JPH11121863A - 反射体およびこれを用いた光半導体装置並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射体を用いた光ディスクへの書き込み、読
み取り等の光情報処理に用いる光半導体装置に関し、反
射面の平坦性に優れたＳｉ単結晶基板からなる反射体お
よび該反射体を用いた光半導体装置を提供する。 【解決手段】 研磨された平滑なＳｉ単結晶基板表面を
反射面とし、かかる基板表面に対して４５°の角度を有
して形成されたエッチング面を底面とする反射体を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射体を用いた光
半導体装置に関し、特に、光ディスクへの書き込み、読
み取り等の光情報処理に用いる光半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は、従来構造の光半導体装置の断面
図である。Ｓｉ素子基板１００には、信号再生用、トラ
ッキング用、フォーカス用等の受光素子２およびＳｉ素
子基板１００表面に対して４５°の傾斜面を有する反射
面３が形成され、この反射面３に対向して光源としての
発光素子４が載置され、これらがパッケージ５に固定さ
れている。発光素子４から照射されたレーザ光７は、反
射面３で反射されて方向を９０°変え、ホログラム６を
通過した後、レンズ等の光学部品を通して光ディスク
（図示せず）に照射される。信号光となる反射光は、ホ
ログラム６で回折され、それぞれ信号再生用、トラッキ
ング用、フォーカス用等の受光素子２に入射し、情報処
理が行われる。従って、反射面３で反射された光は、Ｓ
ｉ素子基板１００に対して正確に垂直方向に反射するこ
とが必要であるため、従来は、（１００）面から９．７
°のオフ角を有するＳｉ素子基板１００をＫＯＨ等でウ
エットエッチングしてＳｉ素子基板１００表面と４５°
の角度をなす（１１１）面を形成し、かかる面を反射面
３として用いていた。これにより、Ｓｉ素子基板１００
上に載置された発光素子４から照射された光は、反射面
３によってＳｉ素子基板１００表面に垂直方向に反射さ
れることとなる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】かかる光半導体装置で
は、光信号処理におけるエラーの発生を防止するため
に、反射面３により反射されたレーザ光の光強度分布の
均一性が要求されるため、反射面３に対して高い平坦性
が要求される。即ち、反射面３の表面の凹凸は、発光素
子４の発光波長（例えば赤色レーザ光の場合は６５０ｎ
ｍ）の１／１００程度になるように形成することが必要
となる。しかし、上記ウエットエッチングで形成された
反射面３では、表面の平坦性を、発光波長の１／１００
以下の凹凸となるように制御することは困難であり、特
に、Ｓｉ素子基板１００中に結晶欠陥等がある場合は、
これらに起因する凹凸が発生し、更に平坦性が悪くなっ
ていた。これに対して、特開平９−６４４７８号公報に
は、Ｓｉからなる反射体の反射面が底面に対し４５°の
角度となるように、機械的研磨により作製した反射体を
用いた光半導体装置が記載されているが、底面に対して
４５°の角度を有するような反射面を機械的研磨を用い
て正確に作製することは非常に困難であり、大量生産に
適しないという問題点があった。そこで、本発明は、光
半導体装置におけるレーザ光の反射面の平坦性に関する
上記問題点を解決し、反射面の平坦性に優れたＳｉ単結
晶基板からなる反射体および該反射体を用いた光半導体
装置を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、発明者らは、鋭
意研究の結果、研磨された平滑なＳｉ単結晶基板表面を
反射面とし、かかる基板表面に対して４５°の角度を有
して形成されたエッチング面を底面とする反射体を用い
ることにより、かかる反射面により反射されたレーザ光
の光強度分布の均一性を向上させることできることを見
出し、本発明を完成した。

