JP2000216507A - 配線基板及び単位配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ブレーク法により単位配線基板に分割される配
線基板に於いて、異形に分割されることを防止し、ブレ
ーク不良を防ぎ、分割溝入れのときメッキ用引き出し配
線の断線を防止し、工程を単純化することで歩留り率を
上げる。 【構成】メッキ用引き出し配線が、単位配線基板の枠部
分に形成された導通孔を経由して、該枠部分の厚さ方向
の略中央部を通り上記境界線を横断して電解メッキ用共
通電極に接続されることにより、該配線基板から複数の
単位配線基板を製造する工程において、該配線基板の上
下各両側から分割溝を形成する時、該分割溝の深さのバ
ランスが著しく悪くなることを避けることで、異形に分
割されることを防止し、また、分割溝を入れる時点での
メッキ用引き出し配線の断線を防止することが可能であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、ハイ
ブリッドＩＣ、チップ抵抗、電子部品等を収納するため
のセラミックパッケージ等に使用される配線基板（単位
配線基板の集合体）及び配線基板を分割して製造される
単位配線基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣパッケージ等に使用され
るセラミック製の配線基板においては、多数の単位配線
基板を一度に製造（生産）できるようにするため、次の
ように製造されている。

【０００３】まず、配線層等のためのメタライズペース
トがスクリーン印刷されたセラミックグリーンシートを
積層、熱圧着して、図４に示すような複数の単位配線基
板１０５と、その外周の捨て代部分１０４とを含む未焼
成（生）の配線基板１０１を形成する。

【０００４】そして、これを焼成後に各単位配線基板１
０５相互の間、または単位配線基板１０５と捨て代部分
１０４との間の境界線１１２に沿って分割できるよう
に、刃物をプレスすることで分割溝１０３、１０３’を
入れる（図５）。

【０００５】この溝入れ後、未焼成の配線基板１０１を
焼成し、各単位配線基板１０５の配線に必要な電解メッ
キをかける。その後、境界線１１２に沿って切断（折り
取る）して分割し、多数の単位配線基板を得る（ブレー
ク法）。

【０００６】ブレーク法では、配線基板の表と裏の両面
から境界線に沿って分割溝を入れ、メッキ完了後にメッ
キを施工するために設けた枠部分を分割溝より折り取り
分離する。

【０００７】但し、本件発明の明細書で境界線とは、隣
接する単位配線基板相互の境界をなす仮想の線及び配線
基板と隣接する捨て代部分との境界をなす仮想の線をい
い、分割溝が入れられた後はこれらの他にその分割溝自
体も含むものとする。

【０００８】図５は配線基板１０１の部分断面図であ
る。単位配線基板１０５は、半導体素子を収納するため
のキャビティ１０６と、キャビティ１０６を囲む枠部分
１０７とからなり、少なくともキャビティ１０６の底面
には配線１０８が形成されている。これらの配線の中に
は、搭載される半導体素子間を接続するのみで単位配線
基板の外部端子に接続されない配線が形成されている。

【０００９】このような単位配線基板の外部端子に接続
されない配線にメッキをするためには、メッキ用引き出
し配線１０９を、配線基板１０１の外周に形成された捨
て代部分１０４を通して捨て代部分１０４に形成された
電解メッキ用共通電極１１１に引き出し、メッキする。

【００１０】メッキ後にブレーク法でメッキ用引き出し
配線１０９を切断すると同時に、配線基板１０１を個分
けすることにより多数の単位配線基板１０５を得る。

【００１１】つまり、独立した複数の配線回路をメッキ
用引き出し配線に導通させ、電解メッキ用共通電極に導
通して電解メッキを施工した後、この導通を切断して各
配線を電気的に独立させると同時に配線基板から複数の
単位配線基板を得る。

