JP5257154B2 - 電子装置、電気光学装置および基板の接続構造 - Google Patents

電子装置、電気光学装置および基板の接続構造 Download PDF

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本発明は、電子装置、電気光学装置および基板の接続構造に関する。
配線が形成された基板同士が接続されてなる電子装置が従来から知られている(例えば特許文献1)。図8は、特許文献1に開示された液晶装置の断面図である。図8に示すように、特許文献1に開示された液晶装置は、液晶パネル530と、フレキシブルプリント基板316とを有する。液晶パネル530は、液晶用パネル531と、ガラス基板535とを有する。ガラス基板535は、その周縁に塗布されたシール剤536を介して液晶用パネル531と貼り合わせられ、両者の間には液晶537が封入される。液晶用パネル531は、半導体基板301と、半導体基板301の表面に形成された第1層間絶縁膜304と、第1層間絶縁膜304上に形成された導電層313とを有する。
また、フレキシブルプリント基板316は、可撓性基材317と、可撓性基材317の一方の面に形成された配線318と、配線318の第1部分A1を覆う金属層319と、配線318の第2部分A2を覆う絶縁層320とを有する。そして、フレキシブルプリント基板316は、基板316の垂直方向から見て、金属層319が液晶用パネル531の表面に重なるように配置され、金属層319は異方性導電膜315を介して導電層313と接続される。なお、フレキシブルプリント基板316には画像データを出力する回路が実装され(図示省略)、当該回路から出力される画像データは、配線318(金属層319)を介して導電層313へ供給される。
特開2000−66241号公報
図8に示すように、特許文献1に開示された液晶装置においては、半導体基板301の表面のうち第1層間絶縁層304の周縁から張り出した縁領域Bは、金属層319と対向している。そうすると、異方性導電膜315を用いて液晶用パネル531とフレキシブルプリント基板316とを接続するときに、縁領域Bと金属層319との間にも異方性導電膜315が入り込んで両者が導通(ショート)してしまう。これにより、金属層319の電位が所望の値からずれてしまい、表示不良などを引き起こすという問題があった。
以上の事情に鑑みて、本発明は、一方の基板に形成された配線が他方の基板に形成された配線以外の導電体と導通することを防止するという課題の解決を目的としている。
以上の課題を解決するために、本発明に係る電子装置は、基材(例えば図2に示す基材32)と、基材の一方の面に形成された第1配線(例えば図2に示す配線34)と、第1配線の第1部分を覆う金属層と、第1配線の第1部分とは異なる第2部分を覆う第1絶縁層(例えば図2に示すソルダーレジスト38)とを含む第1基板(例えば図2に示すフレキシブルプリント基板30)と、導電性を有する導電性基材と、導電性基材の表面に形成される第2絶縁層(例えば図2に示す絶縁層24)と、第2絶縁層上に形成される第2配線(例えば図2に示す信号線25)と、を含む第2基板(例えば液晶パネル20)と、を備え、第1基板は、金属層が第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、第1絶縁層が、導電性基材の表面のうち第2絶縁層の周縁から張り出した縁領域(例えば図2に示すB)と対向するように配置される。より具体的には、第1部分は第1配線の長手方向に沿って所定の長さだけ延び、第2部分は第1部分に連続して長手方向に延びる。
以上の課題を解決するために、本発明に係る電子装置は、基材と、前記基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有する第1の基板と、半導体基材と、前記半導体基材上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた第2の配線と、を有する第2の基板と、を備え、前記第1の基板と前記第2の基板との間には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記第2の配線との間に設けられ、前記金属層と前記第2の配線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記第2の配線との間、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間および前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間に設けられていることを特徴とする。
この態様においては、第1基板は、金属層が第2基板の第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、絶縁層が第2基板の縁領域に対向するように配置されるから、金属層と縁領域とが導通(ショート)することを抑制できる。すなわち、第1基板の第1配線(金属層)が、第2基板の第2配線以外の導電体と導通することを抑制できるという利点がある。