【０００５】即ち、本発明は、研磨された平滑なＳｉ単
結晶基板表面を反射面とし、該反射面に対して４５°の
角度を有してエッチング形成された｛１１１｝面を底面
とする、Ｓｉ単結晶からなる反射体である。このよう
に、研磨された平滑なＳｉ単結晶基板表面は、通常極め
て良好な平坦性を有し、表面の凹凸がレーザ光の発光波
長の１／１００程度となるように形成されているため、
かかる基板表面を反射面として用いることにより、反射
面により反射されたレーザ光の光強度分布の均一性を向
上させることが可能となる。これにより、光信号処理に
おけるエラーの発生を低減することが可能となる。ま
た、｛１１１｝面が露出するように、Ｓｉ単結晶基板を
エッチングして反射体の底面を形成することにより、反
射面と底面との角度が正確に４５°となる反射体を、容
易に得ることが可能となる。

【０００６】上記反射体は、上記底面を一方の側面と
し、上記反射面に対して６３°の角度を有するもう１つ
のエッチング側面を他方の側面としたものであっても良
い。

【０００７】上記反射面は、上記Ｓｉ単結晶基板の｛１
００｝面に対して、＜１１０＞方向に９．７°のオフ角
を有する当該Ｓｉ単結晶基板表面であることが好まし
い。このように、反射面、即ち、Ｓｉ単結晶基板表面
を、｛１００｝面に対して＜１１０＞方向に９．７°の
オフ角を有する面とすることにより、かかる反射面に対
して４５°の角度を有する底面を、エッチングにより、
容易に形成することが可能となるからである。

【０００８】また、本発明は、表面に半導体受光素子を
形成したＳｉ素子基板と、該Ｓｉ素子基板上に上記底面
が固定された請求項１に記載の反射体と、該反射体の上
記反射面に対して光を照射する半導体発光素子と、から
なり、該半導体発光素子から上記Ｓｉ素子基板表面に平
行に照射された光が、上記反射面で上記Ｓｉ素子基板表
面に垂直な方向に反射されることを特徴とする光半導体
装置でもある。このように、請求項１に記載の反射体を
Ｓｉ素子基板上に固定して、半導体発光素子から照射さ
れるレーザ光を反射する光半導体装置を形成することに
より、反射面により反射されたレーザ光の光強度分布の
均一性を向上させることが可能となる。これにより、光
信号処理におけるエラーの発生を低減した光半導体装置
を得ることが可能となる。

【０００９】また、本発明は、反射体の製造方法が、Ｓ
ｉ単結晶基板の｛１００｝面に対して、＜１１０＞方向
に９．７°のオフ角を有して研磨された平滑なＳｉ単結
晶基板表面を備えたＳｉ単結晶基板を準備する工程と、
上記Ｓｉ単結晶基板表面上に、上記オフ方向に垂直な方
向に沿ってストリップ状に配列されたエッチングマスク
を形成する工程と、上記エッチングマスクを用いて、上
記Ｓｉ単結晶基板をエッチングして該Ｓｉ単結晶基板を
貫通するエッチング孔を形成し、上記Ｓｉ単結晶基板の
｛１１１｝面を露出させる工程と、からなり、上記Ｓｉ
単結晶基板表面を反射面とし、露出した上記｛１１１｝
面のうち上記反射面に対して４５°の角度を有する面を
底面となすことを特徴とする反射体の製造方法でもあ
る。このように、反射面、即ち、Ｓｉ単結晶基板表面
を、｛１００｝面に対して、＜１１０＞方向に９．７°
のオフ角を有する面とし、｛１１１｝面をエッチングに
より露出させて反射体の底面を形成することにより、比
較的簡単な方法で、反射面と底面との角度を正確に４５
°とすることが可能となる。

【００１０】上記マスク形成工程は、上記オフ方向に垂
直な＜１１０＞方向から偏角５°以内に、上記マスクの
側線を形成するマスク形成工程であることが好ましい。
反射体をエッチング形成する場合に、基板のオフ方向に
垂直な＜１１０＞方向に沿ってマスクを形成してエッチ
ングを行うが、かかるマスクの側線をオフ方向に垂直
な、＜１１０＞方向から偏角５°以内に形成し、これに
より、エッチングした底面と基板上面もしくは基板底面
とが接合する稜線を、上記オフ方向に垂直な＜１１０＞
方向から偏角５°以内に形成することにより、エッチン
グ工程において底面に形成される段差の発生を抑制し、
平坦な底面の作製が可能となる。従って、かかる底面で
反射体をＳｉ素子基板上に固定した場合に、反射体の反
射面を、Ｓｉ素子基板表面に対して正確に４５°の角度
とすることができる。

