JP2000221515A

JP2000221515A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JP2000221515A
Application number: JP11233964A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Fukuda; 和生福田
Original assignee: NANOX KK
Current assignee: NANOX KK
Priority date: 1998-11-27
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2000-08-11
Also published as: US6525799B1; KR20000035725A; TW526375B; HK1025635A1; MY122191A; CN1154010C; KR100673930B1; CN1255648A

Abstract

(57)【要約】【課題】色ムラや導通不良が生じるのを回避して信頼
性向上を図る。【解決手段】液晶が注入されるシール部１２がメイン
シール部１９と導通シール部１８とからなり、導通シー
ル部１８に対応する第１及び第２のガラス基板１、８の
表面には金属薄膜５が形成されている。そして、シール
部１２の厚さを制御するスペーサが、略均一に分散され
て前記シール部１２に含有されると共に、導通シール部
１８に混入される第１のスペーサ２１の粒子径Ｄ１が、
メインシール部１９に混入される第２のスペーサ２２の
粒子径Ｄ２よりも所定値Ｘ＝｛（２ｔ＋０．５）〜（２
ｔ−０．６）｝μｍ（ｔ：金属薄膜の膜厚）だけ小さく
形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、特に携帯電話や電子手帳等の小型携帯機器に使用さ
れる液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日の情報通信技術の急速な進展に伴
い、携帯電話や電子手帳等の小型携帯機器の分野におい
ても液晶表示素子の重要性は近時益々増大している。

【０００３】この種の液晶表示素子は、２枚のガラス基
板（第１及び第２のガラス基板）の間に液晶を気密封着
した液晶セルと、該液晶セルの周辺に配設されて該液晶
セルの駆動・制御を行う駆動回路（以下、「駆動ＩＣ」
という）とで１個のモジュールを構成している。

【０００４】そして、小形のモジュールを製造する方法
としては、従来より、１枚のガラス基板に対して所謂
「多面付け」を行い、連続した１回の作業工程で多数の
液晶セルを作製し、この後、所謂ＣＯＧ（chip on glas
s)実装方式により駆動ＩＣを直接液晶パネルに実装する
ことが行われている。この製造方法によれば、多面付け
処理を行うことにより１回の作業工程で多数の液晶セル
を得ることができるため大幅に生産性を向上させること
ができ、またＣＯＧ実装方式を採用することにより工数
等の削減を図ることができ、小形モジュールを安価に製
造することができる。

【０００５】図１６はこの種従来の液晶表示素子の要部
を模式的に示した平面図であって、該液晶表示素子は、
具体的には、液晶注入口５１を有する枠状のシール部５
２が第１のガラス板５３と第２のガラス板５４との間に
挟着され、前記液晶注入口５１から液晶５５が注入され
ると共に、該液晶注入口５１は紫外線硬化樹脂（以下、
「ＵＶ硬化樹脂」という）等の封止材で封止され、これ
により前記液晶５５は前記シール部５２により気密封着
されている。また、前記枠状のシール部５２の一辺の角
部近傍には上下導通部５６が設けられており、前記第１
及び第２のガラス基板５３、５４の夫々の表面に形成さ
れた透明導電膜間の導通が図られている。尚、前記シー
ル部５２は、エポキシ樹脂を主成分とするシール材を枠
状パターンにスクリーン印刷して作製されている。

【０００６】図１７は前記シール部５２の詳細を示す断
面図である。

【０００７】すなわち、シール部５２にはスペーサ５８
と導通粒子５９とが略均一に分散されて多数混入されて
おり、該スペーサ５８によりシール部５２の厚みが制御
されると共に、前記導電粒子５９による異方性導電法を
使用することによって第１及び第２のガラス基板５３の
表面に形成された透明導電膜間の導通が確保される。
尚、導通粒子５９は、透明導電膜間の導通を確保するた
めのものであるため上下導通部５６にのみ混入させるだ
けで足りるが、生産効率を考慮し、シール部５２の全域
に均一に添加することが広く行われている。

【０００８】ところで、今日の情報化社会においては多
くの情報を表示すべく液晶表示における表示パターンの
高精細化が要請されている。そして、そのためには駆動
ＩＣに接続される接続配線５７（図１６参照）の線幅を
細く形成する必要があり、特に前記駆動ＩＣの周辺では
接続配線５７の線幅は１００μｍ以下と極細に形成する
必要がある。

【０００９】しかしながら、前記接続配線５７を極細に
形成すると配線抵抗が高くなるため、透明導電膜のみで
接続配線５７を構成した場合は接続配線５７の電圧降下
が著しく、液晶表示に支障を来す結果となる。

【００１０】したがって、従来より、配線抵抗が小さく
導電性の優れた金属薄膜を透明導電膜に被着させ、接続
配線５７を透明導電膜と金属薄膜との２層構造にするこ
とが行われている。

【００１１】すなわち、上述の如く上記第１及び第２の
ガラス基板５３、５４の夫々の表面には透明導電膜、具
体的には酸化インジウムスズ（indium tin oxide：以
下、「ＩＴＯ」という）膜が積層されているが、液晶表
示部に対応する透明導電膜の表面には透明絶縁膜が積層
されている。そして、従来は透明絶縁膜をマスクとして
前記透明導電膜の表面に無電解ニッケル（Ｎｉ）−リン
（Ｐ）合金メッキ及び無電解金（Ａｕ）メッキを施すこ
とにより、ＩＴＯ膜上の所定部位に金属薄膜を被着さ
せ、これにより、金属薄膜の液晶表示部への付着を防止
すると共に所望の極細な接続配線５７を得ている。

【００１２】この無電解メッキでは、ＩＴＯ膜が形成さ
れている部分のみを選択してＮｉ−Ｐ合金が析出し、次
いでＮｉ−Ｐ合金上でのＰとの置換反応により、さらに
はＡｕイオンの自己触媒反応によってＡｕが析出し、こ
れにより液晶表示部にメッキ膜が付着することもなく所
望の高精細な接続配線５７を得ている。すなわち、従来
においては、透明導電膜としてのＩＴＯ膜上に金属が選
択的に析出して該ＩＴＯ膜上に金属薄膜が被着し、した
がってＩＴＯ膜が形成されていない部分には金属薄膜が
成膜されないため、金属薄膜形成のためのパターニング
を要することなく所望部位に金属薄膜からなる接続配線
５７を形成することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液晶表示素子では、上述したように透明絶縁膜をマ
スクとして無電解メッキを施しているため、透明絶縁膜
が塗布されていない上下導通部５６の透明導電膜上にも
メッキ膜、すなわち金属薄膜が被着することとなる。

