JPH1048479A - 光接続装置 - Google Patents
光接続装置Info
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- JPH1048479A JPH1048479A JP20000596A JP20000596A JPH1048479A JP H1048479 A JPH1048479 A JP H1048479A JP 20000596 A JP20000596 A JP 20000596A JP 20000596 A JP20000596 A JP 20000596A JP H1048479 A JPH1048479 A JP H1048479A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に形成された光導波路や発光、受光素
子等の光素子と、これに隣接して基板に固定された光フ
ァイバとの高効率な光結合に好適な光接続装置を得る。 【解決手段】 Ｓｉ（１００）基板１上に光導波路２が
形成されており、その端部に隣接して形成されたＶ溝
（Ｖ型ガイド溝）３上に、先端クラッド部をＶ溝３の端
部（１１１）結晶面５の傾斜角、５４．７°に合せて円
錐面（テーパー角約１０９．４°）６に研磨加工した光
ファイバ４が、そのクラッド傾斜面６とＶ溝３の端部
（１１１）結晶面５とが接触するように固定されてい
る。これによって光ファイバ４のコア端部を自由に光導
波路２端部に近づけることができるようになり、高い結
合効率が得られる。
子等の光素子と、これに隣接して基板に固定された光フ
ァイバとの高効率な光結合に好適な光接続装置を得る。 【解決手段】 Ｓｉ（１００）基板１上に光導波路２が
形成されており、その端部に隣接して形成されたＶ溝
（Ｖ型ガイド溝）３上に、先端クラッド部をＶ溝３の端
部（１１１）結晶面５の傾斜角、５４．７°に合せて円
錐面（テーパー角約１０９．４°）６に研磨加工した光
ファイバ４が、そのクラッド傾斜面６とＶ溝３の端部
（１１１）結晶面５とが接触するように固定されてい
る。これによって光ファイバ４のコア端部を自由に光導
波路２端部に近づけることができるようになり、高い結
合効率が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路や発光素子、受
光素子などの光素子と光ファイバとの高効率な光結合に
好適な光接続装置に関し、特に光素子が形成されている
基板上に光ファイバを固定結合するための構造に関す
る。
光素子などの光素子と光ファイバとの高効率な光結合に
好適な光接続装置に関し、特に光素子が形成されている
基板上に光ファイバを固定結合するための構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｓｉ基板上に形成された光素子と
光ファイバとを光学的に結合するための光接続装置とし
て、例えば光素子としての光導波路を形成したＳｉ基板
に異方性化学エッチングを用いてＶ型の溝を位置決め形
成し、これに光ファイバを固定して結合させる方法が広
く知られている。図５はその一例であり、Ｓｉ基板１１
上に光導波路１２と光ファイバ１４を支持するＶ溝１３
が形成されている。Ｖ溝１３の加工には簡便に高精度微
細加工が行える異方性化学エッチングを利用する。Ｓｉ
基板１１の結晶面には（１００）面を用い、Ｖ溝１３は
２つの（１１１）面より構成される。そして、このＶ溝
１３に光ファイバ１４の端部を内装し、かつ固定する。
これにより、Ｖ溝１３に対して光ファイバ１４はそのコ
アを光導波路１２に対して軸合わせした状態での固定が
実現される。
光ファイバとを光学的に結合するための光接続装置とし
て、例えば光素子としての光導波路を形成したＳｉ基板
に異方性化学エッチングを用いてＶ型の溝を位置決め形
成し、これに光ファイバを固定して結合させる方法が広
く知られている。図５はその一例であり、Ｓｉ基板１１
上に光導波路１２と光ファイバ１４を支持するＶ溝１３
が形成されている。Ｖ溝１３の加工には簡便に高精度微
細加工が行える異方性化学エッチングを利用する。Ｓｉ
基板１１の結晶面には（１００）面を用い、Ｖ溝１３は