また、第1基板の第1絶縁層は、第2基板の第2絶縁層と重なる部分を有することが好適である。この態様によれば、第1基板の第1絶縁層は縁領域だけではなくて、第2絶縁層にも重なるから、金属層と縁領域とが導通することを一層抑制できるという利点がある。
本発明に係る電子装置において、金属層の表面(例えば図2に示す表面37)は第1絶縁層の表面(例えば図2に示す表面38)と連続して平坦な面になっていることが好適である。この態様においては、金属層の表面が第1絶縁層の表面よりも低いという構成に比べて、金属層の表面と第2配線との間の距離が小さいから、両者の間に介在する導電粒子が十分に潰れた状態となる。したがって、金属層と第2配線との導通を良好な状態にできるという利点がある。
また、前記金属層の厚みは、前記第1の絶縁層の厚みよりも大きいという態様とすることもできる。
また、金属層の表面が、第1絶縁層の表面よりも高い位置にあるという態様とすることもできる。この態様によれば、金属層の表面が第1絶縁層の表面と連続して平坦な面になっているという構成や、金属層の表面が第1絶縁層の表面よりも低いという構成に比べて、金属層の表面と第2配線との間の距離が小さいから、金属層と第2配線との導通を良好な状態にできるという利点がある。
さらに、前記金属層は、前記第1の絶縁層と平面視で重なる部分を有することが好適である。
さらに、金属層は第1絶縁層の表面に位置する部分(例えば図4に示すオーバラップ部分r)を有することが好適である。この態様によれば、金属層の形成時に金属層と第1絶縁層との間に隙間が生じるのを抑制できるという利点がある。
また、本発明に係る電子装置は、基材と、基材の一方の面に形成された第1配線と、第1配線の第1部分を覆う金属層と、第1配線の前記第1部分とは異なる第2部分を覆う絶縁層とを含む第1基板と、絶縁性基材(例えば図6に示す絶縁性基材61)と、絶縁性基板の表面に形成される第2配線(例えば図6に示す信号線25)と、絶縁性基材の表面のうち第2配線の端部から絶縁性基材の周縁へ張り出した縁領域(例えば図6に示すC)に形成された導電材とを含む第2基板と、を備え、第1基板は、金属層が第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、絶縁層が導電材と対向するように配置されるという態様とすることもできる。
この態様においては、第1基板は、金属層が第2基板の第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、絶縁層が第2基板の縁領域に形成された導電材と対向するように配置されるから、金属層と導電材とが導通することを抑制できる。すなわち、第1基板の第1配線(金属層)が、第2基板の第2配線以外の部分と導通することを抑制できるという利点がある。
また、本発明に係る電子装置は、基材と、前記基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有する第1の基板と、半導体基材と、前記半導体基材上の第3の層に設けられた第2の配線と、前記半導体基材上の前記第3の層に設けられた導電材と、を有する第2の基板と、を備え、前記第1の基板と前記第2の基板との間には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記第2の配線との間に設けられ、前記金属層と前記第2の配線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記第2の配線との間、前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間および前記第1の絶縁層と前記導電材との間に設けられており、前記第2の配線と前記導電材とは互いに離間して設けられているという態様とすることもできる。
また、本発明に係る電子装置は、基材と、基材の一方の面に形成された第1配線と、第1配線の第1部分を覆う金属層と、第1配線の前記第1部分とは異なる第2部分を覆う絶縁層とを含む第1基板と、導電性を有する導電性基材と、導電性基材の表面に形成される第2配線と、導電性基材の表面のうち第2配線の端部から張り出した縁領域に形成された導電材とを含む第2基板と、を備え、第1基板は、金属層が第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、絶縁層が導電材と対向するように配置されるという態様とすることもできる。
また、本発明は、電気光学装置の発明として捉えることもできる。本発明に係る電気光学装置は、可撓性基材と、前記可撓性基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有するフレキシブルプリント基板と、半導体基材と、前記半導体基材上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた電気光学素子と、前記第2の絶縁層上に設けられ、前記電気光学素子に信号を供給する信号線と、を有するパネルと、を備え、前記フレキシブルプリント基板と前記パネルとの間には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記信号線との間に設けられ、前記金属層と前記信号線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記信号線との間、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間および前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間に設けられていることを特徴とする。
