JP2007500372A - 配線端子を具備する電子装置 - Google Patents

Abstract

接続抵抗を低くし腐蝕防止を図ることのできる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することを目的とする。基板８に支持される透明導電層１０と、透明導電層１０上に延在し透明導電層１０よりも抵抗率の低い材質の金属層２０とを有し、透明導電層１０は、金属層２０よりも耐酸化性が高く、周辺回路（５０）と接続するための端子１０Ｔを形成する、電子装置。金属層２０は、透明導電層１０の端子１０Ｔ外の延在部１０Ｌ上、及び／又は透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において透明導電層１０を外部へ露出させるべき結合領域１１の周辺又は近傍に延在し、透明導電層１０の端子１０Ｔの少なくとも一部及び金属層２０全体を被覆し透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において結合領域１１を除く領域に延在する電気的絶縁層３０が設けられている。

Description

本発明は、配線端子を具備する電子装置に関する。より詳しくは、本発明は、周辺回路の端子に接続するための配線端子を有する電子装置に関する。また、本発明は特に、かかる配線端子を有する液晶表示装置などの電子装置に関する。

液晶表示装置などの電子装置において、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）及び異方性導電膜（anisotropic conductive film：以下、ＡＣＦと称する）を用いた導電体パターンの接続技術が確立している（例えば、非特許文献１参照）。

この技術は、例えば液晶パネルの電極端子又は当該パネル用のドライバＩＣチップなどを実装したテープ断片におけるチップ接続端子にＡＣＦを貼り付けた後、そのパネル電極端子とチップ接続端子とを、貼り付けたＡＣＦを介して熱圧着することにより、当該両端子の接続を行うものである。非特許文献１によれば、パネル電極端子はアルミニウムか又はＩＴＯ（酸化インジウム錫）によって形成され、チップ接続端子は銅により形成される。

しかしながら、パネル電極端子をアルミニウムによって形成すると、当該端子の電気抵抗率を下げる点では良いものの、錆などの腐蝕に弱いという欠点がある。また、パネル電極端子をＩＴＯにより形成すると、当該端子の化学的安定性すなわち錆などの腐蝕について耐性を高める点では良いものの、好適な導電体として用いられる代表的な金属に比べ抵抗率が高いという欠点がある。

また、パネル電極端子とチップ接続端子とはＡＣＦによりその電気的接続を形成するが、ＡＣＦ自体は母体たる絶縁材料とこれに分散し混入された多数の導電粒子とを有し、この導電粒子のうち当該端子に物理的に接触しつつ挟み込まれたもののみが当該端子間の導電パスを形成する。しかしながら、かかる導電粒子の絶縁材料中の分散は、厳密には一様ではなく、ばらついているので、当該端子に接触する導電粒子の位置もばらつくことになる。すなわち、ある端子間においては短い導電パスが形成され、別の端子間においては長い導電パスが形成される可能性がある。これにより、端子接続部の抵抗がばらつくことになり、チップ側から同等レベルの信号が伝送されているにもかかわらず、パネル側は異なるレベルの信号を受信しひいては異なる駆動状態とされかねない。
鈴木八十二著，「液晶ディスプレイ工学入門」，日刊工業新聞社発行，１９９８年１１月２０日，初版１刷，ｐ．４２−４６

本発明の目的は、接続抵抗（contact resistance）を低くし腐蝕防止を図ることのできる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することである。

本発明の他の目的は、当該電子装置の配線端子と周辺回路端子との接続をするのに異方性導電膜を介在させる場合において、当該異方性導電膜中の導電粒子が形成する導電パスのばらつきを少なくし可及的に均等な接続抵抗を呈するものとすることができる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、接続抵抗を低くし腐蝕防止を図り、接続抵抗のばらつきを抑えることのできる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することである。

本発明のまた別の目的は、端子の低接続抵抗及び腐蝕防止並びに接続抵抗のばらつき抑制を実現するとともに、多数の端子を小領域に形成することの要求される液晶表示装置などの電子装置に好適な端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することである。

