JPH0434418A - 液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明１表　液晶パネルに関するものである。

従来の技術 従来より、液晶パネル上の金属膜配線パターンとして（
よ　表示部分では透明性が必要なた嵌　酸化インジウム
（Ｉ　ｎ２０ａ）が用いられている力士酸化インジウム
の固有抵抗は比較的高いた敦　特に配線パターンの電気
抵抗を下げる必要のある箇所、例えば液晶駆動用のＩＣ
チップに電源や信号を供給するための配線パターン等に
（よ　より固有抵抗の低い第２の金属膜を用いて配線パ
ターンを形成する力＼　酸化インジウム上に第２の金属
膜をオーバーコートして配線パターンの抵抗を低減する
という方法がとられていｔ島 近鍛　液晶パネルの大形化および液晶駆動周波数の向上
にともなって配線パターンの低抵抗化が強く望まれてい
た また　駆動ＩＣの実装法にフリップチップ法を用いると
共に　その接続方法として導電性接着剋異方導電性樹脂
を用いる方法あるいは直接ＩＣチップ上の金属突起を液
晶パネル上のパターンに圧接してしまう方法等が実用化
されてきており、それらの実装法に適当な材質を液晶基
板上のパターンに用いる必要が生じてきている。

以下に従来の液晶パネルについて図面を参照しながら説
明する。

第３図においてガラス基板１上に金属薄膜によって配線
パターンが形成され　上側ガラス基板１１との間に液晶
を封入し表示部を構成している。

液晶を駆動するためのＩＣチップ５はフェイスダウンに
てガラス基板上に実装されている（Ｃｈｉｐ　　Ｏｎ　
　Ｇｒａｓｓ　　以下ＣＯＯ法と記載）。

ＩＣチップ５に電気信号　電源等を供給する配線は　図
中でパスライン９と示した部分である。　ＩＣチップ５
からの出力信号は出力側配線パターン１０を通じて液晶
に供給されている。

大形の液晶パネルにおいてはＩＣチップ５が数十個実装
される場合もあり、均一な液晶駆動を行うためにはパス
ライン９の面積抵抗をできるだけ小さいものとし液晶パ
ネル全体のＩＣチップ５の動作を均一なものとしなけれ
ばならなｔ、〜また　液晶駆動周波数の向上にともなっ
てＩＣチップ５の動作も高速なものとなりパスライン９
の抵抗が大きい場合にはＩＣチップ５が正常に動作しな
い場合もある。特にカラー液晶パネルにおいてはモノク
ロ液晶パネルと比較して駆動周波数が高いものであるた
め深刻な問題となっている。

従来の液晶パネルにおいてはパスラインの低抵抗化のた
めに　酸化インジウムにて形成したパスライン９上に無
電解メッキ法を用いてニッケルおよび金の薄膜を形成し
ていた 第４図に従来の液晶基板にＩＣチップを実装した例を示
す。ガラス基板ｌ上に酸化インジウムを用いてパスライ
ン９および出力側配線パターン１０を形成し　その上に
無電解メッキ法によるニッケル薄膜３、金薄膜４が形成
されている。液晶表示部分は透明でなければならないの
で、適当なマスキングを用いて出力側配線パターン１０
には電極部分のみメッキされる。　ＩＣチップ５は導電
性接着剤８によって金薄膜４に接続されている。

金薄膜４の表面は安定なものであるので導電性接着剤８
による接続は良好なものである。接続に異方導電性樹脂
あるいは圧接法を用いたとしても良好な接続を得ること
ができる。

ところで、無電解メッキ法によって得られる薄膜の膜厚
は比較的薄くパスライン９の抵抗を十分に下げられるも
のではなしも　抵抗を下げるために金属膜の膜厚を厚い
ものとしようとするとメッキに要する時肌　工数が増大
して液晶パネルの製造コストの面から考えてとても採用
できるものではなｔ、Ｘ。

発明者の実験によれば画面サイズ２０インチ程度の液晶
パネル（駆動ＩＣチップ数４０個）においてはＩＣチッ
プ間のパスラインの抵抗を１ライン当り２〜３Ωにする
必要があっ八　第５図にて説明すると左右のＩＣチップ
５間のパスライン９の抵抗を電源関係の配線においては
１本あたり少なくとも３Ω以下にしなければ液晶表示の
品質が確保できなかった　パスラインの幅が２００μｍ
で左右のＩＣチップ５の間隔が１０ｍｍとすると、無電
解メッキ法によって形成したパスラインの抵抗は面積抵
抗にして１Ω程度であるのでパスライン９の１本あたり
の抵抗は左右のＩＣチップ５の間で５０Ωにもなってし
まう。前述の抵抗値を満足するにはパスラインのライン
幅をかなり太いものにせねばならずパスラインを配設す
るに必要な面積が非常に大きいものとなってＣＯＯ法を
用いてＩＣチップをガラス基板上に実装する意味がなく
なってしまう。

発明が解決しようとする課題 従来の液晶パネルにおいては酸化インジウムによって形
成したパスラインを、無電解メ・ツキ法にて析出させた
ニッケノｋ　金薄膜でオーバーコートしているためパス
ラインの抵抗を十分に下げることができず大形の液晶パ
ネルあるいは高い駆動周波数を用いた液晶パネルをＣＯ
Ｏ法にて製造するのが困難であり九 本発明は無電解メッキ法にて形成した金属膜層上にさら
に電解メッキ法を用いて金属膜層を析出させることによ
り金属膜層の膜厚を十分厚いものとすることができ、低
い面積抵抗値のパスラインを形成Ｌ　　ＣＯＯ法によっ
て大型あるいは高速で駆動できる液晶パネルを実現する
ことを目的としていも 課題を解決するための手段 上記目的を達成するために　本発明の液晶パネルにおい
ては　酸化インジウム膜にて配設した配線パターン上に
無電解メッキ法にて金属膜層を形成し　さらに電解メッ
キ法を用いて金属膜層を析出させたものである。