【００１４】しかも、液晶セルは上述の如く「多面付
け」により連続した１回の作業工程で大量生産されるた
め、第１のガラス基板５３側のみならず第２のガラス基
板５４側の上下導通部５６にも金属薄膜が被着する。

【００１５】図１８は図１６のＸ−Ｘ断面図であり、図
１９は図１８のＹ−Ｙ断面図である。第１及び第２のガ
ラス基板５３、５４の表面には透明導電膜６０、６１が
形成されているが、該第１及び第２のガラス基板５３、
５４上の上下導通部５６には透明絶縁膜が形成されてい
ないため、上下導通部５６の透明導電膜６０、６１上に
もメッキ処理が施されて金属薄膜６２が形成される。

【００１６】したがって、同一の粒子径を有するスペー
サ５８を使用した場合、金属薄膜６２の膜厚をｔ′とす
ると、上下導通部５６では双方の金属薄膜６２の膜厚２
ｔ′分だけ上下導通部５６以外の部位よりシール部５２
の厚みが大きくなる。すなわちシール部５２の厚みにバ
ラツキが生じ、このため液晶層の厚さ分布が不均一とな
り、液晶表示をした場合に背景色に色ムラが生じるとい
う問題点があった。

【００１７】また、上記シール部５２は、上述の如くエ
ポキシ樹脂を主成分とするシール材を枠状パターンにス
クリーン印刷して形成しているため、シール部５２の上
面及び下面には樹脂薄膜６４が形成され、その結果該樹
脂薄膜６４が絶縁膜としての作用を呈し、導通不良が生
じるという問題点があった。すなわち、例えば、図２０
に示すように、第１のガラス基板５３の表面には透明導
電膜６１及び金属薄膜６３が積層されているが、シール
部５２の下面に樹脂薄膜６４が形成される。同様にシー
ル部５２の上面にも樹脂薄膜が形成される。このため、
該樹脂薄膜６４により透明導電膜６０、６１と導通粒子
５９との導通が阻害され、導通不良が生じる場合がある
という問題点があった。

【００１８】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、色ムラや導通不良が生じるのを回避して
信頼性向上を図ることができる液晶表示素子を提供する
ことを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】シール部に設けられた導
通部（上下導通部）は透明導電膜間の導通を確保するた
めのものであるため、該導通部での透明導電膜上の金属
薄膜は不要と考えられる。

【００２０】しかしながら、導通部には透明絶縁膜が塗
布されないため、メッキ処理を行った場合、該導通部の
透明導電膜上には金属薄膜が必然的に被着する。

【００２１】一方、液晶表示素子の生産面を考慮する
と、現状のように１枚の大判のガラス基板に「多面付
け」を行ない、効率良く生産する必要がある。

【００２２】したがって、現状の生産技術・作業効率等
を考慮すると金属薄膜が透明導電膜に被着することを前
提として液晶表示時の背景色の色ムラに対処するのが望
ましいと考えられる。

【００２３】そこで、本発明者は、導通部上の透明導電
膜に金属薄膜が被着することを前提としてコントラスト
の高いＳＴＮ（Super Twisted nematic:超ねじれネマテ
ィック）形液晶について鋭意研究を行った結果、色ムラ
が生じるのを極力抑制して均一な背景色を得るためには
液晶層の厚さ分布を０．１μｍ以下に抑制する必要があ
るという知見を得た。そして、斯かる液晶層の厚さ分布
を０．１μｍ以下に抑制するためには導通部に混入され
るスペーサ部材を、導通部以外のシール部内に混入され
る第２のスペーサ部材よりも所定値Ｘだけ小さく形成し
てシール部の厚みに均一性を持たせることが必要である
ことが判った。

【００２４】本発明はこのような知見に基づいてなされ
たものであって、本発明に係る液晶表示素子は、第１の
透明導電膜が表面に形成された第１の透明基板と、該第
１の透明基板と対向状に第２の透明導電膜が形成された
第２の透明基板と、前記第１の透明基板と前記第２の透
明基板との間に挟着された液晶と、該液晶を気密封着す
るシール部とを備え、前記第１の透明導電膜と前記第２
の透明導電膜とを電気的に連通する導通部が前記シール
部に設けられると共に、前記導通部を含む前記第１及び
第２の透明導電膜の夫々の所定表面に金属薄膜が被着さ
れ、該金属薄膜に接続された駆動回路により液晶表示の
制御を行う液晶表示素子において、前記シール部の厚さ
を制御するスペーサ部材が、略均一に分散されて前記シ
ール部に混入されると共に、前記導通部に混入された第
１のスペーサ部材は、前記導通部以外のシール部内に混
入された第２のスペーサ部材よりも所定値Ｘだけ小さく
形成されていることを特徴としている。

【００２５】上記構成によれば、導通部に混入されたス
ペーサ部材は、前記導通部以外のシール部内に混入され
たスペーサ部材よりも所定値Ｘだけ小さく形成されてい
るので、透明導電膜上に金属薄膜が被着されている場合
であっても導通部におけるシール部の厚みを小さくする
ことができ、液晶層の厚さ分布を略均一にすることが可
能となる。

【００２６】そして、本発明者は更に鋭意研究をした結
果、所定値Ｘは金属薄膜の膜厚ｔに依存する関係にある
という知見を得、具体的には所定値ＸをＸ＝｛（２ｔ＋
０．５）〜（２ｔ−０．６）｝μｍの範囲に設定するこ
とにより、前記シール部の厚みを略均一にすることがで
き、液晶表示時の背景色の色ムラが生じるのを解消する
ことができることが判った。

【００２７】そこで、本発明は、前記所定値Ｘは、Ｘ＝
｛（２ｔ＋０．５）〜（２ｔ−０．６）｝μｍ（ｔは前
記金属薄膜の膜厚）に設定されていることをも特徴とし
ている。

【００２８】また、〔発明が解決しようとする課題〕の
項で述べたように、シール部の上面及び下面に樹脂薄膜
が形成されて導通不良が生じることがあるが、この点に
ついても本発明者が鋭意研究した結果、樹脂薄膜の膜厚
を超えるような多数の突起部を金属薄膜に形成すること
により、導通不良の発生を回避することができるという
知見を得た。

【００２９】すなわち、本発明に係る液晶表示素子は、
導電部材が前記導通部に混入されると共に、多数の突起
部が前記金属薄膜に形成され、前記第１及び第２の透明
導電膜が前記導電部材及び前記金属薄膜を介して電気的
に連通されることを特徴としている。

