JP4707173B2 - シリコン基板の特定の結晶学的に等価な面を形成する方法 - Google Patents
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Description
530 エッチングマスク
540 エッチング窓
541 側壁
550 45度面
Claims (8)
- シリコン基板の{100}面と結晶学的に等価な面に{110}面と結晶学的に等価な滑らかな面を形成する方法であって、
前記シリコン基板は結晶構造がダイヤモンド構造であり、
前記シリコン基板における該シリコン基板のカッティングファセットに平行である<100>方向と結晶学的に等価な方向に対して0度より大きくて90度より小さく且つ45度に等しくない傾斜角度をなすように向けられた側壁を有するエッチング窓を持つエッチングマスクを、前記{100}面と結晶学的に等価な面に形成するステップと、
前記エッチング窓を用いて異方性エッチング処理をエッチング液に適合した温度のもとでエッチング液を用いて行い、前記{110}面と結晶学的に等価な、平均表面粗度が200nmより低い面を形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。 - 前記異方性エッチング処理は、水酸化カリウム、水、及びイソプロパノールを含む60度から95度の温度のエッチング液で攪拌しながら行われるウェットエッチング処理であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記傾斜角度は、22度以上45度未満であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記傾斜角度は、45度より大きく68度以下であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- シリコン基板の{110}面と結晶学的に等価な面に{100}面と結晶学的に等価な滑らかな面を形成する方法であって、
前記シリコン基板は結晶構造がダイヤモンド構造であり、
前記シリコン基板における該シリコン基板のカッティングファセットに平行である<110>方向と結晶学的に等価な方向に対して0度より大きくて90度より小さく且つ45度に等しくない傾斜角度をなすように向けられた側壁を有するエッチング窓を持つエッチングマスクを、前記{110}面と結晶学的に等価な面に形成するステップと、
前記エッチング窓を用いて異方性エッチング処理をエッチング液に適合した温度のもとでエッチング液を用いて行い、前記{100}面と結晶学的に等価な、平均表面粗度が200nmより低い面を形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。 - 前記傾斜角度は22度以上45度未満である、又は前記傾斜角度は45度より大きく68度以下であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- シリコン発光装置の滑らかな45度の反射傾斜面を形成する方法であって、
第1の特定の結晶面を有するシリコン基板を用意するステップと、
前記第1の特定の結晶面に対応する結晶方位に対して22度以上68度以下且つ45度に等しくない傾斜角度をなすように向けられた側壁を有するエッチング窓を持つエッチングマスクを、前記第1の特定の結晶面に形成するステップと、
前記エッチング窓を用いて前記シリコン基板に異方性エッチング処理をエッチング液に適合した温度のもとでエッチング液を用いて行い、平均表面粗度が200nmより低い第2の特定の結晶面である前記反射面を形成するステップとを備え、
前記第1及び第2の特定の結晶面は45±1度の鋭角をなすことを特徴とする方法。 - 前記第1及び第2の特定の結晶面は、ダイアモンド構造の{100}面及び{110}面と結晶学的に等価な面であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
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