JPH05341529A - ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法 - Google Patents

ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法

Info

Publication number
JPH05341529A
JPH05341529A JP4147212A JP14721292A JPH05341529A JP H05341529 A JPH05341529 A JP H05341529A JP 4147212 A JP4147212 A JP 4147212A JP 14721292 A JP14721292 A JP 14721292A JP H05341529 A JPH05341529 A JP H05341529A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern forming
compound
forming material
acid
cationic polymerization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4147212A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiko Hattori
恵子 服部
Hiroshi Shiraishi
洋 白石
Masaichi Uchino
正市 内野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP4147212A priority Critical patent/JPH05341529A/ja
Publication of JPH05341529A publication Critical patent/JPH05341529A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】短波長紫外線,電子線,X線その他活性放射線
に対し高感度,高解像度の微細パタンを形成する。 【構成】アルカリ可溶性樹脂,カチオン重合性の二重結
合を有する化合物,カチオン重合開始剤前駆体を含むネ
ガ型パタン形成材料。パタン転写に短波長紫外線,電子
線,X線その他の活性化学線を用いるパタン形成材料で
ある。 【効果】放射線感光性組成物は短波長紫外線,電子線,
X線その他活性放射線に対して優れた感度をもち、高感
度でパタンを形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線,電子線,イオ
ンビーム又はX線等の活性化学線に感応する組成物及び
それを用いたパタン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】水銀灯のi線(波長365nm)、クリ
プトンフロライドエキシマレーザ(波長249nm)リ
ソグラフィに適したレジストとして、放射線照射により
酸を発生する化合物を含有し、露光後加熱を行って反応
を促進させてアルカリ現像液に対する溶解性を変化させ
る化学増幅系レジストが注目されている。酸触媒により
ポリマと架橋反応する化合物(架橋剤)を含有する系か
らなる放射線感応性組成物が特開昭62−164045号公報に
記載されている。しかし、架橋型であるため、剥離しに
くいという問題がある。非架橋型の放射線感応性組成物
が特開昭59−45439 号公報に記載されている。しかし、
この組成物を用いてネガ型パタンを得るためには有機溶
媒を用いて現像を行なわなくてはならない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、酸による架橋反応を用いた感光組成物は剥離が困難
であるという問題がある。また、非架橋型でネガ型とし
て作用するには有機溶媒を用いて現像をしなくてはなら
ない。
【0004】本発明の目的は非架橋型アルカリ現像可能
のネガ型レジストを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、(1)アル
カリ可溶性樹脂,カチオン重合性の二重結合を有する化
合物,カチオン重合開始剤前駆体を含むネガ型パタン形
成材料を用いることによって達成される。
【0006】本発明で、用いられるアルカリ可溶性樹脂
には塗膜性に優れ、耐ドライエッチ性を有する樹脂が好
ましい。たとえば、ノボラック樹脂,フェノール樹脂等
のフェノール性水酸基を有する高分子材料が用いられ
る。分子量は一千から十万の範囲が好ましい。一千以下
では塗膜性に問題が生じ、十万以上では溶解性が悪くな
る。またネガ型パタン形成材料におけるカチオン重合性
の二重結合を有する化合物はp−ジイソプロペニルベン
ゼン、m−ジイソプロペニルベンゼン、ジフェニルエチ
レン、インデノン、アセナフテン、2−ノルボルネン、
2,5−ノルボルナジエン、2,3−ベンゾフラン、イ
ンドール、5−メトキシインドール、5−メトキシ−2
−メチルインドール、N−ビニル−2−ピロリドン、N
−ビニルカルバゾールで表される群から選ばれた少なく
とも一種類の化合物を用いることが好ましい。これらの
化合物は複数混合した系も用いられる。これらの化合物
の含有量は個々の化合物の感度特性や光学特性などによ
って決定されるが、アルカリ可溶性樹脂に対して5〜4
0重量%程度の範囲であることが好ましい。
【0007】また、ネガ型パタン形成材料において、カ
チオン重合開始剤前駆体が下記一般式〔一般式中、Xは
ヘキサフルオロアンチモン酸,ヘキサフルオロひ酸,テ
トラフルオロ燐酸,トリフルオロ酢酸,トリフルオロメ
タンスルホン酸からなる群から選ばれたアニオンを表
す〕で表される群から選ばれた少なくとも一種類の化合
物を用いることが好ましい。これらの化合物を混合して
用いることも可能であり、含有量は1〜30重量%であ
