JPH03212619A - 液晶表示パネル基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示パネル基板の製造方法Info
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- JPH03212619A JPH03212619A JP719890A JP719890A JPH03212619A JP H03212619 A JPH03212619 A JP H03212619A JP 719890 A JP719890 A JP 719890A JP 719890 A JP719890 A JP 719890A JP H03212619 A JPH03212619 A JP H03212619A
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は単純マトリクス液晶パネルおよび各画素に能動
素子を設けたアクティブマトリクス液晶パネルの内、特
に、ガラス基板に駆動ＩＣを直接搭載した液晶パネル基
板の製造方法に関する。
素子を設けたアクティブマトリクス液晶パネルの内、特
に、ガラス基板に駆動ＩＣを直接搭載した液晶パネル基
板の製造方法に関する。
従来、液晶パネルへの駆動ＩＣ接続方法として、駆動Ｉ
Ｃを搭載した回路基板と液晶パネルをフレキシブルプリ
ント基板（以後、ＦＰＣと略す）で接続する方法や、Ｆ
ＰＣ上に駆動ＩＣを直接搭載する方法や、液晶パネル基
板に駆動ＩＣを直接搭載する方法（チップオングラス方
式、以後、ＣＯＧ方式と略す）がある。特に、高密度液
晶パネルを作製するためには、ＣＯＧ方式が有利であり
、盛んに研究されている。
Ｃを搭載した回路基板と液晶パネルをフレキシブルプリ
ント基板（以後、ＦＰＣと略す）で接続する方法や、Ｆ
ＰＣ上に駆動ＩＣを直接搭載する方法や、液晶パネル基
板に駆動ＩＣを直接搭載する方法（チップオングラス方
式、以後、ＣＯＧ方式と略す）がある。特に、高密度液
晶パネルを作製するためには、ＣＯＧ方式が有利であり
、盛んに研究されている。
しかし、ＣＯＧ方式では、ＩＣへの入力端子も透明電極
で形成されるために、入力抵抗が高くなり、ＩＣ毎の動
作電圧がばらついたり、動作不良が生じる等の問題もあ
る。そのために、低抵抗透明電極を使用したり、ガラス
基板全面にクロム等の金属を蒸着後、パターンニング工
程により不用部分を除去している。
で形成されるために、入力抵抗が高くなり、ＩＣ毎の動
作電圧がばらついたり、動作不良が生じる等の問題もあ
る。そのために、低抵抗透明電極を使用したり、ガラス
基板全面にクロム等の金属を蒸着後、パターンニング工
程により不用部分を除去している。
しかしながら、低抵抗透明電極はコストが高く、しかも
、入力端子形状によっては、低抵抗透明電極を用いても
充分な抵抗値以下にはすることができない場合もあった
。また、金属を蒸着する方法モ、蒸着コストとパターン
ニングコストがかかり、あまり実用的ではなかった。ま
た、電解メッキによる手法も検討されたが、メッキ用電
極付近ばかりにメッキされ、入力端子にはほとんどメッ
キされなかった。
、入力端子形状によっては、低抵抗透明電極を用いても
充分な抵抗値以下にはすることができない場合もあった
。また、金属を蒸着する方法モ、蒸着コストとパターン
ニングコストがかかり、あまり実用的ではなかった。ま
た、電解メッキによる手法も検討されたが、メッキ用電
極付近ばかりにメッキされ、入力端子にはほとんどメッ
キされなかった。
この課題を解決するために、本発明の目的は、低コスト
で、ＣＯＧ方式の入力端子の抵抗値を低くして、駆動Ｉ
Ｃの動作電圧むら等の少ない良好な表示を得られろ、液
晶パネル基板の製造方法を提供することにある。
で、ＣＯＧ方式の入力端子の抵抗値を低くして、駆動Ｉ
Ｃの動作電圧むら等の少ない良好な表示を得られろ、液
晶パネル基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成させるために、本発明は、液晶パネル外
形より外側のガラス基板上で駆動ＩＣへの全入力端子の
結線と通電用つ端子となるリードパターンを透明電極で
形成した後、前記リードパターン上を有機絶縁物でスク
リーン印刷等を用（・て被覆してから電圧を印加して電
解メッキを行ない、その後、液晶パネル外形サイズでガ
ラス基板を切断することにより、透明電極入力端子のみ
をメッキして入力端子抵抗を低下させ、低コストで、入
力端子を低抵抗化できる。
形より外側のガラス基板上で駆動ＩＣへの全入力端子の
結線と通電用つ端子となるリードパターンを透明電極で
形成した後、前記リードパターン上を有機絶縁物でスク
リーン印刷等を用（・て被覆してから電圧を印加して電
解メッキを行ない、その後、液晶パネル外形サイズでガ
ラス基板を切断することにより、透明電極入力端子のみ
をメッキして入力端子抵抗を低下させ、低コストで、入
力端子を低抵抗化できる。
透明電極の抵抗値は、低抵抗電極のシート抵抗で約１０
オーム、通常抵抗電極では１００オーム以上もあり、従
って、通常幅１ｍｍ以下入力端子抵抗として５０オーム
から数百オームとなり、ＩＣ毎に電源底圧がばらつき、
表示むらが発生する。この、入力端子抵抗を下げるため
に、入力端子に電解メッキすることが考えられるが、通
常の方法では透明電極の抵抗値が、金属の抵抗値より１
桁以上高いために、メッキ用電極付近に金属が析出する
と、その付近ばかりに電流が集中し、メッキ用電極から
遠い部分には、メッキされない。
オーム、通常抵抗電極では１００オーム以上もあり、従
って、通常幅１ｍｍ以下入力端子抵抗として５０オーム
