JPH07146557A - パターン形成材料 - Google Patents
パターン形成材料Info
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- JPH07146557A JPH07146557A JP5292910A JP29291093A JPH07146557A JP H07146557 A JPH07146557 A JP H07146557A JP 5292910 A JP5292910 A JP 5292910A JP 29291093 A JP29291093 A JP 29291093A JP H07146557 A JPH07146557 A JP H07146557A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記式（Ｉ）の化合物：１００重量部と、
【化１】
アルカリ性水溶液に可溶な重合体：５０〜１０００重量
部と、 光酸発生剤：１〜１００重量部とからなるパターン形成
材料。 【効果】 被処理基板に対する密着性が高く、また可撓
性に優れ、現像中に剥離したり欠損したりすることがな
く、感度・解像度ともに良好のパターン形成材料が得ら
れる。
部と、 光酸発生剤：１〜１００重量部とからなるパターン形成
材料。 【効果】 被処理基板に対する密着性が高く、また可撓
性に優れ、現像中に剥離したり欠損したりすることがな
く、感度・解像度ともに良好のパターン形成材料が得ら
れる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、光または電離放射線に感
応してポジ型レジストパターンを形成しうるようなパタ
ーン形成材料に関する。
応してポジ型レジストパターンを形成しうるようなパタ
ーン形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは、主として集積回路
（ＩＣパターン）を製造する際に、μｍ単位の微細画像
（パターン）を形成するために用いられている。このよ
うなフォトレジストは、一般に感光性樹脂とバインダー
樹脂とからなり、写真フィルムと同様に、ネガ型フォト
レジスト、ポジ型フォトレジストが知られている。回路
パターン等の形成は、レジスト膜を基板上に形成した
後、光または電離放射線をパターン状に照射し、現像す
ることにより行なわれる。ネガ型レジストの場合は、露
光部を現像剤に対して不溶化することにより、パターン
が形成される。一方、ポジ型レジストの場合は溶剤不溶
性の塗膜をパターン状に露光し、露光部を可溶化するこ
とによりパターンが形成される。
（ＩＣパターン）を製造する際に、μｍ単位の微細画像
（パターン）を形成するために用いられている。このよ
うなフォトレジストは、一般に感光性樹脂とバインダー
樹脂とからなり、写真フィルムと同様に、ネガ型フォト
レジスト、ポジ型フォトレジストが知られている。回路
パターン等の形成は、レジスト膜を基板上に形成した
後、光または電離放射線をパターン状に照射し、現像す
ることにより行なわれる。ネガ型レジストの場合は、露
光部を現像剤に対して不溶化することにより、パターン
が形成される。一方、ポジ型レジストの場合は溶剤不溶
性の塗膜をパターン状に露光し、露光部を可溶化するこ
とによりパターンが形成される。
【０００３】現用のポジ型フォトレジストは、その殆ど
がノボラック樹脂に対するナフトキノンジアジド化合物
の溶解抑制効果を利用したものである。しかし、ナフト
キノンジアジド化合物は熱安定性が低く、その使用条件
が制限されるという欠点を有している。また、このよう
な現用のパターン形成材料は、形成パターン精度が低い
という問題点も有していた。
がノボラック樹脂に対するナフトキノンジアジド化合物
の溶解抑制効果を利用したものである。しかし、ナフト
キノンジアジド化合物は熱安定性が低く、その使用条件
が制限されるという欠点を有している。また、このよう
な現用のパターン形成材料は、形成パターン精度が低い
という問題点も有していた。
【０００４】このような状況下で、現在、熱架橋／酸加
水分解反応を利用した高精度ポジ型レジストの研究が精
力的に進められている。特に、近時、ビニルエーテル基
をレジスト材料中に存在させ、ビニルエーテル基の熱架
橋、および生成した架橋構造の酸加水分解反応を利用す
ることが検討されている（たとえば、Polymer Preprint
s, Japan Vol. 42, No. 3, 693 (1993) 参照）。具体的
には、ポリ（ヒドロキシスチレン／アクリル酸）共重合
体をマトリックスとして、２官能ビニルエーテルモノマ
ー（ビスフェノールＡ−ジエチルビニルエーテル）と光
酸発生剤とからなる３成分系ポジ型レジストが教示され
ている。このような３成分系ポジ型レジストを被処理基