ることが好ましい。
【0008】
【化4】
【0009】
【化5】
【0010】
【化6】
【0011】
【作用】本発明において、カチオン重合開始剤前駆体は
光照射により、カチオン重合開始剤となる、強酸を発生
する。強酸の存在下で組成物を加熱すると、カチオン重
合性の二重結合を有する化合物は重合を開始し、二量
体,三量体等のオリゴマを形成する。オリゴマの形成に
より混合物のアルカリ現像液に対する溶解性は著しく低
下し、ネガ型レジストとして機能する。
【0012】
【実施例】
〈実施例1〉アルカリ可溶性樹脂としてm,p−クレゾ
ールノボラック樹脂:100重量部、カチオン重合性の
二重結合を有する化合物としてジソプロペニルベンゼ
ン:20重量部、及びカチオン重合開始剤前駆体として
トリフルオロメタンスルホン酸ナフトイルメチルテトラ
メチレンスルホニウム:5重量部をシクロヘキサノンに
溶解して、固形分濃度約20重量%のシクロヘキサノン
溶液を調合した後、これを孔径0.2μm のテフロンメ
ンブレムフィルタを用いて濾過し、レジスト溶液を得
た。この組成のレジスト溶液をシリコン基板上に滴下、
回転塗布後80℃、5分間熱処理して膜厚1.0μm の
レジスト膜を形成した。Xe−Hgランプに365nm
のフィルタを介して900mJ/cm2 露光し、その後8
0℃、5分間熱処理してレジスト中のカチオン重合反応
を促進した。熱処理の後、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム2.38重量% を含む水溶液で75秒間、現像を行
ない良好な微細パタンを得た。
【0013】〈実施例2〉m,p−クレゾールノボラッ
ク樹脂:100重量部,インドール:20重量部、及び
トリフロロメタンスルホン酸ナフトイルメチルテトラメ
チレンスルホニウム:5重量部をシクロヘキサノンに溶
解し、レジスト溶液とし、実施例1と同様の工程を行な
ったところ実施例1と同様に良好なパタンが得られた。
【0014】〈実施例3〉実施例2のm,p−クレゾー
ルノボラック樹脂の代わりにポリ(p−ヒドロキシスチ
レン)を用いてレジスト溶液を調合した。これを実施例
1と同様の工程を行なったところ、実施例1と同様に良
好な微細パタンが得られた。
【0015】〈実施例4〉実施例1においてカチオン重
合開始剤前駆体としてトリフルオロメタンスルホン酸ト
リフェニルスルフォニウム:2.5 重量部を用いて、光
源をクリプトンフロライドエキシマレーザにして実施例
1と同様の工程を行なったところ30mJ/cm2 露光で
良好な微細パタンが得られた。
【0016】〈実施例5〉実施例4においてクリプトン
フロライドエキシマレーザの代わりに電子線を照射した
ところ、20μC/cm2 で良好なパタンが得られた。
【0017】
【発明の効果】本発明の放射線感光性組成物は短波長紫
外線,電子線,X線その他活性放射線に対して優れた感
度をもち、又、高感度でパタンを形成することができ
る。
フロントページの続き (72)発明者 内野 正市 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルカリ可溶性樹脂,カチオン重合性の二
    重結合を有する化合物,カチオン重合開始剤前駆体を含
    むことを特徴とするネガ型パタン形成材料。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記アルカリ可溶性樹
    脂がフェノール性水酸基を有する高分子材料であるネガ
    型パタン形成材料。
  3. 【請求項3】請求項1において、カチオン重合性の二重
    結合を有する化合物はp−ジイソプロペニルベンゼン、
    m−ジイソプロペニルベンゼン、ジフェニルエチレン、
    インデノン、アセナフテン、2−ノルボルネン、2,5
    −ノルボルナジエン、2,3−ベンゾフラン、インドー
    ル、5−メトキシインドール、5−メトキシ−2−メチ
    ルインドール、N−ビニル−2−ピロリドン、N−ビニ
    ルカルバゾールで表される群から選ばれた少なくとも一
    種類の化合物を用いるパタン形成材料。
  4. 【請求項4】請求項1において、カチオン重合開始剤前
    駆体が下記一般式。 【化1】 【化2】 【化3】 〔一般式中、Xはヘキサフルオロアンチモン酸,ヘキサ
    フルオロひ酸,テトラフルオロ燐酸,トリフルオロ酢
    酸,トリフルオロメタンスルホン酸からなる群から選ば
    れたアニオンを表す。〕で表される群から選ばれた少な
    くとも一種の化合物を用いるパタン形成材料。
  5. 【請求項5】請求項1,2,3または4に記載の前記ネ
    ガ型パタン形成材料を基板上に塗布して塗膜とする工
    程、前記塗膜に活性化学線をパタン露光する工程、パタ
    ン転写後に、露光部分においてカチオン重合を促進させ
    るためのベークを行う工程、アルカリ水溶液を用いて現
    像する工程を含むパタン形成法。
JP4147212A 1992-06-08 1992-06-08 ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法 Pending JPH05341529A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4147212A JPH05341529A (ja) 1992-06-08 1992-06-08 ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4147212A JPH05341529A (ja) 1992-06-08 1992-06-08 ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05341529A true JPH05341529A (ja) 1993-12-24

