在整個操作壽命時間上研磨墊具有實質上均等的表面積。在某些實施例中，研磨層120在鑄模中製造，以致溝槽346及/或凹部350藉由模鑄製程形成於研磨表面124中。在某些實施例中，凹部350及溝槽346從研磨層120中蝕刻而得。在某些實施例中，凹部350從研磨層120的頂部鑿出。在某些實施例中，多重薄區域(例如1至6個區域，例如3個區域)在研磨層120中被磨出(在第2圖中僅顯示一個區域)。多重薄區域形成之處，他們可以離研磨墊中心以相同的徑向距離分佈，並且在研磨墊中心周圍以相等的角間隔分佈。
窗240包括頂部表面342以及底部表面344。研磨層118完全環繞窗240。在其他實施例中，研磨層118部份環繞窗240。
在某些實施例中，窗240的邊緣以及環繞窗240的研磨層120之邊緣產生一密封物以防止研磨液體130流在窗240邊緣。窗240可以無黏著劑的方式加至研磨層120，例如將窗240及研磨層120的鄰接邊緣鑄在一起。在其他實施例中，置於窗240邊緣周圍的黏著劑形成密封物。
背襯層122中的穿孔368對準研磨層120中的窗240。穿孔的寬度及長度皆小於窗240的長度與寬度。在某些實施例中，穿孔的長度和寬度與窗240的長度及寬度尺寸相同。在其他實施例中，穿孔的寬度及長度大於窗240的長度與寬度。
至少一個薄區域352(例如每一個薄區域352)支稱座落於凹部350中的窗240。薄區域352防止研磨液體130漏損進至研磨層120下方的穿孔368。倘若研磨液體130接觸光源136及/或偵測器138，研磨液體130會阻礙光的穿透或造成短路發生。
薄區域352由與研磨層120其餘部份相同的材料製成，即具有相同組成。在某些實施例中，研磨層120是由聚胺酯製成。薄區域352具有與研磨層120其餘部份相同的每單位厚度之不透明度。薄區域352具有介於約0.0001英吋及約0.03英吋之間的厚度，例如介於約0.001至約0.02英吋厚，例如介於約0.001至約0.01英吋厚。薄區域352的厚度經選擇以致足夠的光線可穿透薄區域352並且從正在研磨中的基材反射，且偵測器138可監控反射的光線。凹部350延伸穿過研磨層120的約50%至約99.875%的厚度，例如，穿透約75%至約95%的研磨層120。大約95%的研磨層120可被磨出以形成凹部350。
在某些實施例中，凹部350為矩形且具有至少0.50英吋的寬度以及至少0.75英吋的長度。在某些實施例中，凹部350具有至多約1英吋的寬度以及至多約3英吋的長度。舉例而言，凹部350可為約0.75英吋至約1英吋寬，且約1.5至約2.5英吋長。舉例而言，凹部350可大約為0.75英吋寬且大約為1.5英吋長。
窗240的頂部表面342與研磨層120的研磨表面124共平面以致窗240填入薄區域352上方的凹部350。在其他實施例中，窗240的頂部表面342稍微位於研磨層120之研磨表面124所形成的平面下方。底部表面344位於薄層352的頂部表面上。窗240可以在窗240側面及/或底部的黏著劑加至研磨層120。在其他實施例中，窗240以及研磨層120是以無黏著劑的方式鑄在一起，或者窗240簡單地壓合至凹部350。窗240可為固態光穿透材料，例如透明材料，諸如無填充物的相對純的聚胺酯。窗240可比研磨層120更具光穿透性(例如，窗240具有比研磨層120低的衰減係數)。
窗240接合凹部350並且可具有與凹部350相同的側向形狀，例如，窗可與凹部350相同尺寸或者稍微比凹部350小。窗可為矩形且具有至少0.50英吋的寬度和至少0.75英吋的長度，以及至多約1英吋的寬度和至多約3英吋的長度。窗240具有大約相等於或稍微小於凹部350深度的厚度。在某些實施例中，窗240具有簡單的凸起形狀，例如，圓形、卵形或者簡單凸起多邊形。當窗240為圓形時，窗240的側向尺寸可既相等於窗240之寬度又相等於窗240之長度。