【００１２】以上のような、配線基板を分割することに
より多数の単位配線基板を得る製造方法及び配線基板
は、例えば、特公昭５８−４２６３９号公報や、特公昭
６０−５２５８８号公報により開示されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素
子、ハイブリッドＩＣ、チップ抵抗、電子部品等を収納
する配線基板では、一般的に、その高さをこれら半導体
素子等の収納部品の最も高い部分に合わせて設計されて
いる。また、特性上や最終製品の小型化等のため配線基
板の寸法の小型化も要求される。

【００１４】よって、近年、配線基板のキャビティの底
面を形成する底面部１１３の厚みは（図５参照）、配線
基板の強度を保つことが出来る最小の厚みが要求され、
非常に薄くなってきている。

【００１５】従来技術では、図５に示すようにメッキ用
引き出し配線層１０９が、キャビティの底面に形成され
た配線１０８と同一平面上に形成されていた。このた
め、このような配線基板では、以下のような問題点が生
じることがあった。

【００１６】すなわち、ブレーク法に於いて、配線基板
のキャビティ側から形成された分割溝１０３の深さと、
該キャビティの反対側から形成された分割溝１０３’の
深さを等しくした場合には、分割溝１０３’の深さに分
割溝１０３の深さを合わせる必要があり、分割溝１０
３、１０３’の深さの合計の、枠部分の厚さに対する比
率が小さくなり、ブレーク性が極めて悪くなる。

【００１７】また、キャビティの底面を形成する底面部
１１３の厚みが薄く、分割溝１０３の深さと比べて、分
割溝１０３’の深さが浅くなる場合には、配線基板の両
面側から形成された分割溝１０３、１０３’の深さのバ
ランスが著しく悪くなる。

【００１８】このように分割溝の深さのバランスが著し
く悪くなると、配線メッキ後に分割する際、ブレーク不
良を生じたり、異形に破断してしまったり、分割溝を入
れる時点で破断してしまう不具合が生じていた。さら
に、メッキ用引き出し配線は厚みが薄いため、また、平
面的（二次元的）に形成されていることから、分割溝入
れ工程時にこれを断線してしまうという不具合が生じて
いた。

【００１９】さらに、分割溝の深さは配線基板の厚さと
メッキ用引き出し配線の位置に応じてそれぞれ設定する
必要があり、製造工程が複雑化しているといった問題が
あった。つまり、分割溝入れ工程では、配線基板に応じ
てその分割溝の深さを変える必要があるため、この分割
溝入れ用のプレス刃の設定を配線基板に応じてその都度
変える必要があり、製造工程が複雑化していた。

【００２０】本発明の目的は、ブレーク法により単位配
線基板に分割される配線基板において、単位配線基板へ
の分割が異形になることを防止し、分割溝を入れる時点
でのメッキ用引き出し配線の断線を防止し、また、分割
溝入れ工程で配線基板に応じてその都度分割溝の深さを
変更する必要を無くし、製造工程を単純化することで歩
留り率を上昇させることにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記の手
段を講じることにより解決することが可能である。請求
項１に記載の発明は、電子部品を収納するためのキャビ
ティと該キャビティを囲む枠部分とからなる複数の単位
配線基板および外周に形成された捨て代部分から構成さ
れる配線基板であって、前記単位配線基板の少なくとも
キャビティの底面に形成された配線に電解メッキを施す
ためのメッキ用引き出し配線が、単位配線基板相互間お
よび単位配線基板と前記捨て代部分との間の境界線を避
けて前記枠部分に形成された導通孔を経由することによ
り、該境界線上に上下各両面から形成される分割溝の深
さより深い領域において、該分割溝を避けて該境界線を
横断するとともに、隣接する単位配線基板のメッキ用引
き出し配線に接続するように設置され、さらに、前記捨
て代部分に隣接する単位配線基板のメッキ用引き出し配
線が前記捨て代部分に形成された電解メッキ用共通電極
に接続されていることを特徴とする配線基板を要旨とす
る。