【００１１】また、本発明は、第１導電型のＳｉ素子基
板に第２導電型領域を設けて受光部を形成し、該受光部
上に設けたＳｉＯ₂膜を開口して電極部を埋め込み形成
する工程と、上記Ｓｉ素子基板上に、該Ｓｉ素子基板表
面に平行な光を照射する半導体発光素子を固定する素子
固定工程と、該素子固定工程に前後して、上記Ｓｉ素子
基板表面に対して垂直な方向に上記光を反射する上記反
射面を備えた請求項１に記載の反射体の底面を上記Ｓｉ
素子基板上に固定する工程と、を備えることを特徴とす
る光半導体装置の製造方法でもある。このように、Ｓｉ
素子基板上に、発光素子と請求項１の反射体とを固定す
ることにより、Ｓｉ素子基板をエッチングすることな
く、Ｓｉ素子基板表面に垂直な方向に光照射される光半
導体装置の作製が可能となる。また、従来構造では、Ｓ
ｉ素子基板にエッチングにより反射面を形成していたた
め、４５°の反射面を形成するためには、（１００）面
から当該単結晶の＜１１０＞方向に９．７°のオフ角を
有するＳｉ素子基板を用いる必要があったが、本発明で
は、反射体を別途形成するため、Ｓｉ素子基板には安価
な（１００）基板を使用することが可能となり、低コス
ト化を図ることが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．本発明の１の実施の形態について、図１
〜３を参照して説明する。図１（ａ）は、基板表面が
（１００）面９からなるＳｉ単結晶基板１の断面図であ
る。かかるＳｉ単結晶基板１では、ＫＯＨ液を用いてウ
エットエッチングすることにより、Ｓｉ単結晶基板１の
表面１６および裏面１７に対して、エッチング面１０
が、５４°の傾斜角８を有して形成される。これは、Ｋ
ＯＨ液に対して、（１００）面９と（１１１）面１０と
の間でエッチング速度が著しく異なるためである。例え
ば、ＫＯＨ液の濃度が、３０ｗｔ％、エッチング時の液
温度が８５℃の条件では、エッチング速度は、（１０
０）面９と（１１１）面１０とで、４００対１となる。
これにより、図１（ａ）に示すように、基板表面が（１
００）面９のＳｉ単結晶基板１を使用した場合、＜１０
０＞方向には著しくエッチングが進み、一方、（１１
１）面１０は殆どエッチングされないため、エッチング
面として（１１１）面１０が形成される。かかる（１１
１）面１０と（１００）面である基板表面とは、５４°
の角度を有する。このことは、Ｓｉ単結晶基板１の表面
を（１００）面から所定の角度を有するように作製する
ことにより、（１１１）エッチング面とＳｉ単結晶基板
１の表面とのなす角度を任意に制御できることを意味す
る。従って、本実施の形態では、図１（ｂ）に示すよう
に、（１００）面９に対して、９．７°のオフ角１２を
有して設けられたスライスライン１３に沿って、Ｓｉイ
ンゴット１１をスライスして作製したＳｉ単結晶基板１
を、反射体作製用の基板として用いる。これにより、Ｓ
ｉ単結晶基板１表面と（１１１）エッチング面とのなす
角度を正確に４５°とすることができる。

