JP2000144005A - テトラアザポルフィリン誘導体混合物及びその製造方法 - Google Patents
テトラアザポルフィリン誘導体混合物及びその製造方法Info
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- JP2000144005A JP2000144005A JP10326779A JP32677998A JP2000144005A JP 2000144005 A JP2000144005 A JP 2000144005A JP 10326779 A JP10326779 A JP 10326779A JP 32677998 A JP32677998 A JP 32677998A JP 2000144005 A JP2000144005 A JP 2000144005A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に電子写真感光体用電荷発生物質として有
用な新規なテトラアザポルフィリン誘導体混合物、並び
に該テトラアザポルフィリン誘導体混合物を高収率で得
るための製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、下記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体若しくは下記一般式(4)で示される1,3−ジイ
ミノイソインドリン誘導体と、金属又は金属を有する化
合物とを反応させて得られたテトラアザポルフィリン誘
導体混合物並びにその製造方法。 【化1】
用な新規なテトラアザポルフィリン誘導体混合物、並び
に該テトラアザポルフィリン誘導体混合物を高収率で得
るための製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、下記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体若しくは下記一般式(4)で示される1,3−ジイ
ミノイソインドリン誘導体と、金属又は金属を有する化
合物とを反応させて得られたテトラアザポルフィリン誘
導体混合物並びにその製造方法。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に電子写真感光
体に用いられる、光を照射したとき電荷担体を発生する
物質(以下「電荷発生物質」という)として有用な新規
テトラアザポルフィリン誘導体混合物、及びその製造方
法に関する。
体に用いられる、光を照射したとき電荷担体を発生する
物質(以下「電荷発生物質」という)として有用な新規
テトラアザポルフィリン誘導体混合物、及びその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電性素材として用いられているものに、セ
レン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質があ
る。ここにいう「電子写真方式」とは一般に、光導電性
の感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電
せしめ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に
逸散せしめて静電潜像を形成し、この潜像部を染料、顔
料などの着色剤と高分子物質とから構成される検電微粒
子(トナー)で現像して可視画像を形成するようにした
画像形成法の一つである。このような電子写真方式にお
いて感光体に要求される基本的な特性としては、(1)
暗所で適当な電位に帯電できること、(2)暗所におい
て電荷の逸散が少ないこと、(3)光照射によって速や
かに電荷を散逸せしめ得ること、などが挙げられる。
感光体の光導電性素材として用いられているものに、セ
レン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質があ
る。ここにいう「電子写真方式」とは一般に、光導電性
の感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電
せしめ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に
逸散せしめて静電潜像を形成し、この潜像部を染料、顔
料などの着色剤と高分子物質とから構成される検電微粒
子(トナー)で現像して可視画像を形成するようにした
画像形成法の一つである。このような電子写真方式にお
いて感光体に要求される基本的な特性としては、(1)
暗所で適当な電位に帯電できること、(2)暗所におい
て電荷の逸散が少ないこと、(3)光照射によって速や
かに電荷を散逸せしめ得ること、などが挙げられる。
【0003】ところで、前記の無機物質はそれぞれが多
くの長所を持っていると同時に、様々な欠点を持ってい
るのが現状である。例えば、セレン感光体は製造する条
件が難しく、製造コストが高かったり、可撓性がないた
めにベルト状に加工することが困難であり、また熱や機
械的な衝撃に鋭敏なため取り扱いに注意を要するなどの
欠点がある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結合剤とし
ての樹脂に分散されて感光体として用いられているが、
平滑性、硬度、引っ張り強度、耐摩擦性などの機械的な
欠点があるためにそのままでは反復して使用することが
できない。
くの長所を持っていると同時に、様々な欠点を持ってい
るのが現状である。例えば、セレン感光体は製造する条
件が難しく、製造コストが高かったり、可撓性がないた
めにベルト状に加工することが困難であり、また熱や機
械的な衝撃に鋭敏なため取り扱いに注意を要するなどの
欠点がある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結合剤とし
ての樹脂に分散されて感光体として用いられているが、
平滑性、硬度、引っ張り強度、耐摩擦性などの機械的な
欠点があるためにそのままでは反復して使用することが
できない。
【0004】近年、これら無機物質の欠点を排除するた
めにいろいろな有機物質を用いた電子写真感光体が提案
され、実用に供されているものもある。例えば、ポリ−
N−ビニルカルバゾールと2,4,7−トリニトロフル
オレン−9−オンとからなる感光体(米国特許第348
4237号明細書に記載)、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールをピリリウム塩系色素で増感してなる感光体(特公
昭48−25658号公報に記載)、有機顔料を主成分
とする感光体(特開昭47−37543号に記載)、染
料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感光体(特
開昭47−10735号公報に記載)などがその代表的
なものである。とりわけ、有機顔料の薄膜を導電性支持
体上に形成し(電荷発生層)、この上に電荷輸送物質を
主体とする層(電荷輸送層)を形成した積層型の感光体
が、従来の有機系の感光体に比べ高い感度を示すこと、
及びその材料のバリエーションの豊富さとから活発に研
究がなされている。
めにいろいろな有機物質を用いた電子写真感光体が提案
され、実用に供されているものもある。例えば、ポリ−
N−ビニルカルバゾールと2,4,7−トリニトロフル
オレン−9−オンとからなる感光体(米国特許第348
4237号明細書に記載)、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールをピリリウム塩系色素で増感してなる感光体(特公
昭48−25658号公報に記載)、有機顔料を主成分
とする感光体(特開昭47−37543号に記載)、染
料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感光体(特
開昭47−10735号公報に記載)などがその代表的
なものである。とりわけ、有機顔料の薄膜を導電性支持
体上に形成し(電荷発生層)、この上に電荷輸送物質を
主体とする層(電荷輸送層)を形成した積層型の感光体
が、従来の有機系の感光体に比べ高い感度を示すこと、
及びその材料のバリエーションの豊富さとから活発に研
究がなされている。
【0005】他方、複写業界などにおいては、近年、編
集機能及び複合処理機能が要請されるようになり、これ
に伴ってノンインパクトプリンター技術が展開し、レー
ザープリンター、レーザーファクシミリ、デジタル複写
機等に見られるデジタル方式の記録装置が広く普及しつ
つある。デジタル方式の記録装置における光源として
は、小型、安価、簡便さなどの点から、多くは半導体レ
ーザーが用いられているが、現在用いられている半導体
の発振波長は、600nm以上の波長領域に限定されて
いる。従って、これらの記録装置に用いられる電子写真
感光体としては、少なくとも600〜850nmの波長
領域に光感度を有することが要求される。
集機能及び複合処理機能が要請されるようになり、これ
に伴ってノンインパクトプリンター技術が展開し、レー
ザープリンター、レーザーファクシミリ、デジタル複写
機等に見られるデジタル方式の記録装置が広く普及しつ
つある。デジタル方式の記録装置における光源として
は、小型、安価、簡便さなどの点から、多くは半導体レ
ーザーが用いられているが、現在用いられている半導体
の発振波長は、600nm以上の波長領域に限定されて
いる。従って、これらの記録装置に用いられる電子写真
感光体としては、少なくとも600〜850nmの波長
領域に光感度を有することが要求される。
【0006】この要求を満たす有機光導電材料として
は、フタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン顔料、ア
ズレン顔料、スクアリウム顔料などが知られているが、
特に、フタロシアニン顔料は、比較的長波長領域まで分
光吸収を持つと共に光感度を有し、また中心金属や結晶
型の種類によって様々なバリエーションが得られること
から、半導体レーザー用の電子写真感光体材料として盛
んに研究が行われている。これまでに知られているフタ
ロシアニン顔料としては、ε型銅フタロシアニン、X型
無金属フタロシアニン、τ型無金属フタロシアニン、バ
ナジルフタロシアニン、チタニルオキシフタロシアニン
(特開平8−231869号公報、特開平5−6659
5号公報、特公平8−13942号公報などに記載)等
が挙げられるが、感度、帯電能、繰り返し耐久性などの
点で充分満足するものが得られていないのが実状であ
る。
は、フタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン顔料、ア
ズレン顔料、スクアリウム顔料などが知られているが、
特に、フタロシアニン顔料は、比較的長波長領域まで分
光吸収を持つと共に光感度を有し、また中心金属や結晶
型の種類によって様々なバリエーションが得られること
から、半導体レーザー用の電子写真感光体材料として盛
んに研究が行われている。これまでに知られているフタ
ロシアニン顔料としては、ε型銅フタロシアニン、X型
無金属フタロシアニン、τ型無金属フタロシアニン、バ
ナジルフタロシアニン、チタニルオキシフタロシアニン
(特開平8−231869号公報、特開平5−6659
5号公報、特公平8−13942号公報などに記載)等
が挙げられるが、感度、帯電能、繰り返し耐久性などの
点で充分満足するものが得られていないのが実状であ