【００２２】請求項１の発明によれば、上記メッキ用引
き出し配線が単位配線基板の枠部分に形成された導通孔
を経由して、該枠部分の厚さ方向の中央部または略中央
部領域を通り上記境界線を横断し電解メッキ用共通電極
に接続される。これにより、該配線基板の上下各両側か
ら分割溝を形成するとき、該分割溝の深さのバランスが
著しく悪くなることを避け、この配線基板をブレーク法
で複数の単位配線基板に分割する際に、異形に分割され
ることを防止する。また、分割溝を入れる時点でのメッ
キ用引き出し配線の断線を防止することを実現する。

【００２３】更に、前記導通孔は枠部分に前記境界線を
避けて形成されているため、該配線基板を分割して単位
配線基板とした時に該導通孔が枠部分の側面に露出する
ことが無く、該単位配線基板外観を損うことなく導通孔
を形成しメッキ用引き出し配線を枠部分の厚さ方向の中
央部または略中央部領域に分割溝を避けて形成すること
が可能である。

【００２４】更に、両方の分割溝をバランス良く入れる
ことが可能なため、単位配線基板に分割後切断面にでき
るバリが少なく、バリ除去処理を円滑に行うことができ
る。

【００２５】請求項２に記載の発明は、電子部品を収納
するためのキャビティと該キャビティを囲む枠部分とか
らなる複数の単位配線基板および外周に形成された捨て
代部分から構成され、焼成後に、単位配線基板相互間の
境界線および単位配線基板とその外周の捨て代部分との
間の境界線に沿って分割することで複数の単位配線基板
となるように形成された未焼成の配線基板は、前記単位
配線基板の少なくともキャビティの底面に形成された配
線に電解メッキを施す為のメッキ用引き出し配線が、前
記境界線を避けて前記枠部分に形成された導通孔を経由
することにより、該境界線上に上下各両面から形成され
る分割溝の深さより深い領域において、該分割溝を避け
て該境界線を横断するとともに、隣接する単位配線基板
のメッキ用引き出し配線に接続するように設置され、さ
らに、前記捨て代部分に隣接する単位配線基板のメッキ
用引き出し配線が前記捨て代部分に形成された電解メッ
キ用共通電極に接続されていることを特徴とし、前記配
線基板から前記単位配線基板を得る単位配線基板の製造
方法であって、前記メッキ用引き出し配線と前記導通孔
とを形成する工程と、前記境界線に沿って上下各面側か
ら分割溝を形成する工程と、未焼成の前記配線基板を焼
成する工程と、前記メッキ用引き出し配線を通して、前
記電解メッキ用共通電極に通電することにより、前記配
線に電解メッキをかける工程と、前記分割溝に沿って単
位配線基板に分割する工程と、を含むことを特徴とする
単位配線基板の製造方法を要旨とする。

【００２６】請求項２の発明によれば、ブレーク法を用
いた単位配線基板の製造方法に於いて、上記メッキ用引
き出し配線が単位配線基板の枠部分に形成された導通孔
を経由して、該枠部分の厚さ方向の中央部または略中央
部領域を通り、分割溝を避けて上記境界線を横断し電解
メッキ用共通電極に接続される。これにより、分割溝を
入れる時点でのメッキ用引き出し配線の断線を防止し、
この配線基板をブレーク法で複数の単位配線基板に分割
する際に、該配線基板の両側から形成された分割溝の深
さのバランスが著しく悪くなることを避け、異形に分割
されることを防止することを実現する。

【００２７】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の単位配線基板の製造方法であって、前記メッキ用引き
出し配線が、前記キャビティの底面に形成された配線と
少なくとも同一の平面に設置され、かつ、前記境界線に
沿って、該配線基板のキャビティ側と反対の面側より形
成する分割溝の切り込みの終点が、該キャビティの底面
の表面に形成された配線と同一の平面よりも深く切り込
まれることを特徴とする単位配線基板の製造方法を要旨
とする。