【００１３】次に、図２を用いて、本実施の形態にかか
る反射体１８の製造方法について説明する。図２（ａ）
に示すように、Ｓｉ単結晶基板１を準備する。かかるＳ
ｉ単結晶基板１には、図１（ｂ）に示すように、（１０
０）面に対して、当該単結晶の＜１１０＞方向に９．７
°のオフ角を有するオフ基板を用いる。かかるＳｉ単結
晶基板１は、通常、表面および裏面が研磨加工され、良
好なミラー面として供給される。即ち、かかるＳｉ単結
晶基板１の表面および裏面は、その凹凸がピーク・トゥ
・バレーで５０ｎｍ、平均で１０ｎｍ程度の極めて平坦
性の高いミラー面に加工されており、かかる凹凸は赤色
レーザの発光波長（約６５０ｎｍ）の１／１００程度で
あり、このままの表面状態で十分に反射体の反射面とし
て用いることが可能である。次に、図２（ｂ）に示すよ
うに、Ｓｉ単結晶基板１の反射面として用いる面の反対
面に、熱酸化法を用いてＳｉＯ₂膜３１を形成する。次
に、図２（ｃ）に示すように、Ｓｉ単結晶基板１上のＳ
ｉＯ₂膜３１を、フォトリソグラフィ工程を用いてエッ
チングし、Ｓｉ単結晶基板１をエッチングするためのマ
スク３１を形成する。かかるマスクは、Ｓｉ単結晶基板
１上に、基板のオフ方向に垂直な＜１１０＞方向に沿っ
て形成されるが、特に、基板のオフ方向に垂直な＜１１
０＞方向から偏角５°以内に形成することが好ましい。
偏角５°以内で形成することにより、Ｓｉ単結晶基板１
のエッチング工程において、エッチング面上での段差の
形成を抑制し、平坦性に優れた（１１１）エッチング面
の形成が可能となるからである。次に、図２（ｄ）に示
すように、Ｓｉ単結晶基板１の反射面をワックス３２で
被覆した後、エッチング溶液に８５℃程度のＫＯＨ液を
用いて、Ｓｉ単結晶基板１が貫通するまで、Ｓｉ単結晶
基板１のエッチングを行う。かかるエッチング工程で
は、上述のように、エッチング速度の遅い｛１１１｝面
が優先的にエッチング面として形成される。従って、Ｓ
ｉ単結晶基板１として（１００）面に対して、当該単結
晶の＜１１０＞方向に９．７°のオフ角を有するオフ基
板を用いることにより、（１１１）エッチング面１０
が、Ｓｉ単結晶基板１の表面（反射面）と正確に４５°
の角度を有するように形成される。尚、エッチング形成
される他の側面は、基板の底面に対して、６３°の角度
で形成される。最後に、図２（ｅ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂膜３１およびワックス３２を除去した後に、蒸着法
を用いてＡｕおよびＴｉ１８を順次、反射面１７上に積
層形成して、反射体１８が完成する。反射体１８は、か
かる断面に平行な方向に適宜切断して用いることができ
る。

【００１４】このように、所定のオフ角を有するＳｉ単
結晶基板１をエッチングして反射体１８を形成すること
により、エッチング工程だけで、ミラー面からなる反射
面１７に対して４５°の角度のエッチング底面１０を有
する反射体１８を、高精度で、容易に形成することが可
能となる。即ち、Ｓｉ単結晶基板１のオフ角度を選択し
ておくだけで、機械研削で底面を形成する場合のような
研磨角度の精度が不要となり、製造工程が簡略化でき、
量産化に適した工程となる。

【００１５】次に、図３を用いて、本実施の形態にかか
る反射体１８の製造方法について説明する。図３（ａ）
に示すように、図２に示す製造工程により作製された反
射体１８を準備する。かかる反射体１８では、（１１
１）エッチング面１０が底面に、Ｓｉ単結晶基板表面の
オフ面が反射面１７になる。次に、図３（ｂ）に示すよ
うに、ｐ型Ｓｉ素子基板１００上に、熱酸化法を用いて
ＳｉＯ₂膜を形成し（図示せず）、フォトリソグラフィ
工程を用いて所定の位置に開口部を設けた後、熱拡散法
を用いて、例えばリンを拡散させてｎ型領域とし、受光
素子２を形成する。かかる受光素子２上には、必要に応
じて電極部が形成される。受光素子２を形成した後、予
め作製された反射体１８のエッチング底面１０を、熱硬
化性樹脂で、Ｓｉ素子基板１００上の所定の位置に固定
する。この結果、反射体１８の反射面１７は、Ｓｉ素子
基板１００表面に対して４５°の角度を有するミラー面
となる。最後に、図３（ｃ）に示すように、発光素子４
を、Ａｕ−Ｓｎ系半田を用いて、Ｓｉ素子基板１００上
の所定の位置に固定して光半導体装置が完成する。通
常、光半導体装置は、図３（ｄ）に示すように、樹脂や
半田等を用いて、Ｓｉ素子基板１００をパッケージ５に
載置して用いられる。かかるパッケージ５は、上面にホ
ログラム６が樹脂等で固定された構造となっている。上
記工程では、Ｓｉ素子基板１００上に、まず反射体１８
を固定し、続いて発光素子４を固定したが、かかる工程
を逆に行うことも可能である。