２つの（１１１）面より構成される。そして、このＶ溝
１３に光ファイバ１４の端部を内装し、かつ固定する。
これにより、Ｖ溝１３に対して光ファイバ１４はそのコ
アを光導波路１２に対して軸合わせした状態での固定が
実現される。
【０００３】しかしながら、このようにＳｉ基板に異方
性化学エッチングを用いて形成されるＶ溝は、その光導
波路側の終端部に（１１１）結晶面１５（傾き角度θ＝
５４．７°）が形成される。このため、この終端部（１
１１）結晶面１５が光ファイバ１４の先端面の周縁部と
干渉され、光ファイバの先端面を光導波路１２に近づけ
ることが出来なくなる。例えば、市販の外径１２５μｍ
の光ファイバを用いた場合、光導波路１２と光ファイバ
１４との間隔は約４０μｍにも開いてしまう。このた
め、光導波路１２と光ファイバ１４との光結合効率は極
端に小さくなってしまうという問題が生じている。
性化学エッチングを用いて形成されるＶ溝は、その光導
波路側の終端部に（１１１）結晶面１５（傾き角度θ＝
５４．７°）が形成される。このため、この終端部（１
１１）結晶面１５が光ファイバ１４の先端面の周縁部と
干渉され、光ファイバの先端面を光導波路１２に近づけ
ることが出来なくなる。例えば、市販の外径１２５μｍ
の光ファイバを用いた場合、光導波路１２と光ファイバ
１４との間隔は約４０μｍにも開いてしまう。このた
め、光導波路１２と光ファイバ１４との光結合効率は極
端に小さくなってしまうという問題が生じている。
【０００４】この問題を解決するために、例えば特開平
１−１２６６０８号公報では、図６のようにＶ溝１３の
終端部にほぼ垂直の壁を持つ凹型の溝１６を設けた技術
が提案されているまた、この垂直の壁を形成するため
に、特開平１−９４３０５号公報では凹溝に代えて基板
に垂直方向の穴を開設する技術も提案されている。
１−１２６６０８号公報では、図６のようにＶ溝１３の
終端部にほぼ垂直の壁を持つ凹型の溝１６を設けた技術
が提案されているまた、この垂直の壁を形成するため
に、特開平１−９４３０５号公報では凹溝に代えて基板
に垂直方向の穴を開設する技術も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの公報に提案さ
れている技術では、光ファイバの先端面を凹溝や穴の端
面に当接させることが可能であるため、光ファイバを光
導波路等の光素子に近接させることが可能となり、前記
した光結合効率を改善する上では有効となる。しかしな
がら、Ｖ溝１３の終端部にほぼ垂直の壁を持つ凹型の溝
１６を設ける技術では、この様な高精度でかつ１００μ
ｍ近い深い溝や穴を加工するには、例えば高性能なドラ
イエッチング装置が必要であり，しかも硬いＳｉ基板の
加工速度は極めて遅いため、装置にもよるが加工には数
〜数十時間もかかるなど、量産性の面で問題があり、実
用的ではないという問題がある。
れている技術では、光ファイバの先端面を凹溝や穴の端
面に当接させることが可能であるため、光ファイバを光
導波路等の光素子に近接させることが可能となり、前記
した光結合効率を改善する上では有効となる。しかしな
がら、Ｖ溝１３の終端部にほぼ垂直の壁を持つ凹型の溝
１６を設ける技術では、この様な高精度でかつ１００μ
ｍ近い深い溝や穴を加工するには、例えば高性能なドラ
イエッチング装置が必要であり，しかも硬いＳｉ基板の
加工速度は極めて遅いため、装置にもよるが加工には数
〜数十時間もかかるなど、量産性の面で問題があり、実
用的ではないという問題がある。
【０００６】本発明の目的は加工を容易なものとし、か
つ光導波路や発光素子、受光素子などの光素子と光ファ
イバとの高効率な光結合に好適な光接続装置を実現する
ことにある。
つ光導波路や発光素子、受光素子などの光素子と光ファ
イバとの高効率な光結合に好適な光接続装置を実現する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
した光素子と、この光素子に隣接する位置の前記基板上
に形成したガイド溝上に固定される光ファイバとを互い
に対向配置させて光学的に結合させてなる光接続装置に
おいて、前記光ファイバの先端面が前記ガイド溝の端部
に生じている傾斜面の角度に合わせて円錐状に加工され