【００３０】さらに、本発明者の研究結果から前記シー
ル部の上面及び下面に形成される樹脂薄膜の膜厚は０．
０４μｍ以下であることが判明した。したがって、前記
突起部のピーク高さは、少なくとも樹脂膜厚の膜厚より
も大きくする必要がある。一方、突起部のピーク高さが
過度に大きい場合はシール部の厚さ制御が困難となる。
また、突起部の１μｍ²当たりの個数、すなわち個数密
度が小さい場合は導電部材と突起部とが非接触状態とな
る一方、個数密度が大きい場合は隣接する突起部同士が
連なってしまう虞がある。すなわち、突起部のピーク高
さ及び個数密度には最適範囲があると考えられる。

【００３１】そこで、本発明者が種々の実験を行った結
果、突起部のピーク高さを０．０５〜０．５０μｍ、個
数密度を０．１〜０．５個／μｍ²に夫々設定すること
により、突起部と導電部材とが確実に接触して第１及び
第２の透明導電膜間の導通を確保することができること
が判明した。

【００３２】すなわち、本発明に係る液晶表示素子は、
前記突起部のピーク高さが０．０５〜０．５０μｍに設
定され、且つ前記突起部の個数密度が０．１〜０．５個
／μｍ²に設定されていることをも特徴としている。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳説する。

【００３４】図１は本発明に係る液晶表示素子の一実施
の形態を示す断面図である。

【００３５】同図において、１は低アルカリガラス等か
らなる矩形形状の第１のガラス基板１（第１の透明基
板）であって、該第１のガラス基板１の上面には所定形
状にパターニングされたＩＴＯからなる第１の透明導電
膜２が形成されると共に、該第１の透明導電膜２の表面
上であって液晶表示部に対応する箇所にはＳｉＯ₂−Ｔ
ｉＯ₂からなる第１の透明絶縁膜３が積層され、さらに
該第１の透明絶縁膜３の表面にはポリイミド等からなる
第１の配向膜４が積層されている。

【００３６】また、液晶表示部外方の該第１の透明導電
膜２上にはＮｉ、Ａｕ等からなる金属薄膜５が被着され
ると共に、金属薄膜５上には駆動ＩＣ６が装着され、さ
らに該駆動ＩＣ６は保護樹脂７により被覆されている。

【００３７】８は上記第１のガラス基板１と同様の材料
からなる第２のガラス基板（第２の透明基板）であっ
て、該第２のガラス基板８には前記第１のガラス基板１
と対向状にＩＴＯからなる第２の透明導電膜９が形成さ
れると共に、該第２の透明導電膜７の表面にはＳｉＯ₂
−ＴｉＯ₂からなる第２の透明絶縁膜１０が積層され、
さらに該第２の透明絶縁膜１０の表面にはポリイミド等
からなる第２の配向膜１１が積層されている。

【００３８】また、第１及び第２のガラス基板１、８の
間には枠状のシール部１２が挟着されると共に、該シー
ル部１２内部には液晶１３が注入され、該液晶１３はシ
ール部１１と第１及び第２の配向膜４、１０とで囲繞さ
れている。さらに、第１及び第２のガラス基板１、８の
背面側には夫々偏光板１４、１５が貼着されている。

【００３９】尚、本実施の形態では、第１の透明導電膜
２は、セグメント側表示電極部２ａと外部電極部２ｂと
を構成し、また、第２の透明導電膜２はコモン側表示電
極を構成している。

【００４０】図２は図１のＡ−Ａ矢視図である。

【００４１】すなわち、第１のガラス基板１の表面には
所定パターンにパターニングされた第１の透明導電膜２
により７個のセグメント表示電極部２ａが形成されてい
る。そして、該セグメント表示電極部２ａの表面には切
欠部１６を有する略矩形形状の透明絶縁膜３が積層され
ており、金属薄膜５は透明絶縁膜３をマスクとして前記
第１の透明導電膜２上に選択的に被着され、該金属薄膜
５により線幅１００μｍ以下の高精細な接続配線が形成
されている。

【００４２】そして、前記切欠部１６により切り欠かれ
た部位には第１の透明導電膜２と第２の透明導電膜９と
の間を導通させるための上下導通部１７が設けられてい
る。

【００４３】すなわち、シール部１２は、図３に示すよ
うに、導通シール部１８と該導通シール部１８以外のメ
インシール部１９とに区分され、導通シール部１８は第
１の透明導電膜２と第２の透明導電膜９とを電気的に連
通させて第１及び第２の透明導電膜２、９間を導通可能
としている。

【００４４】図４は上下導通部１７の近傍を示す平面図
である。

【００４５】すなわち、前記メインシール部１９の下方
には第１の透明絶縁膜３が形成され、さらに該第１の透
明絶縁膜３の下方にはセグメント側表示電極部２ａとし
ての第１の透明導電膜２が形成されている。また、前記
第１の透明絶縁膜３が形成されていない第１の透明導電
膜２上には金属被膜５が被着されている。

【００４６】一方、導通シール部１８側においては、第
２の透明導電膜９の下面と第１の透明導電膜２の上面に
は金属膜膜５が形成されており、導通シール部１８を挟
んで電気的に接続されている。

【００４７】図５は図４のＣ−Ｃ断面図であり、図６は
図４のＤ−Ｄ断面図である。

【００４８】すなわち、上述したように、第１の透明導
電膜２の上面及び第２の透明導電膜０の下面には金属薄
膜５が形成されており、導通シール部１８は該金属薄膜
５間に挟着されている。

【００４９】そして、図５に示すように、導通シール部
１８には金属薄膜５間での導通を取るためのＡｕからな
る導通粒子２０とシール部１２の厚さを制御するための
第１のスペーサ２１（第１のスペーサ部材）とが多数混
入されている。

【００５０】また、図６に示すように、メインシール部
１９には第１のスペーサ２１よりも粒子径の大きな第２
のスペーサ２２（第２のスペーサ部材）が略均一に分散
されて含有されている。すなわち、第１のスペーサ２１
の粒子径（以下、「第１のスペーサ径Ｄ１」という）が
第２のスペーサ２２の粒子径（以下、「第２のスペーサ
径Ｄ２」という）よりも所定値Ｘμｍだけ小さい粒子径
を有するような前記第１及び第２のスペーサ２１、２２
が夫々導通シール部１８及びメインシール部１９に略均
一に分散されて混入されている。

【００５１】そして、所定値Ｘは、具体的には、数式
（１）に示す範囲に設定されている。

【００５２】Ｘ＝｛（２ｔ＋０．５）〜（２ｔ−０．６）｝…（１）ここで、ｔは金属薄膜５の膜厚である。

【００５３】このように所定値Ｘの範囲を数式（１）の
ように設定したのは以下の理由である。

【００５４】すなわち、上述のように、上下導通部１６
においては、第１の透明導電膜２の上面及び第２の透明
導電膜９の下面に金属薄膜５が形成されているため、液
晶層の厚さ、すなわちシール部１２の厚さを均一にして
液晶表示に色ムラが生じるのを回避するためには第１の
スペーサ径Ｄ１を第２のスペーサ径Ｄ２よりも所定値Ｘ
だけ小さくする必要がある。

