JPH07159804A - 表示用基板およびその実装構造 - Google Patents
表示用基板およびその実装構造Info
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- JPH07159804A JPH07159804A JP5306672A JP30667293A JPH07159804A JP H07159804 A JPH07159804 A JP H07159804A JP 5306672 A JP5306672 A JP 5306672A JP 30667293 A JP30667293 A JP 30667293A JP H07159804 A JPH07159804 A JP H07159804A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プロセス変動の影響を受けず高歩留で作製で
き、良好な表示品位を得ることができる表示用基板およ
びその実装構造を提供する。 【構成】 基板面に、この基板面の周縁部から内部の表
示領域へ信号を伝え又は電源を印加するための配線４６
ａ，４６ｂを有する。配線４６ａ，４６ｂのパターン
は、上記基板面に接して設けられたＴa膜２９と、この
Ｔa膜２９上に設けられたＩＴＯ膜３０とからなる２層
膜で形成されている。配線４６ａ，４６ｂのパターンの
少なくとも一部の領域で、Ｔa膜２９とＩＴＯ膜３０と
の間にＴi膜４０が設けられている。配線４６ａの基板
周辺側の端部に、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８ａが
接続される一方、配線４６ｂの表示領域側の端部に駆動
用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂが接続されている。配線
４６ｂの基板周辺側の端部にフレキシブル配線板３３の
出力端子３５が接続されている。
き、良好な表示品位を得ることができる表示用基板およ
びその実装構造を提供する。 【構成】 基板面に、この基板面の周縁部から内部の表
示領域へ信号を伝え又は電源を印加するための配線４６
ａ，４６ｂを有する。配線４６ａ，４６ｂのパターン
は、上記基板面に接して設けられたＴa膜２９と、この
Ｔa膜２９上に設けられたＩＴＯ膜３０とからなる２層
膜で形成されている。配線４６ａ，４６ｂのパターンの
少なくとも一部の領域で、Ｔa膜２９とＩＴＯ膜３０と
の間にＴi膜４０が設けられている。配線４６ａの基板
周辺側の端部に、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８ａが
接続される一方、配線４６ｂの表示領域側の端部に駆動
用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂが接続されている。配線
４６ｂの基板周辺側の端部にフレキシブル配線板３３の
出力端子３５が接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は表示用基板およびその
実装構造に関する。より詳しくは、液晶表示装置、ＥＬ
(エレクトロ・ルミネセンス)表示装置等の表示パネルの
一部を構成する表示用基板と、その実装構造に関する。
実装構造に関する。より詳しくは、液晶表示装置、ＥＬ
(エレクトロ・ルミネセンス)表示装置等の表示パネルの
一部を構成する表示用基板と、その実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の一般的な実装方式（駆動
用ＩＣ実装方式）で実装されたマトリクス型液晶表示装
置を示している。液晶表示パネル２０１は、表示用基板
としての下側基板２２１と上側基板２２２との間に、図
示しない液晶を封入して構成されている。下側基板２２
１には、画素が形成されている表示領域２０３から周縁
部に向かって延びる多数の配線２０６，２０７が設けら
れており、これらの各配線２０６，２０７の基板周辺側
端部が電極端子となっている（なお、簡単のため、この
明細書の全体を通して、電極端子は配線に含まれるもの
とする。）。図６に示すように、例えば下側基板２２１
の配線２０６は、厚さ３０００Å程度のＴa膜２０９
と、その上に設けられた厚さ８００Å程度のＩＴＯ（錫
添加酸化インジウム）膜２１０との２層構造からなって
いる（例えば特開昭６３−１９５６８７号公報）。図５
に示すように、実装状態では、下側基板２２１の配線２
０６，２０７に、それぞれ駆動用ＩＣ２２４，２２５を
搭載したフレキシブル配線板２０４，２０５が接続され
る。詳しくは、図６に示すように、例えばフレキシブル
配線板２０４は、ポリイミド樹脂からなる基材面２１７
に、ＳｎやＡｕなどをメッキしたＣｕ材からなる出力端
子２０８を有している。下側基板２２１の配線２０６の
端部と、フレキシブル配線板２０６の出力端子２０８と
が、導電性を有する接続材２１１を介して接続される。
動作時には、駆動用ＩＣ２２４が出力した表示信号は、
フレキシブル配線板２０４の出力端子２０８、接続材２
１１、下側基板２２１の配線２０６を介して表示領域に
供給される。
用ＩＣ実装方式）で実装されたマトリクス型液晶表示装
置を示している。液晶表示パネル２０１は、表示用基板
としての下側基板２２１と上側基板２２２との間に、図
示しない液晶を封入して構成されている。下側基板２２
１には、画素が形成されている表示領域２０３から周縁
部に向かって延びる多数の配線２０６，２０７が設けら
れており、これらの各配線２０６，２０７の基板周辺側
端部が電極端子となっている（なお、簡単のため、この
明細書の全体を通して、電極端子は配線に含まれるもの
とする。）。図６に示すように、例えば下側基板２２１
の配線２０６は、厚さ３０００Å程度のＴa膜２０９
と、その上に設けられた厚さ８００Å程度のＩＴＯ（錫
添加酸化インジウム）膜２１０との２層構造からなって
いる（例えば特開昭６３−１９５６８７号公報）。図５
に示すように、実装状態では、下側基板２２１の配線２
０６，２０７に、それぞれ駆動用ＩＣ２２４，２２５を
搭載したフレキシブル配線板２０４，２０５が接続され
る。詳しくは、図６に示すように、例えばフレキシブル
配線板２０４は、ポリイミド樹脂からなる基材面２１７
に、ＳｎやＡｕなどをメッキしたＣｕ材からなる出力端
子２０８を有している。下側基板２２１の配線２０６の
端部と、フレキシブル配線板２０６の出力端子２０８と
が、導電性を有する接続材２１１を介して接続される。
動作時には、駆動用ＩＣ２２４が出力した表示信号は、
フレキシブル配線板２０４の出力端子２０８、接続材２
１１、下側基板２２１の配線２０６を介して表示領域に
供給される。
【０００３】また、図３は、ＣＯＧ(チップ・オン・グ
ラス)方式によって実装されたマトリクス型液晶表示装
置を示している。液晶表示パネル１０１は、表示用基板
としての下側基板１２１と上側基板１２２との間に、図
示しない液晶を封入して構成されている。下側基板１２
１には、画素が形成されている表示領域１２３から周縁
部に向かって延びる多数の配線が設けられており、これ
らの各配線１２６ａ，１２６ｂの端部が電極端子となっ
ている。配線１２６ａ，１２７ａのさらに基板周辺側
に、上記配線１２６ａ，１２７ａと離間した状態で、基
板周辺に向かって延びる配線１２６ｂ，１２７ｂが設け
られている。図４に示すように、例えば下側基板１２１
の配線１２６ａ，配線１２６ｂは、いずれも厚さ３００
０Å程度のＴa膜１２９と、その上に設けられた厚さ８
００Å程度のＩＴＯ膜１３０との２層構造からなってい
る。図３に示すように、実装状態では、下側基板１２１
の配線１２６ａ，１２７ａと配線１２６ｂ，１２７ｂと
の間に、それぞれ駆動用ＩＣ１２４，１２５が搭載さ
れ、また、配線１２６ｂ，１２７ｂにフレキシブル配線
板１３３，１３４が接続される。詳しくは、図４に示す
ように、例えば駆動用ＩＣ１２４は、出力側バンプ電極
１２８ａ，入力側バンプ電極１２８ｂを有している。こ
れらの出力側バンプ電極１２８ａ，入力側バンプ電極１
２８ｂが、導電性を有する接続材１３１，１３１を介し
て、それぞれ下側基板１２１の配線１２６ａの基板周辺
側端部，配線１２６ｂの表示領域側端部と接続される。
また、例えばフレキシブル配線板１３３は、ポリイミド
樹脂からなる基材面１３７に、ＳｎやＡｕなどをメッキ
したＣｕ材からなる出力端子１３５を有している。この
出力端子１３５が、導電性を有する接続材１３６を介し
て、下側基板１２１の配線１２６ｂの基板周辺側端部と
接続される。動作時には、電源や入力信号がフレキシブ
ル配線板１３３の出力端子１３５，接続材１３６，配線
１２６ｂ，接続材１３１，入力側バンプ電極１２８ｂを
介して、駆動用ＩＣ１２４に入力される。そして、駆動
用ＩＣ１２４が出力した表示信号が、出力側バンプ電極
１２８ａ，接続材１３１，配線１２６ａを介して、表示
領域に供給される。
ラス)方式によって実装されたマトリクス型液晶表示装
置を示している。液晶表示パネル１０１は、表示用基板