る。
【0007】また、登録特許第2637487号にはテ
トラアザポルフィリン誘導体について開示されている
が、感度、帯電性、繰り返し耐久性等の点で充分満足す
るものが得られていない。更に、特開平4−28358
1号公報に可溶性ベンゾピラジノポルフィラジン誘導体
について開示されているが、これは主にベンゾピラジノ
ポルフィラジン誘導体に、長鎖アルキル基等の置換基を
導入することにより、有機溶剤に可溶な単一成分からな
るベンゾピラジノポルフィラジン誘導体を提供するもの
であり、ベンゾピラジノポルフィラジン誘導体の収率が
低く、実用上問題である。
トラアザポルフィリン誘導体について開示されている
が、感度、帯電性、繰り返し耐久性等の点で充分満足す
るものが得られていない。更に、特開平4−28358
1号公報に可溶性ベンゾピラジノポルフィラジン誘導体
について開示されているが、これは主にベンゾピラジノ
ポルフィラジン誘導体に、長鎖アルキル基等の置換基を
導入することにより、有機溶剤に可溶な単一成分からな
るベンゾピラジノポルフィラジン誘導体を提供するもの
であり、ベンゾピラジノポルフィラジン誘導体の収率が
低く、実用上問題である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、従来の感光体における電荷発生物質の持つ欠点を除
去した、特に電子写真感光体用電荷発生物質として有用
な新規なテトラアザポルフィリン誘導体混合物、並びに
該テトラアザポルフィリン誘導体混合物を高収率で得る
ための製造方法を提供することにある。
は、従来の感光体における電荷発生物質の持つ欠点を除
去した、特に電子写真感光体用電荷発生物質として有用
な新規なテトラアザポルフィリン誘導体混合物、並びに
該テトラアザポルフィリン誘導体混合物を高収率で得る
ための製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、新規テトラアザポル
フィリン誘導体混合物及びその簡便な製造方法を見い出
し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれ
ば、第一に、下記一般式(2)で示されるニトリル誘導
体と、下記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導
体と、金属又は金属を有する化合物とを反応させて得ら
れた下記一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であって、該一般式(1)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも該一
般式(1)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする下記一般式(1)で
示されるテトラアザポルフィリン誘導体混合物が提供さ
れる。
題を解決すべく鋭意検討した結果、新規テトラアザポル
フィリン誘導体混合物及びその簡便な製造方法を見い出
し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれ
ば、第一に、下記一般式(2)で示されるニトリル誘導
体と、下記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導
体と、金属又は金属を有する化合物とを反応させて得ら
れた下記一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であって、該一般式(1)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも該一
般式(1)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする下記一般式(1)で
示されるテトラアザポルフィリン誘導体混合物が提供さ
れる。
【化5】 (上式中、a1〜a2は水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニ
トロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7
とa8は互いに環を形成していても良い。またMは、金
属原子、金属酸化物、金属水酸化物又は金属ハロゲン化
物を表す。)
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニ
トロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7
とa8は互いに環を形成していても良い。またMは、金
属原子、金属酸化物、金属水酸化物又は金属ハロゲン化
物を表す。)
【化6】 (上式中、R1、R2は水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニト
ロ基又はシアノ基を表わし、R1とR2は互いに環を形成
していても良い。R3〜R6は水素原子、ハロゲン原子、
置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換
のアリール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル
基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに
環を形成していても良い。) 第二に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体
と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体
と、金属又は金属を有する化合物とを、溶媒の存在下、
100〜180℃に加熱することにより反応させること
を特徴とする上記第一に記載したテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物の製造方法が提供される。第三に、前記
一般式(2)で示されるニトリル誘導体と、下記一般式
(4)で示される1,3−ジイミノイソインドリン誘導
体と、金属又は金属を有する化合物とを反応させて得ら
れた前記一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であって、該一般式(1)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも該一
般式(1)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする下記一般式(1)で
示されるテトラアザポルフィリン誘導体混合物が提供さ
れる。
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニト
ロ基又はシアノ基を表わし、R1とR2は互いに環を形成
していても良い。R3〜R6は水素原子、ハロゲン原子、
置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換
のアリール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル
基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに
環を形成していても良い。) 第二に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体
と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体
と、金属又は金属を有する化合物とを、溶媒の存在下、
100〜180℃に加熱することにより反応させること
を特徴とする上記第一に記載したテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物の製造方法が提供される。第三に、前記
一般式(2)で示されるニトリル誘導体と、下記一般式
(4)で示される1,3−ジイミノイソインドリン誘導
体と、金属又は金属を有する化合物とを反応させて得ら
れた前記一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であって、該一般式(1)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも該一
般式(1)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする下記一般式(1)で
示されるテトラアザポルフィリン誘導体混合物が提供さ
れる。
【化7】 (式中、R3〜R6は水素原子、ハロゲン原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに環を形成し
ていても良い。) 第四に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体
と、前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノイソ
インドリン誘導体と、金属又は金属を有する化合物と
を、溶媒の存在下、100〜180℃に加熱することに
より反応させることを特徴とする上記第三に記載したテ
トラアザポルフィリン誘導体混合物の製造方法が提供さ
れる。第五に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体とを反応させて得られた下記一般式(5)で示され
る無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物であっ
て、該一般式(5)において、A、B、D、EがN原子
又はCH基であり、しかも一般式(5)中A、B、D、
Eの少なくとも1つはN原子で、且つ少なくとも1つは
CH基である化合物を必須成分として含有することを特
徴とする前記一般式(5)で示される無金属テトラアザ
ポルフィリン誘導体混合物が提供される。
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに環を形成し
ていても良い。) 第四に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体
と、前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノイソ
インドリン誘導体と、金属又は金属を有する化合物と
を、溶媒の存在下、100〜180℃に加熱することに
より反応させることを特徴とする上記第三に記載したテ
トラアザポルフィリン誘導体混合物の製造方法が提供さ
れる。第五に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体とを反応させて得られた下記一般式(5)で示され
る無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物であっ
て、該一般式(5)において、A、B、D、EがN原子
又はCH基であり、しかも一般式(5)中A、B、D、
Eの少なくとも1つはN原子で、且つ少なくとも1つは
CH基である化合物を必須成分として含有することを特
徴とする前記一般式(5)で示される無金属テトラアザ
ポルフィリン誘導体混合物が提供される。
【化8】 (上式中、a1〜a2は水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニ
トロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7
とa8は互いに環を形成していても良い。) 第六に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体
と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体
とを、溶媒の存在下、100〜180℃に加熱すること
により反応させることを特徴とする上記第五に記載した
無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物の製造方法
が提供される。第七に、前記一般式(2)で示されるニ
トリル誘導体と、前記一般式(4)で示される1,3−
ジイミノイソインドリン誘導体とを反応させて得られた
前記一般式(5)で示される無金属テトラアザポルフィ
リン誘導体混合物であって、該一般式(5)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも一般
式(5)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする前記一般式(5)で
示される無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物が
提供される。第八に、前記一般式(2)で示されるニト
リル誘導体と、前記一般式(4)で示される1,3−ジ
イミノイソインドリン誘導体とを、溶媒の存在下、10
0〜180℃に加熱することにより反応させることを特
徴とする上記第七に記載した無金属テトラアザポルフィ
リン誘導体混合物の製造方法が提供される。第九に、上
記第一又は第三に記載のテトラアザポルフィリン誘導体
混合物のうち、金属又は金属を有する化合物としてマグ
ネシウム又はマグネシウムを有する化合物を用いて得ら
れたテトラアザポルフィリン誘導体混合物を、酸性溶媒
中で処理することを特徴とする上記第五又は第七に記載
した無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物の製造
方法が提供される。
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニ
トロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7
とa8は互いに環を形成していても良い。) 第六に、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体
と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体
とを、溶媒の存在下、100〜180℃に加熱すること
により反応させることを特徴とする上記第五に記載した
無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物の製造方法
が提供される。第七に、前記一般式(2)で示されるニ
トリル誘導体と、前記一般式(4)で示される1,3−
ジイミノイソインドリン誘導体とを反応させて得られた
前記一般式(5)で示される無金属テトラアザポルフィ
リン誘導体混合物であって、該一般式(5)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも一般
式(5)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする前記一般式(5)で
示される無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物が
提供される。第八に、前記一般式(2)で示されるニト
リル誘導体と、前記一般式(4)で示される1,3−ジ
イミノイソインドリン誘導体とを、溶媒の存在下、10
0〜180℃に加熱することにより反応させることを特
徴とする上記第七に記載した無金属テトラアザポルフィ
リン誘導体混合物の製造方法が提供される。第九に、上
記第一又は第三に記載のテトラアザポルフィリン誘導体
混合物のうち、金属又は金属を有する化合物としてマグ
ネシウム又はマグネシウムを有する化合物を用いて得ら
れたテトラアザポルフィリン誘導体混合物を、酸性溶媒
中で処理することを特徴とする上記第五又は第七に記載
した無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物の製造
方法が提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明について更に詳しく
説明する。本発明のテトラアザポルフィリン誘導体混合
物は、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体と、
前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体若し
くは前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノイソ
インドリン誘導体と、金属又は金属を有する化合物とを
反応させることによって得られるものであり、合成法、
反応条件により、置換基の置換位置が異なる異性体が同
時に生成される可能性が考えられるが、本発明はこれら
のテトラアザポルフィリン誘導体の混合物を対象とし、
何れの異性体からなる化合物を含有していても良い。ま
た、テトラアザポルフィリン誘導体混合物を単離するこ
とによって得られる単独のテトラアザポルフィリン誘導
体化合物も本発明の対象となる。
説明する。本発明のテトラアザポルフィリン誘導体混合
物は、前記一般式(2)で示されるニトリル誘導体と、
前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体若し
くは前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノイソ
インドリン誘導体と、金属又は金属を有する化合物とを
反応させることによって得られるものであり、合成法、
反応条件により、置換基の置換位置が異なる異性体が同
時に生成される可能性が考えられるが、本発明はこれら
のテトラアザポルフィリン誘導体の混合物を対象とし、
何れの異性体からなる化合物を含有していても良い。ま
た、テトラアザポルフィリン誘導体混合物を単離するこ
とによって得られる単独のテトラアザポルフィリン誘導
体化合物も本発明の対象となる。
【0011】本発明のテトラアザポルフィリン誘導体混
合物の構造は、下記一般式(1)で示される。一般式
(1)において、A、B、D、EはN原子又はCR基で
ある。本発明のテトラアザポルフィリン誘導体混合物
は、A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子で、且つ
少なくとも1つはCR基である化合物を必須成分とする
一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリン誘導体
混合物である。なお、上記Rは、水素原子、ハロゲン原
子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無
置換のアリール基、置換若しくは無置換のシクロアルキ
ル基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、Rは、R同士、
互いに環を形成していても良い。また、一般式(1)に
おけるMとしては、例えばCu、TiO、Mg、Co、
Pb、VO、Fe、Zn、Ge、Sn、Ni、Al、G
a、Mo、In等の金属原子、金属酸化物、金属水酸化
物、及び金属ハロゲン化物等が挙げられる。
合物の構造は、下記一般式(1)で示される。一般式
(1)において、A、B、D、EはN原子又はCR基で
ある。本発明のテトラアザポルフィリン誘導体混合物
は、A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子で、且つ
少なくとも1つはCR基である化合物を必須成分とする
一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリン誘導体
混合物である。なお、上記Rは、水素原子、ハロゲン原
子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無
置換のアリール基、置換若しくは無置換のシクロアルキ
ル基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、Rは、R同士、
互いに環を形成していても良い。また、一般式(1)に
おけるMとしては、例えばCu、TiO、Mg、Co、
Pb、VO、Fe、Zn、Ge、Sn、Ni、Al、G
a、Mo、In等の金属原子、金属酸化物、金属水酸化
物、及び金属ハロゲン化物等が挙げられる。
【0012】
【化9】 (式中、a1〜a8は水素原子、ハロゲン原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニト
ロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7と
a8は互いに環を形成していても良い。またMは、金属
原子、金属酸化物、金属水酸化物又は金属ハロゲン化物
を表す。)
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニト
ロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7と
a8は互いに環を形成していても良い。またMは、金属
原子、金属酸化物、金属水酸化物又は金属ハロゲン化物
を表す。)
【0013】本発明の無金属テトラアザポルフィリン誘
導体混合物は、前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体若しくは前記一般式(4)で示される1,3−ジイ
ミノイソインドリン誘導体とを反応させることによって
得られるものであり、合成法、反応条件により、置換基
の置換位置が異なる異性体が同時に生成される可能性が
考えられるが、本発明はこれらの無金属テトラアザポル
フィリン誘導体の混合物を対象とし、何れの異性体から
なる化合物を含有していても良い。また、無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を単離することによって
得られる単独の無金属テトラアザポルフィリン誘導体化
合物も本発明の対象となる。が提供される。
導体混合物は、前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体若しくは前記一般式(4)で示される1,3−ジイ
ミノイソインドリン誘導体とを反応させることによって
得られるものであり、合成法、反応条件により、置換基
の置換位置が異なる異性体が同時に生成される可能性が
考えられるが、本発明はこれらの無金属テトラアザポル
フィリン誘導体の混合物を対象とし、何れの異性体から
なる化合物を含有していても良い。また、無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を単離することによって
得られる単独の無金属テトラアザポルフィリン誘導体化
合物も本発明の対象となる。が提供される。
【0014】本発明の無金属テトラアザポルフィリン誘