ていることを特徴とする。すなわち、光ファイバは中心
位置のコアと、このコアの周囲に設けられているクラッ
ドとで構成され、前記クラッド部分の少なくとも一部が
円錐状に加工してあり、この円錐状の端面がガイド溝の
端部の傾斜面に当接されるように構成する。この場合、
コアの端面はファイバ軸に対して垂直な平面として、あ
るいはコアの端面がレンズ作用を有する曲面として形成
される。
した光素子と、この光素子に隣接する位置の前記基板上
に形成したガイド溝上に固定される光ファイバとを互い
に対向配置させて光学的に結合させてなる光接続装置に
おいて、前記光ファイバの先端面が前記ガイド溝の端部
に生じている傾斜面の角度に合わせて円錐状に加工され
ていることを特徴とする。すなわち、光ファイバは中心
位置のコアと、このコアの周囲に設けられているクラッ
ドとで構成され、前記クラッド部分の少なくとも一部が
円錐状に加工してあり、この円錐状の端面がガイド溝の
端部の傾斜面に当接されるように構成する。この場合、
コアの端面はファイバ軸に対して垂直な平面として、あ
るいはコアの端面がレンズ作用を有する曲面として形成
される。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形
態の分解斜視図であり、図２（ａ）〜（ｃ）はその正面
図、平面図、右側面図である。この実施形態では、Ｓｉ
（１００）基板１上に形成した光導波路２と、Ｓｉ基板
上に形成されたガイド溝としてのＶ溝３上に固定した光
ファイバ４との光接続に本発明を適用した例を示してい
る。前記光導波路２の端部に隣接して形成されたＶ溝３
は、Ｓｉ（１００）面方位基板上に異方性化学エッチン
グを用いて２つの（１１１）側壁からなるＶ型の溝を形
成している。このため、Ｖ溝の側面はもとより、その終
端部の（１１１）結晶面（以下、終端面）５は、このエ
ッチング方位によって、Ｓｉ基板の上面に対して５４．
７゜で傾斜された斜面として形成されることになる。な
お、Ｓｉは硬く丈夫であるため基板として適しており、
かつＶ溝３を形成するための異方性化学エッチング方法
はＳｉ基板１の（１００）面と（１１１）面とのエッチ
ング速度差を非常に大きくでき精密加工に最適である。
図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形
態の分解斜視図であり、図２（ａ）〜（ｃ）はその正面
図、平面図、右側面図である。この実施形態では、Ｓｉ
（１００）基板１上に形成した光導波路２と、Ｓｉ基板
上に形成されたガイド溝としてのＶ溝３上に固定した光
ファイバ４との光接続に本発明を適用した例を示してい
る。前記光導波路２の端部に隣接して形成されたＶ溝３
は、Ｓｉ（１００）面方位基板上に異方性化学エッチン
グを用いて２つの（１１１）側壁からなるＶ型の溝を形
成している。このため、Ｖ溝の側面はもとより、その終
端部の（１１１）結晶面（以下、終端面）５は、このエ
ッチング方位によって、Ｓｉ基板の上面に対して５４．
７゜で傾斜された斜面として形成されることになる。な
お、Ｓｉは硬く丈夫であるため基板として適しており、
かつＶ溝３を形成するための異方性化学エッチング方法
はＳｉ基板１の（１００）面と（１１１）面とのエッチ
ング速度差を非常に大きくでき精密加工に最適である。
【０００９】そして、このＶ溝３内に固定する光ファイ
バ４は、その先端面を円錐台状に研磨しており、この円
錐面６が前記Ｖ溝３の終端面５に密接されるように形成
している。すなわち、光ファイバ４の先端クラッド部４
ｂをＶ溝３の終端面５の傾斜角５４．７゜に合せてテー
パ角約１０９．４°に研磨加工している。また、コア４
ａは研磨しておらず、平坦面として形成している。した
がって、光ファイバ４の先端面の円錐面６をＶ溝の終端
面５に密接させることで、光ファイバ４の先端面を光導
波路２の終端部に一層近接させることが可能となり、コ
アの先端面を光導波路に近接ないし接触させることが可
能となる。これによって光ファイバ４のコア端部と光導
波路２との間の光結合の効率を高めることが可能とな
る。
バ４は、その先端面を円錐台状に研磨しており、この円
錐面６が前記Ｖ溝３の終端面５に密接されるように形成
している。すなわち、光ファイバ４の先端クラッド部４