としての下側基板１２１と上側基板１２２との間に、図
示しない液晶を封入して構成されている。下側基板１２
１には、画素が形成されている表示領域１２３から周縁
部に向かって延びる多数の配線が設けられており、これ
らの各配線１２６ａ，１２６ｂの端部が電極端子となっ
ている。配線１２６ａ，１２７ａのさらに基板周辺側
に、上記配線１２６ａ，１２７ａと離間した状態で、基
板周辺に向かって延びる配線１２６ｂ，１２７ｂが設け
られている。図４に示すように、例えば下側基板１２１
の配線１２６ａ，配線１２６ｂは、いずれも厚さ３００
０Å程度のＴa膜１２９と、その上に設けられた厚さ８
００Å程度のＩＴＯ膜１３０との２層構造からなってい
る。図３に示すように、実装状態では、下側基板１２１
の配線１２６ａ，１２７ａと配線１２６ｂ，１２７ｂと
の間に、それぞれ駆動用ＩＣ１２４，１２５が搭載さ
れ、また、配線１２６ｂ，１２７ｂにフレキシブル配線
板１３３，１３４が接続される。詳しくは、図４に示す
ように、例えば駆動用ＩＣ１２４は、出力側バンプ電極
１２８ａ，入力側バンプ電極１２８ｂを有している。こ
れらの出力側バンプ電極１２８ａ，入力側バンプ電極１
２８ｂが、導電性を有する接続材１３１，１３１を介し
て、それぞれ下側基板１２１の配線１２６ａの基板周辺
側端部，配線１２６ｂの表示領域側端部と接続される。
また、例えばフレキシブル配線板１３３は、ポリイミド
樹脂からなる基材面１３７に、ＳｎやＡｕなどをメッキ
したＣｕ材からなる出力端子１３５を有している。この
出力端子１３５が、導電性を有する接続材１３６を介し
て、下側基板１２１の配線１２６ｂの基板周辺側端部と
接続される。動作時には、電源や入力信号がフレキシブ
ル配線板１３３の出力端子１３５，接続材１３６，配線
１２６ｂ，接続材１３１，入力側バンプ電極１２８ｂを
介して、駆動用ＩＣ１２４に入力される。そして、駆動
用ＩＣ１２４が出力した表示信号が、出力側バンプ電極
１２８ａ，接続材１３１，配線１２６ａを介して、表示
領域に供給される。
【０００４】上記いずれの液晶表示装置も、表示用基板
の配線２０６，２０７（図５，図６），配線１２６ａ，
１２６ｂ，１２７ａ，１２７ｂ（図３，図４）をＴa膜
とＩＴＯ膜との２層構造としているので、Ｔa膜上のＩ
ＴＯ膜の存在によって、基板完成後にＴa膜の表面が酸
化されるのを防止することができる。なお、Ｔa膜の面
抵抗は約３Ω／□、ＩＴＯ膜の面抵抗は約５０Ω／□で
あることから、基板の周辺側から表示領域への電源や信
号の供給は、主に下層であるＴa膜を通して行われてい
る。
の配線２０６，２０７（図５，図６），配線１２６ａ，
１２６ｂ，１２７ａ，１２７ｂ（図３，図４）をＴa膜
とＩＴＯ膜との２層構造としているので、Ｔa膜上のＩ
ＴＯ膜の存在によって、基板完成後にＴa膜の表面が酸
化されるのを防止することができる。なお、Ｔa膜の面
抵抗は約３Ω／□、ＩＴＯ膜の面抵抗は約５０Ω／□で
あることから、基板の周辺側から表示領域への電源や信
号の供給は、主に下層であるＴa膜を通して行われてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の如く表示用基板の配線２０６，２０７（図５，図
６），配線１２６ａ，１２６ｂ，１２７ａ，１２７ｂ
（図３，図４）をＴa膜とＩＴＯ膜との２層構造とした
場合、ＩＴＯ膜形成時に、下層であるＴa膜の表面が酸
化される。また、ＩＴＯ膜をパターン加工する工程で、
リワーク作業を行う場合に、ＩＴＯ膜用のエッチャント
（塩化第２鉄溶液）によって、Ｔa膜が侵されて変質す
る。このため、ＩＴＯ膜とＴa膜との間の界面抵抗が大
きくばらつき、歩留が低下するという問題がある。実験
によれば、このような基板作製プロセス中の変動要因に
よって、ＩＴＯ膜とＴa膜との間の界面抵抗はおよそ２
×１０4〜１０7Ω・μm2の範囲でばらつくことが判明し
ている。このようにＴa膜の表面が酸化され変質して、
ＩＴＯ膜との界面抵抗が高くなった場合、駆動用ＩＣか
ら表示領域に至るまでの抵抗が増大して、表示信号が歪
み、この結果、表示状態が悪化することになる。この影
響は、表示の高精細化に伴って配線２０６，２０７（図
５，図６），配線１２６ａ，１２６ｂ，１２７ａ，１２
７ｂ（図３，図４）の面積が縮小されると、深刻なもの
となる。例えば、図４に示したＣＯＧ実装方式の場合に
は、配線１２６ａの面積は、一般的な実装方式（駆動用
ＩＣ実装方式）のものに比して遥かに小さい。このた
め、抵抗の増大分が大きく、表示状態への影響も大きく
なる。また、配線１２６ｂの面積は、上記配線１２６ａ
に比して大きいものの、電源を供給すべきラインでの抵
抗増大は、増大分が小さいものであっても致命的なもの
となり、駆動用ＩＣの動作状態を著しく悪化させる。
の如く表示用基板の配線２０６，２０７（図５，図
６），配線１２６ａ，１２６ｂ，１２７ａ，１２７ｂ
（図３，図４）をＴa膜とＩＴＯ膜との２層構造とした
場合、ＩＴＯ膜形成時に、下層であるＴa膜の表面が酸
化される。また、ＩＴＯ膜をパターン加工する工程で、
リワーク作業を行う場合に、ＩＴＯ膜用のエッチャント
（塩化第２鉄溶液）によって、Ｔa膜が侵されて変質す
る。このため、ＩＴＯ膜とＴa膜との間の界面抵抗が大
きくばらつき、歩留が低下するという問題がある。実験
によれば、このような基板作製プロセス中の変動要因に
よって、ＩＴＯ膜とＴa膜との間の界面抵抗はおよそ２
×１０4〜１０7Ω・μm2の範囲でばらつくことが判明し
ている。このようにＴa膜の表面が酸化され変質して、
ＩＴＯ膜との界面抵抗が高くなった場合、駆動用ＩＣか
ら表示領域に至るまでの抵抗が増大して、表示信号が歪
み、この結果、表示状態が悪化することになる。この影
響は、表示の高精細化に伴って配線２０６，２０７（図
５，図６），配線１２６ａ，１２６ｂ，１２７ａ，１２
７ｂ（図３，図４）の面積が縮小されると、深刻なもの
となる。例えば、図４に示したＣＯＧ実装方式の場合に
は、配線１２６ａの面積は、一般的な実装方式（駆動用
ＩＣ実装方式）のものに比して遥かに小さい。このた
め、抵抗の増大分が大きく、表示状態への影響も大きく
なる。また、配線１２６ｂの面積は、上記配線１２６ａ
に比して大きいものの、電源を供給すべきラインでの抵
抗増大は、増大分が小さいものであっても致命的なもの
となり、駆動用ＩＣの動作状態を著しく悪化させる。
【０００６】そこで、この発明の目的は、プロセス変動
の影響を受けず高歩留で作製でき、良好な表示品位を得
ることができる表示用基板およびその実装構造を提供す
ることにある。
の影響を受けず高歩留で作製でき、良好な表示品位を得
ることができる表示用基板およびその実装構造を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の表示用基板は、平面型表示装置の
一部を構成するための表示用基板であって、基板面に、
この基板面の周縁部から内部の表示領域へ信号を伝える
ための配線を有する表示用基板において、上記配線のパ
ターンは、上記基板面に接して設けられたタンタル膜
と、このタンタル膜上に設けられた錫添加酸化インジウ
ム膜とからなる２層膜で形成され、上記配線のパターン
の少なくとも一部の領域で、上記タンタル膜と錫添加酸
化インジウム膜との間にチタン膜が設けられていること
を特徴としている。
め、請求項１に記載の表示用基板は、平面型表示装置の
一部を構成するための表示用基板であって、基板面に、
この基板面の周縁部から内部の表示領域へ信号を伝える
ための配線を有する表示用基板において、上記配線のパ
ターンは、上記基板面に接して設けられたタンタル膜
と、このタンタル膜上に設けられた錫添加酸化インジウ
ム膜とからなる２層膜で形成され、上記配線のパターン
の少なくとも一部の領域で、上記タンタル膜と錫添加酸
化インジウム膜との間にチタン膜が設けられていること
を特徴としている。
【０００８】また、請求項２に記載の表示用基板の実装
構造は、請求項１に記載の表示用基板を備え、上記配線
のうち上記周縁部に存する部分に、上記信号を発生する
駆動用ＩＣを搭載したフレキシブル配線板の出力端子が
接続されていることを特徴としている。
構造は、請求項１に記載の表示用基板を備え、上記配線
のうち上記周縁部に存する部分に、上記信号を発生する
駆動用ＩＣを搭載したフレキシブル配線板の出力端子が
接続されていることを特徴としている。
【０００９】また、請求項３に記載の表示用基板の実装
構造は、請求項１に記載の表示用基板を備え、上記配線
は、上記表示領域から上記周縁部に延びるパターンを持
ち、上記チタン膜が設けられた領域を有する第１の配線
と、上記第１の配線よりも基板周辺側で基板周辺に向か
って延びるパターンを持ち、上記チタン膜が設けられた
領域を有する第２の配線とを含み、上記第１の配線の基
板周辺側の端部に、上記信号を発生する駆動用ＩＣの出
力側電極が接続される一方、上記第２の配線の上記表示
領域側の端部に上記駆動用ＩＣの入力側電極が接続さ
れ、上記第２の配線の上記基板周辺側の端部に、上記駆
動用ＩＣに入力信号を供給するフレキシブル配線板の出