【００５５】しかしながら、シール部１２は第１及び第
２のガラス基板１、８を加熱圧着して貼合されるもの
の、所定値Ｘが（２ｔ＋０．５）を超えると加熱圧着し
ても導通シール部１７の厚みがメインシール部１９の厚
みよりも薄くなり、液晶層の厚さ分布を略均一するのが
困難となる。一方、所定値Ｘが（２ｔ−０．６）以下に
なった場合は逆にメインシール部１９の厚みが導通シー
ル部１７の厚みよりも薄くなり、この場合も液晶層の厚
さ分布を略均一に制御するのが困難となる。すなわち、
第１及び第２のスペーサ２１、２２を数式（１）に示す
範囲外のスペーサ径に設定すると液晶層の厚さ分布が
０．１μｍを超えて該厚さ分布の均一性を損ない、その
結果液晶表示した場合に背景色に色ムラが生じる。そこ
で、上述の如く、所定値Ｘを｛（２ｔ＋０．５）〜（２
ｔ−０．６）｝μｍ、好ましくは｛（２ｔ＋０．４）〜
（２ｔ−０．１）｝に設定した。

【００５６】また、本実施の形態では、図７に示すよう
に、金属薄膜５には、表面に多数の突起部２４が形成さ
れている。すなわち、〔発明が解決しようとする課題〕
の項でも述べたように、シール部１２はエポキシ樹脂を
主成分としているが、スクリーン印刷によりシール部１
２を形成するときにシール部１２の下面及び上面に樹脂
薄膜２３が形成される。したがって、導通シール部１８
の下面及び上面にも樹脂薄膜２３が形成されることとな
り、該樹脂薄膜２３が金属薄膜５と導通粒子２０との接
触を阻害する絶縁膜として作用し、導通不良を引き起こ
す虞がある。

【００５７】そこで、本実施の形態では金属薄膜５の表
面に多数の突起部２４を設けることにより金属薄膜５と
導通粒子２０との間で導通不良が生じるのを回避してい
る。具体的には、突起部２４はピーク高さＨ（所定高
さ）が０．０５〜０．５０μｍに設定され、突起部２４
の個数密度ρは０．１〜０．５０μｍに設定されてい
る。

【００５８】このように突起部２４のピーク高さＨと個
数密度ρを上述の数値に限定したのは以下の理由によ
る。

【００５９】（ａ）突起部２４のピーク高さＨ多数の突起部を設けることにより金属薄膜５と導通粒子
２０との間の導通を確保することができるが、樹脂膜厚
は０．０４μｍ程度あるため突起部２４のピーク高さＨ
が０．０５μｍ以下の場合は樹脂薄膜２３の膜厚の方が
大きくなる可能性があり、導通不良が生じるのを回避す
るという所期の目的を達成することができない虞があ
る。一方、突起部２４のピーク高さＨが０．５０μｍを
超えるとピーク高さＨが大きくなりすぎて第１のスペー
サ２０に基づいた液晶層の厚さ制御が困難となる。そこ
で、本実施の形態では突起部２４のピーク高さＨ（所定
高さ）を０．０５〜０．５０μｍに設定した。

【００６０】（ｂ）突起部２４の個数密度ρ 金属薄膜５と導通粒子２０との導通を確保するためには
突起部２４の個数密度も重要な要素となる。すなわち、
突起部２４の個数密度ρが０．１個／μｍ²以下の場合
は導通粒子２０が樹脂薄膜２３とのみ接触して金属薄膜
５と非接触状態となる箇所が生じ、導通不良を引き起こ
す虞がある。一方、突起部２４の広がりは１μｍ程度で
あるため、個数密度ρが０．５個／μｍ²を超えると隣
接する突起部２４同士が連なって突起状態を現出するこ
とができなくなる虞がある。そこで、本実施の形態では
突起部２４の個数密度ρを０．１〜０．５個／μｍ²に
設定した。

【００６１】次に、上記液晶表示素子の製造方法につい
て説明する。

【００６２】図８は本液晶表示素子の製造方法を示す全
体工程図であり、図９〜図１５は各工程の詳細を示す工
程図である。

【００６３】まず、図８の透明導電膜形成工程３０で
は、第１及び第２のガラス基板１、８の表面に所定パタ
ーンからなる第１及び第２の透明導電膜２、９を形成す
る。

【００６４】すなわち、図９に示すように、周知のスパ
ッタリング法等により一方の表面全域にＩＴＯ膜が成膜
された第１及び第２のガラス基板１、８を用意し（図
中、３０ａで示す）、続く洗浄工程３０ｂで洗浄操作を
行ない、ＩＴＯ膜の表面等に付着している汚れやゴミを
除去する。次いで、パターニング工程３０ｃでは周知の
フォトリソグラフィ技術を利用して所定パターンの第１
及び第２の透明導電膜２、９を作製する。すなわち、Ｉ
ＴＯ膜上にレジストパターンを形成した後、該レジスト
パターンをマスクとしてエッチング処理を施し、該エッ
チング処理を施した後、レジストを除去し、これにより
所定パターンにパターニングされた第１及び第２の透明
導電膜２、９を作製する。

【００６５】次いで、図８の透明絶縁膜形成工程３１で
は液晶表示部に対応する第１及び第２の透明導電膜９の
表面上に第１及び第２の透明絶縁膜３、１０を形成す
る。

【００６６】すなわち、図１０に示すように、まず、印
刷工程３１ａでは後述するメッキ工程３２で液晶表示素
子の表示部にメッキが付着しないような形状を有するフ
レキソ版を用意し、フレキソ印刷によりＳｉ−Ｔｉアル
コキシド液を第１及び第２の透明導電膜２、９の表面に
塗布する。尚、Ｓｉ−Ｔｉアルコキシド液はＳｉＯ₂及
びＴｉＯ₂換算でＳｉＯ₂：ＴｉＯ₂＝１：１となるよう
に成分調整し、また透明絶縁膜３、１０の膜厚が０．０
５〜０．０８μｍとなるようにフレキソ印刷の印刷条件
及びＳｉ−Ｔｉアルコキシド液の粘度を調整する。

【００６７】そして、続く乾燥工程３１ｂでは８０℃に
加熱されたホットプレート上で３〜５分間乾燥し、次い
で紫外線（ＵＶ）照射工程３１ｃでは高圧水銀ランプ等
の光源を利用して波長２５０ｎｍの紫外線を照射し、続
く焼成工程３１ｄでは３００℃で３０分間焼成処理を行
い、これによりＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂からなる透明絶縁膜
３、１０が第１及び第２の電極２、９の表面に積層され
る。

