JP2001195771A - 集積光学装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 発光素子からの前方出射光を正確に記録媒体
へ照射し、記録媒体により反射した反射光を、正確に検
出することができる集積光学装置及びその製造方法を提
供すること。 【解決手段】 シリコン基板上にエッチングによりハー
フミラーと光導波路を形成し、発光素子６０、からの前
方出射光Ｌ１を分割して、出力をモニターするための受
光素子６１、に導いて検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
やフォトダイオードを備えた光ピックアップ等の集積光
学装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学的ディスクドライブ装置であるＣＤ
（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）プレーヤ、ＬＤ（Ｌａｓ
ｅｒ Ｄｉｓｃ）ブレーヤ、ＣＤ−ＲＯＭプレーヤ、Ｌ
ＤプレーヤおよびＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａ１ Ｖｉｄｅｏ
Ｄｉｓｃ）プレーヤ等では、記録媒体（光学的ディス
ク）への情報の記録又は再生のために光へッド装置を搭
載している。この光へッド装置（光ピックアップ）とし
て、集光光学装置が用いられている。

【０００３】図５は、従来の集積光学装置の−例を示す
斜視図である。集積光学装置１００は、セラミック基板
１０１と、このセラミック基板１０１上に設けられたシ
リコン基板１０２と、このシリコン基板１０２上に設け
られた発光素子であるレーザダイオード（以下、ＬＤと
表記する）１０３及びマイクロミラー１０４を備えてい
る。また、セラミック基板１０１上には、ＬＤ１０３の
光出力をモニタするための、受光素子であるモニタ用フ
ォトダイオード（以下、ＰＤと表記する）１０５及びＬ
Ｄ１０３から照射された光が、光ディスク（不図示）に
反射してきた光信号を検出する信号検出用ＰＤ（信号検
出用受光素子）１０６が設けられている。なお、図５の
中のＬは前方出射光、Ｌ′は反射光を示している。

【０００４】このように構成された集積光学装置１００
では、次のように動作する。すなわち、ＬＤ１０３から
は前方出射光Ｌ及び後方出射光（不図示）が出射され
る。前方出射光Ｌはマイクロミラー１０４及びホログラ
ム素子（不図示）を介して光ディスクに照射される。光
ディスクからの反射光Ｌ′は、ホログラム素子を介して
信号検出用ＦＤ１０６で信号として検出される。一方、
後方出射光は直接モニタ用ＦＤ１０５に入射しＬＤ１０
３の出力がモニタされる。

【０００５】ＬＤ１０３からの前方出射光Ｌは、ＬＤ１
０３の発光点から離れるにしたがって、出射方向に対し
一定の角度で広がっていく。このため前方出射光Ｌの一
部がシリコシマイクロミラー１０４から外れてシリコン
基板１０２に当り、出射光の損失が発生することを防止
するため、シリコン基板１０２を図６に示すようにＬＤ
１０３を接続した面より一段低い部分１０７を有する構
造（以下、「二段構造」と称する。）とすることによ
り、出射光Ｌを全てマイクロミラー１０４に照射し、損
失が発生しないようにしたものがあった。

【０００６】一方、このような二段構造を有するシリコ
ン基板１０２を製造する場合には、図６（ａ）〜（ｑ）
に示すようなプロセスが必要であった。なお、図６中
の、１０２ａは基板本体、１０２ｂはシリコン酸化膜、
１０２ｃはレジストを示している。

【０００７】最初に図６（ａ）に示すような基板本体１
０２ａに熱酸化処理を行い、図６（ｂ）に示すようにシ
リコン酸化膜１０２ｂを形成する。さらに、図６（ｃ）
に示すようにレジスト１０２ｃを塗布する。次に、図６
（ｄ）に示すようにシリコン酸化模１０２ｂを除去し、
図６（ｅ）に示すように、レジスト１０２ｃを除去す
る。そして、図６（ｆ）に示すように、基板本体１０２
ａのエッチングを行い、図６（ｇ）に示すように、シリ
コン酸化膜１０２ｂの除去を行う。