１）これらの目的を達成するため、本発明の一態様による電子装置は、基板に支持される導電層と、前記導電層上に延在し前記導電層よりも抵抗率の低い材質の金属層とを有し、前記導電層は、前記金属層よりも耐酸化性が高く、周辺回路と接続するための端子を形成する、電子装置であって、前記金属層は、前記導電層の端子外の延在部上、及び／又は前記導電層の端子の領域内において前記導電層を外部へ露出させるべき結合領域の周辺又は近傍に延在し、前記導電層の端子の少なくとも一部及び前記金属層全体を被覆し前記導電層の端子の領域内において前記結合領域を除く領域に延在する電気的絶縁層が設けられている、電子装置としている。

２）また、本発明の他の態様による電子装置は、基板に支持される導電層と、前記導電層上に延在し前記導電層よりも抵抗率の低い材質の金属層とを有し、前記導電層は、前記金属層よりも耐酸化性が高く、周辺回路と接続するための端子を形成する、電子装置であって、前記金属層は、前記導電層の端子の領域内において前記導電層を外部へ露出させるべき結合領域の、専ら前記端子の配列方向に略平行に延びる１つの縁部及び／又は前記配列方向に略直角に延びる１つの縁部の近傍又はこれに沿って延在し、前記導電層の端子の少なくとも一部及び前記金属層の少なくとも主要部を被覆し前記導電層の端子の領域内において前記結合領域を除く領域に延在する電気的絶縁層が設けられている、電子装置としている。

３）そして、これらの態様について、前記導電層は、前記結合領域において異方性導電膜を介し周辺回路の端子と接続されることを可能としている。

このようにすることにより、抵抗率の低い金属層によって抵抗率の高い導電層の接続抵抗が低くされ絶縁層により腐蝕のし易い金属層の少なくとも主要部が保護される。また、外部に露出する結合領域は腐蝕に耐性のある導電層により形成される。したがって、接続抵抗の低減を図りつつ、周辺回路の端子と導電層の配線端子とを接続する前に暫く時間が経過したとしても、当該配線端子の腐蝕の防止を図ることができる。また、１）及び２）の態様から導かれるように、金属層が当該結合領域の少なくとも周辺又は近傍にまで延びる形態を採ることにより、結合領域において実際に端子間の接続をなす異方性導電膜の導電粒子がその接触した導電層の位置から最も近い金属層部分に到る導電パスの距離を規制することができ、当該導電パスのばらつきを抑え、もって接続抵抗の均一化に寄与することが可能となる。

上記１）の態様は、金属層による低抵抗化及び絶縁層による金属層保護並びに導電層による露出結合領域形成という、本発明の基本的な特徴に加えて、絶縁層により金属層全体を被覆するようにしているので、金属層のいかなる表面をも外気に曝さず、もってその腐蝕防止を万全にすることができる。

また、上記２）の態様は、かかる基本的な特徴に加えて、金属層が結合領域の全体を囲うようにはせず、結合領域のうち、専ら、当該端子の配列方向に略平行に延びる１つの縁部及び／又は当該配列方向に略直角に延びる１つの縁部の近傍又はこれに沿って延在するようにしているので、端子に必要な領域を小さくすることができ、端子ピッチを縮めることができる。

４）また、上記態様において、前記金属層は、前記導電層の端子の領域において前記結合領域を取り囲むように形成されるものとするのが望ましい。これにより、上述した導電粒子の導電パスの距離をさらに強く規制し、より一層の接続抵抗の均一化が図られる。

５）また、前記結合領域は、平面図上少なくとも１つの直線状縁部を含む形状に形成され、前記金属層は、前記導電層の端子の領域において前記直線状縁部に沿って形成されるものとするのが好ましい。これにより、長手状の導電層の端子領域を効率的に使用することのできるメリットを享受することができる。

６）上記態様においてはまた、前記絶縁層は、前記金属層と同時にパターン化され前記金属層上に積層する第１の絶縁層と、パターン化されたこの第１の絶縁層の少なくとも一部及び前記金属層の側面を被覆する第２の絶縁層とを含むものとしてもよい。このようにすることによって、金属層上に積層される絶縁層とが同時にパターニングされたときに生じうる当該金属層側面の露出を第２の絶縁層がカバーすることができるので、端子構造体形成後の金属層の露出を万全に防ぐことができる。