作用 上記のように構成された液晶パネルにおいては酸化イン
ジウムにて形成した配線パターン上に十分な膜厚の金属
膜層をメッキ法を用いることによって形成することが可
能で、液晶パネル上の配線パターンを大幅に低抵抗化す
ることができるものである。

実施例 以下本発明の液晶パネルにおける実施例において図面を
参照して説明する。

第１図に示すように酸化インジウム膜２を用いてパスラ
イン９を形成した後、無電解メッキ法を用いてパスライ
ン９上にニッケル薄膜３を析出させも　このニッケル薄
膜３は比較的固有抵抗の高いものであるためパスライン
９の面積抵抗を低減するについてはさほど寄与するもの
ではなＬ％さらに　同じく無電解メッキ法を用いて金薄
膜Ａ４を析出させる。金薄膜Ａ４の膜厚は無電解メッキ
法に使用するメッキ液の能力およびメッキに要するコス
トなどから制限をう１す、通常０．１μｍ程度が限界と
なっている。本実施例で（よ　金薄膜Ａ４上にさらに電
解メッキ法を用いて金薄膜Ｂ５を１μｍ程度の膜厚にて
形成し）くスラインの面積抵抗を非常に低いものとして
いる。その際に下地として酸化インジウム膜２上に二・
ンケル薄膜３および金薄膜Ａ４が形成されているため電
解メッキに必要な電流をパスライン９に流すことが可能
であり、金薄膜Ｂ５の密着強度も充分得られるものであ
ａ　な抵　上記無電解メッキ膜が形成されていない状態
で、酸化インジウム膜２上に直接金薄膜Ｂ５を電解メッ
キ法にて形成することは酸化インジウム膜２の電流印加
による断線等の問題から不可能である。

金薄膜の表面は非常に安定なものであるため導電性接着
剤８を用いてＩＣチップ６をＣＯＧ実装するにおいても
全く問題の無いものである。液晶パネル１上の表示部分
などニツケノｋ　金薄膜を析出させたくない部分につい
ては粘着テープあるいは樹脂等を用いて容易にマスキン
グが可能であムまた　第２図に示すように金薄膜Ａ４を
形成すること無しにニッケル薄膜３上に直接金薄膜Ｂ５
を電解メッキ法を用いて形成する構成としても同様の効
果が得られることは勿論である。

本実施例ではＩＣチップ５の接続法として導電性接着剤
を用いた構成で示した力（前述した圧接法や異方導電性
膜あるいは精密な半田付けを用いたフリップチップ法等
による接続に関しても適用出来るものである。

発明の効果 本発明は以上説明したように構成されているので以下に
記載されるような効果を奏する。

本発明の液晶パネルにおいては酸化インジウムにて形成
した配線パターン上に十分な膜厚の金属膜層を形成する
ことが可能で、液晶パネル上に低抵抗なパスラインを配
設することが可能となり大急　高駆動周波数の液晶パネ
ルにおいてもＩＣチップをＣＯＧ実装することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１皿　第２図は本発明の液晶パネルの一実施例の要部
断面医　第３図は液晶パネルの外観斜視阻　第４図は従
来の液晶パネルの断面医　第５図はＣＯＧ実装された配
線パターンを示す平面図である。 ■・・・液晶バネ瓜　２・・・酸化インジウム脱　３・
・・ニッケル薄Ａ　４・・・金薄膜Ａ、　５・・・金薄
膜Ｂ、　６・・・ＩＣチップ、　７・・・突起電梃　８
・・・導電性接着剋９・・・パスライン、　１０・・・
出力側配線パターン、　１１・・・上側ガラス基板、　
１２・・・フレキシブル基乱代理人の氏名　弁理士　粟
野重孝　はか１名第 図 ｎ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス基板上に金属膜導体により配線パターンお
   よび電極部を形成し、前記電極部上にＩＣチップを実装
   した液晶パネルにおいて、前記配線パターンを酸化イン
   ジウム膜層および無電解メッキ法によって析出させた金
   属膜層および電解メッキ法によって析出させた金属膜層
   の３種の金属膜層によって構成したことを特徴とする液
   晶パネル。
2. （２）配線パターンの抵抗値が単位面積あたり０．１Ω
   以下であることを特徴とする請求項（１）記載の液晶パ
   ネル。
3. （３）無電解メッキ法によって析出させた金属膜層がニ
   ッケル薄膜で構成され、電解メッキ法によって析出させ
   た金属膜層が金薄膜で構成されていることを特徴とする
   請求項（２）記載の液晶パネル。
4. （４）無電解メッキ法によって析出させた金属膜層がニ
   ッケル薄膜および金薄膜で構成され、電解メッキ法によ
   って析出させた金属膜層が金薄膜で構成されていること
   を特徴とする請求項（２）記載の液晶パネル。
5. （５）金薄膜の膜厚が１μｍ以上であることを特徴とす
   る請求項（３）記載の液晶パネル。
6. （６）電解メッキ法によって析出させた金薄膜の膜厚が
   １μｍ以上であることを特徴とする請求項（４）記載の
   液晶パネル。