また、本発明は、電気光学装置の発明として捉えることもできる。本発明に係る電気光学装置は、導電性基材の表面に形成される第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成される電気光学素子と、第1絶縁層上に形成されるとともに電気光学素子の駆動に用いられる信号が供給される信号線と、を含むパネル(例えば図2に示す液晶パネル20)と、可撓性の基材と、基材の一方の面に形成された配線と、配線の第1部分を覆う金属層と、配線の第1部分とは異なる第2部分を覆う第2絶縁層とを含むフレキシブルプリント基板とを備え、フレキシブルプリント基板は、金属層が信号線と対向して当該信号線に接続されるとともに、第2絶縁層が、導電性基材の表面のうち第1絶縁層の周縁から張り出した縁領域と対向するように配置される。
さらに、本発明は、基板の接続構造の発明として捉えることもできる。本発明に係る基板の接続構造は、基材と、前記基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有する第1の基板と、半導体基材と、前記半導体基材上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた第2の配線と、を有する第2の基板と、を備え、前記第1の基板と前記第2の基板との間には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記第2の配線との間に設けられ、前記金属層と前記第2の配線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記第2の配線との間、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間および前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間に設けられている。
さらに、本発明は、基板の接続構造の発明として捉えることもできる。本発明に係る基板の接続構造は、基材と、基材の一方の面に形成された第1配線と、第1配線の面上の領域のうち長手方向に沿って所定の長さだけ延びる第1領域を覆う金属層と、第1領域に連続して長手方向に延びる第2領域を覆う第1絶縁層とを含む第1基板が、導電性を有する導電性基材と、導電性基材の表面に形成される第2絶縁層と、第2絶縁層上に形成される第2配線とを含む第2基板に対して、金属層が第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、第1絶縁層が、導電性基材の表面のうち第2絶縁層の周縁から張り出した縁領域と対向するように配置される。
本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 同実施形態に係る電気光学装置の断面図である。 同実施形態に係るフレキシブルプリント基板の平面図である。 対比例の断面図である。 本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の断面図である。 同実施形態に係るフレキシブルプリント基板の平面図である。 本発明の変形例に係る電気光学装置の断面図である。 従来の液晶装置の断面図である。
<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置10の平面図である。図2は、図1のD−D線の断面図である。図3は、本実施形態に係るフレキシブルプリント基板30の平面図である。本実施形態に係る電気光学装置10は、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であり、表示パネル20と、フレキシブルプリント基板30とを備える。
表示パネル20は、導電性基材21と、導電性基材21に対向して配置される対向基材22とを有する。対向基材22は、その周縁に塗布されたシール剤23を介して導電性基材21と貼り合わせられ、両者の間には液晶Lqが封入される。対向基材22における導電性基材21との対向面には、各電気光学素子Pに共通な共通電極が形成される。導電性基材21における対向基材22との対向面には、各電気光学素子Pの画素電極、薄膜トランジスタ、信号線25などが形成される。本実施形態では、各電気光学素子Pは、画素電極および共通電極と、両者間に介在する液晶Lqとで構成される。導電性基材21の表面のうち対向基材22の周縁から張り出した領域にはフレキシブルプリント基板30が配置される。
導電性基材21は、導電性を有する材料で形成される。本実施形態では、導電性基材21はシリコンなどの半導体材料で形成される。導電性基材21の表面には絶縁層24が形成され、絶縁層24上には複数の信号線25が形成される。各信号線25は導電性基材21の周縁Fへ向かって延びる。
