JP2000077382A - 機能素子及びその製造方法並びにこの機能素子を用いた光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の（１１１）面を４５°面とする方法で
は、加工費用の高いシリコンウエハを使用していた。ま
た、安価な（１００）シリコンウエハを用いる方法では
ミラーとして充分な平坦度を持つ４５°面は得られなか
った。 【解決手段】 （１００）シリコン基板に＜１００＞方
向に沿った辺を有するパターンを形成するパターニング
工程と、超音波が印加された異方性エッチャントを用い
て前記パターンを備えたシリコン基板をエッチングする
エッチング工程とを備えた機能素子の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、機能素子及びその
製造方法並びにこの機能素子を用いた光ディスク装置に
係り、特にシリコン基板上あるいは基板内に基板の（１
００）面に対して４５°の角度を持つほぼ平坦な斜面を
有する機能素子及びこの機能素子を湿式のエッチングに
よって製造する方法並びにこの機能素子を用いた光ディ
スク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ
Ｄｉｓｃ − Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）や
ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉ
ｓｋ）に代表されるように、所定の波長を有するレーザ
光を用いて情報の再生を行う光ディスク装置が広く普及
している。その光ディスク装置の中心部にあたるのが光
学ヘッドである。光学ヘッドには、レーザ・ダイオード
やフォト・ダイオードが集積されている。図１は、光学
ヘッドの中心部であるＩＯＵ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ｕｎｉｔ）の概略構成を示す斜視図で
あり、シリコン基板２１上に、反射光を取り入れる受光
素子２４や、４５°ミラー２６を使って９０°方向を変
えて出射光２２を照射するレーザ・ダイオード２５など
が集積されている。図２は、レーザ・ダイオード２５と
４５°ミラー２６とを示した断面図である。シリコン基
板２１の上に取り付けられたレーザ・ダイオード２５か
ら発せられた出射光は４５°ミラー２６に反射されて上
方に偏向され、レンズ系（不図示）を通ってディスクに
あたる。この出射光２２を反射する４５°ミラー２６
は、シリコン基板２１をエッチング加工し、エッチング
によって出来上がった４５°面の表面にＡｌやＡｕ等の
反射膜を堆積したものである。

【０００３】この集積化されたＩＯＵ２０はコンパクト
であるが、使用するシリコン基板２１の加工費用が高い
という大きな問題を抱えている。それは４５°反射面２
６に（１１１）面を選んだために、特殊仕様の基板を使
用しなければならないためである。通常、シリコン・イ
ンゴットを切断して（１００）シリコンウエハとして売
られているウエハの切断面を（１００）面という。この
シリコン基板２１の（１００）面をエッチングすると、
シリコン基板２１の断面は図３（Ａ）に示すように、
（１００）面に対して５４．７４°の角度で（１１１）
面が現れることが知られている。このままでは４５°ミ
ラーとして使えないため、図３（Ｂ）のようにウエハを
シリコン・インゴット３１から斜めに切り出して９．７
４°ｏｆｆの（１００）シリコンウエハを作り、そのウ
エハをエッチングすることにより４５°面を得ている。
シリコン・インゴット３１から切り出す際にこの９．７
４°という傾き角度を精度よく制御することは難しい。
例えば、丸いインゴットから斜めに切り出すと切り出し
た形状は楕円なる。楕円のままでは、通常の露光装置な
どで作業をすることは困難であるので、切り出したウエ
ハの断面を円形にするための整形作業が必要である。こ
の整形作業は手間がかかり、コスト高を招いている。

【０００４】また、ウエハをインゴット３１から斜めに
切り出すので１本のインゴットから作れるウエハの数は
少なくなるため、更にコストは高くなる。現状レベルで
は、通常の（１００）シリコンウエハの３〜４倍の高価
格となっている。また、価格の安い（１００）シリコン
ウエハを用いて４５°面を形成しようとする試みもあ
る。図４のように＜１００＞方向にパターニングを行っ
て異方性エッチャントだけでエッチングして、シリコン
基板の（１００）面に対して４５°の角度に形成された
面、すなわち、（１１０）面からなる４５°面を作ろう
というものである。しかし、実際には用いるエッチャン
トによっては図５に示すように断面が４５°にならず垂
直になる場合がある。また、４５°面が得られたとして
も表面に大きな凹凸が発生し、この４５°面のｒｍｓ
（ｒｏｏｔ−ｍｅａｎ ｓｑｕａｒｅ）が５０ｎｍ以下
になることがないために、反射面として使えるような滑
らかな面を作ったという報告は見当たらない。上述した
ように、従来の半導体装置及びその製造方法では、４５
°面の価格が非常に高いという問題点があった。また、
低価格のウエハを用いて作ろうとする試みもなされてい
るが、所望の形状、動作に至ることができなかった。