ｂをＶ溝３の終端面５の傾斜角５４．７゜に合せてテー
パ角約１０９．４°に研磨加工している。また、コア４
ａは研磨しておらず、平坦面として形成している。した
がって、光ファイバ４の先端面の円錐面６をＶ溝の終端
面５に密接させることで、光ファイバ４の先端面を光導
波路２の終端部に一層近接させることが可能となり、コ
アの先端面を光導波路に近接ないし接触させることが可
能となる。これによって光ファイバ４のコア端部と光導
波路２との間の光結合の効率を高めることが可能とな
る。
【００１０】ここで、光導波路２の形成材料としては誘
電体、半導体、磁性体等の色々のものを適用することが
可能であるが、損失特性および光ファイバとの整合性に
優れているという点で石英系ガラスが最も一般的に用い
られる。石英光導波路の形成方法としては、例えば石英
系ガラス膜の化学気相堆積とフォトリソグラフィおよび
ドライエッチングによるパターニングを組み合わせた方
法が一般的であるが、石英系液状物質の塗布と焼結によ
る簡便な方法も選択できる。また損失は大きいが取り扱
いが容易で加工性も良いポリマー系光導波路を選択する
ことも出来る。またＳｉ基板上にヘテロエピタキシャル
成長した半導体層を光導波路に加工しても良い。
電体、半導体、磁性体等の色々のものを適用することが
可能であるが、損失特性および光ファイバとの整合性に
優れているという点で石英系ガラスが最も一般的に用い
られる。石英光導波路の形成方法としては、例えば石英
系ガラス膜の化学気相堆積とフォトリソグラフィおよび
ドライエッチングによるパターニングを組み合わせた方
法が一般的であるが、石英系液状物質の塗布と焼結によ
る簡便な方法も選択できる。また損失は大きいが取り扱
いが容易で加工性も良いポリマー系光導波路を選択する
ことも出来る。またＳｉ基板上にヘテロエピタキシャル
成長した半導体層を光導波路に加工しても良い。
【００１１】また光ファイバ４をＳｉ基板１のＶ溝３上
に機械的に挿入するだけで安定に保持でき、精密かつ再
現性良く位置も決まる。なお実際にはクラッド傾斜加工
部の角度をＶ溝３の終端面５に完全に合せることは難し
いが、その程度は数度程度であり、光ファイバ４を光導
波路２に近接させる効果としては十分なものが得られ
る。そして、この様な光ファイバ先端の研磨加工には市
販の小型かつ安価な装置を用いることができ、またバッ
チ処理が可能で研磨時間も数分程度と短く、従って高性
能かつ高価なドライエッチング装置なども必要なく、容
易にかつ安価に製造を行うことが可能となる。
に機械的に挿入するだけで安定に保持でき、精密かつ再
現性良く位置も決まる。なお実際にはクラッド傾斜加工
部の角度をＶ溝３の終端面５に完全に合せることは難し
いが、その程度は数度程度であり、光ファイバ４を光導
波路２に近接させる効果としては十分なものが得られ
る。そして、この様な光ファイバ先端の研磨加工には市
販の小型かつ安価な装置を用いることができ、またバッ
チ処理が可能で研磨時間も数分程度と短く、従って高性
能かつ高価なドライエッチング装置なども必要なく、容
易にかつ安価に製造を行うことが可能となる。
【００１２】なお、この実施形態では、光導波路をＳｉ
基板上に形成する場合を例に説明したが、別の基板に作
製した光導波路チップをＶ溝を形成したＳｉ基板上にボ
ンディングして固定しても良い。または別の基板に作製
した光導波路をＳｉ基板上に転写する、または別の基板
に作製した光導波路構造をＳｉ基板上に転写後、後プロ
セスで光導波路に加工しても良い。
基板上に形成する場合を例に説明したが、別の基板に作
製した光導波路チップをＶ溝を形成したＳｉ基板上にボ
ンディングして固定しても良い。または別の基板に作製
した光導波路をＳｉ基板上に転写する、または別の基板
に作製した光導波路構造をＳｉ基板上に転写後、後プロ
セスで光導波路に加工しても良い。
【００１３】図３（ａ）は本発明をＳｉ基板上にフリッ
プチップボンディングした半導体レーザ素子とＶ溝上に
固定した光ファイバとの光接続に適用した場合の一例と
しての装置構成を示している。この実施形態では、光フ
ァイバ４の先端のクラッド部分を円錐面６として研磨加
工することで、光ファイバの先端面をＶ溝３の終端面５
