JPH07146557A - パターン形成材料 - Google Patents
パターン形成材料Info
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- JPH07146557A JPH07146557A JP5292910A JP29291093A JPH07146557A JP H07146557 A JPH07146557 A JP H07146557A JP 5292910 A JP5292910 A JP 5292910A JP 29291093 A JP29291093 A JP 29291093A JP H07146557 A JPH07146557 A JP H07146557A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記式(I)の化合物:100重量部と、
【化1】
アルカリ性水溶液に可溶な重合体:50〜1000重量
部と、 光酸発生剤:1〜100重量部とからなるパターン形成
材料。 【効果】 被処理基板に対する密着性が高く、また可撓
性に優れ、現像中に剥離したり欠損したりすることがな
く、感度・解像度ともに良好のパターン形成材料が得ら
れる。
部と、 光酸発生剤:1〜100重量部とからなるパターン形成
材料。 【効果】 被処理基板に対する密着性が高く、また可撓
性に優れ、現像中に剥離したり欠損したりすることがな
く、感度・解像度ともに良好のパターン形成材料が得ら
れる。
Description
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、光または電離放射線に感
応してポジ型レジストパターンを形成しうるようなパタ
ーン形成材料に関する。
応してポジ型レジストパターンを形成しうるようなパタ
ーン形成材料に関する。
【0002】
【従来の技術】フォトレジストは、主として集積回路
(ICパターン)を製造する際に、μm単位の微細画像
(パターン)を形成するために用いられている。このよ
うなフォトレジストは、一般に感光性樹脂とバインダー
樹脂とからなり、写真フィルムと同様に、ネガ型フォト
レジスト、ポジ型フォトレジストが知られている。回路
パターン等の形成は、レジスト膜を基板上に形成した
後、光または電離放射線をパターン状に照射し、現像す
ることにより行なわれる。ネガ型レジストの場合は、露
光部を現像剤に対して不溶化することにより、パターン
が形成される。一方、ポジ型レジストの場合は溶剤不溶
性の塗膜をパターン状に露光し、露光部を可溶化するこ
とによりパターンが形成される。
(ICパターン)を製造する際に、μm単位の微細画像
(パターン)を形成するために用いられている。このよ
うなフォトレジストは、一般に感光性樹脂とバインダー
樹脂とからなり、写真フィルムと同様に、ネガ型フォト
レジスト、ポジ型フォトレジストが知られている。回路
パターン等の形成は、レジスト膜を基板上に形成した
後、光または電離放射線をパターン状に照射し、現像す
ることにより行なわれる。ネガ型レジストの場合は、露
光部を現像剤に対して不溶化することにより、パターン
が形成される。一方、ポジ型レジストの場合は溶剤不溶
性の塗膜をパターン状に露光し、露光部を可溶化するこ
とによりパターンが形成される。
【0003】現用のポジ型フォトレジストは、その殆ど
がノボラック樹脂に対するナフトキノンジアジド化合物
の溶解抑制効果を利用したものである。しかし、ナフト
キノンジアジド化合物は熱安定性が低く、その使用条件
が制限されるという欠点を有している。また、このよう
な現用のパターン形成材料は、形成パターン精度が低い
という問題点も有していた。
がノボラック樹脂に対するナフトキノンジアジド化合物
の溶解抑制効果を利用したものである。しかし、ナフト
キノンジアジド化合物は熱安定性が低く、その使用条件
が制限されるという欠点を有している。また、このよう
な現用のパターン形成材料は、形成パターン精度が低い
という問題点も有していた。
【0004】このような状況下で、現在、熱架橋/酸加
水分解反応を利用した高精度ポジ型レジストの研究が精
力的に進められている。特に、近時、ビニルエーテル基
をレジスト材料中に存在させ、ビニルエーテル基の熱架
橋、および生成した架橋構造の酸加水分解反応を利用す
ることが検討されている(たとえば、Polymer Preprint
s, Japan Vol. 42, No. 3, 693 (1993) 参照)。具体的
には、ポリ(ヒドロキシスチレン/アクリル酸)共重合
体をマトリックスとして、2官能ビニルエーテルモノマ
ー(ビスフェノールA−ジエチルビニルエーテル)と光
酸発生剤とからなる3成分系ポジ型レジストが教示され
ている。このような3成分系ポジ型レジストを被処理基