絶縁層24や信号線25が形成された導電性基板21を切り出して液晶パネル20を形成する際に絶縁層24の剥離や損傷が発生することを防止するという観点から、図2に示すように、絶縁層24の周縁Eは導電性基板21の周縁FよりもY方向の負側に位置する。導電性基材21の表面のうち絶縁層24の周縁Eから張り出した領域(絶縁層24の周縁Eと導電性基材21の周縁Fとの間の領域)を「縁領域B」と呼ぶ。また、絶縁層24の周縁Eは信号線25の端部GよりもY方向の正側(導電性基材21の周縁F側)に位置する。
図2および図3に示すように、フレキシブルプリント基板30は、基材32と、基材32の一方の面33に形成された複数の配線34とを備える。基材32は、ポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマーなどの可撓性を有する材料からなる。本実施形態では、基材32はポリイミドで形成され、その厚み(図2のZ方向の大きさ)は18μm〜50μmの範囲に設定される。各配線34は、導電性を有する材料からなる。本実施形態では、各配線34は銅で形成され、その厚みは9μm〜25μmの範囲に設定される。
各配線34は、当該配線の端部Hから長手方向に沿って所定の長さだけ延びる第1部分A1と、第1部分A1に連続して長手方向に沿って延びる第2部分A2とを有する。図3に示すように、各配線34の第1部分A1は、各々に対応する金属層(メッキ)36で覆われる一方、各配線34の第2部分A2は、各配線34の第2部分A2にわたって連続して形成されるソルダーレジスト38で覆われる。金属層36は、金、錫、銅などから形成され、ソルダーレジスト38は、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂などから形成される。
また、図2に示すように、金属層36の表面37とソルダーレジスト38の表面39とは連続して平坦な面になっている。より具体的には、配線34の表面35から金属層の表面37までの金属層36の厚みt1(Z方向の大きさ)は、配線34の表面35からソルダーレジスト38の表面39までの厚みt2と同じであり、5μm〜10μmの範囲に設定される。
図2に示すように、フレキシブルプリント基板30は、金属層36が信号線25と対向して当該信号線25に接続されるとともに、ソルダーレジスト38が導電性基材21の縁領域Bと対向するように配置される。金属層36と信号線25との間には異方向導電膜40が介在して両者を接続している。異方性導電膜40とは、ニッケルや半田などの導電粒子を接着性のある樹脂に混ぜて作られる接着剤である。
また、図1および図2に示すように、ソルダーレジスト38は、導電性基材21の縁領域Bだけでなく、絶縁層24とも重なるように配置されている。より具体的には、図2に示すように、ソルダーレジスト38の表面39のうち導電性基材21と重なる領域は、導電性基材21の縁領域Bと対向する部分と、導電性基材21の表面に形成された絶縁層24の周縁Eを覆う部分とを有する。さらに、本実施形態では、ソルダーレジスト38の表面39のうち導電性基材21と重なる領域は、信号線25の端部Gを覆う部分も有している。ただし、ソルダーレジスト38の表面39のうち導電性基材21と重なる領域は、信号線25と重ならないという態様とすることもできる。
別の見方をすれば、図2に示すように、ソルダーレジスト38の金属層36側の周縁Iは、導電性基材21の周縁FよりもY方向の負側に位置する。より具体的には、ソルダーレジスト38の周縁Iは、絶縁層24の周縁EよりもY方向の負側に位置する。さらに言えば、ソルダーレジスト38の周縁Iは、信号線25の端部GよりもY方向の負側に位置するという具合である。
以上より、フレキシブルプリント基板30の配線34は金属層36を介して液晶パネル20の信号線25と接続される。本実施形態では、フレキシブルプリント基板30には、各電気光学素子Pを駆動するための駆動用信号(例えば各電気光学素子Pを選択するための選択信号、各電気光学素子Pの階調を指定するためのデータ信号など)を出力する駆動回路が実装されている(図示省略)。そして、駆動回路から出力された駆動用信号は、配線34および金属層36を介して信号線25へ供給される。
以上に説明したように、本実施形態においては、フレキシブルプリント基板30は、金属層36が導電性基材21の信号線25と対向して当該信号線25に接続されるとともに、ソルダーレジスト38が導電性基材21の縁領域Bに対向するように配置されるから、金属層36と縁領域Bとが異方導電膜40を介して導通することを抑制できる。すなわち、フレキシブルプリント基板30の配線34(金属層36)が、液晶パネル20の信号線25以外の導電体と導通することを抑制できるから、駆動用信号が供給される配線34(金属層36)の電位が所望の値からずれて表示不良などを引き起こすことを抑制できる。
また、本実施形態においては、ソルダーレジスト38は、導電性基材21の縁領域Bだけでなく、導電性基材21の絶縁層24とも対向するから、フレキシブルプリント基板30の金属層36は、基板の垂直方向から見て導電性基材21の縁領域Bとは全く重ならない。したがって、金属層36と縁領域Bとが異方性導電膜40を介して導通することを確実に防止できる。
