JP2002141248A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents

セラミック電子部品およびその製造方法

Info

Publication number
JP2002141248A
JP2002141248A JP2000335589A JP2000335589A JP2002141248A JP 2002141248 A JP2002141248 A JP 2002141248A JP 2000335589 A JP2000335589 A JP 2000335589A JP 2000335589 A JP2000335589 A JP 2000335589A JP 2002141248 A JP2002141248 A JP 2002141248A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
electronic component
ceramic electronic
external terminal
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000335589A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Sakai
範夫 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2000335589A priority Critical patent/JP2002141248A/ja
Priority to US10/004,229 priority patent/US6751101B2/en
Publication of JP2002141248A publication Critical patent/JP2002141248A/ja
Priority to US10/372,616 priority patent/US6760227B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/232Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292Surface mounted devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3405Edge mounted components, e.g. terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/403Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09145Edge details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09145Edge details
    • H05K2201/09181Notches in edge pads
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371Shields or metal cases
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部端子電極となる端子用導体が予め設けら
れた集合電子部品を分割してセラミック電子部品を得よ
うとするとき、分割によって外部端子電極の欠損が生じ
ないようにする。 【解決手段】 外部端子電極となる複数の端子用導体4
5が設けられた生のセラミック成形体47に対して、長
手の貫通孔48を形成することによって、端子用導体4
5の各一部を貫通孔48の内面上に露出させ、セラミッ
ク成形体47を焼成し、セラミック焼結体を得た後、貫
通孔48を通る切断溝51に沿って分割することによっ
て、セラミック電子部品を取り出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその製造方法に関するもので、特に、セラミ
ック電子部品の外部端子電極の形成態様および形成方法
における改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図15は、この発明にとって興味ある従
来のセラミック電子部品1の外観を示す斜視図である。
【0003】セラミック電子部品1は、たとえば、コン
デンサ、インダクタ、共振子、回路基板のような電子部
品を構成するものであり、積層構造または単層構造を有
するセラミック電子部品本体2を備えている。
【0004】電子部品本体2は、互いに対向する第1お
よび第2の主面3および4とこれら第1および第2の主
面3および4間を連結する4つの側面5、6、7および
8とを有する直方体の形状をなしている。また、電子部
品本体2の少なくとも1つの側面、たとえば側面5およ
び7の各々には、複数の外部端子電極9が並んで設けら
れている。これら外部端子電極9は、側面5および7に
設けられた、たとえば断面半円状の凹部10の内周面上
に形成されている。
【0005】このようなセラミック電子部品1は、次の
ようにして製造される。
【0006】まず、図16に示すように、生のセラミッ
ク成形体11が作製される。セラミック電子部品本体2
が積層構造を有している場合には、セラミック成形体1
1を作製するにあたって、複数のセラミックグリーンシ
ートを積層することが行なわれる。このセラミック成形
体11は、ここから複数のセラミック電子部品1を取り
出すことが意図されている。
【0007】次に、同じく図16に示すように、セラミ
ック成形体11に複数の貫通孔12が設けられる。これ
ら貫通孔12の各位置は、外部端子電極9の各々が設け
られる位置に対応している。
【0008】次に、同じく図16に示すように、セラミ
ック成形体11の一方の主面13または両方の主面13
および14上に、切断溝15が形成される。図18にお
いて、切断溝15が両主面13および14上に形成され
ている状態がよく示されている。切断溝15は、後の工
程において、複数のセラミック電子部品1を取り出そう
とするとき、複数のセラミック電子部品1相互間の境界
線に沿うブレイクをより容易にするためのものであり、
たとえば、セラミック成形体11の厚みの約1/3〜1
/6程度の深さをもって形成される。
【0009】次いで、セラミック成形体11が焼成さ
れ、それによって、図17にその一部を断面図で示すよ
うなセラミック焼結体16が得られる。
【0010】次に、図17に示すように、貫通孔12の
内周面上に、導電性ペースト17を付与することによっ
て、外部端子電極9となるべき端子用導体18が形成さ
れる。この端子用導体18の形成のため、たとえばスク
リーン印刷が適用される。すなわち、矢印19で示すよ
うに真空吸引が及ぼされた穴20を有する台21上に、
穴20と貫通孔12とが位置合わせされた状態で、セラ
ミック焼結体16が置かれ、スクリーン22に沿ってス
キージ23を動作させることにより、導電性ペースト1
7が貫通孔12の内周面上に付与される。
【0011】上述したスクリーン印刷工程において、必
要に応じて、セラミック焼結体16の主面13上に、所
定のパターンをもって導電性ペースト17が付与され、
それによって、配線のための導体膜が形成される。
【0012】次に、導電性ペースト17によって形成さ
れた端子用導体18および配線用導体膜が焼成される。
【0013】なお、セラミック成形体11が積層構造を
有している場合には、図17に示した工程は、この生の
セラミック成形体11の状態で実施され、端子用導体1
8およびその他の配線用導体を形成する導電性ペースト
17の焼成は、セラミック成形体11の焼成と同時に行
なわれることがある。
【0014】次に、端子用導体18の表面に、必要に応
じて、ニッケル/金、ニッケル/錫、ニッケル/半田等
のめっきが施される。
【0015】次に、必要に応じて、セラミック焼結体1
6の主面13上に、搭載部品が実装される。
【0016】また、切断溝15の形成は、焼成前の図1