【０００８】続いて、図６（ｈ）に示すようにシリコン
酸化膜１０２ｂを形成する。さらに、図６（１）に示す
ようにレジスト１０２ｃを塗布する。次に、図６（ｊ）
に示すように、シリコン酸化膜１０２ｂを除去し、図６
（ｋ）に示すように、レジスト１０２ｃを除去する。そ
して、図６（１）に示すように、基板本体１０２ａのエ
ッチングを行い、図６（ｍ）に示すように、シリコン酸
化膜１０２ｂの除去を行う。これによりシリコン基板１
０２が完成する。

【０００９】次に、図６（ｎ）に示すように、シリコン
基板１０２ａ上にＬＤ１０３を実装した後、図６（ｏ）
に示すようにセラミック基板１０１上に実装する。そし
て、図６（ｐ）に示すようにモニタ用ＦＤ１０５をセラ
ミック基板１０１上に実装し、図６（ｑ）に示すよう
に、信号検出用ＦＤ１０６をセラミック基板１０１上に
実装する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
集積光学装置では、ＬＤの出力をモニタするために、モ
ニタ用ＰＤを用いるのは、集積光学装置を設計する上で
比較的容易であるという利点がある。しかしながら、モ
ニタ用ＰＤで受光している光は、ＬＤが実際に使用して
いる前方出射光ではないため、出力を高精度に測定する
ことができない。そのため、高精度な出力制御が要求さ
れるＤＶＤ−ＲＡＭ用の光へッド装置として集積光学装
置を用いる場合には問題が生じる。

【００１１】本発明は、これらの事情にもとづいてなさ
れたもので、発光素子からの前方出射光を正確に記録媒
体へ照射し、記録媒体により反射した反射光を、正確に
検出することができる集積光学装置及びその製造方法を
提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、壁部を介して隣接した第１の空間と第２の
空間とを有する基板と、前記第１の空間内に配置された
発光素子と、前記第２の空間に隣接して配置され、前記
発光素子の出力をモニタする出力検出用受光素子と、前
記壁部に設けられ、前記発光素子の出射光を透過光と反
射光とに分割するハーフミラーと、前記第２の空間に設
けられ、前記透過光を前記出力検出用受光素子に導くミ
ラーとを備えていることを特徴とする集積光学装置であ
る。

【００１３】また請求項２の発明による手段によれば、
凹部が形成された基板と、この凹部内に配置された発光
素子と、この発光素子の光軸上で前記凹部の中に形成さ
れ、一端にハーフミラーを形成した光導波路及びこのハ
ーフミラーの透過光軸上の前方に設けられたマイクロミ
ラーと、前記マイクロミラーにより反射した光軸上の前
記基板に設けられた受光素子と、前記ハーフミラーが反
射した光が記録媒体に反射して帰還した信号を検出する
ために前記基板に設けられた受光素子とを具備している
ことを特徴とする集積光学装置である。

【００１４】また請求項３の発明による手段によれば、
前記ハーフミラーは、シリコン基板の異方性エッチング
で形成されたマイクロミラー面に接するように光導波路
を形成し、光導波路端面にマイクロミラー面の形状を転
写することで形成されていることを特徴とする集積光学
装置である。

【００１５】また請求項４の発明による手段によれば、
基板の表面側に第１の空間を形成する第１空間形成工程
と、前記基板の表面側に前記第１の空問と壁部を介して
第２の空間を形成する第２空間形成工程と、前記壁部に
前記第１の空間側から前記第２の空間側への光を透過成
分と反射成分とに分割するハーフミラーを形成するハー
フミラー形成工程と、前記第２の空間に前記光の透過成
分を前記基板の表面側に反射させるミラーを形成するミ
ラー形成工程と、前記第１の空間内にその出射光の向き
を前記壁部側に向けて発光素子を実装する発光素子実装
工程と、前記基板の表面側に前記ミラーにおいて反射し
た光を受光する位置に出力検出用受光素子を実装する出
力検出用受光素子実装工程とを備えていることを特徴と
する集積光学装置の製造方法である。