板上に塗膜後、加熱すると、２官能ビニルエーテルモノ
マー中のビニルエーテル基と、マトリックス中のＯＨ基
あるいはＣＯＯＨ基とが反応・架橋し、アルカリ不溶性
のレジスト膜が形成される。次いで、光または電離放射
線を照射すると、光酸発生剤から発生した酸によって架
橋構造が破壊され、アルカリに対して可溶化する。した
がって、光または電離放射線をパターン状に照射するこ
とによりパターン形成が可能になる。
水分解反応を利用した高精度ポジ型レジストの研究が精
力的に進められている。特に、近時、ビニルエーテル基
をレジスト材料中に存在させ、ビニルエーテル基の熱架
橋、および生成した架橋構造の酸加水分解反応を利用す
ることが検討されている（たとえば、Polymer Preprint
s, Japan Vol. 42, No. 3, 693 (1993) 参照）。具体的
には、ポリ（ヒドロキシスチレン／アクリル酸）共重合
体をマトリックスとして、２官能ビニルエーテルモノマ
ー（ビスフェノールＡ−ジエチルビニルエーテル）と光
酸発生剤とからなる３成分系ポジ型レジストが教示され
ている。このような３成分系ポジ型レジストを被処理基
板上に塗膜後、加熱すると、２官能ビニルエーテルモノ
マー中のビニルエーテル基と、マトリックス中のＯＨ基
あるいはＣＯＯＨ基とが反応・架橋し、アルカリ不溶性
のレジスト膜が形成される。次いで、光または電離放射
線を照射すると、光酸発生剤から発生した酸によって架
橋構造が破壊され、アルカリに対して可溶化する。した
がって、光または電離放射線をパターン状に照射するこ
とによりパターン形成が可能になる。
【０００５】このようなレジスト膜には、高感度・高解
像度であるとともに、被処理基板に対する密着性に優
れ、かつ可撓性と剛直性とのバランスに優れていること
が要求されている。
像度であるとともに、被処理基板に対する密着性に優
れ、かつ可撓性と剛直性とのバランスに優れていること
が要求されている。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、高感度・高解像度でパターン
形成を行えるとともに、可撓性に優れ、かつ基板に対す
る密着性の高いレジスト膜を形成しうるような新規パタ
ーン形成材料を提供することを目的としている。
てなされたものであって、高感度・高解像度でパターン
形成を行えるとともに、可撓性に優れ、かつ基板に対す
る密着性の高いレジスト膜を形成しうるような新規パタ
ーン形成材料を提供することを目的としている。
【０００７】
【発明の概要】本発明に係るパターン形成材料は、下記
式（Ｉ）にて示されるウレタン化ジビニルエーテル誘導
体：１００重量部と、
式（Ｉ）にて示されるウレタン化ジビニルエーテル誘導
体：１００重量部と、
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は各々独立に、炭素数
２〜４のアルキレン基であり、ｎは１〜５の整数であ
る。） アルカリ性水溶液に可溶な重合体：５０〜１０００重量
部と、 光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合
物：１〜１００重量部とを主成分として含有してなるこ
とを特徴としている。
２〜４のアルキレン基であり、ｎは１〜５の整数であ
る。） アルカリ性水溶液に可溶な重合体：５０〜１０００重量
部と、 光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合
物：１〜１００重量部とを主成分として含有してなるこ
とを特徴としている。
【００１０】このような本発明に係るパターン形成材料
から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着性
が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離したり
欠損したりすることがない。さらに、本発明のパターン
形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状に
照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パター
ンを形成することができる。
から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着性
が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離したり
欠損したりすることがない。さらに、本発明のパターン
形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状に
照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パター