在某些實施例中，研磨墊118是由多孔塑膠製造。研磨墊可從具有嵌入中空微球體的鑄型聚胺酯製造，該等微球體提供孔洞。或者，孔洞可在鑄造研磨材料期間由發泡提供。在某些實施例中，研磨墊是由可撓或者剛性發泡聚胺酯製造。在其他實施例中，研磨墊118是從實質上純的聚胺酯所製造。
在某些實施例中，窗240的長度大於介於溝槽346之間的間距Pg。溝槽可阻止窗240短路，以致溝槽不會相交窗240。
參考第4圖及第5圖，在其他實施例中，窗可由一區域提供，該區域中，溝槽比環繞的研磨墊中的溝槽更深、更寬或更緊密相隔。溝槽深度、寬度、長度經選擇以使來自終點設備的光線可穿透溝槽底部的層120、從正在研磨中的基材114反射、往後通過層120且由偵測器138監控。因此，偵測器138可確定何時研磨墊118應該停止研磨基材114。研磨墊118包括至少一個區域456，該區域由研磨墊118的其餘部份以徑向(r)及角向(θ)二者環繞。可有三個區域456位於研磨墊118中。在其他實施例中，有介於一至六個之間的區域456。區域456均等地在研磨墊118中心周圍隔開。
位於區域456內的溝槽可具有比在研磨墊118其餘部份的溝槽346更小的間距。介於溝槽346之間的間距Pg為介於約0.09至0.24英吋之間，例如大約0.12英吋。在製造研磨墊118期間，溝槽346被磨成同心環狀弧。在其他實施例中，溝槽346被磨成橫跨研磨墊118的直線。
區域456可為矩形，且具有至少0.50英吋的寬度以及至少0.75英吋的長度。區域456具有至多約1英吋的寬度以及至多約3英吋的長度。特別而言，區域456為約0.75英吋至約1英吋寬。特別而言，區域456為約1.5英吋至約2.5英吋長。特定而言，區域456為0.75英吋寬及1.5英吋長。區域456具有介於約0.02英吋至約1英吋之間的厚度，例如，介於約0.05英吋至約0.08英吋厚，例如大約0.07英吋。在某些實施例中，區域456為具有簡單凸起多邊形形狀。在其他實施例中，區域456為圓形或卵形。當區域456為圓形時，區域456的側向尺寸可既相等於區域456之寬度又相等於區域456之長度。
該等區域456位於離研磨層118中心相等的徑向距離處。在某些實施例中區域456具有在研磨層120頂部徑向上的不同位置。舉例而言，研磨層120可包括以徑向上離研磨層120中心7.5英吋的距離置中的3個區域456，以及以徑向上離研磨層120中心3.2英吋的距離置中的3個區域456。特別而言，區域456在研磨層120中以介於約2至約6個之間的不同半徑被磨出，例如，介於約2個至約3個之間的不同半徑。在某些實施例中，區域456具有在研磨層120頂部徑向上不同的位置且區域456具有不同的頻率。舉例而言，研磨層可包括以徑向上離研磨層120中心8英吋的距離置中的3個區域456，以及以徑向上離研磨層120中心2英吋的距離置中的2個區域456。
參考第5圖，研磨墊118包括位於區域456中的溝槽558。在製造研磨墊118期間，溝槽558從研磨墊118磨出。溝槽558包括側壁560以及底部表面562。側壁560形成為垂直於研磨層120的研磨表面124，且垂直於底部表面562。溝槽558的底部大體上為U型，以容許研磨液體130易於流動穿過溝槽558，容許溝槽558易於清潔，且防止清潔液體130堆積。因為溝槽558具大體上U型的底部之故，底部表面562為非平面。在其他實施例中，溝槽558的底部是平坦的且底部表面562為平面。當研磨墊118在處理基材114期間磨損時，側壁558維持實質上垂直於研磨表面124，以確保研磨墊118在其操作壽命時間上具有實質上均等的表面積。