7に示した工程の後に行なわれたり、めっき工程の後ま
たは搭載部品実装後に行なわれたりする。
【0017】このようにして、図18に一部を示すよう
に、貫通孔12の内周面上に端子用導体18が形成され
たセラミック焼結体16が得られる。
【0018】次に、切断溝15に沿って、セラミック焼
結体16がブレイクされ、それによって、複数のセラミ
ック電子部品1が取り出される。図19には、取り出さ
れたセラミック電子部品1の一部が拡大されて斜視図で
示されている。図19において、貫通孔12の分割によ
って与えられた凹部10が図示されているとともに、端
子用導体18の分割によって与えられた外部端子電極9
が図示されている。
【0019】セラミック焼結体16が、上述のように、
ブレイクされるとき、端子用導体18が引張応力を伴い
ながら分断されるため、図19に示すように、外部端子
電極9には、この分断によって露出する分断面24がも
たらされる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たセラミック電子部品1またはその製造方法には、解決
されるべき問題がある。
【0021】まず、外部端子電極9にもたらされた分断
面24は、めっき膜によって覆われていないため、酸化
等が生じやすく、そのため、半田付け性が悪くなり、そ
の結果、外部端子電極9に対する良好な半田付けが阻害
されることがある。
【0022】また、セラミック焼結体16をブレイクす
る際、貫通孔12の内周面上に形成された端子用導体1
8が引きちぎられるように分断されるため、必ずしも、
中央で分断されるとは限らず、極端な場合には、一方に
欠損が生じて断線不良がもたらされたり、さらには、セ
ラミック焼結体16の一部とともに端子用導体18の一
部が欠けるという致命的な不良がもたらされたりするこ
とがある。
【0023】上述の問題を解決するため、端子用導体1
8の厚みおよびその上に形成されるめっき膜の厚みを薄
くすることが有効であるが、このように厚みを薄くする
と、断線不良につながることもある。
【0024】他方、セラミック焼結体16のブレイク後
に外部端子電極9を形成するようにすれば、上述の問題
は解消されるが、この場合には、生産性の低下という問
題を引き起こす。
【0025】また、前述したブレイク時の外部端子電極
9における欠損の問題を解決するためには、端子用導体
18は、図17によく示されているように、貫通孔12
を充填するのではなく、中空の状態で形成されなければ
ならない。そのため、貫通孔12の径をそれほど小さく
することができない。その結果、セラミック電子部品1
の小型化を阻害してしまう。
【0026】また、図17に示すように、端子用導体1
8を形成するにあたって、台21の穴21の周辺部が導
電性ペースト17によって汚されないようにしながら、
端子用導体18を上述のように中空の状態で形成するた
めには、貫通孔12より大きい径を有する穴20を通し
て真空吸引を及ぼしながらスクリーン印刷する必要があ
る。このことから、形成された端子用導体18には、主
面13および14上にまで延びる主面延長部25が必ず
形成されることになる。しかしながら、主面延長部25
の存在は、外部端子電極9の配置間隔を小さくすること
を妨げ、その結果、セラミック電子部品1の小型化を阻
害する。
【0027】また、セラミック電子部品1は、少なくと
も出荷する前に、その特性を測定しなければならない。
しかしながら、セラミック電子部品1は、ブレイク前の
セラミック焼結体16の段階では、外部端子電極9とな
る端子用導体18が隣り合うセラミック電子部品1間に
跨って形成されているため、ブレイク後でないと、ここ
のセラミック電子部品1の特性を測定することができな
い。そのため、このような特性の測定を能率的に行なう
ことができない。
【0028】また、セラミック電子部品1が回路基板で
あるときなどにおいては、その電子部品本体2の主面3
または4上に、別の電子部品が搭載されることがある。
この場合、電子部品の搭載は、集合電子部品の状態にあ
るセラミック焼結体16に対して行なわれるのが能率的
である。しかしながら、上述したように、集合電子部品
の段階で特性の測定が不可能であるので、不良品となる
セラミック電子部品1に対しても、電子部品の搭載が行
なわれてしまい、そのため、このような搭載部品を無駄
にしてしまうことがあり、コスト上不利である。
【0029】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック電子部品およびその製
造方法を提供しようとすることである。
【0030】
【課題を解決するための手段】この発明は、互いに対向
する第1および第2の主面とこれら第1および第2の主
面間を連結する4つの側面とを有するセラミック電子部
品本体を備える、セラミック電子部品にまず向けられる
ものであって、上述した技術的課題を解決するため、少
なくとも1つの側面には、第1の主面から第2の主面に
まで貫通する切欠きが設けられ、この切欠き内には、複
数の外部端子電極が並んで設けられていることを特徴と
している。
【0031】上述の外部端子電極は、セラミック電子部
品本体の第1の主面から第2の主面にまで貫通するよう
に設けられても、第1の主面から第2の主面にまで貫通
しないように設けられてもよい。
【0032】また、好ましくは、切欠き内には、複数の
凹部が並んで設けられ、外部端子電極は、これら凹部を
埋めるように設けられる。
【0033】また、セラミック電子部品本体は、積層構
造を有していても、単層構造を有していてもよいが、積
層構造を有する場合には、複数の積層されたセラミック
層およびセラミック層間の特定の界面に沿って設けられ
る内部導体膜を備えていてもよい。
【0034】また、セラミック電子部品本体の第1およ
び第2の主面の少なくとも一方上に、外部導体膜が形成
されていてもよい。
【0035】また、外部端子電極は、セラミック電子部
品本体の第1および第2の主面の少なくとも一方上にま
で延びる延長部を有してもよい。
【0036】また、外部端子電極の全表面は、めっき膜
によって覆われていてもよい。
【0037】この発明は、また、セラミック電子部品の
製造方法にも向けられる。
【0038】この発明に係るセラミック電子部品の製造
方法は、第1の局面では、外部端子電極となる複数の端
子用導体が厚み方向の少なくとも一部において延びるよ
うに設けられた、生のセラミック成形体を作製する工程
と、セラミック成形体の複数の端子用導体が配列される
線に沿うように、セラミック成形体の互いに対向する第
1および第2の主面間を貫通する長手の貫通孔を形成す
ることによって、複数の端子用導体の各一部を1つの貫
通孔の内面上に露出させる工程と、セラミック成形体を
焼成することによって、焼結後のセラミック焼結体を得
る工程と、セラミック焼結体を、貫通孔を通る分割線に
沿って分割することによって、貫通孔の内面上に露出し
た端子用導体の一部をもって与えられた複数の外部端子
電極が、貫通孔の分割によって形成された切欠き内に並
んで設けられている、セラミック電子部品を取り出す工
程とを備えることを特徴としている。
【0039】上述のように製造されようとするセラミッ
ク電子部品が積層構造を有するものである場合には、セ
ラミック成形体を作製する工程において、複数の端子用
導体が厚み方向に貫通するように設けられたセラミック
グリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシート
を積層する工程が実施される。
【0040】上述の場合、セラミック成形体を作製する
工程において、セラミックグリーンシートに、配線のた
めの導体膜およびビアホール導体を形成する工程が実施
されてもよい。
【0041】この発明に係るセラミック電子部品の製造
方法は、第2の局面では、生のセラミック成形体を作製
する工程と、セラミック成形体の互いに対向する第1お
よび第2の主面間を貫通する長手の貫通孔を形成する工
程と、セラミック成形体を焼成することによって、焼結
後のセラミック焼結体を得る工程と、セラミック成形体
またはセラミック焼結体に対して、貫通孔の内面上に並