【００２８】請求項３の発明によれば、キャビティ側と
反対の面側より形成する分割溝の切り込みの終点が、該
キャビティの表面に形成された配線と同一の平面よりも
深く切り込まれるような分割溝入れ工程に於いて、メッ
キ用引き出し配線が前記配線から各単位配線基板の枠部
分に形成された導通孔を経由することにより該積層体の
厚さ方向の中央部または略中央部領域に形成される。し
たがって、これらの分割溝を入れる時点でのメッキ用引
き出し配線の断線を防止しながら、上下各両面からバラ
ンス良い深さで分割溝を形成することができる。また、
単位配線基板への分割が異形になることを防止すること
を実現する。更に、分割溝入れ工程で配線基板に応じて
その分割溝の深さを変える必要を無くし製造工程を単純
化することで歩留り率を上昇させることができる。

【００２９】請求項４に記載の発明は、請求項２または
請求項３に記載の単位配線基板の製造方法であって、前
記境界線に沿って上下各両面から切り込まれたそれぞれ
の分割溝の深さの合計が、各単位配線基板の枠部分の厚
みの４０％から６０％の厚みとなることを特徴とする単
位配線基板の製造方法を要旨とする。

【００３０】請求項４の発明によると、ブレーク法を用
いた単位配線基板の製造方法において、それぞれの分割
溝の深さの合計が、各単位配線基板の枠部分の厚みの４
０％から６０％の厚みとなるように形成することによ
り、分割溝を入れる時点でメッキ用引き出し配線の断線
をより効果的に防止し、また、この配線基板を複数の単
位配線基板に分割する際に、異形に分割されることをよ
り効果的に防止することができる。

【００３１】分割溝の深さの合計が、各単位配線基板の
枠部分の厚みの４０％以下の厚みとなると、この配線基
板を複数の単位配線基板に分割する際に異形に破断して
しまう不具合が増加し、分割溝の深さの合計が、各単位
配線基板の枠部分の厚みの６０％以上の厚みとなると、
溝入れ時に破断してしまったり、溝入れと同時にメッキ
用引き出し配線が断線してしまう不具合が生じる。

【００３２】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の単位配線基板の製造方法であって、キャビティの面側
から切り込まれた分割溝の深さと、キャビティと反対側
の面側より切り込まれた分割溝の深さの比が、３：７か
ら７：３の範囲になるように上下各両面から該分割溝が
形成されることを特徴とする単位配線基板の製造方法を
要旨とする。

【００３３】請求項５の発明によると、ブレーク法を用
いた単位配線基板の製造方法に於いて、キャビティの面
側から切り込まれた分割溝の深さと、キャビティと反対
側の面側より切り込まれた分割溝の深さの比が、３：７
から７：３の範囲になるように上下各両面から該分割溝
を形成する。このことにより、分割溝を入れる時点でメ
ッキ用引き出し配線の断線をより効果的に防止し、ま
た、この配線基板を複数の単位配線基板に分割する際に
ブレーク不良となる不具合を、より効果的に防止するこ
とが出来る。

【００３４】これに対して、キャビティの面側から切り
込まれた分割溝の深さと、キャビティと反対側の面側よ
り切り込まれた分割溝の深さの比が、例えば２：８のよ
うにキャビティの面側から切り込まれた分割溝の深さが
著しく浅くなったり、逆に８：２等のようにキャビティ
と反対側の面側より切り込まれた分割溝の深さが著しく
浅くなる場合がある。このような場合、この配線基板を
複数の単位配線基板に分割する際に異形に破断してしま
ったり、ブレーク不良となる。また、溝入れと同時にメ
ッキ用引き出し配線が断線してしまう不具合が生じる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態について
述べる。図１は、本発明の実施例である配線基板１の部
分断面図である。また、図２は配線基板１の全体の斜視
図である。配線基板１は、アルミナ等のセラミックから
なり、分割前の複数の単位配線基板２とそれらの外周に
形成された捨て代部分３から構成されている。