橋564將隔離部566連接在一起。分離部566位於溝槽558之間。橋564防止研磨液體130通過研磨層120並且漏損至平台116。橋564具有與研磨層120之其餘部份相同的每單位厚度之不透明度。橋564具有介於約0.0001英吋及約0.03英吋之間的厚度，例如介於約0.001至約0.02英吋厚，例如介於約0.001至約0.01英吋厚。溝槽558的深度Dw、間距Pw和寬度經選擇以致足夠的光線可穿透橋564並且從正在研磨中的基材反射，且偵測器138可監控反射的光線。
在窗區域的溝槽558表面積對隔離部566表面積的比率高於在環繞研磨墊的溝槽表面積346對隔離部348表面積的比率。儘管溝槽559被繪成僅是延伸正交於穿過其中心之半徑的平行線性溝槽，然而在某些實施例中，溝槽558可彎曲，或包括在兩個垂直方向上延伸的線性溝槽，例如，在實質上徑向以及正交該半徑之二方向上。類似地，儘管隔離部566繪成平行條帶，在某些實施例中，隔離部566可為矩型島狀物。
隔離部566的頂部表面與研磨層120的研磨表面124共平面。在某些實施例中，隔離部566的頂部表面在由研磨表面124所形成的平面下方(但在溝槽558的底部之上方)。
溝槽558的寬度與溝槽346的寬度相同。在其他實施例中，溝槽558具有不同於溝槽346的寬度，例如，溝槽558比溝槽346寬。溝槽558具有約0.015英吋的最小寬度Wg。每一溝槽558可具有介於約0.15及約0.06英吋之間的寬度Wg，例如大約0.02英吋的寬度Wg。介於溝槽558之間的間距Pw是均等的，且介於約0.04至0.13英吋之間，例如大約0.05英吋。溝槽558的深度Dw介於約0.05英吋至約0.08英吋之間，例如介於約0.078至約0.0799英吋之間，例如大約0.079英吋。
溝槽558接合於窗區域內，因此至多3英吋長。在某些實施例中，溝槽558終止在垂直於研磨表面124的壁。在其他實施例中，溝槽558的端部處，溝槽558的底部表面562彎曲或向上傾斜。在某些實施例中，溝槽558連接至環狀溝槽，諸如溝槽346之一。舉例而言，在溝槽558的端部處，底部表面562朝上彎曲直到溝槽558之深度與溝槽346的深度Dg相同。
溝槽558延伸穿過研磨層120的約50%至約99.875%的通路，例如，穿透約75%至約95%的研磨層120，例如大約99%。溝槽558寬度Wg對溝槽深度Dw的比率可經選擇為介於約0.25至約2之間，例如介於約0.1875至約1之間，例如大約0.25。
在某些實施例中，區域456的寬度少於介於溝槽346之間的間距Pg，例如少於0.24英吋，少於大約0.12英吋。
在平台上安裝之前，研磨墊118亦可包括壓力敏感性黏著劑以及橫越研磨墊之底部表面122的襯墊。在使用上，襯墊被剝離，而研磨墊118施加至具壓力敏感性黏著劑的平台。壓力敏感性黏著劑與襯墊可橫越窗140，或可移進窗140之區域及/或立刻移至窗140之區域周圍。
在此已描述許多本發明的實施例。然而，應瞭解可不背離本發明之精神與範疇而進行許多修改。例如，研磨墊118可由聚乙烯製造。除了同心環狀溝槽外，也可用許多其他溝槽圖案，諸如，平行線性溝槽，「XY」溝槽(以兩個垂直方向伸展的線性溝槽)以及蛇紋溝槽。據此，其他實施例為在隨後的申請專利範圍的範疇內。
100．．．CMP設備
112．．．研磨頭
114．．．半導體基材
116．．．平台
118．．．研磨墊
120．．．研磨層
122．．．背襯層
124．．．研磨表面
130．．．研磨液體
132．．．移動臂
134．．．光纖