【０００５】さらに、この４５°面を用いた光ディスク
装置安価に提供することができなかった。 そこで、本発
明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、低価格
なウエハである（１００）シリコンウエハを用いて、
（１１０）面からなる４５°面を提供することを目的と
する。また、この４５°面を用いて安価で高性能の光デ
ィスク装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る機能素子の
製造方法は、（１００）シリコン基板に＜１００＞方向
に沿った辺を有するパターンを形成するパターニング工
程と、超音波が印加された異方性エッチャントを用いて
前記パターンを備えたシリコン基板をエッチングするエ
ッチング工程とを備えることを特徴とする。また、本発
明に係る機能素子は、（１００）シリコン基板と、この
シリコン基板上に形成され＜１００＞方向に沿った斜面
を備えたパターンとを有し、前記斜面のｒｍｓが５０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする。また、本発明に係る光
ディスク装置は、第１の方向にレーザ光を照射する光源
と、前記光源からのレーザ光を前記第１の方向と直交す
る第２の方向に反射する反射膜と、前記反射膜により反
射したレーザ光を受け、光ディスクに焦点を形成する対
物レンズと、前記光源、前記反射膜及び前記対物レンズ
を搭載するキャリッジと、前記光ディスクを保持する保
持部材と、前記保持部材により保持された前記光ディス
クを回転する駆動手段とを備え、前記反射膜は、（１０
０）シリコン基板上に＜１００＞方向に沿って形成され
たｒｍｓが５０ｎｍ以下の斜面上に形成されている事を
特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。なお、同一構成要素には同一
符号を付してある。図６から図１０を用いて、本発明の
（１１０）面からなるシリコン製の４５°面の製造方法
について説明する。ここで、図６は４５°面製造の説明
をするためのマスク・パターン図の平面図であり、図７
は図６のＡ−Ａ線で切り取った断面図である。図８はエ
ッチング後の平面図であり、図９は図８のＢ−Ｂ線で切
り取った断面図、図１０は図８のＣ−Ｃの線で切り取っ
た断面図である。まず、４５°面を形成するために、
（１００）シリコンウエハであるシリコン基板１の（１
００）面に形成したマスク層２を、図６，７を用いて以
下で説明するパターニングする。パターンの基準方向は
＜１００＞方向である。尚、ここでの＜１００＞方向と
は、（１００）面内のみを考えているので、［１０
０］、［−１００］、［０１０］、［０−１０］の４つ
の方位を表す。マスク層２としては、一般的にはシリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜が使われる。この基板を界面
活性剤を添加した異方性エッチャントを用い、超音波を
印加しながらエッチングを行う。異方性エッチャントと
しては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液や水酸化テト
ラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液などがある。
界面活性剤としては、非イオン系活性剤が望ましく、例
えばポリオキシエチレン・アルキル・フェニル・エーテ
ル（polyoxyethylene alkyl phenyl ether）が３０
％含まれた和光純薬工業社製高純度洗浄剤（商品名；Ｎ
ＣＷ−６０１Ａ）がある。前記非イオン系界面活性剤の
アルカリ水溶液に対する添加量は、前記水溶液に対して
０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．５〜５重量
％の範囲することが望ましい。前記非イオン性界面活性
剤の添加量を０．０１重量％未満にすると、シリコン基
板の（１１０）面および（１１１）面のエッチングレー
トを低減することが困難になる。一方、前記非イオン性
界面活性剤の添加量が１０重量％を越えるとアルカリ水
溶液によるエッチング性が阻害される恐れがある。