【００３６】これらの単位配線基板２は、半導体素子、
ハイブリッドＩＣ、チップ抵抗、電子部品等を収納する
ためのキャビティ４と、キャビティ４を囲む枠部分５に
より構成されている。

【００３７】キャビティ４の底面にはタングステンやモ
リブデン等の高融点金属を主成分とする配線が形成され
ており、また、キャビティ４の底面を形成する底面部１
２の内部にも図示しない配線が形成されている。これら
の配線の中には、搭載される半導体素子間を接続するの
みで単位配線基板の外部端子に接続されない配線が形成
されている。

【００３８】単位配線基板の外部端子に接続されない配
線６にＮｉメッキ、Ｎｉ−Ａｕメッキ等の電解メッキを
するために、配線６は、導通孔９を介してメッキ用引き
出し配線７、７に接続され、境界線１０に於いて枠部分
５の厚さ方向の略中央部領域を通り、分割溝１１、１
１’を避けて、境界線１０を横断するとともに隣接する
単位配線基板に形成された配線１６と電気的に接続され
ている。なお、導通孔９は、単位配線基板２相互間およ
び単位配線基板と捨て代部分３との間の境界線１０を避
けて枠部分５に形成されている。

【００３９】また、配線６は、メッキ用引き出し配線１
７、１７を経由して、捨て代部分３を通して電解メッキ
用共通電極８に引き出され、電気的導通が保たれて接続
されている。また、導通孔９の内面には、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属を主成分とする厚膜メタ
ライズペーストが印刷されている。

【００４０】次に、本発明の実施例の配線基板１の具体
的な製造方法を説明する。まず、アルミナ（Ａｌ
_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ_２）等のセラミック粉末に、ブチラールまたはセルロ
ース等の有機結合材、及びこれらの有機結合材の溶剤と
して、ブタノール、パークロールエチレン等を加えて、
公知の方法で形成し、プレスにて所定の形に加工された
未焼成のグリーンシートを必要枚数（例えば４枚）用意
する。

【００４１】各グリーンシートの表面の所定の位置に、
配線６、１６およびメッキ用引き出し配線７、１７を含
めて、所望のパターンの配線を形成するようにタングス
テンやモリブデン等の高融点金属を主に含んだメタライ
ズペーストをスクリーン印刷する。つまり、配線６、１
６が、導通孔９を通してメッキ用引き出し配線７、１７
に接続されるようにする（図１参照）。

【００４２】この際、セラミックグリーンシートに予め
形成した孔に上記メタライズペーストをスクリーン印刷
により圧入し、メタライズペースト充填孔（ビア）を形
成する。このビアは、焼成後に導通孔９となる。

【００４３】続いて、上記のように配線等のためのメタ
ライズペーストがスクリーン印刷されたセラミックグリ
ーンシートを所定の順に積層、加圧により圧着する。

【００４４】次に、境界線１０に沿って分割出来るよう
に配線基板１の上下各両面から分割溝１１、１１’を所
定の深さに入れる。但し、キャビティ４の面（図中上
面）側から切り込まれる分割溝を分割溝１１、キャビテ
ィ４の反対側の面（図中下面）側より切り込まれる分割
溝を分割溝１１’として区別する。

【００４５】ここで、分割溝１１、１１’の深さの合計
は枠部分５の境界線１０部分の厚みの５０％となってい
る。但し、分割溝１１、１１’の深さの合計は５０％に
限らない。つまり、境界線に沿って上下各両面から切り
込まれたそれぞれの分割溝の深さの合計は、枠部分５の
境界線１０部の厚みの４０％から６０％の厚みの範囲と
なっていれば良い。例えば４５％、５５％でもよい。

【００４６】また、分割溝１１の深さと分割溝１１’の
深さの比は、５：５となっている。但し、分割溝１１の
深さと分割溝１１’の深さの比は、５：５に限らない。
つまり、キャビティの面側から切り込まれた分割溝の深
さと、キャビティと反対側の面側より切り込まれた分割
溝の深さの比が、３：７から７：３の範囲になるように
上下各両面から分割溝が形成されれば良い。例えば４：
６、または６：４でもよい。