力端子が接続されていることを特徴としている。
構造は、請求項１に記載の表示用基板を備え、上記配線
は、上記表示領域から上記周縁部に延びるパターンを持
ち、上記チタン膜が設けられた領域を有する第１の配線
と、上記第１の配線よりも基板周辺側で基板周辺に向か
って延びるパターンを持ち、上記チタン膜が設けられた
領域を有する第２の配線とを含み、上記第１の配線の基
板周辺側の端部に、上記信号を発生する駆動用ＩＣの出
力側電極が接続される一方、上記第２の配線の上記表示
領域側の端部に上記駆動用ＩＣの入力側電極が接続さ
れ、上記第２の配線の上記基板周辺側の端部に、上記駆
動用ＩＣに入力信号を供給するフレキシブル配線板の出
力端子が接続されていることを特徴としている。
【００１０】また、請求項４に記載の表示用基板の実装
構造は、請求項３に記載の表示用基板の実装構造におい
て、上記第１の配線の上記錫添加酸化インジウム膜と上
記駆動用ＩＣの上記出力側電極、および、上記第２の配
線の上記錫添加酸化インジウム膜と上記駆動用ＩＣの上
記入力側電極が、異方性導電膜を介して接続されている
ことを特徴としている。
構造は、請求項３に記載の表示用基板の実装構造におい
て、上記第１の配線の上記錫添加酸化インジウム膜と上
記駆動用ＩＣの上記出力側電極、および、上記第２の配
線の上記錫添加酸化インジウム膜と上記駆動用ＩＣの上
記入力側電極が、異方性導電膜を介して接続されている
ことを特徴としている。
【００１１】また、請求項５に記載の表示用基板は、請
求項１に記載の表示用基板において、上記配線は、上記
表示領域から上記周縁部に延びるパターンを持ち、上記
チタン膜が設けられた領域を有する第１の配線と、上記
第１の配線よりも基板周辺側で基板周辺に向かって延び
るパターンを持ち、上記チタン膜が設けられた領域を有
する第２の配線とを含み、少なくとも上記第１の配線の
基板周辺側の端部、および、上記第２の配線の上記表示
領域側の端部で、上記錫添加酸化インジウム膜上にモリ
ブデン膜が設けられていることを特徴としている。
求項１に記載の表示用基板において、上記配線は、上記
表示領域から上記周縁部に延びるパターンを持ち、上記
チタン膜が設けられた領域を有する第１の配線と、上記
第１の配線よりも基板周辺側で基板周辺に向かって延び
るパターンを持ち、上記チタン膜が設けられた領域を有
する第２の配線とを含み、少なくとも上記第１の配線の
基板周辺側の端部、および、上記第２の配線の上記表示
領域側の端部で、上記錫添加酸化インジウム膜上にモリ
ブデン膜が設けられていることを特徴としている。
【００１２】また、請求項６に記載の表示用基板の実装
構造は、請求項５に記載の表示用基板を備え、上記第１
の配線の基板周辺側の端部の上記モリブデン膜に、上記
信号を発生する駆動用ＩＣの出力側電極が接続される一
方、上記第２の配線の上記表示領域側の端部の上記モリ
ブデン膜に上記駆動用ＩＣの入力側電極が接続され、上
記第２の配線の上記基板周辺側の端部に、上記駆動用Ｉ
Ｃに入力信号を供給するフレキシブル配線板の出力端子
が接続されていることを特徴としている。
構造は、請求項５に記載の表示用基板を備え、上記第１
の配線の基板周辺側の端部の上記モリブデン膜に、上記
信号を発生する駆動用ＩＣの出力側電極が接続される一
方、上記第２の配線の上記表示領域側の端部の上記モリ
ブデン膜に上記駆動用ＩＣの入力側電極が接続され、上
記第２の配線の上記基板周辺側の端部に、上記駆動用Ｉ
Ｃに入力信号を供給するフレキシブル配線板の出力端子
が接続されていることを特徴としている。
【００１３】また、請求項７に記載の表示用基板の実装
構造は、請求項６に記載の表示用基板の実装構造におい
て、上記第１の配線の基板周辺側の端部の上記モリブデ
ン膜と上記駆動用ＩＣの出力側電極、および、上記第２
の配線の上記表示領域側の端部の上記モリブデン膜と上
記駆動用ＩＣの入力側電極が、導電粒子として銀または
銀とパラジウムとからなる合金を含むペースト材を介し
て接続されていることを特徴としている。
構造は、請求項６に記載の表示用基板の実装構造におい
て、上記第１の配線の基板周辺側の端部の上記モリブデ
ン膜と上記駆動用ＩＣの出力側電極、および、上記第２
の配線の上記表示領域側の端部の上記モリブデン膜と上
記駆動用ＩＣの入力側電極が、導電粒子として銀または
銀とパラジウムとからなる合金を含むペースト材を介し
て接続されていることを特徴としている。
【００１４】
【作用】請求項１の表示用基板では、配線を形成するた
めＴa（タンタル）膜上にＴi（チタン）膜を形成する
時、直接ＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）膜を形成する
場合と異なり、Ｔa膜表面を酸化させることが無い。ま
た、Ｔi膜上にＩＴＯ膜を形成する時、Ｔi膜表面が酸化
される度合いは、Ｔa膜表面が酸化される場合に比して
はるかに軽度である。さらに、Ｔi膜はＩＴＯ膜用のエ
ッチャント（塩化第２鉄溶液）によって侵されることが
無い。したがって、Ｔa膜とＴi膜との間の界面抵抗、お
よび、Ｔi膜とＩＴＯ膜との間の界面抵抗は、従来に比
してプロセス変動の影響を受けにくく、低く安定したも
のとなる。したがって、この表示用基板は高歩留で作製
されるとともに、実装後に良好な表示品位が得られる。
また、今後の表示の高精細化への対応も可能となる。
めＴa（タンタル）膜上にＴi（チタン）膜を形成する
時、直接ＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）膜を形成する
場合と異なり、Ｔa膜表面を酸化させることが無い。ま
た、Ｔi膜上にＩＴＯ膜を形成する時、Ｔi膜表面が酸化
される度合いは、Ｔa膜表面が酸化される場合に比して
はるかに軽度である。さらに、Ｔi膜はＩＴＯ膜用のエ
ッチャント（塩化第２鉄溶液）によって侵されることが
無い。したがって、Ｔa膜とＴi膜との間の界面抵抗、お
よび、Ｔi膜とＩＴＯ膜との間の界面抵抗は、従来に比
してプロセス変動の影響を受けにくく、低く安定したも
のとなる。したがって、この表示用基板は高歩留で作製
されるとともに、実装後に良好な表示品位が得られる。
また、今後の表示の高精細化への対応も可能となる。
【００１５】請求項２の表示用基板の実装構造では、表
示用基板の配線のパターンの少なくとも一部の領域で、
Ｔa膜とＩＴＯとの間にチタン膜が設けられているの
で、Ｔa膜とＴi膜との間の界面抵抗、および、Ｔi膜と
ＩＴＯ膜との間の界面抵抗が低くなる結果、フレキシブ
ル配線板の出力端子から表示領域に至るまでの配線に関
する抵抗（端部での抵抗を含む）が、従来に比して低く
安定な状態にある。したがって、良好な表示品位が得ら
れる。
示用基板の配線のパターンの少なくとも一部の領域で、
Ｔa膜とＩＴＯとの間にチタン膜が設けられているの
で、Ｔa膜とＴi膜との間の界面抵抗、および、Ｔi膜と
ＩＴＯ膜との間の界面抵抗が低くなる結果、フレキシブ
ル配線板の出力端子から表示領域に至るまでの配線に関
する抵抗（端部での抵抗を含む）が、従来に比して低く
安定な状態にある。したがって、良好な表示品位が得ら
れる。
【００１６】請求項３の表示用基板の実装構造では、表
示用基板の第１，第２配線の各パターンの少なくとも一
部の領域にＴi膜が設けられているので、フレキシブル
配線板の出力端子から駆動用ＩＣの入力側電極に至るま
での第１の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）、
および、駆動用ＩＣの出力側電極から表示領域に至るま
での第２の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）
が、従来に比して低く安定な状態にある。したがって、
良好な表示品位が得られる。
示用基板の第１，第２配線の各パターンの少なくとも一
部の領域にＴi膜が設けられているので、フレキシブル
配線板の出力端子から駆動用ＩＣの入力側電極に至るま
での第１の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）、
および、駆動用ＩＣの出力側電極から表示領域に至るま
での第２の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）
が、従来に比して低く安定な状態にある。したがって、
良好な表示品位が得られる。
【００１７】請求項４の表示用基板の実装構造では、上
記第１の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用ＩＣの出力側電
極、および、上記第２の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用Ｉ
Ｃの入力側電極が、異方性導電膜を介して接続されてい
るので、この異方性導電膜によって駆動用ＩＣ（チッ
プ）の下面が保護される。したがって、別途駆動用ＩＣ
封止用の樹脂を塗布すること無く、高い信頼性が得られ
る。