７）上記態様においてはさらに、前記導電層、前記金属層及び／又は前記絶縁層は、当該電子装置に形成される表示エレメント又は駆動素子に用いられる導電膜、金属膜及び／又は絶縁膜とそれぞれ同一の層であるものとするのが好ましい。この形態により、当該導電層、金属層及び／又は絶縁層のための付加的な工程を伴うことなく、当該電子装置の主たる構成部と同じ工程により当該導電層、絶縁層及び／又は金属層を形成することができるので、製造工程の簡素化ひいては製造及び製品コストの低減に寄与することとなる。

以下、本発明の実施の形態について、実施例に基づき添付図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施例による電子装置の端子の平面構造を示し、図２は、図１に示される構造をＩＩ−ＩＩ線に沿って破断したときに得られる同端子の断面を示している。

この電子装置は、基板８に支持される透明導電層１０と、透明導電層１０上に延在し透明導電層１０よりも電気的抵抗率の低い材質の金属層２０とを有しており、透明導電層１０は、本例ではその端部に周辺回路と接続する端子（領域）を形成している。基板８は、後述するようにこの電子装置が液晶表示装置である場合には、表示面とは反対に位置づけられる背面基板としての例えばガラス基板である。透明導電層１０は、図１では省略されている当該電子装置の主要構成部からその端子１０Ｔへと長手状に延在するものであり、当該端子部１０Ｔは、当該長手延在部１０Ｌの幅よりも大きく形成されている。透明導電層１０は、例えばＩＴＯなどの化学的に安定した、錆などの腐蝕に対し耐性の高い材料により形成される。より詳しくは、透明導電層１０は、金属層２０よりも耐酸化性が高いものが採用され、好ましくは、当該透明導電層により露出端子が形成された後ＡＣＦを当該端子に貼付し封印をなすまでの間酸化しない安定な材料がよい。液晶表示装置の製造においては、かかる端子の形成からＡＣＦの貼付工程までに実際上は数ヶ月、遅いケースでは１２ヶ月を超える場合があり、このような長期間を経た後に外部端子とのＡＣＦを介した接続をなしたとしても十分に当該外部端子との電気的接続がなされるような耐酸化性を有するのが好ましい。金属層２０は、本例ではこのＩＴＯよりも抵抗率の低いＭｏＣｒにより形成されるが、Ａｌでもよい。

かかる電子装置において、金属層２０は、透明導電層１０と同様に当該電子装置主部から端子１０Ｔへ向かって延びるとともに、透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内においては、透明導電層１０を外部へ露出させるべき結合領域１１の周辺又は近傍に、本例においては当該領域を一周し取り巻く形で延在している。

この端子構造体にはさらに、本実施例の特徴の１つである電気的絶縁層３０が設けられている。この絶縁層３０は、透明導電層１０の端子１０Ｔの少なくとも一部及び金属層２０全体、特にその上面だけでなく側面２１までも被覆し、透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において結合領域１１を除く領域に延在する。結合領域１１は、絶縁層３０の側面３１によって画定される。絶縁層３０の材料として、本例では窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を採用しているが、他の電気的絶縁性を有する合成樹脂などの材料を用いてもよい。

一方、かかる配線端子構造体を具備する基板８に対向して、端子１０Ｔに接続されるべき端子４０を担持する第２の基板５０が配される。この基板５０は、フィルム基板であり、ＴＡＢ技術に採用される一般的な例えばポリミイドをベースとするテープ状のフィルムから分断されたものである。端子４０は、基板５０に実装された周辺回路としての図示せぬＩＣチップの端子から導かれた導電体パターンの本例では先端部となっており、銅などの材料によって形成される。また、チップ導出端子４０は、それぞれ対応する対向基板８側の端子１０Ｔと、厳密には結合領域１１と正面から向き合うように配置される。

透明導電層１０は、その端子１０Ｔの結合領域１１において異方性導電膜（ＡＣＦ）６０を介し上記周辺回路の端子４０と接続される。異方性導電膜６０は、図１に点線でその輪郭が示されるように、透明導電層１０の延在方向に対して直角に横切る方向に延び、端子１０Ｔの全て及び端子４０の全てをどちらも全域的に覆う形で当該端子間に介在する。

