JP2002264093A - 光学反斜面作製方法、光学素子、ｌｄ用サブマウント、光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学反
射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマ
スクによって一度の異方性エッチングで実現し得るよう
にする。 【解決手段】 （１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性
エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を
形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形
成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから
予想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく
４４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形
の凹形状としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、単結晶Ｓｉの異
方性エッチングを利用して光学反射面を形成する光学反
斜面作製方法、光学素子、ＬＤ用サブマウント、光ピッ
クアップ方法に関するものであり、主としてマイクロ光
学素子や反射鏡一体型ＬＤサブマウント及びそれを使用
した光ピックアップに応用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】単結晶ＳｉはＫＯＨやＴＭＡＨ等の特定
のエッチング液に対して、面方位によりエッチングレー
トが異なるいわゆるエッチングレートの異方性を持って
いる。特にＫＯＨでは（１１１）面に対するエッチング
レートが他の面に対するエッチングレートより二桁以上
小さいため、エッチングを行うことにより（１１１）面
が選択的に現れてくる。この（１１１）面は原理的には
非常に高精度な面精度が期待できるので、これを光学反
射面に利用する研究も行われているが、その為には（１
１１）面の方向に対して非常に厳密なマスク合わせが必
要となる。つまり正確な（１１１）面に対して完全に平
行にエッチングマスクを形成しなければ、エッチングレ
ートの異方性から期待されるほど平坦な面を得ることが
できない。

【０００３】しかし、正確な（１１１）面に対して完全
に平行にエッチングマスクを形成するということはそれ
ほど簡単なことではない。これはＳｉ基板の面方位の目
安となるオリフラは±１度程度の誤差を持っているため
である。そのため従来は０．１度程度の間隔で角度を変
えた数十本のラインアンドスペースからなるＦＡＮパタ
ーンと呼ばれる形状を一度エッチングして正確な面方位
を確認し、それから目的のエッチングマスクを形成して
いた。このように面方位の確認に一度異方性エッチング
を行い、それから実際のエッチングを行うということ
で、プロセス工程は本来必要な工程の２倍の手間がかか
っていた。

【０００４】そこで、このような厳密なマスク合わせを
必要とせずに、異方性エッチングを行う方法として特開
平６−２３２１１２号公報が開示されている。これはエ
ッチングマスクの形状を円形とすることにより、厳密な
マスク合わせをしなくとも正確な面方位に沿ったエッチ
ング形状が得られるというものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】特開平６−２３２１１
２号公報の方法では、厳密なマスク合わせをしなくとも
正確な（１１１）面が得られるが、円形のエッチングマ
スクであるため得られる形状が一意に決まってしまい、
設計の自由度が低くなってしまっていた。また（１１
０）基板においては基板表面に垂直な（１１１）面に加
えて、基板表面に対して３０度の角度をなす（１１１）
面も存在するため、特開平６−２３２１１２号公報に開
示されているような基板表面に垂直な（１１１）面に囲
まれた垂直な貫通孔を得ることは実際にはできなかっ
た。

【０００６】このように、従来知られていたＳｉの異方
性エッチングを利用して光学反射面に利用可能な面を形
成する方法は、面方位の確認のため一度異方性エッチン
グを行うため、非常に手間がかかっていた。またこの確
認を必要としない方法も開示されていたが、特定の形状
しか得られず設計の自由度が低くなってしまっていた。
そのため任意の形状を持つエッチングマスクにおいて、
Ｓｉの異方性エッチングを利用して光学反射面に利用可
能な面を、一度の異方性エッチングで実現することがで
きなかった。

【０００７】そこで、本発明の目的は、上記の問題点を
解消し、Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学反射
面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマス
クによって一度の異方性エッチングで実現することを目
的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載された発明では、（１００）面の単
結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）面
からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法にお
いて、該光学反射面を形成するためのエッチングマスク
の形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向
に対して１度より大きく４４度より小さい角度の線分か
らなる円弧または多角形の凹形状とした光学反射面作製
方法を特徴としている。

【０００９】このように構成された請求項１にかかる発
明によれば、（１００）Ｓｉ基板の異方性エッチングを
利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を
持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチング
で実現することが可能となる。