から数百オームとなり、ＩＣ毎に電源底圧がばらつき、
表示むらが発生する。この、入力端子抵抗を下げるため
に、入力端子に電解メッキすることが考えられるが、通
常の方法では透明電極の抵抗値が、金属の抵抗値より１
桁以上高いために、メッキ用電極付近に金属が析出する
と、その付近ばかりに電流が集中し、メッキ用電極から
遠い部分には、メッキされない。
そこで、リード端子上を絶縁物で被覆して、電流の集中
？避けることで、透明電極上でも電解メッキが可能とな
る。
？避けることで、透明電極上でも電解メッキが可能とな
る。
以下、本発明による一実施例を図面を用いて説明する。
第３図は、本発明を用いた液晶表示パネルの外形図であ
る。信号電極基板６１と走査電極基板６５の間に液晶が
挾まれている。信号電極基板の裏面に信号電極駆動ＩＣ
３２が直接搭載され、そこから入力端子６６が形成され
ている。なお、６４は信号電極（画素部分）である。ま
た、同様に、走査電極基板６５０表面に走査電極駆動Ｉ
Ｃ６６が搭載され、入力端子６７が形成されている。
る。信号電極基板６１と走査電極基板６５の間に液晶が
挾まれている。信号電極基板の裏面に信号電極駆動ＩＣ
３２が直接搭載され、そこから入力端子６６が形成され
ている。なお、６４は信号電極（画素部分）である。ま
た、同様に、走査電極基板６５０表面に走査電極駆動Ｉ
Ｃ６６が搭載され、入力端子６７が形成されている。
なお、６８は走査電極（画素部分）である。本発明によ
り、入力端子６６及び入力端子３７０部分のみを電解メ
ッキすることが可能となる。信号電極基板の製造方法を
第１図と第２図を用いて説明する。
り、入力端子６６及び入力端子３７０部分のみを電解メ
ッキすることが可能となる。信号電極基板の製造方法を
第１図と第２図を用いて説明する。
第１図と第２図は、信号電極基板を製造するガラス基板
の外形図で、１枚のガラス基板に４枚の信号電極基板を
形成した例である。第２図は、第１図の前の工程段階を
示している。ガラス基板２６に形成される信号電極基板
２１は、透明電極により、駆動ＩＣ用パッド部２２と駆
動ＩＣ入力端子２６および、画素部分にあたる信号電極
２４から形成されている。本発明では、さらに、メッキ
用リードパターン２５を形成し、入力端子２３を全て結
線しである。次に、第１図の様にメッキ用リードパター
ンに有機物等の絶縁物１７をスクリーン印刷を用いて塗
布し、乾燥する。この状態で、メッキ用リードパターン
の両端に負電圧を印加して電解メッキすると、入力端子
１６のみがメッキされる。その後、信号電極基板外形１
１でガラス基板１６を切断すると、信号電極基板が完成
する。なお、１２は駆動ＩＣ用バンド部、１４は信号電
極の画素部分、１５はメッキ用リードパターンである。
の外形図で、１枚のガラス基板に４枚の信号電極基板を
形成した例である。第２図は、第１図の前の工程段階を
示している。ガラス基板２６に形成される信号電極基板
２１は、透明電極により、駆動ＩＣ用パッド部２２と駆
動ＩＣ入力端子２６および、画素部分にあたる信号電極
２４から形成されている。本発明では、さらに、メッキ
用リードパターン２５を形成し、入力端子２３を全て結
線しである。次に、第１図の様にメッキ用リードパター
ンに有機物等の絶縁物１７をスクリーン印刷を用いて塗
布し、乾燥する。この状態で、メッキ用リードパターン
の両端に負電圧を印加して電解メッキすると、入力端子
１６のみがメッキされる。その後、信号電極基板外形１
１でガラス基板１６を切断すると、信号電極基板が完成
する。なお、１２は駆動ＩＣ用バンド部、１４は信号電
極の画素部分、１５はメッキ用リードパターンである。
本実施例では、透明電極のシート抵抗値として２０オ一
ム品を使用し、メッキ用金属としてヤを使用したところ
、幅０．２５ ｍｍ、長さ３、 Ｑ ｍ ｍの入力端子
抵抗が約１００オームから約１０オームに低減し、むら
のない良好な表示画面が得られた。
ム品を使用し、メッキ用金属としてヤを使用したところ
、幅０．２５ ｍｍ、長さ３、 Ｑ ｍ ｍの入力端子
抵抗が約１００オームから約１０オームに低減し、むら
のない良好な表示画面が得られた。
本発明により、液晶パネル基板に駆動ＩＣを直接搭載す
るＣＯＧ方式の液晶パネルにおいて、低コストで駆動Ｉ
Ｃへの入力端子抵抗を小さくすることが可能となり、む
らのない良好な表示を得られる液晶パネルの製造方法が
提供できる。
るＣＯＧ方式の液晶パネルにおいて、低コストで駆動Ｉ
Ｃへの入力端子抵抗を小さくすることが可能となり、む
らのない良好な表示を得られる液晶パネルの製造方法が
提供できる。
第１図と第２図は、本発明による信号電極基板製造用ガ
ラス基板の外形図で、第３図は、本発明による液晶表示
パネルの外形図である。 １１．２１．６１・・・・・・信号電極基板、１２．２
２．３２・・・・・・信号電極駆動ＩＣ（パッド部）、 １３．２６．６６・・・・・・信号電極駆動ＩＣ用入力
端子、 １４．２４．６４・・・・・・信号電極（画素部分）、
１５．２５・・・・・・メッキ用リードパターン、１６
．２６・・・・・・ガラス基板、 １７・・・・・・絶縁物、 ６５・・・・・・走査電極基板、 ３６・・・・・・走査電極駆動ＩＣ（パッド部）、６７
・・・・・・走査電極駆動ＩＣ用入力端子、８・・・・
・・走査電極（画素部分）。
ラス基板の外形図で、第３図は、本発明による液晶表示
パネルの外形図である。 １１．２１．６１・・・・・・信号電極基板、１２．２
２．３２・・・・・・信号電極駆動ＩＣ（パッド部）、 １３．２６．６６・・・・・・信号電極駆動ＩＣ用入力
端子、 １４．２４．６４・・・・・・信号電極（画素部分）、
１５．２５・・・・・・メッキ用リードパターン、１６