ここで、ＡＣＦ６０による端子間の接続態様について説明する。

図２に示されるように、ＡＣＦ６０中に分散して混入されている導電粒子６ｐは、フィルム基板５０と基板８とによりＡＣＦ６０が挟み込まれたときに、フィルム基板５０側の端子４０と基板８側の端子１０Ｔの結合領域１１との双方に隙間なく接した形で挟まれる。すなわち、端子４０の領域と端子１０Ｔの結合領域１１とが重なる領域において両端子に接触し、その接触部分間において電気的接続が達成される。一方、かかる重畳領域以外では、このような電気的接続はなされず、当該重畳領域とは電気的絶縁性を保つことになる。

図３は、かかる導電粒子に基づく本実施例による接続態様をさらに詳しく示しており、１組の上下端子１０Ｔ及び４０において呈される導電パスを模式的に表している。

上述した端子構造の下でＡＣＦ６０をフィルム基板５０と基板８との間で挟み込んだ場合、フィルム基板５０側の端子４０と接する導電粒子６ｐは、基板８側の結合領域１１内で透明導電層１０と接することを強いられる。図３に示されるように、導電粒子６ｐの端子４０及び透明導電層１０との接触点を×印にて表すと、導電粒子６ｐが端子１０Ｔ側において形成する導電パスは、図３に点線矢印で示される如き透明導電層１０内の導電パスとこれに続く図３に太線矢印で示される如き金属層２０内の導電パスとからなる。金属層２０は透明導電層１０に比し十分抵抗率が低いので、このとき形成される導電パスは、概して、導電粒子６ｐの接触点とこれに最も近い金属層３０の部分とを結ぶ方向に形成されるとみなすことができる。

透明導電層１０内の導電パスの最も長いものは、概して導電粒子６ｐが結合領域１１の中央において透明導電層１０と接した状況において得られる。したがって、抵抗率が十分に低い金属層３０による導電パスを無視すれば、この構成により導電粒子６ｐが端子においてとりうる最長の導電パスは、概ね結合領域１１の中心からこれに最も近い金属層３０のエッジまでの距離Ｄｇを有するものと推定できる。また、導電粒子６ｐが端子においてとりうる最短の導電パスは、概ね結合領域１１のエッジに接して存在する導電粒子６ｐの接触点からこれに最も近い金属層３０のエッジまでの距離Ｄｓを有するものと推定できる。故に、導電粒子６ｐが呈しうる導電パスのばらつきは、両者の差すなわちＶｏ＝Ｄｇ−Ｄｓの値の範囲内に納められることになる。かかるばらつきの範囲は、結合領域１１を狭めれば狭めるほど小さくすることができる。

これに対し、図４に示されるような構成の比較例では、このようなばらつきの範囲は大きい。すなわち、図４の比較例は、金属層２０を具備せず、透明導電層１０によって専らその対向端子４０と電気的接続をなすものであるが、図４に示されるように図３のものと等しい結合領域１１を形成したとしても、導電粒子６ｐの接触点からの導電パスはばらつきが大きい。例えば、仮に透明導電層の長手延在部１０Ｌ側の結合領域１１のエッジ１１ａを基準にして考えた場合、最も短い導電パスを呈すると想定される当該エッジに接して存在する導電粒子６ｐの接触点から当該エッジまでの距離ｄｓと、最も長い導電パスを呈すると想定される当該エッジ１１ａと反対側のエッジ１１ｂに接して存在する導電粒子６ｐの接触点から当該基準のエッジ１１ａまでの距離ｄｇとの差は、上述したＶｏの値よりも大きくなる。

このような比較例との対比からも分かるように、実施例によれば、比較的抵抗率の低い金属層２０を結合領域１１の回りにおいて透明導電層１０上に積層したことにより、とりうる導電パスの長さを短く規制するとともに導電パスのばらつきを抑えることを実現しているのである。本実施例においてはまた、結合領域を取り囲むように金属層を敷いているので、導電パスのばらつきをより効果的に抑えることができる。

しかも本実施例は、ＡＣＦの導電粒子６ｐを敢えて抵抗率の低い金属層２０と接触させず、抵抗率は高いが化学的安定性の高い透明導電層１０を露出面たる結合領域１１としてこれと接触させるようにしており、これにより、例えばＡＣＦによる結合領域１１の封印がなされる前に長い時間を経過しても当該端子の腐蝕に抗することも実現している。