さらに、本実施形態では、金属層36の表面37とソルダーレジスト38の表面39とは連続して平坦な面になっているから、金属層36の表面37がソルダーレジスト38の表面39よりも低い(つまり、図2の金属層36の厚みt1が、ソルダーレジスト38の厚みt2よりも小さい)という態様に比べて、金属層36の表面37と信号線25との間の距離が小さい。このため、金属層36と信号線25との間に介在する導電粒子が十分に潰れた状態となり、両者の導通が良好な状態になるという利点がある。すなわち、本実施形態によれば、金属層36と導電性基材21の縁領域Bとが導通するのを防止すること、および、金属層36と信号線25との間の導通を良好な状態にすることの両方を達成できる。
図4は、対比例の断面図である。対比例において、フレキシブルプリント基板は、配線34の第1部分A1が導電性基材21の表面に重なる一方、配線の第2部分A2が導電性基材21の表面に重ならないように配置される。また、配線の第1部分A1には信号線25と接続するためのバンプ(突起状の球状電極)42が形成され、第1部分A1およびバンプ42は金属層36で覆われている。そして、バンプ42の上面と信号線25との間には異方性導電膜40が介在して両者を電気的に接続している。図4の態様では、導電性基材21の縁領域Bは金属層36と対向するものの、縁領域Bと金属層36との間の距離dは、バンプ42の突出面と信号線25との間の距離に比べて十分に大きいから、縁領域Bと金属層36とが異方性導電膜40を介して導通することを図8の構成に比べて抑制できる。したがって、図4の態様によれば、フレキシブルプリント基板30の配線34が導電性基材21の縁領域Bと導通することを図8の構成に比べて抑制できる。
しかしながら、対比例においては、フレキシブルプリント基板の導電性基材21に対する傾きや歪みによって、導電性基材21の縁領域Bと、それに対向する金属層36との間の距離が小さくなり、両者が異方性導電膜40を介して導通してしまうおそれがある。これに対して、本実施形態では、フレキシブルプリント基板は、金属層36が導電性基材21の信号線25と対向して当該信号線25に接続されるとともに、ソルダーレジスト38が導電性基材21の縁領域Bに対向するように配置されるから、フレキシブルプリント基板の導電性基材21に対する傾きや歪みが発生した場合にも、フレキシブルプリント基板の金属層36と導電性基材21の縁領域Bとが導通することを対比例に比べて抑制できるという利点がある。
<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置10について説明する。図5は、第2実施形態に係る電気光学装置10の断面図(図2に対応)である。図6は、第2実施形態に係るフレキシブルプリント基板30の平面図(図3に対応)である。図5に示すように、フレキシブルプリント基板30の金属層36の表面37は、ソルダーレジスト38の表面39よりも高い位置にある。より具体的には、配線34の表面35から金属層の表面37までの金属層36の厚みt1は、配線34の表面35からソルダーレジスト38の表面39までの厚みt2よりも大きい。このため、金属層36の表面37と信号線25との間の距離が第1実施形態に比べて小さいから、両者の間に介在する導電粒子はさらに潰れた状態となる。したがって、金属層36と信号線25との導通を第1実施形態に比べて良好な状態にできるという利点がある。
また、金属層36はソルダーレジスト38の表面39に重なる部分rを有する。すなわち、金属層36はソルダーレジスト38とオーバラップするように形成される。これにより、金属層36の形成時において、金属層36とソルダーレジスト38との間に隙間が発生することを抑制できるという利点がある。また、本実施形態では、金属層36のうちソルダーレジスト38とオーバラップする部分rは、導電性基材21の絶縁層24に重なるものの、導電性基材21の縁領域Bとは重ならないから、金属層36と縁領域Bとが異方性導電膜40を介して導通することを確実に防止できる。以上の点が第1実施形態と異なる。その他の構成は第1実施形態と同じであるから、重複する部分については説明を省略する。
<C:変形例>
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
(1)変形例1
上述の各実施形態では、フレキシブルプリント基板30が表示パネル20に接続される電気光学装置10を例示しているが、これに限らず、本発明の形態としては、基材に形成された第1配線の第1部分を覆う金属層と第1配線の第2部分を覆う第1絶縁層とを含む第1基板と、導電性基材の表面に形成される第2絶縁層上に形成される第2配線を有する第2基板と、を備え、第1基板は、金属層が第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、第1絶縁層が、導電性基材の表面のうち第2絶縁層の周縁から張り出した縁領域と対向するように配置されるという構成を有する電子装置であればよい。すなわち、「第1基板」はフレキシブルプリント基板30に限定されるものではなく、例えばリジッドな配線基板(いわゆるPCB(Printed Circuit Board))であってもよい。同様に、「第2基板」は液晶パネル20に限定されるものではなく、配線基板であってもよい。