ンを形成することができる。
【００１１】
【発明の具体的説明】以下、本発明をさらに具体的に説
明する。本発明に係るパターン形成材料は、ウレタン化
ジビニルエーテル誘導体と、アルカリ性水溶液に可溶な
重合体（以下、アルカリ可溶性重合体と略記する）と、
光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物
（以下、光酸発生剤と略記する）とからなる。
明する。本発明に係るパターン形成材料は、ウレタン化
ジビニルエーテル誘導体と、アルカリ性水溶液に可溶な
重合体（以下、アルカリ可溶性重合体と略記する）と、
光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物
（以下、光酸発生剤と略記する）とからなる。
【００１２】本発明に係るパターン形成材料で用いられ
るウレタン化ジビニルエーテル誘導体は、前記式（Ｉ）
で表される化合物である。前記式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2
は各々独立に、炭素数２〜４のアルキレン基であり、具
体的には、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等で
あり、特に好ましくはエチレン基である。なお、Ｒ1と
Ｒ2 とは、同一であってもよく、また互いに異なってい
てもよい。さらに前記式（Ｉ）中、ｎは、１〜５の整数
であり、好ましくは２〜４の整数であり、特に好ましく
は２〜３の整数である。
るウレタン化ジビニルエーテル誘導体は、前記式（Ｉ）
で表される化合物である。前記式（Ｉ）中、Ｒ1 、Ｒ2
は各々独立に、炭素数２〜４のアルキレン基であり、具
体的には、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等で
あり、特に好ましくはエチレン基である。なお、Ｒ1と
Ｒ2 とは、同一であってもよく、また互いに異なってい
てもよい。さらに前記式（Ｉ）中、ｎは、１〜５の整数
であり、好ましくは２〜４の整数であり、特に好ましく
は２〜３の整数である。
【００１３】このようなウレタン化ジビニルエーテル誘
導体は、具体的には2,4-ジイソシアネートと、2-ヒドロ
キシアルキレンビニルエーテル（たとえば、2-ヒドロキ
シエチレンビニルエーテル等）とを、２塩化メタンの存
在下で、２５〜３５℃にて、２〜３時間反応させ、トル
エン2,4-ジイソシアネートモノビニルエーテルウレタン
を調製し、得られたトルエン2,4-ジイソシアネートモノ
ビニルエーテルウレタンとポリアルキレングリコール
（たとえばトリエチレングリコール等）とを、ジオキサ
ンの存在下で、約８０℃にて、２時間程度反応させるこ
とにより得られる。
導体は、具体的には2,4-ジイソシアネートと、2-ヒドロ
キシアルキレンビニルエーテル（たとえば、2-ヒドロキ
シエチレンビニルエーテル等）とを、２塩化メタンの存
在下で、２５〜３５℃にて、２〜３時間反応させ、トル
エン2,4-ジイソシアネートモノビニルエーテルウレタン
を調製し、得られたトルエン2,4-ジイソシアネートモノ
ビニルエーテルウレタンとポリアルキレングリコール
（たとえばトリエチレングリコール等）とを、ジオキサ
ンの存在下で、約８０℃にて、２時間程度反応させるこ
とにより得られる。
【００１４】本発明に係るパターン形成材料中におい
て、アルカリ可溶性重合体は、前記ウレタン化ジビニル
エーテル誘導体１００重量部に対して、５０〜１０００
重量部、好ましくは１００〜５００重量部の量で含有さ
れている。前記ウレタン化ジビニルエーテル中のビニル
エーテル基と、後述するアルカリ可溶性重合体中の反応
性官能基との比は、本発明のパターン形成材料から形成
されるレジストがポジ型となる範囲にある。なお、ここ
で、反応性官能基とは、ビニルエーテル基と熱架橋反応
を起こしうる官能基を指し、具体的にはアルカリ可溶性
重合体中に存在するＯＨ基、ＣＯＯＨ基等を指す。
て、アルカリ可溶性重合体は、前記ウレタン化ジビニル
エーテル誘導体１００重量部に対して、５０〜１０００
重量部、好ましくは１００〜５００重量部の量で含有さ
れている。前記ウレタン化ジビニルエーテル中のビニル
エーテル基と、後述するアルカリ可溶性重合体中の反応
性官能基との比は、本発明のパターン形成材料から形成
されるレジストがポジ型となる範囲にある。なお、ここ
で、反応性官能基とは、ビニルエーテル基と熱架橋反応
を起こしうる官能基を指し、具体的にはアルカリ可溶性
重合体中に存在するＯＨ基、ＣＯＯＨ基等を指す。
【００１５】このような本発明において用いられるアル
カリ可溶性重合体としては、具体的には、フェノールと
ホルムアルデヒドとの縮合体であるノボラック樹脂、o-
クレゾールとホルムアルデヒドとの縮合体、p-クレゾー
ルとホルムアルデヒドとの縮合体、ポリヒドロキシスチ