記第１の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用ＩＣの出力側電
極、および、上記第２の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用Ｉ
Ｃの入力側電極が、異方性導電膜を介して接続されてい
るので、この異方性導電膜によって駆動用ＩＣ（チッ
プ）の下面が保護される。したがって、別途駆動用ＩＣ
封止用の樹脂を塗布すること無く、高い信頼性が得られ
る。
【００１８】請求項５の表示用基板では、少なくとも第
１の配線の基板周辺側の端部、および、第２の配線の上
記表示領域側の端部で、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン膜
が設けられているので、駆動用ＩＣの出力側電極，入力
側電極（一般にＡｕからなる）との接続抵抗がさらに低
減される。また、請求項１の表示用基板と同様に、高歩
留で作製されるとともに、実装後に良好な表示品位が得
られる。また、今後の表示の高精細化への対応も可能と
なる。
１の配線の基板周辺側の端部、および、第２の配線の上
記表示領域側の端部で、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン膜
が設けられているので、駆動用ＩＣの出力側電極，入力
側電極（一般にＡｕからなる）との接続抵抗がさらに低
減される。また、請求項１の表示用基板と同様に、高歩
留で作製されるとともに、実装後に良好な表示品位が得
られる。また、今後の表示の高精細化への対応も可能と
なる。
【００１９】請求項６の表示用基板の実装構造では、上
記モリブデン膜によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗がさらに低減される。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）が、さらに低減される。したが
って、良好な表示品位が得られ、また、接続の信頼性が
高くなる。
記モリブデン膜によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗がさらに低減される。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）が、さらに低減される。したが
って、良好な表示品位が得られ、また、接続の信頼性が
高くなる。
【００２０】請求項７の表示用基板の実装構造では、導
電粒子として銀または銀とパラジウムとからなる合金を
含むペースト材によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗がさらに低減される。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）が、さらに低減される。したが
って、良好な表示品位が得られ、また、接続の信頼性が
高くなる。
電粒子として銀または銀とパラジウムとからなる合金を
含むペースト材によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗がさらに低減される。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）が、さらに低減される。したが
って、良好な表示品位が得られ、また、接続の信頼性が
高くなる。
【００２１】
【実施例】図１は、この発明の第１実施例の液晶表示装
置の要部断面を示している。この液晶表示装置はＣＯＧ
方式にて実装されており、液晶表示パネル１と、駆動用
ＩＣ２４と、フレキシブル配線板３３を備えている。
置の要部断面を示している。この液晶表示装置はＣＯＧ
方式にて実装されており、液晶表示パネル１と、駆動用
ＩＣ２４と、フレキシブル配線板３３を備えている。
【００２２】液晶表示パネル１は、表示用基板としての
下側基板２１と図示しない上側基板との間に、液晶を封
入して構成されている。下側基板２１には、画素が形成
されている表示領域（図において左側）から周縁部に向
かって延びる多数の第１の配線４６ａが設けられてお
り、これらの各配線４６ａの端部が電極端子となってい
る。第１の配線４６ａのさらに基板周辺側に、第１の配
線４６ａと離間した状態で、基板周辺に向かって延びる
第２の配線４６ｂが設けられている。これらの配線４６
ａ，４６ｂのパターンは、下側基板２１に接して設けら
れた厚さ３０００Å程度のＴa膜２９と、このＴa膜２９
上に設けられた厚さ８００Å程度のＩＴＯ膜３０とから
なる２層膜で形成されている。そして、上記配線のパタ
ーンの少なくとも一部の領域で、Ｔa膜２９とＩＴＯ膜
３０との間に厚さ３０００Å程度のＴi膜４０が設けら
れている。この例では、Ｔi膜４０は、配線４６ａ，４
６ｂの端部（電極端子）を除く領域に設けられている。
なお、Ｔa膜の面抵抗は約３Ω／□、ＩＴＯ膜の面抵抗
は約５０Ω／□、Ｔi膜の面抵抗は約３Ω／□である。
絶縁膜４２は下側基板２１のうち配線４６ａ，４６ｂの
端部（電極端子）を除く略全域を覆っている。
下側基板２１と図示しない上側基板との間に、液晶を封
入して構成されている。下側基板２１には、画素が形成
されている表示領域（図において左側）から周縁部に向
かって延びる多数の第１の配線４６ａが設けられてお
り、これらの各配線４６ａの端部が電極端子となってい
る。第１の配線４６ａのさらに基板周辺側に、第１の配
線４６ａと離間した状態で、基板周辺に向かって延びる
第２の配線４６ｂが設けられている。これらの配線４６
ａ，４６ｂのパターンは、下側基板２１に接して設けら
れた厚さ３０００Å程度のＴa膜２９と、このＴa膜２９
上に設けられた厚さ８００Å程度のＩＴＯ膜３０とから
なる２層膜で形成されている。そして、上記配線のパタ
ーンの少なくとも一部の領域で、Ｔa膜２９とＩＴＯ膜
３０との間に厚さ３０００Å程度のＴi膜４０が設けら
れている。この例では、Ｔi膜４０は、配線４６ａ，４
６ｂの端部（電極端子）を除く領域に設けられている。
なお、Ｔa膜の面抵抗は約３Ω／□、ＩＴＯ膜の面抵抗
は約５０Ω／□、Ｔi膜の面抵抗は約３Ω／□である。
絶縁膜４２は下側基板２１のうち配線４６ａ，４６ｂの
端部（電極端子）を除く略全域を覆っている。
【００２３】この表示用基板２１を作製する工程では、
Ｔa膜２９上にＴi膜４０を形成する時、直接ＩＴＯ（錫
添加酸化インジウム）膜３０を形成する場合と異なり、
Ｔa膜２９の表面を酸化させることが無い。また、Ｔi膜
４０上にＩＴＯ膜３０を形成する時、Ｔi膜４０の表面
が酸化される度合いは、Ｔa膜２９の表面が酸化される
場合に比して遥かに軽度である。さらに、Ｔi膜４０は
ＩＴＯ膜３０用のエッチャント（塩化第２鉄溶液）によ
って侵されることが無い。したがって、Ｔa膜２９とＴi
膜４０との間の界面抵抗、および、Ｔi膜４０とＩＴＯ
膜３０との間の界面抵抗は、従来に比してプロセス変動
の影響を受けにくく、低く安定したものとなる。したが
って、この表示用基板１は高歩留で作製することができ
る。また、今後の表示の高精細化への対応も可能とな
る。なお、配線４６ａ，４６ｂの端部にＴi４０膜を設
けていないのは、絶縁膜４２をエッチングした時点で、
ＩＴＯ膜を通してＴi４０が侵されるからである。
Ｔa膜２９上にＴi膜４０を形成する時、直接ＩＴＯ（錫
添加酸化インジウム）膜３０を形成する場合と異なり、
Ｔa膜２９の表面を酸化させることが無い。また、Ｔi膜
４０上にＩＴＯ膜３０を形成する時、Ｔi膜４０の表面
が酸化される度合いは、Ｔa膜２９の表面が酸化される
場合に比して遥かに軽度である。さらに、Ｔi膜４０は
ＩＴＯ膜３０用のエッチャント（塩化第２鉄溶液）によ
って侵されることが無い。したがって、Ｔa膜２９とＴi
膜４０との間の界面抵抗、および、Ｔi膜４０とＩＴＯ
膜３０との間の界面抵抗は、従来に比してプロセス変動
の影響を受けにくく、低く安定したものとなる。したが
って、この表示用基板１は高歩留で作製することができ
る。また、今後の表示の高精細化への対応も可能とな
る。なお、配線４６ａ，４６ｂの端部にＴi４０膜を設
けていないのは、絶縁膜４２をエッチングした時点で、
ＩＴＯ膜を通してＴi４０が侵されるからである。
【００２４】駆動用ＩＣ２４は、出力側バンプ電極２８
ａ，入力側バンプ電極２８ｂを有している。これらのバ
ンプ電極２８ａ，２８ｂは金メッキにより形成されてい
る。フレキシブル配線板３３は、ポリイミド樹脂からな
る基材面３７に、ＳｎやＡｕなどをメッキしたＣｕ材か
らなる出力端子３５を有している。
ａ，入力側バンプ電極２８ｂを有している。これらのバ
ンプ電極２８ａ，２８ｂは金メッキにより形成されてい
る。フレキシブル配線板３３は、ポリイミド樹脂からな
る基材面３７に、ＳｎやＡｕなどをメッキしたＣｕ材か
らなる出力端子３５を有している。
【００２５】図示の実装状態では、下側基板２１の配線
４６ａと４６ｂとの間に駆動用ＩＣ２４が搭載され、ま
た、配線４６ｂにフレキシブル配線板３３が接続されて
いる。すなわち、駆動用ＩＣ２４の出力側バンプ電極２