導体混合物の構造は、下記一般式(5)で示される。一
般式(5)において、A、B、D、EはN原子又はCR
基である。本発明の無金属テトラアザポルフィリン誘導
体混合物は、A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCR基である化合物を必須成
分とする一般式(5)で示されるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物である。なお、上記Rは、水素原子、ハ
ロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若
しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のシク
ロアルキル基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、Rは、
R同士、互いに環を形成していても良い。
導体混合物の構造は、下記一般式(5)で示される。一
般式(5)において、A、B、D、EはN原子又はCR
基である。本発明の無金属テトラアザポルフィリン誘導
体混合物は、A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCR基である化合物を必須成
分とする一般式(5)で示されるテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物である。なお、上記Rは、水素原子、ハ
ロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若
しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のシク
ロアルキル基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、Rは、
R同士、互いに環を形成していても良い。
【0015】
【化10】 (式中、a1〜a8は水素原子、ハロゲン原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニト
ロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7と
a8は互いに環を形成していても良い。)
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニト
ロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7と
a8は互いに環を形成していても良い。)
【0016】一般式(1)及び(5)において、a1〜
a8は水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、置換若しく
は無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール
基、又は置換若しくは無置換のシクロアルキル基を表
し、ハロゲン原子としては塩素原子、フッ素原子等が挙
げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、t
−ブチル基等が挙げられ、その置換基としては塩素原
子、フッ素原子等のハロゲン原子やニトロ基、シアノ基
等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフ
チル基等が挙げられ、その置換基としては、塩素原子、
フッ素原子等のハロゲン原子やメチル基、エチル基、t
−ブチル基等のアルキル基やニトロ基、シアノ基等が挙
げられる。また、シクロアルキル基としては、シクロヘ
キシル基等が挙げられ、その置換基としては、塩素原
子、フッ素原子等のハロゲン原子やメチル基、エチル
基、t−ブチル基等のアルキル基やニトロ基、シアノ基
等が挙げられる。また、a1とa2、a3とa4、a5と
a6、a7とa8は互いに環を形成していても良い。
a8は水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、置換若しく
は無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール
基、又は置換若しくは無置換のシクロアルキル基を表
し、ハロゲン原子としては塩素原子、フッ素原子等が挙
げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、t
−ブチル基等が挙げられ、その置換基としては塩素原
子、フッ素原子等のハロゲン原子やニトロ基、シアノ基
等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフ
チル基等が挙げられ、その置換基としては、塩素原子、
フッ素原子等のハロゲン原子やメチル基、エチル基、t
−ブチル基等のアルキル基やニトロ基、シアノ基等が挙
げられる。また、シクロアルキル基としては、シクロヘ
キシル基等が挙げられ、その置換基としては、塩素原
子、フッ素原子等のハロゲン原子やメチル基、エチル
基、t−ブチル基等のアルキル基やニトロ基、シアノ基
等が挙げられる。また、a1とa2、a3とa4、a5と
a6、a7とa8は互いに環を形成していても良い。
【0017】本発明の(無金属)テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物の前駆体である下記一般式(2)で示さ
れるニトリル誘導体は、下記の反応によって合成され
る。
ン誘導体混合物の前駆体である下記一般式(2)で示さ
れるニトリル誘導体は、下記の反応によって合成され
る。
【化11】 (式中、R1とR2は水素原子、ハロゲン原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R1とR2は互いに環を形成し
ていても良い。)
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R1とR2は互いに環を形成し
ていても良い。)
【0018】上記反応は通常無溶媒か、又はエタノー
ル、ブタノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トル
エン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒、ジクロロベン
ゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、酢酸等
の酸性溶媒の存在下で加熱することによって行われる。
なお、反応収率、原料の溶解性向上の目的で、酢酸、硫
酸、塩酸等の酸性触媒の存在下で反応させることが好ま
しい。反応温度は通常室温〜300℃で行い、特に10
0℃〜200℃で行うことが、反応収率の点から好まし
い。
ル、ブタノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トル
エン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒、ジクロロベン
ゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、酢酸等
の酸性溶媒の存在下で加熱することによって行われる。
なお、反応収率、原料の溶解性向上の目的で、酢酸、硫
酸、塩酸等の酸性触媒の存在下で反応させることが好ま
しい。反応温度は通常室温〜300℃で行い、特に10
0℃〜200℃で行うことが、反応収率の点から好まし
い。
【0019】また、前記一般式(3)で示されるフタロ
ニトリル誘導体及び前記一般式(4)で示される1,3
−ジイミノイソインドリン誘導体は、フタロシアニン−
化学と機能−白井・小林著に示される公知の手法により
得られるが、一部市販されている化合物もある。
ニトリル誘導体及び前記一般式(4)で示される1,3
−ジイミノイソインドリン誘導体は、フタロシアニン−
化学と機能−白井・小林著に示される公知の手法により
得られるが、一部市販されている化合物もある。
【化12】 (式中、R3〜R6は水素原子、ハロゲン原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに環を形成し
ていても良い。)
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに環を形成し
ていても良い。)
【0020】テトラアザポルフィリン誘導体混合物は、
上述の一般式(2)で示されるニトリル誘導体と一般式
(3)で示されるフタロニトリル誘導体と、又は上述の
一般式(2)で示されるニトリル誘導体と一般式(4)
で示される1,3−ジイミノイソインドリン誘導体と、
金属又は金属を有する化合物と共に、α−クロロナフタ
レン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロ
ゲン系溶剤、ペンタノール、オクタノール等のアルコー
ル系溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル
ピロリドン等のアミン系溶剤、ベンゼン、トルエン、ニ
トロベンゼン等の芳香族系溶媒の存在下で反応させるこ
とにより得ることができる。また、該反応は必要に応じ
て尿素、ホルムアミド、1,8−ジアザビシクロ〔5.
4.0〕−7−ウンデセン(DBU)等のアミン系触媒
の存在下反応を行っても良い。ここで一般式(2)の化
合物と一般式(3)の化合物、又は一般式(2)の化合
物と一般式(4)の化合物の混合割合(モル比)は、
0.001:99.999〜99.999:0.00
1、好適には0.1:99.9〜99.9:0.1(モ
ル比)とすることが好ましい。一般式(2)の化合物の
混合割合が前述の混合割合より少なく、一般式(3)の
化合物又は一般式(4)の化合物の混合割合が前述の混
合割合より多い場合、電子写真特性において残留電位の
増加、帯電性の低下を来す恐れがある。逆に、一般式
(2)の化合物の混合割合が前述の混合割合より多く、
一般式(3)の化合物又は一般式(4)の化合物の混合
割合が前述の混合割合より少ない場合、電子写真特性に
おいて帯電性の低下を来す恐れがある。また、上述した
金属としては、具体的には例えばMg、Li、Naが、
また金属を有する化合物としては、例えばTiCl4、
CoCl2、CuCl2、CuCl等の金属ハロゲン化物
や、Ti(OBu)4、Mg(OEt)2等のアルコキシ金属
等が挙げられる。反応温度は通常室温〜300℃で行
い、特に100℃〜180℃で行うことが、反応収率の
点から好ましい。
上述の一般式(2)で示されるニトリル誘導体と一般式
(3)で示されるフタロニトリル誘導体と、又は上述の
一般式(2)で示されるニトリル誘導体と一般式(4)
で示される1,3−ジイミノイソインドリン誘導体と、
金属又は金属を有する化合物と共に、α−クロロナフタ
レン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロ
ゲン系溶剤、ペンタノール、オクタノール等のアルコー
ル系溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル
ピロリドン等のアミン系溶剤、ベンゼン、トルエン、ニ
トロベンゼン等の芳香族系溶媒の存在下で反応させるこ
とにより得ることができる。また、該反応は必要に応じ
て尿素、ホルムアミド、1,8−ジアザビシクロ〔5.