板上に塗膜後、加熱すると、2官能ビニルエーテルモノ
マー中のビニルエーテル基と、マトリックス中のOH基
あるいはCOOH基とが反応・架橋し、アルカリ不溶性
のレジスト膜が形成される。次いで、光または電離放射
線を照射すると、光酸発生剤から発生した酸によって架
橋構造が破壊され、アルカリに対して可溶化する。した
がって、光または電離放射線をパターン状に照射するこ
とによりパターン形成が可能になる。
水分解反応を利用した高精度ポジ型レジストの研究が精
力的に進められている。特に、近時、ビニルエーテル基
をレジスト材料中に存在させ、ビニルエーテル基の熱架
橋、および生成した架橋構造の酸加水分解反応を利用す
ることが検討されている(たとえば、Polymer Preprint
s, Japan Vol. 42, No. 3, 693 (1993) 参照)。具体的
には、ポリ(ヒドロキシスチレン/アクリル酸)共重合
体をマトリックスとして、2官能ビニルエーテルモノマ
ー(ビスフェノールA−ジエチルビニルエーテル)と光
酸発生剤とからなる3成分系ポジ型レジストが教示され
ている。このような3成分系ポジ型レジストを被処理基
板上に塗膜後、加熱すると、2官能ビニルエーテルモノ
マー中のビニルエーテル基と、マトリックス中のOH基
あるいはCOOH基とが反応・架橋し、アルカリ不溶性
のレジスト膜が形成される。次いで、光または電離放射
線を照射すると、光酸発生剤から発生した酸によって架
橋構造が破壊され、アルカリに対して可溶化する。した
がって、光または電離放射線をパターン状に照射するこ
とによりパターン形成が可能になる。
【0005】このようなレジスト膜には、高感度・高解
像度であるとともに、被処理基板に対する密着性に優
れ、かつ可撓性と剛直性とのバランスに優れていること
が要求されている。
像度であるとともに、被処理基板に対する密着性に優
れ、かつ可撓性と剛直性とのバランスに優れていること
が要求されている。
【0006】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、高感度・高解像度でパターン
形成を行えるとともに、可撓性に優れ、かつ基板に対す
る密着性の高いレジスト膜を形成しうるような新規パタ
ーン形成材料を提供することを目的としている。
てなされたものであって、高感度・高解像度でパターン
形成を行えるとともに、可撓性に優れ、かつ基板に対す
る密着性の高いレジスト膜を形成しうるような新規パタ
ーン形成材料を提供することを目的としている。
【0007】
【発明の概要】本発明に係るパターン形成材料は、下記
式(I)にて示されるウレタン化ジビニルエーテル誘導
体:100重量部と、
式(I)にて示されるウレタン化ジビニルエーテル誘導
体:100重量部と、
【0008】
【化2】
【0009】(式中、R1 、R2 は各々独立に、炭素数
2〜4のアルキレン基であり、nは1〜5の整数であ
る。) アルカリ性水溶液に可溶な重合体:50〜1000重量
部と、 光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合
物:1〜100重量部とを主成分として含有してなるこ
とを特徴としている。
2〜4のアルキレン基であり、nは1〜5の整数であ
る。) アルカリ性水溶液に可溶な重合体:50〜1000重量
部と、 光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合
物:1〜100重量部とを主成分として含有してなるこ
とを特徴としている。
【0010】このような本発明に係るパターン形成材料
から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着性
が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離したり
欠損したりすることがない。さらに、本発明のパターン
形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状に
照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パター
ンを形成することができる。
から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着性
が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離したり
欠損したりすることがない。さらに、本発明のパターン
形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状に
照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パター