ぶように、複数の外部端子電極を形成する工程と、セラ
ミック焼結体を、貫通孔を通る分割線に沿って分割する
ことによって、貫通孔の内面上に形成された複数の外部
端子電極が、貫通孔の分割によって形成された切欠き内
に並んで設けられている、セラミック電子部品を取り出
す工程とを備えることを特徴としている。
【0042】上述したように、製造されようとするセラ
ミック電子部品が積層構造を有するものである場合、セ
ラミック成形体を作製する工程において、複数のセラミ
ックグリーンシートを積層する工程が実施される。
【0043】上述の場合、セラミック成形体を作製する
工程において、セラミックグリーンシートに、配線のた
めの導体膜およびビアホール導体を形成する工程が実施
されてもよい。
【0044】以上の第1および第2の局面のいずれにお
いても、好ましくは、セラミック焼結体は、これを分割
線に沿って分割することによって複数のセラミック電子
部品を取り出せるようにされている、集合電子部品であ
り、セラミック焼結体を分割する工程は、この集合電子
部品を分割する工程である。特に、第1の局面の場合に
は、貫通孔を形成する工程では、貫通導体を分割するよ
うに貫通孔が形成される。
【0045】上述した好ましい実施態様において、集合
電子部品を分割する工程の前に、集合電子部品の状態で
各セラミック電子部品の特性を測定する工程が実施され
ることが好ましい。
【0046】この発明に係るセラミック電子部品の製造
方法において、セラミック焼結体を分割する工程の前
に、外部端子電極の表面にめっきを施す工程がさらに実
施されてもよい。
【0047】この発明は、また、上述したような製造方
法によって得られた、セラミック電子部品にも向けられ
る。
【0048】
【発明の実施の形態】図1は、この発明の一実施形態に
よるセラミック電子部品31の外観を示す斜視図であ
る。
【0049】セラミック電子部品31は、セラミック電
子部品本体32を備えている。電子部品本体32は、互
いに対向する第1および第2の主面33および34とこ
れら第1および第2の主面33および34間を連結する
4つの側面35、36、37および38とを有してい
る。
【0050】また、電子部品本体32の少なくとも1つ
の側面、たとえば側面35および36の各々には、第1
の主面33から第2の主面34にまで貫通する切欠き3
9が設けられ、これら切欠き39内には、複数の外部端
子電極40が並んで設けられている。
【0051】この実施形態では、外部端子電極40は、
第1の主面33から第2の主面34にまで貫通するよう
に設けられている。また、切欠き39内には、複数の凹
部41が並んで設けられ、上述の外部端子電極40は、
この凹部41を埋めるように設けられている。
【0052】また、電子部品本体32の第1の主面33
上には、いくつかの外部導体膜42が形成されている。
これら外部導体膜42は、特定の外部端子電極40と電
気的に接続される。これら外部導体膜42に電気的に接
続された状態で、図示しないが、搭載部品が主面33上
に実装され、また、これら搭載部品を覆うように主面3
3上にはキャップが被せられることがある。
【0053】なお、図示しないが、電子部品本体32の
第2の主面34上に、外部導体膜が形成されてもよい。
【0054】また、外部導体膜40の露出する全表面
は、めっき膜によって覆われていることが好ましい。
【0055】このようなセラミック電子部品31を製造
するため、図2ないし図4を参照して以下に説明するよ
うな工程が実施される。なお、以下に説明するセラミッ
ク電子部品31の製造方法は、電子部品本体32が積層
構造を有している場合のものである。
【0056】まず、図2(1)に示すように、セラミッ
クグリーンシート43が用意される。そして、セラミッ
クグリーンシート43の所定の位置に、複数の貫通する
透孔44が配列された状態で設けられる。この実施形態
では、透孔44は、矩形の断面形状を有している。
【0057】次に、図2(2)に示すように、各透孔4
4に導電性ペーストが充填され、それによって、端子用
導体45がセラミックグリーンシート43の厚み方向に
貫通するように設けられる。
【0058】次に、図2(3)に示すように、セラミッ
クグリーンシート43上に、導電性ペーストをたとえば
スクリーン印刷することによって、配線のための導体膜
46が所定のパターンをもって形成される。この導体膜
46は、セラミックグリーンシート43の積層されたと
きの位置によって、前述した外部導体膜42となること
も、内部導体膜となることもある。
【0059】なお、導体膜46の形成は、端子用導体4
5を形成するための透孔44への導電性ペーストの充填
工程と同時に実施されてもよい。
【0060】図2では図示しないが、セラミックグリー
ンシート43に、配線のためのビアホール導体が形成さ
れることもある。このビアホール導体を形成するための
貫通孔の形成は、図2(1)に示した透孔44を形成す
る工程と同時に実施され、この貫通孔への導電性ペース
トの充填は、図2(2)に示した透孔44への導電性ペ
ーストの充填と同時に実施されてもよい。
【0061】次に、図2(3)に示したセラミックグリ
ーンシート43を含む複数のセラミックグリーンシート
が積層され、次いで積層方向にプレスされる。これによ
って、図3(1)に示すような生のセラミック成形体4
7が作製される。このセラミック成形体47では、複数
の端子用導体45が厚み方向の少なくとも一部において
延びるように設けられている。この実施形態では、端子
用導体45は、セラミック成形体47の厚み方向を貫通
するように設けられている。
【0062】次に、図3(2)に示すように、セラミッ
ク成形体47の複数の端子用導体45が配列される線に
沿うように、長手の貫通孔48が形成される。この貫通
孔48は、セラミック成形体47の互いに対向する第1
および第2の主面49および50間を貫通している。
【0063】また、このような貫通孔48の形成によっ
て、図5に拡大して示すように、複数の端子用導体45
の各々は分割されるとともに、分割された複数の端子用
導体45の各一部は、1つの貫通孔48の内面上に露出
した状態となっている。そして、これら端子用導体45
の分割されたそれぞれの部分が、外部端子電極40を与
えている。
【0064】次に、図3(2)に示すように、セラミッ
ク成形体47の一方の主面49または両主面49および
50上に、切断溝51が形成される。この切断溝51
は、後の分割工程で分割が実施される分割線に沿って形
成されるもので、特定の切断溝51については、長手の
貫通孔48を通る位置に延びている。切断溝51は、た
とえば、セラミック成形体47の厚みの約1/3〜1/
6程度の深さをもって形成される。
【0065】次に、セラミック成形体47は焼成され、
それによって、図4に示すようなセラミック焼結体52
が得られる。このとき、外部端子電極40を与える端子
用導体45を構成する導電性ペーストも焼結する。セラ
ミック焼結体52は、焼成による収縮が生じていること
を除いて、セラミック成形体47と実質的に同様の外観
を有している。
【0066】次に、端子用導体45の分割によって与え
られた外部端子電極42の表面に、ニッケル/金、ニッ
ケル/錫、ニッケル/半田等のめっきが施される。この
めっき工程において、セラミック焼結体52の外表面上
に形成される外部導体膜42の表面にもめっきが施され
てもよい。
【0067】以上の工程を終えたとき、セラミック焼結
体52における分割線に沿う切断溝51によって区画さ
れた各領域には、得ようとするセラミック電子部品31
が構成され、これらセラミック電子部品31は、互いに
他のものに対して電気的に独立した状態となっている。
したがって、端子用導体45の分割によって与えられた
外部端子電極40を端子として、個々のセラミック電子
部品31の特性を測定することができる。
【0068】このように、特性が測定された後、良品と
判定されたセラミック電子部品31上には、必要に応じ
て、他の電子部品が搭載され、また、キャップが被せら
れる。
【0069】次に、複数のセラミック電子部品31を取