レン、スチレン・アクリル酸共重合体等のアルカリ性水
溶液に可溶な重合体があげられる。これら重合体の分子
量は、好ましくは２０００〜２０００００程度であり、
特に好ましくは３０００〜６００００程度である。
カリ可溶性重合体としては、具体的には、フェノールと
ホルムアルデヒドとの縮合体であるノボラック樹脂、o-
クレゾールとホルムアルデヒドとの縮合体、p-クレゾー
ルとホルムアルデヒドとの縮合体、ポリヒドロキシスチ
レン、スチレン・アクリル酸共重合体等のアルカリ性水
溶液に可溶な重合体があげられる。これら重合体の分子
量は、好ましくは２０００〜２０００００程度であり、
特に好ましくは３０００〜６００００程度である。
【００１６】本発明に係るパターン形成材料中におい
て、光酸発生剤は、前記ウレタン化ジビニルエーテル誘
導体１００重量部に対して、１〜１００重量部、好まし
くは３〜５０重量部、特に好ましくは５〜２０重量部の
量で含有されている。
て、光酸発生剤は、前記ウレタン化ジビニルエーテル誘
導体１００重量部に対して、１〜１００重量部、好まし
くは３〜５０重量部、特に好ましくは５〜２０重量部の
量で含有されている。
【００１７】光酸発生剤としては、好ましくはオニウム
塩が用いられ、好適には、非置換または置換されたアリ
ールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩または
トリアリールスルホニウム塩が用いられる。トリアリー
ルセレノニウム塩も有用である。置換されたアリールジ
アニウム塩も同様に用いられ得る。その他、トリハロゲ
ン化メチルトリアジン、ハロゲン化イソシアヌレート、
ニトロベンジルエステル、スルホン酸エステル、ビスア
リールスルホニウムジアゾメタンも使用できる。本発明
における塩の最も好ましい対アニオンは、テトラフルオ
ロ硼素酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、トリフル
オロメタンスルホン酸、ヘキサフルオロ砒素酸塩および
ヘキサフルオロ燐酸塩の如き錯体金属ハロゲン化物であ
るが、本発明はこれらに限定されることはない。
塩が用いられ、好適には、非置換または置換されたアリ
ールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩または
トリアリールスルホニウム塩が用いられる。トリアリー
ルセレノニウム塩も有用である。置換されたアリールジ
アニウム塩も同様に用いられ得る。その他、トリハロゲ
ン化メチルトリアジン、ハロゲン化イソシアヌレート、
ニトロベンジルエステル、スルホン酸エステル、ビスア
リールスルホニウムジアゾメタンも使用できる。本発明
における塩の最も好ましい対アニオンは、テトラフルオ
ロ硼素酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、トリフル
オロメタンスルホン酸、ヘキサフルオロ砒素酸塩および
ヘキサフルオロ燐酸塩の如き錯体金属ハロゲン化物であ
るが、本発明はこれらに限定されることはない。
【００１８】本発明に係るパターン形成材料は、上記各
成分を主成分として含み、通常は、溶剤に溶かして使用
・塗布する。溶剤としては、沸点が８０〜１００℃程度
であり、各成分を均一に溶解する溶媒、たとえば、ケト
ン類、エーテル類、エステル類、非プロトン性極性溶剤
等が用いられる。その際の溶液濃度は、全固形分濃度と
して、通常５〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量
％である。さらに本発明の目的を損なわない範囲で、増
感剤、染料等を含有していてもよい。本発明のパターン
形成材料は、上記の各成分を公知の方法により混合する
ことに得られる。
成分を主成分として含み、通常は、溶剤に溶かして使用
・塗布する。溶剤としては、沸点が８０〜１００℃程度
であり、各成分を均一に溶解する溶媒、たとえば、ケト
ン類、エーテル類、エステル類、非プロトン性極性溶剤
等が用いられる。その際の溶液濃度は、全固形分濃度と
して、通常５〜５０重量％、好ましくは１０〜３０重量
％である。さらに本発明の目的を損なわない範囲で、増
感剤、染料等を含有していてもよい。本発明のパターン
形成材料は、上記の各成分を公知の方法により混合する
ことに得られる。
【００１９】次に本発明に係るパターン形成材料の使用
方法について説明する。まず、パターン形成材料を、パ
ターンが形成されるべき基板上に塗布・乾燥し、被膜を
形成する。被膜の膜厚は通常は、０．３〜３０μｍ程度
であり、好ましくは０．５〜１０μｍ程度であり、さら
に好ましくは０．５〜５μｍ程度であり、特に好ましく
は０．５〜２μｍ程度である。
方法について説明する。まず、パターン形成材料を、パ
ターンが形成されるべき基板上に塗布・乾燥し、被膜を