また付言すれば、端子領域の内外を問わず、透明導電層上に積層される金属層によって、端子内における導電パスの長短及びばらつきの抑制をするだけでなく、端子及び導電体配線全体の抵抗を下げる働きをすることができて好都合である。

図５は、上述した端子接続構造を液晶表示装置に適用した例を示している。

図５においては、液晶表示装置の主として画像表示領域を形成する液晶パネル１００から導出される電極端子とこれに接続されるＴＡＢ用フィルム基板５０の端子との接続態様が描かれている。液晶パネル１００は、当該表示領域に例えばマトリクス状に配列され、個別に表示すべき画素情報に応じた光学変調をなす複数の画素（表示）エレメントを備えている。本例では、液晶パネル１００としてアクティブマトリクス型のものを例示しており、画素ユニット毎に、当該画素エレメントを構成する個別の画素電極１０１、及びこの画素電極に当該画素情報に応じた電位を付与する能動素子又は駆動素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０２を具備している。

ＴＦＴ１０２のゲート電極は、行ライン又はゲート接続ラインとしての長手状導電体により行毎に共通接続され、このゲート接続ラインは表示画面の水平方向に延びパネル１００の外縁側の領域、本例では画面の左端領域において上述したような端子１０Ｔを形成する。同様に、ＴＦＴ１０２のソース電極も、列ライン又はソース接続ラインとしての長手状導電体により列毎に共通接続され、このソース接続ラインは表示画面の垂直方向に延びパネル１００の外縁側の領域、本例ではこれも画面の左端領域において上述したような端子１０Ｔを形成する。

この液晶パネル１００に対し、ＴＡＢ用のＩＣ搭載フィルム基板５０が取り付けられる。フィルム基板５０には、ソース接続ラインに適切な画素情報信号を供給するための列駆動回路としてのいわゆるソースドライバ用ＩＣチップ５１と、ゲート接続ラインに適切なゲート制御信号を供給するための行駆動回路としてのいわゆるゲートドライバ用ＩＣチップ５２とが、当該液晶表示装置の周辺回路として設けられている。フィルム基板５０にはまた、これらＩＣチップ５１，５２の端子とそれぞれ結合された導電体パターンが形成されており、これら導電体パターンは、液晶パネル１００の端子１０Ｔと電気的接続をなすように当該フィルム基板の外縁側、本例では右端領域において上述したような周辺回路端子４０を形成する。

液晶パネル１００側の端子１０Ｔとフィルム基板５０側の端子４０とは、そのどちらかにＡＣＦ６０を貼り付けられた後に、図２及び図５に示されるように位置合わせされ、熱圧着され、上述したような当該ＡＣＦ中の導電粒子に基づいた電気的接続がなされる。

図６は、上記画素電極１０１及びＴＦＴ１０２の構成要素と端子構造体との関係を示している。

図６において、ＴＦＴ１０２は、基板８上に形成されたソース及びドレイン電極７１及び７２とこの両者に接触しかつ跨る形で形成された半導体層７３とを有する。ソース電極７１は、透明導電膜７ｔとこれに積層する金属膜７ｍとによって構成されている。半導体層７３は、ゲート絶縁膜７４によって覆われ、この上にゲート電極７５が積層する。そしてこれら構成要素７１〜７５全体を覆うように保護層としての電気的絶縁層７６が形成されている。ドレイン電極７２は、さらに外部に延在して画素電極１０１を形成している。透明導電膜７ｔと、ドレイン電極７２（画素電極１０１）は、同一の材料で同時にパターン形成される。

ここで注記すべきは、ソース電極７１を構成する透明導電膜７ｔと金属膜７ｍは、それぞれ先述した端子構造体における透明導電層１０と金属層２０と同時にパターン形成され、さらにゲート絶縁膜７４も、上記絶縁層３０と同時にパターン形成される点である。このような形態により、透明導電層１０，絶縁層３０及び／又は金属層２０のための付加的な工程を伴うことなく、当該電子装置の主たる構成部としてのＴＦＴ１０２と同じ工程により当該透明導電層，絶縁層及び／又は金属層を形成することができるので、製造工程の簡素化ひいては製造及び製品コストの低減に寄与することとなる。