り出すため、セラミック焼結体32は、切断溝51に沿
ってブレイクされる。
【0070】このようにして、図1に示した状態にある
セラミック電子部品31が得られる。このセラミック電
子部品31において、複数の外部端子電極40は、貫通
孔48の内面上に露出した端子用導体45の一部をもっ
て与えられたものであり、また、切欠き39は、貫通孔
48の分割によって形成されたものであり、この切欠き
39内に複数の外部端子電極40が並んで設けられてい
る。
【0071】以上説明した実施形態に関して、以下のよ
うないくつかの変形例が可能である。
【0072】上述した実施形態では、図5に示すよう
に、外部端子電極40を与える外部導体膜42は、断面
矩形の透孔44内に設けられたが、図6に示すように、
外部導体膜42を与える端子用導体45は、断面円形の
透孔44内に設けられてもよい。さらに、透孔44は、
他の断面形状のものであってもよい。
【0073】図6において、図5に示した要素に相当す
る要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略
する。
【0074】また、前述した実施形態では、透孔44を
充填するように端子用導体45が形成されたが、図7に
示すように、端子用導体45は、中空部分を中央に残し
ながら、透孔44の内周面に沿うように形成されてもよ
い。図7において、図5に示す要素に相当する要素には
同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0075】図1には電子部品本体32の第2の主面3
4側が図示されないが、図8に示すように、外部端子電
極40は、電子部品本体32の第2の主面34上にまで
延びる延長部53を備えていてもよい。
【0076】延長部53は、外部端子電極40を図示し
ない配線基板上の導電ランドに半田付けしようとすると
き、半田の付与面積を広くし、そのため、セラミック電
子部品31と配線基板との間での接合力を高めるように
作用する。
【0077】このような延長部53は、セラミック成形
体47またはセラミック焼結体52の段階で、導電性ペ
ーストをスクリーン印刷することによって形成されるこ
とができる。なお、延長部53は、電子部品本体32の
第1の主面33側に設けられてもよい。
【0078】図8において、図1等に示した要素に相当
する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省
略する。
【0079】また、前述した実施形態では、電子部品本
体32の側面35および37の各々に、1つずつ、切欠
き39が設けられたが、図9に示すように、側面35お
よび37の各々に、2つずつ、切欠き39が設けられて
もよい。さらに、切欠き39の数は任意の変更すること
ができる。
【0080】図9では、外部導体膜42の図示が省略さ
れているが、図9において、図1等に示す要素に相当す
る要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略
する。
【0081】また、前述した実施形態では、外部端子電
極40は、電子部品本体32の第1の主面33から第2
の主面34にまで貫通するように設けられたが、図1
0、図11および図12のそれぞれに示すように、外部
端子電極40は、第1の主面33から第2の主面34に
まで貫通しないように設けられてもよい。
【0082】図10では、外部端子電極40は、第1の
主面33にまで届かないように設けられている。
【0083】図11では、外部端子電極40は、第1お
よび第2の主面33および34の双方に届かないように
設けられている。
【0084】図12では、外部端子電極40は、第1の
主面33にまで届かないように設けられているととも
に、電子部品本体32の厚み方向に関して、2つの部分
に分断された状態となっている。
【0085】これら図10ないし図12に示すような態
様で外部端子電極40を形成するためには、セラミック
成形体47を得るための積層工程において、図2に示し
たような端子用導体45が設けられたセラミックグリー
ンシート43とこのような端子用導体が設けられていな
いセラミックグリーンシートとを混在させて積層するよ
うにすればよい。
【0086】図10ないし図12に示した外部端子電極
40によれば、電子部品本体32の第1の主面33には
届かないように形成されているので、第1の主面33上
で電子部品を搭載できる領域を広げることができる。ま
た、これらセラミック電子部品31を配線基板上に半田
を用いて実装したとき、外部端子電極40を覆うように
半田フィレットが形成されるが、この半田フィレットの
高さを制御することができる。セラミック電子部品31
が高周波回路において用いられるとき、半田フィレット
はインダクタンス成分として作用するため、このような
半田フィレットの高さの制御は、インダクタンス成分の
低減およびそのばらつきの低減に寄与させることができ
る。
【0087】特に、図11に示すように設けられた外部
端子電極40によれば、電子部品本体32の第2の主面
34にまで届かないように設けられているので、このセ
ラミック電子部品31を実装する配線基板上の導電ラン
ドとの間での不所望な短絡をより確実に防止することが
できる。
【0088】また、特に、図12に示した外部端子電極
40によれば、第2の主面34側に位置する部分を配線
基板との半田付けのために用いながら、第1の主面33
側に位置する部分を、たとえば、第1の主面33を覆う
ように装着されるキャップとの半田接合のために用いる
ことができる。
【0089】また、前述した実施形態では、切断溝51
は、未焼成のセラミック成形体47の段階で形成された
が、切断溝51を形成する工程は任意に変更することが
でき、たとえば、焼結後のセラミック焼結体52に段階
で切断溝51を形成するようにしてもよい。この場合、
切断溝51の形成のために、たとえば、レーザやダイヤ
モンド刃を備えるスクライバを適用することができる。
【0090】また、図1に示したセラミック電子部品3
1においては、切欠き39および外部端子電極40が、
側面35および37のみに設けられたが、さらに側面3
6および/または38に設けられてもよい。また、側面
35〜38のいずれか1つにのみ、切欠き39および外
部端子電極40が設けられてもよい。
【0091】また、前述した実施形態では、電子部品本
体32が積層構造を有していたが、単層構造を有する電
子部品本体を備えるセラミック電子部品であっても、前
述した製造方法を適用することができる。この場合に
は、図2に示したセラミックグリーンシート43と実質
的に同様の構成を有するセラミック成形体に対して、図
3および図4を参照して説明した製造方法を適用すれば
よい。
【0092】また、前述した実施形態では、セラミック
電子部品31を製造するため、集合電子部品としてのセ
ラミック焼結体52を作製し、これを分割することによ
って複数のセラミック電子部品31を取り出すようにし
たが、単に1つのセラミック電子部品を得るためのセラ
ミック焼結体を作製し、このセラミック焼結体に設けら
れた長手の貫通孔を通る分割線に沿って分割することに
よって、セラミック焼結体の周囲部分を除去し、その結
果、単に1つのセラミック電子部品を取り出すようにし
てもよい。この場合には、長手の貫通孔は、端子用導体
を分割するように形成される必要はなく、単に、貫通孔
の内面上に端子用導体の一部が露出するように形成され
れば足りる。
【0093】また、前述した実施形態では、セラミック
成形体47に予め設けられていた端子用導体45から外
部端子電極40を形成するようにしたが、以下に説明す
るように、外部端子電極の形成方法に関して変更しても
よい。
【0094】すなわち、図13に示すように、端子用導
体を設けない状態で、生のセラミック成形体61を作製
し、この生のセラミック成形体61の互いに対向する第
1および第2の主面間を貫通する長手の貫通孔62を形
成する。貫通孔62の内面には、セラミック成形体61
の内部に形成された内部導体膜63の一部が露出してい
る。