【００１６】また請求項５の発明による手段によれば、
基板の表面側に一端にマイクロミラー面を有する凹部を
形成する凹部形成工程と、前記凹部内の前記マイクロミ
ラー面に接して光導波路を形成する光導波路形成工程
と、除去加工により前記凹部のマイクロミラー面を後退
させるマイクロミラー形成工程と、前記凹部内に発光素
子を実装する発光素子実装工程と、前記基板の前記ハー
フミラーを通過した光を受光する位置に前記発光素子の
出力検出用の受光素子を実装する受光素子実装工程と、
前記基板に記録媒体からの信号を受光する受光素子を実
装もしくは形成する受光素子形成工程とを有することを
特徴とする集積光学装置の製造方法である。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の形態に係る
集積光学装置を示す図であって、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線で切断し矢印方向に見た断
面図である。これらの図中、Ｌ１はＬＤ６０からの前方
出射光、Ｌ２は透過光、Ｌ３は反射光、Ｌ４は光ディス
ク（不図示）から反射した反射光を示している。

【００１８】集積光学装置１０は、シリコン基板２０を
備えている。シリコン基板２０には、凹部（第１の空間
部）３０と、開口部（第２の空間部）４０とが形成され
ている。凹部３０と開口部４０とは、壁部５０を介して
隔てられている。

【００１９】凹部３０の底部３１にはＬＤ（発光素子）
６０が設けられている。また、底部３１の壁部５０側に
は、溝３２が形成されている。

【００２０】開口部４０の壁部５０と対向する側の壁面
４１には、マイクロミラー４２が形成されている。な
お、開口部４０を覆うように、出カ検出用ＰＤ（出力検
出用受光素子）６１が配置されている。

【００２１】マイクロミラーは、異方性エッチング法を
用いてシリコン基板上に一括して形成されており、（１
００）面から９．７±１０度傾斜させてスライスして作
られた半導体ウエハを使用している。それにより、マイ
クロミラー面の傾斜角が４５±１０度をなすように形成
されている。

【００２２】壁部５０には、ＬＤ６０からの出射光Ｌ１
を透過光Ｌ２と反射光Ｌ３とに分割するハーフミラー５
１が設けられている。なお、透過光Ｌ２は開口部４０内
に導入され、マイクロミラー４２に反射され、出力検出
用ＰＤ６１に入射する。また、反射光Ｌ３はシリコン基
板２０外部、すなわち光ディスクに導かれる。

【００２３】一方、シリコン基板２０上には光ディスク
から反射してきた反射光Ｌ４を検出する信号検出用ＰＤ
６２、６３が形成されている。

【００２４】次に、集積光学装置１０の製造工程を図２
の（ａ）〜（ｒ）に基づいて説明する。なお、図２中
の、２１は基板本体、２２はシリコン酸化膜、２３はレ
ジストを示している。

【００２５】最初に図２（ａ）に示すように基板本体２
１を用意し、図２（ｂ）に示すように基板本体２１の表
面２１ａ側に信号検出用ＰＤ６２、６３を形成する。次
に、基板本体２１に熱酸化処理を行い、図２（ｃ）に示
すようにシリコシ酸化模２２を形成する。さらに、図２
（ｄ）に示すようにレジスト２３を塗布し、図２（ｅ）
に示すように、除去加工の対象部位を特定させるため
に、レジストパターニングを行う。

【００２６】次に、図２（ｆ）に示すように、等方性エ
ッチング法によるシリコン酸化膜２２のエッチングを行
う。エッチングには、例えばフッ酸とフッ化アンモニウ
ムの混合水溶液を使用する。この後、図２（ｇ）に示す
ように、レジスト２３を除去する。そして、図２（ｈ）
に示すように、基板本体２１の異方性エッチング法によ
るエッチングを行う。なお、異方性エッチングには、例
えば、水酸化カリウム水溶液、若しくは、水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液を使用する。エッチング条件
は、例えば、エッチング液温７０〜８０℃、エッチング
液濃度３０〜４０重量％とする。

【００２７】次に、図２（１）に示すように、シリコン
酸化膜２２の除去を行う。

【００２８】さらに、基板本体２１に熱酸化処理を行
い、図２（ｊ）に示すようにシリコン酸化膜２２を形成
する。さらに、図２（ｋ）に示すようにレジスト２３を
塗布し、図２（ｌ）に示すように、レジストパターニン
グを行う。