Family

ID=15425109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4147212A Pending JPH05341529A (ja) 1992-06-08 1992-06-08 ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05341529A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2675138B2 (ja) ポジチブ及びネガチブ処理感放射線混合物及びレリーフパターンの作製方法
JP3277114B2 (ja) 陰画調レジスト像の作製方法
KR910005884B1 (ko) 패턴형성용 레지스트물질 및 레지스트 패턴의 형성방법
JP2714378B2 (ja) レジスト組成物およびその使用
JP3158710B2 (ja) 化学増幅レジストパターンの形成方法
KR100400291B1 (ko) 신규의포토레지스트용단량체,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물
US5532113A (en) Method of making microelectronic structures utilzing photoresists containing C3 C12 water soluble sugar crosslinking agents
JP4213838B2 (ja) フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
JPH054662B2 (ja)
JPH07181677A (ja) 分解性化合物および分解性樹脂並びにこれらを用いた感光性樹脂組成物
JP4393010B2 (ja) 化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4527827B2 (ja) フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および半導体素子
JP2001092135A (ja) ネガ型フォトレジスト・パターンの形成方法
JP3503976B2 (ja) パターン形成方法
JPH07219216A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法
JPH03192260A (ja) マレイミド含有陰画処理型深uvフォトレジスト
JPH05249681A (ja) 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物
JPH0675195B2 (ja) 水性塩基溶液で現像しうるネガ型のレジスト組成物
JPH05341529A (ja) ネガ型パタン形成材料およびパタン形成法
JP3261709B2 (ja) 化学増幅型レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JP2002287361A (ja) パターン形成方法
JPH09134015A (ja) パタン形成材料,パタン形成方法および半導体素子製造方法
JPH07104473A (ja) 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタン形成法
JP2004151184A (ja) 化学増幅型感放射線レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JPH08234434A (ja) 化学増幅型ネガティブレジスト