【０００８】また、超音波の印加方法としては、例えば
底部に超音波振動子が設けられた超音波洗浄槽中に、前
記界面活性剤が添加された異方性エッチャントを満た
し、この中に（１００）シリコン基板を鉛直方向に立て
た状態で含浸させることにより実現される。超音波振動
子に印加するパワーは、例えばエッチャントの量が３０
００から４０００ｃｃで、基板が数ｃｍ角程度の場合は
１００Ｗ程度で充分である。尚、異方性エッチャントの
量が多い場合またはダイシング前の大口径ウエハを処理
する場合のように基板の大きさが大きい場合は、超音波
振動子に印加するパワーは適宜大きくする必要が有る。
また、超音波の周波数は、単一の周波数を印加する、あ
るいは、複数の周波数を周期的に切り替えて印加するの
いずれでも所望の作用は期待されるが、超音波により生
じる定在波の影響により基板が局所的にエッチングされ
ることの抑制、あるいは、エッチング形状のパターン依
存性を抑制するため、複数の周波数の超音波を周期的に
切り替えて印加することがより望ましい。このような条
件のもとで、エッチングを行うと、図８乃至１０に示す
ような（１１０）面からなる４５°面３が得られる。

【０００９】先に示した図３Ｂのように、９．７４°ｏ
ｆｆの（１００）シリコン基板の片側には（１１１）面
からなる４５°面が得られる一方で、反対側の面は６０
°を超える面となっていたが、本発明では、反対側の面
つまり両側共に実質的に４５°に、更に図１０のように
直交する方向の面も４５°面３となるという特徴があ
る。また、異方性エッチャントに界面活性剤を添加せ
ず、超音波の印加も行わない場合は、図５に示したよう
に断面は４５°にならず、垂直になったり、一部に４５
°面が現れるにすぎないが、本発明では４５°面３が得
られる。尚、マスク・パターンの形成においては、パタ
ーンの＜１００＞方向合わせが重要である。パターンの
＜１００＞方向が１°ずれても、エッチングで得られた
４５°面には、上下方向に筋状の凹凸が発生するので、
反射ミラーとしては使えない。この凹凸発生を防ぐため
には、高精度の＜１００＞方向合わせが必要である。例
えば、方向出しとしては、扇型状のパターン（不図示）
が知られており、このパターンを用いると、高精度で＜
１１０＞方向出しを行うことができる。＜１００＞方向
は、＜１１０＞方向と４５°で交差するので、上述した
扇形状パターンを用いるなどにより得られた＜１１０＞
方向を基準にして基板を４５°回転させれば、正確に＜
１００＞方向を合わせることができる。あるいは、マス
ク作製時にパターンを４５°回転させて描画しておけ
ば、＜１１０＞方向に合わせることで正確な方向合わせ
ができる。

【００１０】次に、方向出し工程を含めた４５°ミラー
の製造プロセスの一例を図１１，１２を参照して説明す
る。マスクとして、＜１１０＞方向を基準方向として、
パターンを４５°回転させて描画したものを用いた場合
である。図１１は、プロセス・フロー図であり、図１２
は、各プロセスでのミラーを形成する部分の基板の断面
図である。但し、図１２に於いて、方向出しのパターン
とミラー形成用のパターンとは同一断面には含まれるこ
とは少ないが、説明の便宜上同一断面に描いてある。 （１）図１１及び図１２の（ａ）に示すように、基板１
を熱酸化してマスク層２ａを形成する。 （２）図１１及び図１２の（ｂ）に示すように、マスク
層２ａに＜１１０＞方向出しのパターニングを行う。 （３）パターニングを行った後、図１１及び図１２の
（ｃ）に示すように、異方性エッチャントでエッチング
を行う。 （４）方向出しのエッチング後、図１１及び図１２の
（ｄ）に示すように、マスク層２ａを剥離する。 （５）剥離後、図１１及び図１２の（ｅ）に示すよう
に、もう一度熱酸化し、マスク層２ｂを形成する。図１
１及び図１２の（ｄ）と（ｅ）とはマスク層を新しくす
るためのものであるので省略することもできる。