図６は、金属層２０と絶縁層３０が別のパターン形成工程で行われた例を示しているが、これらの層は、同時にパターン形成される場合もある。その場合、図７に示されるように、金属層２０の側面２１が露出することになるので、腐蝕防止の万全を期す上では好ましくない。そこで、これも図７に示されるように、例えばＴＦＴ１０２のゲート絶縁膜７４を端子用の第１絶縁層３ａとし、同ゲート保護層７６を端子用の第２絶縁層３ｂとし、これら第１及び第２絶縁層３ａ，３ｂによって金属層２０の全体を被覆する絶縁層３０としている。この例においても、両絶縁層がＴＦＴ１０２に用いられる絶縁膜と同一の層で形成されるので、同様の工程の簡素化が図られる。

次に、本発明による他の実施例について説明する。

図８は、かかる実施例による電子装置の端子の平面構造を示し、図９は、図８に示される構造をＩＸ−ＩＸ線に沿って破断したときに得られる同端子の断面を示している。

本実施例において先の実施例と異なる点は、図１から明らかなように、金属層２０が結合領域１１を一周し取り囲むパターンを有するのではなく、結合領域１１のうち、端子１０Ｔの配列方向（図８の左右方向）に略平行に延びる１つの縁部１１ａと当該配列方向に略直角に延びる１つの縁部１１ｃの近傍に、本例ではこれら縁部に沿って延在している。

このようにすることにより、金属層２０は、端子領域においていわば片側にしか延在せずその占める面積が小さくなるので、結合領域１１の面積を変えなくとも端子領域を小さくすることが可能となる。よって、端子間距離を短くすることができ、多数の端子を小領域に形成し配列しなければならない電子装置に極めて好適となる。

図１０は、この実施例による導電パスの様子を示したものであり、図３と同様の表記の仕方で表している。図１０から推察することができるように、結合領域１１を取り巻く金属層２０の部分が半減したとしても、導電パスのばらつきはそれ相応に抑制される。

なお、図８及び図９に示される金属層２０の端子領域における引き回し方は、結合領域の水平エッジ１１ａと垂直エッジ１１ｃとの双方に沿ったものであるが、どちらか一方のエッジに沿った形態としても、本発明特有の効果を奏し得る。図１１は、垂直エッジ１１ｃにだけ沿って金属層２０を形成した場合の例を図１０に倣った形で示している。図１１から直感的に分かるように、本例ではさらに端子間ピッチを小さくすることができるとともに、導電パスのばらつきも一層小さくなる。

図１２は、水平エッジ１１ａにだけ沿って金属層２０を形成した場合の例を同じく図１０に倣った形で示している。本例では、金属層２０は、透明導電層１０の端子１０Ｔの領域の直前まで延在する形を採っている。このような形態においても、図７を参照して説明したような第２絶縁層による金属層２０の確実な保護が実現可能であるとともに、特に端子密度を上げるための方策として有効である。

なお、図１１の例からも分かるように、結合領域１１は、必ずしも透明導電層１０の端子１０Ｔの領域の略中心に配されるようにしなくともよいし、平面図上、四角以外の形状を採用することも可能であることは勿論である。また、結合領域１１が平面図において少なくとも１つの直線状縁部（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を含む形状に形成され、金属層２０が透明導電層１０の端子１０Ｔの領域において当該直線状縁部に沿って形成される構成は、長手状の透明導電層１０の端子領域を効率的に使用することのできるメリットを享受することが可能となる。

なお、これまで説明した例は、金属層２０が端子領域内に入り込んで延在する形態を採っているが、絶縁層３０，３ａ，３ｂにより金属層２０の全体を被覆し当該金属層２０の腐蝕防止が完全となる点では、必ずしも金属層２０が端子領域に入り込む必要はない。また、上記実施例においては、金属層２０の下層に配される層が透明導電層１０であるとして説明したが、この層は必ずしも透明である必要はなく、適用される電子装置に適したものであって金属層２０よりも耐酸化性が高いものであれば、いかなる物性の層でもよい。