【0095】上述したセラミック成形体61を作製する
にあたって、複数のセラミックグリーンシートを積層す
ることが行なわれるが、これらセラミックグリーンシー
トの特定のものには、必要に応じて、配線のための導体
膜およびビアホール導体が形成される。図13に図示し
た内部導体膜63は、この配線のための導体膜の一部で
ある。
【0096】次いで、セラミック成形体61における貫
通孔62を通る線に沿って、図14に示すように、切断
溝64が第1および/または第2の主面上に形成され
る。
【0097】また、上述した切断溝64の形成の後また
は前に、貫通孔62の内面上に並ぶように、複数の外部
端子電極65が形成される。外部端子電極65は、内部
導体膜63と電気的に接続されるように形成される。外
部端子電極65の形成には、導電性ペーストが用いら
れ、この導電性ペーストをスクリーン印刷またはディス
ペンサ等によって付与することが行なわれる。
【0098】次いで、生のセラミック成形体61は焼成
され、それによって、焼結後のセラミック焼結体が得ら
れる。このとき、外部端子電極65を形成する導電性ペ
ーストも焼結する。
【0099】次に、外部端子電極65の表面に、ニッケ
ル/金、ニッケル/錫、ニッケル/半田等のめっきが施
される。
【0100】次に、セラミック焼結体は、切断溝64に
沿ってブレイクされ、それによって、複数のセラミック
電子部品が取り出される。このセラミック電子部品にお
いて、貫通孔62の内面上に形成された複数の外部端子
電極65は、貫通孔62の分割によって形成された切欠
き内に並んで設けられた状態となる。
【0101】なお、上述した製造方法において、外部端
子電極65の形成は、焼結後のセラミック焼結体に対し
て実施されてもよい。この場合には、外部端子電極65
に対して、別に焼付け工程を実施する必要がある。
【0102】また、上述した製造方法は、積層構造を有
する電子部品本体を備えるセラミック電子部品の製造に
適用され、そのため、セラミック成形体61を作製する
にあたり、複数のセラミックグリーンシートを積層する
ことを行なったが、単層構造を有する電子部品本体を備
えるセラミック電子部品の製造に対しても適用すること
ができる。この場合には、セラミック成形体61を得る
ため、セラミックグリーンシートを積層する工程が不要
である。
【0103】この実施形態においても、集合電子部品の
状態にあるセラミック焼結体の段階で、個々のセラミッ
ク電子部品の特性を測定することができる。
【0104】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るセラミッ
ク電子部品によれば、セラミック電子部品本体の少なく
とも1つの側面上に、第1の主面から第2の主面にまで
貫通する切欠きが設けられ、この切欠き内に、複数の外
部端子電極が並んで設けられているので、次のような第
1および第2の製造方法のいずれかを採用して製造する
ことができる。
【0105】第1の製造方法では、外部端子電極となる
複数の端子用導体が厚み方向の少なくとも一部において
延びるように設けられた、生のセラミック成形体を作製
する工程と、セラミック成形体の複数の端子用導体が配
列される線に沿うように、セラミック成形体の互いに対
向する第1および第2の主面間を貫通する長手の貫通孔
を形成することによって、複数の端子用導体の各一部を
1つの貫通孔の内面上に露出させる工程と、セラミック
成形体を焼成することによって、焼結後のセラミック焼
結体を得る工程と、セラミック焼結体を、貫通孔を通る
分割線に沿って分割することによって、貫通孔の内面上
に露出した端子用導体の一部をもって与えられた複数の
外部端子電極が、貫通孔の分割によって形成された切欠
き内に並んで設けられている、セラミック電子部品を取
り出す工程とが実施されるので、以下のような効果が奏
されることができる。
【0106】まず、セラミック焼結体を分割するとき、
外部端子電極が欠損したり、剥がれたりする不良が生じ
なくなり、得られたセラミック電子部品の品質の向上を
期待することができる。
【0107】また、外部端子電極を与えるための端子用
導体の径や配列ピッチを小さくすることができ、また、
電子部品本体の主面上で延びる主面延長部を形成しない
ように外部端子電極を形成することができるので、外部
端子電極を高密度に分布させることができ、そのため、
得られたセラミック電子部品の小型化かつ配線の高密度
化を図ることができる。
【0108】また、外部端子電極上にめっき膜が形成さ
れる場合、セラミック焼結体の分割後においても、この
めっき膜をそのまま維持することができるので、外部端
子電極において酸化等の問題が生じず、半田付け性の低
下の問題にも遭遇しない。
【0109】また、セラミック焼結体が、これを分割す
ることによって複数のセラミック電子部品を取り出せる
ようにされている、集合電子部品であるとき、分割前の
段階であっても、各セラミック電子部品のための外部端
子電極は、他のセラミック電子部品のための外部端子電
極と電気的に独立した状態となっているので、集合電子
部品の状態で、各セラミック電子部品の特性を測定する
ことができる。したがって、このような特性測定工程を
能率的に実施することができるとともに、不良品に対す
る以後の無駄な工程を実施しないようにすることができ
る。
【0110】第2の製造方法では、生のセラミック成形
体を作製する工程と、セラミック成形体の互いに対向す
る第1および第2の主面間を貫通する長手の貫通孔を形
成する工程と、セラミック成形体を焼成することによっ
て、焼結後のセラミック焼結体を得る工程と、セラミッ
ク成形体またはセラミック焼結体に対して、貫通孔の内
面上に並ぶように、複数の外部端子電極を形成する工程
と、セラミック焼結体を、貫通孔を通る分割線に沿って
分割することによって、貫通孔の内面上に形成された複
数の外部端子電極が、貫通孔の分割によって形成された
切欠き内に並んで設けられている、セラミック電子部品
を取り出す工程とが実施される。
【0111】したがって、外部端子電極の径や配列ピッ
チを小さくできる点については、上述した第1の製造方
法の場合に比べると劣るが、上述した第1の製造方法の
場合と実質的に同様の効果が奏される。
【0112】また、第1の製造方法によれば、外部端子
電極を、セラミック電子部品本体の第1の主面から第2
の主面にまで貫通しないように設けることが容易であ
る。このような態様で外部端子電極を形成することによ
り、ここに付与される半田フィレットの高さを制御で
き、そのため、このセラミック電子部品が高周波回路に
おいて用いられたとき、その特性を安定化させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態によるセラミック電子部
品31の外観を示す斜視図である。
【図2】図1に示したセラミック電子部品31の製造の
ために用意されるセラミックグリーンシート43に対し
て実施される工程を順次示す斜視図である。
【図3】図2に示したセラミックグリーンシート43を
含む複数のセラミックグリーンシートを積層して得られ
たセラミック成形体47に対して実施される工程を順次
示す斜視図である。
【図4】図3(2)に示したセラミック成形体47を焼
成して得られたセラミック焼結体52を示す斜視図であ
る。
【図5】図3(2)に示したセラミック成形体47の一
部を拡大して示す平面図である。
【図6】図5に示した部分に対応する部分を示す図であ
って、端子用導体45の変形例を示している。
【図7】図5に示した部分の一部に対応する部分を拡大
して示す平面図であり、端子用導体45の他の変形例を
示している。
【図8】セラミック電子部品31の変形例を示す底面図
である。
【図9】セラミック電子部品31の他の変形例を示す平
面図である。
【図10】セラミック電子部品31のさらに他の変形例
を示す正面図である。
【図11】セラミック電子部品31のさらに他の変形例
を示す正面図である。
【図12】セラミック電子部品31のさらに他の変形例
を示す正面図である。
【図13】セラミック電子部品の製造方法に関する他の
実施形態を説明するためのセラミック成形体61の一部