【００２９】次に、図２（ｍ）に示すように、等方性エ
ッチング法によるシリコン酸化膜２２のエッチングを行
う。この後、図２（ｎ）に示すように、レジスト２３を
除去する。そして、図２（ｏ）に示すように、基板本体
２１の異方性エッチング法によるエッチングを行う。次
に、図２（ｐ）に示すように、シリコン酸化膜の除去を
行い、凹部３０、開□部４０、壁部５０が形成される。

【００３０】図２（ｑ）に示すようにＬＤ６０を基板本
体２１に実装し、次に、図２（ｒ）に示すように出力検
出用ＰＤ６１を基板本体２１に実装する。

【００３１】このように構成された集積光学装置１０で
は、次のようにして光ディスクへの記録．再生を行う。
すなわち、ＬＤ６０から前方出射光Ｌ１が出射される。
前方出射光Ｌ１は、ハーフミラー５１により透過光Ｌ２
と反射光Ｌ３とに分割される。反射光Ｌ３は光ディスク
に入射する。光ディスクで反射し信号成分を含んだ反射
光Ｌ３は、ホログラム素子（不図示）により２つに分割
され、信号検出用ＰＤ６２、６３に入射する。そして、
信号として検出される。

【００３２】一方、透過光Ｌ２は、マイクロミラー４２
に反射して、出力検出用ＰＤ６１に入射しＬＤ６０の出
力がモニタされる。

【００３３】上述したように本実施の形態に係る集積光
学装置１０によれば、出力検出用ＰＤ６１は、ＬＤ６０
からの前方出射光Ｌ１を分割した一部を検出することに
なるため、その値は前方出射光Ｌ１に比例することにな
る。このため、前方出射光Ｌ１の正確な測定が可能とな
り、ＬＤ６０の高精度な出力制御を行うことができる。

【００３４】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。

【００３５】図３は本発明の第２の形態に係る集積光学
装置（集積光学装置）１０を示す図であって、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線で切断し矢印方向
に見た断面図である。これらの図中Ｌ１はＬＤ６０から
の前方出射光、Ｌ２は透過光、Ｌ３は反射光、Ｌ４は光
ディスク（不図示）から反射した反射光を示している。

【００３６】集積光学装置１０ａは、シリコン基板２０
ａに形成されている。シリコン基板２０ａには、凹部３
０ａが形成されている。この凹部の底部３１ａにはＬＤ
（発光素子）６０ａが設けられている。また、凹部３０
ａにはＬＤ６０ａの光の出射端面にガラス系薄膜による
光導波路６５が形成されている。この光導波路６５は、
一端がＬＤ６０ａに密接し、他端に反射面が透過光軸に
対して斜めになるようにハーフミラー６６が形成されて
いる。また、ハーフミラー６６の透過光の前方にはシリ
コン基板２０ａをエッチングすることにより、反射面が
入射した光の光軸に対して斜めとなるように形成された
マイクロミラー４２ａが設けられている。更に、マイク
ロミラー４２ａの反射光Ｌ２の光軸上には出力検出用Ｐ
Ｄ（出力検出用受光素子）６１ａが配置されている。

【００３７】なお、マイクロミラーは、異方性エッチン
グ法を用いてシリコン基板上に一括して形成されてお
り、（１００）面から９．７±１０度傾斜させてスライ
スして作られた半導体ウエハを使用している。それによ
り、マイクロミラー面の傾斜角が４５±１０度をなすよ
うに形成されている。

【００３８】また、ＬＤ６０ａはシリコン基板２０ａ上
に形成されている電極パッド（不図示）に接続する形で
搭載され、ＬＤ６０ａと電極パッドとの接続には、例え
ば金と錫から成るはんだを用いている。また、ＬＤ６０
ａの電気的接続は、電極パッドから引き出された配線を
用いて行われる。搭載するＬＤ６０ａは、光導波路６５
との光結合損失を抑えるために、前方出射光のスポット
サイズを小さくした、スポットサイズ変換構造付のＬＤ
を使用している。

【００３９】これらの構成により、ＬＤ６０ａの前方出
射光Ｌ１は、シリコン基板２０ａ上に形成された光導波
路６５の端面のハーフミラー６６において一部は反射
し、残りは透過する。反射された前方出射光Ｌ１は、不
図示の光学系を形成している、ホログラム素子、コリメ
ータレンズ、立上げミラー、対物レンズを経由して光デ
ィスク（不図示）で反射される。反射された光はホログ
ラム素子で分岐され、分岐された光はＰＤ受光部６２
ａ、６３ａに入射される。ハーフミラー６６を透過した
光Ｌ４は、マイクロミラー４２ａで反射されて、シリコ
ン基板２０上に設けられた信号検出用ＰＤ６１ａに入射
する。