８ａ，入力側バンプ電極２８ｂが、異方性導電膜４１を
介して、それぞれ下側基板２１の配線４６ａの基板周辺
側端部（電極端子），配線４６ｂの表示領域側端部と接
続されている。また、フレキシブル配線板３３の出力端
子３５が、異方性導電膜３６を介して、下側基板２１の
配線４６ｂの基板周辺側端部と接続されている。なお、
異方性導電膜４１，３６の接続は加熱および加圧によっ
て行われる。
４６ａと４６ｂとの間に駆動用ＩＣ２４が搭載され、ま
た、配線４６ｂにフレキシブル配線板３３が接続されて
いる。すなわち、駆動用ＩＣ２４の出力側バンプ電極２
８ａ，入力側バンプ電極２８ｂが、異方性導電膜４１を
介して、それぞれ下側基板２１の配線４６ａの基板周辺
側端部（電極端子），配線４６ｂの表示領域側端部と接
続されている。また、フレキシブル配線板３３の出力端
子３５が、異方性導電膜３６を介して、下側基板２１の
配線４６ｂの基板周辺側端部と接続されている。なお、
異方性導電膜４１，３６の接続は加熱および加圧によっ
て行われる。
【００２６】動作時には、電源や入力信号がフレキシブ
ル配線板３３の出力端子３５，接続材３６，配線４６
ｂ，接続材４１，入力側バンプ電極２８ｂを介して、駆
動用ＩＣ２４に供給される。そして、駆動用ＩＣ２４が
出力した表示信号が、出力側バンプ電極２８ａ，接続材
４１，配線４６ａを介して、表示領域に供給される。
ル配線板３３の出力端子３５，接続材３６，配線４６
ｂ，接続材４１，入力側バンプ電極２８ｂを介して、駆
動用ＩＣ２４に供給される。そして、駆動用ＩＣ２４が
出力した表示信号が、出力側バンプ電極２８ａ，接続材
４１，配線４６ａを介して、表示領域に供給される。
【００２７】ここで、配線４６ａ，４６ｂの各パターン
の少なくとも一部の領域にＴi膜４０が設けられている
ので、フレキシブル配線板３３の出力端子３５から駆動
用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂに至るまでの配線４６ａ
に関する抵抗（端部での抵抗を含む）、および、駆動用
ＩＣ２４の出力側電極２８ａから表示領域に至るまでの
配線４６ｂに関する抵抗（端部での抵抗を含む）が、従
来に比して低く安定な状態にある。したがって、良好な
表示品位を得ることができる。また、下側基板２１と駆
動用ＩＣ２４とが異方性導電膜４１を介して接続されて
いるので、この異方性導電膜４１によって駆動用ＩＣ
（チップ）２４の下面が保護される。したがって、別途
駆動用ＩＣ２４封止用の樹脂を塗布すること無く、高い
信頼性を得ることができる。
の少なくとも一部の領域にＴi膜４０が設けられている
ので、フレキシブル配線板３３の出力端子３５から駆動
用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂに至るまでの配線４６ａ
に関する抵抗（端部での抵抗を含む）、および、駆動用
ＩＣ２４の出力側電極２８ａから表示領域に至るまでの
配線４６ｂに関する抵抗（端部での抵抗を含む）が、従
来に比して低く安定な状態にある。したがって、良好な
表示品位を得ることができる。また、下側基板２１と駆
動用ＩＣ２４とが異方性導電膜４１を介して接続されて
いるので、この異方性導電膜４１によって駆動用ＩＣ
（チップ）２４の下面が保護される。したがって、別途
駆動用ＩＣ２４封止用の樹脂を塗布すること無く、高い
信頼性を得ることができる。
【００２８】さて、測定用の特別なパターンでの実験に
よれば、上述の表示用基板２１の配線４６ａ，４６ｂで
は、プロセスの変動がある場合でも、Ｔa膜２９とＴi膜
４０との間の界面抵抗が５×１０2〜８×１０2Ω・μm2
となり、Ｔi膜４０とＩＴＯ膜３０の間の界面抵抗が５
×１０2〜２×１０3Ω・μm2となった。よって、Ｔa膜
２９からＴi膜４０を介してＩＴＯ膜３０に至るまでの
抵抗は、両者を加えた１０3〜２.８×１０3Ω・μm2と
見積もることができた。したがって、Ｔi膜４０を設け
ない場合（従来）の２×１０4〜１０7Ω・μm2に比し
て、遥かに低減することができた。また、プロセス変動
によるばらつきも大幅に低減することができた。
よれば、上述の表示用基板２１の配線４６ａ，４６ｂで
は、プロセスの変動がある場合でも、Ｔa膜２９とＴi膜
４０との間の界面抵抗が５×１０2〜８×１０2Ω・μm2
となり、Ｔi膜４０とＩＴＯ膜３０の間の界面抵抗が５
×１０2〜２×１０3Ω・μm2となった。よって、Ｔa膜
２９からＴi膜４０を介してＩＴＯ膜３０に至るまでの
抵抗は、両者を加えた１０3〜２.８×１０3Ω・μm2と
見積もることができた。したがって、Ｔi膜４０を設け
ない場合（従来）の２×１０4〜１０7Ω・μm2に比し
て、遥かに低減することができた。また、プロセス変動
によるばらつきも大幅に低減することができた。
【００２９】実際に、配線４６ｂに関する抵抗（端部で
の抵抗を含む）は、Ｔi膜４０の面積が約１０4μm2のと
き３〜４Ωとなり、Ｔi膜を設けない場合の５〜２９Ω
に比して、抵抗の値およびばらつきを大幅に低減するこ
とができた。
の抵抗を含む）は、Ｔi膜４０の面積が約１０4μm2のと
き３〜４Ωとなり、Ｔi膜を設けない場合の５〜２９Ω
に比して、抵抗の値およびばらつきを大幅に低減するこ
とができた。
【００３０】図２は、この発明の第２実施例の液晶表示
装置の要部断面を示している。この液晶表示装置は、第
１実施例と同様にＣＯＧ方式にて実装されており、液晶
表示パネル１′と、駆動用ＩＣ２４と、フレキシブル配
線板３３を備えている。なお、簡単のため、同一構成要
素には同一符号を付している。駆動用ＩＣ２４とフレキ
シブル配線板３３は、第１実施例のものと同じであるた
め、説明を省略する。
装置の要部断面を示している。この液晶表示装置は、第
１実施例と同様にＣＯＧ方式にて実装されており、液晶
表示パネル１′と、駆動用ＩＣ２４と、フレキシブル配
線板３３を備えている。なお、簡単のため、同一構成要
素には同一符号を付している。駆動用ＩＣ２４とフレキ
シブル配線板３３は、第１実施例のものと同じであるた
め、説明を省略する。
【００３１】液晶表示パネル１′は、表示用基板として
の下側基板２１と図示しない上側基板との間に、液晶を
封入して構成されている。下側基板２１には、画素が形
成されている表示領域（図において左側）から周縁部に
向かって延びる多数の第１の配線６６ａが設けられてお
り、これらの各配線６６ａの端部が電極端子となってい
る。第１の配線６６ａのさらに基板周辺側に、第１の配
線６６ａと離間した状態で、基板周辺に向かって延びる
第２の配線６６ｂが設けられている。これらの配線６６
ａ，６６ｂのパターンは、下側基板２１に接して設けら
れたＴa膜２９と、このＴa膜２９上に設けられたＩＴＯ
膜３０とからなる２層膜で形成されている。そして、上
記配線のパターンの少なくとも一部の領域で、Ｔa膜２
９とＩＴＯ膜３０との間にチタン膜４０が設けられてい
る。第１の配線６６ａの基板周辺側の端部、および、第
２の配線６６ｂの表示領域側の端部には、Ｍo膜６０が
設けられている。なお、Ｍo膜の面抵抗は約０．５Ω／
□である。絶縁膜４２は下側基板２１のうち配線６６
ａ，６６ｂの端部を除く略全域を覆っている。
の下側基板２１と図示しない上側基板との間に、液晶を
封入して構成されている。下側基板２１には、画素が形
成されている表示領域（図において左側）から周縁部に
向かって延びる多数の第１の配線６６ａが設けられてお
り、これらの各配線６６ａの端部が電極端子となってい
る。第１の配線６６ａのさらに基板周辺側に、第１の配
線６６ａと離間した状態で、基板周辺に向かって延びる
第２の配線６６ｂが設けられている。これらの配線６６
ａ，６６ｂのパターンは、下側基板２１に接して設けら
れたＴa膜２９と、このＴa膜２９上に設けられたＩＴＯ
膜３０とからなる２層膜で形成されている。そして、上
記配線のパターンの少なくとも一部の領域で、Ｔa膜２
９とＩＴＯ膜３０との間にチタン膜４０が設けられてい
る。第１の配線６６ａの基板周辺側の端部、および、第
２の配線６６ｂの表示領域側の端部には、Ｍo膜６０が
設けられている。なお、Ｍo膜の面抵抗は約０．５Ω／
□である。絶縁膜４２は下側基板２１のうち配線６６
ａ，６６ｂの端部を除く略全域を覆っている。
【００３２】上記下側基板２１を作製する工程では、第
１実施例のものと同様に、Ｔa膜２９とＴi膜４０との間
の界面抵抗、および、Ｔi膜４０とＩＴＯ膜３０との間
の界面抵抗は、従来に比してプロセス変動の影響を受け
にくく、低く安定したものとなる。したがって、この表
示用基板１′は高歩留で作製することができる。また、
今後の表示の高精細化への対応も可能となる。なお、第
１の配線６６ａの基板周辺側の端部、および、第２の配
線６６ｂの表示領域側の端部にのみＭo膜６０を設けて
いるのは、Ｍo膜が水分に弱く、絶縁膜４２の段差に生
じる隙間を通して水分に侵されるからである。
１実施例のものと同様に、Ｔa膜２９とＴi膜４０との間
の界面抵抗、および、Ｔi膜４０とＩＴＯ膜３０との間
の界面抵抗は、従来に比してプロセス変動の影響を受け