ンを形成することができる。
【0011】
【発明の具体的説明】以下、本発明をさらに具体的に説
明する。本発明に係るパターン形成材料は、ウレタン化
ジビニルエーテル誘導体と、アルカリ性水溶液に可溶な
重合体(以下、アルカリ可溶性重合体と略記する)と、
光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物
(以下、光酸発生剤と略記する)とからなる。
明する。本発明に係るパターン形成材料は、ウレタン化
ジビニルエーテル誘導体と、アルカリ性水溶液に可溶な
重合体(以下、アルカリ可溶性重合体と略記する)と、
光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物
(以下、光酸発生剤と略記する)とからなる。
【0012】本発明に係るパターン形成材料で用いられ
るウレタン化ジビニルエーテル誘導体は、前記式(I)
で表される化合物である。前記式(I)中、R1 、R2
は各々独立に、炭素数2〜4のアルキレン基であり、具
体的には、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等で
あり、特に好ましくはエチレン基である。なお、R1と
R2 とは、同一であってもよく、また互いに異なってい
てもよい。さらに前記式(I)中、nは、1〜5の整数
であり、好ましくは2〜4の整数であり、特に好ましく
は2〜3の整数である。
るウレタン化ジビニルエーテル誘導体は、前記式(I)
で表される化合物である。前記式(I)中、R1 、R2
は各々独立に、炭素数2〜4のアルキレン基であり、具
体的には、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等で
あり、特に好ましくはエチレン基である。なお、R1と
R2 とは、同一であってもよく、また互いに異なってい
てもよい。さらに前記式(I)中、nは、1〜5の整数
であり、好ましくは2〜4の整数であり、特に好ましく
は2〜3の整数である。
【0013】このようなウレタン化ジビニルエーテル誘
導体は、具体的には2,4-ジイソシアネートと、2-ヒドロ
キシアルキレンビニルエーテル(たとえば、2-ヒドロキ
シエチレンビニルエーテル等)とを、2塩化メタンの存
在下で、25〜35℃にて、2〜3時間反応させ、トル
エン2,4-ジイソシアネートモノビニルエーテルウレタン
を調製し、得られたトルエン2,4-ジイソシアネートモノ
ビニルエーテルウレタンとポリアルキレングリコール
(たとえばトリエチレングリコール等)とを、ジオキサ
ンの存在下で、約80℃にて、2時間程度反応させるこ
とにより得られる。
導体は、具体的には2,4-ジイソシアネートと、2-ヒドロ
キシアルキレンビニルエーテル(たとえば、2-ヒドロキ
シエチレンビニルエーテル等)とを、2塩化メタンの存
在下で、25〜35℃にて、2〜3時間反応させ、トル
エン2,4-ジイソシアネートモノビニルエーテルウレタン
を調製し、得られたトルエン2,4-ジイソシアネートモノ
ビニルエーテルウレタンとポリアルキレングリコール
(たとえばトリエチレングリコール等)とを、ジオキサ
ンの存在下で、約80℃にて、2時間程度反応させるこ
とにより得られる。
【0014】本発明に係るパターン形成材料中におい
て、アルカリ可溶性重合体は、前記ウレタン化ジビニル
エーテル誘導体100重量部に対して、50〜1000
重量部、好ましくは100〜500重量部の量で含有さ
れている。前記ウレタン化ジビニルエーテル中のビニル
エーテル基と、後述するアルカリ可溶性重合体中の反応
性官能基との比は、本発明のパターン形成材料から形成
されるレジストがポジ型となる範囲にある。なお、ここ
で、反応性官能基とは、ビニルエーテル基と熱架橋反応
を起こしうる官能基を指し、具体的にはアルカリ可溶性
重合体中に存在するOH基、COOH基等を指す。
て、アルカリ可溶性重合体は、前記ウレタン化ジビニル
エーテル誘導体100重量部に対して、50〜1000
重量部、好ましくは100〜500重量部の量で含有さ
れている。前記ウレタン化ジビニルエーテル中のビニル
エーテル基と、後述するアルカリ可溶性重合体中の反応
性官能基との比は、本発明のパターン形成材料から形成
されるレジストがポジ型となる範囲にある。なお、ここ
で、反応性官能基とは、ビニルエーテル基と熱架橋反応
を起こしうる官能基を指し、具体的にはアルカリ可溶性
重合体中に存在するOH基、COOH基等を指す。
【0015】このような本発明において用いられるアル
カリ可溶性重合体としては、具体的には、フェノールと
ホルムアルデヒドとの縮合体であるノボラック樹脂、o-
クレゾールとホルムアルデヒドとの縮合体、p-クレゾー
ルとホルムアルデヒドとの縮合体、ポリヒドロキシスチ