【００６８】次に、図８のメッキ工程３２では無電解メ
ッキにより前記第１及び第２のガラス基板１、８上に金
属薄膜５を形成する。

【００６９】すなわち、図１１に示すように、洗浄工程
３２ａでアルカリ性溶液を使用して脱脂を行なった後、
中和工程３２ｂで塩酸により中和させ、次いでキャタリ
スト処理工程３２ｃではキャタリストと呼称されるＳｎ
−Ｐｄ混合溶液に前記第１及び第２のガラス基板１、８
を浸漬した後、水洗し、続くアクセレレータ処理工程３
２ｄでは硫酸や塩酸等をアクセレレータ液として前記第
１及び第２のガラス基板１、８を前記アクセレレータ液
に浸漬し、メッキ金属の析出が容易となるように表面に
触媒金属核（Ｐｄ）を種づけする。そして、この後、無
電解Ｎｉ−Ｐメッキ工程３３ｅでは透明絶縁膜３、１０
をマスクとし、ホスフィン酸塩を還元剤に使用して無電
解Ｎｉ−Ｐ合金メッキを行ない、これにより、透明絶縁
膜３、１０が積層されていない透明導電膜２、９上に選
択的にＮｉ−Ｐ合金を析出させる。そして、続く無電解
Ａｕメッキ工程３２ｆでは奥野製薬（株）製ムデンゴー
ルドを使用し、Ｐとの置換反応によってＮｉ膜上にＡｕ
を析出させ、これにより表面に多数の突起部２４が形成
された金属薄膜５が第１及び第２の透明導電膜２、９上
に被着される。そして、最後に熱処理工程３３ｇではＮ
ｉの付着力を増加させるために２５０℃、３０分程度の
熱処理を施す。

【００７０】次に、図８の配向処理工程３３では液晶分
子を一定方向に配向させための第１及び第２の配向膜
４、１１を第１及び第２のガラス基板１、８上に塗布す
る。

【００７１】すなわち、図１２に示すように、まず、洗
浄工程３３ａでは金属薄膜５が第１及び第２の透明導電
膜２、９に被着した第１及び第２のガラス基板１、８に
所定の洗浄処理を施した後、フレキソ印刷によりポリイ
ミド系材料を第１及び第２のガラス基板１、８上に塗布
して第１及び第２の配向膜４、１１を積層し、続く焼成
工程３３ｃでは所定条件下で焼成処理を施し、次いでラ
ビング処理工程３３ｄでは、液晶分子の配向方向を一定
方向に揃えるために、配向膜４、１１の表面を回転金属
ローラに巻き付けたバフ布で一定方向に擦り、ラビング
処理を行なう。

【００７２】次に、図８のシール部形成工程３４では、
スクリーン印刷により液晶注入口を有するメインシール
部１９を第１のガラス基板１上に形成すると共に、導通
シール部１８を第２のガラス基板８上に形成し、両者を
組み合わせてシール部１２を作製する。

【００７３】すなわち、図１３に示すように、メインシ
ール部印刷工程３４ａでは略枠状のメインシール用スク
リーン版を用意し、ガラスファイバ製の第２のスペーサ
２２を略均一分布で含有したエポキシ樹脂を第１のガラ
ス基板１にスクリーン印刷し、次いで仮焼成工程３４ｂ
で仮焼成処理を施し、メインシール部１９を作製する。
そしてこの後、ギャップ材散布工程３４ｃでは液晶層の
厚さを制御するためのプラスチック製ギャップ材をメイ
ンシール部３４ａの内部に散布する。

【００７４】一方、導通シール部印刷工程３４ｄでは線
状の導通シール用スクリーン版を用意し、該第２のスペ
ーサ径Ｄ２よりも所定値Ｘだけ小さい第１のスペーサ径
Ｄ１を有する第１のスペーサ２１とＡｕからなる導通粒
子２０とを含有したエポキシ樹脂を第２のガラス基板８
にスクリーン印刷し、次いで、仮焼成工程３４ｅで仮焼
成処理を施し、導通シール部１８を作製する。そして、
この後、基板貼合せ工程３４ｆではメインシール部１９
と導通シール部１８とが面一となって組み合わさるよう
に第１のガラス基板１と第２のガラス基板８とを貼り合
わせる。

【００７５】次に、図８の液晶注入・分断工程３５で
は、シール部１２内部に液晶を注入し、その後多面取り
しているガラス基板１、８を個々の液晶セルに分断す
る。

【００７６】すなわち、図１４に示すように、まず加熱
圧着工程３５ａでは上述の如く貼り合わされた第１及び
第２のガラス基板１、８に対し、所定温度に加熱された
加熱プレスで加熱圧着（本焼成）した後、続く、スクラ
イブ工程３５ｂでは液晶注入口から容易に液晶が注入可
能となるようにガラススクライバで短冊状にクラックラ
インを入れ、次いで、一次ブレーキング工程３５ｃでは
クラックラインに沿って短冊状に分断する。そして、液
晶注入工程３５ｄでは真空注入法で液晶注入口から液晶
材料を注入し、その後該液晶注入口をＵＶ硬化樹脂等の
封止材で封止する。次いで、外観検査工程３５ｅでは異
物混入や分断不良の有無等所定の外観検査を行ない、続
く二次ブレーキング工程３５ｆで前記一次ブレーキング
工程３５ｃにおけるクラックラインと直交する方向にガ
ラス基板１、８を分断し、多数の液晶セルを得る。

【００７７】次に、図８の偏光板貼付・駆動ＩＣ実装工
程３６では、第１及び第２のガラス基板１、８の背面側
に偏光板１４、１５を貼り付け、ＣＯＧ実装により駆動
ＩＣ６を第１のガラス基板１上に実装する。

【００７８】すなわち、図１５に示すように、洗浄工程
３６ａでは液晶セルの基板面や電極端子面等に付着して
いるゴミ、汚れ等を所定の洗浄液を使用して洗浄・除去
し、次いで、偏光板貼付工程３６ｂでは圧力ローラ貼付
装置によりＰＶＡやヨウ素を含有した偏光板を第１及び
第２のガラス基板１、８の背面に貼付け、次いで駆動Ｉ
Ｃ圧着工程３６ｃで駆動ＩＣ６が金属薄膜５と電気的に
接続される所定位置に圧着して実装し、次いで、保護樹
脂塗布工程３６ｄではシリコン樹脂等の保護樹脂を駆動
ＩＣ６の外周に塗布して該駆動ＩＣ６を被覆する。そし
て、最後に表示検査工程３６ｅでは電圧を印加して液晶
の表示検査を行ない、これにより液晶表示素子が製造さ
れる。