【００４７】

【表１】

【００４８】表１は、本発明の単位配線基板の製造方法
における、単位配線基板への分割工程のテスト結果を示
したものである。配線基板の上下両各面から切り込まれ
た分割溝の深さの合計（Ｂ＋Ｃ）が、枠部分の境界線部
の厚み（Ａ）の５０％の場合、Ｂ：Ｃが３：７から７：
３の範囲のとき良好な結果が得られた（テスト２〜４参
照）。

【００４９】しかし、２：８および８：２のときには、
異形に破断した（テスト１、５参照）。また、（Ｂ＋
Ｃ）が、（Ａ）の３０％、６５％の場合（テスト６、７
参照）正常に分割されなかった。テストＮｏ．６では、
４０％未満の３０％しか分割溝が形成されていないの
で、分割工程を経ても部分的に分割されない単位配線基
板が見られ、ブレーク不良となった。

【００５０】この際、メッキ用引き出し配線７、１７
は、キャビティ４の底面に形成された配線６、１６と少
なくとも同一の平面に設置され、かつ、境界線１０に沿
って、配線基板１のキャビティ側と反対の面側より形成
する分割溝１１’の切り込みの終点１３’が、キャビテ
ィ４の底面部の表面１４に形成された配線と同一の平面
よりも深く切り込まれている。

【００５１】なお、分割溝１１は、例えば刃物をプレス
することで形成されるが、セラミックグリーンシートの
積層後、圧着時に同時に形成してもよい。

【００５２】この分割溝入れ工程において、本発明の実
施例の配線基板１では、メッキ用引き出し配線７が、配
線６から導通孔９を通して枠部分５の厚さ方向の略中央
部を通るから、メッキ用引き出し配線７を断線してしま
うという不具合が生じることはないし、キャビティの底
面部１２の厚さにかかわらず、上下各両面からバランス
良く、しかも充分な深さに分割溝１１、１１’を形成す
ることが容易に可能となる。

【００５３】この分割溝入れ工程の後、未焼成の配線基
板１を例えば還元雰囲気下、約１５００℃に加熱し所定
時間保持して焼成する。

【００５４】次に、電解メッキ用共通電極８に通電する
ことにより、メッキ用引き出し配線７を介して、配線基
板に形成された配線６、１６にＮｉメッキ、Ｎｉ−Ａｕ
メッキ等の必要な電解メッキをかけて配線基板１が完成
する。

【００５５】次に、分割溝１１、１１’に沿って切断
（折り取る）して分割して個分けし、多数の単位配線基
板２を一度に得る。つまり、独立した複数の配線回路を
メッキ用引き出し配線７に導通させ、電解メッキ用共通
電極８に集約して電解メッキを施工した後、この導通を
切断して各回路を電気的に独立させると同時に配線基板
１から複数の単位配線基板２（図３参照）を得る。

【００５６】この配線基板１を複数の単位配線基板２に
分割する工程に於いて、本発明の実施形態の配線基板１
では、上下各両面からバランス良く十分な深さに分割溝
１１、１１’が入れられることで、異形に分割されるこ
とをより効果的に防止することが出来る。

【００５７】本発明の単位配線基板の製造方法は、キャ
ビティを有する所謂ピングリッドアレイ型パッケージ、
ボールグリッドアレイ型パッケージ、リードレスチップ
キャリア、またはマルチチップモジュール等の単位配線
基板の製造方法に適応可能である。

【００５８】本発明の実施形態は、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば上記実施形態に制限されることはな
い。

【００５９】例えば、上記セラミックグリーンシート
は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリカ（ＳｉＯ_２）、マ
グネシア（ＭｇＯ_２）等を主成分とするものに限らず、
窒化アルミニウム、ムライト、コージュライト等のガラ
スセラミック、結晶化ガラス、Ｓｉ_３Ｎ_４等を用いるこ
とができる。