【００１０】請求項２に記載された発明では、（１１
０）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて
（１１１）面からなる光学反射面を形成する方法におい
て、該光学反射面を形成するためのエッチングマスクの
形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に
対して１度より大きく３４．２６度より小さい角度の線
分からなる円弧または多角形の凹形状とした光学反射面
作製方法を特徴としている。

【００１１】このように構成された請求項２にかかる発
明によれば、（１１０）Ｓｉ基板の異方性エッチングを
利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を
持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチング
で実現することが可能となる。

【００１２】請求項３に記載された発明では、（１１
１）面に対するエッチングマスクの形状をオリフラから
予想される（１１１）面に対して１度より大きく１０度
より小さい角度の線分からなる凹形状の三角形とした請
求項１または２記載の光学反射面作製方法を特徴として
いる。

【００１３】このように構成された請求項３にかかる発
明によれば、Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学
反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチング
マスクによって一度の異方性エッチングで実現すること
が可能となった。しかも、作製が容易で設計の自由度も
高いものができる。

【００１４】請求項４に記載された発明では、（１１
０）面の単結晶Ｓｉ基板に（１１１）面からなる光学反
射面を対向して形成した請求項２または３記載の光学反
射面作製方法を特徴としている。

【００１５】このように構成された請求項４にかかる発
明によれば、高精度で平行な対向光学反射面を、一度の
異方性エッチングで容易に形成することが可能となる。

【００１６】請求項５に記載された発明では、前記エッ
チングマスクを窒化膜で形成した請求項１〜４のいずれ
か１項記載の光学反射面作製方法を特徴としている。

【００１７】このように構成された請求項５にかかる発
明によれば、エッチング条件によってマスクが後退する
ことなく、安定して高精度な光学反射面を容易に形成す
ることが可能となる。

【００１８】請求項６に記載された発明では、前記単結
晶Ｓｉ基板の成長方法がＦＺ法であるウエハーを使用し
た請求項１〜５のいずれか１項記載の光学反射面作製方
法を特徴としている。

【００１９】このように構成された請求項６にかかる発
明によれば、エッチング面の荒れが少ない光学反射面を
容易に形成することが可能となる。

【００２０】請求項７に記載された発明では、請求項１
〜６記載の光学反射面作製方法を用いて形成した光学反
射面を持つ光学素子を特徴としている。

【００２１】このように構成された請求項７にかかる発
明によれば、高精度な光学反射面を持つ光学素子を低コ
ストで容易に作製することが可能となる。

【００２２】請求項８に記載された発明では、ウエハー
表面の研磨面からなる光学反射面をもあわせ持つ請求項
７記載の光学素子を特徴としている。

【００２３】このように構成された請求項８にかかる発
明によれば、二つの光学反射面を任意の角度で交わらせ
ることが可能な光学素子を低コストで容易に作製するこ
とが可能となる。

【００２４】請求項９に記載された発明では、請求項１
〜６記載の光学反射面作製方法を用いて形成した光学反
射面を持つＬＤ用サブマウントを特徴としている。

【００２５】このように構成された請求項９にかかる発
明によれば、高精度な光学反射面を一体化したＬＤ用サ
ブマウントを容易に実現できる。

【００２６】請求項１０に記載された発明では、請求項
７、８記載の光学素子または請求項９記載のＬＤ用サブ
マウントを使用した光ピックアップを特徴としている。

【００２７】このように構成された請求項１０にかかる
発明によれば、光ピックアップの小型・軽量・集積化と
同時に低価格化を図ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図示例と共に説明する。

【００２９】上述したように、異方性エッチングで得ら
れる（１１１）面は原理的には非常に高い面精度が期待
できるのであるが、その為には（１１１）面の方向に対
して非常に厳密なマスク合わせが必要となる。しかしＳ
ｉ基板の面方位の目安となるオリフラは±１度程度の誤
差を持っているため、これを基準にして（１１１）面の
方向にマスク合わせを行った場合、形成したマスクも正
確な（１１１）面に対して±１度程度の誤差を持つこと
になる。従来開示された技術のように円形のマスクを使
えばマスク合わせが不用になるが、四角錐の形状しか作
ることができない。

【００３０】ここで、（１１１）面を得るためのエッチ
ングマスクの形状を（１１１）面に対して適切な角度を
持った凹形状にしてやれば、凹形状の頂点に接する（１
１１）面でエッチングが停止するため、高精度な（１１
１）面を得ることができる。

