JP2000292927A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4554122B2 (ja) * 2001-08-06 2010-09-29 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型液晶素子用レジスト組成物
JP3839840B2 (ja) * 2003-11-21 2006-11-01 積水化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト及び構造体の製造方法
JP2005173369A (ja) 2003-12-12 2005-06-30 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターンの剥離方法
JP4893270B2 (ja) 2006-11-29 2012-03-07 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP5562651B2 (ja) * 2008-01-21 2014-07-30 株式会社ダイセル 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法
JP2015052694A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法、ならびに電子部品

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06230574A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP3373056B2 (ja) * 1994-08-17 2003-02-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP3360267B2 (ja) * 1996-04-24 2002-12-24 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP3656237B2 (ja) * 1996-07-17 2005-06-08 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3570477B2 (ja) * 1997-01-24 2004-09-29 信越化学工業株式会社 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH10268508A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 部分水素化高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH10298236A (ja) * 1997-02-28 1998-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JPH1172928A (ja) * 1997-06-26 1999-03-16 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法
JP3818337B2 (ja) * 1997-09-01 2006-09-06 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
KR100607384B1 (ko) * 1997-09-22 2006-08-02 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 내식막 조성물의 제조방법

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