【００７９】このように本実施の形態によれば、シール
部１２をメインシール部１９と導通シール部１８とに区
分して別々に製造すると共に、導通シール部１８に混入
される第１のスペーサ２１のスペーサ径（第１のスペー
サ径Ｄ１）をメインシール部１９に混入される第２のス
ペーサ２２のスペーサ径（第２のスペーサ径Ｄ２）より
も所定値Ｘだけ小さく形成しているので、シール部１２
全体の厚みを均一化することが可能となり、したがって
液晶層の厚さ分布の均一性を確保することができ、液晶
表示時における背景色の色ムラを回避することができ
る。また、金属薄膜５の表面に所定高さＨ及び所定の個
数密度ρを有する多数の突起部を形成することにより、
第１及び第２の透明導電膜２、９間は導通が確実に確保
され、導通不良が生じるのを回避することができる。そ
して、これにより、信頼性の向上した液晶表示素子を得
ることができる。

【００８０】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではない。例えば、上記実施の形態では第１のガラ
ス基板１上にメインシール部１９を形成し、第２のガラ
ス基板８上に導通シール部１８を形成しているが、第１
のガラス基板１上に導通シール部１８を形成し、第２の
ガラス基板８上にメインシール部１９を形成してもよい
のはいうまでもない。

【００８１】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００８２】〔第１の実施例〕本発明者は、第２のスペ
ーサ径Ｄ２を同一径とし、第１のスペーサ径Ｄ１のみが
異なる１０種類の液晶セルを各５００個宛試験片として
作製し、表示試験を行なって第１のスペーサ径Ｄ１と第
２のスペーサ径Ｄ２との差分が液晶表示に及ぼす影響を
実験した。

【００８３】すなわち、まず、縦３００ｍｍ、横３１５
ｍｍ、板厚１．１ｍｍからなる２枚のガラス基板（第１
及び第２のガラス基板１、８）を総計で５０００個の液
晶が得られる枚数分用意した。

【００８４】そして、スパッタリング法で第１及び第２
のガラス基板１、８の表面にＩＴＯ膜を成膜した後、
〔発明の実施の形態〕で述べたような周知のフォトリソ
グラフィ技術を利用して膜厚が０．０３μｍの所定パタ
ーンの透明導電膜２、９を前記第１及び第２のガラス基
板１、８上に形成した。

【００８５】次いで、液晶表示素子の表示部にメッキが
付着しないような形状を有するフレキソ版を用意し、フ
レキソ印刷によりＳｉ−Ｔｉアルコキシド液を第１及び
第２の透明導電膜２、９の表面に塗布した。尚、Ｓｉ−
Ｔｉアルコキシド液はＳｉＯ ₂及びＴｉＯ₂換算でＳｉＯ
₂：ＴｉＯ₂＝１：１となるように成分調整し、また透明
絶縁膜３、１０の膜厚が０．０６μｍとなるようにフレ
キソ印刷の印列条件及びＳｉ−Ｔｉアルコキシド液の粘
度を調整した。

【００８６】次いで、第１及び第２のガラス基板１、８
を８０℃に加熱されたホットプレート上で３〜５分間乾
燥し、この後、高圧水銀ランプにより波長２５０ｎｍの
紫外線を照射し、次いで３００℃で３０分間焼成処理を
行い、これにより液晶表示に使用される第１及び第２の
透明導電膜２、９の表面に膜厚０．０６μｍのＳｉＯ ₂
−ＴｉＯ₂からなる透明絶縁膜３、１０を積層した。

【００８７】次に、このように透明絶縁膜３、１０が積
層された第１及び第２のガラス基板１、８を洗浄液で洗
浄して脱脂処理等を施した。ここで、洗浄液としては、
アルカリ性クリーナ剤（上村工業（株）製Ｃ−４００
０）を５０ｇ／ｌ含有したアルカリ水溶液を使用した。
次に、塩酸１００ｍｌ／ｌを含有した塩酸水溶液を使用
して中和処理を行った後、前記第１及び第２のガラス基
板１、８をＳｎ−Ｐｄ混合溶液（キャタリスト液）に１
〜３分間浸漬した。キャタリスト液としては上村工業
（株）製ＳＫＮ−２００を１００ｍｌ／ｌ含有した水溶
液を使用した。そして、このようなキャタリスト処理が
終了した後、前記第１及第２のガラス基板１、８を水洗
し、次いで、アクセレレータ液に浸漬し、メッキ金属の
析出が容易となるように表面に触媒金属核（Ｐｄ）を種
づけした。尚、アクセレレータ液としては上村工業製Ａ
Ｌ−１０６を１００ｍｌ／ｌ含有した水溶液を使用し
た。次いで、透明絶縁膜３、１０をマスクとし、ホスフ
ィン酸塩を還元剤に使用して無電解Ｎｉ−Ｐメッキを行
ない、透明絶縁膜３、１０が積層されていない透明導電
膜２、９上に選択的にＮｉ−Ｐ合金を析出させた。ここ
で、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴としては上村工業製ＮＰＲ
４を使用した。そしてこの後、奥野製薬（株）製ムデン
ゴールドを無電解金メッキ浴に使用して無電解金メッキ
を施し、Ｐとの置換反応によりＮｉ膜上にＡｕを析出さ
せ、多数の突起部２４を有する金属薄膜５を透明導電膜
２、９に被着させた。次いで、温度２５０℃の条件で３
０分間熱処理を施してＮｉの付着力を強化した。尚、突
起部２４のピーク高さＨ及び個数密度ρを電子顕微鏡で
計測したところ、ピーク高さＨは０．１７μｍ、個数密
度は０．１８個／μｍ²であった。

【００８８】次に、金属薄膜５が形成された第１及び第
２のガラス基板１、８に対し超音波洗浄を施し、ポリイ
ミド系材料をフレキソ印刷により第１及び第２のガラス
基板１、８上に塗布した後、３００℃で３０分間焼成処
理を施し、次いで液晶分子の配向方向を一定方向に揃え
るために塗布面の回転金属ローラに巻き付けたバフ布で
一定方向に擦ってラビング処理を行ない、膜厚が０．０
７μｍの第１及び第２の配向膜４、１１を形成した。