【００３１】これを図１を用いて説明する。図中、符号
１ａは（１００）Ｓｉ基板上に設けられたエッチングマ
スクで、斜辺１ｂで構成される凹形状をもっている。こ
こでオリフラから予想される（１１１）面の方向が１
ｅ、実際の（１１１）面の方向が１ｄであるとすると、
マスクの凹形状の頂点１ｃが接する（１１１）面がエッ
チング停止面になるので、高い面精度を得ることができ
る。ここで凹形状を構成する斜辺１ｂとオリフラから予
想される（１１１）面のなす角はオリフラから予想され
る（１１１）面と実際の（１１１）面のなす角度より大
きくなければならない。したがって凹形状を構成する斜
辺１ｂとオリフラから予想される（１１１）面のなす角
は、オリフラの誤差量である１度より大きくなければな
らない。また凹形状を構成する斜辺１ｂが実際の（１１
１）面に対して４５度を超えた場合、別な（１１１）面
に対するマスクのように機能してしまうので、これより
も小さな角度でなければならない。この場合も同様にオ
リフラの誤差量である１度を考慮すると、凹形状を構成
する斜辺１ｂとオリフラから予想される（１１１）面の
なす角は４４度より小さな角度でなければならない。

【００３２】そこで、第１の実施の形態では、（１０
０）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて
（１１１）面からなる光学反射面を形成する光学反射面
作製方法において、光学反射面を形成するためのエッチ
ングマスクの形状を、オリフラから予想される（１１
１）面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい
角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としてい
る。これにより、（１００）Ｓｉ基板の異方性エッチン
グを利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形
状を持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチ
ングで実現することが可能となる。

【００３３】また、（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板に異
方性エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射
面を形成する光学反射面作製方法においても、第１の実
施の形態と同様の手法が利用できる。ただし、隣り合う
（１１１）面の形成される角度が３５．２６度であるこ
とからオリフラの誤差量である１度を考慮すると、凹形
状を構成する斜辺１ｂとオリフラから予想される（１１
１）面のなす角は３４．２６度より小さな角度でなけれ
ばならない。

【００３４】そこで、第２の実施の形態では、（１１
０）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて
（１１１）面からなる光学反射面を形成する方法におい
て、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形
状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対
して１度より大きく３４．２６度より小さい角度の線分
からなる円弧または多角形の凹形状としている。これに
より、（１１０）Ｓｉ基板の異方性エッチングを利用し
て、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエ
ッチングマスクによって一度の異方性エッチングで実現
することが可能となる。

【００３５】第１または第２の実施の形態において凹形
状のマスクを設計する場合、最も設計が容易な形状は三
角形の凹形状である。またこの凹形状をなす部分のＳｉ
基板は全てエッチング時に失われるため、凹形状の角度
が大きいと他の構造をこの部分に作ることができず、マ
スク設計の自由度が低くなってしまう。よってこの角度
は小さい方が良く、凹形状の領域が光学反射面の幅に対
して１割以下の厚さに抑えられる１０度以下であること
がより好ましい。

【００３６】そこで、第３の実施の形態では、第１また
は第２の実施の形態において、（１１１）面に対するエ
ッチングマスクの形状をオリフラから予想される（１１
１）面に対して１度より大きく１０度より小さい角度の
線分からなる凹形状の三角形としている。これにより、
Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学反射面に利用
可能な面を、任意の形状を持つエッチングマスクによっ
て一度の異方性エッチングで実現することが可能となっ
た。しかも、作製が容易で設計の自由度も高いものがで
きる。

【００３７】このように、第２または第３の実施の形態
による光学反射面を対向して形成することにより、非常
に高精度な対向した平行光学反射面を得ることができ
る。そこで、第４の実施の形態では、第２または第３の
実施の形態において、（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板に
（１１１）面からなる光学反射面を対向して形成するよ
うにしている。これにより、高精度で平行な対向光学反
射面を、一度の異方性エッチングで容易に形成すること
が可能となる。

