TWI245340B - Method for creating slant in semiconductor manufacturing process - Google Patents
Method for creating slant in semiconductor manufacturing process Download PDFInfo
- Publication number
- TWI245340B TWI245340B TW93127925A TW93127925A TWI245340B TW I245340 B TWI245340 B TW I245340B TW 93127925 A TW93127925 A TW 93127925A TW 93127925 A TW93127925 A TW 93127925A TW I245340 B TWI245340 B TW I245340B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- degrees
- etching
- manufacturing
- patent application
- bevel
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW93127925A TWI245340B (en) | 2004-09-15 | 2004-09-15 | Method for creating slant in semiconductor manufacturing process |
JP2005036761A JP4707173B2 (ja) | 2004-09-15 | 2005-02-14 | シリコン基板の特定の結晶学的に等価な面を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW93127925A TWI245340B (en) | 2004-09-15 | 2004-09-15 | Method for creating slant in semiconductor manufacturing process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI245340B true TWI245340B (en) | 2005-12-11 |
TW200610048A TW200610048A (en) | 2006-03-16 |
Family
ID=36164700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW93127925A TWI245340B (en) | 2004-09-15 | 2004-09-15 | Method for creating slant in semiconductor manufacturing process |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4707173B2 (ja) |
TW (1) | TWI245340B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201108332A (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-01 | Univ Nat Central | Package base structure and related manufacturing method |
JP6217706B2 (ja) | 2015-07-29 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置 |
JP6354704B2 (ja) | 2015-08-25 | 2018-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置 |
CN106990461B (zh) * | 2016-01-20 | 2020-05-15 | 安徽中科米微电子技术有限公司 | 一种直角顶角硅阶梯光栅及其制造方法 |
JP6631609B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2020-01-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-09-15 TW TW93127925A patent/TWI245340B/zh active
-
2005
- 2005-02-14 JP JP2005036761A patent/JP4707173B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4707173B2 (ja) | 2011-06-22 |
TW200610048A (en) | 2006-03-16 |
JP2006086492A (ja) | 2006-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6539879B2 (ja) | ワイヤグリット型光吸収型偏光素子、透過型プロジェクター、及び液晶表示装置 | |
JP2012181420A (ja) | 偏光素子 | |
TW200300465A (en) | Method for producing silicon wafer, silicon wafer, and SOI wafer | |
JP5936727B2 (ja) | 偏光素子 | |
JP5951352B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 | |
TWI245340B (en) | Method for creating slant in semiconductor manufacturing process | |
CN107993956A (zh) | 线距标准样片的制备方法 | |
Ashok et al. | Silicon micromachining in 25 wt% TMAH without and with surfactant concentrations ranging from ppb to ppm | |
JPH069194B2 (ja) | 改良された平坦さを持つウェーハからの集積回路 | |
TW200831720A (en) | Epitaxial wafer and method of producing same | |
CN107167863B (zh) | 纳米线栅偏光片的制作方法 | |
TWI292513B (ja) | ||
JP2006178186A (ja) | 偏光制御素子、偏光制御素子の製造方法、偏光制御素子の設計方法、電子機器 | |
JP2004093634A (ja) | 構造体の形成方法 | |
RU2573714C1 (ru) | Способ изготовления матричного фотоприемника | |
JP2015184523A (ja) | マスクブランク基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 | |
JP2003185832A (ja) | 微粒子構造体および微粒子構造体の作成方法 | |
JP3704467B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW541356B (en) | Surface treating agent for micromachining and method for surface treatment | |
JP3303858B2 (ja) | X線マスク及びその製造方法 | |
JP5648392B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランクおよびその製造方法 | |
JP2000003844A (ja) | X線露光用マスク及びその製造方法 | |
JP2001116913A (ja) | 45度マイクロミラー装置の光学的品質を改良する方法 | |
JPH02197115A (ja) | X線露光マスクの製造方法 | |
JPH08162395A (ja) | X線マスク及びその製造方法 |