【００１６】このように、本実施の形態にかかる光半導
体装置では、発光素子４から出たレーザ光７は、Ｓｉ素
子基板１００表面に平行に反射体１８のミラー面である
反射面１７に入射し、かかる反射面１７でＳｉ素子基板
１００表面に垂直方向に反射されることとなる。従っ
て、レーザ光７は、平坦性に優れたミラー面で反射され
るため、反射光が良好な光強度分布の均一性を有する。
この結果、信号光のトラッキングやフォーカスにおける
読み取りエラー等の発生を低減することが可能となる。
また、本実施の形態にかかる光半導体装置では、従来構
造のように、Ｓｉ素子基板１００をエッチングして形成
した溝部に反射面を形成するのではなく、別途作製した
反射体１８をＳｉ素子基板１００上に固定した構造を有
する。従って、かかる光半導体装置の製造工程において
は、Ｓｉ素子基板１００のエッチング時の受光素子２の
保護が不要となり、製造工程を削減でき、量産性に優れ
た光半導体装置の提供が可能となる。尚、発光素子４に
は、放熱量の比較的少ない発光素子、即ち、１０ｍＷ以
下の低出力の発光素子、並びに発光素子を直接Ｓｉ素子
基板上に載置しても特性温度Ｔｏが９０Ｋ以上の発光素
子を用いることが好ましいが、発光素子の放熱が少なく
所望の発光素子特性が得られる発光素子であれば、これ
以外の発光素子にも適用することが可能である。また、
発光素子２としては、発光波長６３０〜６９０ｎｍのＡ
ｌＧａＩｎＡｓからなる発光素子や、発光波長７５０〜
８３０のＡｌＧａＡｓからなる発光素子等を用いること
ができる。

【００１７】実施の形態２．図４に、本発明の他の実施
の形態にかかる光半導体装置を示す。図４（ａ）は上面
図、図４（ｂ）は、Ａ−Ａ’における断面図であり、図
中、図３と同一符号は、同一または相当箇所を示し、ま
た１９は増幅用ＩＣ、２０は駆動用ＩＣ、２３はこれら
を接続する配線を表す。このように、本発明にかかる光
半導体装置では、従来構造のようにＳｉ素子基板１００
をエッチングして反射面を形成しないため、受光素子２
以外にも、増幅用ＩＣ１９等をＳｉ素子基板１００表面
に形成することが可能となる。この結果、光半導体装置
の高集積化、小型化が可能となる。

【００１８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかる光半導体装置では、表面の凹凸がレーザ光の発
光波長の１／１００程度となるように形成された、極め
て良好な平坦性を有するミラー状のＳｉ単結晶基板表面
が、反射体の反射面として用いるため、かかる反射面に
より反射されたレーザ光の光強度分布の均一性を向上さ
せることが可能となる。これにより、光信号処理におけ
るエラーの発生を低減することが可能となる。

【００１９】また、反射体の底面が、Ｓｉ単結晶基板を
エッチングして、｛１１１｝面が露出するようにして形
成されるため、反射面と底面との角度が正確に４５°と
なる反射体を、容易に得ることができ、光半導体装置の
大量生産が可能となる。

【００２０】また、従来構造のように、Ｓｉ素子基板を
エッチングして形成した溝部に反射面を形成するのでは
なく、別途作製した反射体をＳｉ素子基板上に固定した
構造を有するため、かかる光半導体装置の製造工程にお
いては、Ｓｉ素子基板のエッチング時の受光素子の保護
が不要となり、製造工程を削減でき、量産性に優れた光
半導体装置の提供が可能となる。