【００３８】第１〜第４の実施の形態では、Ｓｉの（１
１１）面のエッチングレートが非常に遅いことを利用し
て光学反射面を実現しているが、エッチングマスクのエ
ッチングレートはこれよりも更に遅いエッチングレート
である必要がある。しかしながら酸化膜をエッチングマ
スクに使用した場合、エッチングの条件によっては酸化
膜のエッチングレートが（１１１）面のエッチングレー
トを超えてしまうことがありうる。一方、窒化膜をエッ
チングマスクに使用した場合、どのようなエッチング条
件でも、窒化膜のエッチングレートが（１１１）面のエ
ッチングレートを超えてしまうことはない。

【００３９】そこで、第５の実施の形態では、第１〜第
４の実施の形態において、エッチングマスクを窒化膜で
形成するようにしている。これにより、エッチング条件
によってマスクが後退することなく、安定して高精度な
光学反射面を容易に形成することが可能となる。

【００４０】Ｓｉの（１１１）面を利用して光学反射面
を形成する場合、原理的にはＳｉ基板の結晶性を反映し
た高精度な面が期待できるのだが、実際には単結晶Ｓｉ
の欠陥や転移によるエッチング面の荒れが観察されるこ
とがある。これらの欠陥は主として結晶成長中に取り込
まれた酸素に起因するものが多いので、酸素取り込まれ
の少ないＦＺ法で成長されたウエハーを用いれば、エッ
チング面の荒れを低減できる。

【００４１】そこで、第６の実施の形態では、第１〜第
５の実施の形態において、単結晶Ｓｉ基板の成長方法が
ＦＺ法であるウエハーを使用している。これにより、エ
ッチング面の荒れが少ない光学反射面を容易に形成する
ことが可能となる。

【００４２】一般的なガラス材料等で光学反射面を持つ
微小な光学素子を作ることは、光学素子の大きさが１ｍ
ｍ以下になると急激に難しくなっていく。特に、高精度
な光学反射面を持つ微小な光学素子を作るためには、研
磨時のカケや歪みが無視できなくなる等の理由により、
加工コストが急激に増加する。一方、Ｓｉのエッチング
により光学反射面を作製する方法は、あまり大きさに依
存しないため、低コストで実現することが可能である。
従来はエッチングにより高精度な光学反射面を容易に得
ることが難しかったのだが、第１〜第６の実施の形態の
光学反射面作製方法を用いればこれを容易に実現でき
る。

【００４３】そこで、第７の実施の形態では、第１〜第
６の実施の形態の光学反射面作製方法を用いて光学反射
面を持つ光学素子を形成している。これにより、高精度
な光学反射面を持つ光学素子を低コストで容易に作製す
ることが可能となる。

【００４４】Ｓｉの（１１１）を光学素子の光学反射面
に利用する場合、光学反射面同士のなす角度は結晶の構
造によって一意に決まってしまうので、任意の角度で交
わる２光学反射面を形成することは難しい。しかしなが
ら、光学反射面の一つをウエハー表面の研磨面で形成す
れば、光学素子の二つの光学反射面を任意の角度で交わ
らせることが可能となる。

【００４５】そこで、第８の実施の形態では、第７の実
施の形態において、ウエハー表面の研磨面からなる光学
反射面をもあわせ持つ光学素子としている。これによ
り、二つの光学反射面を任意の角度で交わらせることが
可能な光学素子を低コストで容易に作製することが可能
となる。

【００４６】半導体レーザを実装するサブマウントに光
学反射面を一体化すれば、光の出射方向を変えることが
可能な、高機能サブマウントを実現できる。この光学反
射面を一体化したサブマウントに第１〜第６の実施の形
態の光学反射面作製方法を適用すれば、高精度な光学反
射面を容易に作製できる。

【００４７】そこで、第９の実施の形態では、第１〜第
６の実施の形態の光学反射面作製方法を用いた光学反射
面を持つＬＤ用サブマウントを形成している。これによ
り、高精度な光学反射面を一体化したＬＤ用サブマウン
トを容易に実現できる。

【００４８】ＣＤやＤＶＤに利用される光ピックアップ
は、再生速度の向上に合わせて小型・軽量・集積化が進
んでいる。それに伴い光学部品も小型・軽量・集積化さ
れたものが必要になるが、民製品であるためあくまで低
価格でなければならない。第７、第８の実施の形態の光
学素子や第９の実施の形態のＬＤ用サブマウントは小型
・軽量・集積化と同時に低価格化が可能なため、光ピッ
クアップに最適な構成部品となりうる。