【００６０】また、前記キャビティ内に収納する部品
は、半導体素子にこだわらず、トランジスタ、ＥＦＴ、
ＩＣチップ等の半導体素子、およびコンデンサ、インダ
クタンス、抵抗、ＳＡＷフィルタ等の電子部品等を収納
することが可能である。

【００６１】更に、配線の材質には、前記タングステン
やモリブデンに限らず、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｇ
−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ等を適用することが可
能である。

【００６２】また、より好ましい効果を得る為には、上
記分割溝１１、１１’の深さの合計は枠部分５の境界線
１０部の厚みの４５％から５５％の厚みの範囲で選択す
ると良いし。また、上記分割溝の深さの比は４：６から
６：４の範囲で選択すると良い。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明に記載の配線基板
によると、メッキ用引き出し配線が単位配線基板の枠部
分に形成された導通孔を経由して、該枠部分の厚さ方向
の中央部または略中央部領域を通り上記境界線を横断し
電解メッキ用共通電極に接続されることにより、該配線
基板から複数の単位配線基板を製造する工程において、
該配線基板の上下各両側から分割溝を形成する時、該分
割溝の深さのバランスが著しく悪くなることを避けるこ
とで、異形に分割されることを防止し、また、分割溝を
入れる時点でのメッキ用引き出し配線の断線を防止する
ことが可能である。

【００６４】更に、前記導通孔は枠部分に境界線を避け
て形成されているため、該配線基板を分割して単位配線
基板とした時に該導通孔が枠の側面に露出することが無
く、該単位配線基板外観を損うことなく導通孔を形成し
メッキ用引き出し配線を枠部分の厚さ方向の中央部また
は略中央部領域を通らせることが可能である。

【００６５】更に、両方の分割溝をバランス良く入れる
ことが可能なため、単位配線基板に分割後切断面にでき
るバリが少なく、バリ除去処理を円滑に行うことができ
る。

【００６６】次に、本発明に記載の単位配線基板の製造
方法によると、メッキ用引き出し配線が単位配線基板の
枠部分に形成された導通孔を経由して、該枠部分の厚さ
方向の中央部または略中央部領域を通り上記境界線を横
断し電解メッキ用共通電極に接続されることにより、分
割溝を入れる時点でのメッキ用引き出し配線の断線を防
止できる。また、この配線基板をブレーク法で複数の単
位配線基板に分割する際に、該配線基板の両側から形成
された分割溝の深さのバランスが著しく悪くなることを
避けて、異形に分割されることを防止できる。また、十
分な深さに分割溝を形成可能であり、ブレーク不良を避
けることができる。

【００６７】更に、上下両方の分割溝をバランス良く入
れることが可能なため、単位配線基板に分割後切断面に
できるバリが少なく、バリ除去処理を円滑に行うことが
できる。また、分割溝の深さを配線基板の厚さとメッキ
用引き出し配線の位置に応じてそれぞれ設定する必要が
なく、製造工程を単純化し、かつ歩留り率を上昇させる
ことができる。

【００６８】更に、前記導通孔を枠部分に境界線を避け
て形成するため、該配線基板を分割して単位配線基板と
した時に該導通孔が枠の側面に露出することが無く、該
単位配線基板外観を損うことなく導通孔を形成しメッキ
用引き出し配線を枠部分の厚さ方向の中央部はたは略中
央部領域を通らせることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の配線基板の部分断面図であ
る。