に近接させることは第１の実施形態と同じである。一
方、電極パッド７によりＳｉ基板１上に搭載されレーザ
素子８は大きなビーム放射角度を持つため、図３（ｂ）
に拡大図示するように光ファイバの先端面におけるコア
４ａの先端面を球面９として加工してレンズ作用を持た
せてある。この場合はコア先端面における球面９のレン
ズ作用による光の集束効果により、レーザ素子８の端面
とＶ溝３の端部との間隔を調節することでレーザ素子８
の端面と光ファイバ４のコア先端面との間隔を、最も高
い結合効率が得られる位置に設定することができる。
プチップボンディングした半導体レーザ素子とＶ溝上に
固定した光ファイバとの光接続に適用した場合の一例と
しての装置構成を示している。この実施形態では、光フ
ァイバ４の先端のクラッド部分を円錐面６として研磨加
工することで、光ファイバの先端面をＶ溝３の終端面５
に近接させることは第１の実施形態と同じである。一
方、電極パッド７によりＳｉ基板１上に搭載されレーザ
素子８は大きなビーム放射角度を持つため、図３（ｂ）
に拡大図示するように光ファイバの先端面におけるコア
４ａの先端面を球面９として加工してレンズ作用を持た
せてある。この場合はコア先端面における球面９のレン
ズ作用による光の集束効果により、レーザ素子８の端面
とＶ溝３の端部との間隔を調節することでレーザ素子８
の端面と光ファイバ４のコア先端面との間隔を、最も高
い結合効率が得られる位置に設定することができる。
【００１４】図４は本発明の第３の実施形態を示してお
り、Ｓｉ基板１上に形成した薄膜半導体レーザ素子１０
とＶ溝３上に固定した光ファイバ４との光接続に適用し
た場合の一例としての装置構成である。この構成では、
光ファイバ４の先端のクラッド部分を円錐面６に研磨加
工した上で、さらにコア先端面を球面９に加工すること
でレンズ作用を持たせる点は、第２の実施形態と同じで
ある。この実施形態では、薄膜状のレーザ素子１０は例
えば化合物半導体基板上に形成したレーザ構造層部分の
みをＳｉ基板上に転写形成した後、後プロセスで例えば
リッジ型ストライプ構造等に加工することで形成でき
る。その他、Ｓｉ基板上に直接化合物半導体レーザ構造
層をヘテロエピタキシャル成長してレーザ素子に加工す
る方法もあるが、現状では高品質な結晶を得ることが困
難である。このように、基板がＳｉである場合などは、
特に発光、受光素子など一般に化合物半導体材料からな
る光素子を直接形成することは結晶品質の確保などの点
から難しい。その様な場合には別の化合物半導体基板上
に形成した光素子構造層部分のみをＳｉ基板上に分離転
写した後、後プロセスで加工してＳｉ基板上に光素子を
形成すれば良く、直接形成する場合と同様に光素子と光
ファイバとの光軸合せをプロセスレベルの精密さでウエ
ハ一括で行うことが出来る。
り、Ｓｉ基板１上に形成した薄膜半導体レーザ素子１０
とＶ溝３上に固定した光ファイバ４との光接続に適用し
た場合の一例としての装置構成である。この構成では、
光ファイバ４の先端のクラッド部分を円錐面６に研磨加
工した上で、さらにコア先端面を球面９に加工すること
でレンズ作用を持たせる点は、第２の実施形態と同じで
ある。この実施形態では、薄膜状のレーザ素子１０は例
えば化合物半導体基板上に形成したレーザ構造層部分の
みをＳｉ基板上に転写形成した後、後プロセスで例えば
リッジ型ストライプ構造等に加工することで形成でき
る。その他、Ｓｉ基板上に直接化合物半導体レーザ構造
層をヘテロエピタキシャル成長してレーザ素子に加工す
る方法もあるが、現状では高品質な結晶を得ることが困
難である。このように、基板がＳｉである場合などは、
特に発光、受光素子など一般に化合物半導体材料からな
る光素子を直接形成することは結晶品質の確保などの点
から難しい。その様な場合には別の化合物半導体基板上
に形成した光素子構造層部分のみをＳｉ基板上に分離転
写した後、後プロセスで加工してＳｉ基板上に光素子を
形成すれば良く、直接形成する場合と同様に光素子と光
ファイバとの光軸合せをプロセスレベルの精密さでウエ
ハ一括で行うことが出来る。
【００１５】ここで、化合物半導体基板上に形成したレ
ーザ構造層をＳｉ基板上に転写する方法としては例えば