【００４９】そこで、第１０の実施の形態では、第７、
第８の実施の形態の光学素子や第９の実施の形態のＬＤ
用サブマウントを使用して光ピックアップを構成してい
る。これにより光ピックアップの小型・軽量・集積化と
同時に低価格化を図ることができる。

【００５０】

【実施例】図２は第２〜第８の実施の形態を適用した、
第１の実施例を説明する図であり、ＦＺ法により成長さ
れた（１１０）Ｓｉ基板上に設けられた光学素子の光学
反射面形成用エッチングマスクの上面図である。図中、
符号２ａはＳｉＮからなるエッチングマスクを示してお
り、オリフラから予想される（１１１）面の方向２ｅに
対して６度の角度を持つ二つの斜辺２ｂから構成される
凹形状となっている。ここでマスクの凹形状の頂点２ｃ
が接する（１１１）面２ｄがエッチング停止面になるの
で、この光学反射面は高精度な面精度を有するととも
に、対向した面が完全に平行となる。

【００５１】異方性エッチング終了後、窒化膜を除去
し、ダイシングにより切出した光学素子の斜視図を図３
に示す。エッチングで得られた（１１１）面からなる光
学反射面３ｂ及び３ｃと、エッチングマスク除去後のウ
エハー表面からなる光学反射面３ａは、垂直な位置関係
にある。

【００５２】図４及び５は第９の実施の形態を適用し
た、第２の実施例を説明する図である。図４では（１０
０）面のＳｉ基板に形成されたサブマウント４ａには
（１１１）面からなる光学反射面４ｃが一体化して形成
されており、これに実装されたＬＤ４ｂからの出射光４
ｄは光学反射面４ｃで反射されて、上の方向に放射され
る。

【００５３】同様に図５では（１１０）面のＳｉ基板に
形成されたサブマウント５ａには（１１１）面からなる
光学反射面５ｃが一体化して形成されており、これに実
装されたＬＤ５ｂからの出射光５ｄは光学反射面５ｃで
反射されて、横の方向に放射される。

【００５４】以上、実施例に基づき本発明の説明を行っ
てきたが、上記実施例に上げた形状、その他の要素との
組合わせなど、ここで示した要件に本発明が限定される
ものでは決してない。これらの点に関しては、本発明の
主旨をそぐわない範囲で変更することが可能であり、そ
の応用形態に応じて適切に定めることができる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１の発
明によれば、（１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エ
ッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形
成する光学反射面作製方法において、光学反射面を形成
するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予
想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく４
４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の
凹形状とした光学反射面作製方法により、（１００）Ｓ
ｉ基板の異方性エッチングを利用して、光学反射面に利
用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマスクによ
って一度の異方性エッチングで実現することが可能とな
る。

【００５６】請求項２の発明によれば、（１１０）面の
単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）
面からなる光学反射面を形成する方法において、光学反
射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリ
フラから予想される（１１１）面の方向に対して１度よ
り大きく３４．２６度より小さい角度の線分からなる円
弧または多角形の凹形状とした光学反射面作製方法によ
り、（１１０）Ｓｉ基板の異方性エッチングを利用し
て、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエ
ッチングマスクによって一度の異方性エッチングで実現
することが可能となる。

【００５７】請求項３の発明によれば、（１１１）面に
対するエッチングマスクの形状をオリフラから予想され
る（１１１）面に対して１度より大きく１０度より小さ
い角度の線分からなる凹形状の三角形とした請求項１ま
たは２記載の光学反射面作製方法により、Ｓｉの異方性
エッチングを利用して、光学反射面に利用可能な面を、
任意の形状を持つエッチングマスクによって一度の異方
性エッチングで実現することが可能となった。しかも、
作製が容易で設計の自由度も高いものができる。

【００５８】請求項４の発明によれば、（１１０）面の
単結晶Ｓｉ基板に（１１１）面からなる光学反射面を対
向して形成した請求項２または３記載の光学反射面作製
方法により、高精度で平行な対向光学反射面を、一度の
異方性エッチングで容易に形成することが可能となる。

【００５９】請求項５の発明によれば、エッチングマス
クを窒化膜で形成した請求項１〜４のいずれか１項記載
の光学反射面作製方法により、エッチング条件によって
マスクが後退することなく、安定して高精度な光学反射
面を容易に形成することが可能となる。