形成する。被膜の膜厚は通常は、０．３〜３０μｍ程度
であり、好ましくは０．５〜１０μｍ程度であり、さら
に好ましくは０．５〜５μｍ程度であり、特に好ましく
は０．５〜２μｍ程度である。
【００２０】次いで、この被膜に熱処理を施す。熱処理
条件は、パターン形成材料の配合組成、各成分の種類等
によって異なるが、通常５０〜１５０℃、好ましくは８
０〜１３０℃にて、通常３〜３０分間、好ましくは５〜
２０分間行なわれる。このような熱処理を施すことによ
り、ウレタン化ジビニルエーテル誘導体中のビニルエー
テル基と、アルカリ可溶性重合体中の反応性官能基（Ｏ
Ｈ基、ＣＯＯＨ基等）とが、熱付加反応を起こして架橋
し、アルカリ不溶性の被膜が形成される。
条件は、パターン形成材料の配合組成、各成分の種類等
によって異なるが、通常５０〜１５０℃、好ましくは８
０〜１３０℃にて、通常３〜３０分間、好ましくは５〜
２０分間行なわれる。このような熱処理を施すことによ
り、ウレタン化ジビニルエーテル誘導体中のビニルエー
テル基と、アルカリ可溶性重合体中の反応性官能基（Ｏ
Ｈ基、ＣＯＯＨ基等）とが、熱付加反応を起こして架橋
し、アルカリ不溶性の被膜が形成される。
【００２１】
【化３】
【００２２】熱処理を施した後、この被膜に光または電
離放射線をパターン状に照射する。なお、本発明におい
て光とは紫外線および可視光線を含み、波長が７００〜
４３０ｎｍ程度の光線を指す。また電離放射線とは電離
作用を有する波長４３０ｎｍ〜１Å程度の放射線であっ
て、遠紫外線、Ｘ線、γ線、荷電粒子線等を指す。光ま
たは電離放射線の照射量は、パターン形成材料の配合組
成、各成分の種類等によって異なるが、通常１〜２００
ｍＪ／cm2、好ましくは１〜１００ｍＪ／cm2程度であ
る。光または電離放射線が照射された部分（露光部）に
おいて、光酸発生剤から酸が発生し、この酸によって被
膜の架橋構造が破壊され、露光部は、アルカリ性水溶液
に対して可溶化する。
離放射線をパターン状に照射する。なお、本発明におい
て光とは紫外線および可視光線を含み、波長が７００〜
４３０ｎｍ程度の光線を指す。また電離放射線とは電離
作用を有する波長４３０ｎｍ〜１Å程度の放射線であっ
て、遠紫外線、Ｘ線、γ線、荷電粒子線等を指す。光ま
たは電離放射線の照射量は、パターン形成材料の配合組
成、各成分の種類等によって異なるが、通常１〜２００
ｍＪ／cm2、好ましくは１〜１００ｍＪ／cm2程度であ
る。光または電離放射線が照射された部分（露光部）に
おいて、光酸発生剤から酸が発生し、この酸によって被
膜の架橋構造が破壊され、露光部は、アルカリ性水溶液
に対して可溶化する。
【００２３】
【化４】
【００２４】次いで、再度熱処理を施す（５０〜１３０
℃、１０〜３０分間程度）。露光部はアルカリ性水溶
液、アルコール等の極性溶媒に可溶であるため、現像剤
として極性溶媒を用いると露光部が除去され、ポジ型パ
ターンが得られる。
℃、１０〜３０分間程度）。露光部はアルカリ性水溶
液、アルコール等の極性溶媒に可溶であるため、現像剤
として極性溶媒を用いると露光部が除去され、ポジ型パ
ターンが得られる。
【００２５】
【発明の効果】このような本発明に係るパターン形成材
料から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着
性が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離した
り欠損したりすることがない。さらに、本発明のパター
ン形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状
に照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パタ
ーンを形成することができる。
料から得られるレジスト膜は、被処理基板に対する密着
性が高く、また可撓性に優れるため、現像中に剥離した
り欠損したりすることがない。さらに、本発明のパター
ン形成材料によれば、光または電離放射線をパターン状
に照射することにより、高感度・高解像度でポジ型パタ
ーンを形成することができる。
【００２６】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２７】
【実施例１】 〔トルエン2,4-ジイソシアナートモノビニルエーテルウ
レタン（ＴＤＩＭＶＥＵ）：
レタン（ＴＤＩＭＶＥＵ）：
【００２８】
【化５】
【００２９】の合成〕攪拌子、還流コンデンサー、乾燥
チューブを備えた３００mlの３口フラスコを用い、少量
のハイドロキノンを含む９０mlの蒸留メチレンクロライ
ドに、２５．１１ｇ（０．１４４モル）のトルエン2,4-
ジイソシアナート（ＴＤＩ）を加えた。ＴＤＩ溶解後、
１５mlのメチレンクロライドと１３．２３ｇ（０．１５