を示す斜視図である。
【図14】図13に示したセラミック成形体61に外部
端子電極65を形成した状態を示す斜視図である。
【図15】この発明にとって興味ある従来のセラミック
電子部品1の外観を示す斜視図である。
【図16】図15に示したセラミック電子部品1を製造
するために作製されるセラミック成形体11を示す斜視
図である。
【図17】図16に示したセラミック成形体11を焼成
して得られたセラミック焼結体16に対して端子用導体
18を形成する工程を図解的に示す断面図である。
【図18】図17に示した端子用導体18が形成された
セラミック焼結体16の一部を示す斜視図である。
【図19】図18に示すセラミック焼結体16を分割し
て得られたセラミック電子部品1の一部を示す斜視図で
ある。
【符号の説明】
31 セラミック電子部品 32 セラミック電子部品本体 33 電子部品本体の第1の主面 34 電子部品本体の第2の主面 35〜38 電子部品本体の側面 39 切欠き 40,65 外部端子電極 41 凹部 42 外部導体膜 43 セラミックグリーンシート 44 透孔 45 端子用導体 46 導体膜 47,61 セラミック成形体 48,62 長手の貫通孔 49 セラミック成形体またはセラミック焼結体の第1
の主面 50 セラミック成形体またはセラミック焼結体の第2
の主面 51,64 切断溝(分割線) 52 セラミック焼結体 53 延長部 63 内部導体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 4/38 H01G 4/38 A

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに対向する第1および第2の主面と
    これら第1および第2の主面間を連結する4つの側面と
    を有するセラミック電子部品本体を備え、少なくとも1
    つの前記側面には、前記第1の主面から前記第2の主面
    にまで貫通する切欠きが設けられ、前記切欠き内には、
    複数の外部端子電極が並んで設けられている、セラミッ
    ク電子部品。
  2. 【請求項2】 前記外部端子電極は、前記第1の主面か
    ら前記第2の主面にまで貫通するように設けられる、請
    求項1に記載のセラミック電子部品。
  3. 【請求項3】 前記外部端子電極は、前記第1の主面か
    ら前記第2の主面にまで貫通しないように設けられる、
    請求項1に記載のセラミック電子部品。
  4. 【請求項4】 前記切欠き内には、複数の凹部が並んで
    設けられ、前記外部端子電極は、前記凹部を埋めるよう
    に設けられる、請求項1ないし3のいずれかに記載のセ
    ラミック電子部品。
  5. 【請求項5】 前記セラミック電子部品本体は、複数の
    積層されたセラミック層および前記セラミック層間の特
    定の界面に沿って設けられる内部導体膜を備える、請求
    項1ないし4のいずれかに記載のセラミック電子部品。
  6. 【請求項6】 前記第1および第2の主面の少なくとも
    一方上に形成される外部導体膜をさらに備える、請求項
    1ないし5のいずれかに記載のセラミック電子部品。
  7. 【請求項7】 前記外部端子電極は、前記第1および第
    2の主面の少なくとも一方上にまで延びる延長部を備え
    る、請求項1ないし6のいずれかに記載のセラミック電
    子部品。
  8. 【請求項8】 前記外部端子電極の全表面は、めっき膜
    によって覆われている、請求項1ないし7のいずれかに
    記載のセラミック電子部品。
  9. 【請求項9】 外部端子電極となる複数の端子用導体が
    厚み方向の少なくとも一部において延びるように設けら
    れた、生のセラミック成形体を作製する工程と、 前記セラミック成形体の複数の前記端子用導体が配列さ
    れる線に沿うように、前記セラミック成形体の互いに対
    向する第1および第2の主面間を貫通する長手の貫通孔
    を形成することによって、複数の前記端子用導体の各一
    部を1つの前記貫通孔の内面上に露出させる工程と、 前記セラミック成形体を焼成することによって、焼結後
    のセラミック焼結体を得る工程と、 前記セラミック焼結体を、前記貫通孔を通る分割線に沿
    って分割することによって、前記貫通孔の内面上に露出
    した前記端子用導体の一部をもって与えられた複数の外
    部端子電極が、前記貫通孔の分割によって形成された切
    欠き内に並んで設けられている、セラミック電子部品を
    取り出す工程とを備える、セラミック電子部品の製造方
    法。
  10. 【請求項10】 前記セラミック成形体を作製する工程
    は、複数の前記端子用導体が厚み方向に貫通するように
    設けられたセラミックグリーンシートを含む複数のセラ
    ミックグリーンシートを積層する工程を備える、請求項
    9に記載のセラミック電子部品の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記セラミック成形体を作製する工程
    は、前記セラミックグリーンシートに、配線のための導
    体膜およびビアホール導体を形成する工程を備える、請
    求項10に記載のセラミック電子部品の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記セラミック焼結体は、これを前記
    分割線に沿って分割することによって複数のセラミック
    電子部品を取り出せるようにされている、集合電子部品
    であり、前記セラミック焼結体を分割する工程は、前記
    集合電子部品を分割する工程であり、前記貫通孔を形成
    する工程では、前記貫通導体を分割するように前記貫通
    孔が形成される、請求項9ないし11のいずれかに記載
    のセラミック電子部品の製造方法。
  13. 【請求項13】 前記集合電子部品を分割する工程の前
    に、前記集合電子部品の状態で各前記セラミック電子部
    品の特性を測定する工程をさらに備える、請求項12に
    記載のセラミック電子部品の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記セラミック焼結体を分割する工程
    の前に、前記外部端子電極の表面にめっきを施す工程を
    さらに備える、請求項9ないし13のいずれかに記載の
    セラミック電子部品の製造方法。
  15. 【請求項15】 生のセラミック成形体を作製する工程
    と、 前記セラミック成形体の互いに対向する第1および第2
    の主面間を貫通する長手の貫通孔を形成する工程と、 前記セラミック成形体を焼成することによって、焼結後
    のセラミック焼結体を得る工程と、 前記セラミック成形体または前記セラミック焼結体に対
    して、前記貫通孔の内面上に並ぶように、複数の外部端
    子電極を形成する工程と、 前記セラミック焼結体を、前記貫通孔を通る分割線に沿
    って分割することによって、前記貫通孔の内面上に形成
    された複数の外部端子電極が、前記貫通孔の分割によっ
    て形成された切欠き内に並んで設けられている、セラミ
    ック電子部品を取り出す工程とを備える、セラミック電
    子部品の製造方法。
  16. 【請求項16】 前記セラミック成形体を作製する工程
    は、複数のセラミックグリーンシートを積層する工程を
    備える、請求項15に記載のセラミック電子部品の製造
    方法。
  17. 【請求項17】 前記セラミック成形体を作製する工程
    は、前記セラミックグリーンシートに、配線のための導
    体膜およびビアホール導体を形成する工程を備える、請
    求項16に記載のセラミック電子部品の製造方法。
  18. 【請求項18】 前記セラミック焼結体は、これを前記
    分割線に沿って分割することによって複数のセラミック
    電子部品を取り出せるようにされている、集合電子部品