レン、スチレン・アクリル酸共重合体等のアルカリ性水
溶液に可溶な重合体があげられる。これら重合体の分子
量は、好ましくは2000〜200000程度であり、
特に好ましくは3000〜60000程度である。
カリ可溶性重合体としては、具体的には、フェノールと
ホルムアルデヒドとの縮合体であるノボラック樹脂、o-
クレゾールとホルムアルデヒドとの縮合体、p-クレゾー
ルとホルムアルデヒドとの縮合体、ポリヒドロキシスチ
レン、スチレン・アクリル酸共重合体等のアルカリ性水
溶液に可溶な重合体があげられる。これら重合体の分子
量は、好ましくは2000〜200000程度であり、
特に好ましくは3000〜60000程度である。
【0016】本発明に係るパターン形成材料中におい
て、光酸発生剤は、前記ウレタン化ジビニルエーテル誘
導体100重量部に対して、1〜100重量部、好まし
くは3〜50重量部、特に好ましくは5〜20重量部の
量で含有されている。
て、光酸発生剤は、前記ウレタン化ジビニルエーテル誘
導体100重量部に対して、1〜100重量部、好まし
くは3〜50重量部、特に好ましくは5〜20重量部の
量で含有されている。
【0017】光酸発生剤としては、好ましくはオニウム
塩が用いられ、好適には、非置換または置換されたアリ
ールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩または
トリアリールスルホニウム塩が用いられる。トリアリー
ルセレノニウム塩も有用である。置換されたアリールジ
アニウム塩も同様に用いられ得る。その他、トリハロゲ
ン化メチルトリアジン、ハロゲン化イソシアヌレート、
ニトロベンジルエステル、スルホン酸エステル、ビスア
リールスルホニウムジアゾメタンも使用できる。本発明
における塩の最も好ましい対アニオンは、テトラフルオ
ロ硼素酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、トリフル
オロメタンスルホン酸、ヘキサフルオロ砒素酸塩および
ヘキサフルオロ燐酸塩の如き錯体金属ハロゲン化物であ
るが、本発明はこれらに限定されることはない。
塩が用いられ、好適には、非置換または置換されたアリ
ールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩または
トリアリールスルホニウム塩が用いられる。トリアリー
ルセレノニウム塩も有用である。置換されたアリールジ
アニウム塩も同様に用いられ得る。その他、トリハロゲ
ン化メチルトリアジン、ハロゲン化イソシアヌレート、
ニトロベンジルエステル、スルホン酸エステル、ビスア
リールスルホニウムジアゾメタンも使用できる。本発明
における塩の最も好ましい対アニオンは、テトラフルオ
ロ硼素酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、トリフル
オロメタンスルホン酸、ヘキサフルオロ砒素酸塩および
ヘキサフルオロ燐酸塩の如き錯体金属ハロゲン化物であ
るが、本発明はこれらに限定されることはない。
【0018】本発明に係るパターン形成材料は、上記各
成分を主成分として含み、通常は、溶剤に溶かして使用
・塗布する。溶剤としては、沸点が80〜100℃程度
であり、各成分を均一に溶解する溶媒、たとえば、ケト
ン類、エーテル類、エステル類、非プロトン性極性溶剤
等が用いられる。その際の溶液濃度は、全固形分濃度と
して、通常5〜50重量%、好ましくは10〜30重量
%である。さらに本発明の目的を損なわない範囲で、増
感剤、染料等を含有していてもよい。本発明のパターン
形成材料は、上記の各成分を公知の方法により混合する
ことに得られる。
成分を主成分として含み、通常は、溶剤に溶かして使用
・塗布する。溶剤としては、沸点が80〜100℃程度
であり、各成分を均一に溶解する溶媒、たとえば、ケト
ン類、エーテル類、エステル類、非プロトン性極性溶剤
等が用いられる。その際の溶液濃度は、全固形分濃度と
して、通常5〜50重量%、好ましくは10〜30重量
%である。さらに本発明の目的を損なわない範囲で、増
感剤、染料等を含有していてもよい。本発明のパターン
形成材料は、上記の各成分を公知の方法により混合する
ことに得られる。
【0019】次に本発明に係るパターン形成材料の使用
方法について説明する。まず、パターン形成材料を、パ
ターンが形成されるべき基板上に塗布・乾燥し、被膜を
形成する。被膜の膜厚は通常は、0.3〜30μm程度
であり、好ましくは0.5〜10μm程度であり、さら
に好ましくは0.5〜5μm程度であり、特に好ましく
は0.5〜2μm程度である。
方法について説明する。まず、パターン形成材料を、パ
ターンが形成されるべき基板上に塗布・乾燥し、被膜を
形成する。被膜の膜厚は通常は、0.3〜30μm程度