(2)変形例2
図7は、本発明の変形例に係る電気光学装置10の断面図(図2に対応)である。図7の態様では、導電性基材21の代わりに、絶縁性の材料で形成される絶縁性基材51が設けられ、当該絶縁性基材51の表面には信号線25が直接形成される。さらに、絶縁性基材51の表面のうち信号線25の端部Gから絶縁性基材51の周縁Jへ張り出した縁領域Cには、導電材(例えば信号線25とは別の配線やガードリング用の電極など)60が形成される。そして、フレキシブルプリント基板30は、金属層36が信号線25と対向して当該信号線25に接続されるとともに、ソルダーレジスト38が導電材60と対向するように配置される。以上の点が第1実施形態と異なり、その他の構成は第1実施形態と同じである。
図7の態様においては、フレキシブルプリント基板30は、金属層36が絶縁性基材51の信号線25と対向して当該信号線25に接続されるとともに、ソルダーレジスト38が絶縁性基材51の縁領域Cに形成された導電材60に対向するように配置されるから、金属層36と導電材60とが異方性導電膜40を介して導通することを抑制できる。すなわち、上述の各実施形態と同様に、フレキシブルプリント基板30の配線34(金属層36)が、液晶パネル20の信号線25以外の導電体と導通することを抑制できる。
なお、図7の態様において、絶縁性基材51の代わりに、導電性基材21を用いてもよい。例えばシリコンなどの半導体からなる導電性基材21の表面に形成された酸化膜上に信号線25を直接形成し、導電性基材21の表面(酸化膜)のうち信号線25の端部Gから導電性基材21の周縁へ張り出した縁領域に前述の導電材60が形成されるという態様とすることもできる。
図7の態様では、フレキシブルプリント基板30が表示パネル20に接続される電気光学装置10を例示しているが、これに限らず、本発明の形態としては、基材に形成された第1配線の第1部分を覆う金属層と第1配線の第2部分を覆う絶縁層とを含む第1基板と、絶縁性基材の表面に形成される第2配線、および、絶縁性基材の表面のうち第2配線の端部から絶縁性基材の周縁へ張り出した縁領域に形成された導電材を含む第2基板と、を備え、第1基板は、金属層が第2配線と対向して当該第2配線に接続されるとともに、絶縁層が導電材と対向するように配置されるという構成を有する電子装置であればよい。すなわち、「第1基板」はフレキシブルプリント基板に限定されるものではなく、例えばリジッドな配線基板(いわゆるPCB(Printed Circuit Board))であってもよい。同様に、「第2基板」は液晶パネルに限定されるものではなく、配線基板であってもよい。
(3)変形例3
上述の各実施形態では、配線の表面35から金属層の表面37までの金属層36の厚みt1が、配線の表面35からソルダーレジスト38の表面39までの厚みt2以上である態様が例示されているが、これに限らず、金属層36の厚みt1がソルダーレジスト38の厚みt2よりも小さいという態様とすることもできる。要するに、金属層36の厚みt1は、金属層36と信号線25との間に介在する導電粒子が十分に潰れて両者を導通させることができるものであればよい。
(4)変形例4
上述の各実施形態では、配線34の表面35において、金属層36とソルダーレジスト38とが連続するように形成される態様が例示されているが、これに限らず、金属層36とソルダーレジスト38とが離れて形成されるという態様とすることもできる。
(5)変形例5
上述の各実施形態では、駆動用信号を出力する駆動回路がフレキシブルプリント基板に実装される態様が例示されているが、例えば、駆動用信号を出力する駆動回路が表示パネル20上に実装(いわゆるCOG実装)されて、駆動回路に対して同期信号や階調データを出力する制御回路がフレキシブルプリント基板30に実装される態様とすることもできる。この態様においては、同期信号や階調データが、各電気光学素子Pの駆動に用いられる信号として信号線25に供給される。また、駆動回路や制御回路に対して電源電位を供給する電源回路がフレキシブルプリント基板30に実装される態様とすることもできる。この態様においては、電源電位が、各電気光学素子Pの駆動に用いられる信号として信号線25に供給される。
10……電気光学装置、20……表示パネル、21……導電性基材、22……対向基材、23……シール材、24……絶縁層、25……信号線、30……フレキシブルプリント基板、32……基材、34……配線、36……金属層、38……ソルダーレジスト、40……異方性導電膜、51……絶縁性基材、60……導電材、A1……第1部分、A2……第2部分、B,C……縁領域、Lq……液晶、P……電気光学素子、r……オーバラップ部分、t1……金属層の厚み、t2……ソルダーレジストの厚み。

Claims (6)

  1. 基材と、前記基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有する第1の基板と、
    半導体基材と、前記半導体基材上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた第2の配線と、を有する第2の基板と、を備え、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間には、導電性を有する導電膜が設けられており、