4.0〕−7−ウンデセン(DBU)等のアミン系触媒
の存在下反応を行っても良い。ここで一般式(2)の化
合物と一般式(3)の化合物、又は一般式(2)の化合
物と一般式(4)の化合物の混合割合(モル比)は、
0.001:99.999〜99.999:0.00
1、好適には0.1:99.9〜99.9:0.1(モ
ル比)とすることが好ましい。一般式(2)の化合物の
混合割合が前述の混合割合より少なく、一般式(3)の
化合物又は一般式(4)の化合物の混合割合が前述の混
合割合より多い場合、電子写真特性において残留電位の
増加、帯電性の低下を来す恐れがある。逆に、一般式
(2)の化合物の混合割合が前述の混合割合より多く、
一般式(3)の化合物又は一般式(4)の化合物の混合
割合が前述の混合割合より少ない場合、電子写真特性に
おいて帯電性の低下を来す恐れがある。また、上述した
金属としては、具体的には例えばMg、Li、Naが、
また金属を有する化合物としては、例えばTiCl4、
CoCl2、CuCl2、CuCl等の金属ハロゲン化物
や、Ti(OBu)4、Mg(OEt)2等のアルコキシ金属
等が挙げられる。反応温度は通常室温〜300℃で行
い、特に100℃〜180℃で行うことが、反応収率の
点から好ましい。
【0021】無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合
物は、上述の一般式(2)で示されるニトリル誘導体と
一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体、又は上
述の一般式(2)で示されるニトリル誘導体と一般式
(4)で示される1,3−ジイミノイソインドリン誘導
体を、α−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリ
クロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、ペンタノール、オ
クタノール等のアルコール系溶剤、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N−メチルピロリドン等のアミン系溶剤、
ベンゼン、トルエン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒
の存在下で反応させることにより得ることができる。ま
た、該反応は必要に応じて尿素、ホルムアミド、1,8
−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−7−ウンデセン(D
BU)等のアミン系触媒の存在下反応を行っても良い。
ここで一般式(2)の化合物と一般式(3)の化合物、
又は一般式(2)の化合物と一般式(4)の化合物の混
合割合は、0.001:99.999〜99.999:
0.001(モル比)、好適には0.1:99.9〜9
9.9:0.1(モル比)とすることが好ましい。一般
式(2)の化合物の混合割合が前述の混合割合より少な
く、一般式(3)の化合物又は一般式(4)の化合物の
混合割合が前述の混合割合より多い場合、電子写真特性
において残留電位の増加、帯電性の低下を来す恐れがあ
る。逆に、一般式(2)の化合物の混合割合が前述の混
合割合より多く、一般式(3)の化合物又は一般式
(4)の化合物の混合割合が前述の混合割合より少ない
場合、電子写真特性において帯電性の低下を来す恐れが
ある。反応温度は通常室温〜300℃で行い、特に10
0℃〜180℃で行うことが、反応収率の点から好まし
い。
物は、上述の一般式(2)で示されるニトリル誘導体と
一般式(3)で示されるフタロニトリル誘導体、又は上
述の一般式(2)で示されるニトリル誘導体と一般式
(4)で示される1,3−ジイミノイソインドリン誘導
体を、α−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリ
クロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、ペンタノール、オ
クタノール等のアルコール系溶剤、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N−メチルピロリドン等のアミン系溶剤、
ベンゼン、トルエン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒
の存在下で反応させることにより得ることができる。ま
た、該反応は必要に応じて尿素、ホルムアミド、1,8
−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−7−ウンデセン(D
BU)等のアミン系触媒の存在下反応を行っても良い。
ここで一般式(2)の化合物と一般式(3)の化合物、
又は一般式(2)の化合物と一般式(4)の化合物の混
合割合は、0.001:99.999〜99.999:
0.001(モル比)、好適には0.1:99.9〜9
9.9:0.1(モル比)とすることが好ましい。一般
式(2)の化合物の混合割合が前述の混合割合より少な
く、一般式(3)の化合物又は一般式(4)の化合物の
混合割合が前述の混合割合より多い場合、電子写真特性
において残留電位の増加、帯電性の低下を来す恐れがあ
る。逆に、一般式(2)の化合物の混合割合が前述の混
合割合より多く、一般式(3)の化合物又は一般式
(4)の化合物の混合割合が前述の混合割合より少ない
場合、電子写真特性において帯電性の低下を来す恐れが
ある。反応温度は通常室温〜300℃で行い、特に10
0℃〜180℃で行うことが、反応収率の点から好まし
い。
【0022】表1にこれらの反応経路の例を示すが、本
発明はこれにより限定されるものではない。
発明はこれにより限定されるものではない。
【0023】
【表1】
【0024】また、テトラアザポルフィリン誘導体混合
物のうちM=Mg、Li、Naであるテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物を、酸性溶媒中で処理することによ
り無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物を高収率
で得ることが可能である。
物のうちM=Mg、Li、Naであるテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物を、酸性溶媒中で処理することによ
り無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物を高収率
で得ることが可能である。
【0025】本発明の(無金属)テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物は、電子写真感光体用電荷発生物質とし
て有用であるばかりでなく、太陽電池、光ディスク等の
電子デバイスとしてエレクトロニクス分野で好適に使用
することが可能である。
ン誘導体混合物は、電子写真感光体用電荷発生物質とし
て有用であるばかりでなく、太陽電池、光ディスク等の
電子デバイスとしてエレクトロニクス分野で好適に使用
することが可能である。
【0026】テトラアザポルフィリン誘導体混合物の具
体例としては、例えば表2及び3に示されるものが挙げ
られ、また無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物
の具体例としては、例えば表4及び5に示されるものが
挙げられる。
体例としては、例えば表2及び3に示されるものが挙げ
られ、また無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物
の具体例としては、例えば表4及び5に示されるものが
挙げられる。
【0027】
【表2】
【0028】
【表3】
【0029】
【表4】
【0030】
【表5】
【0031】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
【0032】参考例1 〈中間体(2,3−ジシアノ−5,6−ジフェニルピラ
ジン)の合成〉ベンジル0.1mol、ジアミノマレオ
ニトリル0.1mol、酢酸をreflux下で6時間
撹拌した。室温まで自然冷却した後、析出した2,3−
ジシアノ−5,6−ジフェニルピラジンをろ取し、粗生
成物を得た。これに再結晶溶媒N,N−ジメチルホルム
アミドを用いて、再結晶を行ない、収率90%で目的物
である前記式(6)で表される2,3−ジシアノ−5,
6−ジフェニルピラジンを得た。
ジン)の合成〉ベンジル0.1mol、ジアミノマレオ
ニトリル0.1mol、酢酸をreflux下で6時間
撹拌した。室温まで自然冷却した後、析出した2,3−
ジシアノ−5,6−ジフェニルピラジンをろ取し、粗生
成物を得た。これに再結晶溶媒N,N−ジメチルホルム
アミドを用いて、再結晶を行ない、収率90%で目的物
である前記式(6)で表される2,3−ジシアノ−5,
6−ジフェニルピラジンを得た。
【化13】
【0033】実施例1 参考例1で得られた2,3−ジシアノ−5,6−ジフェ
ニルピラジン0.2molと、フタロニトリル0.2m
olと第1塩化銅0.1mol、α−クロロナフタレン
1000mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に200
℃まで昇温し、反応温度を190〜210℃に保ちなが
ら、3時間加熱撹拌した。反応終了後、放冷し130℃
になったところで熱時ろ過し、ついでα−クロロナフタ
レンで充分に洗浄し、更にメタノール、トルエン、水で
数回洗浄した後、乾燥し収率80%のCuテトラアザポ
ルフィリン誘導体混合物を得た。
ニルピラジン0.2molと、フタロニトリル0.2m
olと第1塩化銅0.1mol、α−クロロナフタレン
1000mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に200
℃まで昇温し、反応温度を190〜210℃に保ちなが
ら、3時間加熱撹拌した。反応終了後、放冷し130℃
になったところで熱時ろ過し、ついでα−クロロナフタ
レンで充分に洗浄し、更にメタノール、トルエン、水で
数回洗浄した後、乾燥し収率80%のCuテトラアザポ
ルフィリン誘導体混合物を得た。
【0034】ここで得られたCuテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)にお
いて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
ン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)にお
いて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
【0035】実施例2 参考例1で得られた2,3−ジシアノ−5,6−ジフェ