【００４０】次に、上述の集積光学装置の製造工程を図
４（ａ）から（ｚ）を参照して説明する。なお、図中の
２１ａは基板本体、２２ａはシリコン酸化膜、２３ａは
レジストを示している。

【００４１】最初に図４（ａ）に示すように基板本体２
１ａを用意し、図４（ｂ）に示すように基板本体２１ａ
に熱酸化処理を行い、シリコシ酸化模２２ａを形成す
る。さらに、図４（ｃ）に示すようにレジスト２３ａを
塗布し、図４（ｄ）に示すように、レジストパターニン
グを行う。

【００４２】次に、図４（ｅ）に示すように、等方性エ
ッチング法によるシリコン酸化膜２２ａのエッチングを
行う。この後、図４（ｍ）に示すように、酸化膜２２ａ
のエッチングを行う。エッチングには、例えば、フッ酸
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を使用する。この
後、図４（ｆ）に示すように、レジスト２３ａを除去す
る。そして、図４（ｇ）に示すように、基板本体２１ａ
の異方性エッチング法によるエッチングを行う。なお、
異方性エッチングには、例えば、水酸化カリウム水溶
液、若しくは、水酸化テトラメチルテンモニウム水溶液
を使用する。エッチング条件は、例えば、エッチング液
温７０℃〜８０℃、エッチング液濃度は、３０重量％〜
４０重量％とする。

【００４３】次に、図４（ｈ）に示すように、シリコン
酸化膜２２ａの除去を行う。さらに、図４（ｉ）に示す
ように、基板本体２１ａに熱酸化処理を行い、シリコン
酸化膜２２ａを形成する。さらに、図４（ｊ）に示すよ
うにレジスト２３ａを塗布し、図４（ｋ）に示すよう
に、レジストパターニングを行う。

【００４４】次に、図４（ｌ）に示すように、等方性エ
ンチング法によるシリコン酸化膜２２ａのエッチングを
行う。この後、図４（ｍ）に示すように、レジスト２３
ａを除去する。そして、図４（ｎ）に示すように、基板
本体２１ａの異方性エッチング法によるエッチングを行
い、一端にマイクロミラー４２ａの面と同等の反射面で
ある４５度斜面を有する光導波路６５の形成部の形状を
形成する。

【００４５】次に、図４（ｏ）に示すように、シリコン
酸化膜２２ａの除去を行い、光導波路６５の形成部が形
成される。更に、図４（ｐ）に示すように、基板本体２
１ａの表面に金属薄膜２６を形成する。続いて、図４
（ｑ）に示すように、金属薄膜２６の上にレジスト２３
ａを塗布する。その後、図４（ｒ）に示すように、レジ
スト２３ａのパターニングを行なう。その後、図４
（ｓ）に示すように、金属薄膜２６のパターニングを行
なう。その後、図４（ｔ）に示すように、レジスト２３
ａを剥離する。

【００４６】次に、図４（ｕ）に示すように、光導波路
６５を形成する。光導波路６５の材質は、例えばガラス
系薄膜導波路のように、シリコン異方性エッチング液に
対し耐久性を有する材質を使用する。形成方法は例えば
ＣＶＤ、もしくはＲＦスパッタリング法を用いて形成す
る。光導波路６５の一側には、マイクロミラー４２ａの
面と同等の反射面である４５度斜面がハーフミラー６６
として形成される。

【００４７】次に、図４（ｖ）に示すように、基板本体
２１ａに対してシリコン異方性エッチングを行う。これ
によって、マイクロミラー４２ａの４５度斜面の形状が
維持されたまま、光導波路６５の端面の、４５度斜面の
位置から後退することができる。この工程によって、Ｌ
Ｄ６０ａからの前方出射光Ｌ１の一部を反射、一部を透
過するハーフミラー６６と、透過した光を方向転換して
モニタＰＤ受光部６１ａへ導くマイクロミラー４２ａを
有する構造を基板本体２１ａであるシリコンの基板本体
２１ａの上に形成できる。つまり、ハ−フミラー６６
は、基板本体２１ａの異方性エッチングで形成されたマ
イクロミラー４２ａ面に接するように光導波路６５を形
成し、光導波路６５の端面にマイクロミラー１２ａの面
の形状を転写することで形成されている。