    前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記第2の配線との間に設けられ、前記金属層と前記第2の配線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、
    前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記第2の配線との間、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間および前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間に設けられていることを特徴とする電子装置。
  2. 前記金属層の厚みは、前記第1の絶縁層の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
  3. 前記金属層は、前記第1絶縁層と平面視で重なる部分を有することを特徴とする請求項2に記載の電子装置。
  4. 基材と、前記基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有する第1の基板と、
    半導体基材と、前記半導体基材上の第3の層に設けられた第2の配線と、前記半導体基材上の前記第3の層に設けられた導電材と、を有する第2の基板と、を備え、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間には、導電性を有する導電膜が設けられており、
    前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記第2の配線との間に設けられ、前記金属層と前記第2の配線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、
    前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記第2の配線との間、前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間および前記第1の絶縁層と前記導電材との間に設けられており、
    前記第2の配線と前記導電材とは互いに離間して設けられていることを特徴とする電子装置。
  5. 可撓性基材と、前記可撓性基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有するフレキシブルプリント基板と、
    半導体基材と、前記半導体基材上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた電気光学素子と、前記第2の絶縁層上に設けられ、前記電気光学素子に信号を供給する信号線と、を有するパネルと、を備え、
    前記フレキシブルプリント基板と前記パネルとの間には、導電性を有する導電膜が設けられており、
    前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記信号線との間に設けられ、前記金属層と前記信号線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、
    前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記信号線との間、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間および前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
  6. 基材と、前記基材上の第1の層に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上であって前記第1の層上の第2の層の第1の領域に設けられた金属層と、前記第2の層の前記第1の領域とは異なる第2の領域に設けられた第1の絶縁層と、を有する第1の基板と、
    半導体基材と、前記半導体基材上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた第2の配線と、を有する第2の基板と、を備え、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間には、導電性を有する導電膜が設けられており、
    前記第1の領域において、前記導電膜は、前記金属層と前記第2の配線との間に設けられ、前記金属層と前記第2の配線とは前記導電膜によって電気的に接続されており、
    前記第2の領域において、前記導電膜は、前記第1の絶縁層と前記第2の配線との間、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間および前記第1の絶縁層と前記半導体基材との間に設けられていることを特徴とする基板の接続構造。
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