【００１１】（６）図１１及び図１２の（ｆ）に示すよ
うに、ミラー形成用パターンを方向合わせを行ってパタ
ーニングする。 （７）図１１及び図１２の（ｇ）に示すように、この基
板１を界面活性剤を添加した異方性エッチャントを用い
超音波を印加しながらエッチングを行う。以上の工程に
よって、４５°面が完成する。なお、実際に反射ミラー
とする場合には、シリコン自体は反射率が低いので表面
に、Ａｌ、Ａｕ等の反射膜材料をコーティングする。Ｔ
ＭＡＨ２２％水溶液に、界面活性剤としてＮＣＷ−６０
１Ａを１％添加し、２８、４５、１００ｋＨｚの３波周
波数の超音波を１秒づつ切り替えて印加しながらエッチ
ングして作製した４５°面の表面状態の測定結果を、図
１３Ａに示す。３次元非接触測定器で測定し、測定面で
ある４５°面の1断面を表示したものである。ｒｍｓが
１５ｎｍと２０ｎｍ以下で、波長λをＨｅ−Ｎｅレーザ
の６３３ｎｍとすると、λ／３０以下の非常に滑らかな
面が得られていることがわかる。なお、界面活性剤を添
加しない異方性エッチャントを用い超音波を印加しなが
らエッチングして作製した（１１０）面の表面状態の測
定結果を図１３Ｂ に示す。３次元非接触測定器で測定
し、測定面の1断面を表示したものである。図１３Ｂよ
り、界面活性剤を添加しなくても、ｒｍｓが２４ｎｍと
３０ｎｍ以下で、波長λをＨｅ−Ｎｅレーザの６３３ｎ
ｍとするとλ／２０以下と、従来に比べて、滑らかな面
が得られていることもわかる。

【００１２】また、異方性エッチャントに界面活性剤を
添加し、超音波の印加をしない場合でも（１００）基板
に対して４５°傾斜した面を得ることが可能であり、こ
の場合の４５°面のｒｍｓは図１３Ｃに示すように４７
ｎｍと５０ｎｍ以下となる。上述したように、本発明で
は、安価な（１００）シリコン基板上に表面状態の良好
な４５°面が形成できる。しかも、図8のように４方向
に向いた４５°面が形成できる。この特徴を生かすと、
後述する種々の機能素子が実現できる。また、反射ミラ
ーだけではなく、Ｖ溝の加工もできる。特に、この方法
で作製したＶ溝は底の角度が９０°であるので、後述す
る直角の角を持つ物体の固定を安定に行うことができ
る。また、必要に応じて従来の（１１１）面からなるＶ
溝と同じ７０．５２°の溝を形成することもできる。ま
た、異方性エッチャントに超音波を印加する、または、
界面活性剤を添加する、あるいは超音波を印加すると共
に界面活性剤を添加することにより、上述したように
（１００）基板に対して平坦な４５°面を得ることがで
きるが、エッチャントに界面活性剤を添加しない場合は
添加した場合と比較すると、エッチングの際にマスク層
２の下へのサイドエッチング量が多い。サイドエッチン
グ量が多いとマスク層２ｂと４５°ミラーの位置ずれが
大きくなり４５°ミラーの位置制御が困難となる場合が
有る。従って、ミラーの位置をより正確に制御したい場
合には、エッチャントに界面活性剤を添加し、必要に応
じてさらに超音波を印加することが望ましい。

【００１３】以下、本発明に係る変形例を示す。 （変形例１）変形例１は光偏向素子である。図１４，１
５を参照して説明する。図１４は、偏向素子の断面図で
ある。第１の４５°ミラー４、第２の４５°ミラー５
と、４５°ミラーを対向して形成したミラー用基板６の
上に、光入射のための穴９を開けた遮光用基板７を貼り
合わせたものである。マスク層は省略してある。以後も
特に断らない限りは省略する。光を第１の４５°ミラー
４の上方から遮光用基板７の穴から入射させると、入射
光８は、第１の４５°ミラー４で反射される。更に第２
の４５°ミラー５に反射されて、遮光用基板７の穴を通
って、上方に進む。このように、４５°ミラーを２枚組
み合わせた光偏向素子を作ることができる。また、図１
５に示すように、ミラー用基板６の両面からエッチング
を行って平行に第１の４５°ミラー４と第２の４５°ミ
ラー５とを形成することもできる。光を第１の４５°ミ
ラー４の上方から入射させると、入射光８は第１ミラー
で反射し更に第２のミラーに反射して下方に出ていく。
このように４５°ミラーを平行に２枚組み合わせた光偏
向素子を作ることができる。この例では、ミラー用基板
６の両側に遮光用基板７をはり合わせている。