であり、好ましくは0.5〜10μm程度であり、さら
に好ましくは0.5〜5μm程度であり、特に好ましく
は0.5〜2μm程度である。
【0020】次いで、この被膜に熱処理を施す。熱処理
条件は、パターン形成材料の配合組成、各成分の種類等
によって異なるが、通常50〜150℃、好ましくは8
0〜130℃にて、通常3〜30分間、好ましくは5〜
20分間行なわれる。このような熱処理を施すことによ
り、ウレタン化ジビニルエーテル誘導体中のビニルエー
テル基と、アルカリ可溶性重合体中の反応性官能基(O
H基、COOH基等)とが、熱付加反応を起こして架橋
し、アルカリ不溶性の被膜が形成される。
条件は、パターン形成材料の配合組成、各成分の種類等
によって異なるが、通常50〜150℃、好ましくは8
0〜130℃にて、通常3〜30分間、好ましくは5〜
20分間行なわれる。このような熱処理を施すことによ
り、ウレタン化ジビニルエーテル誘導体中のビニルエー
テル基と、アルカリ可溶性重合体中の反応性官能基(O
H基、COOH基等)とが、熱付加反応を起こして架橋
し、アルカリ不溶性の被膜が形成される。
【0021】
【化3】
【0022】熱処理を施した後、この被膜に光または電
離放射線をパターン状に照射する。なお、本発明におい
て光とは紫外線および可視光線を含み、波長が700〜
430nm程度の光線を指す。また電離放射線とは電離
作用を有する波長430nm〜1Å程度の放射線であっ
て、遠紫外線、X線、γ線、荷電粒子線等を指す。光ま
たは電離放射線の照射量は、パターン形成材料の配合組
成、各成分の種類等によって異なるが、通常1〜200
mJ/cm2、好ましくは1〜100mJ/cm2程度であ
る。光または電離放射線が照射された部分(露光部)に
おいて、光酸発生剤から酸が発生し、この酸によって被
膜の架橋構造が破壊され、露光部は、アルカリ性水溶液
に対して可溶化する。
離放射線をパターン状に照射する。なお、本発明におい
て光とは紫外線および可視光線を含み、波長が700〜
430nm程度の光線を指す。また電離放射線とは電離
作用を有する波長430nm〜1Å程度の放射線であっ
て、遠紫外線、X線、γ線、荷電粒子線等を指す。光ま
たは電離放射線の照射量は、パターン形成材料の配合組
成、各成分の種類等によって異なるが、通常1〜200
mJ/cm2、好ましくは1〜100mJ/cm2程度であ
る。光または電離放射線が照射された部分(露光部)に
おいて、光酸発生剤から酸が発生し、この酸によって被
膜の架橋構造が破壊され、露光部は、アルカリ性水溶液
に対して可溶化する。
【0023】
【化4】
【0024】次いで、再度熱処理を施す(50〜130
℃、10〜30分間程度)。露光部はアルカリ性水溶
液、アルコール等の極性溶媒に可溶であるため、現像剤
として極性溶媒を用いると露光部が除去され、ポジ型パ
ターンが得られる。
℃、10〜30分間程度)。露光部はアルカリ性水溶
液、アルコール等の極性溶媒に可溶であるため、現像剤
として極性溶媒を用いると露光部が除去され、ポジ型パ
ターンが得られる。
【0025】
【発明の効果】このような本発明に係るパターン形成材
料から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着
性が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離した
り欠損したりすることがない。さらに、本発明のパター
ン形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状
に照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パタ
ーンを形成することができる。
料から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着
性が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離した
り欠損したりすることがない。さらに、本発明のパター
ン形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状
に照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パタ
ーンを形成することができる。
【0026】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0027】
【実施例1】 〔トルエン2,4-ジイソシアナートモノビニルエーテルウ
レタン(TDIMVEU):
レタン(TDIMVEU):
【0028】
【化5】
【0029】の合成〕攪拌子、還流コンデンサー、乾燥
チューブを備えた300mlの3口フラスコを用い、少量