【図２】本発明の実施形態の配線基板の斜視図である。

【図３】本発明の実施形態の単位配線基板の斜視図であ
る。

【図４】従来技術の配線基板の平面図である。

【図５】従来技術の配線基板の部分断面図である。

【符号の説明】

１，１０１ 配線基板 ２，１０５ 単位配線基板 ３，１０４ 捨て代部分 ４，１０６ キャビティ ５，１０７ 枠部分 ６，１６，１０８ 配線 ７，１７，１０９ メッキ用引き出し配線 ８，１１１ 電解メッキ用共通電極 ９ 導通孔 １０，１１２ 境界線 １１，１１’，１０３，１０３’ 分割溝 １２，１１３ 底面部 １３’ 切り込み終点 １４ 底面部の表面

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品を収納するためのキャビティと
   該キャビティを囲む枠部分とからなる複数の単位配線基
   板および外周に形成された捨て代部分から構成される配
   線基板であって、 前記単位配線基板の少なくともキャビティの底面に形成
   された配線に電解メッキを施すためのメッキ用引き出し
   配線が、単位配線基板相互間および単位配線基板と前記
   捨て代部分との間の境界線を避けて前記枠部分に形成さ
   れた導通孔を経由することにより、該境界線上に上下各
   両面から形成される分割溝の深さより深い領域におい
   て、該分割溝を避けて該境界線を横断するとともに、隣
   接する単位配線基板のメッキ用引き出し配線に接続する
   ように設置され、 さらに、前記捨て代部分に隣接する単位配線基板のメッ
   キ用引き出し配線が前記捨て代部分に形成された電解メ
   ッキ用共通電極に接続されていることを特徴とする配線
   基板。
2. 【請求項２】 電子部品を収納するためのキャビティと
   該キャビティを囲む枠部分とからなる複数の単位配線基
   板および外周に形成された捨て代部分から構成され、焼
   成後に、単位配線基板相互間の境界線および単位配線基
   板とその外周の捨て代部分との間の境界線に沿って分割
   することで複数の単位配線基板となるように形成された
   未焼成の配線基板は、 前記単位配線基板の少なくともキャビティの底面に形成
   された配線に電解メッキを施す為のメッキ用引き出し配
   線が、前記境界線を避けて前記枠部分に形成された導通
   孔を経由することにより、該境界線上に上下各両面から
   形成される分割溝の深さより深い領域において、該分割
   溝を避けて該境界線を横断するとともに、隣接する単位
   配線基板のメッキ用引き出し配線に接続するように設置
   され、さらに、前記捨て代部分に隣接する単位配線基板
   のメッキ用引き出し配線が前記捨て代部分に形成された
   電解メッキ用共通電極に接続されていることを特徴と
   し、 前記配線基板から前記単位配線基板を得る単位配線基板
   の製造方法であって、 前記メッキ用引き出し配線と前記導通孔とを形成する工
   程と、 前記境界線に沿って上下各面側から分割溝を形成する工
   程と、 未焼成の前記配線基板を焼成する工程と、 前記メッキ用引き出し配線を通して、前記電解メッキ用
   共通電極に通電することにより、前記配線に電解メッキ
   をかける工程と、 前記分割溝に沿って単位配線基板に分割する工程と、を
   含むことを特徴とする単位配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の単位配線基板の製造方
   法であって、 前記メッキ用引き出し配線が、前記キャビティの底面に
   形成された配線と少なくとも同一の平面に設置され、 かつ、前記境界線に沿って、該配線基板のキャビティ側
   と反対の面側より形成する分割溝の切り込みの終点が、
   該キャビティの底面の表面に形成された配線と同一の平
   面よりも深く切り込まれることを特徴とする単位配線基
   板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の単位配
   線基板の製造方法であって、前記境界線に沿って上下各
   両面から切り込まれたそれぞれの分割溝の深さの合計
   が、各単位配線基板の枠部分の厚みの４０％から６０％
   の厚みとなることを特徴とする単位配線基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の単位配線基板の製造方
   法であって、キャビティの面側から切り込まれた分割溝
   の深さと、キャビティと反対側の面側より切り込まれた
   分割溝の深さの比が、３：７から７：３の範囲になるよ
   うに上下各両面から該分割溝が形成されることを特徴と
   する単位配線基板の製造方法。