【００１４】（変形例２）変形例２は、変形例１と別の
光偏向素子である。図１６，１７，１８を参照して説明
する。図１６，１７は、それぞれ偏向素子４１の平面図
及びその断面図である。ミラー基板６に４５°ミラーを
４枚逆ピラミッド状に形成したものである。このような
構造にすると図１７に示すように入射光８は入射してき
た方向に戻っていく。従って、対向する角度が変わって
も入射光８を入射方向へ反射させるミラーを作ることが
できる。また、このミラーの凹部周辺の平坦部を極力少
なくして、図１８のように多数並べてミラーアレイ１６
を作ると、正面以外でもどこから見ても自分の姿が見え
るミラーができる。またミラーアレイ１６はコーナーキ
ューブリフレクタとして用いることも可能である。 （変形例３）変形例３はＶ溝付き４５°ミラーを形成し
た光偏向素子の他の例である。図１９乃至２２を参照し
て説明する。図１９，２０は、Ｖ溝付き４５°ミラーの
平面図及びその断面図である。４５°面ミラーの他に光
ファイバーを固定するためのＶ溝１０を形成している。
図２１，２２は、光ファイバー１１を固定した場合の断
面図である。光ファイバーの光を上方に偏向することが
できる。このように光ファイバーを固定できる４５°ミ
ラーを実現できる。

【００１５】更に、本変形例の長所は、上下・左右の４
方向にＶ溝付き４５°ミラーを形成できる点であり、図
２３の平面図に示すように４方向からファイバーを固定
することもできる。また、図２４に示すようにミラー用
基板６の両面から加工を行い下向きのミラーを形成すれ
ば、光ファイバーの光を下方に偏向することもできる。
（変形例４）変形例４は２枚の基板のはり合わせの位置
合わせ用にＶ溝を形成した例で、図２５に断面図を示
す。はり合わせ基板１２、１３のはり合わせ面側の所定
の位置にＶ溝が形成されている。２枚の基板のはり合わ
せの際には、断面が例えば、正方形のスペーサー１４を
Ｖ溝に嵌め込んで位置合わせを行う。Ｖ溝の位置合わせ
法としては、（１１１）面からなるＶ溝に光ファイバー
をスペーサーとして嵌め込む方法が考えられているが、
Ｖ溝に丸いファイバーではうまく嵌合しないため位置合
わせ精度はよくない。一方、本発明ではＶ溝の交差角度
は９０°であり、これに正方形のスペーサーはよく嵌合
するので、精度のよい位置合わせが可能となる。また、
スペーサーは正方形なので加工もしやすい。 （変形例５）次に図２６及び図２７を用いて本発明の光
ディスク装置について説明する。

【００１６】ここで、図２６は光ディスク装置の内部構
成を示す断面図、なお、図２６においては、駆動系の図
示が省略されている。図２６において、光ディスク装置
１３５は、図示されないベースに固定されたスピンドル
モータ１０２と、このスピンドルモータ１０２に設けら
れたマグネットチャック等のチャッキング手段１３６
と、このチャッキング手段３６により保持される光ディ
スク，光磁気ディスク等の情報の記録再生のために用い
られるディスク１０３と、を備えており、前記ディスク
１０３は、記録再生時には前記スピンドルモータ１０２
によって安定に回転駆動されている。前記ディスク１０
３の下側には、光学ヘッド１０４を搭載したキャリッジ
１２０が設けられている。光学ヘッド１０４は、光源お
よび光検出器を備える集積光学装置１４０と、光源から
出射された光の方向をディスク１０３の面と直交する方
向に変更すると共にディスク１０３からの読出し光の方
向を光検出器方向に変更する立上げミラー１０６と、デ
ィスク１０３の情報記録面に対向して光学ヘッド１０４
の上面に設けられ立上げミラー１０６からの光をディス
ク１０３の情報記録面に所望の点に集束させて光スポッ
トを形成する対物レンズ１０７と、対物レンズ１０７を
保持する対物レンズホルダ１０８と、を備えている。集
積光学装置１４０は、ＨＯＥ素子１３８と、放熱性を高
くするため複数の凹凸が形成されて集積光学装置の裏面
に設けられたヒートシンク１３９と、光源としての半導
体レーザ１１１と、を備えている。

