JP2006086492A - 半導体基板の特定の結晶学的に等価な面を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の{110}面又は{100}面と結晶学的に等価な面を形成する方法が以下のステップを含んでいる。まず、{100}面又は{110}面と結晶学的に等価な上面を有する半導体基板を用意する。次に、エッチング窓を有するエッチングマスクを、{100}面又は{110}面と結晶学的に等価な面に形成する。エッチング窓は、半導体基板の<100>方向又は<110>方向と結晶学的に等価な方向に対してある傾斜角度をなす向きの側壁を有する。傾斜角度は、0度より大きくて90度より小さく、且つ45度に等しくない。その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に{110}面又は{100}面と結晶学的に等価な面を形成する。
【選択図】図4
Description
530 エッチングマスク
540 エッチング窓
541 側壁
550 45度面
Claims (10)
- 半導体基板の{110}面と結晶学的に等価な面を形成する方法であって、
{100}面と結晶学的に等価な面を有する半導体基板を用意するステップと、
前記半導体基板の<100>方向と結晶学的に等価な方向に対して0度より大きくて90度より小さく且つ45度に等しくない傾斜角度をなすように向けられた側壁を有するエッチング窓を持つエッチングマスクを、前記{100}面と結晶学的に等価な面に形成するステップと、
前記エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、前記半導体基板に{110}面と結晶学的に等価な面を形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。 - 前記半導体基板は、結晶構造がダイアモンド構造のシリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記選択的な異方性エッチング処理は、60度から95度の温度のエッチング液で攪拌しながら行われるウェットエッチング処理であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記傾斜角度は、22度以上45度未満であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記傾斜角度は、45度より大きく68度以下であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 半導体基板の{100}面と結晶学的に等価な面を形成する方法であって、
{110}面と結晶学的に等価な面を有する半導体基板を用意するステップと、
前記半導体基板の<110>方向と結晶学的に等価な方向に対して0度より大きくて90度より小さく且つ45度に等しくない傾斜角度をなすように向けられた側壁を有するエッチング窓を持つエッチングマスクを、前記{110}面と結晶学的に等価な面に形成するステップと、
前記エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、前記半導体基板に{100}面と結晶学的に等価な面を形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。 - 前記傾斜角度は22度以上45度未満である、又は前記傾斜角度は45度より大きく68度以下であることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 半導体発光装置の反射面を形成する方法であって、
第1の特定の結晶面を有する半導体基板を用意するステップと、
前記第1の特定の結晶面に対応する結晶方位に対して0度より大きくて90度より小さく且つ45度に等しくない傾斜角度をなすように向けられた側壁を有するエッチング窓を持つエッチングマスクを、前記第1の特定の結晶面に形成するステップと、
前記エッチング窓を用いて前記半導体基板に選択的な異方性エッチング処理を行い、第2の特定の結晶面である前記反射面を形成するステップとを備え、
前記第1及び第2の特定の結晶面は略45度の鋭角をなすことを特徴とする方法。 - 前記第1及び第2の特定の結晶面は、ダイアモンド構造の{100}面及び{110}面と結晶学的に等価な面であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記傾斜角度は22度以上45度未満である、又は前記傾斜角度は45度より大きく68度以下であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
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