【００８９】次いで、第２のスペーサ２２を略均一分布
で含有したエポキシ樹脂を第１のガラス基板１にスクリ
ーン印刷し、次いで温度８０℃で３０分間仮焼成を施し
て略枠状のメインシール部１９を作製する。そしてこの
後、液晶層の厚さを制御するためにギャップ材をメイン
シール部３４ａの内部に散布した。尚、第２のスペーサ
２２としては、第２のスペーサ径Ｄ２が６．３μｍのガ
ラスファイバ製スペーサを使用し、ギャップ材として
は、液晶層の厚さが６μｍとなるように粒子径が６μｍ
のプラスチック製ギャップ材を使用した。

【００９０】一方、スペーサ径が第２のスペーサ径Ｄ２
よりも所定値Ｘだけ小さい第１のスペーサ２１とＡｕか
らなる導通粒子２０を含有したエポキシ樹脂を第２のガ
ラス基板８にスクリーン印刷し、次いで、仮焼成工程３
４ｅで温度８０℃で３０分間仮焼成を施して線状の導通
シール部１８を作製した。ここで、第１のスペーサ径Ｄ
１としては、４．８〜６．３μｍの間のものを使用し
た。また、導通粒子２０としては粒子径がＤ１より０．
７μｍ大きい粒径のものを使用し、導通シール部１８に
１重量％添加した。

【００９１】そして、この後、メインシール部１９と導
通シール部１８とが面一となって組み合わさるように第
１のガラス基板１と第２のガラス基板８とを貼り合わせ
た。

【００９２】次に、互いに貼り合わされた第１及び第２
のガラス基板１、８を温度１８０℃に加熱した加熱プレ
スで加熱圧着させて本焼成を行ない、次いで液晶注入が
容易となるように第１及び第２のガラス基板１、８に対
し、ガラススクライバでクラックラインを短冊状に入
れ、次に、クラックラインに沿って第１及び第２のガラ
ス基板を一体として短冊状に分断し、一次ブレーキング
を行った。そして、エステル系のＳＴＮ形液晶材料を真
空注入法で液晶注入口からシール部１２内部に注入し、
その後ディスペンサを使用して該液晶注入口をＵＶ硬化
樹脂等の封止材で封止した。

【００９３】次いで、異物混入や分断不良の有無等の外
観検査を行ない、この後、前記一次ブレーキングにおけ
るクラックラインとは直交する方向に二次ブレーキング
を行ってガラス基板１、８を分断し、大判のガラス基板
（縦３００ｍｍ、横３１５ｍｍ、板厚１．１ｍｍ）から
多数の液晶セルを製造した。

【００９４】このようにして本第１の実施例では、第１
のスペーサ径Ｄ１のみが異なる１０種類の液晶セルを各
５００個宛作製した。

【００９５】表示試験は、周波数１０２４Ｈｚ、電圧
１．５Ｖの矩形波を各々液晶セルに印加し、液晶表示の
背景色に色ムラが生じるか否かを目視し、液晶セルの信
頼性を評価した。

【００９６】表１は実験結果を示す。

【００９７】

【表１】

【００９８】ここで、金属薄膜はメッキ条件を変えるこ
とにより、膜厚ｔが０．４４μｍと０．６４μｍの２種
類を作製した。尚、膜厚ｔが０．４４μｍの金属薄膜５
の場合はＮｉ層の膜厚は０．４μｍ、Ａｕ層の膜厚は
０．０４μｍに夫々形成し、膜厚ｔが０．６４μｍの金
属薄膜５の場合はＮｉ層の膜厚は０．６μｍ、Ａｕ層の
膜厚は０．０４μｍに夫々形成した。

【００９９】比較例５１は背景色に色ムラの生じる不良
率ηが１．８％と高い。これは比較例５１では第１のス
ペーサ径Ｄ１が小さすぎるため、メインシール部１９の
厚みの方が導通シール部１８の厚みに比べて大きなり、
その結果背景色に色ムラが生じる確率が高くなったため
と思われる。

【０１００】また、比較例５２〜５４は第２のスペーサ
径Ｄ２と第１のスペーサ径Ｄ１との差分が少なすぎるた
め、金属薄膜５の膜厚ｔを加味すると導通シール部１８
の厚みの方がメインシール部１９の厚みに比べて大きく
なり、その結果背景色に色ムラが生じ、不良率が２％以
上となって歩留りの低下を招いたものと思われる。

【０１０１】これに対して、実施例１〜４は所定値Ｘ
（＝Ｄ２−Ｄ１）が１．０〜０．４μｍの範囲にあり、
また、実施例５、６は所定値Ｘ（＝Ｄ２−Ｄ１）が夫々
１．２μｍ、０．８μｍであり、不良率ηはいずれも１
％以下となって歩留りの低下を極力回避することができ
ることが判る。

【０１０２】すなわち、［発明の実施の形態］の項で述
べたように、液晶層の厚みに均一性を保たせるために
は、所定値Ｘを｛（２ｔ＋０．５）〜（２ｔ−０．
６）｝μｍに設定する必要がある。そして、そのために
は、金属薄膜５の膜厚ｔが０．４４μｍの場合は所定値
Ｘ（＝Ｄ２−Ｄ１）が１．３８〜０．２８の範囲にある
必要があり、金属薄膜５の膜厚ｔが０．６４μｍの場合
は所定値Ｘ（＝Ｄ２−Ｄ１）が１．７８〜０．６８の範
囲である必要にある。しかるに、実施例１〜６は所定値
Ｘがいずれもこれらの設定範囲に入っており、不良率η
を１％以下に抑制することができたものと思われる。特
に、所定値Ｘが０．８〜１．２にある実施例１、２及び
７の場合は不良品が生じず、優れた結果が得られること
が確認された。

【０１０３】〔第２の実施例〕次に、本発明者は、メッ
キ条件を変えることにより、異なるピーク高さＨ及び個
数密度ρの金属薄膜５を有する１２種類の液晶セルを各
５００個宛作製し、表示試験を行なってピーク高さＨ及
び個数密度ρの液晶表示に及ぼす影響を実験した。

【０１０４】すなわち、第１の実施例と同様の方法で大
判のガラス基板から試験片としての多数の液晶セルを作
製した。

【０１０５】ここで、シール部１２に混入するスペーサ
径としては第１のスペーサ径Ｄ１が５．５μｍ、第２の
スペーサ径Ｄ２が６．３μｍのものを使用した。

【０１０６】表示試験は、第１の実施例と同様、周波数
１０２４Ｈｚ、電圧１．５Ｖの矩形波を各々液晶セルに
印加し、液晶表示の背景色に色ムラが生じるか否かを目
視し、液晶セルの信頼性を評価した。表２は実験結果を
示す。

【０１０７】

【表２】

【０１０８】比較例６１は突起部２４を形成しなかった
場合であり、不良率ηが２．４％と高かった。これは
〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたよう
に、樹脂薄膜２３が絶縁膜としての作用を果たす確率が
高くなるためと思われる。