結晶同士を原子レベルで張り合わせる直接接合法などが
用いられる。化合物半導体基板の除去は、例えばレーザ
構造層との間に選択エッチング層を挿入しておくことで
容易に行える。レーザ構造層のＳｉ基板上への固定をフ
ァンデルワールス力で行う方法もあるが、この場合はＳ
ｉ基板とレーザ素子間の導電性は確保しにくい。レーザ
構造層をレーザ素子に加工後、化合物半導体基板を除去
してＳｉ基板上に転写する方法もあるが、この場合の光
軸合せは実施例２で説明したフリップチップボンディン
グによる方法と同様に個別に行う必要がある。
ーザ構造層をＳｉ基板上に転写する方法としては例えば
結晶同士を原子レベルで張り合わせる直接接合法などが
用いられる。化合物半導体基板の除去は、例えばレーザ
構造層との間に選択エッチング層を挿入しておくことで
容易に行える。レーザ構造層のＳｉ基板上への固定をフ
ァンデルワールス力で行う方法もあるが、この場合はＳ
ｉ基板とレーザ素子間の導電性は確保しにくい。レーザ
構造層をレーザ素子に加工後、化合物半導体基板を除去
してＳｉ基板上に転写する方法もあるが、この場合の光
軸合せは実施例２で説明したフリップチップボンディン
グによる方法と同様に個別に行う必要がある。
【００１６】なお、前記各実施形態では、Ｓｉ（１０
０）面方位基板上にＶ溝を形成する場合について説明し
たが、光ファイバを精密に固定できれば（１００）面か
ら特定方向に傾斜させた面方位基板や、別の面方位の基
板を用いても良い。この場合も光ファイバ用ガイド溝の
端部の傾斜角に合せて光ファイバの先端クラッド部分を
研磨加工すれば良い。あるいは、Ｓｉ以外の素材からな
る基板を用いた場合でも、光ファイバ固定用に形成した
溝端部に何らかの理由で一定の傾斜面が存在する場合は
本発明を適用することが可能である。
０）面方位基板上にＶ溝を形成する場合について説明し
たが、光ファイバを精密に固定できれば（１００）面か
ら特定方向に傾斜させた面方位基板や、別の面方位の基
板を用いても良い。この場合も光ファイバ用ガイド溝の
端部の傾斜角に合せて光ファイバの先端クラッド部分を
研磨加工すれば良い。あるいは、Ｓｉ以外の素材からな
る基板を用いた場合でも、光ファイバ固定用に形成した
溝端部に何らかの理由で一定の傾斜面が存在する場合は
本発明を適用することが可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光ファイ
バの端面を、ガイド溝の端部の傾斜面に合わせて円錐状
に形成しているので、光ファイバの円錐面をガイド溝の
傾斜面に当接させることが可能となり、光ファイバの端
面を光素子に近接した状態に固定することが可能とな
る。これにより、光素子と光ファイバとを近接状態に対
向配置でき、光素子と光ファイバとの高効率な光結合に
好適な光接続装置が実現できる。したがって、ガイド溝
に垂直面を形成する必要がなく、ガイド溝の形成工程が
簡略化でき、かつ製造を容易にして、光結合効率の高い
光接続装置の実現が可能となる。また、光ファイバのコ
アの端面を曲面に形成してレンズ作用をもたせること
で、光素子との光結合効率を更に高めることが可能とな
る。さらに、光素子を転写法により形成することで、製
造プロセスの簡易化が実現できる。
バの端面を、ガイド溝の端部の傾斜面に合わせて円錐状
に形成しているので、光ファイバの円錐面をガイド溝の
傾斜面に当接させることが可能となり、光ファイバの端
面を光素子に近接した状態に固定することが可能とな
る。これにより、光素子と光ファイバとを近接状態に対
向配置でき、光素子と光ファイバとの高効率な光結合に
好適な光接続装置が実現できる。したがって、ガイド溝
に垂直面を形成する必要がなく、ガイド溝の形成工程が
簡略化でき、かつ製造を容易にして、光結合効率の高い
光接続装置の実現が可能となる。また、光ファイバのコ
アの端面を曲面に形成してレンズ作用をもたせること
で、光素子との光結合効率を更に高めることが可能とな
る。さらに、光素子を転写法により形成することで、製
造プロセスの簡易化が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施形態の光接続装置を示す部
分分解斜視図である。