０モル）の2-ヒドロキシエーテルビニルエーテルとの溶
液を１６〜１８℃にて滴下した。室温にて１時間、反応
混合物を激しく攪拌した。生成物を３５℃に加熱し、約
１〜１．５時間攪拌した。冷却後、減圧下にて元の量の
約１／３を除去し、２０００〜２５００mlのヘキサン中
に投入した。このヘキサン溶液から再結晶し、白色針状
のＴＤＩＭＶＥＵ１６．７ｇを得た。収率は４６．４７
％であった。融点は５８〜５９℃であった。
チューブを備えた３００mlの３口フラスコを用い、少量
のハイドロキノンを含む９０mlの蒸留メチレンクロライ
ドに、２５．１１ｇ（０．１４４モル）のトルエン2,4-
ジイソシアナート（ＴＤＩ）を加えた。ＴＤＩ溶解後、
１５mlのメチレンクロライドと１３．２３ｇ（０．１５
０モル）の2-ヒドロキシエーテルビニルエーテルとの溶
液を１６〜１８℃にて滴下した。室温にて１時間、反応
混合物を激しく攪拌した。生成物を３５℃に加熱し、約
１〜１．５時間攪拌した。冷却後、減圧下にて元の量の
約１／３を除去し、２０００〜２５００mlのヘキサン中
に投入した。このヘキサン溶液から再結晶し、白色針状
のＴＤＩＭＶＥＵ１６．７ｇを得た。収率は４６．４７
％であった。融点は５８〜５９℃であった。
【００３０】〔ウレタン化ジビニルエーテルの合成〕攪
拌子、還流コンデンサー、乾燥チューブを備えた１００
０mlの３口フラスコに、５２．４５ｇ（０．２モル）の
ＴＤＩＭＶＥＵと５００mlのジオキサンとから調製され
た溶液を装入した。フラスコおよびコンデンサーに窒素
を流通しながら、上記溶液に少量の1,4-ジアザビシクロ
[2.2.2]オクタンとハイドロキノンを加えた。次いで、
室温にて、５０mlのジオキサンと１５ｇ（０．１モル）
のトリエチレングリコールとの溶液を除々に滴下した。
反応混合物を８０℃にて２時間攪拌した。赤外吸収スペ
クトルにおける２２６０cm-1のイソシアナートの吸収は
検出されなかった。冷却後、反応混合物を濾過し、さら
に３０００mlのヘキサンから再沈澱した。白色のウレタ
ン化ジビニルエーテル：
拌子、還流コンデンサー、乾燥チューブを備えた１００
０mlの３口フラスコに、５２．４５ｇ（０．２モル）の
ＴＤＩＭＶＥＵと５００mlのジオキサンとから調製され
た溶液を装入した。フラスコおよびコンデンサーに窒素
を流通しながら、上記溶液に少量の1,4-ジアザビシクロ
[2.2.2]オクタンとハイドロキノンを加えた。次いで、
室温にて、５０mlのジオキサンと１５ｇ（０．１モル）
のトリエチレングリコールとの溶液を除々に滴下した。
反応混合物を８０℃にて２時間攪拌した。赤外吸収スペ
クトルにおける２２６０cm-1のイソシアナートの吸収は
検出されなかった。冷却後、反応混合物を濾過し、さら
に３０００mlのヘキサンから再沈澱した。白色のウレタ
ン化ジビニルエーテル：
【００３１】
【化６】
【００３２】６１ｇ（収率８９．０５％）を得た。 〔パターン形成材料〕得られたウレタン化ジビニルエー
テル６ｇと、ポリ（p-ヒドロキシスチレン）〔Ｍｎ＝３
７００， Ｍｗ＝６１００， Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６５〕
１０ｇと、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォ
スフェート０．６ｇをエチレングリコールモノエチルエ
ーテル９０ｇに完全溶解し、レジスト溶液を調製した。
テル６ｇと、ポリ（p-ヒドロキシスチレン）〔Ｍｎ＝３
７００， Ｍｗ＝６１００， Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６５〕
１０ｇと、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォ
スフェート０．６ｇをエチレングリコールモノエチルエ
ーテル９０ｇに完全溶解し、レジスト溶液を調製した。
【００３３】この溶液を０．２μｍのテフロンフィルタ
ーで濾過した後、シリコンウェハ上に毎秒２０００回の
速度で回転被覆し、厚さ１μｍのレジスト膜を形成し
た。この被膜を９０℃で１５分間熱処理した後、石英マ
スクを介して波長３６５ｎｍの紫外線を照射し、さらに
９０℃で１０分間熱処理を行った。
ーで濾過した後、シリコンウェハ上に毎秒２０００回の
速度で回転被覆し、厚さ１μｍのレジスト膜を形成し
た。この被膜を９０℃で１５分間熱処理した後、石英マ
スクを介して波長３６５ｎｍの紫外線を照射し、さらに
９０℃で１０分間熱処理を行った。
【００３４】２．４重量％のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨ）で９０秒間現像を行っ
てポジ型像を得た。この結果、巾１μｍの明瞭なライン
アンドスペースパターンが得られた。感度は４ｍＪ／cm
2であった。
ヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨ）で９０秒間現像を行っ
てポジ型像を得た。この結果、巾１μｍの明瞭なライン
アンドスペースパターンが得られた。感度は４ｍＪ／cm
2であった。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記式（Ｉ）にて示されるウレタン化ジ
ビニルエーテル誘導体：１００重量部と、 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は各々独立に、炭素数２〜４のアル
キレン基であり、ｎは１〜５の整数である。） アルカリ性水溶液に可溶な重合体：５０〜１０００重量
部と、 光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合
物：１〜１００重量部とを主成分として含有してなるこ
とを特徴とするパターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5292910A JPH07146557A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5292910A JPH07146557A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | パターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146557A true JPH07146557A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17787987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5292910A Pending JPH07146557A (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07146557A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054788A1 (fr) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Kansai Paint Co., Ltd. | Composition de resine photosensible |
| JP2006350293A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-12-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた感光性エレメント、ポジ型レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI418533B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-12-11 | Shinetsu Chemical Co | 光阻改質用組成物及圖案形成方法 |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP5292910A patent/JPH07146557A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054788A1 (fr) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Kansai Paint Co., Ltd. | Composition de resine photosensible |
| US6344307B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-02-05 | Kansai Paint Co., Ltd. | Photosensitive resin composition |
| JP2006350293A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-12-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた感光性エレメント、ポジ型レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI418533B (zh) * | 2009-05-25 | 2013-12-11 | Shinetsu Chemical Co | 光阻改質用組成物及圖案形成方法 |
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