ニルピラジン0.2mol、フタロニトリル0.2mo
lとTi(OBu)4を0.1mol、尿素0.2mol
とオクタノール1000mlを撹拌混合し、窒素気流
下、徐々に180℃まで昇温し、反応温度を180〜1
90℃に保ちながら、3時間加熱撹拌した。反応終了
後、放冷し130℃になったところで熱時ろ過し、つい
でオクタノールで充分に洗浄し、更にメタノール、トル
エン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率70%のTiO
テトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
ニルピラジン0.2mol、フタロニトリル0.2mo
lとTi(OBu)4を0.1mol、尿素0.2mol
とオクタノール1000mlを撹拌混合し、窒素気流
下、徐々に180℃まで昇温し、反応温度を180〜1
90℃に保ちながら、3時間加熱撹拌した。反応終了
後、放冷し130℃になったところで熱時ろ過し、つい
でオクタノールで充分に洗浄し、更にメタノール、トル
エン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率70%のTiO
テトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0036】ここで得られたTiOテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)に
おいて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
リン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)に
おいて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
【0037】実施例3 金属Mg0.4mol、触媒量のヨウ素、ペンタノール
500mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで、参考例1で得られた
2,3−ジシアノ−5,6−ジフェニルピラジン0.2
mol、フタロニトリル0.2molを加え、撹拌混合
し、窒素気流下、徐々に120℃まで昇温し、反応温度
を110〜120℃に保ちながら、3時間加熱撹拌し
た。反応終了後、放冷し80℃になったところで熱時ろ
過し、ついでペンタノールで充分に洗浄し、更にメタノ
ール、トルエン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率90
%のMgテトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
500mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで、参考例1で得られた
2,3−ジシアノ−5,6−ジフェニルピラジン0.2
mol、フタロニトリル0.2molを加え、撹拌混合
し、窒素気流下、徐々に120℃まで昇温し、反応温度
を110〜120℃に保ちながら、3時間加熱撹拌し
た。反応終了後、放冷し80℃になったところで熱時ろ
過し、ついでペンタノールで充分に洗浄し、更にメタノ
ール、トルエン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率90
%のMgテトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0038】ここで得られたMgテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)にお
いて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
ン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)にお
いて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
【0039】実施例4 実施例3で得られた、Mgテトラアザポルフィリン誘導
体混合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000m
1中に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ち
ながら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっく
り注ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しな
くなるまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率90%で無金属テ
トラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
体混合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000m
1中に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ち
ながら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっく
り注ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しな
くなるまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率90%で無金属テ
トラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0040】参考例2 〈中間体前記式(7)で表される化合物の合成〉
【化14】 9,10−フェナンスレンキノン0.1mol、ジアミ
ノマレオニトリル0.1mol、酢酸を、reflux
下で6時間撹拌した。室温まで自然冷却した後、析出し
た式(7)で表される中間体をろ取し、粗生成物を得
た。これに再結晶溶媒N,N−ジメチルホルムアミドを
用いて、再結晶を行ない、収率90%で式(7)で表さ
れる目的物を得た。
ノマレオニトリル0.1mol、酢酸を、reflux
下で6時間撹拌した。室温まで自然冷却した後、析出し
た式(7)で表される中間体をろ取し、粗生成物を得
た。これに再結晶溶媒N,N−ジメチルホルムアミドを
用いて、再結晶を行ない、収率90%で式(7)で表さ
れる目的物を得た。
【0041】実施例5 金属Mg0.4mol、触媒量のヨウ素、ペンタノール
500m1を撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで参考例2で得られた式
(7)で表される中間体のピラジン化合物0.2mo
l、ナフタロニトリル0.2molを加え、撹拌混合
し、窒素気流下、徐々に120℃まで昇温し、反応温度
を110〜120℃に保ちながら、3時間加熱撹拌し
た。反応終了後、放冷し80℃になったところで熱時ろ
過し、ついでペンタノールで充分に洗浄し、更にメタノ
ール、トルエン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率80
%のMgテトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
500m1を撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで参考例2で得られた式
(7)で表される中間体のピラジン化合物0.2mo
l、ナフタロニトリル0.2molを加え、撹拌混合
し、窒素気流下、徐々に120℃まで昇温し、反応温度
を110〜120℃に保ちながら、3時間加熱撹拌し
た。反応終了後、放冷し80℃になったところで熱時ろ
過し、ついでペンタノールで充分に洗浄し、更にメタノ
ール、トルエン、水で数回洗浄した後、乾燥し収率80
%のMgテトラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0042】実施例6 実施例5で得た、Mgテトラアザポルフィリン誘導体混
合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000ml中
に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ちなが
ら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっくり注
ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しなくな
るまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率80%で無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を得た。
合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000ml中
に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ちなが
ら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっくり注
ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しなくな
るまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率80%で無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0043】実施例7 金属Mg0.4mol、触媒量のヨウ素、ペンタノール
500mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで、2,3−ジシアノピ
ラジン0.2mol、ナフタロニトリル0.2molを
加え、撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃まで昇
温し、反応温度を110〜120℃に保ちながら、3時
間加熱撹拌した。反応終了後、放冷し80℃になったと
ころで熱時ろ過し、ついでペンタノールで充分に洗浄
し、更にメタノール、トルエン、水で数回洗浄した後、
乾燥し収率75%のMgテトラアザポルフィリン誘導体
混合物を得た。
500mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで、2,3−ジシアノピ
ラジン0.2mol、ナフタロニトリル0.2molを
加え、撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃まで昇
温し、反応温度を110〜120℃に保ちながら、3時
間加熱撹拌した。反応終了後、放冷し80℃になったと
ころで熱時ろ過し、ついでペンタノールで充分に洗浄
し、更にメタノール、トルエン、水で数回洗浄した後、
乾燥し収率75%のMgテトラアザポルフィリン誘導体
混合物を得た。
【0044】実施例8 実施例7で得た、Mgテトラアザポルフィリン誘導体混
合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000ml中
に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ちなが
ら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっくり注
ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しなくな
るまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率85%で無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を得た。
合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000ml中
に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ちなが
ら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっくり注
ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しなくな
るまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率85%で無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0045】実施例9 参考例1で得られた2,3−ジシアノ−5,6−ジフェ
ニルピラジン0.02mol、フタロニトリル0.38
molとTi(OBu)4を0.1mol、尿素0.2m
olとオクタノール1000mlを撹拌混合し、窒素気
流下、徐々に140℃まで昇温し、反応温度を140〜
150℃に保ちながら、3時間加熱撹拌した。反応終了
後、放冷し室温になった後ろ過し、ついでオクタノール
で充分に洗浄し、更にトルエン、蒸留水で数回洗浄した
後、乾燥し収率65%のTiOテトラアザポルフィリン
誘導体混合物を得た。
ニルピラジン0.02mol、フタロニトリル0.38
molとTi(OBu)4を0.1mol、尿素0.2m
olとオクタノール1000mlを撹拌混合し、窒素気
流下、徐々に140℃まで昇温し、反応温度を140〜
150℃に保ちながら、3時間加熱撹拌した。反応終了
後、放冷し室温になった後ろ過し、ついでオクタノール
で充分に洗浄し、更にトルエン、蒸留水で数回洗浄した
後、乾燥し収率65%のTiOテトラアザポルフィリン
誘導体混合物を得た。
【0046】ここで得られたTiOテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)に
おいて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
リン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)に
おいて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
【0047】実施例10 2,3−ジシアノピラジン0.02mol、フタロニト
リル0.38molとTi(OBu)4を0.1mol、
尿素0.2molとオクタノール1000mlを撹拌混
合し、窒素気流下、徐々に140℃まで昇温し、反応温
度を140〜150℃に保ちながら、3時間加熱撹拌し
た。反応終了後、放冷し室温になった後ろ過し、ついで
オクタノールで充分に洗浄し、更にトルエン、蒸留水で
数回洗浄した後、乾燥し収率65%のTiOテトラアザ
ポルフィリン誘導体混合物を得た。
リル0.38molとTi(OBu)4を0.1mol、
尿素0.2molとオクタノール1000mlを撹拌混
合し、窒素気流下、徐々に140℃まで昇温し、反応温
度を140〜150℃に保ちながら、3時間加熱撹拌し
た。反応終了後、放冷し室温になった後ろ過し、ついで
オクタノールで充分に洗浄し、更にトルエン、蒸留水で
数回洗浄した後、乾燥し収率65%のTiOテトラアザ
ポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0048】ここで得られたTiOテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)に
おいて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
リン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)に
おいて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
【0049】実施例11 金属Mg0.4mol、触媒量のヨウ素、ペンタノール
500mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで、参考例1で得られた
2,3−ジシアノ−5,6−ジフェニルピラジン0.2
mol、1,3−ジイミノイソインドリン0.2mol
を加え、撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃まで
昇温し、反応温度を110〜120℃に保ちながら、3
時間加熱撹拌した。反応終了後、放冷し80℃になった
ところで熱時ろ過し、ついでペンタノールで充分に洗浄
し、更にメタノール、トルエン、水で数回洗浄した後、
乾燥し収率90%のMgテトラアザポルフィリン誘導体
混合物を得た。
500mlを撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃
まで昇温し、反応温度を110〜120℃の間に保ちな
がら1時間撹拌し、Mgの活性化を行った。反応終了
後、放冷し室温になったところで、参考例1で得られた
2,3−ジシアノ−5,6−ジフェニルピラジン0.2
mol、1,3−ジイミノイソインドリン0.2mol
を加え、撹拌混合し、窒素気流下、徐々に120℃まで
昇温し、反応温度を110〜120℃に保ちながら、3
時間加熱撹拌した。反応終了後、放冷し80℃になった
ところで熱時ろ過し、ついでペンタノールで充分に洗浄
し、更にメタノール、トルエン、水で数回洗浄した後、
乾燥し収率90%のMgテトラアザポルフィリン誘導体
混合物を得た。
【0050】ここで得られたMgテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)にお
いて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
ン誘導体混合物は、質量分析の結果、一般式(1)にお
いて A=B=D=E=CH A=B=D=CH、E=N A=B=CH、D=E=N又はA=D=CH、B=E=
N A=B=D=N、E=CH A=B=D=E=N である化合物の分子量に相当するピークが観測され、こ
れらの化合物の存在が確認され、テトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物であることが示された。
【0051】実施例12 実施例11で得た、Mgテトラアザポルフィリン誘導体
混合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000ml
中に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ちな
がら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっくり
注ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しなく
なるまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率90%で無金属テト
ラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
混合物40gを5℃で、トリフルオロ酢酸3000ml
中に少しずつ加え、約1時間、5℃以下の温度を保ちな
がら撹拌した後、10000mlの氷水中に、ゆっくり
注ぎ、析出した結晶をろ過した。結晶を酸が残留しなく
なるまで蒸留水で洗浄、乾燥し収率90%で無金属テト
ラアザポルフィリン誘導体混合物を得た。
【0052】実施例9で得られたテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物について、赤外吸収スペクトルを測定し
た。図1に実施例9で得たテトラアザポルフィリン誘導
体混合物の赤外吸収スペクトルを示す。
ン誘導体混合物について、赤外吸収スペクトルを測定し
た。図1に実施例9で得たテトラアザポルフィリン誘導
体混合物の赤外吸収スペクトルを示す。
【0053】応用例1 実施例4で得られた無金属テトラアザポルフィリン誘導
体混合物顔料1重量部、ポリビニールブチラール樹脂
(BM−S、積水化学工業社製)の2重量%酢酸ブチル
溶液50重量部、酢酸n−ブチル49重量部を、直径2
mmのガラスビーズを用いたサンドミルにて2時間分散
を行った。これを75μmのアルミ蒸着PETベース上
に塗布し、80℃で5分間乾燥させて膜厚0.2μmの
電荷発生層を形成した。次に、前記構造式(D−1)で
示される正孔輸送物質42重量部、ポリカーボネート樹
脂(ユーピロンZ200、三菱ガス化学社製)60重量
部、シリコーンオイル(KF50、信越化学社製)0.
001重量部をジクロロメタン638重量部に溶解し、
電荷輸送層用塗工液を調製した。これを上記電荷発生層
上に塗布し、80℃で5分間、110℃で10分間乾燥
させて膜厚が20μmの電荷輸送層を形成し、電子写真
感光体を得た。
体混合物顔料1重量部、ポリビニールブチラール樹脂
(BM−S、積水化学工業社製)の2重量%酢酸ブチル
溶液50重量部、酢酸n−ブチル49重量部を、直径2
mmのガラスビーズを用いたサンドミルにて2時間分散
を行った。これを75μmのアルミ蒸着PETベース上
に塗布し、80℃で5分間乾燥させて膜厚0.2μmの
電荷発生層を形成した。次に、前記構造式(D−1)で
示される正孔輸送物質42重量部、ポリカーボネート樹
脂(ユーピロンZ200、三菱ガス化学社製)60重量
部、シリコーンオイル(KF50、信越化学社製)0.