【０１０９】また、比較例６２は突起部２４が形成され
ているものの、ピーク高さＨ及び個数密度ρが共に小さ
すぎるため、金属薄膜５と導通粒子２０との間で導通不
良を起こす場合が生じ、不良率ηが高くなるものと思わ
れる。

【０１１０】比較例６３及び比較例６４は突起部２４の
個数密度ρは０．１６〜０．２４個／μｍ²と本発明の
範囲内にあるものの、ピーク高さＨが小さすぎるため樹
脂薄膜２３が絶縁膜としての作用を果たし、このため所
望の導通を取ることができない場合があり、不良率ηは
いずれも１％を超えている。

【０１１１】比較例６５〜比較例６７はピーク高さにつ
いては０．０８〜０．１７μｍと本発明の範囲内にある
ものの、個数密度ρが０．１個／μｍ²以下と小さすぎ
るため導通粒子２０が突起部２４と接触せずに樹脂薄膜
２３にのみ接触し、このため不良率ηの発生が多くなる
ものと思われる。

【０１１２】これに対して実施例１１〜実施例１５は、
突起部２４のピーク高さＨが０．０５〜０．５０μｍ、
突起部２４の個数密度ρが０．１〜０．５個／μｍ²の
範囲にあり、いずれも不良率が０．５％以下の良好な結
果を得ることができることが確認された。

【０１１３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る液晶表
示素子は、第１の透明導電膜が表面に形成された第１の
透明基板と、該第１の透明基板と対向状に第２の透明導
電膜が形成された第２の透明基板と、前記第１の透明基
板と前記第２の透明基板との間に挟着された液晶と、該
液晶を気密封着するシール部とを備え、前記第１の透明
導電膜と前記第２の透明導電膜とを電気的に連通する導
通部が前記シール部に設けられると共に、前記導通部を
含む前記第１及び第２の透明導電膜の夫々の所定表面に
金属薄膜が被着され、該金属薄膜に接続された駆動回路
により液晶表示の制御を行う液晶表示素子において、前
記シール部の厚さを制御するスペーサ部材が、略均一に
分散されて前記シール部に混入されると共に、前記導通
部に混入された第１のスペーサ部材は、前記導通部以外
のシール部内に混入された第２のスペーサ部材よりも所
定値Ｘだけ小さく形成されているので、透明導電膜上に
金属薄膜が被着されている場合であっても導通部におけ
るシール部の厚みを小さくすることができ、したがっ
て、液晶層の厚さ分布を略均一にすることが可能とな
り、背景色に色ムラが生じるのを回避することができ
る。

【０１１４】また、前記所定値Ｘは、Ｘ＝｛（２ｔ＋
０．５）〜（２ｔ−０．６）｝μｍ（ｔは前記金属薄膜
の膜厚）に設定されることにより、背景色に色ムラが生
じるのを確実に回避することができ、液晶表示素子の信
頼性向上を図ることができる。

【０１１５】また、本発明は、導電部材が前記導通部に
混入されると共に、多数の突起部が前記金属薄膜に形成
され、前記第１及び第２の透明導電膜が前記導電部材及
び前記金属薄膜を介して電気的に連通されているので、
シール部の上面及び下面に樹脂薄膜が形成された場合で
あっても導電部材は突起部との間で導通を確保すること
が可能となり、導通部で導通不良が生じるのを回避する
ことが可能となる。

【０１１６】また、前記突起部のピーク高さは０．０５
〜０．５０μｍに設定され、且つ前記突起部の個数密度
は０．１〜０．５個／μｍ²に設定されることにより、
導通粒子と金属薄膜との間の導通不良を確実に回避する
ことができ、液晶表示素子の信頼性向上を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示素子の一実施の形態を示
す断面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。

【図３】シール部の平面図である。

【図４】上下導通部の近傍を示す平面図である。

【図５】図４のＣ−Ｃ断面図である。

【図６】図４のＤ−Ｄ断面図である。

【図７】図５のＥ部拡大断面図である。

【図８】上記液晶表示素子の製造方法を示す全体工程図
である。

【図９】透明導電膜形成工程の工程図である。

【図１０】透明絶縁膜形成工程の工程図である。

【図１１】メッキ工程の工程図である。

【図１２】配向処理工程の工程図である。

【図１３】シール部形成工程の工程図である。

【図１４】液晶注入・分断工程の工程図である。

【図１５】偏光板貼付・駆動ＩＣ実装工程図である。

【図１６】従来の液晶表示素子を模式的に示した平面図
である。

【図１７】従来のシール部の要部断面図である。

【図１８】図１６のＸ−Ｘ断面図である。

【図１９】図１８のＹ−Ｙ断面図である。

【図２０】従来の上下導通部の要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１第１のガラス基板（第１の透明基板）２第１の透明導電膜５金属薄膜８第２のガラス基板（第２の透明基板）９第２の透明導電膜１２シール部１３液晶１８導通部（導通シール部）２１第１のスペーサ（第１のスペーサ部材）２２第２のスペーサ（第２のスペーサ部材）２４突起部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の透明導電膜が表面に形成された第
１の透明基板と、該第１の透明基板と対向状に第２の透
明導電膜が形成された第２の透明基板と、前記第１の透
明基板と前記第２の透明基板との間に挟着された液晶
と、該液晶を気密封着するシール部とを備え、前記第１
の透明導電膜と前記第２の透明導電膜とを電気的に連通
する導通部が前記シール部に設けられると共に、前記導
通部を含む前記第１及び第２の透明導電膜の夫々の所定
表面に金属薄膜が被着され、該金属薄膜に接続された駆
動回路により液晶表示の制御を行う液晶表示素子におい
て、前記シール部の厚さを制御するスペーサ部材が、略均一
に分散されて前記シール部に混入されると共に、前記導通部に混入された第１のスペーサ部材は、前記導
通部以外のシール部内に混入された第２のスペーサ部材
よりも所定値Ｘだけ小さく形成されていることを特徴と
する液晶表示素子。
【請求項２】前記所定値Ｘは、Ｘ＝｛（２ｔ＋０．５）〜（２ｔ−０．６）｝μｍ（ｔは前記金属薄膜の膜厚）に設定されていることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】導電部材が前記導通部に混入されると共
に、多数の突起部が前記金属薄膜に形成され、前記第１
及び第２の透明導電膜が前記導電部材及び前記金属薄膜
の前記突起部を介して電気的に連通されることを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の液晶表示素子。
【請求項４】前記突起部のピーク高さが０．０５〜
０．５０μｍに設定され、且つ前記突起部の個数密度が
０．１〜０．５個／μｍ²に設定されていることを特徴
とする請求項３記載の液晶表示素子。