にくく、低く安定したものとなる。したがって、この表
示用基板１′は高歩留で作製することができる。また、
今後の表示の高精細化への対応も可能となる。なお、第
１の配線６６ａの基板周辺側の端部、および、第２の配
線６６ｂの表示領域側の端部にのみＭo膜６０を設けて
いるのは、Ｍo膜が水分に弱く、絶縁膜４２の段差に生
じる隙間を通して水分に侵されるからである。
【００３３】図示の実装状態では、下側基板２１の配線
６６ａと６６ｂとの間に駆動用ＩＣ２４が搭載され、ま
た、配線６６ｂにフレキシブル配線板３３が接続されて
いる。すなわち、駆動用ＩＣ２４の出力側バンプ電極２
８ａ，入力側バンプ電極２８ｂが、導電粒子としてＡg
とＰdとからなる合金を含むＡg・Ｐdペースト６１，６
１を介して、それぞれ下側基板２１の配線６６ａの基板
周辺側端部（電極端子），配線６６ｂの表示領域側端部
と接続されている。また、フレキシブル配線板３３の出
力端子３５が、異方性導電膜３６を介して、下側基板２
１の配線６６ｂの基板周辺側端部と接続されている。ま
た、駆動用ＩＣ２４と下側基板２１との隙間に、封止用
樹脂６２が充填されている。なお、Ａg・Ｐdペースト材
６１による接続は、転写方式にて駆動用ＩＣ２４の出力
側バンプ電極２８a，入力バンプ電極２８bにＡg・Ｐdペ
ースト材６１を適量供給し、位置合わせ搭載後、加熱し
てＡg・Ｐdペースト材６１を硬化させることにより行わ
れる。また、異方性導電膜３６の接続は加熱および加圧
によって行われる。
６６ａと６６ｂとの間に駆動用ＩＣ２４が搭載され、ま
た、配線６６ｂにフレキシブル配線板３３が接続されて
いる。すなわち、駆動用ＩＣ２４の出力側バンプ電極２
８ａ，入力側バンプ電極２８ｂが、導電粒子としてＡg
とＰdとからなる合金を含むＡg・Ｐdペースト６１，６
１を介して、それぞれ下側基板２１の配線６６ａの基板
周辺側端部（電極端子），配線６６ｂの表示領域側端部
と接続されている。また、フレキシブル配線板３３の出
力端子３５が、異方性導電膜３６を介して、下側基板２
１の配線６６ｂの基板周辺側端部と接続されている。ま
た、駆動用ＩＣ２４と下側基板２１との隙間に、封止用
樹脂６２が充填されている。なお、Ａg・Ｐdペースト材
６１による接続は、転写方式にて駆動用ＩＣ２４の出力
側バンプ電極２８a，入力バンプ電極２８bにＡg・Ｐdペ
ースト材６１を適量供給し、位置合わせ搭載後、加熱し
てＡg・Ｐdペースト材６１を硬化させることにより行わ
れる。また、異方性導電膜３６の接続は加熱および加圧
によって行われる。
【００３４】動作時には、電源や入力信号がフレキシブ
ル配線板３３の出力端子３５，接続材３６，配線４６
ｂ，接続材４１，入力側バンプ電極２８ｂを介して、駆
動用ＩＣ２４に供給される。そして、駆動用ＩＣ２４が
出力した表示信号が、出力側バンプ電極２８ａ，接続材
４１，配線４６ａを介して、表示領域に供給される。
ル配線板３３の出力端子３５，接続材３６，配線４６
ｂ，接続材４１，入力側バンプ電極２８ｂを介して、駆
動用ＩＣ２４に供給される。そして、駆動用ＩＣ２４が
出力した表示信号が、出力側バンプ電極２８ａ，接続材
４１，配線４６ａを介して、表示領域に供給される。
【００３５】ここで、第１実施例と同様に、配線６６
ａ，６６ｂの各パターンの少なくとも一部の領域にＴi
膜４０が設けられているので、フレキシブル配線板３３
の出力端子３５から駆動用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂ
に至るまでの配線６６ａに関する抵抗（端部での抵抗を
含む）、および、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８ａか
ら表示領域に至るまでの配線６６ｂに関する抵抗（端部
での抵抗を含む）が、従来に比して低く安定な状態にあ
る。したがって、良好な表示品位を得ることができる。
また、上記Ｍo膜６０およびＡｇ・Ｐｄペースト６１に
よって、配線６６ａの基板周辺側の端部，配線６６ｂの
表示領域側端部と、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８
ａ，入力側電極２８ｂとの接続抵抗をさらに低減でき
る。したがって、フレキシブル配線板３３の出力端子３
５から駆動用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂに至るまでの
配線６６ａに関する抵抗（端部での抵抗を含む）、およ
び、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８ａから表示領域に
至るまでの配線６６ｂに関する抵抗（端部での抵抗を含
む）を、さらに低減できる。したがって、さらに良好な
表示品位が得ることができ、また、接続の信頼性を高め
ることができる。
ａ，６６ｂの各パターンの少なくとも一部の領域にＴi
膜４０が設けられているので、フレキシブル配線板３３
の出力端子３５から駆動用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂ
に至るまでの配線６６ａに関する抵抗（端部での抵抗を
含む）、および、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８ａか
ら表示領域に至るまでの配線６６ｂに関する抵抗（端部
での抵抗を含む）が、従来に比して低く安定な状態にあ
る。したがって、良好な表示品位を得ることができる。
また、上記Ｍo膜６０およびＡｇ・Ｐｄペースト６１に
よって、配線６６ａの基板周辺側の端部，配線６６ｂの
表示領域側端部と、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８
ａ，入力側電極２８ｂとの接続抵抗をさらに低減でき
る。したがって、フレキシブル配線板３３の出力端子３
５から駆動用ＩＣ２４の入力側電極２８ｂに至るまでの
配線６６ａに関する抵抗（端部での抵抗を含む）、およ
び、駆動用ＩＣ２４の出力側電極２８ａから表示領域に
至るまでの配線６６ｂに関する抵抗（端部での抵抗を含
む）を、さらに低減できる。したがって、さらに良好な
表示品位が得ることができ、また、接続の信頼性を高め
ることができる。
【００３６】実際に、配線６６ｂに関する抵抗（端部で
の抵抗を含む）は、Ｔi膜４０の面積が約４×１０4μm2
のとき１．５〜２．５Ωとなり、Ｔi膜を設けない場合
の２〜１０Ωに比して、抵抗の値およびばらつきを大幅
に低減することができた。
の抵抗を含む）は、Ｔi膜４０の面積が約４×１０4μm2
のとき１．５〜２．５Ωとなり、Ｔi膜を設けない場合
の２〜１０Ωに比して、抵抗の値およびばらつきを大幅
に低減することができた。
【００３７】なお、この実施例で、配線内部または配線
上に新たに設けたＴi膜,Ｍo膜は、液晶表示パネルの表
示領域を形成するために通常用いられている膜であり、
この発明の実施のために特別に形成するものではない。
したがって、この発明の実施によってコストアップが生
じることはない。
上に新たに設けたＴi膜,Ｍo膜は、液晶表示パネルの表
示領域を形成するために通常用いられている膜であり、
この発明の実施のために特別に形成するものではない。
したがって、この発明の実施によってコストアップが生
じることはない。
【００３８】また、この実施例では、プロセス面の制限
から配線パターンの一部の領域にのみＴi膜４０を形成
しているが、プロセス面の制限が無い場合には配線パタ
ーンの全域にわたってＴi膜４０を形成するのが望まし
い。
から配線パターンの一部の領域にのみＴi膜４０を形成
しているが、プロセス面の制限が無い場合には配線パタ
ーンの全域にわたってＴi膜４０を形成するのが望まし
い。
【００３９】また、この実施例では、ＣＯＧ方式によっ
て実装された液晶表示装置について説明したが、当然な
がら、この発明の適用範囲はこれに限られるものではな
い。この発明は一般的な実装方式（駆動用ＩＣ実装方
式）の液晶表示装置にも適用することができる。この場
合も、フレキシブル配線板の出力端子から表示領域に至
るまでの配線抵抗を従来に比して低く安定な状態にで
き、良好な表示品位を得ることができる。また、この発
明は、ＥＬ表示装置など他のタイプの平面型表示装置に
広く適用することができる。
て実装された液晶表示装置について説明したが、当然な
がら、この発明の適用範囲はこれに限られるものではな
い。この発明は一般的な実装方式（駆動用ＩＣ実装方
式）の液晶表示装置にも適用することができる。この場
合も、フレキシブル配線板の出力端子から表示領域に至
るまでの配線抵抗を従来に比して低く安定な状態にで
き、良好な表示品位を得ることができる。また、この発
明は、ＥＬ表示装置など他のタイプの平面型表示装置に
広く適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の表
示用基板では、配線を形成するためＴa（タンタル）膜
上にＴi（チタン）膜を形成する時、直接ＩＴＯ（錫添