【００１７】ここで、図２７に示す斜視図を用いて、本
実施形態に係る集積光学装置１４０の構成を説明する。
図２７に示すように、集積光学装置１４０は、（１０
０）シリコン基板により形成されたプレート１４１と、
プレート１４１に形成された凹部１４２の底面１４３に
薄膜１４４を介して設けられた半導体レーザ１１１と、
プレート１４１の一方側の凸部１４５に設けられたフォ
トディテクタ１１２と、プレート１４１の他方側の凸部
１４６に設けられた自動出力制御（以下、ＡＰＣ―Auto
matic Power Control ―と略記する。）用フォトデ
ィテクタ１４９と、を備えている。前記凹部１４２は、
一方の凸部１４５と他方の凸部１４６との段差部分に傾
斜面１４７，１４８を有し、この傾斜面１４７，１４８
に金属薄膜や誘電体多層膜等の反射膜を蒸着することに
より、反射ミラー面が形成されている。なお、ＡＰＣ用
フォトディテクタ１４９は、その出力を半導体レーザ１
１１にフィードバックして半導体レーザの出力を制御す
るものである。ここで、凹部１４２は上述したように超
音波を印加した水酸化カリウム水溶液等の異方性エッチ
ャントにより（１００）シリコン基板を異方性エッチン
グして形成される。このように（１００）シリコン基板
を超音波を印加した異方性エッチャントによりエッチン
グすることにより、上述した実施例と同様に、凹部１４
２の径斜面１４７、１４８は底面１４３に対して正確に
４５°傾斜すると共に平坦な表面を有することとなる。

【００１８】 なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できることは言うまでもない。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、安価な
（１００）シリコン基板を用いて表面状態の優れた４５
°面を形成することができる。また、この４５°面を用
いて安価で高性能の光ディスク装置を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来のＩＯＵの構造図である。

【図２】 従来のＩＯＵの４５°ミラー及びレーザの断
面模式図である。

【図３】 従来の（１１１）面からなる４５°面の作製
方法説明図である。

【図４】 従来の（１１０）面からなる４５°ミラー作
製用のマスク・パターンの平面図である。

【図５】 従来のエッチング後の断面図（Ｘ−Ｘ）の例
である。

【図６】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーの製造
方法の説明をするためのマスク・パターンの平面図であ
る。

【図７】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーのマス
ク・パターンの断面図（Ａ−Ａ）である。

【図８】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーのエッ
チング後の平面図である。

【図９】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーのエッ
チング後の断面図（Ｂ−Ｂ）である。

【図１０】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーのエ
ッチング後の断面図（Ｃ−Ｃ）である。

【図１１】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーの作
製プロセス・フロー図である。

【図１２】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーの各
プロセスでの断面図である。

【図１３】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーの表
面状態図である。

【図１４】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーを用
いた光偏向素子の断面図である。

【図１５】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーを用
いた光偏向素子の断面図である。

【図１６】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーを用
いた光偏向素子の平面図である。

【図１７】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーを用
いた光偏向素子の断面図（Ｄ−Ｄ）である。

【図１８】 本発明の実施形態に係る４５°ミラーを用
いた偏向ミラーアレイの平面図である。

【図１９】 本発明の実施形態に係るＶ溝付きの４５°
ミラーの平面図である。

【図２０】 本発明の実施形態に係るＶ溝付きの４５°
ミラーの断面図（Ｅ−Ｅ）である。

【図２１】 本発明の実施形態に係る光ファイバーを固
定したＶ溝付き４５°ミラーの断面図（Ｅ−Ｅ）であ
る。

【図２２】 本発明の実施形態に係る光ファイバーを固
定したＶ溝付き４５°ミラーの断面図（Ｆ−Ｆ）であ
る。

【図２３】 本発明の実施形態に係る光ファイバーを４
本固定したＶ溝付き４５°ミラーの平面図である。

【図２４】 本発明の実施形態に係る光ファイバーを固
定したＶ溝付き４５°ミラーの断面図である。

【図２５】 本発明の実施形態に係る基板はり合わせの
断面図である。

【図２６】 本発明の実施形態に係る光ディスク装置の
内部構造を示す断面図である。

【図２７】 本発明の実施形態に係る光ディスク装置の
集積光学装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ （１００）シリコン基板 １０２ スピンドルモータ １０７ 対物レンズ １１１ 半導体レーザ １１２、１４９ フォトディテクタ １２０ キャリッジ １３６ チャッキング手段 １４１ プレート １４７、 １４８ 傾斜面