のハイドロキノンを含む90mlの蒸留メチレンクロライ
ドに、25.11g(0.144モル)のトルエン2,4-
ジイソシアナート(TDI)を加えた。TDI溶解後、
15mlのメチレンクロライドと13.23g(0.15
0モル)の2-ヒドロキシエーテルビニルエーテルとの溶
液を16〜18℃にて滴下した。室温にて1時間、反応
混合物を激しく攪拌した。生成物を35℃に加熱し、約
1〜1.5時間攪拌した。冷却後、減圧下にて元の量の
約1/3を除去し、2000〜2500mlのヘキサン中
に投入した。このヘキサン溶液から再結晶し、白色針状
のTDIMVEU16.7gを得た。収率は46.47
%であった。融点は58〜59℃であった。
チューブを備えた300mlの3口フラスコを用い、少量
のハイドロキノンを含む90mlの蒸留メチレンクロライ
ドに、25.11g(0.144モル)のトルエン2,4-
ジイソシアナート(TDI)を加えた。TDI溶解後、
15mlのメチレンクロライドと13.23g(0.15
0モル)の2-ヒドロキシエーテルビニルエーテルとの溶
液を16〜18℃にて滴下した。室温にて1時間、反応
混合物を激しく攪拌した。生成物を35℃に加熱し、約
1〜1.5時間攪拌した。冷却後、減圧下にて元の量の
約1/3を除去し、2000〜2500mlのヘキサン中
に投入した。このヘキサン溶液から再結晶し、白色針状
のTDIMVEU16.7gを得た。収率は46.47
%であった。融点は58〜59℃であった。
【0030】〔ウレタン化ジビニルエーテルの合成〕攪
拌子、還流コンデンサー、乾燥チューブを備えた100
0mlの3口フラスコに、52.45g(0.2モル)の
TDIMVEUと500mlのジオキサンとから調製され
た溶液を装入した。フラスコおよびコンデンサーに窒素
を流通しながら、上記溶液に少量の1,4-ジアザビシクロ
[2.2.2]オクタンとハイドロキノンを加えた。次いで、
室温にて、50mlのジオキサンと15g(0.1モル)
のトリエチレングリコールとの溶液を除々に滴下した。
反応混合物を80℃にて2時間攪拌した。赤外吸収スペ
クトルにおける2260cm-1のイソシアナートの吸収は
検出されなかった。冷却後、反応混合物を濾過し、さら
に3000mlのヘキサンから再沈澱した。白色のウレタ
ン化ジビニルエーテル:
拌子、還流コンデンサー、乾燥チューブを備えた100
0mlの3口フラスコに、52.45g(0.2モル)の
TDIMVEUと500mlのジオキサンとから調製され
た溶液を装入した。フラスコおよびコンデンサーに窒素
を流通しながら、上記溶液に少量の1,4-ジアザビシクロ
[2.2.2]オクタンとハイドロキノンを加えた。次いで、
室温にて、50mlのジオキサンと15g(0.1モル)
のトリエチレングリコールとの溶液を除々に滴下した。
反応混合物を80℃にて2時間攪拌した。赤外吸収スペ
クトルにおける2260cm-1のイソシアナートの吸収は
検出されなかった。冷却後、反応混合物を濾過し、さら
に3000mlのヘキサンから再沈澱した。白色のウレタ
ン化ジビニルエーテル:
【0031】
【化6】
【0032】61g(収率89.05%)を得た。 〔パターン形成材料〕得られたウレタン化ジビニルエー
テル6gと、ポリ(p-ヒドロキシスチレン)〔Mn=3
700, Mw=6100, Mw/Mn=1.65〕
10gと、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォ
スフェート0.6gをエチレングリコールモノエチルエ
ーテル90gに完全溶解し、レジスト溶液を調製した。
テル6gと、ポリ(p-ヒドロキシスチレン)〔Mn=3
700, Mw=6100, Mw/Mn=1.65〕
10gと、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォ
スフェート0.6gをエチレングリコールモノエチルエ
ーテル90gに完全溶解し、レジスト溶液を調製した。
【0033】この溶液を0.2μmのテフロンフィルタ
ーで濾過した後、シリコンウェハ上に毎秒2000回の
速度で回転被覆し、厚さ1μmのレジスト膜を形成し
た。この被膜を90℃で15分間熱処理した後、石英マ
スクを介して波長365nmの紫外線を照射し、さらに
90℃で10分間熱処理を行った。
ーで濾過した後、シリコンウェハ上に毎秒2000回の
速度で回転被覆し、厚さ1μmのレジスト膜を形成し
た。この被膜を90℃で15分間熱処理した後、石英マ
スクを介して波長365nmの紫外線を照射し、さらに
90℃で10分間熱処理を行った。
【0034】2.4重量%のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液(TMAH)で90秒間現像を行っ
てポジ型像を得た。この結果、巾1μmの明瞭なライン