    であり、前記セラミック焼結体を分割する工程は、前記
    集合電子部品を分割する工程である、請求項15ないし
    17のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方
    法。
  19. 【請求項19】 前記集合電子部品を分割する工程の前
    に、前記集合電子部品の状態で各前記セラミック電子部
    品の特性を測定する工程をさらに備える、請求項18に
    記載のセラミック電子部品の製造方法。
  20. 【請求項20】 請求項9ないし19のいずれかに記載
    の製造方法によって得られた、セラミック電子部品。
JP2000335589A 2000-11-02 2000-11-02 セラミック電子部品およびその製造方法 Pending JP2002141248A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000335589A JP2002141248A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 セラミック電子部品およびその製造方法
US10/004,229 US6751101B2 (en) 2000-11-02 2001-11-02 Electronic component and method of producing the same
US10/372,616 US6760227B2 (en) 2000-11-02 2003-02-24 Multilayer ceramic electronic component and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000335589A JP2002141248A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 セラミック電子部品およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005114567A Division JP4341576B2 (ja) 2005-04-12 2005-04-12 セラミック電子部品およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002141248A true JP2002141248A (ja) 2002-05-17

Family

ID=18811308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000335589A Pending JP2002141248A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 セラミック電子部品およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6751101B2 (ja)
JP (1) JP2002141248A (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1324646B1 (en) * 2001-12-27 2009-04-01 Alps Electric Co., Ltd. Jumper chip component and mounting structure therefor
KR100489820B1 (ko) * 2002-11-19 2005-05-16 삼성전기주식회사 세라믹 다층기판 및 그 제조방법
KR100495211B1 (ko) * 2002-11-25 2005-06-14 삼성전기주식회사 세라믹 다층기판 및 그 제조방법
US7612443B1 (en) 2003-09-04 2009-11-03 University Of Notre Dame Du Lac Inter-chip communication
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法
KR100725363B1 (ko) * 2005-07-25 2007-06-07 삼성전자주식회사 회로 기판 및 그 제조 방법
JP3969453B1 (ja) * 2006-05-17 2007-09-05 株式会社村田製作所 ケース付き多層モジュール
WO2012025888A2 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Colorchip (Israel) Ltd. Light source mount
DE102011080705A1 (de) * 2011-08-09 2013-02-14 Osram Ag Verbindungselement für ein Multichipmodul und Multichipmodul
JP2013102035A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板およびその製造方法
USD680545S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-23 Connectblue Ab Module
USD680119S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-16 Connectblue Ab Module
USD692896S1 (en) * 2011-11-15 2013-11-05 Connectblue Ab Module
USD668659S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD668658S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD689053S1 (en) * 2011-11-15 2013-09-03 Connectblue Ab Module
US8759977B2 (en) 2012-04-30 2014-06-24 International Business Machines Corporation Elongated via structures
US9620473B1 (en) 2013-01-18 2017-04-11 University Of Notre Dame Du Lac Quilt packaging system with interdigitated interconnecting nodules for inter-chip alignment
KR20150004118A (ko) * 2013-07-02 2015-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판, 상기 표시 장치용 기판의 제조 방법, 및 상기 표시 장치용 기판을 포함하는 표시 장치
KR102268385B1 (ko) * 2014-08-14 2021-06-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법
US11417309B2 (en) * 2018-11-29 2022-08-16 Ascent Venture, Llc. Ultrasonic transducer with via formed in piezoelectric element and method of fabricating an ultrasonic transducer including milling a piezoelectric substrate
TW202234196A (zh) * 2021-02-17 2022-09-01 德承股份有限公司 具有接地功能的電子裝置支架

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5911700A (ja) * 1982-07-12 1984-01-21 株式会社日立製作所 セラミツク多層配線回路板