【００２１】また、反射体は、Ｓｉ素子基板とは別個に
作製されるため、Ｓｉ素子基板の熱処理にともなう反射
面のあれを防止することも可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ） 本発明の実施の形態１にかかるエッ
チングを行ったＳｉ単結晶基板である。 （ｂ） 本発明の実施の形態１に用いるＳｉ単結晶基板
のスライス方向を示す図である。

【図２】 本発明の実施の形態１にかかる反射体の製造
工程断面図である。

【図３】 本発明の実施の形態１にかかる光半導体装置
の製造工程断面図である。

【図４】 （ａ） 本発明の実施の形態２にかかる光半
導体装置の上面図である。 （ｂ） 本発明の実施の形態２にかかる光半導体装置の
断面図である。

【図５】 従来構造の光半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１ Ｓｉ単結晶基板、２ 受光素子、３ 反射面、４
発光素子、５ パッケージ、６ ホログラム、７ レー
ザ光、８ 傾斜角、９ （１００）面、１０（１１１）
面、１８ 反射体、１００ Ｓｉ素子基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 芳和 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 長谷川 和義 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 永井 精一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨された平滑なＳｉ単結晶基板表面を
   反射面とし、該反射面に対して４５°の角度を有してエ
   ッチング形成された｛１１１｝面を底面とする、Ｓｉ単
   結晶からなる反射体。
2. 【請求項２】 上記反射体が、上記底面を一方の側面と
   し、上記反射面に対して６３°の角度を有するもう１つ
   のエッチング側面を他方の側面としたことを特徴とする
   請求項１に記載の反射体。
3. 【請求項３】 上記反射面が、上記Ｓｉ単結晶基板の
   ｛１００｝面に対して、＜１１０＞方向に９．７°のオ
   フ角を有する当該Ｓｉ単結晶基板表面であることを特徴
   とする請求項１に記載の反射体。
4. 【請求項４】 表面に半導体受光素子を形成したＳｉ素
   子基板と、 該Ｓｉ素子基板上に上記底面が固定された請求項１に記
   載の反射体と、 該反射体の上記反射面に対して光を照射する半導体発光
   素子と、からなり、 該半導体発光素子から上記Ｓｉ素子基板表面に平行に照
   射された光が、上記反射面で上記Ｓｉ素子基板表面に垂
   直な方向に反射されることを特徴とする光半導体装置。
5. 【請求項５】 反射体の製造方法が、 Ｓｉ単結晶基板の｛１００｝面に対して、＜１１０＞方
   向に９．７°のオフ角を有して研磨された平滑なＳｉ単
   結晶基板表面を備えたＳｉ単結晶基板を準備する工程
   と、 上記Ｓｉ単結晶基板表面上に、上記オフ方向に垂直な方
   向に沿ってストリップ状に配列されたエッチングマスク
   を形成する工程と、 上記エッチングマスクを用いて、上記Ｓｉ単結晶基板を
   エッチングして該Ｓｉ単結晶基板を貫通するエッチング
   孔を形成し、上記Ｓｉ単結晶基板の｛１１１｝面を露出
   させる工程と、からなり、 上記Ｓｉ単結晶基板表面を反射面とし、露出した上記
   ｛１１１｝面のうち上記反射面に対して４５°の角度を
   有する面を底面となすことを特徴とする反射体の製造方
   法。
6. 【請求項６】 上記マスク形成工程が、上記オフ方向に
   垂直な＜１１０＞方向から偏角５°以内に、上記マスク
   の側線を形成するマスク形成工程であることを特徴とす
   る請求項５に記載の反射体の製造方法。
7. 【請求項７】 第１導電型のＳｉ素子基板に第２導電型
   領域を設けて受光部を形成し、該受光部上に設けたＳｉ
   Ｏ₂膜を開口して電極部を埋め込み形成する工程と、 上記Ｓｉ素子基板上に、該Ｓｉ素子基板表面に平行な光
   を照射する半導体発光素子を固定する素子固定工程と、 該素子固定工程に前後して、上記Ｓｉ素子基板表面に対
   して垂直な方向に上記光を反射する上記反射面を備えた
   請求項１に記載の反射体の底面を上記Ｓｉ素子基板上に
   固定する工程と、を備えることを特徴とする光半導体装
   置の製造方法。