加酸化インジウム）膜を形成する場合と異なり、Ｔa膜
表面を酸化させることが無い。また、Ｔi膜上にＩＴＯ
膜を形成する時、Ｔi膜表面が酸化される度合いは、Ｔa
膜表面が酸化される場合に比してはるかに軽度である。
さらに、Ｔi膜はＩＴＯ膜用のエッチャント（塩化第２
鉄溶液）によって侵されることが無い。したがって、Ｔ
a膜とＴi膜との間の界面抵抗、および、Ｔi膜とＩＴＯ
膜との間の界面抵抗は、従来に比してプロセス変動の影
響を受けにくく、低く安定化することができる。したが
って、高歩留で作製できるとともに、実装後に良好な表
示品位を得ることができる。また、今後の表示の高精細
化への対応も可能となる。
示用基板では、配線を形成するためＴa（タンタル）膜
上にＴi（チタン）膜を形成する時、直接ＩＴＯ（錫添
加酸化インジウム）膜を形成する場合と異なり、Ｔa膜
表面を酸化させることが無い。また、Ｔi膜上にＩＴＯ
膜を形成する時、Ｔi膜表面が酸化される度合いは、Ｔa
膜表面が酸化される場合に比してはるかに軽度である。
さらに、Ｔi膜はＩＴＯ膜用のエッチャント（塩化第２
鉄溶液）によって侵されることが無い。したがって、Ｔ
a膜とＴi膜との間の界面抵抗、および、Ｔi膜とＩＴＯ
膜との間の界面抵抗は、従来に比してプロセス変動の影
響を受けにくく、低く安定化することができる。したが
って、高歩留で作製できるとともに、実装後に良好な表
示品位を得ることができる。また、今後の表示の高精細
化への対応も可能となる。
【００４１】請求項２の表示用基板の実装構造では、表
示用基板の配線のパターンの少なくとも一部の領域で、
Ｔa膜とＩＴＯとの間にチタン膜が設けられているの
で、Ｔa膜とＴi膜との間の界面抵抗、および、Ｔi膜と
ＩＴＯ膜との間の界面抵抗を低くできる。したがって、
フレキシブル配線板の出力端子から表示領域に至るまで
の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）を、従来に
比して低く安定化できる。したがって、良好な表示品位
を得ることができる。
示用基板の配線のパターンの少なくとも一部の領域で、
Ｔa膜とＩＴＯとの間にチタン膜が設けられているの
で、Ｔa膜とＴi膜との間の界面抵抗、および、Ｔi膜と
ＩＴＯ膜との間の界面抵抗を低くできる。したがって、
フレキシブル配線板の出力端子から表示領域に至るまで
の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）を、従来に
比して低く安定化できる。したがって、良好な表示品位
を得ることができる。
【００４２】請求項３の表示用基板の実装構造では、表
示用基板の第１，第２配線の各パターンの少なくとも一
部の領域にＴi膜が設けられているので、フレキシブル
配線板の出力端子から駆動用ＩＣの入力側電極に至るま
での第１の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）、
および、駆動用ＩＣの出力側電極から表示領域に至るま
での第２の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）
を、従来に比して低く安定化できる。したがって、良好
な表示品位を得ることができる。
示用基板の第１，第２配線の各パターンの少なくとも一
部の領域にＴi膜が設けられているので、フレキシブル
配線板の出力端子から駆動用ＩＣの入力側電極に至るま
での第１の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）、
および、駆動用ＩＣの出力側電極から表示領域に至るま
での第２の配線に関する抵抗（端部での抵抗を含む）
を、従来に比して低く安定化できる。したがって、良好
な表示品位を得ることができる。
【００４３】請求項４の表示用基板の実装構造では、上
記第１の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用ＩＣの出力側電
極、および、上記第２の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用Ｉ
Ｃの入力側電極が、異方性導電膜を介して接続されてい
るので、この異方性導電膜によって駆動用ＩＣ（チッ
プ）の下面を保護できる。したがって、別途駆動用ＩＣ
封止用の樹脂を塗布すること無く、高い信頼性を得るこ
とができる。
記第１の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用ＩＣの出力側電
極、および、上記第２の配線のＩＴＯ膜と上記駆動用Ｉ
Ｃの入力側電極が、異方性導電膜を介して接続されてい
るので、この異方性導電膜によって駆動用ＩＣ（チッ
プ）の下面を保護できる。したがって、別途駆動用ＩＣ
封止用の樹脂を塗布すること無く、高い信頼性を得るこ
とができる。
【００４４】請求項５の表示用基板では、少なくとも第
１の配線の基板周辺側の端部、および、第２の配線の上
記表示領域側の端部で、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン膜
が設けられているので、駆動用ＩＣの出力側電極，入力
側電極（一般にＡｕからなる）との接続抵抗をさらに低
減できる。また、請求項１の表示用基板と同様に、高歩
留で作製でき、実装後に良好な表示品位を得ることがで
きる。また、今後の表示の高精細化への対応も可能とな
る。
１の配線の基板周辺側の端部、および、第２の配線の上
記表示領域側の端部で、上記ＩＴＯ膜上にモリブデン膜
が設けられているので、駆動用ＩＣの出力側電極，入力
側電極（一般にＡｕからなる）との接続抵抗をさらに低
減できる。また、請求項１の表示用基板と同様に、高歩
留で作製でき、実装後に良好な表示品位を得ることがで
きる。また、今後の表示の高精細化への対応も可能とな
る。
【００４５】請求項６の表示用基板の実装構造では、上
記モリブデン膜によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗をさらに低減できる。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）を、さらに低減できる。したが
って、良好な表示品位を得ることができ、また、接続の
信頼性を高めることができる。
記モリブデン膜によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗をさらに低減できる。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）を、さらに低減できる。したが
って、良好な表示品位を得ることができ、また、接続の
信頼性を高めることができる。
【００４６】請求項７の表示用基板の実装構造では、導
電粒子として銀または銀とパラジウムとからなる合金を
含むペースト材によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗をさらに低減できる。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）を、さらに低減できる。したが
って、良好な表示品位を得ることができ、また、接続の
信頼性を高めることができる。
電粒子として銀または銀とパラジウムとからなる合金を
含むペースト材によって、第１の配線の基板周辺側の端
部，第２の配線の表示領域側端部と、駆動用ＩＣの出力
側電極，入力側電極との接続抵抗をさらに低減できる。
したがって、フレキシブル配線板の出力端子から駆動用
ＩＣの入力側電極に至るまでの第１の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）、および、駆動用ＩＣの出力側
電極から表示領域に至るまでの第２の配線に関する抵抗
（端部での抵抗を含む）を、さらに低減できる。したが
って、良好な表示品位を得ることができ、また、接続の
信頼性を高めることができる。
【図１】 この発明の第１実施例の液晶表示装置の要部
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図２】 この発明の第２実施例の液晶表示装置の要部
断面を示す図である。
断面を示す図である。
【図３】 ＣＯＧ方式により実装された液晶表示装置の
全体を示す図である。
全体を示す図である。
【図４】 図３の液晶表示装置の周縁部の断面を示す図
である。
である。
【図５】 一般的な実装方式により実装された液晶表示
装置の全体を示す図である。
装置の全体を示す図である。
【図６】 図５の液晶表示装置の周縁部の断面を示す図
である。
である。
１,１′ 液晶表示パネル ２１ 下側基板 ２４ 駆動用ＩＣ ４６a,６６a 第１の配線 ４６b,６６b 第２の配線 ２８a 出力側電極 ２８b 入力側電極 ２９ Ｔa膜 ３０ ＩＴＯ膜 ３３ フレキシブル配線板 ３５ 出力端子 ３６，４１ 異方性導電膜 ３７ フレキシブル配線板の基材 ４０ Ｔi膜 ４２ 絶縁膜 ６０ Ｍo膜 ６１ Ａg・Ｐdペースト材 ６２ 封止用樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田草 康伸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 平面型表示装置の一部を構成するための