【００６０】請求項６の発明によれば、単結晶Ｓｉ基板
の成長方法がＦＺ法であるウエハーを使用した請求項１
〜５のいずれか１項記載の光学反射面作製方法により、
エッチング面の荒れが少ない光学反射面を容易に形成す
ることが可能となる。

【００６１】請求項７の発明によれば、請求項１〜６記
載の光学反射面作製方法を用いて形成した光学反射面を
持つ光学素子により、高精度な光学反射面を持つ光学素
子を低コストで容易に作製することが可能となる。

【００６２】請求項８の発明によれば、ウエハー表面の
研磨面からなる光学反射面をもあわせ持つ請求項７記載
の光学素子により、二つの光学反射面を任意の角度で交
わらせることが可能な光学素子を低コストで容易に作製
することが可能となる。

【００６３】請求項９の発明によれば、請求項１〜６記
載の光学反射面作製方法を用いて形成した光学反射面を
持つＬＤ用サブマウントにより、高精度な光学反射面を
一体化したＬＤ用サブマウントを容易に実現できる。

【００６４】請求項１０の発明によれば、請求項７、８
記載の光学素子または請求項９記載のＬＤ用サブマウン
トを使用した光ピックアップにより、光ピックアップの
小型・軽量・集積化と同時に低価格化を図ることができ
る、という実用上有益な効果を発揮し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するための図である。

【図２】第１の実施例を説明するための上面図である。

【図３】第１の実施例による光学素子の斜視図である。

【図４】第２の実施例による（１００）基板を使用した
ＬＤサブマウントの図である。

【図５】第２の実施例による（１１０）基板を使用した
ＬＤサブマウントの図である。

【符号の説明】

１ａ、２ａ エッチングマスク １ｂ、２ｂ 凹形状をもつエッチングマスクのエッジ １ｃ、２ｃ エッチングマスクの凹形状の頂点 １ｄ、２ｄ 実際の（１１１）面の方向 １ｅ、２ｅ オリフラから予想される（１１１）面の方
向 ３ａ ウエハー表面からなる光学反射面 ３ｂ、３ｃ エッチングで得られた（１１１）面からな
る光学反射面 ４ａ、５ａ サブマウント ４ｂ、５ｂ ＬＤ ４ｃ、５ｃ 光学反射面 ４ｄ、５ｄ ＬＤからの出射光

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エ
   ッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形
   成する光学反射面作製方法において、 該光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状
   を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対し
   て１度より大きく４４度より小さい角度の線分からなる
   円弧または多角形の凹形状としたことを特徴とする光学
   反射面作製方法。
2. 【請求項２】（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エ
   ッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形
   成する方法において、 該光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状
   を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対し
   て１度より大きく３４．２６度より小さい角度の線分か
   らなる円弧または多角形の凹形状としたことを特徴とす
   る光学反射面作製方法。
3. 【請求項３】（１１１）面に対するエッチングマスクの
   形状をオリフラから予想される（１１１）面に対して１
   度より大きく１０度より小さい角度の線分からなる凹形
   状の三角形としたことを特徴とする請求項１または２記
   載の光学反射面作製方法。
4. 【請求項４】（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板に（１１
   １）面からなる光学反射面を対向して形成したことを特
   徴とする請求項２または３記載の光学反射面作製方法。
5. 【請求項５】前記エッチングマスクを窒化膜で形成した
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の光
   学反射面作製方法。
6. 【請求項６】前記単結晶Ｓｉ基板の成長方法がＦＺ法で
   あるウエハーを使用したことを特徴とする請求項１〜５
   のいずれか１項記載の光学反射面作製方法。
7. 【請求項７】請求項１〜６記載の光学反射面作製方法を
   用いて形成した光学反射面を持つことを特徴とする光学
   素子。
8. 【請求項８】ウエハー表面の研磨面からなる光学反射面
   をもあわせ持つことを特徴とする請求項７記載の光学素
   子。
9. 【請求項９】請求項１〜６記載の光学反射面作製方法を
   用いて形成した光学反射面を持つことを特徴とするＬＤ
   用サブマウント。
10. 【請求項１０】請求項７、８記載の光学素子または請求
    項９記載のＬＤ用サブマウントを使用したことを特徴と
    する光ピックアップ。