001重量部をジクロロメタン638重量部に溶解し、
電荷輸送層用塗工液を調製した。これを上記電荷発生層
上に塗布し、80℃で5分間、110℃で10分間乾燥
させて膜厚が20μmの電荷輸送層を形成し、電子写真
感光体を得た。
【0054】
【化15】
【0055】応用例で得られた電子写真感光体につい
て、静電特性測定装置(EPA−8200、川口電機社
製)を用い、−6KVでコロナ放電を20秒間行って帯
電せしめ、続いて20秒間暗減衰させた後の表面電位V
0は−1130(V)であり、20ルックスの光照射後
V0が1/2になるのに必要な露光量E1/2は20.7
(lux・sec)であった。
て、静電特性測定装置(EPA−8200、川口電機社
製)を用い、−6KVでコロナ放電を20秒間行って帯
電せしめ、続いて20秒間暗減衰させた後の表面電位V
0は−1130(V)であり、20ルックスの光照射後
V0が1/2になるのに必要な露光量E1/2は20.7
(lux・sec)であった。
【0056】
【発明の効果】本発明によれば、特に電子写真感光体用
電荷発生物質として有用な新規なテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物を提供することができ、また該テトラア
ザポルフィリン誘導体混合物を高収率で得るたるの製造
方法を提供することができる。
電荷発生物質として有用な新規なテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物を提供することができ、また該テトラア
ザポルフィリン誘導体混合物を高収率で得るたるの製造
方法を提供することができる。
【図1】実施例9で得られた本発明の新規テトラアザポ
ルフィリン誘導体混合物の赤外吸収スペクトル図であ
る。
ルフィリン誘導体混合物の赤外吸収スペクトル図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07F 9/00 C07F 9/00 A C09B 47/00 C09B 47/00 G03G 5/06 371 G03G 5/06 371 // C07D 487/22 C07D 487/22 (72)発明者 南場 通彦 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 島田 知幸 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 千秋 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H068 AA19 BA16 BA39 EA04 4C050 PA14 4H048 AA02 AA05 AC90 VA32 VA56 VA60 VA66 VB20 4H049 VN05 VP01 VQ60 VR54 VS21 VU24 4H050 AB21 BB11 BB12 BB14 BB17 BB18 WB13 WB14
Claims (9)
- 【請求項1】 下記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、下記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体と、金属又は金属を有する化合物とを反応させて得
られた下記一般式(1)で示されるテトラアザポルフィ
リン誘導体混合物であって、該一般式(1)において、
A、B、D、EがN原子又はCH基であり、しかも該一
般式(1)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子
で、且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成
分として含有することを特徴とする下記一般式(1)で
示されるテトラアザポルフィリン誘導体混合物。 【化1】 (上式中、a1〜a2は水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニ
トロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7
とa8は互いに環を形成していても良い。またMは、金
属原子、金属酸化物、金属水酸化物又は金属ハロゲン化
物を表す。) 【化2】 (上式中、R1、R2は水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニト
ロ基又はシアノ基を表わし、R1とR2は互いに環を形成
していても良い。R3〜R6は水素原子、ハロゲン原子、
置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換
のアリール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル
基、ニトロ基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに
環を形成していても良い。) - 【請求項2】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体と、金属又は金属を有する化合物とを、溶媒の存在
下、100〜180℃に加熱することにより反応させる
ことを特徴とする請求項1記載のテトラアザポルフィリ
ン誘導体混合物の製造方法。 - 【請求項3】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、下記一般式(4)で示される1,3−ジイミノ
イソインドリン誘導体と、金属又は金属を有する化合物
とを反応させて得られた前記一般式(1)で示されるテ
トラアザポルフィリン誘導体混合物であって、該一般式
(1)において、A、B、D、EがN原子又はCH基で
あり、しかも該一般式(1)中A、B、D、Eの少なく
とも1つはN原子で、且つ少なくとも1つはCH基であ
る化合物を必須成分として含有することを特徴とする前
記一般式(1)で示されるテトラアザポルフィリン誘導
体混合物。 【化3】 (式中、R3〜R6は水素原子、ハロゲン原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、ニトロ
基又はシアノ基を表わし、R3〜R6は互いに環を形成し
ていても良い。) - 【請求項4】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノ
イソインドリン誘導体と、金属又は金属を有する化合物
とを、溶媒の存在下、100〜180℃に加熱すること
により反応させることを特徴とする請求項3記載のテト
ラアザポルフィリン誘導体混合物の製造方法。 - 【請求項5】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体とを反応させて得られた下記一般式(5)で示され
る無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物であっ
て、該一般式(5)において、A、B、D、EがN原子
又はCH基であり、しかも該一般式(5)中A、B、
D、Eの少なくとも1つはN原子で、且つ少なくとも1
つはCH基である化合物を必須成分として含有すること
を特徴とする下記一般式(5)で示される無金属テトラ
アザポルフィリン誘導体混合物。 【化4】 (上式中、a1〜a8は水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリ
ール基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又はニ
トロ基を表わし、a1とa2、a3とa4、a5とa6、a7
とa8は互いに環を形成していても良い。) - 【請求項6】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(3)で示されるフタロニトリル誘
導体とを、溶媒の存在下、100〜180℃に加熱する
ことにより反応させることを特徴とする請求項5記載の
無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物の製造方
法。 - 【請求項7】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノ
イソインドリン誘導体とを反応させて得られた前記一般
式(5)で示される無金属テトラアザポルフィリン誘導
体混合物であって、該一般式(5)において、A、B、
D、EがN原子又はCH基であり、しかも該一般式
(5)中A、B、D、Eの少なくとも1つはN原子で、
且つ少なくとも1つはCH基である化合物を必須成分と
して含有することを特徴とする前記一般式(5)で示さ
れる無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物。 - 【請求項8】 前記一般式(2)で示されるニトリル誘
導体と、前記一般式(4)で示される1,3−ジイミノ
イソインドリン誘導体とを、溶媒の存在下、100〜1
80℃に加熱することにより反応させることを特徴とす
る請求項7記載の無金属テトラアザポルフィリン誘導体
混合物の製造方法。 - 【請求項9】 請求項1又は3記載のテトラアザポルフ
ィリン誘導体混合物のうち、金属又は金属を有する化合
物としてマグネシウム又はマグネシウムを有する化合物
を用いて得られたテトラアザポルフィリン誘導体混合物
を、酸性溶媒中で処理することを特徴とする請求項5又
は7記載の無金属テトラアザポルフィリン誘導体混合物
の製造方法。
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---|---|---|---|
JP10326779A JP2000144005A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | テトラアザポルフィリン誘導体混合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10326779A JP2000144005A (ja) | 1998-11-17 | 1998-11-17 | テトラアザポルフィリン誘導体混合物及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000144005A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1063264A2 (en) * | 1999-06-22 | 2000-12-27 | Ricoh Company, Ltd. | Reaction product, process of producing same, electrophotographic photoconductor using same, electrophotographic apparatus having the photoconductor, and process cartridge for electrophotographic apparatus |
JP2002003493A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-09 | Canon Inc | オクタフェニルテトラアザポルフィリナトマグネシウム、該オクタフェニルテトラアザポルフィリナトマグネシウムの製造方法、該オクタフェニルテトラアザポルフィリナトマグネシウムを用いた電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
US10625339B2 (en) | 2015-06-16 | 2020-04-21 | Seiko Epson Corporation | Three-dimensional forming apparatus and three-dimensional forming method |
-
1998
- 1998-11-17 JP JP10326779A patent/JP2000144005A/ja active Pending
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EP1063264A3 (en) * | 1999-06-22 | 2001-08-29 | Ricoh Company, Ltd. | Reaction product, process of producing same, electrophotographic photoconductor using same, electrophotographic apparatus having the photoconductor, and process cartridge for electrophotographic apparatus |
US6465648B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-10-15 | Ricoh Company, Ltd. | Reaction product, process of producing same, electrophotographic photoconductor using same, electrophotographic apparatus having the photoconductor, and process cartridge for electrophotographic apparatus |
US6544701B2 (en) | 1999-06-22 | 2003-04-08 | Ricoh Company, Ltd. | Reaction product, process for the production thereof, electrophotographic photoconductor using the reaction product, electrophotographic apparatus using the photoconductor, and process cartridge for electrophotographic apparatus |
JP2002003493A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-09 | Canon Inc | オクタフェニルテトラアザポルフィリナトマグネシウム、該オクタフェニルテトラアザポルフィリナトマグネシウムの製造方法、該オクタフェニルテトラアザポルフィリナトマグネシウムを用いた電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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