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１００）シリコン基板に＜１００＞方
   向に沿った辺を有するパターンを形成するパターニング
   工程と、超音波が印加された異方性エッチャントを用い
   て前記パターンを備えたシリコン基板をエッチングする
   エッチング工程とを備えた機能素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記エッチング工程により形成された面
   が（１１０）面を含むことを特徴とする請求項１記載の
   機能素子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記異方性エッチャントは界面活性剤が
   添加されていることを特徴とする請求項１記載の機能素
   子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記異方性エッチャントはアルカリ水溶
   液を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１
   項記載の機能素子の製造方法。
5. 【請求項５】 前記界面活性剤は非イオン系界面活性剤
   であることを特徴とする請求項３記載の機能素子の製造
   方法。
6. 【請求項６】 前記エッチング工程により形成された
   （１１０）面上に光反射膜を形成する工程をさらに有す
   ることを特徴とする請求項２記載の機能素子の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記シリコン基板の主面と平行な向きの
   光を前記光反射膜に照射する発光素子を前記シリコン基
   板上に形成する工程をさらに有することを特徴とする請
   求項６記載の機能素子の製造方法。
8. 【請求項８】 （１００）シリコン基板と、このシリコ
   ン基板上に形成され＜１００＞方向に沿った斜面を備え
   たパターンとを有し、前記斜面のｒｍｓが５０ｎｍ以下
   である機能素子。
9. 【請求項９】 前記斜面のｒｍｓが３０ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項８記載の機能素子。
10. 【請求項１０】 前記斜面のｒｍｓが２０ｎｍ以下であ
    ることを特徴とする請求項９記載の機能素子。
11. 【請求項１１】 前記斜面が（１１０）面を含むことを
    特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項記載の機能
    素子。
12. 【請求項１２】 前記斜面上に形成された光反射膜と、
    前記シリコン基板上に形成され前記シリコン基板の主面
    と平行な向きの光を前記光反射膜に照射する発光素子と
    をさらに有することを特徴とする請求項８乃至１１のい
    ずれか１項記載の機能素子。
13. 【請求項１３】 前記光反射膜からの反射光が照射され
    た物体からの反射光を受光する受光素子と、この受光素
    子の出力に応じて前記発光素子の出力を制御する制御手
    段が前記シリコン基板上に形成されていることを特徴と
    する請求項１２記載の機能素子。
14. 【請求項１４】 第１の方向にレーザ光を照射する光源
    と、前記光源からのレーザ光を前記第１の方向と直交す
    る第２の方向に反射する反射膜と、前記反射膜により反
    射したレーザ光を受け、光ディスクに焦点を形成する対
    物レンズと、前記光源、前記反射膜及び前記対物レンズ
    を搭載するキャリッジと、前記光ディスクを保持する保
    持部材と、前記保持部材により保持された前記光ディス
    クを回転する駆動手段とを備え、前記反射膜は、（１０
    ０）シリコン基板上に＜１００＞方向に沿って形成され
    たｒｍｓが５０ｎｍ以下の斜面上に形成されている事を
    特徴とする光ディスク装置。
15. 【請求項１５】 前記光源が、前記シリコン基板上に設
    けられた半導体レーザであることを特徴とする請求項１
    ４記載の光ディスク装置。
16. 【請求項１６】 前記シリコン基板上に形成され前記光
    ディスクからの反射光を受光する第１受光素子と、この
    第１受光素子の出力に応じて前記光ディスクに記録され
    た情報を読み出す記録再生手段と、前記シリコン基板上
    に形成され前記光ディスクからの反射光を受光する第２
    受光素子と、この第２受光素子の出力応じて前記発光素
    子の出力を制御する制御手段とをさらに有することを特
    徴とする請求項１５記載の光ディスク装置。