以上、本発明による代表的実施例の幾つかを説明したが、当業者であれば、請求の範囲に記載の発明の範囲に逸脱することなく、これら実施例を必要に応じて種々改変することができる。

本発明は、周辺回路との接続をなす配線端子を具備する電子装置に適用することができる。

図１は、本発明の一実施例による電子装置の端子の構造を示す概略的平面図である。 図２は、図１に示される構造をＩＩ−ＩＩ線に沿って破断したときに得られる同端子の概略的断面図である。 図３は、図１及び図２に示される端子構造において呈される導電パスの態様を示す模式図である。 図４は、図３の態様と対比して説明するための比較例を示す模式図である。 図５は、本発明の実施例が適用される液晶表示装置における液晶パネルとＴＡＢ用フィルム基板との組み合わせ態様を示す平面図である。 図６は、液晶表示装置に本発明を適用した場合における画素ユニットと端子構造体との関係を示す概略的断面図である。 図７は、液晶表示装置に本発明を適用した場合における画素ユニットと端子構造体との他の関係を示す概略的断面図である。 図８は、本発明の他の実施例による電子装置の端子の構造を示す概略的平面図である。 図９は、図８に示される構造をＩＸ−ＩＸ線に沿って破断したときに得られる同端子の概略的断面図である。 図１０は、図８及び図９に示される端子構造において呈される導電パスの態様を示す模式図である。 図１１は、改変例による端子構造及びこれにより呈される導電パスの態様を示す模式図である。 図１２は、他の改変例による端子構造及びこれにより呈される導電パスの態様を示す模式図である。

Claims (7)

1. 基板に支持される導電層と、前記導電層上に延在し前記導電層よりも抵抗率の低い材質の金属層とを有し、前記導電層は、前記金属層よりも耐酸化性が高く、周辺回路と接続するための端子を形成する、電子装置であって、
   前記金属層は、前記導電層の端子外の延在部上、及び／又は前記導電層の端子の領域内において前記導電層を外部へ露出させるべき結合領域の周辺又は近傍に延在し、
   前記導電層の端子の少なくとも一部及び前記金属層全体を被覆し前記導電層の端子の領域内において前記結合領域を除く領域に延在する電気的絶縁層が設けられている、
   電子装置。
2. 基板に支持される導電層と、前記導電層上に延在し前記導電層よりも抵抗率の低い材質の金属層とを有し、前記導電層は、前記金属層よりも耐酸化性が高く、周辺回路と接続するための端子を形成する、電子装置であって、
   前記金属層は、前記導電層の端子の領域内において前記導電層を外部へ露出させるべき結合領域の、専ら前記端子の配列方向に略平行に延びる１つの縁部及び／又は前記配列方向に略直角に延びる１つの縁部の近傍又はこれに沿って延在し、
   前記導電層の端子の少なくとも一部及び前記金属層の少なくとも主要部を被覆し前記導電層の端子の領域内において前記結合領域を除く領域に延在する電気的絶縁層が設けられている、
   電子装置。
3. 請求項１又は２に記載の電子装置であって、前記導電層は、前記結合領域において異方性導電膜を介し周辺回路の端子と接続される、電子装置。
4. 請求項１に記載の電子装置であって、前記金属層は、前記導電層の端子の領域において前記結合領域を取り囲むように形成される、電子装置。
5. 請求項１ないし４のうちいずれか１つに記載の電子装置であって、前記結合領域は、平面図上少なくとも１つの直線状縁部を含む形状に形成され、前記金属層は、前記導電層の端子の領域において前記直線状縁部に沿って形成される、電子装置。
6. 請求項１ないし５のうちいずれか１つに記載の電子装置であって、前記絶縁層は、前記金属層と同時にパターン化され前記金属層上に積層する第１の絶縁層と、パターン化されたこの第１の絶縁層の少なくとも一部及び前記金属層の側面を被覆する第２の絶縁層とを含む、電子装置。
7. 請求項１ないし６のうちいずれか１つに記載の電子装置であって、前記導電層、前記金属層及び／又は前記絶縁層は、当該電子装置に形成される表示エレメント又は駆動素子に用いられる導電膜、金属膜及び／又は絶縁膜とそれぞれ同一の層である、電子装置。

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