アンドスペースパターンが得られた。感度は4mJ/cm
2であった。
ヒドロキシド水溶液(TMAH)で90秒間現像を行っ
てポジ型像を得た。この結果、巾1μmの明瞭なライン
アンドスペースパターンが得られた。感度は4mJ/cm
2であった。
Claims (1)
- 【請求項1】 下記式(I)にて示されるウレタン化ジ
ビニルエーテル誘導体:100重量部と、 【化1】 (式中、R1 、R2 は各々独立に、炭素数2〜4のアル
キレン基であり、nは1〜5の整数である。) アルカリ性水溶液に可溶な重合体:50〜1000重量
部と、 光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合
物:1〜100重量部とを主成分として含有してなるこ
とを特徴とするパターン形成材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5292910A JPH07146557A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5292910A JPH07146557A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | パターン形成材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07146557A true JPH07146557A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17787987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5292910A Pending JPH07146557A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07146557A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999054788A1 (fr) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Kansai Paint Co., Ltd. | Composition de resine photosensible |
JP2006350293A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-12-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた感光性エレメント、ポジ型レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
TWI418533B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-12-11 | Shinetsu Chemical Co | 光阻改質用組成物及圖案形成方法 |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP5292910A patent/JPH07146557A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999054788A1 (fr) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Kansai Paint Co., Ltd. | Composition de resine photosensible |
US6344307B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-02-05 | Kansai Paint Co., Ltd. | Photosensitive resin composition |
JP2006350293A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-12-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた感光性エレメント、ポジ型レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
TWI418533B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-12-11 | Shinetsu Chemical Co | 光阻改質用組成物及圖案形成方法 |
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