分分解斜視図である。
【図２】第１の実施形態の組み立て状態の正面図、平面
図、右側面図である。
図、右側面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の光接続装置を示す正
面図とその拡大図である。
面図とその拡大図である。
【図４】本発明の第３の実施形態の光接続装置を示す正
面図である。
面図である。
【図５】従来の光接続装置の一例を示す正面図である。
【図６】従来の光接続装置の他の例を示す正面図であ
る。
る。
１ Ｓｉ（１００）基板 ２ 光導波路 ３ Ｖ溝 ４ 光ファイバ ５ 終端部の（１１１）結晶面 ６ 円錐面 ７ 電極パッド ８ レーザ素子 ９ 球面 １０ 薄膜レーザ素子
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成した光素子と、この光素子
に隣接する位置の前記基板上に形成したガイド溝上に固
定される光ファイバとを互いに対向配置させて光学的に
結合させてなる光接続装置において、前記光ファイバの
先端面が前記ガイド溝の端部に生じている傾斜面の角度
に合わせて円錐状に加工されていることを特徴とする光
接続装置。 - 【請求項２】 光ファイバは中心位置のコアと、このコ
アの周囲に設けられているクラッドとで構成され、前記
クラッド部分の少なくとも一部が円錐状に加工してある
請求項１の光接続装置。 - 【請求項３】 コアの端面はファイバ軸に対して垂直な
平面である請求項２の光接続装置。 - 【請求項４】 コアの端面がレンズ作用を有する曲面状
に形成されてなる請求項２の光接続装置。 - 【請求項５】 前記基板がＳｉであり，前記ガイド溝を
異方性化学エッチングにより加工してなる請求項１ない
し４のいずれかの光接続装置。 - 【請求項６】 光素子は、前記基板とは異なる第二の基
板上に形成した光素子構造層部分のみを前記基板上に分
離転写した後、後プロセスで加工して形成してある請求
項１ないし５のいずれかの光接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000596A JPH1048479A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000596A JPH1048479A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光接続装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048479A true JPH1048479A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16417217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20000596A Pending JPH1048479A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048479A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276081A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 導波路の接続構造および光分岐結合素子 |
| CN100412587C (zh) * | 2005-12-31 | 2008-08-20 | 中国科学院物理研究所 | 单模透镜光纤与平板脊形波导的有源对准固定装置及方法 |
| WO2017135099A1 (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバと半導体レーザとの光結合構造 |
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-
1996
- 1996-07-30 JP JP20000596A patent/JPH1048479A/ja active Pending
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