【００４８】なお、ハーフミラー６６の光学特性を変更
するには、ハーフミラー６６の面に金属薄膜や誘電体薄
膜を形成する。シリコン異方性エッチング液に耐える材
質であれば、エッチングマスク用金属薄膜をパターニン
グ後、ハーフミラー６６の光学特性変更用の薄膜を形成
し、パターニングしたうえで光導波路６５を形成すれば
良い。

【００４９】また、マイクロミラー４２ａを形成後、金
属薄膜、例えばニッケルの蒸着膜を形成し、必要に応じ
てパターニングを行う。金属薄膜は光導波路形成後に行
うシリコン異方性エッチングのエッチングマスクとして
機能するほか、光導波路６５の不要部分を除去するため
の犠牲層としても機能する。

【００５０】次に、図４（ｗ）に示すように、ダイシン
グブレード（不図示）を用いて光導波路６５に切り込み
を形成する。その後、図４（ｘ）に示すように、金属薄
膜２６のエッチング液、例えば濃塩酸、希硝酸、硫酸等
を用いて金属薄膜２６を溶解して除去する。金属薄膜２
６のエッチングに伴い、金属薄膜２６上に形成されてい
る光導波路６５も併せて除去することができる。

【００５１】図２（ｙ）に示すようにＬＤ６０ａを基板
本体２１ａに実装し、次に、図２（ｚ）に示すように出
力検出用ＰＤ６１ａを基板本体２１ａに実装する。

【００５２】したがって、本実施の形態では、ＬＤとマ
イクロミラーの間に形成した光導波路の端面にハーフミ
ラーを形成することで、シリコン基板上に異方性エッチ
ングでマイクロミラーおよびハーフミラーを一括して形
成する場合に比べて、ハーフミラーの機械的強度を保ち
つつ、ＬＤ前方出射光をモニタし、正確な光出力制御が
可能な構造を形成できる。

【００５３】また、ピックアップへッドでは、ＬＤから
出射した前方出射光の一部を、ハーフミラーを透過させ
るために、ハーフミラーを数μｍの厚さで形成する必要
があるが、これについて、例えば、異方性エッチング法
を用いた場合は、寸法精度の確保が難しいが、上述の製
造方法で製造したピックアップへッドは、ハーフミラー
を薄膜導波路により実現したので、高精度の製造が容易
である。

【００５４】また、シリコン基板を両面エッチングして
ハーフミラーを形成する場合に比べて、片面のみのシリ
コンエッチングで済むため、シリコン基板の表と裏の相
互の位置関係を位置決めする手間が省ける。

【００５５】また、シリコンハーフミラーの場合に比
べ、ハーフミラー部の材質や、ハーフミラー面に形成す
る薄膜の種類を変更することが可能なため、光の透過特
性を変更することが可能である。そのため、異なる波長
のレーザで再生しなければならない複数の光ディスク
を、１つの光ピックアップへッドで再生する要求に応え
ることが容易となる。

【００５６】また、前方出射光をモニタする構造とした
ので、後方出射光をモニタする場合に比べ正確な出力制
御が可能になる。特にＤＶＤ−ＲＡＭのような追記形の
光ディスクへの記録書き込みの場合は、必要なレーザ出
力が再生に要する出力に比べ４〜１０倍高いため、発熱
によるＬＤ光出力変動が大きい一方で、再生の場合より
もＬＤ出射光のパワー変動を抑える必要があるため、正
確な出力制御が要求されるが、それに対応が可能である
ことは大きな利点である。

【００５７】以上に述べたように、本発明の集積光学装
置は、ＬＤの光出力をより正確に制御することができ
る。また、ＬＤ前方出射光をモニタすることができる構
造を、ハーフミラー部の機械的強度を確保しつつ形成す
ることができる。

【００５８】なお、本発明は上記の各実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々変形実施可能であるのは勿論である。