US4963843A (en) * 1988-10-31 1990-10-16 Motorola, Inc. Stripline filter with combline resonators
US5140745A (en) * 1990-07-23 1992-08-25 Mckenzie Jr Joseph A Method for forming traces on side edges of printed circuit boards and devices formed thereby
US5635669A (en) * 1992-07-27 1997-06-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer electronic component
EP0582881B1 (en) * 1992-07-27 1997-12-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer electronic component, method of manufacturing the same and method of measuring characteristics thereof
JP2976049B2 (ja) 1992-07-27 1999-11-10 株式会社村田製作所 積層電子部品
US5376759A (en) * 1993-06-24 1994-12-27 Northern Telecom Limited Multiple layer printed circuit board
JP2870371B2 (ja) * 1993-08-05 1999-03-17 株式会社村田製作所 積層電子部品、その製造方法およびその特性測定方法
JP3368645B2 (ja) 1993-12-27 2003-01-20 株式会社村田製作所 積層電子部品、その製造方法およびその特性測定方法
JP3301188B2 (ja) 1993-12-27 2002-07-15 株式会社村田製作所 積層電子部品、その製造方法およびその特性測定方法
US5752182A (en) * 1994-05-09 1998-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Hybrid IC
JP3223708B2 (ja) 1994-07-21 2001-10-29 株式会社村田製作所 積層電子部品およびその製造方法
JP3147666B2 (ja) * 1994-07-21 2001-03-19 株式会社村田製作所 積層電子部品およびその製造方法
JP3507251B2 (ja) * 1995-09-01 2004-03-15 キヤノン株式会社 光センサicパッケージおよびその組立方法
JPH09186416A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Tokai Sanwa Denshi Kairo Kk 表面実装型電子部品用基板およびその製造方法
JPH10241996A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層回路
JPH10284935A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器およびその製造方法
JPH113836A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Murata Mfg Co Ltd 積層電子部品
JP3425711B2 (ja) 1997-06-17 2003-07-14 株式会社村田製作所 積層電子部品の製造方法
KR100259359B1 (ko) * 1998-02-10 2000-06-15 김영환 반도체 패키지용 기판 및 반도체 패키지, 그리고 그 제조방법
JP3906563B2 (ja) 1998-05-19 2007-04-18 松下電器産業株式会社 表面実装モジュール
JP4138211B2 (ja) * 2000-07-06 2008-08-27 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法、集合電子部品、電子部品の実装構造、ならびに電子装置
JP3888263B2 (ja) * 2001-10-05 2007-02-28 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6751101B2 (en) 2004-06-15
US20020122301A1 (en) 2002-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002141248A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP2001267453A (ja) 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置
JP3928665B2 (ja) チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法
US6785941B2 (en) Method for manufacturing multi layer ceramic components
KR100489820B1 (ko) 세라믹 다층기판 및 그 제조방법
JP2000138455A (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP5448400B2 (ja) セラミック部品の製造方法
JP5236371B2 (ja) セラミック部品の製造方法
JP5442974B2 (ja) セラミック部品の製造方法
JP4329762B2 (ja) チップ型電子部品内蔵型多層基板
JP3855798B2 (ja) 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2873645B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
JP4341576B2 (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP5314370B2 (ja) セラミック部品の製造方法
JP2006032747A (ja) 積層電子部品及びその製造方法
JP2003282795A (ja) 配線基板
JPH0645758A (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
JP5289874B2 (ja) セラミック部品の製造方法
JP4507378B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法および導電性ペースト
JPH02267989A (ja) セラミック回路基板およびその製造方法
JP2001267467A (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子装置
JPH0722752A (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
JP2551064B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法
JP2004214540A (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP2006128297A (ja) 多数個取り配線基板および電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050412

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050712