136．．．光源
138．．．偵測器
140、240．．．窗
342．．．頂部表面
344．．．底部表面
346．．．溝槽
348．．．隔離部
350．．．凹部
352．．．薄區域
354．．．側壁
368．．．穿孔
456．．．區域
558．．．溝槽
560．．．側壁
562．．．底部表面
564．．．橋
566．．．隔離部
Dw、Dg．．．深度
Wg、Wp．．．寬度
Pg、Pw．．．間距
T．．．厚度
R．．．半徑
D．．．距離
第1圖是具有用於終點偵測的光學監控系統的化學機械研磨設備之概略剖面側視圖。
第2圖是第1圖的研磨墊的簡化頂視圖。
第3圖是第2圖的研磨墊之剖面視圖。
第4圖是含有具高密度溝槽的三區域之研磨墊的頂視圖。
第5圖是第4圖的研磨墊的部份之剖面視圖。
在各圖式中類似的元件符號係指類似的元件。
118．．．研磨墊
346．．．溝槽
456．．．區域

Claims (12)

  1. 一種研磨墊，其包含：一研磨層，其具有一研磨表面，該研磨表面包括：一單一相連的(single contiguous)第一區域，該單一相連的第一區域具有複數個第一溝槽，該複數個第一溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第一深度；以及一第二區域，該第二區域被該第一區域在徑向上及角向上環繞且其具有複數個第二溝槽，該複數個第二溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第二深度，該第二深度大於該第一深度。
  2. 如請求項1所述之研磨墊，其進一步包含：一背襯層，該背襯層固定至該研磨層之一背表面並且與該研磨層之該背表面鄰接，該背襯層包括對準該第二區域並且穿透該背襯層的一穿孔。
  3. 如請求項1所述之研磨墊，其中該研磨表面包括複數個第二區域，該複數個第二區域之各者被該第一區域環繞。
  4. 如請求項3所述之研磨墊，其中該複數個第二區域在 該研磨墊的一中心周圍以相等的角間隔隔開。
  5. 如請求項1所述之研磨墊，其中該複數個第一溝槽以一第一間距均等地隔開，而該複數個第二溝槽以一第二間距均等地隔開。
  6. 如請求項5所述之研磨墊，其中該第二間距等於或少於該第一間距。
  7. 如請求項5所述之研磨墊，其中該複數個第一溝槽包含同心環狀弧。
  8. 如請求項5所述之研磨墊，其中該第一間距大於該第二區域的長度。
  9. 如請求項1所述之研磨墊，其中該第二區域為簡單的凸起形狀。
  10. 如請求項1所述之研磨墊，其中該研磨層為圓形且其具有介於約30英吋至31英吋之間的直徑，而該第二區域於離該研磨表面之一中心約7.5英吋處置中。
  11. 如請求項7所述之研磨墊，其中介於該研磨層的一底部表面以及該複數個第二溝槽的一底部之間的該研磨層之厚度小於約30mil。
  12. 一種研磨設備，其包含： 一平台；一研磨墊，其支撐於該平台上，該研磨墊包括具有一研磨表面的一研磨層，該研磨表面包括：一單一相連的第一區域，該單一相連的第一區域具有複數個第一溝槽，該複數個第一溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第一深度；以及一第二區域，該第二區域被該第一區域在徑向上及角向上環繞且具有複數個第二溝槽，該複數個第二溝槽具有部份延伸但不完全穿透該研磨層的一第二深度，該第二深度大於該第一深度；以及一光學監控系統，其包括一光源，該光源將一光線導引透過該研磨墊的該第二區域。
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