【００５９】

【発明の効果】本発明による集積光学装置は、発光素子
の出力検出用の受光素子が発光素子からの前方出射光を
分割した一部を検出しているので、その検出した値は前
方出射光に比例することになる。このため、前方出射光
の正確な測定が可能となり、発光素子の高精度な出力制
御を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る集積光学装置
を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中
のＡ−Ａ線で切断し矢印方向に見た断面図。

【図２】同集積光学装置の製造工程を示す説明図。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係る集積光学装置
を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中
のＡ−Ａ線で切断し矢印方向に見た断面図。

【図４】同集積光学装置の製造工程を示す説明図。

【図５】従来の集積光学装置の一例を示す斜視図。

【図６】同集積光学装置の製造工程を示す説明図。

【符号の説明】

１０、１０ａ…集積光学装置、２０、２０ａ…シリコン
基板、３０…凹部（第１の空間部）、４０…開口部（第
２の空間部）、４２、４２ａ…マイクロミラー、５０…
壁部、５１、６６…ハーフミラー、６０、６０ａ…ＬＤ
（発光素子）、６１、６１ａ…出力検出用ＰＤ（出力検
出用受光素子）、６２、６３…信号検出用ＰＤ、Ｌ１…
前方出射光、Ｌ２…透過光、Ｌ３…反射光、Ｌ４…反射
光

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｂ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 壁部を介して隣接した第１の空間と第２
   の空間とを有する基板と、 前記第１の空間内に配置された発光素子と、 前記第２の空間に隣接して配置され、前記発光素子の出
   力をモニタする出力検出用受光素子と、 前記壁部に設けられ、前記発光素子の出射光を透過光と
   反射光とに分割するハーフミラーと、 前記第２の空間に設けられ、前記透過光を前記出力検出
   用受光素子に導くミラーとを備えていることを特徴とす
   る集積光学装置。
2. 【請求項２】 凹部が形成された基板と、 この凹部内に配置された発光素子と、 この発光素子の光軸上で前記凹部の中に形成され、一端
   にハーフミラー一を形成した光導波路及びこのハーフミ
   ラーの透過光軸上の前方に設けられたマイクロミラー
   と、 前記マイクロミラーにより反射した光軸上の前記基板に
   設けられた受光素子と、 前記ハ−フミラーが反射した光が記録媒体に反射して帰
   還した信号を検出するために前記基板に設けられた受光
   素子とを具備していることを特徴とする集積光学装置。
3. 【請求項３】 前記ハーフミラーは、シリコン基板の異
   方性エッチングで形成されたマイクロミラー面に接する
   ように光導波路を形成し、光導波路端面にマイクロミラ
   ー面の形状を転写することで形成されていることを特徴
   とする請求項２に記載の集積光学装置。
4. 【請求項４】 基板の表面側に第１の空間を形成する第
   １空間形成工程と、 前記基板の表面側に前記第１の空間と壁部を介して第２
   の空間を形成する第２空間形成工程と、 前記壁部に前記第１の空間側から前記第２の空間側への
   光を透過成分と反射成分とに分割するハーフミラーを形
   成するハーフミラー形成工程と、 前記第２の空間に前記光の透過成分を前記基板の表面側
   に反射させるミラーを形成するミラー形成工程と、 前記第１の空間内にその出射光の向きを前記壁部側に向
   けて発光素子を実装する発光素子実装工程と、 前記基板の表面側に前記ミラーにおいて反射した光を受
   光する位置に出力検出用受光素子を実装する出力検出用
   受光素子実装工程とを備えていることを特徴とする集積
   光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 基板の表面側に一端にマイクロミラー面
   を有する凹部を形成する凹部形成工程と、 前記凹部内の前記マイクロミラー面に接して光導波路を
   形成する光導波路形成工程と、 除去加工により前記凹部のマイクロミラー面を後退させ
   るマイクロミラー形成工程と、 前記凹部内に発光素子を実装する発光素子実装工程と、 前記基板の前記ハーフミラーを通過した光を受光する位
   置に前記発光素子の出力検出用の受光素子を実装する受
   光素子実装工程と、 前記基板に記録媒体からの信号を受光する受光素子を実
   装もしくは形成する受光素子形成工程とを有することを
   特徴とする集積光学装置の製造方法。