．２６・・・・・・ガラス基板、 １７・・・・・・絶縁物、 ６５・・・・・・走査電極基板、 ３６・・・・・・走査電極駆動ＩＣ（パッド部）、６７
・・・・・・走査電極駆動ＩＣ用入力端子、８・・・・
・・走査電極（画素部分）。
Claims (1)
- ２枚の透明電極付きガラス基板に液晶を挾持してなる液
晶パネルの内、ガラス基板に直接、駆動ＩＣを搭載した
液晶パネルのガラス基板製造法において、液晶パネル外
形より外側のガラス基板上で駆動ＩＣへの全入力端子の
結線と通電用の端子となるリードパターンを透明電極で
形成した後、前記リードパターン上を有機絶縁物で被覆
してから電圧を印加して電解メッキを行ない、その後、
液晶パネル外形サイズでガラス基板を切断することによ
り、透明電極入力端子のみをメッキすることを特徴とす
る液晶表示パネル基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP719890A JP2846028B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 液晶表示パネル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP719890A JP2846028B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 液晶表示パネル基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212619A true JPH03212619A (ja) | 1991-09-18 |
| JP2846028B2 JP2846028B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=11659336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP719890A Expired - Fee Related JP2846028B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 液晶表示パネル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2846028B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002008823A1 (en) * | 2000-07-20 | 2002-01-31 | Tecdis S.P.A. | A process for the fabrication of a liquid crystal display device |
| JP2002182237A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2002318555A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2008090322A (ja) * | 2000-12-21 | 2008-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US9059216B2 (en) | 2000-12-11 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP719890A patent/JP2846028B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002008823A1 (en) * | 2000-07-20 | 2002-01-31 | Tecdis S.P.A. | A process for the fabrication of a liquid crystal display device |
| JP2002182237A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US9059216B2 (en) | 2000-12-11 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9666601B2 (en) | 2000-12-11 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US10665610B2 (en) | 2000-12-11 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP2002318555A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2008090322A (ja) * | 2000-12-21 | 2008-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP4741569B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9793335B2 (en) | 2000-12-21 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2846028B2 (ja) | 1999-01-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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