表示用基板であって、基板面に、この基板面の周縁部か
ら内部の表示領域へ信号を伝えるための配線を有する表
示用基板において、 上記配線のパターンは、上記基板面に接して設けられた
タンタル膜と、このタンタル膜上に設けられた錫添加酸
化インジウム膜とからなる２層膜で形成され、 上記配線のパターンの少なくとも一部の領域で、上記タ
ンタル膜と錫添加酸化インジウム膜との間にチタン膜が
設けられていることを特徴とする表示用基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の表示用基板を備え、 上記配線のうち上記周縁部に存する部分に、上記信号を
発生する駆動用ＩＣを搭載したフレキシブル配線板の出
力端子が接続されていることを特徴とする表示用基板の
実装構造。 - 【請求項３】 請求項１に記載の表示用基板を備え、 上記配線は、上記表示領域から上記周縁部に延びるパタ
ーンを持ち、上記チタン膜が設けられた領域を有する第
１の配線と、上記第１の配線よりも基板周辺側で基板周
辺に向かって延びるパターンを持ち、上記チタン膜が設
けられた領域を有する第２の配線とを含み、 上記第１の配線の基板周辺側の端部に、上記信号を発生
する駆動用ＩＣの出力側電極が接続される一方、上記第
２の配線の上記表示領域側の端部に上記駆動用ＩＣの入
力側電極が接続され、 上記第２の配線の上記基板周辺側の端部に、上記駆動用
ＩＣに入力信号を供給するフレキシブル配線板の出力端
子が接続されていることを特徴とする表示用基板の実装
構造。 - 【請求項４】 請求項３に記載の表示用基板の実装構造
において、 上記第１の配線の上記錫添加酸化インジウム膜と上記駆
動用ＩＣの上記出力側電極、および、上記第２の配線の
上記錫添加酸化インジウム膜と上記駆動用ＩＣの上記入
力側電極が、異方性導電膜を介して接続されていること
を特徴とする表示用基板の実装構造。 - 【請求項５】 請求項１に記載の表示用基板において、 上記配線は、上記表示領域から上記周縁部に延びるパタ
ーンを持ち、上記チタン膜が設けられた領域を有する第
１の配線と、上記第１の配線よりも基板周辺側で基板周
辺に向かって延びるパターンを持ち、上記チタン膜が設
けられた領域を有する第２の配線とを含み、 少なくとも上記第１の配線の基板周辺側の端部、およ
び、上記第２の配線の上記表示領域側の端部で、上記錫
添加酸化インジウム膜上にモリブデン膜が設けられてい
ることを特徴とする表示用基板。 - 【請求項６】 請求項５に記載の表示用基板を備え、 上記第１の配線の基板周辺側の端部の上記モリブデン膜
に、上記信号を発生する駆動用ＩＣの出力側電極が接続
される一方、上記第２の配線の上記表示領域側の端部の
上記モリブデン膜に上記駆動用ＩＣの入力側電極が接続
され、 上記第２の配線の上記基板周辺側の端部に、上記駆動用
ＩＣに入力信号を供給するフレキシブル配線板の出力端
子が接続されていることを特徴とする表示用基板の実装
構造。 - 【請求項７】 請求項６に記載の表示用基板の実装構造
において、 上記第１の配線の基板周辺側の端部の上記モリブデン膜
と上記駆動用ＩＣの出力側電極、および、上記第２の配
線の上記表示領域側の端部の上記モリブデン膜と上記駆
動用ＩＣの入力側電極が、導電粒子として銀または銀と
パラジウムとからなる合金を含むペースト材を介して接
続されていることを特徴とする表示用基板の実装構造。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30667293A JP3006985B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 表示用基板およびその実装構造 |
| TW083111153A TW340192B (en) | 1993-12-07 | 1994-11-30 | A display board having wiring with three-layered structure and a display device including the display board |
| US08/350,406 US5608559A (en) | 1993-12-07 | 1994-12-06 | Display board having wiring with three-layered structure and a display device including the display board |
| KR1019940033560A KR0147308B1 (ko) | 1993-12-07 | 1994-12-06 | 3층 구조의 배선을 구비한 표시용 기판과 이 표시용 기판을 포함한 표시장치 |
| CN94112794A CN1052088C (zh) | 1993-12-07 | 1994-12-07 | 一种具有三层结构导线的显示板及包括该显示板的一种显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30667293A JP3006985B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 表示用基板およびその実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159804A true JPH07159804A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3006985B2 JP3006985B2 (ja) | 2000-02-07 |
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ID=17959934
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30667293A Expired - Fee Related JP3006985B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 表示用基板およびその実装構造 |
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| JP (1) | JP3006985B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2001093598A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | コンタクト構造および半導体装置 |
| JP2002258768A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
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| US7206056B2 (en) | 2003-04-18 | 2007-04-17 | Advanced Display Inc. | Display device having a terminal that has a transparent film on top of a high resistance conductive film |
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| WO2012161027A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | シャープ株式会社 | 表示モジュール |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP30667293A patent/JP3006985B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8624253B2 (en) | 1999-07-22 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
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| US8368076B2 (en) | 1999-07-22 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| JP2002258768A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
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